DE2512660C3 - Schaltungsanordnung für Fernmeldevermittlungsanlagen, insbesondere Fernsprechvermittlungsanlagen, mit Prüf- und Belegungsstromkreisen - Google Patents

Schaltungsanordnung für Fernmeldevermittlungsanlagen, insbesondere Fernsprechvermittlungsanlagen, mit Prüf- und Belegungsstromkreisen

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DE2512660C3 DE19752512660 DE2512660A DE2512660C3 DE 2512660 C3 DE2512660 C3 DE 2512660C3 DE 19752512660 DE19752512660 DE 19752512660 DE 2512660 A DE2512660 A DE 2512660A DE 2512660 C3 DE2512660 C3 DE 2512660C3
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Description

Erfindungsgemäß ist also der zeitliche Stromverlauf in Prüf- und Belegungsstromkreisen den Erfordernissen für Prüfrelais angepaßt, und zwar auf eine für relaislose «no Verbindung erforderliche Schalteinrichtu.igen, z, B. Relaisverbindungssätze, besonders zweckmäßige Wei- s se nämlich unter Ausnutzung von die Relaisschaltfuriktionen in herkömmlichen Relaisverbindungssätzen ersetzenden elektronischen Schaltmitteln z. D. Transistc-
ren. In der Zeichnung ist ein Ausführungsbeispiel der
Erfindung nur in wesentlich zu ihrem Verständnis beitragenden Bestandteilen dargestellt, worauf sie jedoch keinesfalls beschränkt ist.
Von einem Wähler Wist der Prüfstromkreis mit den heiden Wicklungen I und H eines Prüf relais P
beiden wicmuus«. . u.™ ·. «.^ ..«..<..*..;, . dargestellt. Die Wicklung Il des Prüfrelais ist über einen relaiseigenen Kontakt Ip kurzschließbar. Der Prüfstromkreis des Wählers W ist in bekannter Weise über Ober einen Prüf schaltarm emit den Prüf punkten PP von belegbaren nachgeordneten Schalteinrichtungen U verbindbar. Bei diesen belegbaren Schalteinrichtungen U kann es sich z. B. um Verbindungssätze handeln. Verbindungssätze sind z.B. lnterverbindungssätze. sogenannte Amtsübertragungen, Leitungsabschlußschaltungen von Fernverbindungsleitungen u.dgl. Die belegbaren Schalteinrichtungen V zählen zu den »pro Verbindung erforderlichen Schalteinrichtungen«, also Einrichtungen, die für die Dauer des Bestehens einer Verbindung dieser individuell zugeordnet ist, wie 7. B. auch Wähler, Verbindungsleitungen, Zwischenlcimngen in Koppelfelder u. dgl.
Die belegbaren Schalte'.nrichtungen U sind zu mehreren jeweils zu einer Gruppe zusammengefaßt, der eine gemeinsame Verbindungssatz-Steuerung G gemäß dem deutschen Patent 20 55 745 (»gruppenindividueller Pufferspeicher«) zugeordnet ist. )ede der Schalteinrichtungen U steht mit der gemeinsamen Steuerung G über die beiden Stromkreise z\ und z2 in Kriterienaustausch. Über den Stromkreis z\ signalisiert jede der Schalleinrichtungen U zur gemeinsamen Steuerung G den Schaltzustand der Belegung. Über den Stromkreis z2 «ignalisiert die gemeinsame Steuerung C an jede der .Schalteinrichtungen U den Schaltbefehl »Hochohmigschalten« mindesten 40 Millisekunden nach erfolgter Belegung bzw. »Sperren« gegen Neubelegrng, sofern die betreffende Schalteinrichtung U sich im Ruhezustand befindet und vorläufig nicht belegbar sein soll.
Im Ruhezustand der Schalteinrichtung LMiegt von der gemeinsamen Steuerung G her über nicht gezeigte Vorwiderstände und über den Stromkreis z2 Minuspotential an der Basis des Transistors 73. sofern die Schalteinrichtung U belegbar sein soll. Das Pluspotential von 5 Volt am Widerstand Rl wird durch das von der gemeinsamen Steuerung G zugeführte Minuspotential unwirksam gemacht. Wenn die Schalteinrichtung U im Ruhezustand belegbar ist, ist der Transistor stromdurchlässig. Über die Widerstände RZ und Λ3 hegt Erdpotential an der Basis des Transistors 71 und der Basis des Transistors 72. Über die Emitter-Basis-Strekke jedes dieser beiden Transistoren fließt ein relativ geringer Ruhestrom. Diese beiden Transistoren sind dadurch für eine Durchschaltung eines Prüf- und Belegungsstromkreises vorbereitet.
