DE2512660C3 - Circuit arrangement for telecommunications switching systems, in particular telephone switching systems, with test and occupancy circuits - Google Patents

Description

Erfindungsgemäß ist also der zeitliche Stromverlauf in Prüf- und Belegungsstromkreisen den Erfordernissen für Prüfrelais angepaßt, und zwar auf eine für relaislose «no Verbindung erforderliche Schalteinrichtu.igen, z, B. Relaisverbindungssätze, besonders zweckmäßige Wei- s se nämlich unter Ausnutzung von die Relaisschaltfuriktionen in herkömmlichen Relaisverbindungssätzen ersetzenden elektronischen Schaltmitteln z. D. Transistc-According to the invention, the current course over time in the test and occupancy circuits meets the requirements adapted for test relays, specifically to a switching device required for relayless "no connection, e.g. Relay connection sets, particularly expedient way, namely using electronic switching means replacing the relay switching functions in conventional relay connection sets, e.g. D. Transistc-

ren. In der Zeichnung ist ein Ausführungsbeispiel derren. In the drawing is an embodiment of the

Erfindung nur in wesentlich zu ihrem Verständnis beitragenden Bestandteilen dargestellt, worauf sie jedoch keinesfalls beschränkt ist.Invention shown only in components that contribute significantly to their understanding, whereupon they but is in no way limited.

Von einem Wähler Wist der Prüfstromkreis mit den heiden Wicklungen I und H eines Prüf relais P The test circuit with the two windings I and H of a test relay P is from a selector Wist

beiden wicmuus«. . u.™ ·. «.^ ..«..<..*..;, . dargestellt. Die Wicklung Il des Prüfrelais ist über einen relaiseigenen Kontakt Ip kurzschließbar. Der Prüfstromkreis des Wählers W ist in bekannter Weise über Ober einen Prüf schaltarm emit den Prüf punkten PP von belegbaren nachgeordneten Schalteinrichtungen U verbindbar. Bei diesen belegbaren Schalteinrichtungen U kann es sich z. B. um Verbindungssätze handeln. Verbindungssätze sind z.B. lnterverbindungssätze. sogenannte Amtsübertragungen, Leitungsabschlußschaltungen von Fernverbindungsleitungen u.dgl. Die belegbaren Schalteinrichtungen V zählen zu den »pro Verbindung erforderlichen Schalteinrichtungen«, also Einrichtungen, die für die Dauer des Bestehens einer Verbindung dieser individuell zugeordnet ist, wie 7. B. auch Wähler, Verbindungsleitungen, Zwischenlcimngen in Koppelfelder u. dgl.both wicmuus «. . u. ™ ·. «. ^ ..« .. <.. * ..;,. shown. The winding II of the test relay can be short-circuited via a relay's own contact Ip. The test circuit of the selector W can be connected in a known manner via a test switching arm with the test points PP of verifiable downstream switching devices U. In these assignable switching devices U it can be, for. B. be connection sets. Connection sets are, for example, interconnection sets. so-called office transfers, line termination circuits of long-distance connection lines, etc. The assignable switching devices V are among the "switching devices required for each connection", i.e. devices that are individually assigned to a connection for the duration of its existence, such as , for example, voters, connection lines, Intermediate lengths in coupling fields and the like.

Die belegbaren Schalte'.nrichtungen U sind zu mehreren jeweils zu einer Gruppe zusammengefaßt, der eine gemeinsame Verbindungssatz-Steuerung G gemäß dem deutschen Patent 20 55 745 (»gruppenindividueller Pufferspeicher«) zugeordnet ist. )ede der Schalteinrichtungen U steht mit der gemeinsamen Steuerung G über die beiden Stromkreise z\ und z2 in Kriterienaustausch. Über den Stromkreis z\ signalisiert jede der Schalleinrichtungen U zur gemeinsamen Steuerung G den Schaltzustand der Belegung. Über den Stromkreis z2 «ignalisiert die gemeinsame Steuerung C an jede der .Schalteinrichtungen U den Schaltbefehl »Hochohmigschalten« mindesten 40 Millisekunden nach erfolgter Belegung bzw. »Sperren« gegen Neubelegrng, sofern die betreffende Schalteinrichtung U sich im Ruhezustand befindet und vorläufig nicht belegbar sein soll.The assignable switching devices U are combined into several groups, each to which a common connection set control G according to German patent 20 55 745 ("group-specific buffer memory") is assigned. ) Each of the switching devices U is in an exchange of criteria with the common control G via the two circuits z \ and z2. Each of the sound devices U signals the switching status of the occupancy to the common control G via the circuit z \. Via the circuit z2 ", the common control C signals to each of the switching devices U the switching command" high-resistance switching "at least 40 milliseconds after it has been assigned or" blocking "against new assignment, provided that the switching device U in question is in the idle state and should not be able to be assigned for the time being .

Im Ruhezustand der Schalteinrichtung LMiegt von der gemeinsamen Steuerung G her über nicht gezeigte Vorwiderstände und über den Stromkreis z2 Minuspotential an der Basis des Transistors 73. sofern die Schalteinrichtung U belegbar sein soll. Das Pluspotential von 5 Volt am Widerstand Rl wird durch das von der gemeinsamen Steuerung G zugeführte Minuspotential unwirksam gemacht. Wenn die Schalteinrichtung U im Ruhezustand belegbar ist, ist der Transistor stromdurchlässig. Über die Widerstände RZ und Λ3 hegt Erdpotential an der Basis des Transistors 71 und der Basis des Transistors 72. Über die Emitter-Basis-Strekke jedes dieser beiden Transistoren fließt ein relativ geringer Ruhestrom. Diese beiden Transistoren sind dadurch für eine Durchschaltung eines Prüf- und Belegungsstromkreises vorbereitet.In the idle state of the switching device L, there is negative potential at the base of the transistor 73 from the common control G via series resistors (not shown) and via the circuit z2, provided that the switching device U is to be assignable. The plus potential of 5 volts at the resistor Rl is rendered ineffective by the minus potential supplied by the common controller G. If the switching device U can be assigned in the idle state, the transistor is current-permeable. Earth potential is present at the base of transistor 71 and the base of transistor 72 via resistors RZ and Λ3. A relatively low quiescent current flows through the emitter-base path of each of these two transistors. These two transistors are prepared for a through-connection of a test and occupancy circuit.

Der Transistor 74 ist im Ruhezustand der Schalteinrichtung U durch das von der gemeinsamen Steuerung G zugeführte Minuspotential gesperrt, sofern die Schalteinrichtung Ubelegbar ist. Ebenfalls ist in diesem SrhüWziistand der Transistor 75 gesperrt, und zwar durch das an seiner Basis über die Widerstände /74 und RS anliegende Pluspotential von 5 Volt. Oa an Basis und Emitter des Transistors 76 im Ruhezustand gleiches Potential (Minuspotential von 60 Volt) anliegt, ist auch dieser Transistor im Ruhezustand siromundurchlässig. In the idle state of the switching device U , the transistor 74 is blocked by the negative potential supplied by the common controller G , provided that the switching device U can be assigned. The transistor 75 is also blocked in this resistance state, through the positive potential of 5 volts applied to its base via the resistors 74 and RS. Oa if the same potential (negative potential of 60 volts) is present at the base and emitter of the transistor 76 in the idle state, this transistor is also impermeable to sirom in the idle state.

