DE2433645A1 - Magnetoresistives element - Google Patents
Magnetoresistives elementInfo
- Publication number
- DE2433645A1 DE2433645A1 DE2433645A DE2433645A DE2433645A1 DE 2433645 A1 DE2433645 A1 DE 2433645A1 DE 2433645 A DE2433645 A DE 2433645A DE 2433645 A DE2433645 A DE 2433645A DE 2433645 A1 DE2433645 A1 DE 2433645A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- strips
- ferromagnetic
- strip
- magnetoresistive element
- magnetic field
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims description 38
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 description 27
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 5
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910017709 Ni Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003267 Ni-Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003271 Ni-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003262 Ni‐Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/10—Magnetoresistive devices
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/09—Magnetoresistive devices
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49082—Resistor making
- Y10T29/49085—Thermally variable
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Linear Or Angular Velocity Measurement And Their Indicating Devices (AREA)
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
- Adjustable Resistors (AREA)
Description
It 2962
SONY CORPORATION
Tokyo / Japan
Tokyo / Japan
Magnetoresistives Element
Die Erfindung betrifft magnetoresistive Elemente und insbesondere ein magnetoresistives Element, das zur Ermittlung
der Richtung eines Magnetfeldes geeignet ist.
Es ist bekannt, die Winkellage eines Rotors eines bürstenlosen
Elektromotors mittels eines magnetoelektrischen Wandlers zu ermitteln, um die Ströme zu steuern, die in
die Statorspule des bürstenlosen Motors fließen. Der magnetoelektrische Wandler kann z.B. eine Halbleiter-Hall
vorrichtung, ein magnetoresistives Halbleiterelement, ein planares Hallelement oder ein ferromagnetisches magnetoresistives
Element sein.
Die Temperatureigenschaften eines Halbleiterwandlers sind ungeeignet, da sich die Anzahl und die Beweglichkeit
der Ladungsträger mit der Temperatur stark ändern. Bine Temperaturkompensationsvorrichtung ist daher bei
der Verwendung solcher Halbleiterwandler notwendig. Außerdem ändert sich das Ausgangssignal des Halbleiterwandlers
mit der Intensität des Magnetfeldes. Wenn daher der Halbleiterwandler als Schaltelement zur Ermittlung der Richtung
409885/1316
24336Λ5
des Magnetfeldes z.B. in einem bürstenlosen Motor verwendet
wird, muß ein zusätzlicher Strom angewandt werden, um die Genauigkeit zu verbessern und eine Begrenzung zu bewirken.
Daher sind die Kreise zur Verwendung von Halbleiterwandlern teuer.
Der ferromagnetische Wandler dagegen hat eine geeignete
Temperaturcharakteristik, da sich der spezifische Widerstand des ferromagnetisehen Wandlers mit der Temperatur
nur sehr gering ändert. Da außerdem der ferromagnetische Wandler mit einem Magnetfeld gesättigt werden kann, kann
er eine Selbstbegrenzung bewirken, so daß er gegen eine Änderung der Intensität des Magnetfeldes unempfindlich
ist. Daher ist ein ferromagnetischer Wandler zur Verwendung
als Schaltelement für die Richtung des Magnetfeldes vorteilhafter als ein Halbleiterwandler. Außerdem hat ein
planares Hallelement den Nachteil, daß seine Ausgangsspannung niedrig ist, und daß es die Verwendung eines
Verstärkers mit hoher Verstärkung erfordert. Außerdem hat ein übliches magnetoresistives Element mit zwei Anschlüssen
den Nachteil, daß die unsymmetrische Spannung einige Größenordnungen mal so hochist wie die Ausgangsspannung, obwohl die
Ausgangsspannung beträchtlich hoch ist, und daß die Drift infolge der Änderungen der Temperatur kompensiert werden
muß.
Aus der US-PS 3 405 355 ist ein Magnetometer bekannt, das dünne Magnetfilme mit magnetoresistiven Eigenschaften verwendet.