Der Transistor 74 ist im Ruhezustand der Schalteinrichtung U durch das von der gemeinsamen Steuerung G zugeführte Minuspotential gesperrt, sofern die Schalteinrichtung Ubelegbar ist. Ebenfalls ist in diesem SrhüWziistand der Transistor 75 gesperrt, und zwar durch das an seiner Basis über die Widerstände /74 und RS anliegende Pluspotential von 5 Volt. Oa an Basis und Emitter des Transistors 76 im Ruhezustand gleiches Potential (Minuspotential von 60 Volt) anliegt, ist auch dieser Transistor im Ruhezustand siromundurchlässig.
Wird im Zuge eines Freiwahlvorganges des Wählers W sein Prüfrelais P über den Prüfschaltarm c mit dem Prüfpunkt PP der Schalteinrichtung U verbunden, so kommt ein Prüf- und Belegungsstromkreis zustande, der über die Wicklungen I und II des Prüfrelais P, die Widerstände RB, RJ und Λ9 und über die Parallelschal tung der beiden Transistoren 71 und 72 verläuft, wobei in Reihe mit dem Transistor 72 noch der weitere Widerstand RS geschaltet ist. Der am Widerstand Rl auftretende Spannungsabfall wird von einem Vergleicher Verkannt, der ein bis dahin über seinen Ausgang ν abgegebenes Ausgangssignal in Form von plus 1 Volt gegen ein Ausgangssignal von minus 11 Volt vertauscht. Dadurch wird über den Stromkreis z\ die erfolgte Belegung zur gemeinsamen Steuerung G hin signalisiert. Der Vergleicher Vreagiert auf den am Widerstand Kl auftretenden Spannungsabfall mit einer Verzögerung, die groß genug ist, um kurzzeitige Störimpulse zu ignorieren.
Durch das vom Vergleicher Vüber seinen Ausgang ν abgegebene Ausgangssignal von minus 11 Volt wird außerdem ein Stromkreis über die Widerstände RIO, R5 und Ri eingeschaltet. Hierin liegt eine Vorbereitung dafür, den Transistor 75 stromdurchlässig zu schalten, was weiter unten beschrieben wird.
In dem über den Prüfpunkt PP verlaufenden Prüf- und Belegungsstromkeis spricht das Prüfrelais P des Wählers W an. Es schließt seinen Kontakt Xp und schließt dadurch seine höherohmige Wicklung II kurz. Es bleibt über seine Wicklung I weiterhin erregt. Über seinen Kontakt Ip und seine Wicklung I liegt nunmehr Erdpotential relativ niederohmig am Prüfpunkt PP der Schalteinrichtung U. Dadurch werden weitere Wähler gehindert, in Freiwahl auf die belegte und durch das Ansprechen des Prüfrelais P bereits gesperrte Schalteinrichtung U aufzuprüfen. Die durch das Ansprechen des Prüfrelais Pferner bewirkte Stromerhöhung u. a. im Widerstand Rl hat an diese eine Erhöhung des Spannungsabfalles zur Folge, die auf den Vergleicher V jedoch keinen Einfluß hat.
Etwa 40 Millisekunden .iachdem der Vergleicher V über seinen Ausgang ν und über den Stromkreis z\ die eingangsseitige Belegung der Schalteinrichtung U an die gemeinsame Steuerung G signalisiert hat, schaltet diese das üler den Stromkreis z2 bis dahin angeschaltete Minuspotential ab. Nunmehr vermag sich das Pluspotential von 5 Volt über den Widerstand Rl durchzusetzen. Dadurch wird der Transistor stromundurchlässig. Infolgedessen werden auch die Transistoren 71 und 72 stromundurchlässig. Durch das Pluspotential von 5 Volt über den Widerstand Ri wird jedoch der Transistor 74 stromdurchlässig. Er schaltet Erdpotential an den Verbindungspunkt zwischen den beiden Widerständen R4 und R5. Infolgedessen stellt sich am Verbindungspunkt der beiden Widerstände R5 und RIO negatives Teilpotential ein. durch welches der Transistor 75 stromdurchlässig geschaltet wird. Dadurch wird der aus den Widerständen RIl und R12 gebildete Spannungsteiler eingeschaltet, an dessen Spannungsteilermittelpunkt ein negatives Teilpotential entsteht, durch vetches der Transistor 76 stromdurchlässig geschaltet wird. Der zunächst über die Transistoren 71 und 72 verlaufende Belegungsstromkreis
verläuft nunmehr nicht mehr über diese, sondern über die Widerstände /?13 und /?14. Durch die Kondensatoren Cl und C2 ist dafür gesorgt, daß bei den zuletzt beschriebenen Vorgängen die Transistoren 7Ί und 72 mit einer gewissen Verzögerung nach dem Transistor 73 stromundurchlässig werden, so daß der über den Widerstand R9 verlaufende beschriebene Belegungsstromkreis erst unterbrochen wird, wenn der BeIegungs-Haltestromkreis über die Widerstände Ri3 und /?14 mittels des Transistors 76 durchgeschaltet worden ist. Dadurch wird sichergestellt, daß in dem über den Prüfpunkt P verlaufenden Prüf- und Belegungsstromkreis keine Unterbrechung eintritt.