Wird im Zuge eines Freiwahlvorganges des Wählers W sein Prüfrelais P über den Prüfschaltarm c mit dem Prüfpunkt PP der Schalteinrichtung U verbunden, so kommt ein Prüf- und Belegungsstromkreis zustande, der über die Wicklungen I und II des Prüfrelais P, die Widerstände RB, RJ und Λ9 und über die Parallelschal tung der beiden Transistoren 71 und 72 verläuft, wobei in Reihe mit dem Transistor 72 noch der weitere Widerstand RS geschaltet ist. Der am Widerstand Rl auftretende Spannungsabfall wird von einem Vergleicher Verkannt, der ein bis dahin über seinen Ausgang ν abgegebenes Ausgangssignal in Form von plus 1 Volt gegen ein Ausgangssignal von minus 11 Volt vertauscht. Dadurch wird über den Stromkreis z\ die erfolgte Belegung zur gemeinsamen Steuerung G hin signalisiert. Der Vergleicher Vreagiert auf den am Widerstand Kl auftretenden Spannungsabfall mit einer Verzögerung, die groß genug ist, um kurzzeitige Störimpulse zu ignorieren. If, in the course of a free selection process of the selector W, his test relay P is connected via the test switch arm c to the test point PP of the switching device U , a test and occupancy circuit is established, which is via the windings I and II of the test relay P, the resistors RB, RJ and Λ9 and runs through the parallel connection of the two transistors 71 and 72, the further resistor RS being connected in series with the transistor 72. The voltage drop occurring across the resistor Rl is misunderstood by a comparator , which exchanges an output signal in the form of plus 1 volt that had been emitted via its output ν up to that point for an output signal of minus 11 volts . As a result, the completed assignment to the common control G is signaled via the circuit z \. The comparator V reacts to the voltage drop occurring across the resistor Kl with a delay that is long enough to ignore brief interference pulses.

Durch das vom Vergleicher Vüber seinen Ausgang ν abgegebene Ausgangssignal von minus 11 Volt wird außerdem ein Stromkreis über die Widerstände RIO, R5 und Ri eingeschaltet. Hierin liegt eine Vorbereitung dafür, den Transistor 75 stromdurchlässig zu schalten, was weiter unten beschrieben wird.The output signal of minus 11 volts emitted by the comparator V via its output ν also switches on a circuit via the resistors RIO, R5 and Ri . This is a preparation for switching transistor 75 through, which is described further below.

In dem über den Prüfpunkt PP verlaufenden Prüf- und Belegungsstromkeis spricht das Prüfrelais P des Wählers W an. Es schließt seinen Kontakt Xp und schließt dadurch seine höherohmige Wicklung II kurz. Es bleibt über seine Wicklung I weiterhin erregt. Über seinen Kontakt Ip und seine Wicklung I liegt nunmehr Erdpotential relativ niederohmig am Prüfpunkt PP der Schalteinrichtung U. Dadurch werden weitere Wähler gehindert, in Freiwahl auf die belegte und durch das Ansprechen des Prüfrelais P bereits gesperrte Schalteinrichtung U aufzuprüfen. Die durch das Ansprechen des Prüfrelais Pferner bewirkte Stromerhöhung u. a. im Widerstand Rl hat an diese eine Erhöhung des Spannungsabfalles zur Folge, die auf den Vergleicher V jedoch keinen Einfluß hat.In the test and occupancy current circuit running over the test point PP , the test relay P of the selector W responds. It closes its contact Xp and thereby short-circuits its higher-resistance winding II. It remains excited through its winding I. Via its contact Ip and its winding I, ground potential is now relatively low at the test point PP of the switching device U. This prevents further voters from freely checking the occupied switching device U, which has already been blocked by the response of the test relay P. The increase in current caused by the response of the test relay Pferner, inter alia, in the resistor Rl results in an increase in the voltage drop which, however, has no effect on the comparator V.

Etwa 40 Millisekunden .iachdem der Vergleicher V über seinen Ausgang ν und über den Stromkreis z\ die eingangsseitige Belegung der Schalteinrichtung U an die gemeinsame Steuerung G signalisiert hat, schaltet diese das üler den Stromkreis z2 bis dahin angeschaltete Minuspotential ab. Nunmehr vermag sich das Pluspotential von 5 Volt über den Widerstand Rl durchzusetzen. Dadurch wird der Transistor stromundurchlässig. Infolgedessen werden auch die Transistoren 71 und 72 stromundurchlässig. Durch das Pluspotential von 5 Volt über den Widerstand Ri wird jedoch der Transistor 74 stromdurchlässig. Er schaltet Erdpotential an den Verbindungspunkt zwischen den beiden Widerständen R4 und R5. Infolgedessen stellt sich am Verbindungspunkt der beiden Widerstände R5 und RIO negatives Teilpotential ein. durch welches der Transistor 75 stromdurchlässig geschaltet wird. Dadurch wird der aus den Widerständen RIl und R12 gebildete Spannungsteiler eingeschaltet, an dessen Spannungsteilermittelpunkt ein negatives Teilpotential entsteht, durch vetches der Transistor 76 stromdurchlässig geschaltet wird. Der zunächst über die Transistoren 71 und 72 verlaufende BelegungsstromkreisAbout 40 milliseconds after the comparator V has signaled the input-side occupancy of the switching device U to the common controller G via its output ν and via the circuit z \ , it switches off the negative potential that was previously connected to the circuit z2. Now the plus potential of 5 volts can assert itself through the resistor Rl. This makes the transistor impermeable to current. As a result, the transistors 71 and 72 also become current-impermeable. However, due to the positive potential of 5 volts across the resistor Ri , the transistor 74 becomes current-permeable. It switches ground potential to the connection point between the two resistors R4 and R5. As a result, a negative partial potential occurs at the connection point between the two resistors R5 and RIO. through which the transistor 75 is switched to be conductive. As a result, the voltage divider formed from the resistors RIl and R12 is switched on, at the voltage divider center point of which a negative partial potential arises, through which the transistor 76 is switched to current-permeable. The occupancy circuit initially running through transistors 71 and 72

verläuft nunmehr nicht mehr über diese, sondern über die Widerstände /?13 und /?14. Durch die Kondensatoren Cl und C2 ist dafür gesorgt, daß bei den zuletzt beschriebenen Vorgängen die Transistoren 7Ί und 72 mit einer gewissen Verzögerung nach dem Transistor 73 stromundurchlässig werden, so daß der über den Widerstand R9 verlaufende beschriebene Belegungsstromkreis erst unterbrochen wird, wenn der BeIegungs-Haltestromkreis über die Widerstände Ri3 und /?14 mittels des Transistors 76 durchgeschaltet worden ist. Dadurch wird sichergestellt, daß in dem über den Prüfpunkt P verlaufenden Prüf- und Belegungsstromkreis keine Unterbrechung eintritt.no longer runs through these, but through the resistors /? 13 and /? 14. The capacitors C1 and C2 ensure that in the processes described last, the transistors 7Ί and 72 become current-impermeable with a certain delay after the transistor 73, so that the described occupancy circuit running through the resistor R9 is only interrupted when the BeIegungs- Holding circuit has been switched through via the resistors Ri3 and /? 14 by means of the transistor 76. This ensures that there is no interruption in the test and occupancy circuit running via test point P.

