DE2734203A1 - Hetero-uebergangslaser - Google Patents
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- 230000007704 transition Effects 0.000 title description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 43
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 25
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 14
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims 1
- 230000008707 rearrangement Effects 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 20
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 11
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 9
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 8
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 6
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 2
- 229910001423 beryllium ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- PWOSZCQLSAMRQW-UHFFFAOYSA-N beryllium(2+) Chemical compound [Be+2] PWOSZCQLSAMRQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- -1 ionized beryllium Chemical compound 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
- H01L21/2654—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in AIIIBV compounds
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
- H01L21/2654—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in AIIIBV compounds
- H01L21/26546—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in AIIIBV compounds of electrically active species
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
- H01L21/2654—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in AIIIBV compounds
- H01L21/26546—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in AIIIBV compounds of electrically active species
- H01L21/26553—Through-implantation
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
- H01L29/2003—Nitride compounds
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
- H01L29/201—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds including two or more compounds, e.g. alloys
- H01L29/205—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds including two or more compounds, e.g. alloys in different semiconductor regions, e.g. heterojunctions
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
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- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/0004—Devices characterised by their operation
- H01L33/002—Devices characterised by their operation having heterojunctions or graded gap
- H01L33/0025—Devices characterised by their operation having heterojunctions or graded gap comprising only AIIIBV compounds
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- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
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Description
Böblingen, den 28. Juli 1977 bu-cn/bb
Anmelderin: International Business Machines Corporation, Armonk, N.Y. 10504
Aktenzeichen der Anmelderin: YO 976 044
Vertreter: Patentanwalt
Dipl.-Ing. Robert Busch Böblingen
Bezeichnung: HETERO-ÜBERGANGSLASER
809807/0688
Die Erfindung betrifft eine Anordnung, wie sie dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 zu entnehmen ist. Heteroübergangs-Diodenlaser
finden dank ihrer vorteilhaften Eigenschaften mehr und mehr Anwendung. Bei derartigen Anordnungen zeigt sich aber
ein schwerwiegender Nachteil, nämlich der, daß eine große Klasse von Halbleiterverbindungen mit an und für sich brauchbaren
und nützlichen Eigenschaften bei Laseranwendung jedoch eine Erscheinung zeigt, die als Selbstkompensation bekannt geworden
ist, so daß infolgedessen der Leitungsfähigkeitstyp hierfür in
der Regel auf den N-Typ beschränkt bleibt.
An anderer Stelle sind allerdings Mittel und Wege vorgeschlagen,
um selbstkompensierenden Verbindungs-Halbleitermaterialien eine P-Leitfähigkeit zu erteilen. Die somit erschlossene Möglichkeit
eröffnet damit einer ganzen Klasse von Verbindungs-Halbleitermaterialienneue
Anwendungsmöglichkeiten mit einem weiten Bereich physikalischer Eigenschaften.
Die Aufgabe der Erfindung besteht deshalb darin, einen Heteroübergangs-Diodenlaser
bereitzustellen, der aus einem selbstkompensierenden Verbindungshalbleiter, zumindest im Bereich
einer Zone, besteht.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe gelöst, wie es dem Kennzeichen des Patentanspruchs 1 zu entnehmen ist. Zur Herstellung
eines derartigen Diodenlasers wird also zunächst eine Zone, bestehend aus einem selbstkompensierenden Verbindungs-Halbleiter,
auf einen anderen Halbleiter aufgebracht, um dann anschließend entsprechend den Anforderungen die Zone mit dem
selbstkompensierenden Halbleiter in die P-Leitfähigkeit zu bringen. So lassen sich gemäß der Erfindung Heteroübergangs-Diodenlaser
mit zwei oder mehr aneinanderstoßenden Zonen bereitstellen.
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S"
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind den Unteransprüchen
zu entnehmen.
Die Erfindung wird anschließend in einer Ausführungsbeispielsbeschreibung
mit Hilfe der unten aufgeführten Zeichnungen näher erläutert.
Es zeigen:
Fig. 1 eine schematische Ansicht eines Heteroüber-
gangs-Diodenlasers, bestehend aus zwei Zonen
gemäß der Erfindung,
Fig. 2 eine schematische Ansicht eines Doppe1-Hetero-
übergangs-Diodenlasers gemäß der Erfindung,
Fig. 3 eine perspektivische Ansicht eines Doppel-
Heteroübergangs-Diodenlasers gemäß der Erfindung.
