DE2447478B2 - Stromüberlastungsschutz-Anordnung für einen Transistorverstärker mit zumindest einem Feldeffekttransistor - Google Patents
Stromüberlastungsschutz-Anordnung für einen Transistorverstärker mit zumindest einem FeldeffekttransistorInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Stromüberlastungsschutz-Anordnung für einen Transistorverstärker
mit zumindest einem Feldeffekttransistor gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
Es sind bereits zahlreiche Schutzschaltungen für Transistorverstärker vorgeschlagen worden, bei denen
mit Bipolartransistoren gearbeitet wird, doch sind nur wenige dieser Schutzschaltungen geeignet, bei Feldeffekttransistorverstärkern verwendet zu werden, bei
denen ein Feldeffekttransistor als Leistungsverstärker benutzt wird, denn die Pentodeneigenschaften aufweisenden, bis jetzt gebräuchlichen Feldeffekttransistoren
eignen sich nicht zur Verwendung als Leistungsverstärker.
In neuerer Zeit sind jedoch Feldeffekttransistoren mit Triodeneigenschaften entwickelt worden, die bei Leistungsverstärkern verwendbar sind, da sie sich mit
höheren Stromstärken betreiben lassen und höhere Durchbruchsspannungen aufweisen. Daher ist es erforderlich geworden, eine entsprechende neuartige Schutzschaltungsanordnung für Verstärker zu schaffen, bei
denen zu Verstärkungszwecken ein oder mehrere Feldeffekttransistoren mit Triodeneigenschaften verwendet werden.
Allgemein gesprochen hat ein Feldeffekttransistor andere Eigenschaften als ein Bipolartransistor, und zwar
insbesondere mit Rücksicht darauf, als ein maximaler Abfluß- bzw. Senkestroni fließt, wenn keine Gleichvorspannung zwischen der Torelektrode und der Quellen-
elektrode des Feldeffekttransistors angelegt ist Mit Rücksicht hierauf läßt sich eine Schutzschaltung, die für
einen Bipolartransistor bestimmt ist, nicht bei einem Feldeffekttransistorverstärker verwenden; dies gilt
insbesondere dann, wenn die Feldeffekttransistoren Triodeneigenschaften aufweisen.
Es ist bereits eine Feldeffekttransistoren enthaltende
Verknüpfungsschaltung bekannt (US-PS 37 49 936), bei der an einem Ausgangsanschluß in dem Fall eine relativ
hohe Spannung (die als Binärzeichen »1« bezeichnet wird) auftritt, daß ein Binärzeichen »1« einem
Eingangsanschluß dieser Verknüpfungsschaltung zugeführt wird. Im anderen Falle wird ein Binärzeichen »0«
ausgangsseitig dann abgegeben, wenn am Eingang ein Binärzeichen »0« aufgenommen worden ist Bei dieser
bekannten Schaltungsanordnung sind zwei komplementär zueinander arbeitende Feldeffekttransistoren vorhanden, so daß jeweils einer dieser beiden Feldeffekttransistoren im leitenden Zustand ist Dabei existieren
zwei mögliche Zustände, unter denen der gesamte Ausgangsstrom entweder durch den einen Feldeffekttransistor oder durch den anderen Feldeffekttransistor
fließt Wenn die Ausgangslast bei dieser bekannten Schaltungsanordnung nach Erde kurzgeschlossen ist,
fließt ein maximaler Strom durch den einen Feldeffekttransistor, wobei sich allerdings das Ausgangssignal
vom Binärzeichen »1« zum Binärzeichen »0« hin ändert Dieses veränderte Ausgangssignal wird zu einem
Eingangs-Feldeffekttransistor zurückgekoppelt, um diesen Eingangs-Feldeffekttransistor abzuschalten, d. h. in
den nichtleitenden Zustand zu üben ihren. Dies bewirkt seinerseits, daß der genannte eine Feldeffekttransistor
in den nichtleitenden Zustand überführt wird und daß der andere Feldeffekttransistor dann in den leitenden
Zustand gelangt Dadu;rh fließt dann der Strom nicht mehr über den genannten einen Feldeffekttransistor. Da
die Ausgsngslast kurzgeschlossen war, fließt lediglich ein minimaler Strom durch den genannten anderen '
Feldeffekttransistor. Obwohl das Eingangssignal noch ein Binärzeichen a\«. ist, tritt ein diesem Binärzeichen
entsprechendes Binärzeichen nicht an der Ausgangslast auf.
Wenn demgegenüber ein durch ein Binärzeichen »0« gegebenes Eingangssignal vorhanden ist und der
genannte andere Feldeffekttransistor im leitenden μ Zustand sich befindet, so daß ein Binärzeichen »0« an
die Ausgangslast abgegeben wird, dann bewirkt die Anlegung einer hohen Spannung an die Ausgangslast
(wie dies bei einem bestimmten Fehlerzustand der Fall sein kann), daß ein maximaler Strom durch den 6s
betreffenden anderen Feldeffekttransistor fließt. Die somit vorhandene hohe Ausgangsspannung führt
jedoch dazu, daß eine einem Binärzeichen »1«
entsprechende Spannung dem Eingangs-Feldeffekttransistor zurückgekoppelt wird, der dadurch in den
leitenden Zustand überführt wird. Dadurch wird du· betrachtete andere Feldeffekttransistor in den nichtleitenden Zustand überführt, während der mit ihm
verbundene eine Feldeffekttransistor in den leitenden Zustand gelangt Auf diese Weise fließt lediglich ein
minimaler Strom durch diesen einen Feldeffekttransistor. Das Eingangssignal, welches durch ein Binärzeichen »0« gegeben ist bzw. diesem entspricht, wird
jedoch auch hierbei nicht mehr an die Ausgangslast abgegeben.
Der Erfindung liegt nun die Aufgabe zugrunde, eine Stromüberlastungsschutz-Anordnung der im Oberbegriff des Patentanspruchs 1 angegebenen Art so
auszubilden, daß der jeweils vorgesehene Feldeffekttransistor des Transistorverstärkers besonders wirksam
vor einer Überlastung geschützt ist, ohne daß jedoch in dessen Steuerung eingegriffen wird.
Gelöst wird die vorstehend aufgezeigte Aufgabe durch die im Patentanspruch I gekennzeichneten
Merkmale.