Die Beziehung zwischen dem spezifischen Widerstand des Materials und dem Drehwinkel der Magnetisierung in dem
Film wird zur Messung externer Magnetfelder verwendet. Wenn ein Vorspannungsfeld auf die magnetoresitiven Filme angewandt
wird, können Filme hoher Intensität gemessen werden.
Das magnetoresistive Element gemäß der Erfindung hat die
Vorteile des planaren HalIelernente und des üblichen magnetoresistiven
Elements, ohne die oben erwähnten Nachteile.
409885/1316
2A33645
Das magnetoresistive Element gemäß der Erfindung ist in der
Lage, eine große Änderung der Ausgangsspannung bei Änderungen
der Richtung eines Magnetfeldes zu erzeugen. Das Element gemäß der Erfindung kann eine Schaltfunktion leicht
durchführen und ist daher zur Ermittlung der Winkelstellungen des Rotors eines bürstenlosen Motors geeignet.
Durch die Erfindung wird ein magnetoresistives Element geschaffen,
das ein isolierendes Substrat, einen ersten stromleitenden ferromagnetisehen Metallfilmstreifen auf dem Substrat
mit einer Stromleitfähigkeit, die in einer Richtung vorherrscht, einen zweiten stromleitenden ferromagnetischen
Metallfilmstreifen mit einer Stromleitfähigkeit, die in einer Richtung vorherrscht, die im wesentlichen senkrecht
zu der des ersten Streifens ist, wobei die Enden der Streifen verbunden sind, einen Stromeingangsanschluß,
der mit den gegenüberliegenden Enden der Streifen verbunden ist, und einen Ausgangsanschluß aufweist, der an den
Verbindungspunkt der beiden Streifen angeschlossen ist.
Die beiden Streifen können auf der gleichen Seite oder auf gegenüberliegenden Seiten des Substrats angeordnet sein.
Die Erfindung wird nachstehend anhand der Figuren 1 bis 8 beispielsweise erläutert. Es zeigt:
Figur 1 eine schematische Darstellung des Funktionsprinzips eines magnetοresistiven Elements gemäß der Erfindung,
Figur 2 ein Ersatzschaltbild der Fig. 1,
Figur 3 eine Aufsicht einer Ausführungsform eines magnetoresistiven
Elements.gemäß der Erfindung,
Figur 4 ein Diagramm, aus dem die Beziehung zwischen der Änderung der Ausgangsspannung des magnetoresistiven
Elements und der Richtung des an das Element angelegten Magentfeldes hervorgeht,
Figur 5 eine Aufsicht einer weiteren Ausführungsform
eines magnetoresistiven Elements gemäß der Erfindung^ Q988B/1316
Figur 6 eine Ansicht von unten der Fig. 5,
Figur 7 einen Querschnitt längs der Linie VII-VH der
Fig. 5, und
Figur 8 ein Ersatzschaltbild, aus dem drei parallelgeschaltete magnetoresistive Elemente hervorgehen.
Fig. 1 zeigt ein magnetoresistives Element 1, das aus zwei
Streifen A und B aus ferromagnetischem Material mit einem magnetoresistiven Effekt besteht. Die Längsrichtung des Streifens
A ist senkrecht zu derjenigen des Streifens B. Die Streifen A und B sind elektrisch in Reihe geschaltet. Stromversorgungsanschlüsse
2 und 3 sind mit den gegenüberliegenden Enden der Streifen A und B verbunden. Ein Ausgangsanschluß 4 ist an
den Verbindungspunkt der Streifen A und B angeschlossen. Eine Spannungsquelle 5 ist zwischen die Stromversorgungsanschlüsse
2 und 3 geschaltet. Ein Stromversorgungsanschluß 3 ist geerdet.
Auf diese Weise erhält man einen Sensorkreis 6 für Magnetfelder.
