DE2512660C3 - Schaltungsanordnung für Fernmeldevermittlungsanlagen, insbesondere Fernsprechvermittlungsanlagen, mit Prüf- und Belegungsstromkreisen - Google Patents
Schaltungsanordnung für Fernmeldevermittlungsanlagen, insbesondere Fernsprechvermittlungsanlagen, mit Prüf- und BelegungsstromkreisenInfo
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Description
Erfindungsgemäß ist also der zeitliche Stromverlauf in Prüf- und Belegungsstromkreisen den Erfordernissen
für Prüfrelais angepaßt, und zwar auf eine für relaislose «no Verbindung erforderliche Schalteinrichtu.igen, z, B.
Relaisverbindungssätze, besonders zweckmäßige Wei- s se nämlich unter Ausnutzung von die Relaisschaltfuriktionen in herkömmlichen Relaisverbindungssätzen ersetzenden elektronischen Schaltmitteln z. D. Transistc-
ren.
In der Zeichnung ist ein Ausführungsbeispiel der
Erfindung nur in wesentlich zu ihrem Verständnis beitragenden Bestandteilen dargestellt, worauf sie
jedoch keinesfalls beschränkt ist.
Von einem Wähler Wist der Prüfstromkreis mit den
heiden Wicklungen I und H eines Prüf relais P
beiden wicmuus«. . u.™ ·. «.^ ..«..<..*..;, .
dargestellt. Die Wicklung Il des Prüfrelais ist über einen
relaiseigenen Kontakt Ip kurzschließbar. Der Prüfstromkreis des Wählers W ist in bekannter Weise über
Ober einen Prüf schaltarm emit den Prüf punkten PP von
belegbaren nachgeordneten Schalteinrichtungen U verbindbar. Bei diesen belegbaren Schalteinrichtungen
U kann es sich z. B. um Verbindungssätze handeln. Verbindungssätze sind z.B. lnterverbindungssätze.
sogenannte Amtsübertragungen, Leitungsabschlußschaltungen von Fernverbindungsleitungen u.dgl. Die
belegbaren Schalteinrichtungen V zählen zu den »pro Verbindung erforderlichen Schalteinrichtungen«, also
Einrichtungen, die für die Dauer des Bestehens einer Verbindung dieser individuell zugeordnet ist, wie 7. B.
auch Wähler, Verbindungsleitungen, Zwischenlcimngen in Koppelfelder u. dgl.
Die belegbaren Schalte'.nrichtungen U sind zu mehreren jeweils zu einer Gruppe zusammengefaßt, der
eine gemeinsame Verbindungssatz-Steuerung G gemäß dem deutschen Patent 20 55 745 (»gruppenindividueller
Pufferspeicher«) zugeordnet ist. )ede der Schalteinrichtungen U steht mit der gemeinsamen Steuerung G über
die beiden Stromkreise z\ und z2 in Kriterienaustausch.
Über den Stromkreis z\ signalisiert jede der Schalleinrichtungen U zur gemeinsamen Steuerung G den
Schaltzustand der Belegung. Über den Stromkreis z2 «ignalisiert die gemeinsame Steuerung C an jede der
.Schalteinrichtungen U den Schaltbefehl »Hochohmigschalten«
mindesten 40 Millisekunden nach erfolgter Belegung bzw. »Sperren« gegen Neubelegrng, sofern
die betreffende Schalteinrichtung U sich im Ruhezustand befindet und vorläufig nicht belegbar sein soll.
Im Ruhezustand der Schalteinrichtung LMiegt von der
gemeinsamen Steuerung G her über nicht gezeigte Vorwiderstände und über den Stromkreis z2 Minuspotential
an der Basis des Transistors 73. sofern die Schalteinrichtung U belegbar sein soll. Das Pluspotential
von 5 Volt am Widerstand Rl wird durch das von der gemeinsamen Steuerung G zugeführte Minuspotential
unwirksam gemacht. Wenn die Schalteinrichtung U im Ruhezustand belegbar ist, ist der Transistor
stromdurchlässig. Über die Widerstände RZ und Λ3 hegt
Erdpotential an der Basis des Transistors 71 und der Basis des Transistors 72. Über die Emitter-Basis-Strekke
jedes dieser beiden Transistoren fließt ein relativ geringer Ruhestrom. Diese beiden Transistoren sind
dadurch für eine Durchschaltung eines Prüf- und Belegungsstromkreises vorbereitet.
Der Transistor 74 ist im Ruhezustand der Schalteinrichtung U durch das von der gemeinsamen Steuerung
G zugeführte Minuspotential gesperrt, sofern die Schalteinrichtung Ubelegbar ist. Ebenfalls ist in diesem
SrhüWziistand der Transistor 75 gesperrt, und zwar
durch das an seiner Basis über die Widerstände /74 und RS anliegende Pluspotential von 5 Volt. Oa an Basis und
Emitter des Transistors 76 im Ruhezustand gleiches Potential (Minuspotential von 60 Volt) anliegt, ist auch
dieser Transistor im Ruhezustand siromundurchlässig.