Durch die Erfindung wird der Vorteil eines besonders wirksamen Schutzes vor Überlastung des jeweils
vorgesehenen Feldeffekttransistors des Transistorverstärker unter gleichzeitiger weiterer Abgabe eines
Signals an die Last erreicht
Zweckmäßige Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Anhand von Zeichnungen wird die Erfindung nachstehend an einem Ausführungsbeispiel näher
erläutert Es zeigt
F i g. 1 einen Schnitt durch einen beispielsweise gewählten Feldeffekttransistor mit Triodeneigenschaften, der zur Verwendung bei einem Transistorverstärker mit einer Stromüberlastungsschutz-Anordnung
nach der Erfindung geeignet ist,
F i g. 2 einen Schnitt durch einen weiteren als Beispiel gewählten Feldeffekttransistor mit Triodeneigenschaften, der geeignet ist, bei einem Transistorverstärker mit
einer Stromüberlastungsschutz-Anordnung gemäß der Erfindung verwendet zu werden,
Fig.3 eine graphische Darstellung typischer Ausgangskennlinien von Feldeffekttransistoren der in
F i g. 1 und 2 dargestellten Art,
Fig.4 und 5 graphische Darstellungen zur Erläuterung der Erfindung und
Fig.6 das Schaltbild eines mit einer Stromüberlastungsschutz-Anordnung gemäß einer Ausführungsform der Erfindung versehenen Feldeffekttransistorverstärkers.
In F i g. 1 ist ein Feldeffekttransistor mit Triodencigenschaften dargestellt, der geeignet ist für die
Verwendung in einem Transistorverstärker, bei dem eine Stromüberlastungsschutz-Anordnung nach der
Erfindung verwendet wird.
Gemäß F i g. 1 enthält der Feldeffekttransistor eine Halbleiterzone 1 mit niedriger Störstoffkonzentration
und hohem Widerstand, auf dem eine Halbleiterzone 2 vom p-Typ angeordnet ist Über dieser Halbleiterzone 2
ist eine Halbleiterzone 3 vom η-Typ mit hoher Störstoffkonzentration vorgesehen. Mit G ist die
Torelektrode, mit D die Senkeelektrode und mit 5 die Quelleelektrode des Feldeffekttransistors bezeichnet.
In F i g. 2 ist ein ai.derer Aufbau eines Feldeffekttransistors mit Triodeneigenschaften veranschaulicht Dabei
sind den in F i g. 1 dargestellten Zonen bzw. Elementen entsprechende Zonen bzw. Elemente mit den gleichen
Bezugszeichen bezeichnet wie in F i g. I. Zusätzlich ist in Fig. 2 eine Halbleiterzone 4 vom η-Typ mit hoher
Störstoffkonzentration auf der Unterseite der eigenleitenden Halbleiterzone I vorgesehen. Dadurch wird die
Durchbruchsspannung zwischen der Senkeelektrode D > und der Quelleelektrode Serhöht.
Da die in Fig. I und 2 hinsichtlich ihres Aufbaus angedeuteten Feldeffekttransistoren im Unterschied zu
bisher gebräuchlichen Feldeffekttransistoren einen senkrechten Kanal für die Stromsteuerung aufweisen,
besitzen diese Feldeffekttransistoren einen sehr niedrigen Ausgangswiderstand bzw. eine sehr niedrige
Ausgangsimpedanz, der bzw. die in der Größenordnung von 10 Ohm liegt und sich nicht in Abhängigkeit von
Spannungsschwankungen ändert. π
In F i g. 3 ist in einem Kennlinienfeld die Abhängigkeil
des Senkestroms von der Senkespannung bei unterschiedlichen Spannungen an der Torelektrode eines
rcidcffckiii äiibisiüi j tici ii'i F i g. i uiiu 2 vctaiiscliauüchten
Art angegeben. Wie ersichtlich, besitzen diese _'(i Feldeffekttransistoren Triodeneigenschaften.
In Fig.4 sind in einem dem in Fig.3 dargestellten
Kennlinienfeld entsprechenden Kennlinienfeld Belastungslinien mit dem Gradienten \IR für verschiedene
Senkespannungen veranschaulicht, wobei die bei den -'"> Arbeitspunkten A, O bzw. B jeweils fließenden
Senkeströme ersichtlich sind. Die verschiedenen Senkespannungen sind dabei mit Va V0', V00 bzw. mit Von"
bezeichnet. Die Senkeströme sind mit Iß, Io bzw. /.(
bezeichnet. Die Spannungen an der Torelektrode sind w speziell mit Vc,a. VCobzw. V(7Sbezeichnet.
In Fig. 5 sind Kennlinien für einen aus Feldeffekttransistoren
mit Triodeneigenschaften aufgebauten Gegentaktverstärker gezeigt. Die betreffenden Kennlinien
veranschaulichen dabei die Abhängigkeit des η Senkestroms von der Spannung an der Torelektrode
des jeweiligen Feldeffekttransistors, und zwar bei den Torelektrodenspannungs-Senkestrom-Kennlinien SN
bzw. SP. An dieser Stelle sei angemerkt, daß gemäß Fig. 5 ein n-Kanal-Feldeffekttransistor und ein p-Ka- -»o
nal-Feldeffekttransistor angenommen sind. Die in Fig.5 durch eine gestrichelte Linie eingetragene
Kennlinie So ist die bei den Spannungen - Vco bzw.
+ Vco an den Torelektroden der beiden verwendeten
Feldeffekttransistoren maßgebende zusammengesetzte Kennlinie des Transistorverstärkers. Mit Io bzw. - Io
sind in F i g. 5 diejenigen Senkeströme bezeichnet, die fließen, wenn an den Torelektroden der beiden einen
/4S-Gegentaktverstärker bildenden Feldeffekttransistoren
eine Spannung von Null Volt liegt. »
In F i g. 6 ist eit Transistorverstärker gezeigt, bei dem
die Stromüberlastungsschutz-Anordnung gemäß der Erfindung angewendet wird. Dieser Transistorverstärker
enthält eine Treiberstufe 11, die z. B. als A-Verstärker
bekannter Art mit einer Eingangsklemme t X und einer Ausgangsklemme i2 ausgebildet ist, ferner eine
rein komplementäre Gegentaktausgangsstufe 13, bei der zu Verstärkungszwecken Feldeffekttransistoren mit
Triodeneigenschaften benutzt werden, sowie eine Vorspannungsschaltung 12, die so ausgebildet ist, daß sie
Schwankungen der Betriebsspannung ausgleicht, welche mittels einer Spannungsquelle an die Triodeneigenschaften
aufweisenden Feldeffekttransistoren der Ausgangsstufe 13 angelegt wird.