Ein Magnetfeld H, das ausreicht, um die Streifen A und B zu sättigen, die aus ferromagnetischem Material hergestellt sind,
wird auf die Streifen A und B unter einem Winkel θ zur Längsrichtung des Streifens A angewandt. Im allgemeinen ist der
Widerstand eines gesättigten ferromagnetischen Materials anisotrop. Die Widerstände q A und C1, der Streifen A und B werden
durch die folgende Voigt-Thomson-Gleichung ausgedrückt:
wobei der Widerstand des ferromagnetischen Streifens A oder
B ist, wenn er mit einem Magnetfeld senkrecht zur Längsrichtung des ferromagnetischen Streifens A oder B gesättigt ist,
und „ der Widerstand des ferromagnetischen Streifens, wenn er mit einem Magnetfeld parallel zur der Längsrichtung des
ferromagnetischen Streifens A oder B gesättigt ist.
Fig. 2 zeigt einen Fig. 1 entsprechenden Kreis. Die Spannung
ν(θ) am Ausgangsanschluß 4 ist gegeben durch
409885/1316
~5~ 2633645
wobei VQ die Spannung der Spannungsquelle 5 ist.
Durch Substitution der Gleichungen (1) und (2) erhält man:
Viel - V° - A(?cos2e ν (4)
wobei Δ S
In der Gleichung (4) stellt das erste Glied eine Standard
spannung V (V_ = —ψ—) und das zweite Glied eine Ände
rung der Ausgangsspannung ν(θ) dar.
Das zweite Glied ^V(Θ) wird umgewandelt in
Δν(θ) = - ~Η
. cos 2Θ . Vo (5)
-> ο
wobei 2 <? = Qi, + <?_/ und
<? ist der Widerstand des ferro- s>
ο " J -^ jo
magnetischen Streifens A oder B, wenn kein Magnetfeld an den ferromagnetischen Streifen A oder B angelegt wird.
Die absolute Größe der Änderung der Ausgangsspannung ist bei den Winkeln 0°, 90°, 180° und 270° maximal. Ein Schaltvorgang
kann dann am zweckmäßigsten durchgeführt werden, wenn beide Arten Magnetfelder unter Winkeln von 0° und
90° auf die ferromagnetische^ Streifen A und B angewandt
werden, da die Vorzeichen der Änderungen /\V(Θ) bei den
Winkeln 0° und 90° einander entgegengesetzt sind.
Aus der Gleichung (5) ergibt sich, daß die Änderung der Ausgangsspannung unabhängig von der Intensität des Magnetfeldes
H ist, obwohl sie sich mit der Richtung des Magnetfeldes ändert. Es ist ersichtlich, daß die Intensität des
Magnetfeldes H ausreichend sein sollte, um die ferromag-
409885/1316
2^33645
netischen Streifen A und B zu sättigen.
Außerdem muß, wie die Gleichung (5) zeigt, das iuagnefeoresistive
Element 1 aus ferromagnetisehern Material mit
einem großen Verhältnis von A^/ <j>
hergestellt werden, um die Änderung der Ausgangsspannung in geeigneter Weise
zu erhöhen.
bei denen A^/ <? bei Raumtemperatur mehr als 2 % beEs
sind die folgenden ferromagnetischen Metalle bekannt,
bei de]
trägtϊ
trägtϊ
Metall Z^Q /<?_(%) Metall
Ni | 2,66 | 76Ni-24Fe | 3,79 |
80NX-20CO | 6,48 | 70Ni-30Fe | 2,50 |
90Ni-IOCo | 5,02 | 9ONi-IOCu | 2,6O |
70Ni-3OCO | 5,53 | 83Ni-I7Pd | 2,32 |
60Ni 40Co | 5,83 | 69Ni-31Pd | 2,03 |
50NX-50CO | 5,05 | 97Ni-3Sn | 2,28 |
40N1-60CO | 4,30 | 99Ni-IAl | 2,40 |
30Ni-70Co | 3,40 | 98Ni-2Al | 2,18 |
90Ni-IOFe | 4,60 | 9 8Ni-2Mn | 2,93 |
8ONi-2OFe | 3,55 | 94Ni-6Mn. | 2,48 |
95Ni-5Zn | 2,60 |
Jedes der obigen ferromagnetischen Metalle kann als Material
des magnetoresistiven Elements 1 gemäß der Erfindung verwendet-werden. Unter den obigen ferromagne-rtischen
Metallen ist^/^ q bei einer 80Ni-20Co-Legierung
maximal (6,48 %). Verglichen mit einer Ni-Fe-Legierung ist die 80Ni~20Co-Legierung sehr säurebeständig,
billig und lötbar. Daher ist die 80Ni-20Co-Legierung das praktisch am geeignetste Material für das magnetoresistive
Element.