Das Phänomen der Selbstkompensation in Verbindungshalbleitern ist begleitet vom Auftreten nur eines Leitfähigkeitstyps, nämlich
N, so daß Halbleiter dieser Art für viele Verwendungszwecke an sich unbrauchbar sind. Dieses Phänomen zeigt sich, :
wenn immer ein Element des Verbindungshalbleiters genügend Gitterstörungen hervorruft, üblicherweise Leerstellen, die die jeweilige
Fremdatomkonzentration des verlangten Leitfähigkeitstyps kompensieren. In der Praxis hat sich herausgestellt, daß
das Phänomen die P-Leitfähigkeit bei Halbleitern mit großer Bandlücke zu verhindern vermag, wobei Anionen-Leerstellen zahljreicher
sind als Kationen-Leerstellen. Liegt bei einem derartigen Halbleiter das Ferminiveau nahe dem Valenzband, jedoch
mit einem wesentlichen Abstand von einem höheren, dem jDonator-Ionisationsniveau, dann läßt sich die Gesamtenergie
!des Halbleiters durch Hervorrufen einer Anionen-Leersteile
vermindern, indem diese auf ihren Donatorzustand ionisiert '
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_. g —
(ο
wird, wobei dann das freiwerdende Elektron auf das Ferminiveau abfallen kann. Dieser Vorgang läßt sich das Ferminiveau
vom Valenzband entfernen, so daß normalerweise die P-Leitfähigkeit unterdrückt wird. Dank der Erfindung jedoch werden
Strukturen bereitgestellt, die dennoch eine P-Leifähigkeit bei derartigen Halbleitern auftreten lassen können.
In Fig. 1 ist eine HeteroÜbergangs-Diodenstruktur gezeigt, deren Zone 2 aus einem üblichen Halbleiter und deren Zone 3 aus
einem selbstkompensierten Halbleiter besteht, so daß sich ein P-N-Ubergang 4 zwischen diesen Zonen 2 und 3 ergibt. Beide
Zonen sind mit entsprechenden Elektrodenanschlüssen 5 und 6 versehen.
Die Möglichkeit, einem selbstkompensierenden Verbindungshalbleiter sowohl N- als auch P-Leitfähigkeit zu verleihen, gestattet der Zone 2 eine freiere Gestaltung des Leitfähigkeitstyps und des spezifischen Widerstandes.
Als Beispiel für eine HeteroStruktur läßt sich gemäß der Erfindung die Zone 2 aus Galliumnitrid (GaN) und die Zone 3 aus
Aluminiumnitrid (AlN) herstellen. Die Umwandlung vom P-Leitfähigkeitstyp erfolgt durch Bombardierung mit geladenen Teilchen. Diese geladenen Teilchen können Elektronen, Protonen oder
Ionen sein. Dies steht in gewisser Weise im Gegensatz zu üblicher Ionenimplantation zum Zwecke der Leitfähigkeitstyps-Änderung, wobei die Konzentration der implantierten Fremdatome die
ursprünglich vorhandene Konzentration von Fremdatomen weit überwiegt. Hiermit ist jedoch eine beträchtliche Schädigung des
Kristallgitters verbunden, so daß erst durch Aufheizen das Dotierungsniveau zur Wirkung kommen kann. Die Ionenimplantationsverfahren führen zu breiten übergängen.
Mit anderen Worten, bei der Erfindung wird das Atomgefüge im Kristall umgeordnet, um die gewünschte Leitungsfähigkeit hervor)-
zurufen; wohingegen die Ionenimplantation zur Dosierung der je-j
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weiligen Leitungsfähigkeit eine entsprechende Anzahl von Ionen
vom Halbleiter aufnehmen läßt. Die sich dabei ergebende Struktur besitzt in der Zone 2 eine Bandlücke von etwa 3,39 eV und
in der Zone 3 eine Bandlücke von etwa 6,2 eV.
Ein derartiges Halbleiter-Bauelement läßt sich unter Anwendung eines Verfahrens, wie es von H. Maruska und J. Tietjen in
"Applied Physics Letters", Bd. 15, Nr. 10, 15. November 1969, beschrieben ist, bereitstellen, wie nachstehend ausgeführt.