Gemäß F i g. 6 wird vom Ausgang der Ausgangsstufe 13 aus dem die Treiberstufe bildenden Verstärker 11 ein
negatives Rückkopplungssignal über einen Widerstand 25 und einen damit parallelgeschalteten Kondensator 26
zugeführt. Ferner wird gegebenenfalls ein nicht dargestellter Widersland zwischen der Ausgangsklemme
12 der Treiberstufe 11 und Masse liegen, um für die
Vorspannungsschaltung 12 ein Bezugspotential festzulegen. Die Treiberstufe 11 wird mit Hilfe von
Spannungen betrieben, die ihr von Spannungsquellenklemmen + 53 und — 53 aus zugeführt werden. Es ist
ersichtlich, daß ein der Eingangsklemme 11 des die
Treiberstufe 11 bildenden /t-Verstärkers zugeführtes
Eingangssignal durch die Treiberstufe verstärkt wird, um an der Klemme 12 ein Ausgangssignal erscheinen zu
lassen, das in einem hinreichenden Ausmaß verstärkt ist, um die Gegentaktausgangsstufe 13 zu steuern.
Die in Fig.6 dargestellte rein komplementäre Gegentaktausgangsstufe 13 weist allgemein zwei
n-Kanal-Feldeffekttransistoren Fla und F2a mit Triodeneigenschaften sowie zwei p-Kanal-Feldeffekttransistoren
F16 und F2b mit Triodeneigenschaften
. l.:_j
i vi~i Lmiijuiigt.ii
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nut, /.wtanicii UCIiCIi fjaiaucii. wcgc
vorhanden sind. Genauer gesagt sind gemäß F i g. 6 die Senkeelektroden der n-Kanal-Transistoren Fla und
F2a an einer Klemme + B1 einer Spannungsquelle
angeschlossen, deren andere Klemme an Masse liegt, während die Quelleelektroden der Transistoren Fla
und F2a über Widerstände R 9a und R 10a mit einem relativ niedrigen Widerstandswert mit einer Ausgangsklemme
13 der Ausgangsstufe 13 verbunden sind, an welcbv eine Last Zi. angeschlossen ist, welche durch
einen an Masse liegenden Lautsprecher gebildet sein kann. Die Senkeelektroden der p-Kanal-Transistoren
Fib und F2b sind an einer Klemme -öl einer
Spannungsquelle angeschlossen, deren andere Klemme wiederum geerdet ist, und die Quelleelektroden der
Transistoren F16 und F26sind über Widerstände R 9b
und R 106 an der Ausgangsklemme f 3 angeschlossen, mit der die geerdete Last Zi. verbunden ist.
Zu der Vorspannungsschaltung 12 gehören gemäß Fi g. 6 ein erster Vorspannungskreis 12a zum Zuführen
einer Vorspannung zu den Transistoren FXb und F2b
sowie ein zweiter Vorspannungskreis 126 zum Anlegen einer Vorspannung an die Transistoren Fla und F2a;
diese Vorspannungen ähneln den Abschnürspannungen der betreffenden Transitoren. Die Vorspannungskreise
12a und 126 bilden eine Schaltung zum Erzeugen einer konstanten Spannung und dienen außerdem dazu, die
Schwankungen der Spannungen zu kompensieren, welche mittels der Spannungsquellenklemmen + B1
und — BX an die Senkeelektroden der Transistoren
FXa. F2a bzw. FXb, F2b angelegt werden.
Gemäß F i g. 6 gehört zu dem Vorspannungskreis 12a ein pnp-Bipolartransistor QXa, dessen Emitte. über
einen Widerstand Λ la an einer Spannungsquellenklemme + 52 angeschlossen ist, während der Kollektor
dieses Transistors über einen Widerstand .R 2a und einen dazu parallelgeschalteten Kondensator CIa mit
der Ausgangsklemme 12 der Treiberstufe 11 verbunden
ist Die Basis des Transistors QXa ist über einen Widerstand R 4a und einen damit in Reihe geschalteten
Regelwiderstand R 46 an der Basis eines npn-Bipolartransistors
ζ>16 angeschlossen, der zu dem zweiten
Vorspannungskreis 126 gehört Die Basis des Transistors Q Xa ist außerdem über einen Widerstand R 3a an
der Kathode einer Diode DIa angeschlossen, deren
Anode mit der Spannungsquellenklemme + B 2 verbunden ist Der Regelwiderstand R 4b kann verstellt
werden, um die Steuervorspannungen der Transistoren FXa, FXb und F2a, F26 zu variieren. Ferner weist der
Vorspannungskreis 12a einen npn-Bipolartransistor
Q 2a zur Widerstandstransformation auf, dessen Basis mit dem Kollektor des Transistors Q Xa verbunden ist.
Der Kollektor des Transistors Q 2a isi über einen Widerstand R 6a an der Spannungsquellenklemme
+ B 2 angeschlossen, und der Emitter dieses Transistors ist mit den Tor- bzw. Steuerelektroden der Transistoren
F Xb und F26 verbunden. Ferner ist der Emitter des
Trarvntors Q 2a über einen Widerstand R 5 und einen dazu parallelgeschalteten Kondensator C2 an dem
Emitter eines pnp-Bipolartransistors Q2b angeschlossen, der ebenfalls zu dem zweiten Vorspannungskreis
126 gehört.
Bei dem zweiten Vorspaniiungskreis 126 ist der
Emitter des npn-Transistors QXb über einen Widerstand RXb an einer Spannungsquellenklemme -B2
angeschlossen, während der Kollektor dieses Transistors mit der Basis des Transistors Q 2b sowie über
einen Widerstand R 2b und einen dazu parallelgeschal
tctcM iN.UMu€ri5SiOr CiLi nut viCr AuSgangSfviCiMfTiC * 2
der Treiberstufe 11 verbunden ist. Die Basis des Transistors Q 16 ist über einen Widerstand R 36 mit der
Anode einer Diode DXb verbunden, während die Kathode dieser Diode an der Spannungsquellenklemme
— B2 angeschlossen ist Ferner ist bei dem pnp-Transistor Q2b für die Widerstandstransformation oder
Verstärkung der Kollektor über einen Widerstand R 66 mit der Spannungsquellenklemme — B2 verbunden,
während der Emitter dieses Transistors an den Torbzw. Steuerelektroden der Transistoren FXa und F2a
angeschlossen ist.
