DE2354260C3

DE2354260C3 - Anordnung zum dichten Packen von hochintegrierten Schaltungen

Info

Publication number: DE2354260C3
Application number: DE2354260A
Authority: DE
Inventors: Philip Edward South Burlington Beaulieu; Joseph John Shelburne Zagursky
Original assignee: International Business Machines Corp
Current assignee: International Business Machines Corp
Priority date: 1972-11-30
Filing date: 1973-10-30
Publication date: 1980-07-17
Also published as: NL171006B; ZA738379B; NL171006C; BE805956A; IE38464B1; AU6225173A; NL7315568A; GB1384220A; FR2209215A1; JPS4988479A; AU476382B2; CH554601A; DE2354260A1; US3851221A; JPS5751759B2; FR2209215B1; IT998644B; IN140876B; DE2354260B2; IE38464L

Description

posium, München 1965, der Aufsatz von L. Seipe in Fig. 3 in.Verbindung mit Seite 2, dritter Absatz. Dort ist eine Anordnung von mikrominiaturisierten Bauelementen auf einer Anzahl übereinander angeordneter Substrate gezeigt, die je nach Anwendungsgebiet auf unterschiedliche Weise miteinander verbunden werden können. Das unterste Substrat ist als Gehäuse ausgebildet, das über seine gesamte Unterseite verteilte Anschlußstifte aufweist!

Diese Art von Anordnung wurde für Halbleiterspeicher jedoch erst dann interessant, als man zu immer höheren Speicherdichten vordrang. Bei zunehmender Arbeitsgeschwindigkeit und Schaltungsdichte integrierter Schaltungen und bei der Zunahme der Komplexität im Systemaufbau datenverarbeitender '⁵ Anlagen werden immer schärfere Anforderungen an die Packung hochintegrierter Schaltungen gestellt. Obgleich also die Technik der Packung integrierter Schaltungen an sich hoch entwickelt ist, waren doch weitere Verbesserungen in der Technik der Packung a> integrierter Schaltungen erforderlich, um mit der Entwicklung der integrierten Schaltungen selbst Schritt halten zu können. Vor allem war es auf die Dauer nicht länger möglich, bei den immer dichteren Pakkungen und den immer kürzeren Schaltzeiten die Laufzeit zwischen den Schaltungen zu vernachlässigen. Es war dabei nicht zu übersehen, daß die Anzahl der bei diesem hochintegrierten Schaltungen benötigten, nach außen wirksamen Anschlußstifte je nach An der integrierten Schaltung, d. h. Speicher oder logisehe Schaltung, in jedem Fall hoch war, daß jedoch für logische Schaltungen eine wesentlich höhere An zahl von Anschlußstiften erforderlich war, als für die wesentlich dichter gepackten Speicherschaltungen.

Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe bestand nun darin, ausgehend von einer Anordnung der eingangs genannten Art, einen Weg zu finden, wie diese für die beiden Schaltungsarten so grundverschiedenen Anforderungen an die Anschlüsse unter Berücksichtigung der Forderung nach kürzester Lei- *ο tungsführung miteinander in Einklang gebracht werden können.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die Merkmalskombination des kennzeichnenden Teils des Patentanspruchs gelöst. Die Vorteile dieser neuen Anordnung sind darin zu sehen, daß die Speicherschaltungen normalerweise sehr dicht aufgebaut sind und eine relativ kleine Anzahl von Verbindungsleitungen zu den weniger dicht aufgebauten logischen Schaltungen benötiger; Die Arbeitsgeschwindigkeit der logischen Schaltungen ist im allgemeinen höher als die Geschwindigkeit der Speicherschaltungen, aber die logischen Schaltungen haben geringere Toleranzen in bezug auf Verzögerungen als die Speicherschaltungen, die durch relativ lange Leitungen verursacht werden könnten. Packt man die einzelnen Schaltungen auf die angegebene Weise zusammen, dann liegen die logischen Schaltungen auf dem untersten Substrat, bei dem im wesentlichen die gesamte Oberfläche für Anschlußstifte durch das Substrat und nach außerhalb des Gehäuses zur Verfügung steht, während die dichter gepackten Speicherschaltungen auf den oberen Substraten des Stapels angebracht sind und ihre Verbindungsstifte an ihrem Randbereich aufweisen. In Übereinstimmung mit den Anforderungen bezüglich det Arbeitsgeschwindigkeit sind die Verbindungsleitungen der logischen Schaltungen kürzer als die der Speicherschaltungen, da die logischen Schaltungen ganz dicht an den Verbindungsstiften der gesamten Packung mit der Außenwelt liegen. Behält man die Anordnung der Verbindungsleitungen der oberen Substrate nur auf den Randbereichen der Substrate bei, so bedeutet das', daß der Stapel in bequemer Weise durch Wiederaufschmelzlöten hergestellt werden kann, ohne die Lötverbindungen der integrierten Schaltungen zu beeinträchtigen, und daß andererseits auch ebenso leicht zum Ersatz integrierter Schaltungen auf den Substraten in gleicher Weise einzelne Chips innerhalb des Stapels ausgelötet werden können, falls sie unbrauchbar geworden sind.