Durch diese Umschaltung des über den Prüfpunkt PP verlaufenden Prüf- und Belegungsstromkreises von seinem über die Transistoren 7Ί und 72 verlaufenden Abschnitt auf den über den Transistor 7B verlaufenden Abschnitt wird der Gesamtwiderstand zwischen dem Prüfpunkt PP und der Minusspannung erhöht. Durch diesen auch als »Hochohmigschaltcn« des Belegungs-Stromkreises bezeichneten Schaltvorgang wird die Sperrsicherheit der Schalteinrichtung Uerhöht, d. h. die Sicherheit dafür, daß kein anderer Wähler mehr auf den belegten und gesperrten Bclegungsslromkreis der Schalteinrichtung l/aufprüfen kann.This switching of the test and occupancy circuit running through the test point PP from its section running through the transistors 7Ί and 72 to the section running through the transistor 7B increases the total resistance between the test point PP and the negative voltage. This switching process, also known as "high-resistance switching" of the occupancy circuit, increases the blocking security of the switching device U , ie the security that no other voter can check the occupied and blocked blocking circuit of the switching device I /.

Durch die beschriebene Umschaltung des Belegungsstromkreises von seinem Verlauf über den Widerstand R9 auf den Verlauf über die Widerstände RU und /?14 wird ferner der dem Vergleicher V zugeführte Spannungsabfall noch erhöht. Dadurch wird der Prüf- und Bcicgungsstromkreis während der Dauer der ihm entsprechenden durchgcschaltetcn Verbindung gegenüber Störungen durch induzierte oder kapazitiv übertragene Fremdspannungen gesichert. Ferner wird die Sperrsicherheit gegen Doppclprüfen erhöhl und der Stromverbrauch vermindert.As a result of the described switching of the occupancy circuit from its course via the resistor R9 to the course via the resistors RU and /? 14 , the voltage drop supplied to the comparator V is further increased. As a result, the test and connection circuit is protected against interference from induced or capacitively transmitted external voltages for the duration of the connected connection that corresponds to it. Furthermore, the blocking security against double checking is increased and the power consumption is reduced.

Wird der Prüf- und Bclcgungsstromkrcis vom vorgeordneten Wähler her aufgetrennt, also die ihm entsprechende Verbindung ausgelöst, so werden unter anderem die Widerstände Rl und /?13 stromlos. Der an ihnen bis dahin vorhandene Spannungsabfall entfällt. Der Vcrglcicher V schaltet das bis dahin über seineti Ausgang ν abgegebene Signal von minus 11 Volt wieder ab und legt stattdessen das breite erwähnte Potential von plus 1 Volt an. Dadurch wird über den Stiomkreis /1 zur gemeinsamen Steuerung CJ signalisiert. daU die .Schalteinrichtung U vom vorgeordneten Wahicr her ausgelöst worden ist. Die gemeinsame Steuerung Ci veranlaßt nun auf im einzelnen nicht beschriebene Weise die Auslösung aller übrigen Teile der Schaltein· so richtung U. Die gemeinsame Steuerung schaltet vorläufig nicht dos Minuspotential über den Stromkreis 22 ein. If the test and Bclcgungsstromkrcis is separated from the upstream selector, that is, the connection corresponding to it is triggered, the resistors Rl and /? 13, among other things, are de-energized. The voltage drop present on them up to that point does not apply. The comparator V switches off the signal of minus 11 volts that had been emitted up to then via its output ν and instead applies the broad potential of plus 1 volt mentioned. As a result, CJ is signaled via the stiom circuit / 1 for common control. that the .Switching device U has been triggered by the upstream Wahicr. The common control Ci now causes all other parts of the switching device U to be triggered in a manner not described in detail.

Durch den Wechsel des Ausgangssigmslcs seitens des Vergleichen V von minus 11 Volt iiuf plus t Volt wird der Transistor 73 wieder gesperrt und demzufolge auch der Transistor 7B. Versucht nun ein Wühler, auf die noch Im Schaltzustand der nicht vollständig abgewickelten Auslösung befindliche Schalteinrichtung Uoufzuprüfen, so findet er das den Freizustand kennzeichnende to Potential von minus 60 Volt weder über diu Transistoren 7Ί und 72 noch über den Transistor 7B vor. Die Schalteinrichtung U ist also vorlaufig gegen Neubclcgung gesperrt.As a result of the change in the output signal on the part of the comparison V from minus 11 volts to plus t volts, transistor 73 is blocked again and, consequently, transistor 7B as well. If a digger tries to check the switching device Uouf, which is still in the switching state of the incomplete triggering, he finds the to potential of minus 60 volts, which characterizes the free state, neither via the transistors 7Ί and 72 nor via the transistor 7B. The switching device U is temporarily blocked against reclosing.

Wie beschrieben, schultet der Verglelcher V bei der *s Auslosung, ulso bei Auftrennung des Prüf- und Bclcgung.ssi 1 Umkreises uη seinen Ausgang ν wieder Plusnnlcntiul von ciwu I Volt anstelle des Minuspolentials von 11 Volt an. Der Vergleicher V reagiert jedoch auf das Verschwinden des Spannungsabfalles an den Widerständen Rl und RU mit einer gewissen Verzögerung. Dadurch wird sichergestellt, daß eine fälschliche Auslösung nicht etwa durch Störimpulse herbei geführt werden kann, die auf induktivem oder kapazitivem Wege auf den im Sperrzustand befindlichen Prüf- und Belegungsstromkreis einer durchgcschalteten Verbindung übertragen werden können. As described, the comparator trains V in the * s draw, ulso when the test and exposure circle are separated, his output ν again pluses the positive value of I volts instead of the negative polarity of 11 volts. However, the comparator V reacts to the disappearance of the voltage drop across the resistors Rl and RU with a certain delay. This ensures that false triggering cannot be brought about by interference pulses that can be transmitted inductively or capacitively to the test and occupancy circuit of a switched connection which is in the blocked state.

