DE2429634A1 - Verfahren zum herstellen eines halbleiterbauelements im molekularstrahl-epitaxieverfahren - Google Patents
Verfahren zum herstellen eines halbleiterbauelements im molekularstrahl-epitaxieverfahrenInfo
- Publication number
- DE2429634A1 DE2429634A1 DE2429634A DE2429634A DE2429634A1 DE 2429634 A1 DE2429634 A1 DE 2429634A1 DE 2429634 A DE2429634 A DE 2429634A DE 2429634 A DE2429634 A DE 2429634A DE 2429634 A1 DE2429634 A1 DE 2429634A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- substrate
- layer
- growth
- epitaxial layer
- molecular beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02387—Group 13/15 materials
- H01L21/02392—Phosphides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02387—Group 13/15 materials
- H01L21/02395—Arsenides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/0242—Crystalline insulating materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02439—Materials
- H01L21/02455—Group 13/15 materials
- H01L21/02463—Arsenides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02538—Group 13/15 materials
- H01L21/02546—Arsenides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02551—Group 12/16 materials
- H01L21/02557—Sulfides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/0257—Doping during depositing
- H01L21/02573—Conductivity type
- H01L21/02576—N-type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/0257—Doping during depositing
- H01L21/02573—Conductivity type
- H01L21/02579—P-type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02656—Special treatments
- H01L21/02658—Pretreatments
- H01L21/02661—In-situ cleaning
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/007—Autodoping
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/017—Clean surfaces
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/018—Compensation doping
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/02—Contacts, special
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/064—Gp II-VI compounds
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/065—Gp III-V generic compounds-processing
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/072—Heterojunctions
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/139—Schottky barrier
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/15—Silicon on sapphire SOS
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/169—Vacuum deposition, e.g. including molecular beam epitaxy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/909—Controlled atmosphere
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/914—Doping
- Y10S438/916—Autodoping control or utilization
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/914—Doping
- Y10S438/925—Fluid growth doping control, e.g. delta doping
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
BLUMBACH · WESER ■ BERGEN & KHAMER
PATENTANWÄLTE IN WIESBADEN UND MÜNCHEN 2 4 2 v3 O J
«WIESBADEN · SONNENBERGER STRASSE 43 · TEL. (06!2I) 5629«, 561998 .
Western Electric Company
Incorporated
New York, N. Y., U.S.A. Cho 5 - 4
New York, N. Y., U.S.A. Cho 5 - 4
Verfahren zum Herstellen eine'g- Halbleiterbauelements im Molekularstrahl-Epitaxie -verfahren
Die Erfindung bezieht sich auf die Herstellung von Halbleiterbauelementen
im Molekularstrahl-Epitaxteverfahren.
In der US-Patentschrift 3. 615. 931 ist eine Methode zum epitaktischen
Aufwachsen von Dünnschichten aus Halbleitermaterialien beschrieben, bei der das Wachstum vom gleichzeitigen Auftreffen
einer oder mehrerer Molekularstrahlenbündel aus den die Bestandteile des Halbleitermaterials bildenden Elementen auf
ein erhitztes Substrat. Im einzelnen ist dort der grundsätzliche Molekularstrahl-Epitaxieprozeß zum Züditen von Dünnschichten
aus Verbindungen zwischen Elementen der Gruppe HIa und
409803/0988
2423634
Elementen der Gruppe Va des periodischen Systems (III-V-Verbindung)
auf einem Substrat, das auf etwa 450 - 650 Celsius vorgewärmt war und bei gegenüber Atmosphärendruck
geringerem Druck gehalten wurde.
Es ist möglich, das Molekularstrahl-Expitaxieverfahren auch zur Dotierung solcher Dünnschichten zu benutzen, um einen
gewünschten Leitungstyp zu erzeugen, beispielsweise mit Sn und Si als Donatoren oder mit Germanium, das ein amphoterer
Dotierstoff ist, je nachdem, ob die aufwachsende Oberfläche bezüglich des III- oder des V-Elementes angereichert
ist, oder mit Magnesium.
Die Molekularstrahltechnologie ist jedoch nicht auf die epitaktische
Züchtung von III-V-Dünnschichten beschränkt. 1970 veröffentliche D. Beecham experimentelle Resultate, die anzeigten,
daß CdS-Dünnschichten (eine II-VI-Verbindung) zur Verwendung
als piezoelektrische Wandler hergestellt werden konnten, indem Molekularstrahlenbündel aus Kadmium und
409083/0988
Schwefel auf ein Quarzsubstrat gerichtet wurden. Andererseits
ist in der US-Patentschrift 3. 666. 553 eine Molekularstrahlmethode zum Herstellen einer polykristallinen und nicht epitaktischen
Dünnschicht von hohem Flächenwiderstand aus einer III-V-Verbindüng
auf einem amorphen Substrat beschrieben, das auf 250 450 Grad Celsius vorgewärmt war.
Bei Versuchen, Halbleiterbauelemente herzustellen, in denen
Epitaxieschichten verwendet werden, beispielsweise Varactoren, Iinpatt-Dioden, pn-Übergangslaser und Lichtmodulatoren, war
ein immer wieder auftretendes Problem ein anormal hoher Serienwiderstand (1000 Ohm). Dieser hohe Serienwiderstand ist
sehr nachteilig, da er die Grenzfrequenz von Varactoren und pn-Übergangs-Lichtmodulatoren reduziert, ebenso auch den
Leistungswirkungsgrad von Impatt-Dioden und pn-Übergangs laser.
.
Da kommerziell brauchbare Halbleiterbauelemente generell niedrigen Serienwiderstand (z. B . 2 Ohm) aus den oben erörterten
40 9Ö83/0988
2423634
typischen Gründen haben sollen, sind der Erfindung vorausgehende detaillierte Untersuchungen des Molekularstrahl-Epitaxie prozesses
durchgeführt worden, um die Ursache des hohen Serienwiderstandes zu ergründen. Diese Untersuchungen zeigten
die Existenz dünner Zonen hohen Widerstandes (nachstehend "i-Schichten" genannt) auf, die zumeist an der Grenzfläche zwischen
aneinandergrenzenden epitaktischen Schichten vorhanden sind. Zunächst war die Ursache solcher i-Schichten unbekannt.
Weitere Untersuchungen führten jedoch zu der Entdeckung, daß i-Schichten sich an der Grenzfläche zum Substrat hin und innerhalb
der epitaktischen Schichten immer dann bildeten, wenn der Wachstumsprozeß unterbrochen wurde. Obgleich der exakte Ursprung
der i-Schichtbildung noch unklar ist, wird angenommen, daß ihr Auftreten von einem oder mehreren der nachstehend angegebenen
drei Faktoren herrühren mag.
(1) Erstens hat die obere, d.h. die wachsende Fläche von beispielsweise
GaAs während des Wachstums "baumelnde" Bindungen (entweder ionische oder kovalente Bindungen) mit Atomen, die in
409883/0988
einer arsenstabilisierten Oberflächenstruktur angeordnet sind.
Wenn jedoch das/Wachstum unterbrochen wird, verdampft die oberste As-Monoschicht von der Oberfläche und die restlichen
Atome ordnen sich zur Bildung einer galliumstabilisierten Oberflächenstruktur um, die eine vom massiven Material oder der
darunterliegenden Schicht abweichende Periodizität hat (siehe Journal of Applied Physics, Band 41, Seite 2780 (1970) von
A. Y. Cho). Sonach ändert sich eine As-stabilisierte Oberflächenstruktur
in eine Ga-stabilisierte Oberflächenstruktur auf Erwärmung
im Vakuum hin. (siehe Journal of Applied Physics, Band 42, Seite 2074 (1971) von A. Y. Cho). Zusätzlich wandelt sich
beim anfänglichen Aufwachsen von GaAs im Molekularstrahl-Epitaxieverfahren die Ga-stabilisierte Struktur zurück in die
As-stabilisierte Oberflächenstruktur. Wenn einige der Bindungen nicht in diesem Umwand-'lungsprozeß abgesättigt werden,
entstehen Defekte (z.B. Leerstellen) und Grenzflächenzustände. Diese Defekte können Ladungsträger einfangen und dadurch eine
i-Schicht bilden. Diese Schlußfolgerung wird durch Dotierprofil-Messungen an epitaktischen Schichten oder an einer epitaktischen
409003/0988
Schicht gestützt, deren Aufwachsen durch Schließen des Verschlusses
(mehrere Male und unterschiedlich lang) in der Vakuumkammer unterbrochen wurde, um zu verhindern, daß
das Molekularstrahlenbündel auf der wachsenen Oberfläche auftrifft. Obgleich das System zur. Erzeugung einer konstanten
Ankunftsgeschwindigkeit für das Dotierstoff-Strahlenbündel und folglich auf ein konstantes Dotierungsprofil eingestellt war,
wurde gefunden, daß bei einer jeden Unterbrechung des Wachstums die resultierende Ladungsträgerkonzentration um einen
Betrag abnahm, der von der Zeitspanne, während derer der Verschluß geschlossen war, also-das Wachstum angehalten
war, abhing. Je langer das UnterbrechungsIntervall war, desto
größer war die Anzahl der Defekte oder Einfangzentren pro
Quadratzentimeter, die an der Grenzfläche erzeugt wurden,
12 2
bis Sättigung bei etwa 10 /cm auftrat.
bis Sättigung bei etwa 10 /cm auftrat.
