DE2450709C3 - Verfahren zur Herstellung von Methylzinntrihalogeniden - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von MethylzinntrihalogenidenInfo
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Description
Die Frfindung betrifft ein Verfahren zur Umwandlung von Zinnverbindungen der allgemeinen Formeln
R.tSn. KiSnX und R2SnX.. durch Umsetzung mit SnX4 zu
RSnXi. wobei R ein Mkylrest mit 1 bis 8 Kohlenstoffatomen,
ein Aryl- oder ein Aralkylrest und X ein Halogen mit dem Atomgewicht 35 bis 127 ist. Die
Umwandlung von Polyalkylzinnhalogemden oder Tetraalkylzinnverbindungen
oder entsprechenden Aryl- oder Aralkylzinnverbindungen mit Zinnchloriden unter
Bildung von Monoalkylzinntrihalogeniden ist bekannt und verläuft nach den folgenden Gleichungen:
R4Sn + 3SnX-1
R3SnX + 2SnX4
R2SnX2 + SnX4
R3SnX + 2SnX4
R2SnX2 + SnX4
4 RSnX,
3 RSnX3
2RSnX3
3 RSnX3
2RSnX3
in den R ein Alkylrest mn / B. I bis 8 Kohlenstoffatomen,
cm Aryl- oder Aralkylrest und X ein Halogen mit
dem Atomgewicht 19 bis 127 ist.
Frialkyl/innhalogenide und Tetraalkylzinn lagern sich
ohne KataKsator verhältnismäßig leicht mit Zinntetra· halogeniden um. Die Ausbeute an Monoalkylzinntriha
logeniden ist jedoch dann nicht zufriedenstellend, wenn
ein Dialkyl/inndihalogenid /11 einem Mohoalkyizinntn
ha'ogenid umgewandelt werden soll. Nach Grant und
Van Wazer in J. Organo-Metallic Chenu Band 4, Seite 229 (1965). ist nur eine 71°/oige Umwandlung von
Dimethyl/inndichlnrid möglich, wenn es mit Zinnte
trachlond /u Methylzinntnchlorid umgesetzt wird.
Nach der US-PS 34 54 blO erhält man einen Komplex
aus Methyl/inntnchlorid und Dimethylsulföxid. wenn
man DimethyUmndichlond mit Zinntetrachlorid in
Gegenwart von Diiilethylsulfoxid umsetzt. Die Ausbeulen
liegen bei 90%, jedoch sind hierzu große Mengen Dimethylsulföxid und eine lange RUckflußbehandlung
erforderlich. Dann muß der gebildete Dimethylsulfoxid-Komplex
noch zersetzt werden.
Ferner1 ist es aus der ÜS*PS 34 59 779 bekannt,
Alkylzinntrihalogenide aus Dialkyizinndihalögeniden
und Zinnteirahalogeniden in Gegenwart von Phosphor· oxychlund und Phosphorpcnuixid zu erhalten. Abgehe
hen davon, dull die erzielten Ausbeuten nur um 60% liegen, ist die Verwendung von Phusphoroxychlorid und
Phosphorpentoxid nachteilig Phosphoroxyehlorid stellt
^ eine rauchende Flüssigkeit dar, die unter Bildung von
HiPO1 und HCI hydrolysiert, während PiOs starke
Affinität zu Wasser hat und an der Luft infolge der Bildung von Metaphosphorsäure klebrig wird.
Der ebenfalls schon beschriebenen Umsetzung von SnCI4 mit (C4H^)4Ge kommt nur theoretische Bedeutung
zu, da Ge nur in begrenztem Umfange zugänglich ist und die Herstellung des (C4H^4Ge umständliche Verfahren
erfordert.
Die F.rfindung betrifft daher ein neues Umlagerungs-
·> verfahren, das einfacher durchzuführen ist und bessere
Ausbeuten ergibt. Es besteht dann, daii man die Umsetzung bei Temperaturen von 150 bis 300'C in
Gegenwart eines Oniumsal/es der allgemeinen Formel Ri ZY durchführt, in der R1 ein Alkylrest mit 1 bis 18
Kohlenstoffatomen, ein Aryl- oder Aralkylrest ist, Z die Bedeutung N. P oder As hat und Y Halogen oder -SnX3
darstellt.
Als Zinntctrahalogenide können Zinntetrachlorid, Zinntetrabromid und Zinntetrajociid verwendet werden.
Alkylzinnausgangsstoffe sind Tetramethylzinn, Tnmethylzinnchlorid.
-bromid und -jodid sowie Dimethylzinndichlorid.
-dibromid und -dijodid.
Vorzugsweise wird Dimethylzinndichlorid verwendet. Bei höheren Alkylgruppen als der Methylgruppe
besteht die Neigung /u NcbenreaKtionen, z. B. einer
Dchydro' .ilogenierung. wodurch die Ausbeute verringert
wird.
Beispiele für erfindungsgemaß verwendbare Oniumsalze
sind
Toiramethylammoniumchlorid.