Durch diese Umschaltung des über den Prüfpunkt PP verlaufenden Prüf- und Belegungsstromkreises von seinem über die Transistoren 7Ί und 72 verlaufenden Abschnitt auf den über den Transistor 7B verlaufenden Abschnitt wird der Gesamtwiderstand zwischen dem Prüfpunkt PP und der Minusspannung erhöht. Durch diesen auch als »Hochohmigschaltcn« des Belegungs-Stromkreises bezeichneten Schaltvorgang wird die Sperrsicherheit der Schalteinrichtung Uerhöht, d. h. die Sicherheit dafür, daß kein anderer Wähler mehr auf den belegten und gesperrten Bclegungsslromkreis der Schalteinrichtung l/aufprüfen kann.
Durch die beschriebene Umschaltung des Belegungsstromkreises von seinem Verlauf über den Widerstand R9 auf den Verlauf über die Widerstände RU und /?14 wird ferner der dem Vergleicher V zugeführte Spannungsabfall noch erhöht. Dadurch wird der Prüf- und Bcicgungsstromkreis während der Dauer der ihm entsprechenden durchgcschaltetcn Verbindung gegenüber Störungen durch induzierte oder kapazitiv übertragene Fremdspannungen gesichert. Ferner wird die Sperrsicherheit gegen Doppclprüfen erhöhl und der Stromverbrauch vermindert.
Wird der Prüf- und Bclcgungsstromkrcis vom vorgeordneten Wähler her aufgetrennt, also die ihm entsprechende Verbindung ausgelöst, so werden unter anderem die Widerstände Rl und /?13 stromlos. Der an ihnen bis dahin vorhandene Spannungsabfall entfällt. Der Vcrglcicher V schaltet das bis dahin über seineti Ausgang ν abgegebene Signal von minus 11 Volt wieder ab und legt stattdessen das breite erwähnte Potential von plus 1 Volt an. Dadurch wird über den Stiomkreis /1 zur gemeinsamen Steuerung CJ signalisiert. daU die .Schalteinrichtung U vom vorgeordneten Wahicr her ausgelöst worden ist. Die gemeinsame Steuerung Ci veranlaßt nun auf im einzelnen nicht beschriebene Weise die Auslösung aller übrigen Teile der Schaltein· so richtung U. Die gemeinsame Steuerung schaltet vorläufig nicht dos Minuspotential über den Stromkreis 22 ein.
Durch den Wechsel des Ausgangssigmslcs seitens des Vergleichen V von minus 11 Volt iiuf plus t Volt wird der Transistor 73 wieder gesperrt und demzufolge auch der Transistor 7B. Versucht nun ein Wühler, auf die noch Im Schaltzustand der nicht vollständig abgewickelten Auslösung befindliche Schalteinrichtung Uoufzuprüfen, so findet er das den Freizustand kennzeichnende to Potential von minus 60 Volt weder über diu Transistoren 7Ί und 72 noch über den Transistor 7B vor. Die Schalteinrichtung U ist also vorlaufig gegen Neubclcgung gesperrt.
Wie beschrieben, schultet der Verglelcher V bei der *s Auslosung, ulso bei Auftrennung des Prüf- und Bclcgung.ssi 1 Umkreises uη seinen Ausgang ν wieder Plusnnlcntiul von ciwu I Volt anstelle des Minuspolentials von 11 Volt an. Der Vergleicher V reagiert jedoch auf das Verschwinden des Spannungsabfalles an den Widerständen Rl und RU mit einer gewissen Verzögerung. Dadurch wird sichergestellt, daß eine fälschliche Auslösung nicht etwa durch Störimpulse herbei geführt werden kann, die auf induktivem oder kapazitivem Wege auf den im Sperrzustand befindlichen Prüf- und Belegungsstromkreis einer durchgcschalteten Verbindung übertragen werden können.