Be. der Ausführungsform nach Fig.6 mögen die
Spannungsquellenklemmen +B3 und -B3 eine positive Gleichspannung von 64 V bzw. von —64 V
abgeben; diese Spannungen werden in der vorstehend beschriebenen Weise der Treiberstufe 11 als Betriebsspannungen zugeführt Sie müssen konstant sein oder
stabilisiert werden.
Die Spannungsquellenklemmen +BX, +B2, -BX
und — B 2 mögen Nenngleichspannungen von +52V
bzw. +75 V bzw. -52 V bzw. -74 V liefern, die nicht stabilisiert sind, so daß sie in Abhängigkeit von
Änderungen des Belastungsstroms einen erheblichen Welligkeitsanteil aufweisen. Jedoch sind die vier
genannten Spannungsquellenklemmen an einer gemeinsamen, hier nicht dargestellten Spannungsquellenschaltung angeschlossen, so daß normalerweise an den
genannten Spannungsquellenklemmen gleichzeitig gleich große Spannungsschwankungen auftreten. Mit
anderen Worten, eine Erhöhung der positiven Spannung an der Klemme +Bl gegenüber ihrem Nennwert
von +52V wird z.B. von einer gleich großen, im
positiven Sinne erfolgenden Steigerung der Spannung an der Klemme +B2 und einer gleich großen, im
negativen Sinne erfolgenden Steigerung der Spannungen an den Klemmen — B1 und — B 2 begleitet sein.
Bei der vorstehend beschriebenen Vorspannungsschaltung 12 sind die Vorspannungskreise 12a und 126
zu der Ausgangsklemme /2 der Treiberstufe 11 symmetrisch, und die den Kollektoren der Transistoren
QXa und Q Xb zugeführten Eingangssignaispannungen
werden phasengleich variiert, so daß die Ausgangsklemme f 2 vom Standpunkt einer Gleichvorspannung als
geerdet zu betrachten ist. Im Hinblick hierauf und unter der Annahme, daß bei dem Vorspannungskreis 12a die
Widerstände Ria,R2a,R3aund Λ4adie Widerstandswerte rl bzw. r2 bzw. r3 bzw. r4 haben, daß die
Spannung an der Spannungsquellenklemme +B2 den
Wert EGG hat daß die Basis-Emitter-Spannung des
Transistors Q Xa den Wert VBB hat, daU bei der Diode
D Xa die Durchlaßspannung Vdbeträgt und daß für das
Verhältnis r2/rl der Wert K gilt, läßt sich die am
Kollektor des Transistors QXa erscheinende Gleichspannung codurch die folgende Gleichung ausdrucken:
Eo = ΓI
+ ^~y^(EGG - Vd) - VBe\ K. (I
\ K.
Wird Gleichung (1) partiell nach EGG differenziert, erhält man folgende Gleichung:
Eo
r3
7 EGG 3 + 4'
niKf cis*h Ale
:ii folgende Gleichung im Hinblick auf die Triodeneigenschaften der Transistoren der genannten Art:
_cEo _ 1_
Tegg ~ 7"
Setzt man Gleichung (3) in Gleichung (2) ein. erhält man die folgende Gleichung:
ti Λ —
sie die Gleichungen (I) und (4) befriedigen, läßt sich der
Senkeelektroden-Vorspannungsgleichstrom Ido der Transistoren FXb und F2b unabhängig von Schwankungen der Spannung an der Spannungsquellenklemme
-BX konstant machen.
Wählt man, um ein praktisches Beispiel zu geben, Eo = 21 V, EGG = 74 V, Vd = 13 V, VBE = 0,6 V und
μ — 8.1, ermöglicht es das Einsetzen dieser Werte in
Gleichung (1) und das Einsetzen von ΜμΚ für den Ausdruck r3l(r3 + r4) aus Gleichung (4) auf einfache
Weise festzustellen, daß sich für Aider Wert 17,2 ergibt,
d. h, daß r2lrX = 17,2. Setzt man ferner μ = 8,1 und
K = 17,2 in Gleichung (4) ein, erhält man r4/r3 - 138.
Wählt man bei diesem Beispiel für die Widerstandswerte r 1 und r3 der Widerstände R Xa und R3a die Werte
so 820 Ohm bzw. 270 Ohm, müssen die Widerstandswerte r2 und r4 der Widerstände R 2a und Ä4a jeweils etwa
14 Kiloohm bzw. 37 Kiloohm betragen, wenn die gewünschte Stabilisierung des Senkeelektroden-Vorspannungsgleichstroms der Transistoren FXb und F2b
bei Schwankungen der zugehörigen, an der Klemme — BX erscheinenden Betriebsspannung erzielt werden
solL
Da der zweite Vorspannungskreis 126 symmetrisch zu dem ersten Vors^annungskreis 12a ausgebildet ist
lassen sich die elektrischen Konstanten bei dem Vorspannungskreis XIb so wählen, daß sie denjenigen
entsprechen, welche gemäß der vorstehenden Beschreibung bei dem Vorspannungskreis 12a gewählt worden
sind, so daß man die gewünschte Stabilisierung des
Senkeelektroden-Vorspannungsgleichstroms der Transistoren Fts und F2a bei Schwankungen ihrer an der
Klemme +Bi erscheinenden Betriebsspannung erzielt Wird bei der Ausführungsform nach Fig.6 die nicht
dargestellte Spannungsquellenschaltung eingeschaltet, werden die Steuervorspannungen nicht sofort an die
Triodeneigenschaften aufweisenden Transistoren FIs, F2a, FXb und FIb angelegt, so daß diese Transistoren
von einem Überstrom durchflossen werden können. Sorgt man jedoch dafür, daß die Spannung an der
Klemme + B2 schneller ansteigt als die Spannung an der Klemme + BX, ist es möglich, den Stromfluß so zu
regeln, daß der gewünschte Wert des Senkeelektroden-Vorspannungsgleichstroms nicht überschritten wird.