Eine langgestreckte Röhre ist von einem Gas durchströmt, bei dem Chlorid zum Transport metallischen Galliums dient, um anschließend
eine Reaktion dieser Transportprodukte mit Ammoniak durchführen zu lassen, so daß sich GaN auf einer aus einem
Saphir-Einzelkristall (Al2O.) gebildeten Substratoberfläche
niederschlägt. Da die 2Zone 3 aus Aluminiumnitrid besteht, wird
vorzugsweise eine (111)-Orientierung angewendet. Die für vorliegenden
Zweck geeigneten Saphirsubstrate sind mechanisch zu einer spiegelblanken Oberfläche poliert und anschließend in
einer Wasserstoffatmosphäre bei 1200 0C vor Einsetzen in die
Kristall-aufwachs-Apparatur behandelt. Typische Substratabmessungen
sind etwa 2 cm bei einer Dicke von 0,25 mm. Zum Kristallwachstum werden frisch behandelte Substrate in die Niederschlagszone
der Kristallwachstumskammer eingebracht und in Wasserstoff mit einer Rate von etwa 20 °C/Min. aufgeheizt. Ist
die endgültige Kristallwachstumstemperatur erreicht, dann setzt die ΝΗ-,-Strömung ein, und nach einem Zeitraum von etwa 15 Minuten,
einer Zeit, bei der sich die NH.,-Konzentration auf einen
endgültigen Wert einstellen kann, wird eine HCl-Strömung eingeleitet,
die den Transport des metallischen Galliums übernimmt, so daß der Niederschlag von GaN erfolgen kann.
Die Strömungsraten der HCl- und NH3-GaSe betragen 5 bzw.
4OO cm pro Minute, wobei zusätzlich 2,5 1 Wasserstoff pro
Minute als Trägergas Verwendung finden.
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Die Zone 2 besitzt dann N-Leitfähigkeit. Nebenbei bemerkt,
läßt sich GaN mit anderer als N-Leitfähigkeit nicht leicht herstellen. Die Zone 3, bestehend aus einem selbskompensierten
Halbleiter, wird anschließend aufgebracht. Bei Anwendung von Aluminiumnitrid (AlN) wird die Zone 3 auf die oben genannte
Zone 2 mit Hilfe eines Verfahrens, wie es von R. F. Rutz in "Applied Physics Letters", Bd. 28, Nr. 7, April 1976, beschrieben
ist, aufgebracht.
Hierbei läßt man eine 1 pm dicke Schicht von AlN mit Hilfe hochfrequenter, reaktiver Verstäubung bei etwa 1000 0C auf der
Zone 2 aufwachsen. Die sich hierbei ergebende Schicht dient zur Keimbildung für ein Kristallwachsturnsverfahren, das sich
durch Einbringen des jeweiligen Substrats mit der AlN-überzogenen GaN-Zone 2 des Substrates, also der AlN-Fläche, nach unten
auf eine polykristalline, gesinterte AlN-Quellenscheibe gerichtet,
in einen Wolframtiegel unter Aufheizen auf etwa 1850 0C
in einem aus 15 % Wasserstoff und 85 % Stickstoff bestehenden Formiergas durchführen läßt. Ein vertikaler Temperaturgradient
gestattet den Übergang von AlN von der gesinterten Quelle auf das Substrat, um so einkristalline Epitaxieschichten zu bilden.
Die aus AlN bestehende Zone 3 ist aufgrund des Se lbs tkompens actions-Phänomens vom N-Leitfähigkeitstyp, wie sie es auch von
Natur aus zu sein pflegt. Die Zone 3 wird nun gemäß der Erfindung durch Bombardierung mit Protonen (H ) je nach gewünschtem {
spezifischen Widerstand unter Kombination mit Akzeptorfremd- [
atomen, wie Beryllium, also ionisiertem Beryllium, bombardiert^
Die hierdurch bedingte Umwandlungstiefe legt dabei gleichzei- j tig die örtliche Lage des PN-Ubergangs fest. Die sich hieraus i
ergebende HeteroStruktur läßt sich in vorteilhafter Weise als Gleichrichter oder optoelektronisches Bauelement verwenden, i
wobei elektrische Signale den Elektrodenanschlüssen 5 und 6 zu4 geführt, oder wenn über Zone 1 Licht absorbiert wird, abgeführt
werden. i
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- nr-
Der in Fig. 2 gezeigte Doppelheteroübergangs-Diodenlaser besteht
in beiden Zonen 11 und 12 aus einem selbstkompensierenden Verbindungshalbleiter, welche jeweils mit der Zone 15,
einem Halbleiter mit entgegengesetztem Leitfähigkeitstyp, einen
PN-Übergang 13 und 14 bilden. Die Elektrodenanschlüsse 16 und 17 gestatten dabei die praktische Verwendung. Die Leitfähigkeitsbezeichnungen
N und P sind hier lediglich zur Erläuterung vorgesehen und beruhen nicht auf Materialerfordernisse, da ja
gemäß der Erfindung sowohl N als auch P-selbstkompensierte Verbindungshalbleiter zum Aufbau von Heteroübergangs-Halbleiterbauelementen
Verwendung finden können.