Im Hinblick auf das Problem des Aufprüfens auf auslösende Verbindungen kann der Fall eintreten, daß ein prüfender Wähler sein Prüfrelais über seinen Prüfschaltarm mit dem Prüfpunkt einer seitens eines anderen Wählers belegten und gesperrten Schalteinrichtung verbindet, und daß unmittelbar anschließend der bis dahin mit dieser Schalteinrichtung verbundene und diese sperrende Wähler ausgelöst wird und den bis dahin bestehenden und im Sperrzustand befindlichen Prüf- und Belegungsstromkrcis auftrennt. In einem solchen Falle besteht in herkömmlichen Vermittlungsanlagen die Möglichkeit, daß das Prüfrelais des genannten prüfenden Wählers anspricht und daß dadurch eine Falschverbindung zustandckomml. Um diese Möglichkeit zu unterbinden, ist der Vergleichcr V eingangsseitig mit Schaltmitteln ausgerüstet, die ein Absinken des Spannungsabfalls an den Widerständen Rl und /?13 zu erkennen vermögen. Dies können Spannung nach der Zeit differenzierende Schaltmittel sein. — Beachtlich ist in diesem Zusammenhang, daß der zunächst bestehende und im Sperrzustand befindliche Prüf- und Bclegungsstromkreis lediglich die Wicklung I des Prüfrclais des betreffenden sperrenden Wählers W enthält, daß jedoch dieser bei Auftrennung des im Sperrzustand befindlichen Prüf- und Belegungs-Stromkreises weiter bestehende Prüf- und Bclcgungs Stromkreis des prüfenden Wählers außer der nicderohmigcn Wicklung I auch die höhcrohmige Wicklung I! des Prüfrclais P enthält. In diesem besonderen Betriebsfall ist also die Auslösung der ersten Verbindung nicht an einer Auftrennung des Prüf- und Belcgungssiromkreises, also nicht an einem völligen l-orifiill des Spannungsabfalles .in den Widerständen und Λ13 zu erkennen, sondern an einer Siromabsen kung, also an einer Absenkung des Spannungsablalles an den genannten beiden Widerstünden. Der in diesem besonderen Bctricbsfall nach der Stromabsenkung iiui Vergleicher eingangsseitig wirksame SpannungMibfall tritt un den Widerständen IO und RU auf, ist also sogar gröber als der beim normalen Prüf· und belegungsvtn · gang vor Ansprechen des betreffenden Prüfrclais um Vcrglcicher wirksame Spannungsubfall, weil dieser nur am Widerstand Rt entsteht. Um nun diesen besonderen Betriebsfall (Aufprüfen auf auslösende Verbindung) von einem normalen Prüf· und Belegungsvorgung mit einer Im Freizustand befindlichen Schalteinrichtung U unterscheiden zu können, genügt es für den Vergleicher V nicht, eingangsseitig lediglich den Spannungsabfall zu messen; um diese beiden Bctrlebsfüllc eindeutig voneinander unterscheiden zu können, ist der Vcrglcicher Veingangsscitig mit Schaltmitteln ausgestattet, mit deren Hilfe der zeitliche Verlauf der eingnngsscliigcn Spannung, also die Absenkung des Spannungsabfalls an den Widerstünden Kl und Λ13 erkannt werden kann. Dadurch laßt sich mit Sicherheit ein Aufprüfen auf auslösende Verbindungen auch für solche Wühler verhindern, in denen keine eigenen Vorkehrungen für die Vermeidung des Aufprüfens auf auslösende Verbindungen getroffen sind.
Wie beschrieben, verläuft der Bclcgungsstromkreis der Schalteinrichtung U vom Prüfpunkt PP über die Widerstände Rf>, R7, R9 und Λ9 und über die Transistoren 7Ί und 72. Beim Hochohmigschalten wird derjenige Teil des Bclegungsstromkreiscs, der die Widerstände R8 und R9 und die Transistoren 71 und 72 umfaßt, ausgeschaltet und statt dessen ein über die Widerstände K13 und /?I4 und über den Transistor 76 verlaufende Haltestromkreis eingeschaltet. — Besondere Beachtung kommt dem die Widerstände RS und R9 und die Transistoren 71 und 72 enthaltenden Teil des Bclegungsstromkreiscs zu. Dieser Teil des Belegungsstromkrcises wirkt in Verbindung mit dem Anschluß an die Spannungsquelle von minus 60 Volt als Konstantstromquclle. Der Transistor 71 hat hier/u eine stromrcgclndc Wirkung. Das dem über den Widerstand R9 angeschaltete Battcricpotcntial von minus 60 Voll gegenüber positive Potential, das der Basis des Transistors 7Ί über den Transistor 73 und den Widerstand R2 zugeführt wird, ist durch die Zenerdiode Dl so begrenzt daß der Absolutwert des Basispotcnlials des Transistors 71 nicht über einen durch die Zenerdiode Dl vorgegebenen Wert hinaus ansteigen kann. Der im Bclegungsstiomkrcis fließende Strom ruft um Widersland R9 einen Spannungsabfall hervor. Die /.enerspannung der Diode DX abzüglich dieses Spannungsabfalles wirkt steuernd am Transistor 71 und bestimmt seinen Basistrom. Da also das Basispotential am voraussetzungsgemäH stromdurchlässigen Transistor 71 positiv gegenüber seinem Kmitterpoiential sein und bleiben muß. kann der durch den Strom im Belegungsstromkreis erzeugte Spannungsabfall im Widerstand R9 nur so groß werden, daß dieser Spannungsabfall höchstens einen der um die für den Transistor 71 notwendige Steucrspannung vermiiulerten /enerspannung entsprechenden Spannungsgrenzwert erreichen kann. Da also der Spannungsabfall am Widerstand K9 begrenzt ist, ist folglich auch dem Strom im Helegungsstromkreis selbst eine nicht zu überschreitende Grenze gesetzt. Folglich wirkt der Transistor /1 stromrcgelnd. Er bildet praktisch einen zwischen Null Ohm und unendlich großem Widersland regelbaren Widerstand nach.