Mit anderen Worten, wenn man dafür sorgt, daß die Tor- bzw. Steuervorspannungen VCG und - VGG
schneller ansteigen als die Senkeelektrodenspannungen VDD und - VDD, die an die Triodeneigenschaften
aufweisenden Transistoren über die Spannungsquellenklemmen + Sl und -öl angelegt werden, ist :s
möglich zu verhindern, daß sich für die betreffenden Senkeelektroden-Vorspannungsgleichströme zu hohe
Werte ergehen. In diesem Zusammenhang ist zu bemerken," daß bei der vorstehend beschriebenen
Vorspannungsschaltung 12 keinerlei Kreise vorhanden sind, die mit einer Zeitkonstante arbeiten.
Ferner ist zu bemerken, daß die vorstehend beschriebene Vorspannungsschaltung 12 mit den
Bipolartransistoren QXa und QXb als eine einen konstanten Strom liefernde Schaltung zur Wirkung
kommt, solange die ihr über die Spannungsquellenklemmen + 52 und -B2 zugeführten Spannungen nicht
geändert werden, was zur Folge hat, daß konstante Ströme durch die beiden Transistoren fließen und an
den zugehörigen Kollektoren konstante Spannungen erscheinen, welche über die Transistoren Q 2a und Q 2b
den Torelektroden der zugehörigen Transistoren FXb,
F2b bzw. Fla, F2a zugeführt werden. Werden die Spannungen an den Spannungsquellenklemmen + B X
und -BX geändert, ändern sich in der weiter oben beschriebenen Weise auch die Spannungen an den
Spannungsquellenklemmen +62 und -B2 auf ähnliche Weise, und daher werden auch die Torelektrodenbzw.
Steuervorspannungen geändert, so daß die auf die Schwankungen der Spannungen an den Klemmen + S1
und -BX zurückzuführenden Schwankungen der Senkeelektroden-Vorspannungsgleichströme beseitigt
werden. Somit sind die Senkeelektroden-Vorspannungsgleichströme für die vier Transistoren Fla, F2a,
FXbund F2bstabilisiert
Es ist ersichtlich, daß man die Transistoren Q 2a und Q 2b. die zur Widerstandstransformation dienen, bei
den Vorspannungskreisen 12a und 126 theoretisch fortlassen könnte, ohne daß hierdurch die Wirkungsweise
der Vorspannungskreise zum Stabilisieren der Senkeelektroden-Vorspannungsgleichströme für die
Triodeneigenschaften aufweisenden Feldeffekttransistoren der Ausgangsstufe 13 beeinflußt würde. Zwar
weist die Ausgangsstufe 13 gemäß Fig.6 zwei parallelgeschaltete, Triodeneigenschaften aufweisende
Feldeffekttransistoren Fla und F2a in einer Gegentaktschaltung mit einem zweiten Paar von parallelgeschalteten
Feldeffekttransistoren Fli> und F2b mit
Triodeneigenschaften auf, doch ist es möglich, die Vorspannungsschaltung 12 eine Ausgangsstufe zuzuordnen,
bei der zusätzliche, Triodeneigenschaften aufweisende Feldeffekttransistoren den Transistoren
Fla, F2a bzw. F1Z>, F2b parallel geschaltet sind, oder
einer Ausgangsstufe, bei der nur die Transistoren Fla und FIo einen Gegentaktverstärker bilden. Weiiernin
läßt sich die Erfindung bei ei.iem Verstärke.- anwenden,
der nur einen einzigen Feldeffekttransistor mit Trioden-
eigenschaften, z. 8. den Transistor Fla, besitzt, dem
eine entsprechende Vorspannungsschaltung, ζ. Β. der Vorspannungskreis 12ft, zugeordnet ist.
Gemäß de; nunmehr näher zu beschreibenden Erfindung ist ein Transistorvertärker der vorstehend
beschriebenen Art mit einer Detektorschaltung 14 versehen, mittels welcher der durch die Last Zl
fließende Strom und die an dieser Last liegende Spannung ermittelt werden, so daß diese Schaltung die
Impedanz der Last feststellt, und außerdem ist eine Nebenschlußschaltung 15 vorhanden, die normalerweise
offen bzw. nichtleitend ist, jedoch durch die Detektorschaltung 14 geschlossen bzw. leitend gemacht
wird, wenn durch die Detektorschaltung eine vorbestimmte Verringerung der Lastimpedanz auf z. B. etwa 1
Ohm oder weniger festgestellt wird, damit das von der Treiberstufe 11 abgegebene Eingangssignal direkt zu
der Last Zl umgeleitet wird, um die Triodeneigenschtften
aufweisenden Feldeffekttransistoren Fla, F2a. FXb
und F2b der Ausgangsstufe 13 gegen eine Beschädigung durch Überlastung zu schützen.
Zu der Nebenschlußschaltung 15 gehören lediglich ein pnp-Schalttransistor Q3a und ein npn-Schalttransistor
Q3b. Die Emitter dieser beiden Transistoren sind
mit der Ausgangsklemme f 2 der Treiberstufe bzw. des Verstärkers 11 über zwei Dioden D 2a und D 2b
verbunden, die dazu dienen, einen Zener-Durchbruch der zugehörigen Transistoren zu verhindern, und die
Kollektoren der beiden Transistoren sind mit der
so Ausgangsklemme f3 der Ausgangsstufe 13 verbunden.
Solange der durch die Detektorschaltung 14 ermittelte Widerstand der Last Zl über einem vorbestimmten
Wert liegt, sind die Transistoren Q 3a und Q 3b abgeschaltet bzw. nichtleitend, so daß das an der
r. Ausgangsklemme 12 der Treiberstufe 11 erscheinende
Signal normalerweise als Eingangssignal den vier Triodeneigenschaften aufweisenden Feldeffekttransistoren
der Ausgangsverstärkerstufe 13 zugeführt wird, um weiter verstärkt und dann über die Ausgangsklem-
4(i me f 3 abgegeben zu werden. Geht jedoch der ermittelte
Widerstand der Last bis unter den genannten vorbestimmten Wert zurück, bewirkt die Detektorschaltung
14, daß die Transistoren Q3a und Q3b der NebenschluSschaltung
15 auf eine noch zu erläuternde Weise
•ti eingeschaltet bzw. leitend gemacht werden, was zur
Folge hat, daß die Nebenschlußschaltung 15 geschlossen wird, um das an der Klemme 12 der Treiberstufe 11
erscheinende Ausgangssignal auf direktem Wege der Ausgangsklemme r 3 der Ausgangsstufe 13 zuzuführen.