Daraus ergibt sich also, daß durch die Erfindung eine Packung für integrierte Schaltungen geschaffen wurde, die den gestellten Anforderungen vollständig genügt. Die Packung enthält eine große Anzahl von sehr dicht gepackten integrierten Speicher-Schaltungen, die relativ wenige Eingangs- und Ausgangsleitungen benötigen und mit geringerer Geschwindigkeit arbeiten, und gleichzeitig relativ Hjcht angeordnete, schnell arbeitende logische integrierte Schaltungen; die einen relativ hohen Bedarf an Eingangs- und Ausgangsanschlüssen aufweisen.

Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wi.d nunmehr anhand der Zeichnungen näher beschrieben. Es zeigt

Fig. 1 eine perspektivische Ansicht, teilweise im Schnitt einer Anordnung zum dichten Packen von hochintegrierten Schaltungen,

Fig. 2 eine Unteransicht des untersten Substrats in der Anordnung gemäß Fig. 1,

Fig. 3 eine Unteransicht eines weiteren zusätzlichen Substrats der Anordnung gemäß Fig. 1, und

Fig. 4 eine vergrößerte Querschnittsansicht eines Teils der Anordnung im Bereich 4 in Fig. 1.

Die in Fig. 1 gezeigte Anordnung besteht aus einem geschlossenen Behälter 10, der aus einem Gehäuse 12 und einer Grundplatte 14 besteht, die an dem Gehäuse 12, durch eine Gummidichtung 16 abgedichtet, durch Schrauben 18 dicht befestigt ist. Die Grundplatte 14 weist eine Öffnung 20 auf, gegen die das unterste Substrat 22 mit Hilfe eines geeigneten Klebstoffs befestigt ist. Der so definierte, geschlossene Behälter ist teilweise mit einem flüssigen Kühlmitte! 24, beispielsweise einem fluorierten Kohlenwasserstoff, gefüllt. Eine Anzahl Kühlrippen 26 sind innerhalb des geschlossenen Behälters vorgesehen. Weitere Kühlrippen 28 sind auf der Außenseite des Behälters vorhanden. Die Kühlflüssigkeit 24 und der daraus aufsteigende Dampf 52 zirkulieren dann so wie durch die Pfeile 60 angedeutet. Die Ausbildung der Kühlvorrichtung ist jedoch nicht Gegenstand der Erfindung.

In F ig. 1 und 2 ist das unterste Substrat 22 des Stapels 30 zu sehen. Da eine sehr hohe Anschlußdichte für integrierte Schaltungsplättchen 32, die auf seiner Oberfläche angebracht sind, erforderlich ist, ist das Substrat aus mehreren Schichten keramischen Materials mit metallisierten, dazwischenliegenden Verbindungsleitungen in an sich bekannter Weise aufgebaut. Als unterstes Substrat in dem Stapel 30 weist das Substrat 22 eine Anordnung von Eingabe- und Ausgabekontaktstiften 34 auf, die sich über die ganze Oberfläche erstrecken mit Ausnahme an den Stellen, an denen das Substrat mit rtsr Grundplatte 14 verbunden ist. Die elektrischen Kontaktstifte 34 sind elektrisch mit einem oder mehreren der integrierten Schaltungsplättchen 32 verbunden. Auf diese Weise ist eine

große Anzahl von Eingangs- und Ausgangsverbindungen für die integrierten Halbleiterschaltungsplättchen auf der Oberfläche des untersten Substrats 22 vorgesehen. Da das unterste Substrat 22 am unteren Ende des Stapels 30 liegt, stört die Anordnung der Anschlußstifte 34 auf der gesamten äußeren Oberfläche bei eventuellen Nacharbeiten oder Reparaturen nicht, bei denen es notwendig sein kann, den Stapel 30 aufzutrennen.