409885/1316
Ein weiterer Faktor für die Änderung der Ausgangsspannung ist die Spannung V der Spannungsquelle. 5. Es ist möglich,
die Änderung der Ausgangsspannung mit der Spannung V
wie durch die Wahl eines geeigneten ferromagnetischen
Materials zu erhöhen. Es ist jedoch nicht erwünscht, daß die Spannung der Spannungsquelle 5 erhöht wird, da der Leistungsverbrauch
des magnetoresistiven Elements mit der Spannung V erhöht wird und dadurch eine große Wärme erzeugt
wird. Der Leistunqsverbräuch W -ist dem Quadrat der Spannung V proportional und dem Widerstand
V 2
So <W= -2V-5
So <W= -2V-5
umgekehrt proportional. Daher kann die Änderung der Ausgangsspannung
derart erhöht werden, daß der Widerstand £ des magnetoresistiven Elements 1 zusammen mit der
Spannung V erhöht wird.
Der Widerstand <J>
des magnetoresistiven Elements 1 kann leicht dadurch erhöht werden, daß die Breite der Streifen
A und B verringert wird. Folglich kann die Änderung der Ausgangsspannung des magnetoresistiven Elements 1 größer
als die des üblichen planaren Hall-Elements gemacht werden.
Obwohl die Widerstände ^>ff und £>j_ sich mit der Temperatur
ändern, werden A<£ und ζ von der Temperatur wenig beeinträchtigt,
da sich die Widerstände § // und £j_ gleichzeitig
ändern. Folglich wird die Änderung der Ausgangsspannung Δν(θ) von der Temperatur wenig beeinträchtigt.
Das magnetoresistive Element 1 hat drei Anschlüsse. Einer
der drei Anschlüsse ist als gemeinsamer Anschluß geerdete Daher kann jeder Nachbarkreis, z.B. ein Spannungsquellenkreis,
vereinfacht werden.
Anhand der Fig. 3 wird nun eine Aus£ührungsform des magnetoresistiven
Elements 1 beschrieben.
409885/1316
Durch ein Vakuum-Verdampfungsverfahren wird ein dünner Film eines eONi^OCo-Legierungsmaterial auf einer isolierenden
Grundplatte 7, z.B. einer Glasplatte oder einer fotographischen Trockenplatte mit einer Dicke von etwa
600 bis 1.000 8 aufgebracht. Dann wird der dünne Film geätzt, um die ferromagnetisehen Streifen A und B zickzack-förmig
oder in Streifen zusammen mit den Anschlüssen 2, 3 und 4 zu bilden. Die ferromagnetisehen Streifen A
und B bestehen aus mehreren Hauptstrompfaden 8 und 9 und zugehörigen Verbindungsteilen 10 bzw. 11. Die Hauptstrompfade
8 und 9 sind im wesentlichen senkrecht zueinander. Der letzte Pfad 8a der Hauptstrompfade 8 ist mit dem
ersten Pfad 9a des Hauptstrompfads 9 in Reihe geschaltet. Der Verbindungspunkt des letzten Pfads 8a und des ersten
Pfads 9a ist mit dem Anschluß 4 verbunden.
Bei dieser Anordnung kann die gesamte Länge und damit der
Widerstand des· magnetoresistiven Elements 1 erhöht werden.
Außerdem kann das magnetoresistive Element 1 stark verkleinert
werden. Folglich kann der Leistunssverbrauch verringert
und die Änderung der Ausgangsspannung erhöht werden.
Als nächstes werden die Eigenschaften des magnetoresistiven Elements 1 beschrieben.