Wird im Zuge eines Freiwahlvorganges des Wählers W sein Prüfrelais P über den Prüfschaltarm c mit dem
Prüfpunkt PP der Schalteinrichtung U verbunden, so kommt ein Prüf- und Belegungsstromkreis zustande, der
über die Wicklungen I und II des Prüfrelais P, die
Widerstände RB, RJ und Λ9 und über die Parallelschal tung der beiden Transistoren 71 und 72 verläuft, wobei
in Reihe mit dem Transistor 72 noch der weitere Widerstand RS geschaltet ist. Der am Widerstand Rl
auftretende Spannungsabfall wird von einem Vergleicher Verkannt, der ein bis dahin über seinen Ausgang ν
abgegebenes Ausgangssignal in Form von plus 1 Volt gegen ein Ausgangssignal von minus 11 Volt vertauscht.
Dadurch wird über den Stromkreis z\ die erfolgte Belegung zur gemeinsamen Steuerung G hin signalisiert.
Der Vergleicher Vreagiert auf den am Widerstand Kl auftretenden Spannungsabfall mit einer Verzögerung,
die groß genug ist, um kurzzeitige Störimpulse zu ignorieren.
Durch das vom Vergleicher Vüber seinen Ausgang ν
abgegebene Ausgangssignal von minus 11 Volt wird außerdem ein Stromkreis über die Widerstände RIO, R5
und Ri eingeschaltet. Hierin liegt eine Vorbereitung dafür, den Transistor 75 stromdurchlässig zu schalten,
was weiter unten beschrieben wird.
In dem über den Prüfpunkt PP verlaufenden Prüf- und Belegungsstromkeis spricht das Prüfrelais P des
Wählers W an. Es schließt seinen Kontakt Xp und schließt dadurch seine höherohmige Wicklung II kurz.
Es bleibt über seine Wicklung I weiterhin erregt. Über seinen Kontakt Ip und seine Wicklung I liegt nunmehr
Erdpotential relativ niederohmig am Prüfpunkt PP der Schalteinrichtung U. Dadurch werden weitere Wähler
gehindert, in Freiwahl auf die belegte und durch das Ansprechen des Prüfrelais P bereits gesperrte Schalteinrichtung
U aufzuprüfen. Die durch das Ansprechen des Prüfrelais Pferner bewirkte Stromerhöhung u. a. im
Widerstand Rl hat an diese eine Erhöhung des Spannungsabfalles zur Folge, die auf den Vergleicher V
jedoch keinen Einfluß hat.
Etwa 40 Millisekunden .iachdem der Vergleicher V
über seinen Ausgang ν und über den Stromkreis z\ die eingangsseitige Belegung der Schalteinrichtung U an
die gemeinsame Steuerung G signalisiert hat, schaltet diese das üler den Stromkreis z2 bis dahin angeschaltete
Minuspotential ab. Nunmehr vermag sich das Pluspotential von 5 Volt über den Widerstand Rl
durchzusetzen. Dadurch wird der Transistor stromundurchlässig. Infolgedessen werden auch die
Transistoren 71 und 72 stromundurchlässig. Durch das Pluspotential von 5 Volt über den Widerstand Ri wird
jedoch der Transistor 74 stromdurchlässig. Er schaltet Erdpotential an den Verbindungspunkt zwischen den
beiden Widerständen R4 und R5. Infolgedessen stellt sich am Verbindungspunkt der beiden Widerstände R5
und RIO negatives Teilpotential ein. durch welches der Transistor 75 stromdurchlässig geschaltet wird. Dadurch
wird der aus den Widerständen RIl und R12
gebildete Spannungsteiler eingeschaltet, an dessen Spannungsteilermittelpunkt ein negatives Teilpotential
entsteht, durch vetches der Transistor 76 stromdurchlässig
geschaltet wird. Der zunächst über die Transistoren 71 und 72 verlaufende Belegungsstromkreis
verläuft nunmehr nicht mehr über diese, sondern über
die Widerstände /?13 und /?14. Durch die Kondensatoren
Cl und C2 ist dafür gesorgt, daß bei den zuletzt beschriebenen Vorgängen die Transistoren 7Ί und 72
mit einer gewissen Verzögerung nach dem Transistor 73 stromundurchlässig werden, so daß der über den
Widerstand R9 verlaufende beschriebene Belegungsstromkreis erst unterbrochen wird, wenn der BeIegungs-Haltestromkreis
über die Widerstände Ri3 und /?14 mittels des Transistors 76 durchgeschaltet worden
ist. Dadurch wird sichergestellt, daß in dem über den Prüfpunkt P verlaufenden Prüf- und Belegungsstromkreis
keine Unterbrechung eintritt.
Durch diese Umschaltung des über den Prüfpunkt PP verlaufenden Prüf- und Belegungsstromkreises von
seinem über die Transistoren 7Ί und 72 verlaufenden
Abschnitt auf den über den Transistor 7B verlaufenden Abschnitt wird der Gesamtwiderstand zwischen dem
Prüfpunkt PP und der Minusspannung erhöht. Durch diesen auch als »Hochohmigschaltcn« des Belegungs-Stromkreises
bezeichneten Schaltvorgang wird die Sperrsicherheit der Schalteinrichtung Uerhöht, d. h. die
Sicherheit dafür, daß kein anderer Wähler mehr auf den belegten und gesperrten Bclegungsslromkreis der
Schalteinrichtung l/aufprüfen kann.