Im Hinblick auf das Problem des Aufprüfens auf auslösende Verbindungen kann der Fall eintreten, daß ein prüfender Wähler sein Prüfrelais über seinen Prüfschaltarm mit dem Prüfpunkt einer seitens eines anderen Wählers belegten und gesperrten Schalteinrichtung verbindet, und daß unmittelbar anschließend der bis dahin mit dieser Schalteinrichtung verbundene und diese sperrende Wähler ausgelöst wird und den bis dahin bestehenden und im Sperrzustand befindlichen Prüf- und Belegungsstromkrcis auftrennt. In einem solchen Falle besteht in herkömmlichen Vermittlungsanlagen die Möglichkeit, daß das Prüfrelais des genannten prüfenden Wählers anspricht und daß dadurch eine Falschverbindung zustandckomml. Um diese Möglichkeit zu unterbinden, ist der Vergleichcr V eingangsseitig mit Schaltmitteln ausgerüstet, die ein Absinken des Spannungsabfalls an den Widerständen Rl und /?13 zu erkennen vermögen. Dies können Spannung nach der Zeit differenzierende Schaltmittel sein. — Beachtlich ist in diesem Zusammenhang, daß der zunächst bestehende und im Sperrzustand befindliche Prüf- und Bclegungsstromkreis lediglich die Wicklung I des Prüfrclais des betreffenden sperrenden Wählers W enthält, daß jedoch dieser bei Auftrennung des im Sperrzustand befindlichen Prüf- und Belegungs-Stromkreises weiter bestehende Prüf- und Bclcgungs Stromkreis des prüfenden Wählers außer der nicderohmigcn Wicklung I auch die höhcrohmige Wicklung I! des Prüfrclais P enthält. In diesem besonderen Betriebsfall ist also die Auslösung der ersten Verbindung nicht an einer Auftrennung des Prüf- und Belcgungssiromkreises, also nicht an einem völligen l-orifiill des Spannungsabfalles .in den Widerständen lü und Λ13 zu erkennen, sondern an einer Siromabsen kung, also an einer Absenkung des Spannungsablalles an den genannten beiden Widerstünden. Der in diesem besonderen Bctricbsfall nach der Stromabsenkung iiui Vergleicher eingangsseitig wirksame SpannungMibfall tritt un den Widerständen IO und RU auf, ist also sogar gröber als der beim normalen Prüf· und belegungsvtn · gang vor Ansprechen des betreffenden Prüfrclais um Vcrglcicher wirksame Spannungsubfall, weil dieser nur am Widerstand Rt entsteht. Um nun diesen besonderen Betriebsfall (Aufprüfen auf auslösende Verbindung) von einem normalen Prüf· und Belegungsvorgung mit einer Im Freizustand befindlichen Schalteinrichtung U unterscheiden zu können, genügt es für den Vergleicher V nicht, eingangsseitig lediglich den Spannungsabfall zu messen; um diese beiden Bctrlebsfüllc eindeutig voneinander unterscheiden zu können, ist der Vcrglcicher Veingangsscitig mit Schaltmitteln ausgestattet, mit deren Hilfe der zeitliche Verlauf der eingnngsscliigcn Spannung, also die Absenkung des Spannungsabfalls an den Widerstünden Kl und Λ13 erkannt werden kann. Dadurch laßt sich mit Sicherheit ein Aufprüfen auf auslösende Verbindungen auch für solche Wühler verhindern, in denen keine eigenen Vorkehrungen für die Vermeidung des Aufprüfens auf auslösende Verbindungen getroffen sind. With regard to the problem of checking for triggering connections, the case can arise that a testing voter connects his test relay via his test switch arm to the test point of a switching device that is occupied and blocked by another voter, and that immediately afterwards the one connected to this switching device and this blocking voter is triggered and separates the test and occupancy current circuit that has existed up to that point and is in the blocked state. In such a case, there is the possibility in conventional switching systems that the test relay of the named testing selector responds and that a wrong connection is thereby established. In order to prevent this possibility, the comparator V is equipped on the input side with switching means which are able to recognize a drop in the voltage drop across the resistors R1 and /? 13 . These can be switching means that differentiate voltage according to time. - It is noteworthy in this context that the initially existing test and cover circuit only contains the winding I of the test frame of the relevant blocking selector W , but that this test continues to exist when the test and occupancy circuit is disconnected - and the protective circuit of the checking selector apart from the non-resistive winding I also the high-resistive winding I! of the test clais P contains. In this particular operation case, the triggering of the first connection is not effect on a separation of the test and Belcgungssiromkreises, not lu the resistors to a complete l-orifiill the voltage drop .in and recognize Λ13 but at a Siromabsen, ie at a Lowering of the voltage drop at the two resistors mentioned. The voltage drop that is effective on the input side after the current reduction in the comparator after the current reduction occurs in the resistors IO and RU and is therefore even coarser than the voltage drop that is effective in the normal test and assignment process before the relevant test circuit responds, because this voltage drop is only effective at Resistance Rt arises. In order to be able to distinguish this special operating case (checking for a triggering connection) from a normal test and assignment procedure with a switching device U in the free state, it is not sufficient for the comparator V to merely measure the voltage drop on the input side; for these two Bctrlebsfüllc clearly be able to distinguish from one another, the Vcrglcicher Veingangsscitig is equipped with switching means by which the timing of the eingnngsscliigcn voltage, that is the lowering of the voltage drop to the opponent stood Kl and can be detected Λ13. As a result, checking for triggering connections can be prevented with certainty even for those rooters in which no special precautions have been taken to avoid checking for triggering connections.

Wie beschrieben, verläuft der Bclcgungsstromkreis der Schalteinrichtung U vom Prüfpunkt PP über die Widerstände Rf>, R7, R9 und Λ9 und über die Transistoren 7Ί und 72. Beim Hochohmigschalten wird derjenige Teil des Bclegungsstromkreiscs, der die Widerstände R8 und R9 und die Transistoren 71 und 72 umfaßt, ausgeschaltet und statt dessen ein über die Widerstände K13 und /?I4 und über den Transistor 76 verlaufende Haltestromkreis eingeschaltet. — Besondere Beachtung kommt dem die Widerstände RS und R9 und die Transistoren 71 und 72 enthaltenden Teil des Bclegungsstromkreiscs zu. Dieser Teil des Belegungsstromkrcises wirkt in Verbindung mit dem Anschluß an die Spannungsquelle von minus 60 Volt als Konstantstromquclle. Der Transistor 71 hat hier/u eine stromrcgclndc Wirkung. Das dem über den Widerstand R9 angeschaltete Battcricpotcntial von minus 60 Voll gegenüber positive Potential, das der Basis des Transistors 7Ί über den Transistor 73 und den Widerstand R2 zugeführt wird, ist durch die Zenerdiode Dl so begrenzt daß der Absolutwert des Basispotcnlials des Transistors 71 nicht über einen durch die Zenerdiode Dl vorgegebenen Wert hinaus ansteigen kann. Der im Bclegungsstiomkrcis fließende Strom ruft um Widersland R9 einen Spannungsabfall hervor. Die /.enerspannung der Diode DX abzüglich dieses Spannungsabfalles wirkt steuernd am Transistor 71 und bestimmt seinen Basistrom. Da also das Basispotential am voraussetzungsgemäH stromdurchlässigen Transistor 71 positiv gegenüber seinem Kmitterpoiential sein und bleiben muß. kann der durch den Strom im Belegungsstromkreis erzeugte Spannungsabfall im Widerstand R9 nur so groß werden, daß dieser Spannungsabfall höchstens einen der um die für den Transistor 71 notwendige Steucrspannung vermiiulerten /enerspannung entsprechenden Spannungsgrenzwert erreichen kann. Da also der Spannungsabfall am Widerstand K9 begrenzt ist, ist folglich auch dem Strom im Helegungsstromkreis selbst eine nicht zu überschreitende Grenze gesetzt. Folglich wirkt der Transistor /1 stromrcgelnd. Er bildet praktisch einen zwischen Null Ohm und unendlich großem Widersland regelbaren Widerstand nach.As described, the Bclcgungsstromkreis the switching device U from the checkpoint PP passes through the resistors R f>, R7, R9 and Λ9 and through transistors 7Ί 72 will When Hochohmigschalten and that part of the Bclegungsstromkreiscs, the resistors R8 and R9 and the transistors 71 and 72 comprises, switched off and instead a holding circuit running via the resistors K13 and /? I4 and via the transistor 76 switched on. - Particular attention must be paid to the part of the covering circuit containing the resistors RS and R9 and the transistors 71 and 72. This part of the occupancy current crisis acts in connection with the connection to the voltage source of minus 60 volts as a constant current source. The transistor 71 here / u has a current rcgclndc effect. The connected via the resistor R9 Battcricpotcntial of minus 60 full compared to positive potential, which is fed to the base of the transistor 7Ί via the transistor 73 and the resistor R2 , is limited by the Zener diode Dl so that the absolute value of the Basispotcnlials of the transistor 71 does not exceed a value predetermined by the Zener diode Dl can also rise. The current flowing in the covering circuit causes a voltage drop around the contradiction R9. The voltage of the diode DX minus this voltage drop has a controlling effect on the transistor 71 and determines its base current. Since, therefore, the base potential at the current-permeable transistor 71 must be and remain positive with respect to its Kmitterpoiential. the voltage drop in resistor R9 generated by the current in the occupancy circuit can only be so great that this voltage drop can reach at most one of the voltage limit value corresponding to the voltage required for the control voltage for the transistor 71. Since the voltage drop across the resistor K9 is limited, a limit that must not be exceeded is consequently also set for the current in the control circuit itself. As a result, the transistor / 1 has a current-regulating effect. In practice, it simulates a resistance that can be regulated between zero ohms and an infinitely large contradiction.