Der Gesamtwiderstand 2 Q des magnetoresistiven Elements
ο 1 beträgt 2,5 Kilo-Ohm bei einer Dicke von 600 A für die
ferromagnetischen Streifen A und B, wobei eine Ausgangsspannung
von Ϊ60 mV bei einer Spannung von 8 V der Spannuncrsquelle
5 erzeugt wird. Dabei beträgt die Intensität des Sättigungsmagnetfeldes mehr als 50 Oested und die verbrauchte
Leistung etwa 26 mW. Daher kann die Intensität des Magnetfeldes für den Betrieb des magnetoresistiven
Elements 1 niedrig sein und die verbrauchte Leistung ist gering. Bei der gleichen Dicke der ferromagnetischen
Streifen A und B wird eine Ausgangsspannung von 240 mV
409885/1316
erzeugt und die verbrauchte Leistung beträgt etwa 58 mW bei einer Spannung von 12 V der Spannungsquelle 5.
Bei einer Dicke von 1.000 Ä der ferromagnetische^ Streifen
A und B beträgt der Gesamtwiderstand 2 P des magnetoresistiven Elements 1 1,4 Kilo-Ohm und eine Ausgangsspannung
von 180 mV wird bei einer Spannung von 8 V der Energiequelle 5 erzeugt, wobei die Intensität des Sättigungsmagnetfeldes mehr als 50 Oersted und die verbrauchte
Leistung etwa 47 mV beträgt. Bei der gleichen Dicke der ferromagnetischen Streifen A und B wird eine Ausgangsspannung
von 220 mV erzeugt und die verbrauchte Leistung beträgt
etwa 103 mW bei einer Spannung von 12 V der Energiequelle 5.
Fig. 4 zeigt die Beziehung zwischen der Änderung der Ausgangsspannung
des magnetoresistiven Elements 1 bei einer Filmdicke von 1.000 A und der Richtung des Magnetfeldes
mit einer Intensität von 3.000 Oersted. Die Ordinate gibt die Änderung der Ausgangsspannung A1V (Θ) und die
Abszisse den Winkel θ wider. Der Ursprung des Winkels θ ist gegenüber der Darstellung der Fig. 1 um einen Winkel
—j- (45 ) verschoben. Die zuvor erwähnte Gleichung (5)
erweist sich als richtig, da die Änderung der Ausgangsspannung Δν(θ) sinusförmig ist. Die Änderungen der Ausgangsspannung
Δν{θ) betragen 104 mV bei einem Winkel von -45°, O mV bei einem Winkel von 0°, -103 mV bei einem
Winkel von 45°, O mV bei einem Winkel von 90°, 104 mV bei
einem Winkel von 135° und O mV bei einem Winkel von 180°.
Anhand der Fig. 5 bis 7 wird eine weitere Ausfuhrungsform
des magnetoresistiven Elements 1 beschrieben.
Bei dieser Ausführungsform werden ein einziger ferromagnetischer
Streifen A und die Anschlüsse 2 und 4 auf der Oberseite der isolierenden Grundplatte 7 aufgebracht,
während der andere ferromagnetische Streifen B und der
409885/1316
Anschluß 3 auf der Unterseite der isolierenden Grundplatte 7 aufgebracht werden. Wie bei der vorherigen
Ausführungsform sind die Hauptstrompfade 8 des ferro—
magnetischen Streifens A senkrecht zu den Hauptstrompfaden 9 des ferromagnetischen Streifens B. Außerdem
sind ringförmige ferromagnetische Filme 4a und 4b auf der Oberseite bzw. der Unterseite der isolierenden
Grundplatte 7 aufgebracht. Die ringförmigen ferromagnetischen Filme 4a und 4b sind miteinander durch eine öffnung
in der isolierenden Grundplatte 7 (Fig. 7) verbunden. Ein ferromagnetischer Film ist auf die Oberseite
der öffnung aufgebracht. Der ringförmige ferromagnetische
Film 4a verbindet den Anschluß mit dem letzten Hauptstrompfäd 8a des ferromagnetischen Streifens A. Daher
ist der letzte Hauptstrompfad 8a des ferromagnetischen Streifens 8 mit dem ersten Hauptstrompfad 9a des ferromagnetischen
Streifens B durch die ringförmigen ferromagnetischen Filme 4a und 4b verbunden.