Durch die beschriebene Umschaltung des Belegungsstromkreises von seinem Verlauf über den Widerstand
R9 auf den Verlauf über die Widerstände RU und /?14
wird ferner der dem Vergleicher V zugeführte Spannungsabfall noch erhöht. Dadurch wird der Prüf-
und Bcicgungsstromkreis während der Dauer der ihm entsprechenden durchgcschaltetcn Verbindung gegenüber
Störungen durch induzierte oder kapazitiv übertragene Fremdspannungen gesichert. Ferner wird
die Sperrsicherheit gegen Doppclprüfen erhöhl und der
Stromverbrauch vermindert.
Wird der Prüf- und Bclcgungsstromkrcis vom
vorgeordneten Wähler her aufgetrennt, also die ihm entsprechende Verbindung ausgelöst, so werden unter
anderem die Widerstände Rl und /?13 stromlos. Der an
ihnen bis dahin vorhandene Spannungsabfall entfällt. Der Vcrglcicher V schaltet das bis dahin über seineti
Ausgang ν abgegebene Signal von minus 11 Volt wieder
ab und legt stattdessen das breite erwähnte Potential von plus 1 Volt an. Dadurch wird über den Stiomkreis /1
zur gemeinsamen Steuerung CJ signalisiert. daU die
.Schalteinrichtung U vom vorgeordneten Wahicr her
ausgelöst worden ist. Die gemeinsame Steuerung Ci veranlaßt nun auf im einzelnen nicht beschriebene
Weise die Auslösung aller übrigen Teile der Schaltein· so
richtung U. Die gemeinsame Steuerung schaltet vorläufig nicht dos Minuspotential über den Stromkreis
22 ein.
Durch den Wechsel des Ausgangssigmslcs seitens des
Vergleichen V von minus 11 Volt iiuf plus t Volt wird
der Transistor 73 wieder gesperrt und demzufolge auch der Transistor 7B. Versucht nun ein Wühler, auf die noch
Im Schaltzustand der nicht vollständig abgewickelten Auslösung befindliche Schalteinrichtung Uoufzuprüfen,
so findet er das den Freizustand kennzeichnende to Potential von minus 60 Volt weder über diu Transistoren
7Ί und 72 noch über den Transistor 7B vor. Die
Schalteinrichtung U ist also vorlaufig gegen Neubclcgung gesperrt.
Wie beschrieben, schultet der Verglelcher V bei der *s
Auslosung, ulso bei Auftrennung des Prüf- und Bclcgung.ssi 1 Umkreises uη seinen Ausgang ν wieder
Plusnnlcntiul von ciwu I Volt anstelle des Minuspolentials
von 11 Volt an. Der Vergleicher V reagiert jedoch
auf das Verschwinden des Spannungsabfalles an den Widerständen Rl und RU mit einer gewissen
Verzögerung. Dadurch wird sichergestellt, daß eine fälschliche Auslösung nicht etwa durch Störimpulse
herbei geführt werden kann, die auf induktivem oder kapazitivem Wege auf den im Sperrzustand befindlichen
Prüf- und Belegungsstromkreis einer durchgcschalteten Verbindung übertragen werden können.
Im Hinblick auf das Problem des Aufprüfens auf auslösende Verbindungen kann der Fall eintreten, daß
ein prüfender Wähler sein Prüfrelais über seinen Prüfschaltarm mit dem Prüfpunkt einer seitens eines
anderen Wählers belegten und gesperrten Schalteinrichtung verbindet, und daß unmittelbar anschließend
der bis dahin mit dieser Schalteinrichtung verbundene und diese sperrende Wähler ausgelöst wird und den bis
dahin bestehenden und im Sperrzustand befindlichen Prüf- und Belegungsstromkrcis auftrennt. In einem
solchen Falle besteht in herkömmlichen Vermittlungsanlagen die Möglichkeit, daß das Prüfrelais des
genannten prüfenden Wählers anspricht und daß dadurch eine Falschverbindung zustandckomml. Um
diese Möglichkeit zu unterbinden, ist der Vergleichcr V eingangsseitig mit Schaltmitteln ausgerüstet, die ein
Absinken des Spannungsabfalls an den Widerständen Rl und /?13 zu erkennen vermögen. Dies können
Spannung nach der Zeit differenzierende Schaltmittel sein. — Beachtlich ist in diesem Zusammenhang, daß
der zunächst bestehende und im Sperrzustand befindliche
Prüf- und Bclegungsstromkreis lediglich die Wicklung I des Prüfrclais des betreffenden sperrenden
Wählers W enthält, daß jedoch dieser bei Auftrennung des im Sperrzustand befindlichen Prüf- und Belegungs-Stromkreises
weiter bestehende Prüf- und Bclcgungs Stromkreis des prüfenden Wählers außer der nicderohmigcn
Wicklung I auch die höhcrohmige Wicklung I!