Zusätzlich zu dem untersten Substrat 22 sind, wie ?.m besten aus den Fig. 1 und 3 zu ersehen ist, weitere Substrate 36 in der Packung vorgesehen. Anders als das unterste Substrat 22 weisen die Substrate 36 Verbindungsstifte 38 entlang ihrer Randbereiche auf. Auf jedem der zusätzlichen Substrate 36 des Stapels 30 ¹^ sind Halbleiterplättchen 40 mit integrierten Schaltungen für Speicher befestigt. Die Schaltungsplättchen 40 mit integrierten Speicherschaltungen enthalten eine sehr große Anzahl, d. h. beispielsweise 16000, 32000 oder sogar 64000 einzelne Speicherschaitungen mit ^a> den zugehörigen Decodierschaltungen. Obgleich dieser Aufbau außerordentlich dicht ist, ist doch die Art dieser Speicherschaltungen und ihrer direkt zugeordneten peripheren Schaltungen derart, daß sie eine relativ kleine Anzahl von Eingangs- oder Ausgangsan- « Schlüssen nach den Halbleiterplättchen 40 oder dem diese tragenden Substrat 36 benötigen. Die relativ kleine Anzahl von Eingangs- und Ausgangskontaktstiften 38 für jedes Substrat 36 ist daher nur entlang der Randbereiche der Substrate 36 vorgesehen und w reicht aus, um die Eingabe- und Ausgabeanforderungen für die integrierten Speicherschaltungen auf den Halbleiterplättchen 40 voll zu erfüllen.

Die Halbleiterplättchen 32 mit integrierten Schaltungen, die auf dem untersten Substrat 22 im Stapel ^ 30 angebracht sind, enthalten logische Schaltungen. Logische Schaltungen sind im allgemeinen wesentlich weniger regelmäßig in ihrer Anordnung als Speicherschaltungen und weisen demgemäß auch keine so dichte Anordnung auf den Halbleiterplättchen selbst -»ο auf. Im Vergleich zu den 16000 bis 64000 Speicherschaltungen auf jedem Halbleiterplättchen 40 kann werden doch manchmal nur Eingangssignale den Halbleiterplättchen 32 zugeführt, dort wird eine Funktion ausgeführt und anschließend wird ein Ausgangssignal über die Anschlußstifte 34 abgegeben, ohne daß die Speicherschaltungen auf den Halbleiterplättchen 40 benutzt worden sind. Für diese Art von Arbeitsweise ist aber das Anbringen der Halbleiterplättchen 32 mit den logischen Schaltungen auf dem untersten Substrat 22 des Stapels 30 von ganz besonderem Vorteil.

Bei der Herstellung der Packung werden bis 50 oder sogar tOO logische integrierte Schaltungsplättchen 32 auf der oberen Oberfläche des untersten Substrats 22 angebracht, und die Halbleiterplättchen 40 werden in der gleichen Weise durch Wiederaufschmelzlöten oder durch Flip-Chip-Technik mit anschließendem Verlöten an den oberen Oberflächen der zugehörigen Substrate 36 angebracht. Wie aus Fig. 4 zu ersehen, sind die Stifte 34 und 38 mit ihren Köpfchen 42 an den jeweiligen Substraten 22 und 36 angelötet. Die Stifte 38 werden dann beispielsweise durch Tauchen mit Lötzinn überzogen. Der Stapel wird dann durch Wiederaufschmelzlöten hergestellt, wobei das Zinn längs der Stifte nach dem darunterliegenden Substrat läuft und sich mit diesen verbindet, wie dies deutlich aus Fig. 4 zu ersehen ist. Wie ferner aus Fig. 4 hervorgeht, sind die Stifte 34 und 38 durch Verbindungsleitungen 44 miteinander und mit der logischen, integrierten'schaltung auf dem Halbleiterplättchen 32 auf der Oberfläche des Substrats 22 verbunden. Der Verbindungsstift 38 ist mit der integrierten Speicherschaltung im Halbleiterpiättchen 40 auf dem Substrat 36 über Verbindungsleitungen 46 verbunden. Zusätzliche Verbindungsleitungen 47 innerhalb der Substrate 22 und 36 dienen der Verbindung des Halbleiterplättchens 40 mit einem weiteren, nicht gezeigten Halbleiterplättchen auf dem Substrat 36 und zur Verbindung einer logischen Schaltung auf einem Halbleiterplättchen mit einer anderen (nicht gezeigten) logischen Schaltung auf einem anderen Halbleiterplättchen auf dem Substrat 22.