(2) Zweitens wurde beobachtet, daß Arsen von GaAs-Substratoberflächen
verdampft, wenn das Substrat (üblicherweise durch Si-Dotierung η-leitend gemacht) im Vakuum erhitzt wird
409883/0988 :
(siehe Journal of Applied Physics, Band 42, a.a.O.). Die Verdampfung
von As verursacht die Bildung von Arsenleerstellen
und/oder erlaubt es den Si-Atomen (oder anderen amphoteren
Dotierstoffen) in die Arsen-Gitterplätze zu wandern, so daß stärker kompensierte. Schichten mit höherem Widerstand entstehen.
Diese Schlußfolgerung ergab sich aus Versuchen, bei
denen das Substrat im Vakuum erhitzt wurde und dann die Verringerung
der gesamten Ladungsträgerkonzentration an der Oberfläche durch Schottky-Sperrschicht-Dotierprofilmessungen beobachtet
wurde.
(3) Drittens kann eine Verschmutzung durch Verunreinigungen
infolge unrichtiger oder unzureichender Reinigung des Substrates
zu einer i-Schicht an der Substratoberfläche führen. Dieser Effekt
ergab sich durch die Feststellung von Kohlenstoff-Verunreinigung auf GaAs-Substraten mit Hilfe eines Auger-EIektronenspektrometers.
(Siehe Journal of Applied Physics, Band 43, Seite 5118 (1972) von A. Y. Cho und M. B. Panish). Der Kohlenstoff wird
durch Vorerwärmung des Substrates nicht entfernt und selbst
40988370988 :
sorgfältig präparierte Substratoberflächen hatten häufig noch
13 2 eine 0, 01-'Kohlenstoffmonoschicht (etwa 10 /cm ).
Demgemäß ist die Erfindung gerichtet auf ein Verfahren zum auf einem Substrat erfolgenden Züchten eines Halbleiterbauelementes
mit wenigstens einer epitaktischen Schicht der Zusammensetzung AB1 wobei A und B je mindestens ein Element
bedeuten und B einen höheren Dampfdruck als A besitzt, bei dem das Substrat in einem Behälter unter einem niedrigeren
Druck als Atmosphärendruck angeordnet und auf vorbestimmte Temperatur erwärmt wird und wenigstens ein Molekularstrahlenbündel,
der A und B und gegebenenfalls Dotiermaterial umfaßt, auf das Substrat gerichtet und dadurch das Aufwachsen
der .epitaktischen Schicht bewirkt wird, wobei die vorbestimmte Temperatur so ausgewählt wird, daß kongruente Verdampfung
von A und B erzeugt wird, und die Konzentrationen der Bestandteile in dem Molekular strahlenbündel so eingestellt sind, daß
an der wachsenden Oberfläche ein Überschuß von B gegenüber A vorhanden ist.
409883/0988
Dieses Verfahren zeichnet sich gemäß der Erfindung dadurch aus, daß nach der Vorwärmung des Substrates und vor Beginn
des epitaktischen Wachstums hierauf eine hochleitfähige Pufferschicht
aus Halbleitermaterial aufwachsen gelassen wird, indem ein oder mehrere entsprechende Molekularstrahlenbündel auf
das Substrat gerichtet werden, wobei im Falle eines Halbleitersubstrats
die Pufferschicht im selben Leitnngstyp wie der des Substrates aufwachsen gelassen wird, und das Aufwachsenlassen
von Puffer schicht sowie der epitaktischen Schicht in kontinuierlicher
Abfolge ohne Unterbrechung durchgeführt wird.
Durch dieses Verfahren ist es möglich, Halbleiterbauelemente mit akzeptablen Serienwiderständen (etwa 2-5 Ohm) herzustellen,
bei denen die i-Schichten praktisch nicht vorhanden sind, oder, wenn vorhanden, so dünn sind, daß sie nicht störend ins
Gewicht fallen und auch nicht mit den derzeitigen Meßmethoden feststellbar sind.
Nachstehend ist die Erfindung anhand der Zeichnung im einzelnen
409Ö8 37 0 98
erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine Vorrichtung zur Durchführung des
Verfahrens, teilweise geschnitten,
Fig. 2 eine schematische Draufsicht auf die Appara
tur nach Fig. 1,
Fig. 3 ein Diagramm zur Darstellung, wie die
resultierende Ladungsträgerkonzentration in einer epitaktischen Schicht als Funktion
der Zeit, während derer das Wachstum unterbrochen wird, abnimmt,
Fig. 4 ein Diagramm zur Darstellung,wie die resul
tierende Ladungsträgerkonzentration an der Substratoberfläche durch Tempern abnimmt,
Fig. 5 ein Diagramm zur Darstellung beispielhafter
409883/0988
Dotierprofile/ wie diese mit dem vörliegen-. . den Verfahren erreichbar sind,
Fig. 6 eine schematische Seitenansicht eines Halbleiterbauelementes
mit Doppelheterostruk-■ tür, wie dieses nach dem vorliegenden Ver
fahren hergestellt worden ist, und
Fig. 7 eine schematische Ansicht eines Varactor-
bauelementes, wie dieses entsprechend dem
vorliegenden Verfahren hergestellt ist.
Fig. 1 und 2 zeigen eine Apparatur zum Züchten epitaktischer Verbindungshalbleiter-Dünnschichten
in steuerbarer Dicke und steuerbarem Leitüngstyp im Molekularstrahlepitaxieverfahren.
Die Apparatur hat eine Vakuumkammer 11, in der sich eine MoIekularstrahlerzeugungsvorrichtung
12 befindet. Diese enthält beispielsweise sechs zylindrische Strahlerzeugungseinheiten 13a - 13f
409883/0988
als Strahlquellen (Fig. 2), typischerweise Knudsen-Zelleiv
die gegeneinander thermisch isoliert sind durch Mnwickeln einer jeden Zellen mit hitzeabschirmendem Material, z. B.
mit fünf etwa O1 1 mm dicken geknitterten Tantalfolien (nicht
dargestellt). Ein Substrathalter 17, zumeist ein Molybdänblock, ist an einer drehbaren Welle 19 befestigt, die zu einem außerhalb
der Kammer 5 gelegenen Einstellknopf 16 führt. Jedes Strahlquellenpaar (13a-b, 13c-d, 13e-f) liegt innerhalb einer
zylindrischen Kühl-Ummantelung für flüssigen Stickstoff 22, 22*
bzw. 22* * . Zweckmäßig trägt die Ummantelung einen Kollimierrahmen
23 mit einer kollimierenden Öffnung 24. Ein bewegbarer Verschluß 14 dient zur Absperrung der Öffnung 24 zu ausgewählten
Zeiten, wenn es gewünscht ist, daß der betreffende Molekularstrahl
nicht auf das Substrat auftreffen soll. Der SubstrathäL ter 17 ist mit einem Innenheizer 25 und mit Klips 26 und 27 zum
Halten eines Substrates 28 hierauf versehen. Außerdem befindet sich ein Thermoelement in der Öffnung 31 auf der Seite des
Substrates 28 und ist über Leitungen 32 und 33 nach außen durchgeführt, um die Temperatur des Substrates 28 abfühlen zu können.
409883/0988
Die Kammer 11 enthält des weiteren einen Auslaß 34, der zu einer Vakuumpumpe 35 führt.
Eine typische zylindrische Strahlerzeugungseinheit (siehe Fig. 1) enthält ein feuerfestes Gefäß 41 mit einer einen Endes eingeformten Mulde 42 für ein Thermoelement 43, um die
Temperatur des in der Strahlquellenkammer 46 enthaltenen Materials
messen zu können. Das Thermoelement 43 ist an eine äußere Meßeinrichtung (nicht dargestellt) über die Verbindungsleiter
44 und 45 angeschlossen. Das zu verdampfende Vorratsmaterial ist in die Quellenkammer 46 eingesetzt. Es wird durch
eine Heizspule 47, die das Gefäß umgibt, zum Verdampfen gebraeht».-Das
der Öffnung 24 zuweisende Ende des Gefäßes 41 ist mit einer Messerkanten-Öffnung 48 eines Durchmessers versehen,
der vorzugsweise kleiner ist als die mittlere freie Weglänge
der Atome in der Quellenkammer. Beispielsweise ist die Strahlquelle 0, 65 cm im Durchmesser, 2, 5 cm in der Länge,
besteht aus Al O , das mit spektrografisch reinem Graphit
ausgefüttert ist. Der Querschnitt der Öffnurg 48 beträgt im
409803/0988
Regelfall 0, 17 cm2.