des Prüfrclais P enthält. In diesem besonderen Betriebsfall ist also die Auslösung der ersten Verbindung
nicht an einer Auftrennung des Prüf- und Belcgungssiromkreises, also nicht an einem völligen
l-orifiill des Spannungsabfalles .in den Widerständen lü
und Λ13 zu erkennen, sondern an einer Siromabsen
kung, also an einer Absenkung des Spannungsablalles
an den genannten beiden Widerstünden. Der in diesem besonderen Bctricbsfall nach der Stromabsenkung iiui
Vergleicher eingangsseitig wirksame SpannungMibfall
tritt un den Widerständen IO und RU auf, ist also sogar
gröber als der beim normalen Prüf· und belegungsvtn ·
gang vor Ansprechen des betreffenden Prüfrclais um Vcrglcicher wirksame Spannungsubfall, weil dieser nur
am Widerstand Rt entsteht. Um nun diesen besonderen Betriebsfall (Aufprüfen auf auslösende Verbindung) von
einem normalen Prüf· und Belegungsvorgung mit einer Im Freizustand befindlichen Schalteinrichtung U unterscheiden zu können, genügt es für den Vergleicher V
nicht, eingangsseitig lediglich den Spannungsabfall zu messen; um diese beiden Bctrlebsfüllc eindeutig
voneinander unterscheiden zu können, ist der Vcrglcicher Veingangsscitig mit Schaltmitteln ausgestattet, mit
deren Hilfe der zeitliche Verlauf der eingnngsscliigcn Spannung, also die Absenkung des Spannungsabfalls
an den Widerstünden Kl und Λ13 erkannt werden kann.
Dadurch laßt sich mit Sicherheit ein Aufprüfen auf auslösende Verbindungen auch für solche Wühler
verhindern, in denen keine eigenen Vorkehrungen für die Vermeidung des Aufprüfens auf auslösende Verbindungen getroffen sind.
Wie beschrieben, verläuft der Bclcgungsstromkreis
der Schalteinrichtung U vom Prüfpunkt PP über die Widerstände Rf>, R7, R9 und Λ9 und über die
Transistoren 7Ί und 72. Beim Hochohmigschalten wird derjenige Teil des Bclegungsstromkreiscs, der die
Widerstände R8 und R9 und die Transistoren 71 und 72
umfaßt, ausgeschaltet und statt dessen ein über die Widerstände K13 und /?I4 und über den Transistor 76
verlaufende Haltestromkreis eingeschaltet. — Besondere Beachtung kommt dem die Widerstände RS und R9
und die Transistoren 71 und 72 enthaltenden Teil des Bclegungsstromkreiscs zu. Dieser Teil des Belegungsstromkrcises
wirkt in Verbindung mit dem Anschluß an die Spannungsquelle von minus 60 Volt als Konstantstromquclle.
Der Transistor 71 hat hier/u eine stromrcgclndc Wirkung. Das dem über den Widerstand
R9 angeschaltete Battcricpotcntial von minus 60 Voll gegenüber positive Potential, das der Basis des
Transistors 7Ί über den Transistor 73 und den Widerstand R2 zugeführt wird, ist durch die Zenerdiode
Dl so begrenzt daß der Absolutwert des Basispotcnlials
des Transistors 71 nicht über einen durch die Zenerdiode Dl vorgegebenen Wert hinaus ansteigen
kann. Der im Bclegungsstiomkrcis fließende Strom ruft um Widersland R9 einen Spannungsabfall hervor. Die
/.enerspannung der Diode DX abzüglich dieses Spannungsabfalles
wirkt steuernd am Transistor 71 und bestimmt seinen Basistrom. Da also das Basispotential
am voraussetzungsgemäH stromdurchlässigen Transistor
71 positiv gegenüber seinem Kmitterpoiential sein
und bleiben muß. kann der durch den Strom im Belegungsstromkreis erzeugte Spannungsabfall im
Widerstand R9 nur so groß werden, daß dieser Spannungsabfall höchstens einen der um die für den
Transistor 71 notwendige Steucrspannung vermiiulerten
/enerspannung entsprechenden Spannungsgrenzwert erreichen kann. Da also der Spannungsabfall am
Widerstand K9 begrenzt ist, ist folglich auch dem Strom
im Helegungsstromkreis selbst eine nicht zu überschreitende Grenze gesetzt. Folglich wirkt der Transistor /1
stromrcgelnd. Er bildet praktisch einen zwischen Null
Ohm und unendlich großem Widersland regelbaren Widerstand nach.