Dem Tianstistor Π parallel liegt der Widerstund RH über den in diesem Betriebszustand nicilcrohmig slromdurehUlssigenTransistor 72. Der Regelbereich der durch die 'Transistoren 71 und 72 und die Widerstände WB und M9 sowie die Diode I)I gebildeten Konstant- •tromqucllc ist durch den Widcrstunilswert des Widerstandes /78 bestimmt. Diese Konslnntsiromquclle vermag «Iso mittels des durch ilen Transistor 7Ί jeweils nachgebildeten Widerstandes den Strom im Prüf· und Belegungsstromkreis in den Grenzen zu regeln, die durch Kurzsehließung des Widerstandes /?8 einerseits und durch seine volle Wirksamkeil andererseits SS bestimmt sind. Der Widerstund Ri dient im wesentlichen dazu, die durch die Stromregelung bedingte Vernichtung der zwischen den Widerstanden R7 und R9 umzusetzenden Verlustleistung vom Trunsistor 71 so weit wie möglich abzuziehen, also teilweise uuUcrhulb dieses Transistors umzusetzen und abzurühren. Dadurch knnn die Im Transistor 7Ί maxlmul auftretende Verlustleistung in einem praktischen Anwendungsfall Im Verhältnis von ungefähr 2 zu t herabgesetzt werden (also im Vergleich dazu, daß der Widerstand RB und der Transistor 72 nicht vorgesehen waren), The resistance RH is parallel to the Tianstistor via the nicilcrohmig slromdurehUlssigenTransistor 72 in this operating state. The control range of the constant current generated by the transistors 71 and 72 and the resistors WB and M9 as well as the diode I) I is determined by the resistance value of the resistor / 78 determined. This source of consistency is able to regulate the current in the test and occupancy circuit within the limits determined by short-circuiting the resistor 8 on the one hand and by its full effective wedge on the other hand, by means of the resistor simulated by the transistor 7Ί. The resistance Ri essentially serves to subtract the destruction of the power loss to be converted between the resistors R7 and R9 from the transistor 71 as much as possible, i.e. to partly convert and dissipate this transistor. As a result, the power loss occurring in the transistor 7Ί maxlmul can be reduced in a practical application in a ratio of approximately 2 to t (i.e. in comparison to the fact that the resistor RB and the transistor 72 were not provided),

Bs Ist jedoch auch möglich, den Transistor 72 und den Widerstand Ri wegzulassen, Dadurch vergrößert sich der Regelbereich des Transistors 71. Jedoch erhöht sich dadurch zugleich auch die im Transistor 71 umzusetzende Verlustleistung. Bs However, it is also possible to omit the transistor 72 and the resistor Ri . This increases the control range of the transistor 71. However, this also increases the power dissipation to be converted in the transistor 71 at the same time.

Anschließend sei die stromregelnde Wirkung der beschriebenen Konstantstromquelle erläutert. Hierbei sind der Einzclprüffall und der Parallelprüffall miteinander zu vergleichen. Unter der Voraussetzung, daß es sich bei zwei parallel prüfenden Wählern um Wähler mit gleichen Prüfstromkreisen handelt, weist die Parallelschaltung der beiden Prüfstromkeise im Parallelprüffall bekanntlich den halben Innenwiderstandswert auf gegenüber dem Innenwiderstand nur eines einzigen dieser beiden Priifstromkrcise. Die Konstantstromqucl-Ie findet also jenseits des Prüfpunktes PP der Schalteinrichtung L/im Parallclprüffall nur einen halb so großen Widerstand vor, wie im Einzclprüffall. Sie sorgt aber dafür, daß in beiden Fällen nur der gleiche Strom im Belegungsstromkreis der Schalteinrichtung U fließt. Dadurch wird erreicht, daß in einem Priifrelais eines Wählers im Parallclprüffall nur halb so viel Strom fließt, wie im Einzclprüffall. Dadurch wird der Parallelprüffall gegenüber dem Einzelprüffall besser unterscheidbar für die Prüfrelais der betreffenden Wähler. Dadurch läßt sich also die Sicherheil gegen Doppclprüfen im Parallelprüf fall erhöhen.The current-regulating effect of the constant current source described will then be explained. The individual test case and the parallel test case are to be compared with one another. Assuming that two selectors testing in parallel are selectors with the same test current circuits, the parallel connection of the two test current circuits in the parallel test case has half the internal resistance value compared to the internal resistance of only one of these two test current crises. The constant current qucl-Ie thus finds, beyond the test point PP of the switching device L /, in the parallel test case, only half as great a resistance as in the individual test case. But it ensures that only the same current flows in the occupancy circuit of the switching device U in both cases. In this way it is achieved that only half as much current flows in a test relay of a selector in the parallel test case as in the individual test case. This makes it easier to distinguish between the parallel test case and the individual test case for the test relays of the voters concerned. In this way, the security against double testing in the case of parallel testing can be increased.

In diesem Zusammenhang isl ferner zu beachten, daß Prüf- und Belegungsstromkreise jeweils über eine der Adern einer Verbindungslcitung verlaufen, die verschieden lang sein kann und demgemäß unterschiedlich großen zusätzlichen Leitungswiderstand in den jeweiligen Belegungsstromkreis einer Schalteinrichtung U unterbringen kann. Der Leilungswidcrstand einer Verbindungslcitung ist zwischen dem Widerstand Rb der Schalteinrichtung U und ihrem Prüfpunkt PP eingefügt zu denken. Die Konstantsiromquellc wirkt nun außerdem dahingehend, den von Verbindungsleitung zu Verbindungsleitung variierenden Leilungswiderstand der betreffenden Belegungssiromkreise auszugleichen. — Darüberhinaus bietet die Konstantslromquelle eine gute Sicherheit gegen Erdschluß am Prüfpunkt /'/' der Schalleinrichtung U. In einem derartigen Kurzschlußfall verhindert die Konstantstromquelle also eine Überlastung der den Kurzschlußstrom führenden Widerstände M6urul RT. In this context, it should also be noted that test and occupancy circuits each run over one of the wires of a connecting line, which can be of different lengths and accordingly can accommodate additional line resistance of different sizes in the respective occupancy circuit of a switching device U. The line resistance of a connection line is to be thought of as inserted between the resistance Rb of the switching device U and its test point PP. The Konstantsiromquellc now also acts to compensate for the line resistance, which varies from connecting line to connecting line, of the relevant occupancy signal circles. In addition, the constant current source offers good protection against earth faults at the test point / '/' of the sound device U. In such a short-circuit case, the constant current source prevents overloading of the resistors M6urul RT carrying the short-circuit current.