Nachstehend sei zu Erläute rungs zwecken die epitaktische Züchtung
einer Dünnschicht aus einer III-V-Verbindung auf einem
GaAs-Substrat beschrieben. Die ZUcMuHg1 anderer Verbindungen
(z.B. II- VI-Verb indungen) auf anderen Substraten (z. B. auf Glimmer)
wird, wie erwähnt in analoger Weise durchgeführt.
Der erste Schritt bei der Durchführung des Molekularstrahlepitaxieverfahrens
ist die Auswahl eines einkristallinen Substrates wie GaAs, das kommerziell leicht" erhältlich ist.
Eine Hauptfläche des GaAs-Substrates wird zunächst geschnitten,
üblicherweise längs der (OOl)-Ebene, und mit Diamantpaste oder nach anderen bekannten Methoden poliert, um die Oberflächenschäden
zu beseitigen. Ein Ätzmittel, beispielsweise eine methanolische Bromlösung oder eine Wasserstoffperoxid-Schwefelsäurelösung,
kann zur weiteren Reinigung der Substratoberfläche anschließend an den Poliervorgang verwendet werden.
409883/0988
Sodann wird das Substrat in eher Apparatur der in Fig. 1 und 2 dargestellten Art eingesetzt und der Druck in der Vakuumkammer
wird auf weniger als 10 Torr reduziert, vorzugsweise auf einen
-3 -10
Wert im Bereich von etwa 10 bis 10 Torr, um die Einführung jeglicher schädlicher Komponenten auf die Substratoberfläche auszuschließen.
Da jedoch die Substratoberfläche vor dem Einsetzen in die Vakuumkammer einer atmosphärischen Verunreinigung
unterlegen war, wird das Substrat vorzugsweise auf etwa 600 Grad Celsius aufgeheizt, um eine praktisch atomar saubere Wachstumsoberfläche zu erhalten (also eine Desorption von Verunreinigungen
wie Schwefel, Sauerstoff und Waseer zu erreichen). Die nächsten Schritte im Verfahren sind die Zufuhr von flüssigem Stickstoff
in die Kühlummantelungen über die Einlasse 49 und das Aufheizen des Substrates auf die Züchtungstemperatur, die üblicherweise
zwischen 450 und 650 Grad <7elsius je nach dem speziell zu züchtenden
Material gelegen ist. Dieser Bereich wird von Regungen bezüglich der Ankunftsgeschwindigkeiten und der Oberflächendiffusion
diktiert.
409S83/0988
Die Strahlquellen 13a - 13f sind vorher mit den erforderlichen Mengen der Bestandteile des gewünschten zu züchtenden Films
gefüllt worden, d.h. die Strahlquelle 13a enthält eine III-V-Verbindung
wie GaAs in massiver Form, die Strahlquelle 13b enthält ein III-Element wie Ga1 die Strahlquellen 13c und 13f enthalten
einen n-Dotierstoff wie Sn, Si oder Ge in massiver Form, und die Strahlquelle 13c enthält einen p-Dotierstoff wie Mg oder Ge.
Soll ein Mischkristall wie AlGaAs gezüchtet werden, so würde die Strahlquelle 13d, die Aluminium enthält, gleichfalls benutzt
werden.
Die betroffenen Strahlquellen werden auf die je geeignete Temperatur
(die nicht notwendigerweise-überall die gleiche sein muß) erhitzt, die ausreicht, um den jeweiligen Inhalt durch Sublimation
zu verdampfen und so bei Öffnung der betroffenen Verschlüsse ein oder mehrere Molekularstrahlenbündel zu erzeugen, d. h. einen
Strom von Atomen, die Ge schwindigke its komponenten in derselben Richtung, in diesem Falle zur Substratoberfläche hin, haben.
Die Atome oder Moleküle, die nicht die Öffnung 24 passieren,
AO9883/0988
werden ander Innenfläche 50 der Kühlummantelungen 22 und der Kollimierrahmen 23 .kondensiert, während jene, die die Öffnung
24 passieren und die von der Substratoberfläche reflektiert wer7
den, hauptsächlich auf der gekühlten Außenfläche der Rahmen 23 kondensiert werden, wodurch sichergestellt ist, daß nur Atome
oder Moleküle des Molekularstrahlenbündels direkt (und nicht reflektierte, störende Atome) auf der Substratoberfläche auftreffen.
Die Abstände der Strahlquellen vom Substrat liegen typischerweise bei etwa 5, 5 cm für ein Wachstumsgebiet von 1, 5 cm χ
1, 5 cm. Unter diesen Bedhgungen können Wachstumsgeschwindigkeiten
von 1000 Anström pro Stunde bis 2 Mikrometer pro Stunde leicht erreicht werden durch Ändern der Temperatur der Galliumquelle
zwischen etwa 1110 und 1210 Grad Kelvin.
Im allgemeinen sollten die Mengen an Vorratsmaterialien (z. B.
Ga, Al und GaAs), die in die Strahlquellen eingebracht worden
sind, Und die Strahlquellentemperaturen ausreichend sein, um
einen Überschuß der V-Elemente höheren Dampfdruckes (z.B.
As) gegenüber den III-Elementen niedrigeren Dampfdruckes
40 9883/09 8
(ζ. B. Al und Ga) zu haben. D. h., die Oberfläche sollte arsenreich
sein (auch Arsen-stabilisiert genannt). Dieser Zustand rührt von.
den großen Unterschieden im "Haftungskoeffizient" bei der Züchtungstemperatur
der verschiedenen Materialien her. Dieser Ko-
-2 effizient beträgt eins für Gallium und Aluminium und etwa 10 für As auf einer GaAs-Oberfläche. Der letztere Koeffizient
nimmt auf eins zu, wenn ein Überschuß von Gallium(und/oder Aluminium) auf der Oberfläche vorhanden ist. Deshalb wird, solange
die As -Ankunftsgeschwindigkeit höher ist als die von Gallium und/oder Aluminium, das Wachstum stöchiometrisch
erfolgen. Ähnliche Erwägungen gejten für auftreffende Gallium- und P -Strahlen auf beispielsweise einem GaP-Substrat zu, ebenso
auf Cd und S-Strahlen, die beispielsweise auf ein Glimmersubstrat
auftreffen.
Das Wachstum der gewünschten dotierten epitaktischen Schicht wird bewirkt durch Richten des Mole,kularStrahlenbündels, das
durch die Strahlquellen an den Kollimier rahmen 23 erzeugt wird, auf das Substrat. Die Kollimierrahmen 23 dienen dazu, Geschwin-
409383/0988
digkeitskomponenten im Strahlenbündel, die in andere Richtungen
als in den gewünschten verlaufen, zu eliminieren, d.h. die Strahlenbündel,
die von den Messerkantenöffnungen 48 austreten, weiter einzuengen, wodurch es den gewünschten Strahlenbündel
ermöglicht wird, durch die KoHimieröffnungen 24 hindurch und
an der Substratoberfläche in Reaktion zu treten. Das Wachstum wird solange fortgesetzt, bis die gewünschte Dicke der epitaktischen
Schicht erreicht ist. Diese Methode erlaubt die gesteuerte Züchtung von Schichten, deren Dicken von einer einzigen MonoSchicht
(etwa 3 Angetröm) bis zu mehr als 100. 000 Angström reichen.
Es sei bemerkt, daß die Kollimierrahmen auch dazu dienen,
das Vakuumsystem sauberzuhalten, da sie eine gekühlte Fläche bilden, auf der sich Moleküle (insbesondere As ) kondensieren,
die von der wachsenen Oberfläche reflektiert werden. Wenn andererseits die Strahlquellen selber eine hinreichende
Strahlenbündelkollimation bewirken, ist ein nachgeschalteter
Kollimier rahmen für den Wachstumsprozeß nicht wesentlich.
Die Gründe, die die Verwendung der vorstehend erwähnten
409883/0988
Temperaturbereiche diktieren, können wie folgt verstanden werden.