Wenn das magnetoresistive Element 1 in ein heterogenes
Magnetfeld gebracht wird, ist die Ausführungsform der
Fig. 5 bis 7 derjenigen der Fig. 3 vorzuziehen, da die Aus füh rungs form der Fig. 5 bis 7 die Richtung des Magnetfeldes
in einem stärker begrenzten Raum als die Aus füh—
rungsform der Fig. 3 erfassen kann.
Fig. 8 zeigt einen den parallelgeschalteten drei magnetoresistiven
Elementen 1 entsprechenden Kreis, bei dem die Energiequelle 5 gemeinsam verwendet ist. Hierbei gilt
5>Α(Θ) + 5>Β(Θ) = ζ)fl + £l = 2 <j>o und£>o = konstant. Daher
können die drei magnetoresistiven Elemente 1 unabhängig voneinander arbeiten. Dies ist einer der vorteile
des magnetoresistiven Elements gemäß der Erfindung.
Es können mehrere magnetoresistive Elemente in Reihe geschaltet werden. Anstelle der Ni-Co-Legierung können die
409885/1316
2A33645
Streifen A und B auch aus einer 8ONi-2OFe-Legierung bei
einem großen Verhältnis von A$/ P hergestellt werden,
so daß die Streifen A und B mit einem Magnetfeld gesättigt werden können, das eine geringere Intensität hat.
Außerdem können die Hauptstrompfade des einen ferromagnetischen
Streifens unter einem anderen Winkel als 90 , z.B. unter 70 bis 80° zu den Hauptstrompfaden des anderen
ferromagnetischen Streifens angeordnet sein, solange die Charakteristik des magnetoresxstxven Elements 1 nicht
verschlechtert wird.
409885/1316
Claims (5)
- Ansprü ehe( 1.JMagnetoresistives Element, gekennzeichnet, durch ein isolierendes Substrat, einen ersten stromleitenden ferromagnetischen Metallfilmstreifen auf dem Substrat, dessen Stromleitfähigkeit in einer Richtung vorherrschend ist, einen zweiten stromleitenden ferromagnetischen MetalIfiImstreifen auf dem Substrat, dessen Stromleitfähigkeit in einer Richtung vorherrschend ist, die senkrecht zu derjenigen des ersten Streifens ist, und dadurch, daß die Enden der Streifen miteinander verbunden sind, ein Stromeingangsanschluß mit den entgegengesetzten Enden des Streifens verbunden ist und ein Ausgangsanschluß an den Verbindungspunkt der beiden Streifen angeschlossen ist.
- 2. Element nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Streifen auf der gleichen Seite des Substrat angeordnet sind.
- 3. Element nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Streifen auf entgegengesetzten Seiten des Substrats angeordnet sind.
- 4. Element nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der erste und zweite Streifen aus mehreren parallelen, elektrisch in Reihe geschalteten Streifen bestehen.