Das Halbleiterbauelement gemäß Fig. 2 läßt sich als Hochtemperaturtransistor,
optischer Modulator, lichtemittierendes Halbleiterbauelement oder als Halbleiter-Diodenlaser durch Anlegen
entsprechender Signale über Elektrodenanschlüsse 16 und 17 verwenden.
Das Heteroübergangs-Halbleiterbauelement gemäß Fig. 2 verwendet
zum Aufbau der Zonen 11 und 12 Aluminiumnitrid und zum Aufbau der Zone 15 Galliumnitrid, indem das Aufwachsen wie
oben angegeben durchgeführt werden kann. Hierbei wird die Zone 11, bestehend aus Aluminiumnitrid, auf einem (111)-Substrat,
bestehend aus Wolfram oder Aluminiumoxid, durch hochfrequentes, reaktives Zerstäuben bei 1000 0C in 1-um-Stärke aufgebracht.
Diese Schicht dient zur Keimbildung für das Kristallwachstum, wenn das mit Aluminiumnitrid überzogene Substrat mit der AlN-Schicht
nach unten auf einen polykristallinen, gesinterten AlN-Quellenwafer gerichtet, in einen Wolframtiegel eingegeben
wird, um dann auf eine Temperatur von ungefähr 1850 C in einer Gasatmosphäre aufgeheizt zu werden, die aus 15 % Wasserstoff
und 85 % Stickstoff besteht. Ein vertikaler Temperaturgradient bewirkt dabei den Transport von AlN von der Quelle zum Substrat
zwecks Niederschlags einer Epitaxieschicht.
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Die aus Galliumnitrid bestehende Zone 12 wird dann, wie ebenfalls oben beschrieben, auf Zone 11 aufgebracht. Chlorid als
Trägergas dient zum Transport von metallischem Gallium bei anschließender Reaktion der Transportprodukte mit Ammoniak, um
auf die Zone 11 Galliumnitrid niederzuschlagen. Galliumnitrid ist hierbei N-leitend. Die Strömungsraten des reinen HCl und
NH_ betragen etwa 5 bzw. 400 om pro Minute, wobei zusätzlich
2,5 1 Wasserstoff pro Minute als Trägergas dienen. Mit diesen Strömungsraten, einer Substrattemperatur von 825 0C, einer
Gallium-Zonentemperatur von 900 0C und einer Mittelzonentemperatur,
nämlich der Temperatur der Zone zwischen Gallium und Niederschlagszonen, von 925 0C lassen sich Wachsturnsraten von
etv/a 0,5 jam/min im eingefahrenen Zustand erzielen. Typische
Niederschlagsdicken für Zone 12 liegen in der Größenordnung von 50 bis 150 pm. Das während des Wachstumsprozesses durchgeführte
Dotieren erfolgt durch Zuführen der Fremdatome in die Kristallwachstumsanordnung entweder in Form eines entsprechenden
Hydrids oder durch direkte Verdampfung des betreffenden Elements in das Wasserstoffträgergas.
Die Zone 12 wird dann unter Anwenden des Verfahrens für Zone aufgebracht. Da beide Zonen 11 und 12 normalerweise N-leitend
sind, muß zunächst die Schichtstruktur vom Substrat entfernt werden, um in die P-Leitfähigkeit umgewandelt zu werden. Dies
geschieht entweder durch Bombardierung mit geladenen Teilchen oder mittels einer Kombination von Akzeptorenimplantation mit
Bombardement, wie es an anderer Stelle vorgeschlagen ist.