Sollte irgendeine der integrierten Schaltungen auf

Schaltungen kaum mehr als etwa 1000 Schaltkreise enthalten. Obgleich die Anzahl der Schaltkreise je «5 Halbleiterplättchen wesentlich geringer ist als bei den integrierten Speicherschaltungsplättchen 40, erfordern doch die Halbleiterplättchen 32 mit integrierten logischen Schaltungen wesentlich mehr Eingangs- und Ausgangsleitungen. Die größere Anzahl von Anschlußstiften 34 ist somit über die gesamte untere Oberfläche des untenliegenden Substrats 22 verteilt und erfüllt damit die Forderungen für logische integrierte Schaltungsplättchen 32. Die Speicherschaltun gen in den Halbleiterplättchen 40 haben eine wesentlieh geringere Arbeitsgeschwindigkeit als die logischen Schaltungen in den Halbleiterplättchen 32. Der Unterschied in der Arbeitsgeschwindigkeit zwischen Speicherschaltungen und logischen Schaltungen liegt bei einer bis mehreren Größenordnungen. Die kürzeren Leitungslängen für die Halbleiterplättchen 32 sind daher von Vorteil, um Verzögerungen durch längere Leitungsführungen zu vermeiden, wie sie beispielsweise nach den Halbleiterplättchen 40 auftreten würden. In diesem Zusammenhang sei darauf verwiesen, daß zwar die logischen Schaltungen auf den Halbleiterplättchen 32 gewöhnlich mit den Speicherschaitungen auf den Halbleiterplättchen 40 zusammenwirken, tungen und den Halbleiterspeicherschaltungen auf den Halbleiterplättchen 40 im Betrieb ausfallen, dann kann das defekte Halbleiterplättchen 40 oder 32 dadurch ersetzt werden, daß man das Lötzinn an der Verbindung der Kontaktstifte 38 mit dem nächsten darunterliegenden Substrat wieder schmilzt und so den Stapel auftrennt und sodann durch Wiederaufschmelzlöten die Verbindung zwischen Halbleiterplättchen 40 oder 32 mit seinem Substrat 36 oder 22 unterbricht. Ein neues Halbleiterplättchen wird dann ebenfalls durch Wiederaufschmelzlöten zum Ersatz des ausgefallenen Halbleiterplättchens eingesetzt und der Stapel wird wiederum durch Wiederaufschmelzlö ten zusammengefügt. Solche Lötoperationen sind an sich gut bekannt, wie dies z. B. in IBM Technical Disclosure Bulletin, Band 6, Nr. 10, März 1964, Seiten 70 und 71, und in 1969 International Electronic Circuit Packaging Symposium, Teil 7, Seiten 1 bis 12, offenbart ist, und beispielsweise auch in den deutschen Offenlegungsschriften 2214994 und 2319287 vorgeschlagen wurde. Sollte ein Halbleiterplättchen auf der Oberfläche des obersten Substrats 36 im Stapel 30 ausfallen, braucht der Stapel zum Entfernen und Ersetzen des ausgefallenen Halbleiterplättchens natürlich nicht aufgetrennt zu werden. Da alle Lötverbin-

düngen zur Befestigung der Substrate 36 und 22 miteinander zur Bildung des Stapels 30 rund um die Peripherie der Substrate 22 und 36 angeordnet sind, kann die Trennung der Substrate vom Stapel durch Anwenden von Wärme, beispielsweise durch Infrarotstrahlung oder auf andere bekannte Weise durchgeführt werden, ohne die Lötverbindungen zwischen den r'albleiterplättchen 32 und 40 mit ihren jeweiligen Substraten nachteilig zu beeinflussen.