Gemäß F i g. 6 gehören zu der Detektorschaltung 14 im wesentlichen ein erster Detektorkreis 14a zum
Ermitteln des durch die Last Zl fließenden Stroms in Form der Senkeelektrodenströme der Transistoren Fla
und F2a sowie ein zweiter Detektorkreis X4b zum Ermitteln des durch die Last ZL fließenden Stroms in
Gestalt der Senkeelektrodenströme der Transistoren Flf>undF2b.
Bei dem ersten Detektorkreis 14a ist ein npn-Steuertransistor QAa mit seinem Kollektor an der Basis des
Transistors Q 3a der Nebenschlußschaltung 15 angeschlossen,
während der Emitter des Transistors Q Aa mit der Ausgangsklemme f3 verbunden ist. Zwischen der
Basis des Transistors Q Aa und der Ausgangskle urne 13
liegt ein Kondensator C3a. Die Quelleelektroden der Transistoren Fla und F2a sind mit den Anoden
TiKrekÄrtnor GieicnrichtercHoderj DAs und QAs' verbunden,
deren Kathoden über einen Widerstand R 8a an der Basis des Transistors Q Aa angeschlossen sind.
it
Fernt-r isi die Basis des Transistors Q 4a mit der Anode
einer weiteren Gleichrichterdiode D 3a verbunden, während die Kathode dieser Diode über einen
Widerstand R Ta geerdet ist.
Zu dem zweiten Detektorkreis 146 gehör; ein pnp-Steuertransistor Q 4b, dessen Kollektor mit der
Basis des Transistors Q 3b der Nebenschlußschaltung 15
verbunden ist, während sein Emitter an der Ausgangsklemme /3 angeschlossen ist. Zwischen der Basis des
Transistors Q 4b und der Ausgangsklemme i3 liegt ein
Kondensator C3b. Die Quelleelektroden der Transistoren Fib und F2b sind mit den Kathoden zweier
Gleichrichterdioden D4b und D4b' verbunden, deren Anoden beide über einen Widerstand Λ 86 an die Basis
des Transistors Q 4b angeschlossen sind. Ferner ist die Basis des Transistors Q4b mit der Kathode einer
weiteren Gleichrichterdiode D3b verbunden, deren Anode über einen Widerstand R 76geerdet ist.
Der erste Detektorkreis 14a, der zweite Detektorkreis
i4b sowie die Transistoren Q3a und QSb der NebenschluQschaltung 15 sind symmt.risch zur Ausgangsklemme
f 3 des Ausgangsverstärkers 13 angeordnet und arbeiten auf ähnliche Weise, und im Hinblick
hierauf wird im folgenden nur die Wirkungsweise des Detektorkreises 14a näher erläutert.
Werden die Transistoren Fla und FZa mit den
Halbperiodenkomponenten eines an der Ausgangsklemme 12 der Treiberstufe 11 erscheinenden Signals
gespeist, ist es den Widerständen R9a und RlOa
möglich, den durch die Last Z/. fließenden Strom nachzuweisen, denn die an diesen beiden Widerständen
abfallenden Spannungen werden durch die Dioden D 4a und D4a' gleichgerichtet und einer Belegung des
Kondensators C3a auf der Basisseite des Transistors Q4a zugeführt, und die an der Last Zl liegende
Spannung wird der anderen Belegung des Kondensators C3a auf der Emitterseite des Transistors Q 4a über
eine geschlossene Schleife zugeführt die sich aus dem Widerstand R 7a, der Diode D 3a, dem Kondensator
C3a und der Last Zl zusammensetzt
Hat der Widerstand der Last ZL einen normalen Wert,
ist die an der Last liegende Spannung höher als Erdpotential, und daher ist das Emitterpotential des
Transistors QAa ebenfalls hoch. Außerdem erscheinen verstärkte Ausgangssignale an den Quelleelektroden
der Transistoren Fla und F2a, und der Kondensator C3a wird durch diese verstärkten Signale zeitweilig
aufgeladen. Diese elektrische Ladung wird jedoch sofort über die Diode D 3a und den Widerstand R Ta entladen,
und danach wiederholen sich diese Lade- und Entladevorgänge. Infolgedessen erscheint zwischen der
Basis und dem Emitter des Transistors C? 4a nicht die zum Leitendmachen dieses Transistors erforderliche
Spannung. Somit wird der Transistor Q 3a der Nebenschlußschaltung 15 im nichtleitenden Zustand
gehalten, so daß die Transistoren Fla und F2a ihre normale Aufgabe als Verstärker erfüllen.
Verringert sich der Widerstand der Last ZL auf einen
vorbestimmten Wert von z. B. 1 Ohm oder weniger, z. B.
infolge eines Kurzschlusses o&dgL, wird auch die Spannung an der Last herabgesetzt so daß sich das
Emitterpotential des Transistors Q 4a in einem sehr hohen Ausmaß verringert Femer bewirkt diese
Verringerung des Widerstandes der Last Zl, daß ein
starker Gleichstrom durch die Last fließen kann, so daß die Spannungen an den Widerständen R 9a und R 10a
entsprechend zunehmen und daher der Kondensator C3a über die Dioden DAa und D4a' mit erhöhten
Spannungen aufgeladen wird, wobei sich die vergrößer te Ladung des Kondensators C3a über die Diode D 3a
und den Widerstand RTa nur in einem geringen Ausmaß entlädt. Infolgedessen wird auch das Basispo-ϊ
tential des Transistors Q4a erhöht, um diesen
Transistor leitend zu machen, so daß auch de "Transistor Q 3a leitend wird, um das der Ausgangsklemme f 2 der
Treiberstufe 11 entnommene Signal direkt der Ausgangsklemme /3 der Ausgangsverstärkerstufe 13 über
ι» die Diode D2a und den Transistor Q3a zuzuführen.
Dies hat zur Folge, daß die Torelektrode-Quelleeiektrode-Spannung jedes der Transistoren Fla und F2a bei
einer Vorspannung festgelegt wird, die der Abschnürspannung ähnelt, wobei dieser Vorgang die gleiche
ι ι Wirkung hat wie das Beseitigen des an der Ausgangsklemme
ti der Treiberstufe U erscheinenden Signals an den Transistoren Fla und F2a der Ausgangsverstärkerstufe
13.