Die Kondensatoren (Ί und C 2 haben außer der beschriebenen Aufgabe, beim llochohmigschullcn die Abschaltung des über den Widerstand /ft verlaufenden Zweig des Belegungsstronikreises zu verzögern, die weitere Aufgabe, beim Beginn eines Prüf- und Be lcgungsvoi'gungcs für einen verzögerten Stromanstieg im Prüf- und Belegungssiromkreis zu sorgen. Denn bekanntlich setzen Prüfroluis in von ihnen erreichbarer Qclcgungsstromkrciscn Bclcgungsrcluis voraus, derer Wicklungen einen komplexen Widerstand aufweisen der beim Beginn eines jeden Prüf· und Belcgungsvor ganges einen verzögerten Stromunsticg verursacht. LIn eine möglichst kurze Ansprechzeit des jeweilige! Prüfrelais zu erreichen, trugen die Belegungsrclois In de Regel eine im Ruhezustand kurzgeschlossene Zweit wicklung, wodurch in einem geschlossenen Prüf· um Belegungsstromkreis der Stromanstieg sich stelle gestaltet, als wenn die kurzgeschlossene Zwcitwlckluni nicht vorgesehen wtire, Dadurch wird für die PrUfrclui eine relativ kurze Ansprechzeit erzielt. In Motorwähler schaltungen werden bekanntlich Prüfreluis verwende die im Vergleich zu anderen bekannten clcktromechun sehen Relais Überaus schnell ansprechen. Dies Prufrclttls besitzen also eine besonders hohe Empfind The capacitors (and C 2 have, in addition to the described task of delaying the disconnection of the branch of the occupancy electronic circuit that runs through the resistor / ft, when a test and obstruction decision commences, for a delayed increase in current during the test - and occupancy circuit, because, as is well known, test rollers require clearing circuits in the voltage circuits they can achieve, the windings of which have a complex resistance that causes a delayed current drop at the beginning of each test and circuit , the occupancy rings usually had a secondary winding that was short-circuited in the idle state, which means that the current rise in a closed test circuit in the occupancy circuit would appear as if the short-circuited circuit was not provided Realtime achieved. In motor selector circuits, it is well known that test relays use the relays that respond extremely quickly compared to other known clcktromechun relays. These tests are therefore particularly sensitive

lichkeit. Sie sind so aufgebaut, daß sie die Motorstillsetzung zu bewerkstelligen vermögen, obwohl ihr Ansprechstromkreis über eine Wicklung eines elektromagnetischen Belegungsrelais im Belegungsstromkreis einer nachfolgenden belegbaren Schalteinrichtung verläuft, und obwohl dieses Belegungsrelais trotz seiner kurzgeschlossenen Zweitwicklung aufgrund der verbleibenden Induktivität einen in gewissem Maße verzögerten Stromanstieg im Prüf- und Belegungsstromkreis zur Folge hat. Wurden nun solche hochempfindlichen und schnell ansprechenden Prüfrelais von Motorwählern auf Belegungsstromkreise aufprüfen, die lediglich rein ohmsche Widerstände enthalten, so würde dadurch die Ansprechgeschwindigkeit noch weiter gesteigert werden. Eine Folge davon wären Kontaktprellungen und eine erhöhte Abnutzung der betreffenden Kontakte, insbesondere derjenigen Kontakte, die unmittelbar zur Motorstillsetzung dienen und deshalb einer besonders hohen Strombelastung unterworfen sind. Dieser unerwünschte Effekt wird durch die vorliegende Schaltungsanordnung dadurch beseitigt, daß beim Beginn jedes Prüf- und Belegungsvorganges der Stromanstieg im Transistor 71 mittels des Kondensators Cl verzögert ist. Im Ruhezustand fließt über den Transistor 73, den Widerstand R2, die Basis-Emitter-Strecke des Transistors 7Ί und den Widerstand R9 ein Ruhestrom, sofern die Schalteinrichtung LJ von der gemeinsamen Steuerung G her als belegbar gekennzeichnet ist. Der Widerstand R2 ist relativ hochohmig gegenüber dem Widerstand R9. Deshalb tritt an diesem Widerstand ein relativ geringer Spannungsabfall auf. Ebenfalls ist der an der Basis-Emitter-Strecke des Transistors 7Ί auftretende Spannungsabfall sehr klein. Der Kond:nsator CI ist deshalb im Ruhezustand auf nur etwa 1 ^v' aufgeladen. Wird nun ein Prüf· und Belegungsstromkreis geschlossen, so kommt durch die beschriebene stromregclnde Wirkung des Transistors 7Ί im Prüf- und Belegungsstromkreis zunächst nur ein relativ geringer Strom zustande. Da nümlich — wie beschrieben — der im Belegungssiromkreis fließende Strom am Widerstund K9 einen dementsprcchenden Spannungsabfall hervorruft, und da dieser höchstens einen gegenüber der Kondcnsatnrspnnnung um die für den Transistor 71 notwendige Stcuurspunnung geringeren Wen erreichen kann, bestimmt die Spannung um Kondensator CI den Höchststrom im liclegungsstromkreis. - Der Kondensator CI wird nun über den Widerstand H2 aufgeladen, lintsprivhend diesem Aufladungsvorgang steigt das Stcucrpotential am Transistor 71. Demgemüü steigt uuch der Strom im Prüf· und Belcgungsstromkreis mit an, Der Aufludungsvorgang des Kondensators Ct wird bei Erreichen der Zcncrspnnnung der Diode Dl beendet. Der Kondensator behält danach diese Spannung bei. Der Strom im Belcgungsstromkreis steigt von diesem Zeitpunkt an nicht mehr weiter an. Beim Hochohmigschalten, wenn also der Transistor 73 und der Widerstand R2 stromlos werden, wird der Kondensator Cl über den Widersstand /?5 entladen.opportunity. They are designed in such a way that they are able to bring the motor to a standstill, although their response circuit runs through a winding of an electromagnetic occupancy relay in the occupancy circuit of a subsequent occupancy switch, and although this occupancy relay, despite its short-circuited secondary winding, has a somewhat delayed current increase in the test due to the remaining inductance - and occupancy circuit. If such highly sensitive and quickly responding test relays were checked by motor selectors for occupancy circuits that only contain purely ohmic resistances, the response speed would be increased even further. One consequence of this would be contact bruises and increased wear and tear on the relevant contacts, in particular those contacts which are used directly to shut down the motor and are therefore subject to a particularly high current load. This undesirable effect is eliminated by the present circuit arrangement in that, at the beginning of each test and assignment process, the current rise in transistor 71 is delayed by means of capacitor C1. In the idle state, a quiescent current flows through the transistor 73, the resistor R2, the base-emitter path of the transistor 7Ί and the resistor R9 , provided that the switching device LJ is identified by the common control G as being assignable. Resistor R2 has a relatively high resistance compared to resistor R9. Therefore there is a relatively small voltage drop across this resistor. The voltage drop occurring at the base-emitter path of the transistor 7Ί is also very small. The capacitor CI is therefore charged ^{to only about 1 v 'in the idle state.} If a test and occupancy circuit is now closed, the described current-regulating effect of the transistor 7Ί initially produces only a relatively low current in the test and occupancy circuit. Since - as described - the current flowing in the occupancy circuit causes a corresponding voltage drop across the resistor K9, and since it can at most achieve a voltage drop that is lower than the voltage required for transistor 71, the voltage around capacitor CI determines the maximum current in the electrical circuit . The capacitor CI is now charged via the resistor H2 , and immediately after this charging process, the plug potential at the transistor 71 rises. Accordingly, the current in the test and supply circuit also rises. The capacitor then maintains this voltage. From this point on, the current in the occupancy circuit no longer increases. When switching to high resistance, that is to say when the transistor 73 and the resistor R2 are de-energized, the capacitor C1 is discharged via the resistor /? 5.

Ebenso wie dem Transistor 71 ein aus dem Widerstand R2 und dem Kondensator Cl bestehenderJust like the transistor 71, one consisting of the resistor R2 and the capacitor C1

ίο /?-C-Kreis zum verzögerten Stromanstieg in der Emitter-Kollektor-Sttrecke zugeordnet ist, ist auch dem Transistor 72 ein aus dem Widerstand R3 und dem Kondensator Cl bestehender /?-C-Kreis zugeordnet. Beide /?-C-Kreise sind ungefähr gleich dimensioniert.ίο / - C-code is assigned to the delayed rise of current in the emitter-collector Sttrecke, also the transistor 72 is composed of the resistor R3 and the capacitor Cl of existing / - associated C-circle?. Both /? - C circles are roughly the same size.