Dem Tianstistor Π parallel liegt der Widerstund RH
über den in diesem Betriebszustand nicilcrohmig
slromdurehUlssigenTransistor 72. Der Regelbereich der
durch die 'Transistoren 71 und 72 und die Widerstände WB und M9 sowie die Diode I)I gebildeten Konstant-
•tromqucllc ist durch den Widcrstunilswert des
Widerstandes /78 bestimmt. Diese Konslnntsiromquclle
vermag «Iso mittels des durch ilen Transistor 7Ί jeweils
nachgebildeten Widerstandes den Strom im Prüf· und Belegungsstromkreis in den Grenzen zu regeln, die
durch Kurzsehließung des Widerstandes /?8 einerseits und durch seine volle Wirksamkeil andererseits SS
bestimmt sind. Der Widerstund Ri dient im wesentlichen dazu, die durch die Stromregelung bedingte
Vernichtung der zwischen den Widerstanden R7 und R9
umzusetzenden Verlustleistung vom Trunsistor 71 so weit wie möglich abzuziehen, also teilweise uuUcrhulb
dieses Transistors umzusetzen und abzurühren. Dadurch
knnn die Im Transistor 7Ί maxlmul auftretende
Verlustleistung in einem praktischen Anwendungsfall Im Verhältnis von ungefähr 2 zu t herabgesetzt werden
(also im Vergleich dazu, daß der Widerstand RB und der
Transistor 72 nicht vorgesehen waren),
Bs Ist jedoch auch möglich, den Transistor 72 und den
Widerstand Ri wegzulassen, Dadurch vergrößert sich
der Regelbereich des Transistors 71. Jedoch erhöht sich dadurch zugleich auch die im Transistor 71 umzusetzende
Verlustleistung.
Anschließend sei die stromregelnde Wirkung der beschriebenen Konstantstromquelle erläutert. Hierbei
sind der Einzclprüffall und der Parallelprüffall miteinander zu vergleichen. Unter der Voraussetzung, daß es
sich bei zwei parallel prüfenden Wählern um Wähler mit gleichen Prüfstromkreisen handelt, weist die Parallelschaltung
der beiden Prüfstromkeise im Parallelprüffall bekanntlich den halben Innenwiderstandswert auf
gegenüber dem Innenwiderstand nur eines einzigen dieser beiden Priifstromkrcise. Die Konstantstromqucl-Ie
findet also jenseits des Prüfpunktes PP der Schalteinrichtung L/im Parallclprüffall nur einen halb so
großen Widerstand vor, wie im Einzclprüffall. Sie sorgt aber dafür, daß in beiden Fällen nur der gleiche Strom
im Belegungsstromkreis der Schalteinrichtung U fließt. Dadurch wird erreicht, daß in einem Priifrelais eines
Wählers im Parallclprüffall nur halb so viel Strom fließt, wie im Einzclprüffall. Dadurch wird der Parallelprüffall
gegenüber dem Einzelprüffall besser unterscheidbar für
die Prüfrelais der betreffenden Wähler. Dadurch läßt sich also die Sicherheil gegen Doppclprüfen im
Parallelprüf fall erhöhen.
In diesem Zusammenhang isl ferner zu beachten, daß
Prüf- und Belegungsstromkreise jeweils über eine der Adern einer Verbindungslcitung verlaufen, die verschieden
lang sein kann und demgemäß unterschiedlich großen zusätzlichen Leitungswiderstand in den jeweiligen
Belegungsstromkreis einer Schalteinrichtung U unterbringen kann. Der Leilungswidcrstand einer
Verbindungslcitung ist zwischen dem Widerstand Rb der Schalteinrichtung U und ihrem Prüfpunkt PP
eingefügt zu denken. Die Konstantsiromquellc wirkt nun außerdem dahingehend, den von Verbindungsleitung
zu Verbindungsleitung variierenden Leilungswiderstand der betreffenden Belegungssiromkreise
auszugleichen. — Darüberhinaus bietet die Konstantslromquelle
eine gute Sicherheit gegen Erdschluß am Prüfpunkt /'/' der Schalleinrichtung U. In einem
derartigen Kurzschlußfall verhindert die Konstantstromquelle also eine Überlastung der den Kurzschlußstrom
führenden Widerstände M6urul RT.
Die Kondensatoren (Ί und C 2 haben außer der
beschriebenen Aufgabe, beim llochohmigschullcn die
Abschaltung des über den Widerstand /ft verlaufenden
Zweig des Belegungsstronikreises zu verzögern, die
weitere Aufgabe, beim Beginn eines Prüf- und Be lcgungsvoi'gungcs für einen verzögerten Stromanstieg
im Prüf- und Belegungssiromkreis zu sorgen. Denn
bekanntlich setzen Prüfroluis in von ihnen erreichbarer Qclcgungsstromkrciscn Bclcgungsrcluis voraus, derer
Wicklungen einen komplexen Widerstand aufweisen der beim Beginn eines jeden Prüf· und Belcgungsvor
ganges einen verzögerten Stromunsticg verursacht. LIn
eine möglichst kurze Ansprechzeit des jeweilige! Prüfrelais zu erreichen, trugen die Belegungsrclois In de
Regel eine im Ruhezustand kurzgeschlossene Zweit wicklung, wodurch in einem geschlossenen Prüf· um