Als nächstes wird die Herstellung eines Doppelheteroübergangs-Bauelements
in Form eines Halbleiter-Diodenlasers gezeigt. Bei \ dieser Art Halbleiterbauelementen wird elektrische Energie in
einer Zone, die gleichzeitig eine hohe Ladungsträgerdichte beizubehalten und Photonen einzuschließen vermag, in elektrische
Energie umgesetzt. Gemäß der Erfindung gestattet die Flexibili·+ tat in der Verwendung von selbstkompensierenden Verbindungshalbleitern für beide Leitungsfähigkeitstypen die Verwendung
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von Halbleitern größerer Bandlücke und höherem Brechungsindex bei Heteroübergangs-Diodenlasern als es je zuvor der Fall gev/esen
ist. Bei dieser Art von Bauelement wird angestrebt, daß der optische Resonator, wo die Ladungsträgerbesetzungsumkehr stattfinden
soll, eine solche Bandlücke aufweist, daß Licht mit der gewünschten Frequenz hervorgerufen wird, wobei dann außerdem
noch die Forderung besteht, daß diese Bandlücke geringer ist als die der hieran jeweils angrenzenden Zonen. Aus Gründen des
Wirkungsgrads wird angestrebt, den optischen Resonator zum Erzielen hoher Ladungsträgerkonzentration bei geringem Strom
so klein wie möglich zu halten, neben dem Bestreben, einen höheren Brechungsindex zu erzielen, als er für die daran angrenzenden
Zonen vorliegt. Erfindungsgemäß läßt sich selbstverständlich auch ein Heteroübergangs-Diodenlaser mit nur
einem PN-Übergang verwenden.
In der perspektivischen Darstellung nach Fig. 3 besteht der Heteroübergangs-Diodenlaser aus einer Halbleiterstruktur 20,
die auf einem leitenden Substrat 21 montiert ist. Die Halbleiterstruktur
20 enthält eine Zone 22 des einen Leitungsfähigkeitstyps,
z.B. N, bestehend aus einem sebstkompenslerenden Verbindungshalbleiter. Die Halbleiterstruktur 20 enthält
außerdem eine Zone 23, bestehend aus einem Halbleiter, der hinsichtlich seiner Bandlücke und seinem Brechungsindex ausgewählt
ist. Da der Leitungsfähigkeitstyp der Zone 23 der gleiche wie der für die Zone 22, also z.B. N, sein kann, ergibt
! sich eine beträchtliche Flexibilität in der Auswahl. Die
j Halbleiterstruktur 20 besteht aus einer äußeren Schicht 24 i aus selbstkompensierendem Halbleitermaterial des P-Leitungs-I
fähigkeitstyps, so daß sich mit der Zone 23 ein PN-Übergang 25 ergibt. Die Elektrodenanschlüsse 26 und 27 dienen wie üblich
■ zum Betrieb des sich ergebenden Heteroübergangs-Diodenlasers.
ι Dadurch, daß die Seitenflächen 28 und 29 parallel zueinander
ausgerichtet sind und einen entsprechenden Abstand zueinander besitzen, ergibt sich eine Fabry-Perot-Interferometeranordnungi
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Da es vorteilhaft ist, wenn die Bandlücke in den Zonen 22 und 24 größer als in der Zone 23 ist, und wenn der Brechungsindex
in den Zonen 22 und 24 geringer als in der Zone 23 ist, wird zweckmäßigerweise als selbstkompensierender Verbindungshalbleiter
Aluminiumnitrid zur Bildung der Zonen 22 und 24 und Galliuinnitrid (GaN) oder Galliumaluminiumnitrid (Ga1 Al N)
als Halbleiter für die Zone 23 verwendet.