Da mit der Emitter-Kollektor-Strecke des TransistorsAs with the emitter-collector path of the transistor

72 der Widerstand RS in Reihe geschaltet ist, bestimmt den verzögerten Stromanstieg im Prüf- und Belegungsstromkreis im wesentlichen der Transistor 71. 72 the resistor RS is connected in series, the delayed current rise in the test and occupancy circuit is essentially determined by the transistor 71.

Soll die Schalteinrichtung U im Ruhezustand gegen Neubelegung seitens eines vorgeordneten Wählers gesperrt werden, so entzieht die gemeinsame Steuerung C das bis dahin im Ruhezustand über den Stromkreis z2 angelegte Minuspotential. Dadurch wird der TransistorIf the switching device U is to be blocked from being reassigned by an upstream selector in the idle state, the common controller C withdraws the negative potential applied up to then in the idle state via the circuit z2. This will make the transistor

73 stromundurchlässig. Ebenfalls werden die Basis-2s Emitter-Strecken der Transistoren 71 und 72 stromlos.73 impermeable to current. The base 2s Emitter paths of the transistors 71 and 72 are de-energized.

Infolgedessen kann auch kein vorgeordneter Wähler auf die im Ruhezustand gesperrte Schalteinrichtung LJ aufprüfen. — Die Schalteinrichtung L) empfängt also von der gemeinsamen Steuerung G über ein und denselben Stromkreis /1 sowohl das Schaltkenn/eichen »Hochohmigschalten« als auch das Schaltkennzeichcn »Sperrung im Ruhezustand«. Diese beiden Schaltkennzeichen, die die gemeinsame Steuerung G in der gleichen Form an die Schalteinrichtung LJ abgibt, sind in dieser dadurch voneinander unterscheidbar, daß die gemeinsame Steuerung die über den Stromkreis /2 angelegte Minusspannung /um Hochohmigschalten nach erfolgter Belegung, dagegen zum Sperren des Bclegungsstromkreises im Ruhezustand anlegt. BeideAs a result, no upstream voter can check the switching device LJ, which is locked in the idle state. - The switching device L) thus receives from the common control G via one and the same circuit / 1 both the switching identifier "high-resistance switching" and the switching identifier "blocking in the idle state". These two switching indicators, which the common control G sends to the switching device LJ in the same form, can be distinguished from one another in this by the fact that the common control uses the negative voltage applied via the circuit / 2 / to high-resistance switching after occupancy, on the other hand to block the covering circuit creates in the idle state. Both

Schallkcnnzcichen werden aber über ein und denselben Stromkreis Λ an die Schalteinrichtung LJ übertragen.Sound signs are, however, transmitted to the switching device LJ via one and the same circuit Λ.

Anschließend sei noch bezüglich der Spannung nachThen there was still tension regarding the tension

der Zeit differenzierenden eingangsseitigen Schaltmitielthe time differentiating input-side switching means

des Vergleichers V auf die DT-PS Il 65 677 hingewie-of the comparator V referring to the DT-PS Il 65 677

sen, in der Spannung nach der Zeit differenzierende .Schaltmittel verwendet sind. Diese bekannte Schaltungsanordnung betrifft zwar eine Prüfschaltung; jedoch lassen sich die hierin dargestellten und beschriebenen Schultmittcl zur Differenzierung dorsen, in the voltage differentiating according to the time .Switching means are used. This known circuit arrangement relates to a test circuit; however, the schools presented and described herein can be used to differentiate them

so Spannung nach der Zeit auch in der vorliegenden Schaltungsanordnung verwenden.so also use voltage after time in the present circuit arrangement.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings

Claims (7)