Belegungsstromkreis der Stromanstieg sich stelle gestaltet, als wenn die kurzgeschlossene Zwcitwlckluni
nicht vorgesehen wtire, Dadurch wird für die PrUfrclui
eine relativ kurze Ansprechzeit erzielt. In Motorwähler
schaltungen werden bekanntlich Prüfreluis verwende die im Vergleich zu anderen bekannten clcktromechun
sehen Relais Überaus schnell ansprechen. Dies Prufrclttls besitzen also eine besonders hohe Empfind
lichkeit. Sie sind so aufgebaut, daß sie die Motorstillsetzung
zu bewerkstelligen vermögen, obwohl ihr Ansprechstromkreis über eine Wicklung eines elektromagnetischen
Belegungsrelais im Belegungsstromkreis einer nachfolgenden belegbaren Schalteinrichtung verläuft,
und obwohl dieses Belegungsrelais trotz seiner kurzgeschlossenen Zweitwicklung aufgrund der verbleibenden
Induktivität einen in gewissem Maße verzögerten Stromanstieg im Prüf- und Belegungsstromkreis zur
Folge hat. Wurden nun solche hochempfindlichen und schnell ansprechenden Prüfrelais von Motorwählern auf
Belegungsstromkreise aufprüfen, die lediglich rein ohmsche Widerstände enthalten, so würde dadurch die
Ansprechgeschwindigkeit noch weiter gesteigert werden. Eine Folge davon wären Kontaktprellungen und
eine erhöhte Abnutzung der betreffenden Kontakte, insbesondere derjenigen Kontakte, die unmittelbar zur
Motorstillsetzung dienen und deshalb einer besonders hohen Strombelastung unterworfen sind. Dieser unerwünschte
Effekt wird durch die vorliegende Schaltungsanordnung dadurch beseitigt, daß beim Beginn jedes
Prüf- und Belegungsvorganges der Stromanstieg im Transistor 71 mittels des Kondensators Cl verzögert
ist. Im Ruhezustand fließt über den Transistor 73, den Widerstand R2, die Basis-Emitter-Strecke des Transistors
7Ί und den Widerstand R9 ein Ruhestrom, sofern
die Schalteinrichtung LJ von der gemeinsamen Steuerung G her als belegbar gekennzeichnet ist. Der
Widerstand R2 ist relativ hochohmig gegenüber dem Widerstand R9. Deshalb tritt an diesem Widerstand ein
relativ geringer Spannungsabfall auf. Ebenfalls ist der an der Basis-Emitter-Strecke des Transistors 7Ί auftretende
Spannungsabfall sehr klein. Der Kond:nsator CI ist deshalb im Ruhezustand auf nur etwa 1 v' aufgeladen.
Wird nun ein Prüf· und Belegungsstromkreis geschlossen, so kommt durch die beschriebene stromregclnde
Wirkung des Transistors 7Ί im Prüf- und Belegungsstromkreis zunächst nur ein relativ geringer Strom
zustande. Da nümlich — wie beschrieben — der im Belegungssiromkreis fließende Strom am Widerstund
K9 einen dementsprcchenden Spannungsabfall hervorruft,
und da dieser höchstens einen gegenüber der Kondcnsatnrspnnnung um die für den Transistor 71
notwendige Stcuurspunnung geringeren Wen erreichen
kann, bestimmt die Spannung um Kondensator CI den Höchststrom im liclegungsstromkreis. - Der Kondensator
CI wird nun über den Widerstand H2 aufgeladen,
lintsprivhend diesem Aufladungsvorgang steigt das
Stcucrpotential am Transistor 71. Demgemüü steigt
uuch der Strom im Prüf· und Belcgungsstromkreis mit an, Der Aufludungsvorgang des Kondensators Ct wird
bei Erreichen der Zcncrspnnnung der Diode Dl beendet. Der Kondensator behält danach diese Spannung
bei. Der Strom im Belcgungsstromkreis steigt von diesem Zeitpunkt an nicht mehr weiter an. Beim
Hochohmigschalten, wenn also der Transistor 73 und der Widerstand R2 stromlos werden, wird der
Kondensator Cl über den Widersstand /?5 entladen.
Ebenso wie dem Transistor 71 ein aus dem Widerstand R2 und dem Kondensator Cl bestehender
ίο /?-C-Kreis zum verzögerten Stromanstieg in der
Emitter-Kollektor-Sttrecke zugeordnet ist, ist auch dem Transistor 72 ein aus dem Widerstand R3 und dem
Kondensator Cl bestehender /?-C-Kreis zugeordnet.
Beide /?-C-Kreise sind ungefähr gleich dimensioniert.
Da mit der Emitter-Kollektor-Strecke des Transistors
72 der Widerstand RS in Reihe geschaltet ist, bestimmt den verzögerten Stromanstieg im Prüf- und Belegungsstromkreis im wesentlichen der Transistor 71.
Soll die Schalteinrichtung U im Ruhezustand gegen Neubelegung seitens eines vorgeordneten Wählers
gesperrt werden, so entzieht die gemeinsame Steuerung C das bis dahin im Ruhezustand über den Stromkreis z2
angelegte Minuspotential. Dadurch wird der Transistor
73 stromundurchlässig. Ebenfalls werden die Basis-2s
Emitter-Strecken der Transistoren 71 und 72 stromlos.