-bromid und -trichlorostannit;
quaternäre Ammoniumjodidc,
wie Dimethyldiäthylammoniumjodid,
-bromid und -trichlorostannit;
quaternäre Ammoniumjodidc,
wie Dimethyldiäthylammoniumjodid,
Tetraäthylammoniumjodid. Tetrapropylammoniumjodid.
Tetrabutylammoniumjodid.
Tetradodecylammoniumjodid.
Tetraoctadecylammuniumjodid.
Tetradodecylammoniumjodid.
Tetraoctadecylammuniumjodid.
Tetrapher.ylammoniumjodid.
Tetrabenzylammoniumjodid.
Γ 'ctyltriphenylammoniumjodid,
Methyl tripheny !ammonium jodid,
Dodecyltriphenylammoniumjodid.
Tetrabenzylammoniumjodid.
Γ 'ctyltriphenylammoniumjodid,
Methyl tripheny !ammonium jodid,
Dodecyltriphenylammoniumjodid.
Phenyläthyltetramethylenammoniumjodid,
Phenyläthylpentamethylenammoniumjodid,
Tetra-p-toly'ammoniumjodid
und die entsprechenden quaternären Ammoniumchloride, bromide und Trihalogenstannite.
Phenyläthylpentamethylenammoniumjodid,
Tetra-p-toly'ammoniumjodid
und die entsprechenden quaternären Ammoniumchloride, bromide und Trihalogenstannite.
Dimethyldiäthylammoniumchlorid,
Tetrapropylammoniumchlorid und -bromid,
Tetrabutylammoniumchlond und -bromid.
Tetraoctylammoniumchlond und -bromid.
Tetrabenzylammoniumchlnrid.
Tetrabutylammoniumchlond und -bromid.
Tetraoctylammoniumchlond und -bromid.
Tetrabenzylammoniumchlnrid.
Tetraphenvlammonnimchloriil.
Methyltriphenylammoniümchlorid,
Phosphöniurnjodide,
wie Tetramethylphosphoniumjodid,
Tetraäthylphosphoniumjodid,
Methyltriphenylammoniümchlorid,
Phosphöniurnjodide,
wie Tetramethylphosphoniumjodid,
Tetraäthylphosphoniumjodid,
Tetrapropylphosphoniumjodid,
Tetrabutylphosphoniumjodid,
Tetraisopropylphosphoniumjodid,
Tetraoclylphösphoniumjodid,
Tetrabutylphosphoniumjodid,
Tetraisopropylphosphoniumjodid,
Tetraoclylphösphoniumjodid,
Tetradodecylphosphoniumjodid,
TetraoctadecylphoSphoniunijodid,
Tetraphenylphosphoniumjodid,
Tetrabenzylphosphoniumjodid.
Octyltriphenylphosphoniumjüdid,
Methyltriphenylphosphoniumjodid.
Dodecyltriphenylphosphoniumjodid,
Phenyläthyltetramethylenphosphoniumjodid,
Tetra-p-tolylphosphoniumjodid
und die entsprechenden
Phosphoniumchloride und -bromide
sowie -trihalogenstannite.
Tetramethylphosphoniumchlorid,
Tetramethylphosphoniumbromid.
Tetrabuiylphosphoniumchlorid und -bromid.
Tetraoctylphosphoniumchlorid,
Teiraphtnylphosphoniumchlorid und -bromid,
Tetraben/ylphosphoniumchlorid.
Arsoniumsalze,
wie Tetrameth;. 'arsoniumchlorid. -bromid und -jodid.
Tetrabutylarsoniumchlorid.
Tetraoctylarsoniumchlorid, -bromid und -jodid
sowie Tetraphenylarsoniumchlorid und -jodid.
Die Oniumsalze müssen nicht als solche verwendet werden, sondern können auch in situ gebildet werden.
Die Menge des eingesetzten Katalysators beträgt 0,001 bis 0,5 MoI je Mol Dialkylzinndihalogenid bzw.
anderer Alkylzinnverbindung. Die Reaktionsgeschwindigkeit steigt mit steigender Katalysatormenge. Wenn
beispielsweise 005 Mol Tetramethylammoniumchlond
zu 2 Mol SnCU und 2 Mol (CHi^SnCb gegeben werden,
beträgt die Reüktionsgescnwindi^Keit das Mfache der
nichtkatalysierten Reaktionsgeschwindigkeit. Wenn die Katalysatormenge auf etwa 1 Gew ·ο des SnCU erhöht
wird, was etwa 0,1 Mol Katalysator bedeutet, so beträgt die Reaktionsgeschwindigkeit das 27fache der unkatalysierten
Reaktionsgeschwindigkeit. Höhere Katalysatormengen von mehr als 5 Mol der Ausgangsalkylzinnverbindung
sind zwar möglich, jedoch unwirtschaftlich.
Die Umsetzung wird üblicherweise in 0,5 bis 20 Stunden bei 150 bis 3000C durchgeführt.