- 5. Element nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Streifen aus einer Legierung besteht, die etwa 80 Gewichts-% Nickel und etwa 20 Gewichts-% KobalC enthält.409885/1316
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7965573A JPS575067B2 (de) | 1973-07-13 | 1973-07-13 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2433645A1 true DE2433645A1 (de) | 1975-01-30 |
DE2433645B2 DE2433645B2 (de) | 1980-05-14 |
DE2433645C3 DE2433645C3 (de) | 1981-02-05 |
Family
ID=13696137
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2433645A Expired DE2433645C3 (de) | 1973-07-13 | 1974-07-12 | Magnetoresistives Bauelement |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3928836A (de) |
JP (1) | JPS575067B2 (de) |
CA (1) | CA1021065A (de) |
DE (1) | DE2433645C3 (de) |
FR (1) | FR2237204B1 (de) |
GB (1) | GB1473894A (de) |
IT (1) | IT1017145B (de) |
NL (1) | NL188119C (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3013249A1 (de) * | 1979-04-05 | 1980-10-23 | Sony Corp | Gleichstrommotor |
DE3590633C2 (de) * | 1984-12-10 | 1991-07-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma, Osaka, Jp |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL7414829A (nl) * | 1973-11-17 | 1975-05-21 | Sony Corp | Magnetoresistief element. |
JPS576962Y2 (de) * | 1974-07-26 | 1982-02-09 | ||
JPS5613244B2 (de) * | 1974-07-31 | 1981-03-27 | ||
JPS5927115B2 (ja) * | 1974-12-29 | 1984-07-03 | ソニー株式会社 | 情報検出装置 |
US4047236A (en) * | 1975-05-09 | 1977-09-06 | Honeywell Information Systems Inc. | Supersensitive magnetoresistive sensor for high density magnetic read head |
JPS5823453B2 (ja) * | 1978-02-27 | 1983-05-16 | ソニー株式会社 | 磁電変換素子用合金及びその製造方法 |
CA1126818A (en) * | 1978-03-27 | 1982-06-29 | Hiroyuki Ohkubo | Apparatus for sensing an external magnetic field |
JPS5513959A (en) * | 1978-07-17 | 1980-01-31 | Nec Corp | Ferromagnetic resistance effect element |
JPS6052660B2 (ja) * | 1979-06-04 | 1985-11-20 | 松下電器産業株式会社 | 回転速度信号検出器 |
GB2071333B (en) * | 1980-02-22 | 1984-02-01 | Sony Corp | Magnetic sensor device |
US4477794A (en) * | 1981-08-10 | 1984-10-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetoresistive element |
DE3267700D1 (en) * | 1981-09-09 | 1986-01-09 | Emi Ltd | Arrangements for resolving magnetic field components |
JPS58154615A (ja) * | 1982-03-10 | 1983-09-14 | Copal Co Ltd | 磁気検出装置 |
US4503418A (en) * | 1983-11-07 | 1985-03-05 | Northern Telecom Limited | Thick film resistor |
JPS60143681A (ja) * | 1984-11-12 | 1985-07-29 | Sony Corp | 磁電変換素子の製法 |
JPS60163765U (ja) * | 1985-03-07 | 1985-10-30 | ソニー株式会社 | 磁電変換素子 |
JPH084041B2 (ja) * | 1987-01-27 | 1996-01-17 | 日本電装株式会社 | ポテンシヨメ−タ |
JPH01178816A (ja) * | 1988-01-11 | 1989-07-17 | Alps Electric Co Ltd | 磁気センサ |
JPH02176586A (ja) * | 1988-12-28 | 1990-07-09 | Tokai Rika Co Ltd | 磁界測定方法 |
DE69331895T2 (de) * | 1992-12-29 | 2002-12-19 | Eastman Kodak Co., Rochester | Magnetoresistiver Magnetfeldsensor mit sehr langem Wirkbereich |
DE9301302U1 (de) * | 1993-01-30 | 1994-05-26 | Werner Turck Gmbh & Co Kg, 58553 Halver | Näherungsschalter |
JP2655106B2 (ja) * | 1994-12-07 | 1997-09-17 | 日本電気株式会社 | 磁気抵抗センサ |
DE102004062474A1 (de) * | 2004-03-23 | 2005-10-13 | Siemens Ag | Vorrichtung zur potenzialfreien Strommessung |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US1093968A (en) * | 1913-10-25 | 1914-04-21 | Richard Stuart Bicknell | Electric furnace. |
US2860061A (en) * | 1954-12-07 | 1958-11-11 | Smidth & Co As F L | Composition and process for manufacturing cement |