Die Ill-V-Verbindungen seien als Beispiel betrachtet. Es ist nunmehr bekannt, daß die III- und V-Elemente, die auf der
Oberfläche eines einkristallinen Halbleiters adsorbiert werden, unterschiedliche Kondensations- und Haftungskoeffizienten und
auch unterschiedliche Adsorptionslebensdauer haben. Die V-Elemente
werden praktisch vollständig reflektiert bei fehlenden III-Elementen, wenn das Substrat sich bei der Wachstumstemperatur
befindet. Jedoch kann das Aufwachsen stöchiometrischer
III-V-Halbleiterverbindungen bewirkt werden durch Bereitstellen
von Dämpfen aus III- und V-Elementen an der Substratoberfläche, und zwar mit einem Überschuß an V-Elementen gegenüber den
III-Elementen, wodurch sichergestellt ist, daß das Angebot an III-Elementen gänzlich aufgebraucht wird, während der nichtreagierte
Überschuß an V-Elementen reflektiert wird. In dieser Hinsicht steht der oben erwähnte Substrattemperaturbereich in Beziehung
zur Ankunftsgeschwindigkeit und Oberflächenbeweglichkeit der
Atome, die auf die Oberfläche auftreffen, d.h. die Oberflächentemperatur
muß hoch genug sein (beispielsweise größer als etwa
409883/0988
450 Grad Celsius), daß auftreffende Atome genügend thermische
Energie behalten, um zu günstigen Oberflächenstellen (Potentialmulden) wandern zu können und so die Epitaxieschicht zu bilden.
Je höher die Ankunftsgeschwindigkeit dieser auftreffenden Atome ist, desto höher muß die Substrattemperatur sein. Andererseits
sollte die Substratoberflächentemperatur nicht so hoch sein (z.B. größer als etwa 650 Grad Celsius), daß nichtkongruente
Verdampfung resultiert. Wie von Journal of Physics Chem. Solids, 26, 785 (1965) de/iniert ist, versieht man unter nichtkongruenter Verdampfung die bevorzugte Verdampfung der V-Elemente
vom Substrat, wobei möglicherweise eine neue Phase zurückbleibt, die hauptsächlich die III-Elemente enthält. Allgemein
bedeutet deshalb kongruente Verdampfung, daß die Verdampfungsgeschwindigkeit der III- und V-Elemente gleich sind.
Die Temperaturen der das III-Element enthaltenden Strahlquelle bzw. der die III-V-Verbindung enthaltenden Strahlquelle, die eine
Quelle für V-Moleküle bildet, sind durch die gewünschte Wachstumsgeschwindigkeit
und das speziell benutzte III-V-Verbindungssystem
bestimmt. '
058 83/0 988
Wie erwähnt, treffen ähnliche Bemerkungen auch auf die Züchtung
von Dünnschichten aus einer Verbindung AB zu, wobei A wenigstens, ein Element (beispielsweise ein Element der
Gruppe II oder Ma des periodischen Systems der Elemente) ist, und einen niedrigen Dampfdruck hat, während B wenigstens
ein anderes Element ist (beispielsweise ein Element der Gruppe VI oder Va des periodischen Systems der Elemente) ist, das
den relativ höheren Dampfdruck besitzt.
Wie oben erwähnt, führten die bekannten Molekularstrahlepitaxie methoden
zu anormal hohen Serienwiderständen bei GaAs-Halbleiterbauelementen.
Es wurde gefunden, daß dieser hohe Widerstand, in der Größenordnung von 1. 000 Ohm, herrührte von der Entstehung
von i-Schichten (Bereiche niedriger resultierender Ladungsträgerkonzentration) an der Substrat/Epi-Grenzfläche und/
oder innerhalb der aufwachsenden Epitaxieschicht oder -schichten jedesmal dann, wenn das Wachstum unterbrochen wird. Bei den
bisherigen Molekularstrahlepitaxie-Apparaturen trat eine Unterbrechung
des Wachstums typischerweise immer dann auf, wenn
409883/0988
gewünscht wurde, die Schichtzusammensetzung (beispielsweise
von GaAs in AlGaAs) oder deren Leitungstyp (z. B. von n-Typ in p-Typ) zu ändern, weil sämtliche Strahlquellen in einer einzigen
KüMummantelung mit einem einzigen Verschluß angeordnet waren. Um/vom Züchten einer GaAs-Schicht auf das Züchten
einer angrenzenden AlGaAs-Schicht umzuschalten, war es notwendig,
den Verschluß zuzumachen und so das Wachstum zu unterbrechen, um es dadurch der Al-Strahlquelle zu ermöglichen,
auf die Sublimatioristemperatur aufgeheizt zu werden, wonach dann der Verschluß wieder geöffnet werden konnte. Diese Prozedur
dauerte im Regelfall 5 bis 15 Minuten. In ähnlicher Weise wares beim Übergang von der Züchtung einer η-Schicht auf
die Züchtung einer p-Schicht notwendig, den Verschluß zuzumachen, um eine Abkühlung der den n-Dotierstoff enthaltenden Strahlquelle
und eine Äufheizung der den ρ-Dotier stoff enthaltenden Strahlquelle
auf die Arbeitstemperatur zu ermöglichen. In diesem Zusammenhang ist zu beachten, daß diese Änderungen nicht bei
offenem Verschluß auftreten würden, d.h. die gewünschte abrupte Änderung in der Zusammensetzung und/oder Dotierung zwischen
09083/0 98
aneinander angrenzenden Schichten nicht bewirkt werden könnte. Die der Erfindung vorausgegangenen Versuche zeigten eindeutig
den schädlichen Effekt einer Unterbrechung des Wachstums. So sind mehrere GaAs-Schichten, die für n-Leitung mit Sn dotiert
wurden, gezüchtet worden, wobei die Sn-Ankunftsgeschwindigkeit konstant gehalten wurde (d.h. die Temperatur der Sn-Strahlquelle
konstant gehalten wurde), so daß die resultierende Ladungsträgerkonzentration
^N=(N-N.) über die gesamte Dicke der Schicht
JD Ά.
gleichförmig sein sollte. Bei einem typischen, in Fig. 3 dargestellten
Beispiel wurde die Sn-Strahlquellentemperatur konstant
bei 795 Grad Kelvin während des Wachstums einer 1, 6 Mikrometer dicken GaAs-Schicht gehalten, so daß AN durchweg etwa
1R ^
2 χ 10 /cm hätte betragen müssen. Das Wachstum fand auf
18 einem η-leitenden GaAs-Substrat statt, das mit 2 χ 10 Si-Atomen/
cm dotiert war und auf 560 Grad Celsius erhitzt war. Es wurde
jedoch das Wachstum in drei Stufen und für je unterschiedliche
Zeitdauer unterbrochen. Zuerst eine Minute lang, was zu einer kleinen Abnahme von -^SN" auf etwa 1, 8 χ 10 /cm führte, als
zweites fünf Minuten lang, was zu einer größeren Abnahme von
409883/0988
•Ι Λ q
ΔΝ auf etwa 1, 5 χ 10 /cm führte, und zum dritten 15 Minuten
lang, was zu einer noch größeren Abnahme von ΔΝ auf etwa
8 χ 10 15/ cm3 führte.