Der zusammengebaute, aus unterstem Substrat 22 und zusätzlichen Substraten 36 bestehende Stapel 30 wird auf der Grundplatte 14 dadurch befestigt, daß man die Grundplatte mit dem untersten Substrat 22 beispielsweise durch einen geeigneten Klebstoff miteinander verbindet. Die Grundplatte 14 und das Gehäuse 12 werden dann zur Bildung eines geschlossenen Gehäuses dicht miteinander verbunden.

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eine relativ kleine Anzahl integrierter Halbleiterplättchen und Anschlußstifte in den Zeichnungen gezeigt. In einer tatsächlich ausgeführten Packung für integrierte Schaltungen gemäß der Erfindung kann z. B. das unterste Substrat 22 beispielsweise 1 700 An

schlußstifte 34 enthalten. Die zusätzlichen Substrate 36 oberhalb des untersten Substrats 22 können etwa 250 Verbindungsstifte 38 an ihrem Umfang aufweisen. Das unterste Substrat und die weiteren Substrate 36 können jeweils etwa 100 Schaltungsplättchen mit integrierten Schaltungen enthalten. Obgleich die Anzahl integrierter Schaltungsplättchen für das unterste Substrat 22 und die zusätzlichen Substrate 36 etwa die gleiche ist, so zeigt doch der Unterschied in der Anzahl der Anschluß- bzw. Verbindungsstifte 34 und 38 für die einzelnen Substrate den wesentlichen Unterschied in der Anzahl der erforderlichen Stifte für logische Schaltungen und Speicherschaltungen. Mit dieser Anzahl von Schaltungen kann die Größe der in Fig. 1 gezeigten Packung ungefähr 12,7 cm Seitenlänge aufweisen und die gesamte Speicherschaltung und logischen Schaltungen enthalten, die einem mittleren Datenverarbeitungssystem, wie z. B. dem IBM

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Development, Sept. 1971, Seiten 384 bis 398) entspricht.

Die Halbleiterplättchen oder Chips können auch auf beiden Oberflächen der oberen Substrate zur Erhöhung der Packungsdichte angebracht sein.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims

Patentanspruch:

Anordnung zum dichten Packen von in einer großen Anzahl einzelner Halbleiterplättchen untergebrachten hochintegrierten Schaltungen in einem gemeinsamen Gehäuse, mit mehreren in diesem parallel übereinander gestapelten, elektrisch leitend verbundenen Substraten, von denen das gleichzeitig den unteren Abschluß des Gehäuses bildende untenliegende Substrat auf seiner Unterseite eine Vielzahl von über die gesamte Fläche verteilter äußerer Anschlußstifte aufweist, und wobei die elektrische Verbindung von einem Substrat zum darunterliegenden mittels lediglich entlang der Randbereiche senkrecht zu den Substratoberflächen angeordneter stiftartiger Lötverbinder erfolgt und diese nur im Randbereich mit Verbindungsanschlüssen versehenen Substrate mit Speicherschaltungs-Halbleiterplättchen bestückt sind, welche mit logischen Schaltkreisen zusammenarbeiten, gekennzeichnet durch die Kombination der Merkmale

a) das untenliegende Substrat (22) ist auf seiner Oberseite mit- einer großen Anzahl von Halbleiterplättchen (32) bestückt, die ausschließlich den Speicherschaltungs-Halbleiterplättchen (40) zugeordnete hochintegrierte logische Schaltkreise enthalten;

b) die Halbleiterplättchen (32) auf dem untenliegenden Substrat (22) sind, soweit erforderlich, mit den äußeren Anschlußstiften (32) und den I ötvert-.idern (38) des darüberliegendcn, dir. Speicherschaltungen (40) enthaltenden Substrats '36) elektrisch verbunden;

c) die Lötverbinder (38) sind als von den oberen Substraten (36) unmittelbar gehalterte und fest mit deren Unterseite verbundene Stifte ausgebildet, die mit dem jeweils darunterliegenden Substrat (36 bzw. 22) durch Wiederaufschmelz-Löten kontaktierbar sind.