Da die Verbindung RSnXj sich nach der folgenden Gleichung zersetzen kann
Nebenreaktion zu unterdrücken. Es ist nicht notwendig,
das Alkylhalogenid oder andere RX-Verbindungen zuzugeben, wenn die Reaktion in einem geschlossenen
System durchgeführt wird, da dann nur ein verhältnismäßig geringer Ausbeuteverlust eintritt. Dennoch führt
ein Spülen des Reaktionsgefäßes mit der RX-Verbin dung oder ein Aufdrücken der RX-Verbindung zu einer
Verbesserrng der Gesamtausbeute. Erhöhte Drücke werden nur angewandt, wenn sich unter der Re, ktionstemperatur
siedende Stoffe im Reaktionssystem befinden.
Be.spiel 1
In einen Rührautoklav wurden j?0 g (2.0 MoI) SnCI4,
440 g (2.0 Mol) an (CHj)2SnCI2 und 5,5 g (0,05 MoI)
Tetramethylammoniumchlorid gegeben und auf 200=C erhitzt. Dann wurden 15 g Methylchlorid zugefügt, und
es wurde 5 Stunden auf 200° C gehalten. Das Reaktionsprodukt wurde gekühlt und der Rückstand
unter Atmospbärendruck destilliert; Kp. 170 —173°C.
Das Destillat, 955 g, wurde mit Äthylendiamintetraessigsäure in Äthanol analysiert. Ausbeute 98,3%
CHjSnCIj.
In einen Rührautoklav wurden 780 g (3.0 MoI) SnCI4.
180 g (1.0 Mol) an (CH3J4Sn und 5,5 g (0.05 Mol)
Tetramethylammoniumchlorid gegeben und auf 2000C
erhitzt. Dann wurden 15 g Methylchlorid zugefügt, und
es wurde 2 Stunden auf 200° C gehalten. Das Reaktionsprodukt wurde isoliert und wie in Beispiel 1
analysiert. Ausbeute 952 g = 98.8% reines CH jSnCl j.
RSnX,
+ SnX2
ist es zweckmäßig, die entsprechenden Alkylhalogenide
im Reaktionsgefäß zu haben. Beispielsweise wird eine kleine Menge Methylchlorid zugesetzt, um diese
In einen Rührautoklav wurden 5?0 g (2.0 Mol) SnCl4,
440 g (2,0 Mol) Dimethylzinndichlorid und 15,0 g
(0.05 Mol) Tetramethylammonium-tnchlorstannit gegeben
und auf 200 C erhitzt. Anschließend wurden 15 g Methylchlorid zugefügt, und es wurde 3 Stunden auf
2000C erhitzt. Dann wurde auf 85CC gekühlt und eine
Probe entnommen. Ausbeute 949 g CH1SnCU (98.7%
d. Theor.).
tn analoger Weite wurden die folgenden Verbindungen hergestellt:
Beispiele 4 bis 11 | Ausgangsstoffe | SnX4 | Katalysator | Verhältnis. Mol | Ausbeute. "'< |
Bei | Alkyl/inn | SnCU | AIkyl/inn/SnX4/Katalysator | RSnXi | |
Spie'. | (CH))JSnCb | SnCU | (C4Hq)JCHjNCI | 1/1/0.025 | W*· |
4 | (CHiJiSnCI? | SnCU | (CiHoHPCl | 1/1/0.05 | P7.y |
5 | (CHj)2SnCl2 | SnBr4 | (CHj)4NSnClj | 1/1/0.025 | WP |
6 | (CH3)ZSnBr2 | SnBM | (CH3)4NBr | 1/1/0,05 | 95,9 |
7 | (CH3)2SnCl2 | SnCU | (CfH9)3CH3PSnCl3 | 1/1/0,05 | 96,1 |
8 | (CH3)2SnCh | SnCU | (CH3)4NJ | 1/1/0,025 | 98,8 |
9 | (CH3>fSn | SnCU | (QH9^CH3NSnFzCI | 1/3/0,1 | 95,7 |
10 | (CHsJjSnCh | <P3CH3ASJ | 1/1/0,5 | 94.8 | |
U | |||||
Claims (2)
- Patentansprüche:t. Verfahren zur Herstellung von CHjSnX] durch Umsetzung von (CHi)4Sn, (CH1)ISnX und (CHi)jSnX> mit SnX4. wobei X ein Halogen mit dem Atomgewicht 35 bis 127 ist, in Gegenwart eines Oniumsalzes bei erhöhten Temperaturen, d a · durch gekennzeichne;, daß man die Umsetzung bei 150 bis 300"C in Gegenwart einer kleinen Menge eines Methylhalogenids CH3X durchführt, wobei X die angegebene Bedeutung hat, und eines Oniumsaizes der allgemeinen Formel RIZY. in der R1 ein Alkylrest mit 1 bis 18 Kohlenstoffatomen, ein Aryl- oder Aralkylrest ist, Z die Bedeutung N, P oder As hat und Y Halogen oder -SnX] darstellt.
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man das Oniumsalz in einer Menge von 0,001 bis 0.05 Mol je Mol Zinnverbindung verwendet.
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