Dem Tianstistor Π parallel liegt der Widerstund RH über den in diesem Betriebszustand nicilcrohmig slromdurehUlssigenTransistor 72. Der Regelbereich der durch die 'Transistoren 71 und 72 und die Widerstände WB und M9 sowie die Diode I)I gebildeten Konstant- •tromqucllc ist durch den Widcrstunilswert des Widerstandes /78 bestimmt. Diese Konslnntsiromquclle vermag «Iso mittels des durch ilen Transistor 7Ί jeweils nachgebildeten Widerstandes den Strom im Prüf· und Belegungsstromkreis in den Grenzen zu regeln, die durch Kurzsehließung des Widerstandes /?8 einerseits und durch seine volle Wirksamkeil andererseits SS bestimmt sind. Der Widerstund Ri dient im wesentlichen dazu, die durch die Stromregelung bedingte Vernichtung der zwischen den Widerstanden R7 und R9 umzusetzenden Verlustleistung vom Trunsistor 71 so weit wie möglich abzuziehen, also teilweise uuUcrhulb dieses Transistors umzusetzen und abzurühren. Dadurch knnn die Im Transistor 7Ί maxlmul auftretende Verlustleistung in einem praktischen Anwendungsfall Im Verhältnis von ungefähr 2 zu t herabgesetzt werden (also im Vergleich dazu, daß der Widerstand RB und der Transistor 72 nicht vorgesehen waren),
Bs Ist jedoch auch möglich, den Transistor 72 und den Widerstand Ri wegzulassen, Dadurch vergrößert sich der Regelbereich des Transistors 71. Jedoch erhöht sich dadurch zugleich auch die im Transistor 71 umzusetzende Verlustleistung.
Anschließend sei die stromregelnde Wirkung der beschriebenen Konstantstromquelle erläutert. Hierbei sind der Einzclprüffall und der Parallelprüffall miteinander zu vergleichen. Unter der Voraussetzung, daß es sich bei zwei parallel prüfenden Wählern um Wähler mit gleichen Prüfstromkreisen handelt, weist die Parallelschaltung der beiden Prüfstromkeise im Parallelprüffall bekanntlich den halben Innenwiderstandswert auf gegenüber dem Innenwiderstand nur eines einzigen dieser beiden Priifstromkrcise. Die Konstantstromqucl-Ie findet also jenseits des Prüfpunktes PP der Schalteinrichtung L/im Parallclprüffall nur einen halb so großen Widerstand vor, wie im Einzclprüffall. Sie sorgt aber dafür, daß in beiden Fällen nur der gleiche Strom im Belegungsstromkreis der Schalteinrichtung U fließt. Dadurch wird erreicht, daß in einem Priifrelais eines Wählers im Parallclprüffall nur halb so viel Strom fließt, wie im Einzclprüffall. Dadurch wird der Parallelprüffall gegenüber dem Einzelprüffall besser unterscheidbar für die Prüfrelais der betreffenden Wähler. Dadurch läßt sich also die Sicherheil gegen Doppclprüfen im Parallelprüf fall erhöhen.
In diesem Zusammenhang isl ferner zu beachten, daß Prüf- und Belegungsstromkreise jeweils über eine der Adern einer Verbindungslcitung verlaufen, die verschieden lang sein kann und demgemäß unterschiedlich großen zusätzlichen Leitungswiderstand in den jeweiligen Belegungsstromkreis einer Schalteinrichtung U unterbringen kann. Der Leilungswidcrstand einer Verbindungslcitung ist zwischen dem Widerstand Rb der Schalteinrichtung U und ihrem Prüfpunkt PP eingefügt zu denken. Die Konstantsiromquellc wirkt nun außerdem dahingehend, den von Verbindungsleitung zu Verbindungsleitung variierenden Leilungswiderstand der betreffenden Belegungssiromkreise auszugleichen. — Darüberhinaus bietet die Konstantslromquelle eine gute Sicherheit gegen Erdschluß am Prüfpunkt /'/' der Schalleinrichtung U. In einem derartigen Kurzschlußfall verhindert die Konstantstromquelle also eine Überlastung der den Kurzschlußstrom führenden Widerstände M6urul RT.