Hiernach ist ersichtlich, daß die Abnahme von ΔΝ im Zusammenhang
steht mit der Länge der Zeitspanne, während der der Wachstumsprozeß unterbrochen wird. Obgleich die Abnahme von Δ.Ν
1 fi S
bei einer 15 Minuten langen Unterbrechung etwa 1, 2 χ 10 /cm
betrug, wurden auch größere Abnahmen von 6 χ 10 /cm bei einer
1,5-stündigen Unterbrechung beobachtet. Diese Daten bedeuten, daß,vienn man eine η-leitende GaAs-Epitaxieschicht mit einer
■ι β ο
Ladungsträgerkonzentration von 1 χ 10 /cm (typischer Wert
für Varactoren und Impatt-Dioden) züchten möchte und dabei den Molekularstrahlepitaxieprozeß 15 Minuten bis \, 5 Stunden lang
bei auf 560 Grad Celsius befindlichem Substrat unterbricht, dann
eine i-leitende oder sogar eine p-leitende Schicht entstehen kann,
die in beiden Fällen zu einem hohen Serienwiderstand führt. Zur Überwindung dieses Problems ist erfindungsgemäß das übliche
Molekularstrahlepitaxieverfahren so abgeändert worden, wie
409883/0988
dieses in Fig.' 2 dargestellt ist, so daß ein kontinuierliches
Aufwachsen ermöglicht ist. Der zweite, zu dem hohen Serienwiderstand beitragende Faktor, die an der Subs trat-Epitaxieschicht-Grenzfläche
gebildeten i-Schichten, ist leicht anhand der Fig. 4 verständlich zu machen, die das resultierende Ladungsträge
rkonzentrationsprofil im Substrat vor und nach der Erwärmung unter Vakuum zeigt. Vor der Erwärmung war das
Substrat (bezogen aus kommerziellen Quellen) gleichförmig mit Silizium η-leitend dotiert auf einen Wert von <dN = 2 χ 10 /cm ,
wie dieses durch die Linie I dargestellt ist. Nach einer vier Stunden langen Erhitzung auf 560 Grad. Celsius (eine typische Wachstumstemperatur)
unter Vakuum (beispielsweise in der Kammer 11 bei 10 Torr), nahm AN ab, wurde ungleichförmig und reichte
15 3
von etwa 2 χ 10 /cm an einer ein Mikrometer von der Oberflä-
von etwa 2 χ 10 /cm an einer ein Mikrometer von der Oberflä-
15 3
ehe entfernten Stelle bis zu 6 χ 10 /cm an einer von der Oberfläche
um 2 Mikrometer entfernten Stelle. Die Abnahme von Δ Ν ist kleiner für kürzere Warmbehandlungszeiten, aber führt immer
noch zur Bildung einer i-Schicht. Der Effekt der Bildung eines hohen Widerstandes ist jedoch kleiner, wenn das Substrat
409883/0988
im 10 /cm -Bereich dotiert wird. Je nach Dicke und Ladungsträgerkonzentration
der ersten Epitaxieschicht (Pufferschicht), die auf dem Substrat gezüchtet wird, resultierte die durch die
Warmbehandlung induzierte Abnahme von eiN häufig zu zu beanstandenden
i-Schichten, die zu hohem Serien wider stand beitragen/
Bei einer Ausführungsform des vorliegenden Verfahrens wird
ein hoher Serienwiderstand bei im Molekularstrahlepitaxiever- \ fahren hergestellten mehrschichtigen GaAs-Halbleiterbauelementen
praktisch vollständig vermieden durch die folgenden Schritte, die die grundsätzliche Molekular Strahlepitaxiemethode modifizieren.
(a) Das Substrat wird erst vor dem Wachstumsprozeß und unter
einem überschüssigen As-Druck erhitzt. D.h. der Druck in der
Kammer 11 wird auf etwa 1, 5 x. 10 Torr reduziert und dann
wird die Ga- As-Strahlquelle 13a auf etwa 1160 Grad Kelvin
zum Erhalt von Sublimation erhitzt. Selbst bei geschlossenem
409883/0 98
Verschluß 14 nimmt der "Hintergrund"-Druck von As in der Kammer auf etwa 1, 5 χ 10 Torr zu, so daß der überschüssige
As-Druck vorhanden ist. Alternativ könnte eine getrennte Strahlquelle
zur Erzeugung eines As-MolekularStrahls benutzt werden,
der während der Vorwärmdauer auf das Substrat zu richten sein würde. Es wird also ein n-leitendes 0, 5 mm dickes GaAs-Substrat,
das mit Silizium auf 2 χ 10 /cm dotiert ist, erhitzt, bis seine
Temperatur die Züchtungstemperatur erreicht, die vorzugsweise etwa 560 Gi ad Celsius beträgt. Üblicherweise dauert es etwa
drei Minuten, bis diese Temperatur erreicht ist. Da die Warmbehandlungszeit relativ kurz ist und.da die Warmbehandlung unter
überschüssigem As-Druck stattfindet, ändert sich an der resultierenden
Ladungsträgerkonzentration an der Substratoberfläche nur wenig.
Diese Prozedur reduziert die Anzahl der an der Substrat-Epitaxieschicht-Grenzfläche
erzeugten Einfangzentren oder Defekte wesentlich, indem eine As-Verdampfung vom Substrat unterdrückt und
ein Wechsel der galliumstabilisierten Substratoberflächenstruktur
409883/0988
in eine ärsenstabilisierte Oberflächenstruktur eliminiert wird.
(b) Während des vorausgegangenen Schrittes (a) wurden die Gallium-Strahlquelle 13b und die n-Dotierstoff-Strahlquelle
13f (enthält Sn) auf etwa 1200 bzw. 935 Grad Kelvin erhitzt (alternativ könnte die Strahlquelle 13c anstelle oder in Verbindung
mit der Strahlquelle 13f benutzt werden). Wenn das Substrat 560 Grad Celsius erreicht, werden die Verschlüsse
14 und 14* \(oder alternativ 14 und 14*) geöffnet, um es den
Ga-, As0- und Sn-Molekularstrahlenbündeln zu ermöglichen,
auf die Substratoberfläche auf zutreffen und dadurch ein Auf-
1 ft
wachsen einer η-leitenden, mit beispielsweise 2 χ 10 Sn-
Atomen/cm dotierten Pufferschicht hoher Leitfähigkeit und
einer Dicke von etwa 1 Mikrometer auf der Substratoberfläche zu bewirken.
Versuchsdaten zeigen, daß die Reduzierung der Ladungsträgerkonzentration
an der Substratoberfläche infolge der Vorwärmung
ie ■ O
vor dem Wachstum viel kleiner ist als 2 χ 10 /cm für typische
40Ö863/0988 ■
Vorwärmzeiten (etwa 3 Minuten). Deshalb wird, solange die
Ladungsträgerkonzentration der Pufferschicht oberhalb 2 χ 10 /cm gelegen ist, der Bereich der Substratoberfläche nicht vollständig an Ladungsträgern verarmen, so daß die Entstehung von zu beanstandenden i-Schichten verhindert ist. Der niedrige Serienwiderstand (zwei bis drei Ohm) von Bauelementen, die auf diese Weise hergestellt wurden, unterstützt diese Schlußfolgerung.
Ladungsträgerkonzentration der Pufferschicht oberhalb 2 χ 10 /cm gelegen ist, der Bereich der Substratoberfläche nicht vollständig an Ladungsträgern verarmen, so daß die Entstehung von zu beanstandenden i-Schichten verhindert ist. Der niedrige Serienwiderstand (zwei bis drei Ohm) von Bauelementen, die auf diese Weise hergestellt wurden, unterstützt diese Schlußfolgerung.
(c) Das gewünschte Halbleiterbauelement wird nun auf der Pufferschicht
gezüchtet. Um Verringerungen in der Ladungsträgerkonzentration infolge Wachstumsunterbrechungen zu vermeiden,
wird der Wachstumsprozeß kontinuierlich durchgeführt, und zwar vom Beginn der Züchtung der Pufferschicht bis sämtliche Schichten der Vorrichtung hergestellt sind.
wird der Wachstumsprozeß kontinuierlich durchgeführt, und zwar vom Beginn der Züchtung der Pufferschicht bis sämtliche Schichten der Vorrichtung hergestellt sind.
Kontinuierliches Wachstum wird bewirkt durch Offenlassen des
Verschlusses 14 bei geheizten GaAs- und Ga-Strahlquellen
13a und 13b, um während des gesamten Wachstumsprozesses
Ga- und As -Molekularstrahlenbündel zu erzeugen.
Verschlusses 14 bei geheizten GaAs- und Ga-Strahlquellen
13a und 13b, um während des gesamten Wachstumsprozesses
Ga- und As -Molekularstrahlenbündel zu erzeugen.
40 98 83/0988
Die so gezüchteten Halbleiterbauelemente haben geeignet geringen
Serienwiderstand in der Größenordnung 2 bis 3 Ohm, während die naeh den bekannten Molekularstrahlepitaxiemethoden
hergestellten Bauelemente, bei denen also der Wachstumsprozeß wenigstens einmal unterbrochen wurde, um drei Größenordnungen
größere Serienwiderstände aufwiesen (z.B. 1. 00Ö Ohm).
Die Art und Weise, auf die die Apparatur nach Fig. 1 und 2 zur Herstellung der in Fig. 6 dargestellten AlGaAs-Doppelheterostruktur
benutzt wird, ist nachstehend anhand der Tabelle beschrieben.