Somit werden die Senkeelektrodenströme der Transi- -'Ii stören Fla und F2a sofort bis auf einen minimalen
Wert unterdrückt der durch die angelegte Vorspannung bestimmt wird, um zu verhindern, daß diese Transistoren
infolge einer Verstärkung der Belastungsströme beschädigt werden. Mit anderen Worten, bei den
r. Detektorkreis 14a ist der Transistor Q3a so geschaltet, daß er leitfähig gemacht wird, sobald sich der
Belastungsstrom verstärkt, um das Basispotential des Transistors Q4a zu erhöhen; das gleiche geschieht,
wenn die Spannung an der Last Zi. verringert wird, so in daß sich das Emitterpotential des Transistors Q4a
verringert, d. h., wenn der Widerstand der Last auf einen vorbestimmten Wert gesenkt wird oder bis unterhalb
dieses Wertes zurückgeht.
Wie erwähnt, arbeitet der Detektorkreis 146 auf r. ähnliche Weise wie der Detektorkreis 14a, um eine
Beschädigung der Transistoren Fl b und F2£>
zu verhindern, wenn der Widerstand der Last oder der durch sie fließende Strom z. B. durch einen Kurzschluß
in einem gefährlichen Ausmaß verändert wird. Zusammenfassend ist festzustellen, daC durch die
Erfindung ein Verstärker mit einem Verstärkungselement, vorzugsweise in Form eines Feldeffekttransistors,
geschaffen worden ist, bei dem es möglich ist zwischen der Steuer- bzw. Torelektrode und der Quelle? !ektrode
4ί eine der Abschnürspannung entsprechende Spannung
anzulegen, und bei dem eine Detektorschaltung 14 zum Ermitteln des Belastungsstroms des Verstärkers 13
sowie eine normalerweise offene oder nichtleitende Nebenschlußschaltung 15 vorhanden ist, welche durch
>o das nachgewiesene Ausgangssignal der Detektorschaltung 14 gesteuert wird, um mindestens einen Teil des
Eingangssignals für die Ausgangsstufe 13 direkt der Last Zl zuzuführen. Wenn bei dieser Anordnung der durch
die Last fließende Strom über einen vorbestimmten Wert hinaus zunimmt wird die normalerweise offene
bzw. nichtleitende Nebenschlußschaltung 15 geschlossen bzw. leitend gemacht um die Torelektrode-Quellenelektrode-Spannung
der Feldeffekttransistoren Fla, F2a, FXb, F2b auf den Wert der Vorspannung
festzulegen, was zur Folge hat daß eine Schutzschaltung für die Feldeffekttransistoren verfügbar ist Somit ist es
möglich, einen Feldeffekttransistor, der als Verstärkungselement betrieben wird und einen Bestandteil der
Verstärkerstufe 13 bildet gegen eine Beschädigung b5 durch einen zu starken Belastungs- oder Arbeitsstrom
zu schützen.
Wie erwähnt wird auch der Widerstand der Last mit Hilfe der Detektorschaltung 14 ermittelt und sobald der
nachgewiesene Widerstand bis unter einen vorbestimmten Wert zurückgeht, wird die normalerweise offene
Nebenschlußschaltung 15 geschlossen. In diesem Zusammenhang ist zu bemerken, daß selbst dann, wenn der
Belastungsstrom ziemlich stark ist, &h, wenn der Widerstand der La ,t sehr klein ist, wie es z. B. bei einem
Kurzschluß od. dgl. der Fall ist, der Verstärkerbetrieb der vier Feldeffekttransistoren der Ausgangsstufe 13
nicht unterbrochen wird. Wenn die Last zusätzlich zu einer Ohmschen Komponente eine große Blindkomponente aufweist, wie es z. B. bei einem Kondensatorlautsprecher der Fall ist, führt lediglich eine Zunahme des
Belastungsstroms zu einer zeitlich ziemlich begrenzten Zunahme des Verlustes bei den vier Feldeffekttransistoren über einen zulässigen Wert hinaus, und es besteht
nicht die Gefahr, daß die Feldeffekttransistoren beschädigt werden. Bei der Benutzung der beschriebenen Detektorschaltung 14 besteht somit nicht die
Gefahr, daß die Feldeffekttransistoren in einem zu großen Ausmaß geschützt werden und daß die Zufuhr
des verstärkten Ausgangssignals zu der Last auf unnötige Weise unterbrochen wird.
Bei der Ausführungsform nach F i g. 6 sind die Fritter
der Transistoren Q 3a und Q 3b der normalerweise offenen bzw. nichtleitenden Nebenschlußschaltung 15
mit der Ausgangsklemme f2 des die Treiberstufe bildenden Verstärkers 11 über die Dioden D 2a und
D 2b verbunden. Es ist aber auch möglich, den Widerstand R 5, der zwischen den Emittern der
Transistoren Q 2a und Q 2b der Vorspannungsschaltung 12 liegt, mit einem bewegbaren Schleifkontakt bzw.
einer Anzapfung zu versehen, mit welcher die Emitter
der Transistoren Q3a und Q3b abwechselnd über die
erzielen.
ίο läßt sich ein nicht dargestellter Widerstand mit einen:
vei-stellbaren Schleifkontakt Ijzw. einer Anzapfung
zwischen den Widerständen R2a und RIb dei
Vonpannungsschaltung 12 anordnen, und der Schleifkontakt bzw. die Anzapfung ist mit der Ausgangsklem-
me ι'λ der Treiberstufe 11 und außerdem über die
Dioden D2a und DIb mit den Emittern dei
Transistoren Q 3a und Q 3b verbunden. Wird bei diesel abgeänderten Ausführungsform der Schleifkontak
verstellt, um die Vorspannung an der Ausgangsklemme
12 der Treiberstufe 11 einzustellen, und wird diese
eingestellte Vorspannung als Punkt mit dem Potentia Null festgelegt, wird die Gleichverspannung stabiler.
Bei der vorstehend beschriebenen Ausführungsforn
der Erfindung werden bei der Ausgangsstufe 13 ah
Verstärkungselemente Feldeffekttransistoren mit Tn odeneigenschaften verwendet, doch ist zu bemerken
daß sich auch Sperrschicht-Feldeffekttransistoren ode Feldeffekttransistoren vom MOS-Typ mit Pentodenei
genschaften bei Verstärkern verwenden lassen, die mi
einer Schutzschaltung nach der Erfindung versehet sind.