Infolgedessen kann auch kein vorgeordneter Wähler auf die im Ruhezustand gesperrte Schalteinrichtung LJ
aufprüfen. — Die Schalteinrichtung L) empfängt also von der gemeinsamen Steuerung G über ein und
denselben Stromkreis /1 sowohl das Schaltkenn/eichen »Hochohmigschalten« als auch das Schaltkennzeichcn
»Sperrung im Ruhezustand«. Diese beiden Schaltkennzeichen, die die gemeinsame Steuerung G in der
gleichen Form an die Schalteinrichtung LJ abgibt, sind in dieser dadurch voneinander unterscheidbar, daß die
gemeinsame Steuerung die über den Stromkreis /2 angelegte Minusspannung /um Hochohmigschalten
nach erfolgter Belegung, dagegen zum Sperren des Bclegungsstromkreises im Ruhezustand anlegt. Beide
Schallkcnnzcichen werden aber über ein und denselben Stromkreis Λ an die Schalteinrichtung LJ übertragen.
Anschließend sei noch bezüglich der Spannung nach
der Zeit differenzierenden eingangsseitigen Schaltmitiel
des Vergleichers V auf die DT-PS Il 65 677 hingewie-
sen, in der Spannung nach der Zeit differenzierende .Schaltmittel verwendet sind. Diese bekannte Schaltungsanordnung
betrifft zwar eine Prüfschaltung; jedoch lassen sich die hierin dargestellten und
beschriebenen Schultmittcl zur Differenzierung dor
so Spannung nach der Zeit auch in der vorliegenden Schaltungsanordnung verwenden.
Claims (7)
1. Schaltungsanordnung für Fernmeldevermittlungsanlagen, insbesondere Fernsprechvermittlungsanlagen, mit Prüf- und Belegungsstromkreisen,
in denen Prüfschaltmittel für prellfreie Kontaktbetätigung einen durch Schaltmittel im Belegungsstromkreis gegebenen verzögerten Stromanstieß voraussetzen, dadurch gekennzeichnet, daß ein
im Belegungsstromkreis liegender Aufprüfwiderstand mit einem den Belegungsstromkreis begrenzenden Transistor in Reihe geschaltet ist, und daß
das Potential an einer Steuerelektrode des Transistors von der Ladespannung eines zugeordneten
/?-C-Gliedes bestimmt ist und gemäß einem mit
Beginn eines Prüf- und Belegungsvorganges einsetzenden Umladungsvorgang den Transistor zunehmend
stromdurchlässig macht.
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sowohl der Strom für den
Umladungsvorgang eines Kondensators im /?-C-Glied als auch der Steuerstrom des Transistors
über den Widerstand des /?-C-Gliedes fließt.
3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Transistor eine den Strom
im Belegungsstromkreis regelnde Wirkung hat und daß das Potential an seiner Steuerelektrode im Sinne
der Regelung unter dem Einfluß einer Rückwirkung des Stromes im Belegungsstromkreis steht.
4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß eine durch die Rückwirkung
des Stromes im Belegungsstromkreis verursachte Verschiebung des Potentials an der Steuerelektrode
des Transistors den Umladungsvorgang im K-C-Glied herbeiführt.
5. Schaltungsanordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der durch die Verschiebung des
Potentials an der Steuerelektrode des Transistors herbeigeführte Umladungi.vorgang im /?-C-Glied
bewirkt, daß das Potential an dor Steuerelektrode des Transistors und demgemäß der Strom im
Belegungsstromkreis mit durch die Zeitkonstante des /?-C-Giiedes bestimmter /.eillicher Verzögerung
ansteigt.
6. Schaltungsanordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Transistor mit der Emitter-Kollektor-Strecke
im Aufprüfkreis liegt und emitterseitig über einen der Regelung dienenden Hilfswiderstand
mit einem ersten Pol einer Spannungsquelle verbunden ist, dessen Potential den Freizustand
des Belegungsstromkreises anzeigt, und daß die als Steuerelektrode dienende Basis des Transistors
über den Widerstand des /?-C-Gliedes mit einem zweiten Pol der Spannungsquelle verbunden
ist, der das erforderliche Steuerpotential führt.
7. Schaltungsanordnung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Basis des Transistors mit
dem ersten Pol der Spannungsquelle über einen spannungsabhängigen Widerstand, insbesondere
eine Zenerdiode verbunden ist, der — bzw. die — dem Umladungsvorgang eine Spannungsgrenze
setzt und beim Erreichen derselben einen weiteren Anstieg des Potentials an der Basis des Transistors
und dementsprechend einen weiteren Anstieg eines Stromes im Belegungsstromkreis verhindert.
Die Erfindung bezieht sich auf eine Schaltungsanordnung für Fernmeldevermittlungsanlagen, insbesondere
Fernsprechvermittlungsanlagen, mit Prüf- und Belegungsstromkreisen, in denen Prüfschaltmittel für prell·
freie Kontaktbetätigung einen durch Schaltmiitel im Belegungsstromkreis gegebenen verzögerten Stromanstieg voraussetzen.
Eine Schaltungsanordnung dieser Art ist bereits durch die deutsche Patentschrift 10 13 701 bekannt. Das hierin
ίο gezeigte Prüfrelais P nimmt durch Betätigung seiner
Kontakte unter anderem die Stillsetzung des Wählermotors vor. Das Prüfrelais ist hierzu so aufgebaut, daß
es im Vergleich zu anderen bekannten elektromechanischen Relais überaus schnell anspricht. Sein Ansprech-Stromkreis verläuft über den Belegungsstromkreis eines
jeweils nachgeordneten Schaltgliedes. Dieser Belegungsstromkreis enthält in herkömmlichen Schaltungsanordnungen jeweils ein elektromechanisches Relais,
wie es z. B. die deutsche Auslegeschrift 19 40 847 zeigt.