Die Dimensionen für die Zonen 22 und 24 liegen dickenmäßig im Bereich zwischen 0,1 bis 5 pm. Die Dicke der Zone 23 als optischer
Resonator sollte im Bereich zwischen 500 bis 5000 A liegen. Der Substratkontakt 21 besteht aus Aluminium und die
mit dem Elektrodenanschluß 27 verbundene Elektrode sollte vorteilhafterweise eine große Austrittsarbeit aufweisen, wie es
z.B. für Beryllium oder Gold der Fall ist. Die Fabry-Perot-Interferometerflachen
28 und 29 lassen sich mit Hilfe von üblichen Verfahren des Abspaltens und Polierens streng parallel
zueinander gestalten. Die Zone 22 wird gemäß oben beschriebenem Verfahren wie folgt gebildet:
Zunächst wird eine μπ\ dicke Schicht aus Aluminiumnitrid epitaxial
auf (111)-orientiertes, einkristallines Wolfram oder auf Saphir mit entsprechenden Eigenschaften mittels hochfrequenter,
reaktiver Zerstäubung bei einer Temperatur von 1000 0C niedergeschlagen. Diese Schicht dient, wie gesagt,
als Keimbildungsschicht für weiteres Kristallwachstum, bei dem dann das Substrat mit der AlN-Schicht nach unten auf eine AlN-gesinterte
Quellenscheibe gerichtet in einem Wolframtiegel auf eine Temperatur von etwa 1850 C in einer Gasatmosphäre, bestehend
aus 15 % Wasserstoff und 85 % Stickstoff, aufgeheizt wird. Ein vertikaler Temperaturgradient bewirkt den Transport
von AlN, der aufrechterhalten bleibt, bis eine Dicke im Bereich zwischen 1 bis 5 jum erreicht ist. Die dabei niedergeschlagene
AlN-Schicht ist N-leitend wegen der Leerstellenselbstkompensation
auf Zone 22 als Substrat. Die Zone 23 wird unter Verwendung von Galliumnitrid unter Anwendung des ebenfalls
oben beschriebenen Verfahrens wie folgt gebildet:
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Mittels Chloridträgergas transportiertes metallisches Gallium reagiert am Niederschlagsort mit Ammoniak (NH-), so daß sich
ein Galliumnitridniederschlag auf der Zone 22 als Substrat bildet. Die Strömungsraten von HCl und NH_ betragen 5 bzw.
400 cm pro Minute und zusätzlich wird Wasserstoff als Trägergas mit einer Strömungsrate von 2,5 1 pro Minute verwendet.
Die Galliumzonentemperatur beträgt 900 °C, die Temperatur der Zone 22 825 0C und die Temperatur der Zone zwischen Galliumquelle
und Substrat beträgt 925 0C. Unter diesen Voraussetzungen
liegen Wachstumsraten von etwa 0,5 um pro Minute vor, wobei der Wachstumsprozeß fortgesetzt wird, bis Schichtdicken
zwischen 500 bis 5000 8 erreicht sind. Der Leitfähigkeitstyp
des aufgewachsenen Galliumnitrids ist dabei N.
Die Zone 24 wird dann unter Verwendung des gleichen Verfahrens wie zur Bildung der Zone 22 aufgebracht, wobei die Zone 23
ihrerseits als Substrat dient. Als hierbei zu verwendende Fremdatomquelle zur Bereitstellung des P-Leitungsfähigkeitstyps
dient Beryllium. Die Zone 24 wird in einer Schichtdicke zwischen 0,1 und 5 pm aufgetragen. Anschließend wird dann die
Zone 24 vom N-Leitungsfähigkeltstyp in den P-Leitungsfähigkeitstyp
umgewandelt. Ein BerylIium-überzug wird auf die Zone
24 aufgebracht und eine Beryllium-Ionenquelle im Rahmen eines üblichen Ionenimplantationsverfahren dient zur Einbringung von
Beryllium. Das Beryllium-Bombardement selbst findet mit einer Leistung von 140 kW statt. Der Beryllium-Überzug dient als
Teil der mit dem Elektrodenanschluß 27 verbundenen Elektrode. Das aus Aluminiumoxid oder Wolfram bestehende Substrat wird
anschließend durch eine mit dem Elektrodenanschluß 26 in Verbindung stehende Aluminiumelektrode ersetzt. Abschließend
sei darauf hingewiesen, daß die Herstellungsverfahrensschritte derart vorgenommen sind, daß sich Hochtemperaturverfahrensschritte
nach Umwandlung in den P-Leitungsfähigkeitstyp weitgehend erübrigen.