Offene Verschlüs- Für Sublimation
Schritt se erhitzte Strahl- Beschreibung
- - .-■-;--■ !-'-■ quellen
keiner
13a-Ga 13b-Ga As 13f-Sn
14,14'
13a, 13b, 13i
13c-Sn (Vorerhitzung)
13d-Al
(Vore rhitzung)
Erzeugung von überschüssigem As-Druck am Substrat, Vorwärmung
auf 560°C
Züchtung einer Pufferschicht
409883/098
Offene Ver- Für Sublimation
Schritt Schlüsse erhitzte Strahl- Beschreibung quellen
3 14,14* 13a, 13b, . Züchtung einer
13c, 13d n-AlGaAs-Schicht
13e-Mg
(Vorerhitzung)
(Vorerhitzung)
4 14,14·* 13a, 13b, 13e Züchtung von ρ-GaAs
13d-Al
(Vor erhitzung)
5 14,14*, 14** 13a, 13b, Züchtung von
13d, 13e p-Al-GaAs
6 14,14** 13a, 13b, 13e Züchtung von p-GaAs
Es ist zu beachten, daß während sämtlicher Wachstums schritte
(2 - 6) der Verschluß 14 offen ist und die GaAs-Strahlquelle 13a sowie die Ga-Strahlquelle 13b für Sublimation erhitzt sind, so
daß kontinuierliches Wachstum sichergestellt ist. Ina Verfahrensschritt
3 wird die Mg-Strahlquelle 13e vorerhitzt bei geschlossenem
Verschluß 14**, und zwar vor der Züchtung einer p-leitenden Schicht im Ve rf ahrens schritt 4. Eine solche Vorerhitzung
erlaubt einen abrupten Wechsel zwischen aufeinander-
A09883/0988
folgenden Schichten entgegengesetzten Leitungstyps durch Schließen des Verschlusses 14* praktisch gleichzeitig mit
dem Öffnen des Verschlusses 14**, wenn der Prozeß von ·
Schritt 3 auf Schritt 4 fortschreitet, ohne daß dabei das Wachstum
selber unterbrochen wird. In ähnlicher Weise wird während der Ve rf ahrens schritte 2 und 4 die Al-Strahlquelle I3d vorerhitzt,
um die Züchtung von AlGaAs während der Verfahrens schritte 3 und 4 vorzubereiten, um so einen abrupten Wechsel
der Zusammensetzung zwischen aufeinanderfolgenden Schichten
zu ermöglichen.
Die Schichten der so hergestellten Doppelheterostrukturen sind
17 IR 3
typischerweise im Bereich von 5x10 -5x10 /cm für Übergangs-Las er dotiert, was wahrscheinlich teilweise wirksam
ist, um die Wirkungen einer i-Schichtbildung zu reduzieren.
Das Problem einer i-Schichtbildung wird jedoch ernster,
wenn Vorrichtungen wie Doppelheterostruktur-Lichtmodulatoren hergestellt werden. Diese Modulatoren erfordern üblicherweise
resultierende Ladungsträgerkonzentrationen in derselben Größen-
409383/098 θ
Ordnung wie die Größe der !Reduzierung der Ladungsträgerkonzentration,
wie diese durch die vorerwähnten Faktoren erzeugt werden, d. h. resultierende Laduhgsträgerkonzentrationen
in der Größenordnung 10 /cm . Andere Klassen derartiger Bauelemente sind spannungsabhängige Kondensatoren
und Impatt-Dioden.
Durch Programmieren der Intensität des Dotierstoff- Molekular Strahlenbündels
wurde gezeigt, daß Mikrowellen-GaAs-BaueIemente
zur Verwendung als variable Kondensatoren hergestellt werden können mit niedrigen Serienwiderständen in der Größenordnung
2-3 Ohm und mit Dotierprofilen, die praktisch jeder vorbestimmten Funktion folgen, beispielsweise
AN=kxm.
Hierin bedeuten ΔίΝΓ = N - N die resultierende Ladungsträgerkonzentration,
k eine Konstante, χ der Abstand oder die Dicke der dotierten Schicht und m eine reelle· Zahl. Wie in Fig. 5
dargestellt, sind GaAs-Schichten mit verschiedenen ^N-Profilen
hergestellt worden: Linie III ist ein konstantes Profil (m = 0);
409383/0988
Kurve IV" ist ein nichtlineares Profil, bei dem m = -1, 5 etwa in
der Nähe der Oberfläche der Epitaxieschicht ist, und Kurve V
ist ein Profil einer abrupten Verringerung von ΔΝ mit zunehmendem
χ.
Einige der zahlreichen Anwendungs fälle dieser Profile sind beispielsweise:
Linie III ein üblicher Varactor; Kurve IV ein hyperabrupter Varactor zur Verwendung beim Abstimmen, Mischen
und bei parametrischer Verstärkung, Kurve V ein "Schnapp"-V ar actor zur Verwendung bei der Erzeugung von Harmonischen
uiid zur Wellenformung, oder eine Impatt-Diode zur Verwendung
als Mikrowellenoszillator. Eine allgemeine Diskussion von Varactoren findet sich in Physics of Semiconductor Devices
von S. M. Sze, Wiley Interscience, John Wiley & Sons, Inc.
(1969), Kapitel 3, Seiten 133-136. Kurz gesprochen kann jedoch ein Varactor gekennzeichnet werden durch zwei wichtige
Parameter, nämlich durch seine Kapazität C und seinen Serienwiderstand R , die zusammen seine Grenzfrequenz f definies'
^ co
ren wie folgt
409383/0988
co 2 tfR C .
Es ist ersichtlich, daß für hohe Grenzfrequenzen der Varactor
niedrige Werte für R und C haben sollte. C wird durch die
Geometrie des Bauelementes und durch die dielektrische Konstante des Materials, aus dem das Bauelement hergestellt ist,
bestimmt. Beispielsweise kann mit Mesa-Strukturen die Kapazität
reduziert werden. Andererseits ist die fundamentale Beschränkung von R gegeben durch die Ladungsträgerbeweglichkeit
im Material, wobei höhere Beweglichkeiten zu niedrigeren Werten
von R führen. Jedoch kann ein hoher Wert von R auch herrühren s s
von einer i-Schichtbildung, wie dieses oben erwähnt ist.
Wie von Sze, a.a.O. gezeigt wird, ist das hyperabrupte Profil von besonderem Interesse, für das gilt:
ΔΝ = kx"3/2
und die Kapazität mit der angelegten Spannung V wie folgt in Beziehung "steht:
409883/0988
Es sei bemerkt, daß nach Sze der Varactor einen pn-Übergang
in Sper richtung verwendet, während in dem nachstehend beschriebenen
Beispiel stattdessen ein Schottky-Sperrschichtkontakt
benutzt wird. Im letzteren Fall gilt
worin V die angelegte Vorspannung und V die Sperrenhöhe
el D
In jedem Fall ist jedoch die Resonanzfrequenz f , wie diese durch Einbau des Varactors in eine reaktive' Schaltung mit
einer spannungsunabhängigen Reiheninduktivität L erhalten wird, gegeben durch
fr 2.T
Sonach ist die Resonanzfrequenz proportinal zur angelegten
Vorspannung V bei festen Werten für L und V... Diese Ver
3. - D
haltensart des Bauelementes ist beim Abstimmen, bei der
409883/0988
Frequenzmodulation und bei der Eliminierung von Verzerrungen nützlich.
Hyperabrupte Varactoren der in Fig. 7 dargestellten Art wurden hergestellt unter Verwendung eines η-leitenden etwa 0, 5 mm dicken
1 ο GaAs-Substrates handelsüblicher Herkunft, das mit 2 χ 10 Si-
3
Atomen/cm dotiert war. Auf dem Substrat wurde im erfindungsgemäßen Molekularstrahlexpitaxieverfahren eine ein Mikrometer dicke Pufferschicht aus η-leitendem GaAs mit einer Dotierung
Atomen/cm dotiert war. Auf dem Substrat wurde im erfindungsgemäßen Molekularstrahlexpitaxieverfahren eine ein Mikrometer dicke Pufferschicht aus η-leitendem GaAs mit einer Dotierung
18 3
von etwa 2 χ 10 Sn-Atomen/cm gezüchtet. Ohne Unterbrechung
des Wachstums wurde dann eine 1* - 2 Mikrometer dicke aktive Schicht aus mit Sn- dotiertem η-leitendem Galliumarsenid gezüchte-t.
Die Intensität des Sn-Molekularstrahlenbündels wurde
dergestalt gesteuert, daß das durch Kurve IV in Fig. 5 dargestellte Dotierungsprofil erhalten wurde. Das Bauelement wir de
dann kontaktiert, wobei der Substratkontakt gebildet wurde durch Anschweißen eines Sn-dotierten Golddrahtes zum Erhalt eines
LegierungsSpitzenkontaktes, während der Kontakt zur aktiven
Schicht (ein Schottky-Sperrschichtkontakt) gebildet wurde durch
409883/098 8
Aufdampfen einer etwa 1500 Angström dicken Goldschicht durch
eine Moledänmaske hindurch mit kreisförmigen Öffnungen unterschiedlichen Durchmessers (z.B. 0, \ 0, 25; 0, 5 mm). Das Verhalten
dieser Halbleiterbauelemente wurde bestimmt und es ergaben sich Serien widerstände von etwa 2-3 Ohm und Grenzfreqüenzen
oberhalb 20 GHz. Kapazitätsänderungen um den Faktor 10 wurden erreicht mit weniger als 3 Volt Vorspannungsänderung.