Die Kondensatoren (Ί und C 2 haben außer der beschriebenen Aufgabe, beim llochohmigschullcn die Abschaltung des über den Widerstand /ft verlaufenden Zweig des Belegungsstronikreises zu verzögern, die weitere Aufgabe, beim Beginn eines Prüf- und Be lcgungsvoi'gungcs für einen verzögerten Stromanstieg im Prüf- und Belegungssiromkreis zu sorgen. Denn bekanntlich setzen Prüfroluis in von ihnen erreichbarer Qclcgungsstromkrciscn Bclcgungsrcluis voraus, derer Wicklungen einen komplexen Widerstand aufweisen der beim Beginn eines jeden Prüf· und Belcgungsvor ganges einen verzögerten Stromunsticg verursacht. LIn eine möglichst kurze Ansprechzeit des jeweilige! Prüfrelais zu erreichen, trugen die Belegungsrclois In de Regel eine im Ruhezustand kurzgeschlossene Zweit wicklung, wodurch in einem geschlossenen Prüf· um Belegungsstromkreis der Stromanstieg sich stelle gestaltet, als wenn die kurzgeschlossene Zwcitwlckluni nicht vorgesehen wtire, Dadurch wird für die PrUfrclui eine relativ kurze Ansprechzeit erzielt. In Motorwähler schaltungen werden bekanntlich Prüfreluis verwende die im Vergleich zu anderen bekannten clcktromechun sehen Relais Überaus schnell ansprechen. Dies Prufrclttls besitzen also eine besonders hohe Empfind
lichkeit. Sie sind so aufgebaut, daß sie die Motorstillsetzung zu bewerkstelligen vermögen, obwohl ihr Ansprechstromkreis über eine Wicklung eines elektromagnetischen Belegungsrelais im Belegungsstromkreis einer nachfolgenden belegbaren Schalteinrichtung verläuft, und obwohl dieses Belegungsrelais trotz seiner kurzgeschlossenen Zweitwicklung aufgrund der verbleibenden Induktivität einen in gewissem Maße verzögerten Stromanstieg im Prüf- und Belegungsstromkreis zur Folge hat. Wurden nun solche hochempfindlichen und schnell ansprechenden Prüfrelais von Motorwählern auf Belegungsstromkreise aufprüfen, die lediglich rein ohmsche Widerstände enthalten, so würde dadurch die Ansprechgeschwindigkeit noch weiter gesteigert werden. Eine Folge davon wären Kontaktprellungen und eine erhöhte Abnutzung der betreffenden Kontakte, insbesondere derjenigen Kontakte, die unmittelbar zur Motorstillsetzung dienen und deshalb einer besonders hohen Strombelastung unterworfen sind. Dieser unerwünschte Effekt wird durch die vorliegende Schaltungsanordnung dadurch beseitigt, daß beim Beginn jedes Prüf- und Belegungsvorganges der Stromanstieg im Transistor 71 mittels des Kondensators Cl verzögert ist. Im Ruhezustand fließt über den Transistor 73, den Widerstand R2, die Basis-Emitter-Strecke des Transistors 7Ί und den Widerstand R9 ein Ruhestrom, sofern die Schalteinrichtung LJ von der gemeinsamen Steuerung G her als belegbar gekennzeichnet ist. Der Widerstand R2 ist relativ hochohmig gegenüber dem Widerstand R9. Deshalb tritt an diesem Widerstand ein relativ geringer Spannungsabfall auf. Ebenfalls ist der an der Basis-Emitter-Strecke des Transistors 7Ί auftretende Spannungsabfall sehr klein. Der Kond:nsator CI ist deshalb im Ruhezustand auf nur etwa 1 v' aufgeladen. Wird nun ein Prüf· und Belegungsstromkreis geschlossen, so kommt durch die beschriebene stromregclnde Wirkung des Transistors 7Ί im Prüf- und Belegungsstromkreis zunächst nur ein relativ geringer Strom zustande. Da nümlich — wie beschrieben — der im Belegungssiromkreis fließende Strom am Widerstund K9 einen dementsprcchenden Spannungsabfall hervorruft, und da dieser höchstens einen gegenüber der Kondcnsatnrspnnnung um die für den Transistor 71 notwendige Stcuurspunnung geringeren Wen erreichen kann, bestimmt die Spannung um Kondensator CI den Höchststrom im liclegungsstromkreis. - Der Kondensator CI wird nun über den Widerstand H2 aufgeladen, lintsprivhend diesem Aufladungsvorgang steigt das Stcucrpotential am Transistor 71. Demgemüü steigt uuch der Strom im Prüf· und Belcgungsstromkreis mit an, Der Aufludungsvorgang des Kondensators Ct wird bei Erreichen der Zcncrspnnnung der Diode Dl beendet. Der Kondensator behält danach diese Spannung bei. Der Strom im Belcgungsstromkreis steigt von diesem Zeitpunkt an nicht mehr weiter an. Beim Hochohmigschalten, wenn also der Transistor 73 und der Widerstand R2 stromlos werden, wird der Kondensator Cl über den Widersstand /?5 entladen.