Patentansprüche:Patent claims: 1. Schaltungsanordnung für Fernmeldevermittlungsanlagen, insbesondere Fernsprechvermittlungsanlagen, mit Prüf- und Belegungsstromkreisen, in denen Prüfschaltmittel für prellfreie Kontaktbetätigung einen durch Schaltmittel im Belegungsstromkreis gegebenen verzögerten Stromanstieß voraussetzen, dadurch gekennzeichnet, daß ein im Belegungsstromkreis liegender Aufprüfwiderstand mit einem den Belegungsstromkreis begrenzenden Transistor in Reihe geschaltet ist, und daß das Potential an einer Steuerelektrode des Transistors von der Ladespannung eines zugeordneten /?-C-Gliedes bestimmt ist und gemäß einem mit Beginn eines Prüf- und Belegungsvorganges einsetzenden Umladungsvorgang den Transistor zunehmend stromdurchlässig macht. 1. Circuit arrangement for telecommunications switching systems, in particular telephone switching systems, with test and occupancy circuits in which test switching means for bounce-free contact actuation require a delayed current impulse given by switching means in the occupancy circuit, characterized in that a test resistor located in the occupancy circuit is connected in series with a transistor limiting the occupancy circuit , and that the potential at a control electrode of the transistor is determined by the charging voltage of an assigned /? - C element and makes the transistor increasingly current-permeable in accordance with a charge reversal process that begins at the start of a test and assignment process. 2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sowohl der Strom für den Umladungsvorgang eines Kondensators im /?-C-Glied als auch der Steuerstrom des Transistors über den Widerstand des /?-C-Gliedes fließt.2. Circuit arrangement according to claim 1, characterized in that both the current for the Charge reversal of a capacitor in the /? - C element as well as the control current of the transistor flows through the resistance of the /? - C-element. 3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Transistor eine den Strom im Belegungsstromkreis regelnde Wirkung hat und daß das Potential an seiner Steuerelektrode im Sinne der Regelung unter dem Einfluß einer Rückwirkung des Stromes im Belegungsstromkreis steht.3. Circuit arrangement according to claim 2, characterized in that the transistor is a current in the occupancy circuit has a regulating effect and that the potential at its control electrode in the sense the regulation is under the influence of a reaction of the current in the occupancy circuit. 4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß eine durch die Rückwirkung des Stromes im Belegungsstromkreis verursachte Verschiebung des Potentials an der Steuerelektrode des Transistors den Umladungsvorgang im K-C-Glied herbeiführt.4. Circuit arrangement according to claim 3, characterized in that one by the reaction of the current in the occupancy circuit caused a shift in the potential at the control electrode of the transistor brings about the charge reversal in the K-C element. 5. Schaltungsanordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der durch die Verschiebung des Potentials an der Steuerelektrode des Transistors herbeigeführte Umladungi.vorgang im /?-C-Glied bewirkt, daß das Potential an dor Steuerelektrode des Transistors und demgemäß der Strom im Belegungsstromkreis mit durch die Zeitkonstante des /?-C-Giiedes bestimmter /.eillicher Verzögerung ansteigt.5. Circuit arrangement according to claim 4, characterized in that the by the displacement of the Potential at the control electrode of the transistor induced charge reversal process in the /? - C-element causes the potential at the control electrode of the transistor and accordingly the current in Occupancy circuit with a delay determined by the time constant of the /? - C-part increases. 6. Schaltungsanordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Transistor mit der Emitter-Kollektor-Strecke im Aufprüfkreis liegt und emitterseitig über einen der Regelung dienenden Hilfswiderstand mit einem ersten Pol einer Spannungsquelle verbunden ist, dessen Potential den Freizustand des Belegungsstromkreises anzeigt, und daß die als Steuerelektrode dienende Basis des Transistors über den Widerstand des /?-C-Gliedes mit einem zweiten Pol der Spannungsquelle verbunden ist, der das erforderliche Steuerpotential führt.6. Circuit arrangement according to claim 5, characterized in that the transistor with the emitter-collector path lies in the Aufprüfkreis and on the emitter side via an auxiliary resistor serving for regulation is connected to a first pole of a voltage source, the potential of which is the free state of the occupancy circuit indicates, and that the base of the transistor serving as a control electrode Connected to a second pole of the voltage source via the resistance of the /? - C element who carries the required tax potential. 7. Schaltungsanordnung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Basis des Transistors mit dem ersten Pol der Spannungsquelle über einen spannungsabhängigen Widerstand, insbesondere eine Zenerdiode verbunden ist, der — bzw. die — dem Umladungsvorgang eine Spannungsgrenze setzt und beim Erreichen derselben einen weiteren Anstieg des Potentials an der Basis des Transistors und dementsprechend einen weiteren Anstieg eines Stromes im Belegungsstromkreis verhindert.7. Circuit arrangement according to claim 6, characterized in that the base of the transistor with the first pole of the voltage source via a voltage-dependent resistor, in particular a Zener diode is connected, the - or the - the charge reversal process a voltage limit sets and when the same is reached a further increase in the potential at the base of the transistor and accordingly prevents a further increase in a current in the occupancy circuit. Die Erfindung bezieht sich auf eine Schaltungsanordnung für Fernmeldevermittlungsanlagen, insbesondere Fernsprechvermittlungsanlagen, mit Prüf- und Belegungsstromkreisen, in denen Prüfschaltmittel für prell· freie Kontaktbetätigung einen durch Schaltmiitel im Belegungsstromkreis gegebenen verzögerten Stromanstieg voraussetzen.The invention relates to a circuit arrangement for telecommunications switching systems, in particular Telephone switching systems, with test and occupancy circuits in which test switching means for bounce Free contact actuation presupposes a delayed current increase given by switching devices in the occupancy circuit. Eine Schaltungsanordnung dieser Art ist bereits durch die deutsche Patentschrift 10 13 701 bekannt. Das hierin ίο gezeigte Prüfrelais P nimmt durch Betätigung seiner Kontakte unter anderem die Stillsetzung des Wählermotors vor. Das Prüfrelais ist hierzu so aufgebaut, daß es im Vergleich zu anderen bekannten elektromechanischen Relais überaus schnell anspricht. Sein Ansprech-Stromkreis verläuft über den Belegungsstromkreis eines jeweils nachgeordneten Schaltgliedes. Dieser Belegungsstromkreis enthält in herkömmlichen Schaltungsanordnungen jeweils ein elektromechanisches Relais, wie es z. B. die deutsche Auslegeschrift 19 40 847 zeigt. A circuit arrangement of this type is already known from German patent specification 10 13 701. The test relay P shown here, among other things, shuts down the selector motor by actuating its contacts. The test relay is designed in such a way that it responds extremely quickly compared to other known electromechanical relays. Its response circuit runs through the occupancy circuit of a respective downstream switching element. This occupancy circuit contains an electromechanical relay in conventional circuit arrangements, as it is, for. B. the German Auslegeschrift 19 40 847 shows. Um eine möglichst kurze Ansprechzeit des Prüfrelais zu erreichen, tragen die Belegungsrelais in der Regel eine im Ruhezustand kurzgeschlossene Zweitwicklung, wodurch in einem geschlossenen Prüf- und Belegungsstromkreis ein relativ steiler Stromanstieg und dadurch eine relativ kurze Ansprechzeit des Prüfrelais erzielt wird.In order to achieve the shortest possible response time of the test relay, the occupancy relays usually have a in the idle state short-circuited secondary winding, resulting in a closed test and occupancy circuit a relatively steep increase in current and thus a relatively short response time of the test relay is achieved will. Durch die deutsche Auslegeschrift 11 73 538 ist es darüber hinaus bekannt, für die in Belegungsstromkreisen erforderlichen Aufprüfwiderstände rein ohmsche Widerstände zu verwenden. Die notwendigen Schaltfunktionen werden von Transistoren ausgeführt.By the German Auslegeschrift 11 73 538 it is also known, purely ohmic for the test resistors required in occupancy circuits To use resistors. The necessary switching functions are carried out by transistors. Belegungsstromkreise gemäß der deutschen Auslegeschrift 11 73 538 weisen einen noch steileren Stromanstieg bei Einschaltung eines Prüf- und Belegungsstrom-Allocation circuits according to the German interpretation document 11 73 538 show an even steeper rise in current when a test and occupancy current kreises auf als Belegungsstromkreise gemäß der deutschen Auslegeschrift 19 40 847. Obwohl bei letzteren das Belegungsrelais eine im Ruhezustand kurzgeschlossene Zweitwicklung aufweist, bewirkt die verbleibende Induktivität des Belegungsrelais dennoch eine gewisse Verzögerung des Stromanstieges im Prüf- und Belegungsstromkreis. In Belegungsstromkreisen gemäß der deutschen A.uslegeschrift 11 73 537 entfällt jedoch eine derartige Verzögerung des Stromanstieges im Belegungsstromkreis. Dadurch vird der Ansprechvorgang von schnell arbeitenden Prüfrelais noch beschleunigt. Hieraus ergibt sich das Problem von Kontaktprellungen. Die Prüfrelaiskontakte werden also nach einer erstmaligen Schließung noch ein- oder mehrmals kurzzeitig geöffnet, bis sie endgültig schließen. Für den Prüfrelaiskontakt zur Motorstillsetzung hat dies eine erhöhte Kontaktabnutzung aufgrund der besonders großen Strombelastung dieses Kontaktes zur Folge.circle on as occupancy circuits according to the German Auslegeschrift 19 40 847. Although the latter the occupancy relay has a secondary winding short-circuited in the idle state, causes the remaining one Inductance of the occupancy relay nevertheless a certain delay in the current rise in the test and Occupancy circuit. However, it does not apply to occupancy circuits in accordance with German A.uslegeschrift 11 73 537 such a delay in current rise in the occupancy circuit. This causes the response process accelerated by fast-working test relays. This gives rise to the problem of contact bruises. The test relay contacts are therefore still one or more times after they have been closed for the first time open for a short time until they finally close. This has one for the test relay contact for motor shutdown increased contact wear due to the particularly high current load on this contact. Für die Erfindung besteht die Aufgabe, den Stromanstieg in Belegungssiromkreisen geringfügig zu verzögern und dies auf andere Weise als Jurch Verwendung von induktiven Widerständen in den Belegungsstromkreisen, z. B. von Relaiswicklungen, zu realisieren.The object of the invention is to slightly reduce the current increase in occupancy sirom circles delay and do so in a way other than by using inductive resistors in the Occupancy circuits, e.g. B. of relay windings to be realized. Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß ein im Belegungsstromkreis liegender Aufprüfwiderstand mit einem den Belegungsstrom begrenzenden Transistor in Reihe geschaltet ist, und daß das Potential an einer Steuerelektrode des Transistors von der Ladespannung eines zugeordneten Ä-C-Gliedes bestimmt ist und gemäß einem mit Beginn eines Prüf- und Belegungsvorganges einsetzenden Umladungsvorgang den Transistor zunehmend stromdurchlässig macht.This object is achieved according to the invention in that a test resistor located in the occupancy circuit is connected in series with a transistor limiting the occupancy current, and that the Potential at a control electrode of the transistor from the charging voltage of an assigned λ-C element is determined and according to a reloading process that begins at the beginning of a checking and occupancy process makes the transistor increasingly current-permeable.