409883/0988
Claims (11)
1.) Verfahren zum auf einem Substrat erfolgenden Züchten
eines Halbleiterbauelementes mit wenigstens einer epitaktischen Schicht der Zusammensetzung AB, wobei A
und B je mindestens ein Element bedeuten und B einen höheren Dampfdruck als A besitzt,
bei dem das Substrat in einem Behälter unter einem niedrigeren Druck als Atmosphärendruck angeordnet und auf
vorbestimmte Temperatur erwärmt wird und wenigstens ein Molekularstrahlenbündel, der A und B und gegebenenfalls
Dotiermaterial umfaßt, auf das Substrat gerichtet und dadurch das Aufwachsen der epitaktischen Schicht
bewirkt wird, wobei die vorbestimmte Temperatur so ausgewählt wird, daß konkruente Verdampfung von A und B
erzeugt wird, und die Konzentrationen der Bestandteile im Molekularstrahlenbündel so eingestellt sind, daß
AO9883/0988
an der wachsenden Oberfläche ein Überschuß von B gegenüber A vorhanden ist,
da du r c h gekennzeichη et,
daß nach der Vorwärmung des Substrates und vor Beginn des epitaktisehen Wachstums hierauf eine hochleitfähige
Pufferschicht aus Halbleitermaterial aufwachsen gelassen
wird, indem ein oder mehrere entsprechende Molekularstrahlenbündel
auf das Substrat gerichtet werden, wobei im Falle eines Halbleitersubstrates die Pufferschicht im
selben Leitungstyp wie der des Substrates aufwachsen gelassen
wird, und das Aufwaphsenlassen von Pufferschicht sowie der epitaktisehen Schicht in kontinuierlicher Abfolge
ohne Unterbrechung durchgeführt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1,
d a d u rc h gekennzeichnet,
daß für A wenigstens ein Element der Gruppe IHa und für
B wenigstens ein Element der Gruppe Va des periodischen Systems der Elemente verwendet wird und daß das Substrat
988 3/0 08
auf 450-650 C vorgewärmt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß eine epitaktische Schicht aus Al Ga As mit
O < χ < 1, gezüchtet wird.
4. Verfahren nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet,
daß bezüglich des Substrates von GaAs ausgegangen wird und daß die Vorwärmung des Substrates unter überschüssigem
As-Druck durchgeführt wird.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet,
daß für die Pufferschicht GaAs verwendet wird und daß
das Substrat und die Pufferschicht resultierende Ladungs-
18
trägerkonzentrationen von etwa 10 /cm haben.
AO 98 83/0988
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 - 5, dadurch gekennzeichnet,.
daß ein vorbestimmtes Profil der resultierenden Ladungsträge
rk onzentr ation in wenigstens einer epitaktischen Schicht erhalten wird durch geeignete zeitliche Steuerung
der Intensität einer Molekularstrahl-Dotierstoffquelle.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet,
daß das Dotierprofil entsprechend der Formel
ΔΝ ^kx"1·5
hergestellt wird, wobei k eine Konstante und χ die Dicke der epitaktischen Schicht sind, gemessen von der Substratfläche
aus, wodurch ein zur Verwendung als Varactor geeignetes Halbleiterbauelement erhalten wird.
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet,
daß der Wert von AN über die Dicke der Schicht geändert
A09«83/0988
17 ^? "I ^ ^
wird von 1 χ 10 /cm bis 4 χ 10 /cm
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet,
daß das Substrat, die Pufferschicht und die Epitaxieschicht sämtlich im n-Leitungstyp hergestellt werden.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1-6, dadurch gekennzeichnet,
daß die Zugabe von Dotierstoff zur Epitaxieschicht während des Wachstums so 'bewerkstelligt wird, daß die
Schicht eine Zone enthält, in der sich AN über eine Ent-
17 fernung von 5. 000 Angström ändert von 1 χ 10 /cm auf
7 χ 1015/cm3.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 - 10, dadurch gekennzeichnet,
daß ein Schottky-Sperrschichtkontakt auf der epitaktischen Schicht erzeugt wird.
0 9883/09 8
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US373023A US3915765A (en) | 1973-06-25 | 1973-06-25 | MBE technique for fabricating semiconductor devices having low series resistance |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2429634A1 true DE2429634A1 (de) | 1975-01-16 |
Family
ID=23470601
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2429634A Ceased DE2429634A1 (de) | 1973-06-25 | 1974-06-20 | Verfahren zum herstellen eines halbleiterbauelements im molekularstrahl-epitaxieverfahren |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3915765A (de) |
JP (1) | JPS5759655B2 (de) |
CA (1) | CA1021670A (de) |
DE (1) | DE2429634A1 (de) |
FR (1) | FR2234660B1 (de) |
GB (1) | GB1469978A (de) |
IT (1) | IT1014359B (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3028820A1 (de) * | 1980-07-30 | 1982-02-25 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Kapazitaetsvariationsdiode |
Families Citing this family (54)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1528192A (en) * | 1975-03-10 | 1978-10-11 | Secr Defence | Surface treatment of iii-v compound crystals |
US4120705A (en) * | 1975-03-28 | 1978-10-17 | Westinghouse Electric Corp. | Vacuum deposition process for fabricating a CdS--Cu2 S heterojunction solar cell device |
JPS5814644B2 (ja) * | 1975-05-14 | 1983-03-22 | 松下電器産業株式会社 | ヒカリデンソウロノセイゾウホウホウ |
US4037241A (en) * | 1975-10-02 | 1977-07-19 | Texas Instruments Incorporated | Shaped emitters with buried-junction structure |
US4063974A (en) * | 1975-11-14 | 1977-12-20 | Hughes Aircraft Company | Planar reactive evaporation method for the deposition of compound semiconducting films |
US4205329A (en) * | 1976-03-29 | 1980-05-27 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Periodic monolayer semiconductor structures grown by molecular beam epitaxy |
JPS5372A (en) * | 1976-06-24 | 1978-01-05 | Agency Of Ind Science & Technol | Selective doping crystal growing method |
NL7609607A (nl) * | 1976-08-30 | 1978-03-02 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze. |
US4181544A (en) * | 1976-12-30 | 1980-01-01 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Molecular beam method for processing a plurality of substrates |
GB1574525A (en) * | 1977-04-13 | 1980-09-10 | Philips Electronic Associated | Method of manufacturing semiconductor devices and semiconductor devices manufactured by the method |
US4159919A (en) * | 1978-01-16 | 1979-07-03 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Molecular beam epitaxy using premixing |
US4201152A (en) * | 1978-02-27 | 1980-05-06 | Varian Associates, Inc. | Transfer and temperature monitoring apparatus |
US4163237A (en) * | 1978-04-24 | 1979-07-31 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | High mobility multilayered heterojunction devices employing modulated doping |
US4194935A (en) * | 1978-04-24 | 1980-03-25 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Method of making high mobility multilayered heterojunction devices employing modulated doping |
USRE33671E (en) * | 1978-04-24 | 1991-08-20 | At&T Bell Laboratories | Method of making high mobility multilayered heterojunction device employing modulated doping |
GB2030551B (en) * | 1978-09-22 | 1982-08-04 | Philips Electronic Associated | Growing a gaas layer doped with s se or te |
US4239955A (en) * | 1978-10-30 | 1980-12-16 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Effusion cells for molecular beam epitaxy apparatus |
US4261771A (en) * | 1979-10-31 | 1981-04-14 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Method of fabricating periodic monolayer semiconductor structures by molecular beam epitaxy |
EP0031180A3 (de) * | 1979-12-19 | 1983-07-20 | Philips Electronics Uk Limited | Verfahren zum Züchten einer gedopten III-V-Legierungsschicht durch Molekularstrahl-Epitaxie und Halbleitervorrichtung, bestehend aus einem Halbleitersubstrat, bedeckt mit einer epitaxialen gedopten III-V-Legierungsschicht, die durch ein solches Verfahren gezüchtet wird |
US4330360A (en) * | 1980-07-21 | 1982-05-18 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Molecular beam deposition technique using gaseous sources of group V elements |
US4750025A (en) * | 1981-12-04 | 1988-06-07 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Depletion stop transistor |