Ebenso wie dem Transistor 71 ein aus dem Widerstand R2 und dem Kondensator Cl bestehender
ίο /?-C-Kreis zum verzögerten Stromanstieg in der Emitter-Kollektor-Sttrecke zugeordnet ist, ist auch dem Transistor 72 ein aus dem Widerstand R3 und dem Kondensator Cl bestehender /?-C-Kreis zugeordnet. Beide /?-C-Kreise sind ungefähr gleich dimensioniert.
Da mit der Emitter-Kollektor-Strecke des Transistors
72 der Widerstand RS in Reihe geschaltet ist, bestimmt den verzögerten Stromanstieg im Prüf- und Belegungsstromkreis im wesentlichen der Transistor 71.
Soll die Schalteinrichtung U im Ruhezustand gegen Neubelegung seitens eines vorgeordneten Wählers gesperrt werden, so entzieht die gemeinsame Steuerung C das bis dahin im Ruhezustand über den Stromkreis z2 angelegte Minuspotential. Dadurch wird der Transistor
73 stromundurchlässig. Ebenfalls werden die Basis-2s Emitter-Strecken der Transistoren 71 und 72 stromlos.
Infolgedessen kann auch kein vorgeordneter Wähler auf die im Ruhezustand gesperrte Schalteinrichtung LJ aufprüfen. — Die Schalteinrichtung L) empfängt also von der gemeinsamen Steuerung G über ein und denselben Stromkreis /1 sowohl das Schaltkenn/eichen »Hochohmigschalten« als auch das Schaltkennzeichcn »Sperrung im Ruhezustand«. Diese beiden Schaltkennzeichen, die die gemeinsame Steuerung G in der gleichen Form an die Schalteinrichtung LJ abgibt, sind in dieser dadurch voneinander unterscheidbar, daß die gemeinsame Steuerung die über den Stromkreis /2 angelegte Minusspannung /um Hochohmigschalten nach erfolgter Belegung, dagegen zum Sperren des Bclegungsstromkreises im Ruhezustand anlegt. Beide
Schallkcnnzcichen werden aber über ein und denselben Stromkreis Λ an die Schalteinrichtung LJ übertragen.
Anschließend sei noch bezüglich der Spannung nach
der Zeit differenzierenden eingangsseitigen Schaltmitiel
des Vergleichers V auf die DT-PS Il 65 677 hingewie-
sen, in der Spannung nach der Zeit differenzierende .Schaltmittel verwendet sind. Diese bekannte Schaltungsanordnung betrifft zwar eine Prüfschaltung; jedoch lassen sich die hierin dargestellten und beschriebenen Schultmittcl zur Differenzierung dor
so Spannung nach der Zeit auch in der vorliegenden Schaltungsanordnung verwenden.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (7)

Patentansprüche:
1. Schaltungsanordnung für Fernmeldevermittlungsanlagen, insbesondere Fernsprechvermittlungsanlagen, mit Prüf- und Belegungsstromkreisen, in denen Prüfschaltmittel für prellfreie Kontaktbetätigung einen durch Schaltmittel im Belegungsstromkreis gegebenen verzögerten Stromanstieß voraussetzen, dadurch gekennzeichnet, daß ein im Belegungsstromkreis liegender Aufprüfwiderstand mit einem den Belegungsstromkreis begrenzenden Transistor in Reihe geschaltet ist, und daß das Potential an einer Steuerelektrode des Transistors von der Ladespannung eines zugeordneten /?-C-Gliedes bestimmt ist und gemäß einem mit Beginn eines Prüf- und Belegungsvorganges einsetzenden Umladungsvorgang den Transistor zunehmend stromdurchlässig macht.
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sowohl der Strom für den Umladungsvorgang eines Kondensators im /?-C-Glied als auch der Steuerstrom des Transistors über den Widerstand des /?-C-Gliedes fließt.
3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Transistor eine den Strom im Belegungsstromkreis regelnde Wirkung hat und daß das Potential an seiner Steuerelektrode im Sinne der Regelung unter dem Einfluß einer Rückwirkung des Stromes im Belegungsstromkreis steht.
4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß eine durch die Rückwirkung des Stromes im Belegungsstromkreis verursachte Verschiebung des Potentials an der Steuerelektrode des Transistors den Umladungsvorgang im K-C-Glied herbeiführt.
5. Schaltungsanordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der durch die Verschiebung des Potentials an der Steuerelektrode des Transistors herbeigeführte Umladungi.vorgang im /?-C-Glied bewirkt, daß das Potential an dor Steuerelektrode des Transistors und demgemäß der Strom im Belegungsstromkreis mit durch die Zeitkonstante des /?-C-Giiedes bestimmter /.eillicher Verzögerung ansteigt.
6. Schaltungsanordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Transistor mit der Emitter-Kollektor-Strecke im Aufprüfkreis liegt und emitterseitig über einen der Regelung dienenden Hilfswiderstand mit einem ersten Pol einer Spannungsquelle verbunden ist, dessen Potential den Freizustand des Belegungsstromkreises anzeigt, und daß die als Steuerelektrode dienende Basis des Transistors über den Widerstand des /?-C-Gliedes mit einem zweiten Pol der Spannungsquelle verbunden ist, der das erforderliche Steuerpotential führt.
7. Schaltungsanordnung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Basis des Transistors mit dem ersten Pol der Spannungsquelle über einen spannungsabhängigen Widerstand, insbesondere eine Zenerdiode verbunden ist, der — bzw. die — dem Umladungsvorgang eine Spannungsgrenze setzt und beim Erreichen derselben einen weiteren Anstieg des Potentials an der Basis des Transistors und dementsprechend einen weiteren Anstieg eines Stromes im Belegungsstromkreis verhindert.
Die Erfindung bezieht sich auf eine Schaltungsanordnung für Fernmeldevermittlungsanlagen, insbesondere Fernsprechvermittlungsanlagen, mit Prüf- und Belegungsstromkreisen, in denen Prüfschaltmittel für prell· freie Kontaktbetätigung einen durch Schaltmiitel im Belegungsstromkreis gegebenen verzögerten Stromanstieg voraussetzen.
Eine Schaltungsanordnung dieser Art ist bereits durch die deutsche Patentschrift 10 13 701 bekannt. Das hierin ίο gezeigte Prüfrelais P nimmt durch Betätigung seiner Kontakte unter anderem die Stillsetzung des Wählermotors vor. Das Prüfrelais ist hierzu so aufgebaut, daß es im Vergleich zu anderen bekannten elektromechanischen Relais überaus schnell anspricht. Sein Ansprech-Stromkreis verläuft über den Belegungsstromkreis eines jeweils nachgeordneten Schaltgliedes. Dieser Belegungsstromkreis enthält in herkömmlichen Schaltungsanordnungen jeweils ein elektromechanisches Relais, wie es z. B. die deutsche Auslegeschrift 19 40 847 zeigt.
Um eine möglichst kurze Ansprechzeit des Prüfrelais zu erreichen, tragen die Belegungsrelais in der Regel eine im Ruhezustand kurzgeschlossene Zweitwicklung, wodurch in einem geschlossenen Prüf- und Belegungsstromkreis ein relativ steiler Stromanstieg und dadurch eine relativ kurze Ansprechzeit des Prüfrelais erzielt wird.
Durch die deutsche Auslegeschrift 11 73 538 ist es darüber hinaus bekannt, für die in Belegungsstromkreisen erforderlichen Aufprüfwiderstände rein ohmsche Widerstände zu verwenden. Die notwendigen Schaltfunktionen werden von Transistoren ausgeführt.
Belegungsstromkreise gemäß der deutschen Auslegeschrift 11 73 538 weisen einen noch steileren Stromanstieg bei Einschaltung eines Prüf- und Belegungsstrom-
kreises auf als Belegungsstromkreise gemäß der deutschen Auslegeschrift 19 40 847. Obwohl bei letzteren das Belegungsrelais eine im Ruhezustand kurzgeschlossene Zweitwicklung aufweist, bewirkt die verbleibende Induktivität des Belegungsrelais dennoch eine gewisse Verzögerung des Stromanstieges im Prüf- und Belegungsstromkreis. In Belegungsstromkreisen gemäß der deutschen A.uslegeschrift 11 73 537 entfällt jedoch eine derartige Verzögerung des Stromanstieges im Belegungsstromkreis. Dadurch vird der Ansprechvorgang von schnell arbeitenden Prüfrelais noch beschleunigt. Hieraus ergibt sich das Problem von Kontaktprellungen. Die Prüfrelaiskontakte werden also nach einer erstmaligen Schließung noch ein- oder mehrmals kurzzeitig geöffnet, bis sie endgültig schließen. Für den Prüfrelaiskontakt zur Motorstillsetzung hat dies eine erhöhte Kontaktabnutzung aufgrund der besonders großen Strombelastung dieses Kontaktes zur Folge.
Für die Erfindung besteht die Aufgabe, den Stromanstieg in Belegungssiromkreisen geringfügig zu verzögern und dies auf andere Weise als Jurch Verwendung von induktiven Widerständen in den Belegungsstromkreisen, z. B. von Relaiswicklungen, zu realisieren.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß ein im Belegungsstromkreis liegender Aufprüfwiderstand mit einem den Belegungsstrom begrenzenden Transistor in Reihe geschaltet ist, und daß das Potential an einer Steuerelektrode des Transistors von der Ladespannung eines zugeordneten Ä-C-Gliedes bestimmt ist und gemäß einem mit Beginn eines Prüf- und Belegungsvorganges einsetzenden Umladungsvorgang den Transistor zunehmend stromdurchlässig macht.
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