Um eine möglichst kurze Ansprechzeit des Prüfrelais zu erreichen, tragen die Belegungsrelais in der Regel eine
im Ruhezustand kurzgeschlossene Zweitwicklung, wodurch in einem geschlossenen Prüf- und Belegungsstromkreis
ein relativ steiler Stromanstieg und dadurch eine relativ kurze Ansprechzeit des Prüfrelais erzielt
wird.
Durch die deutsche Auslegeschrift 11 73 538 ist es
darüber hinaus bekannt, für die in Belegungsstromkreisen erforderlichen Aufprüfwiderstände rein ohmsche
Widerstände zu verwenden. Die notwendigen Schaltfunktionen werden von Transistoren ausgeführt.
Belegungsstromkreise gemäß der deutschen Auslegeschrift
11 73 538 weisen einen noch steileren Stromanstieg bei Einschaltung eines Prüf- und Belegungsstrom-
kreises auf als Belegungsstromkreise gemäß der deutschen Auslegeschrift 19 40 847. Obwohl bei letzteren
das Belegungsrelais eine im Ruhezustand kurzgeschlossene Zweitwicklung aufweist, bewirkt die verbleibende
Induktivität des Belegungsrelais dennoch eine gewisse Verzögerung des Stromanstieges im Prüf- und
Belegungsstromkreis. In Belegungsstromkreisen gemäß der deutschen A.uslegeschrift 11 73 537 entfällt jedoch
eine derartige Verzögerung des Stromanstieges im Belegungsstromkreis. Dadurch vird der Ansprechvorgang
von schnell arbeitenden Prüfrelais noch beschleunigt. Hieraus ergibt sich das Problem von Kontaktprellungen.
Die Prüfrelaiskontakte werden also nach einer erstmaligen Schließung noch ein- oder mehrmals
kurzzeitig geöffnet, bis sie endgültig schließen. Für den Prüfrelaiskontakt zur Motorstillsetzung hat dies eine
erhöhte Kontaktabnutzung aufgrund der besonders großen Strombelastung dieses Kontaktes zur Folge.
Für die Erfindung besteht die Aufgabe, den Stromanstieg in Belegungssiromkreisen geringfügig zu
verzögern und dies auf andere Weise als Jurch Verwendung von induktiven Widerständen in den
Belegungsstromkreisen, z. B. von Relaiswicklungen, zu realisieren.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß ein im Belegungsstromkreis liegender Aufprüfwiderstand
mit einem den Belegungsstrom begrenzenden Transistor in Reihe geschaltet ist, und daß das
Potential an einer Steuerelektrode des Transistors von der Ladespannung eines zugeordneten Ä-C-Gliedes
bestimmt ist und gemäß einem mit Beginn eines Prüf- und Belegungsvorganges einsetzenden Umladungsvorgang
den Transistor zunehmend stromdurchlässig macht.
Priority Applications (9)
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---|---|---|---|
DE19752512660 DE2512660C3 (de) | 1975-03-21 | Schaltungsanordnung für Fernmeldevermittlungsanlagen, insbesondere Fernsprechvermittlungsanlagen, mit Prüf- und Belegungsstromkreisen | |
AT29476A AT346394B (de) | 1975-03-21 | 1976-01-19 | Schaltungsanordnung fuer fernmeldevermittlungs- anlagen, insbesondere fernsprechvermittlungsanlagen, mit pruef- und belegungsstromkreisen |
CH95976A CH607512A5 (de) | 1975-03-21 | 1976-01-27 | |
NL7600914A NL7600914A (nl) | 1975-03-21 | 1976-01-29 | Schakeling voor telecommunicatieschakelstelsels, in het bijzonder telefoonschakelstelsels, met test- en bezetstroomketens. |
SE7602897A SE405194B (sv) | 1975-03-21 | 1976-02-27 | Kopplingsanordning for teleformedlingsanleggningar, serskilt telefonformedlingsanleggnigar, med lystrings- och beleggningskretsar |
IT21118/76A IT1057556B (it) | 1975-03-21 | 1976-03-12 | Disposizione circuitale per impianti di commutazione per telecomunicazioni specialmente per impianti di commutazione telefonica con circuiti di prova e di impegni |
FR7608028A FR2305082A1 (fr) | 1975-03-21 | 1976-03-19 | Montage pour des installations de telecommunications, notamment des installations de telephonie, comportant des circuits de controle et d'occupation |
AU12230/76A AU505559B2 (en) | 1975-03-21 | 1976-03-22 | Telephone equipment testing and seizing circuit |
US05/863,246 US4146752A (en) | 1975-03-21 | 1977-12-22 | Seizing current delay circuit for the test switching means of a telecommunication switching system |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (3)
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DE2512660A1 DE2512660A1 (de) | 1976-09-23 |
DE2512660B2 DE2512660B2 (de) | 1976-12-30 |
DE2512660C3 true DE2512660C3 (de) | 1977-08-25 |
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