Claims (6)
1. Stromüberlastungsschutz-Anordnung für einen Transistorverstärker mit zumindest einem Feldeffekttransistor, dessen Quelle-Senke-Strecke mit
einer Last verbunden und an einer Betriebsspannungsquelle angeschlossen ist und dessen Torelektrode ein zu verstärkendes Signal zugeführt erhält,
welches als verstärktes Signal an die Last gelängt, mit einer Eingangsschaltung zur Abgabe eines durch
den jeweiligen Feldeffekttransistor zu verstärkenden Eingangssignals, mit einer mit dem jeweiligen
Feldeffekttransistor verbundenen Vorspannungsschaltung, die eine bestimmte Torelektroden-Vor-
spannung an den jeweiligen Feldeffekttransistor abgibt und mit einer Detektorschaltung, die das
Vorhandensein eines Stromüberlastungszustandes
in dem jeweiligen Feldeffekttransistor feststellt und
Schutzmaßnahmen auslöst, dadurch gekennzeichner, daß eine Nebenschlußschaltung (15)
parallel zu der den jeweiligen zu schützenden Feldeffekttransistor (F\» Iy, F\b, Fu.) enthaltenden
Verstärkungsschaltung zwischen der Eingangsschaltung (11; (?) und der Last (Zu /3) angeschlossen ist,
daß die Nebenschlußschaltung (15) sich normalerweise im nichtleitenden Zustand befindet und in dem
Fall von der Detektorschaltung (14) in den leitenden
Zustand gesteuert wird, da3 diese das Vorliegen eines Stromüberlastungszustandes ermittelt, daß die jo
Nebenschlußschaltung (15) im leitenden Zustand das Eingangssignal zu der Last (Zl; 6) unter Umgehung
des jeweiligen Feldeffekttransistors (F\* Fu. Fu* Fv>)
direkt durchschaltet und daß der jeweilige Feldeffekttransistor (F\„ Fza, Ftb, t.b) dabei weiterhin η
dieselbe bestimmte Torelektrode-Vorspannung zugeführt erhält.
2. Stromüberlastungsschutz-Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Detektorschaltung (14) so angeschlossen ist, daß sie eine
wesentliche Herabsetzung der Impedanz der Last (Zi) als für einen Stromüberlastungszustand des
jeweiligen Feldeffekttransistors (F\* F2* F\t, p2b)
kennzeichnend ermittelt.
3. Stromüberlastungsschutz-Anordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß zu der
Detektorschaltung (14) ein erster Gleichrichterkreis (DAa', DAa, Ria) zum Gleichrichten einer dem
durch die Last (Zi) fließenden Strom entsprechenden Spannung gehört und daß zu der Detektorschal- ;n
tung (14) ein zweiter Gleichrichterkreis (D 3a, R 7 a) zum Gleichrichten einer der an der Last auftretenden Spannung entsprechenden Spannung sowie ein
Schaltkreis (C3a, QAa), der auf die Differenz
zwischen den Ausgangsspannungen der beiden Gleichrichterkreise anspricht, gehören, wobei diese
Differenz den Widerstand bzw. die Impedanz der Last repräsentiert und eine Betätigung der Nebenschlußschaltung (15) bewirkt, sobald die genannte
Differenz einen vorbestimmten Wert erreicht.
4. Strofnüberlästungsschutz-Anordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß zu der
Detektorschaltung (14) ein erster Widerstand (R 9a, R 10a, R9b, R iOb)gehört, der mit der Quelle-Senke-Strecke des betreffenden Feldeffekttransistors es
(F\M, F2„ F\b, Fib) in Reihe geschaltet ist, daß zu der
Detektorschaltung (14) ferner ein Kondensator (C3a, C3b), eine erste Diode (DAa, DAa', DAb,
DAb') und ein zweiter Widerstand (R8a, RSb)
gehören, der zwischen dem ersten Widerstand und dem zugehörigen Kondensator liegt und der an den
zugehörigen Kondensator eine erste Gleichspannung mit einer bestimmten Polarität anzulegen
gestattet, die zu der an dem ersten Widerstand auftretenden Spannung proportional ist, daß eine
zweite Diode (D 3a, D 3b) und ein dritter Widerstand (R7a, R7b) zwischen dem betreffenden
Kondensator (C3a, C3b) und der Last (Zi) liegen
und dazu dienen, an dem betreffenden Kondensator eine zweite Gleichspannung mit einer der genannten
Polarität entgegengesetzten Polarität anzulegen, die zu der an der Last auftretenden Spannung
proportional ist, so daß die Gleichspannung an dem betreffenden Kondensator zu dem Widerstand bzw.
der Impedanz der Last (Zl) proportional ist, und daß
eine Einrichtung (QAa, Q Ab) vorhanden ht, die auf
die an dem betreffenden Kondensator auftretende Gleichspannung anspricht und die die Nebenschlußschaltung (15) betätigt, sobald die an dem betreffenden Kondensator auftretende Gleichspannung das
Vorhandensein eines vorbestimmten niedrigen Wertes des Widerstandes bzw. der Impedanz der Last
(Zl) anzeigt
5. Stromüberlastungsschutz-Anordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet daß zu der auf die
Gleichspannung an dem Kondensator (C3a, C3b)
ansprechenden Einrichtung ein Schalttransistor (Q Aa, QAb) gehört der mit zwei Elektroden den
betreffenden Kondensator überbrückt und der an einer dritten Elektrode ein Steuersignal abgibt mit
dessen Hilfe die Nebenschlußschaltung (15) betätigt wird, sobald die Gleichspannung an dem betreffenden Kondensator einen bestimmten Wert überschreitet
6. Stromüberlastungsschutz-Anordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet daß zu der
Nebenschlußschaltung (15) eic Nebenschlußtransistor (Q 3a, Q 3b) gehört der einen normalerweise
nichtleitenden Ausgangskreis (Emitter-Kollektor-Strecke) aufweist welcher zwischen dem Eingangskreis (11) und der Last (Zt) liegt und daß ein
Nebenschlußtransistor (Q 3a, Q 3b) mit einer Steuerelektrode (Basis) an einer Ausgangselektrode des
zugehörigen Schalttransistors (QAa, QAb) angeschlossen ist durch den der Ausgangskreis des
Nebenschlußtransistors (Q 3a, Q3b)\n Abhängigkeit
von dem Steuersignal in den leitfähigen Zustand steuerbar ist.
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