US3003105A (en) * | 1959-06-29 | 1961-10-03 | Ibm | Three lead hall probes |
US3016507A (en) * | 1959-09-14 | 1962-01-09 | Ibm | Thin film magneto resistance device |
US3716781A (en) * | 1971-10-26 | 1973-02-13 | Ibm | Magnetoresistive sensing device for detection of magnetic fields having a shape anisotropy field and uniaxial anisotropy field which are perpendicular |
-
1973
- 1973-07-13 JP JP7965573A patent/JPS575067B2/ja not_active Expired
-
1974
- 1974-07-09 GB GB3038074A patent/GB1473894A/en not_active Expired
- 1974-07-10 US US487282A patent/US3928836A/en not_active Expired - Lifetime
- 1974-07-11 NL NLAANVRAGE7409426,A patent/NL188119C/xx not_active IP Right Cessation
- 1974-07-12 DE DE2433645A patent/DE2433645C3/de not_active Expired
- 1974-07-12 FR FR7424407A patent/FR2237204B1/fr not_active Expired
- 1974-07-12 IT IT25147/74A patent/IT1017145B/it active
- 1974-07-12 CA CA204,653A patent/CA1021065A/en not_active Expired
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3013249A1 (de) * | 1979-04-05 | 1980-10-23 | Sony Corp | Gleichstrommotor |
DE3590633C2 (de) * | 1984-12-10 | 1991-07-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma, Osaka, Jp |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
IT1017145B (it) | 1977-07-20 |
FR2237204A1 (de) | 1975-02-07 |
DE2433645B2 (de) | 1980-05-14 |
CA1021065A (en) | 1977-11-15 |
JPS5028989A (de) | 1975-03-24 |
NL188119B (nl) | 1991-11-01 |
JPS575067B2 (de) | 1982-01-28 |
NL7409426A (nl) | 1975-01-15 |
NL188119C (nl) | 1992-04-01 |
DE2433645C3 (de) | 1981-02-05 |
GB1473894A (en) | 1977-05-18 |
FR2237204B1 (de) | 1977-10-07 |
US3928836A (en) | 1975-12-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2433645A1 (de) | Magnetoresistives element | |
DE3011462C2 (de) | ||
EP0030041B1 (de) | Messwandler zum Messen eines insbesondere von einem Messstrom erzeugten Magnetfeldes | |
DE60027257T2 (de) | Stromdetektor mit einer Hall-Effekt-Anordnung | |
DE4200466C2 (de) | Halterung für ein auf Magnetfeld ansprechendes Element, Magnetoresistor-Magnetkreis damit und Leiterrahmen zur Herstellung | |
DE4031560C2 (de) | Stromsensor mit magnetfeldempfindlichen Bauelementen und Verwendung | |
DE2948762C2 (de) | Meßwandler zum Messen eines Magnetfeldes oder eines das Magnetfeld erzeugenden Meßstromes | |
EP0607595B1 (de) | Sensorchip | |
DE60219561T2 (de) | Hall-Effekt-Stromdetektor | |
DE68912720T2 (de) | Magnetoresistiver Magnetfeldsensor. | |
DE2943369A1 (de) | Magnetwiderstand-verschiebungsfuehler sowie signalverarbeitungsschaltung | |
DE3047809C2 (de) | ||
EP0111698A2 (de) | Magnetfeldsensor | |
DE1541757B1 (de) | Einrichtung zum Messen von Gleichspannungen oder Stroemen mit einem Drehmagnetmesswerk mit mehreren Spulen | |
CH661142A5 (de) | Aktiver stromsensor. | |
DE19933243A1 (de) | Codierer mit Magnetowiderstandselementen | |
DE2454522C2 (de) | Magnetoresistives Schichtwiderstands-Element | |
DE19650078A1 (de) | Sensorelement zur Bestimmung eines Magnetfeldes oder eines Stromes | |
DE69113490T2 (de) | Gerät zum Messen der Magnetfeldverteilung. | |
DE4318716A1 (de) | Magnetfeldsensor in Form einer Brückenschaltung | |
DE1690076B1 (de) | Verfahren zur verminderung des umkehreffektes von hallgene ratoren | |
DE2243979B2 (de) | Magnetoresistive AbfUhlanordnung mit Rauschunterdrückung | |
DE3853657T2 (de) | Magnetoelektrisches Element und Magnetoelektrischer Apparat. | |
DE2263091C2 (de) | Feldeffekttransistor | |
DE1120502B (de) | Schaltungsanordnung mit mehreren in einer Ebene angeordneten Supraleitern |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) |