US4578127A (en) * | 1982-08-13 | 1986-03-25 | At&T Bell Laboratories | Method of making an improved group III-V semiconductor device utilizing a getter-smoothing layer |
US4542580A (en) * | 1983-02-14 | 1985-09-24 | Prime Computer, Inc. | Method of fabricating n-type silicon regions and associated contacts |
US4550411A (en) * | 1983-03-30 | 1985-10-29 | Vg Instruments Group Limited | Sources used in molecular beam epitaxy |
JPS59186367A (ja) * | 1983-04-06 | 1984-10-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
FR2550008B1 (fr) * | 1983-07-27 | 1987-04-24 | American Telephone & Telegraph | Procede de croissance epitaxiale a selectivite spatiale utilisant des faisceaux ioniques |
JPS60194532U (ja) * | 1984-05-31 | 1985-12-25 | ぺんてる株式会社 | インキ式ドツトプリンタ用印字ヘツド |
US4589192A (en) * | 1984-11-02 | 1986-05-20 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Hybrid epitaxial growth process |
US4673475A (en) * | 1985-06-28 | 1987-06-16 | The Standard Oil Company | Dual ion beam deposition of dense films |
AU590327B2 (en) * | 1985-09-09 | 1989-11-02 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of growth of thin film layer for use in a composite semiconductor |
JPS6261315A (ja) * | 1985-09-11 | 1987-03-18 | Sharp Corp | 分子線エピタキシ−装置 |
US4758534A (en) * | 1985-11-13 | 1988-07-19 | Bell Communications Research, Inc. | Process for producing porous refractory metal layers embedded in semiconductor devices |
US4829022A (en) * | 1985-12-09 | 1989-05-09 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Method for forming thin films of compound semiconductors by flow rate modulation epitaxy |
US4833100A (en) * | 1985-12-12 | 1989-05-23 | Kozo Iizuka, Director-General Of Agency Of Industrial Science And Technology | Method for producing a silicon thin film by MBE using silicon beam precleaning |
JPH0834180B2 (ja) * | 1986-08-26 | 1996-03-29 | セイコー電子工業株式会社 | 化合物半導体薄膜の成長方法 |
US4883770A (en) * | 1986-09-19 | 1989-11-28 | Hewlett-Packard Company | Selective NIPI doping super lattice contacts and other semiconductor device structures formed by shadow masking fabrication |
US4920069A (en) * | 1987-02-09 | 1990-04-24 | International Business Machines Corporation | Submicron dimension compound semiconductor fabrication using thermal etching |
GB2204066A (en) * | 1987-04-06 | 1988-11-02 | Philips Electronic Associated | A method for manufacturing a semiconductor device having a layered structure |
GB2211209A (en) * | 1987-10-16 | 1989-06-28 | Philips Electronic Associated | A method of forming a defect mixed oxide |
US4935382A (en) * | 1987-10-30 | 1990-06-19 | American Telephone And Telegraph Company | Method of making a semiconductor-insulator-semiconductor structure |
GB8726639D0 (en) * | 1987-11-13 | 1987-12-16 | Vg Instr Groups Ltd | Vacuum evaporation & deposition |
JPH0751478B2 (ja) * | 1989-11-24 | 1995-06-05 | 新技術事業団 | 化合物結晶のエピタキシャル成長方法 |
JPH03227574A (ja) * | 1990-02-01 | 1991-10-08 | Nec Corp | バラクタダイオードの製造方法 |
US5288657A (en) * | 1990-11-01 | 1994-02-22 | At&T Bell Laboratories | Device fabrication |
JP2706369B2 (ja) * | 1990-11-26 | 1998-01-28 | シャープ株式会社 | 化合物半導体の成長方法及び半導体レーザの製造方法 |
US5422533A (en) * | 1994-03-09 | 1995-06-06 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Piezoelectric resonator |
GB2313606A (en) * | 1996-06-01 | 1997-12-03 | Sharp Kk | Forming a compound semiconductor film |
US5770475A (en) * | 1996-09-23 | 1998-06-23 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Crystal growth method for compound semiconductor |
US8222052B2 (en) * | 2009-12-01 | 2012-07-17 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Method for growth of dilute-nitride materials using an isotope for enhancing the sensitivity of resonant nuclear reation analysis |
JP2013004545A (ja) * | 2011-06-10 | 2013-01-07 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 半導体基板の製造方法および半導体基板 |
JP5760747B2 (ja) * | 2011-06-28 | 2015-08-12 | 富士通株式会社 | 分子線結晶成長装置及び半導体装置の製造方法 |
US10215796B2 (en) | 2015-05-11 | 2019-02-26 | Northwestern University | System and method for deducing charge density gradients in doped semiconductors |
WO2019161498A1 (en) * | 2018-02-21 | 2019-08-29 | Anyon Systems Inc. | Apparatus and method for molecular beam epitaxy |
CN109444331B (zh) * | 2018-09-30 | 2020-08-28 | 中国科学技术大学 | 一种超高真空加热装置及其加热方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3473978A (en) * | 1967-04-24 | 1969-10-21 | Motorola Inc | Epitaxial growth of germanium |
US3721583A (en) * | 1970-12-08 | 1973-03-20 | Ibm | Vapor phase epitaxial deposition process for forming superlattice structure |
US3783009A (en) * | 1971-02-22 | 1974-01-01 | Air Reduction | Method for improving perfection of epitaxially grown germanium films |
US3751310A (en) * | 1971-03-25 | 1973-08-07 | Bell Telephone Labor Inc | Germanium doped epitaxial films by the molecular beam method |
JPS4837089A (de) * | 1971-09-13 | 1973-05-31 | ||
US3821777A (en) * | 1972-09-22 | 1974-06-28 | Varian Associates | Avalanche photodiode |
-
1973
- 1973-06-25 US US373023A patent/US3915765A/en not_active Expired - Lifetime
-
1974
- 1974-01-30 CA CA191,270A patent/CA1021670A/en not_active Expired
- 1974-03-29 FR FR7411443A patent/FR2234660B1/fr not_active Expired
- 1974-06-18 GB GB2688374A patent/GB1469978A/en not_active Expired
- 1974-06-20 DE DE2429634A patent/DE2429634A1/de not_active Ceased
- 1974-06-21 IT IT68983/74A patent/IT1014359B/it active
- 1974-06-25 JP JP49071949A patent/JPS5759655B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3028820A1 (de) * | 1980-07-30 | 1982-02-25 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Kapazitaetsvariationsdiode |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5759655B2 (de) | 1982-12-15 |
US3915765A (en) | 1975-10-28 |
FR2234660A1 (de) | 1975-01-17 |
FR2234660B1 (de) | 1978-01-13 |
CA1021670A (en) | 1977-11-29 |
GB1469978A (en) | 1977-04-14 |
IT1014359B (it) | 1977-04-20 |
JPS5034470A (de) | 1975-04-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2429634A1 (de) | Verfahren zum herstellen eines halbleiterbauelements im molekularstrahl-epitaxieverfahren | |
DE69230260T2 (de) | Halbleiteranordnung auf nitridbasis und verfahren zu ihrer herstellung | |
DE69229265T2 (de) | Verfahren zur herstellung und dotierung hochisolierender dünner schichten aus monokristallinem galliumnitrid | |
DE2214404C3 (de) | Verfahren zum Herstellen epitaktischer Dünnschichten im Molekularstrahl-Epitaxieverfahren | |
DE2538325C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen | |
DE112007001605B4 (de) | Zinkoxiddünnfilm vom p-Typ und Verfahren zur Ausbildung desselben und lichtemittierendes Element | |
DE3823249C2 (de) | ||
DE60037526T2 (de) | P-typ zinkoxid-einkristall mit niedrigem widerstand und herstellungsverfahren dafür | |
DE3739639C2 (de) | ||
DE69322565T2 (de) | Diamant-Halbleiteranordnung | |
DE2618733A1 (de) | Halbleiterbauelement mit heterouebergang | |
DE3135393A1 (de) | Verfahren zum herstellen einer lichtempfindlichen amorphen legierung und diese enthaltendes bauelement | |
DE102005006766A1 (de) | Niedrig dotierte Schicht für ein nitrid-basiertes Halbleiterbauelement | |
DE3119481A1 (de) | Verfahren zum herstellen einer p-leitfaehigen halbleiterlegierung | |
DE112016005017T5 (de) | Epitaxialsubstrat für halbleiterelemente, halbleiterelement und produktionsverfahren für epitaxialsubstrate für halbleiterelemente | |
DE4009837A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer halbleitereinrichtung | |
DE102012025774B3 (de) | Verfahren zur Herstellung von Photovoltaikelementen mit Gruppe-III/V-Halbleitern | |
DE1185293B (de) | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung | |
DE2734203A1 (de) | Hetero-uebergangslaser | |
DE69005179T2 (de) | Anordnungen mit einer asymmetrischen Delta-Dotierung. | |
DE19622704A1 (de) | Epitaxialwafer und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE68901735T2 (de) | Verfahren zur herstellung von halbleitenden einkristallen. | |
DE69106646T2 (de) | Herstellungsverfahren für eine blaues Licht emittierende ZnSe-Vorrichtung. | |
DE3124456C2 (de) | Halbleiterbauelement sowie Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE2522921A1 (de) | Molekularstrahl-epitaxie |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8131 | Rejection |