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809807/0586
-AH-Le e rs β i t e
Claims (1)
- PATENTANSPRÜCHEHeteroübergangs-Diodenlaser, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens eine Zone aus N-leitendem Galliumni- ψ trid und mindestens eine weitere zweite Zone aus einer e»i Aluminiumnitrid enthaltenden, selbstkompensierenden "" Halbleitersubstanz besteht, die über Umordnung des Atomgefüges in P-Leitfähigkeit gebracht ist.Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß erste und zweite Zonen, bestehend aus Aluminiumnitrid, jeweils einen P-W-übergang mit einer dritten Zone, bestehend aus Galliumnitrid, bilden.Anordnung nach Anspruch 1 und/oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Zone aus N-leitendem Material, die zweite Zone aus N-leitendem, gegenüber der ersten Zone unterschiedlichem Material besteht, jedoch benachbart zur ersten Zone angebracht ist, und daß die dritte Zone aus P-leitendem, selbstkompensierendem Halbleitermaterial besteht und mit der zweiten Zone einen P-N-übergang bildet.4. Anordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die ersten und dritten Zonen aus Aluminiumnitrid und die zweite Zone aus Galliumnitrid besteht.5. Anordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Zone aus Calliumaluininiumnitrid (Ga1- Al N)I ™*it Jibesteht.6. Anordnung nach den Ansprüchen 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der optische Resonator aus Galliumnitrid und die daran grenzenden Außenzonen aus Aluminiumnitrid bestehen.Yo 976 044 8098 07/0586ORIGINAL INSPECTED7. Anordnung nach den Ansprüchen 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der optische Resonator aus Galliumaluminiumnitrid (Ga, Al N) besteht.I "™X Xb. Anordnung nach den Ansprüchen 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß eine P-leitende AIN-Zone als eine der
Elektroden vorgesehen ist, und daß mindestens eine der P-leitenden Zonen des Diodenlasers aus Be-dotiertem
AlN besteht, welche nach Dotierung mit 100 bis 1OOO-eV-Protonen bombardiert ist.YO 976 044 809807/0586
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US71316376A | 1976-08-10 | 1976-08-10 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2734203A1 true DE2734203A1 (de) | 1978-02-16 |
Family
ID=24865023
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19772734203 Withdrawn DE2734203A1 (de) | 1976-08-10 | 1977-07-29 | Hetero-uebergangslaser |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5320882A (de) |
CA (1) | CA1095154A (de) |
DE (1) | DE2734203A1 (de) |
GB (1) | GB1585827A (de) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5542858A (en) * | 1978-09-21 | 1980-03-26 | Seiko Epson Corp | Ink-jet recorder for colored picture |
JPS55145773A (en) * | 1979-04-28 | 1980-11-13 | Canon Inc | Recording liquid |
JPS55145774A (en) * | 1979-05-02 | 1980-11-13 | Seiko Epson Corp | Ink jet recording ink |
US4380018A (en) * | 1980-06-20 | 1983-04-12 | Sanyo Denki Kabushiki Kaisha | Ink droplet projecting device and an ink jet printer |
JPS6040474B2 (ja) * | 1980-12-01 | 1985-09-11 | キヤノン株式会社 | 記録液 |
JPS59228776A (ja) * | 1983-06-10 | 1984-12-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体ヘテロ接合素子 |
JPS6181471A (ja) * | 1984-09-28 | 1986-04-25 | Fujitsu Ltd | インクジエツトプリンタ用インクの製造方法 |
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JPH0931378A (ja) * | 1995-07-17 | 1997-02-04 | Brother Ind Ltd | 記録用インク |
JP2737053B2 (ja) * | 1996-12-26 | 1998-04-08 | 豊田合成株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
US6936863B2 (en) | 2002-11-18 | 2005-08-30 | Showa Denko K.K. | Boron phosphide-based semiconductor light-emitting device, production method thereof and light-emitting diode |
JP4901115B2 (ja) | 2004-03-04 | 2012-03-21 | 昭和電工株式会社 | 窒化ガリウム系半導体素子 |
US7436045B2 (en) | 2004-03-04 | 2008-10-14 | Showa Denko K.K. | Gallium nitride-based semiconductor device |
-
1977
- 1977-07-14 CA CA282,747A patent/CA1095154A/en not_active Expired
- 1977-07-18 GB GB30075/77A patent/GB1585827A/en not_active Expired
- 1977-07-19 JP JP8573777A patent/JPS5320882A/ja active Pending
- 1977-07-29 DE DE19772734203 patent/DE2734203A1/de not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5320882A (en) | 1978-02-25 |
GB1585827A (en) | 1981-03-11 |
CA1095154A (en) | 1981-02-03 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
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