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Die Erfindung betrifft eine Anordnungzum dichten Packen von hochintegrierten Schaltungen nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs. so

Die dichte Packung integrierter Schaltungen ist an sich eine bereits hochentwickelte Technik. Bei der dichten Packung hochintegrierter Schaltungen für komplexe elektronische Einrichtungen, wie z. B. datenverarbeitende Anlagen, bestand der bisher geganjjene Lösungsweg darin, Speicherschaltungen und logische Schaltungen jeweils für sich in der ersten Ebene der Schaltungshierarchie in gesonderten Pakkungen unterzubringen, und zwar aus einer Reihe von Gründen, insbesondere wohl deswegen, weil Spei- μ chersehaltungen im allgemeinen eine wesentlich höhere Schaltungsdichte aufweisen als logische Schaltungen, jedoch im allgemeinen eine wesentlich geringere Anzahl von Eingangs- und Ausgangsleitungen an der Packung benötigen. Ein weiterer Unterschied zwischen logischen Schaltungen und Speicherschaltungen, der für die Packungsart und den Packungsaufbau von Bedeutung ist, besteht darin, daß logische Schaltungen im allgemeinen schneller arbeiten als Speicherschaltungen, Ein einfaches Beispiel aus den Anfängen einer solchen bekannten Art der Packung in der ersten Ebene einer Schaltungshierarchie ist in einem Aufsatz von Mandel und anderen in »IBM Technical Disclosure Bulletin«, März 1966, Seiten 1460 bis 1461, beschrieben. Packungen für eine große Anzahl von integrierten Halbleiterschaltungen sind außerdem beispielsweise aus der Ui"-Patentschrift 3 529 213 bekannt. Obgleich solche bekannten Packungen für Halbleiterschaltungen für viele Zwecke geeignet sind, so erfordern sie doch Kompromisse zwischen den Anforderungen an Speicherschaltungen und an logische Schaltungen, wenn beide Schaltungsarten in einer Packung zusammengefaßt werden sollen.

Eine Anordnung der eingangs genannten Art wird aufgrund der IBM Technical Disclosure Bulletins, Band 14, Nr. 10, März 1972, Seiten 2896 und 2897, als bekannt vorausgesetzt. Die Anordnung besteht dabei aus einer Grundplatte, die mit außen liegenden nach innen durchgeführten Anschlußstiften versehen ist und z. B. zwei Speicher-Halbleiterplättchen tragende Substrate mit am Umfang liegenden Anschlußkontakten und einem zwischen den beiden Substraten angeordneten mit stiftartigen Lötverbindern versehenen Kontaktrahmeu zum Herstellen einer Lötverbindung zwischen den beiden Substraten und ein Gehäuse aufweist. Das unterste Substrat ist dabei auf die überstehenden Kontakte der Grundplatte, die im übrigen unbestüekt bleibt, auflötbar. Diese Anordnung enthält nur Halbleiterspeicher.

Das IBM Technical Disclosure Bulletin, Band 6, Nr. 10, März 1964, Seiten 70 und 71, zeigt eine Anordnung von logischen Schaltkreisen, wobei jeweils ein Schaltkreis (UND, ODER, INVERTER) auf einem mit Anschlußstiften versehenen Substrat untergebracht ist, die übereinander durch die Anschlußstifte auf Abstand gehalten und durch Wiederaufschmelzlöten miteinander verlötet sind. Das oben bereits erwähnte IBM Technical Disclosure Bulletin, Band 8, Nr. 10,1966, S. 1460,1461, beschreibt ebenfalls die Anordnung von zwei durch Verbindungsstifte auf Abstand gehaltenen Substraten mit diskreten Halbleiterbauelementen. Die isolierenden, wärmeleitenden dielektrischen Substrate - bei denen es sich jedoch nicht um eine Kombination von in einem Stapel angeordneten Speicherschaltungen und logischen Schaltungen handelt - weisen Kontaktstifte und ein daran angeschlossenes Leitungsmuster auf, an das die einzelnen Halbleiterplättchen angeschlossen sind. Weitere Stifte dienen nicht der elektrischen Verbindung, sondern zum Anschluß einer Kühlplatte, auf die dann eine mit Kühlrippen versehene Haube aufgesetzt wird. Eine ähnliche Anordnung zeigt die US-Patentschrift 3340438 mit einem und mit zwei übereinanderliegenden Substraten. Die Stifte des unteren Substrates befinden sich dabei nur längs des Randes; auch handelt es sich nicht um Speicherschaltungen. Ferner ist es bekannt, Halbleiterbauelemente auf mehreren Substraten in übereinanderliegenden Ebenen zusammenzufassen. Dies zeigt beispielsweise die bereits genannte US-Patentschrift 3 529 213, wo die Anordnung vieler mit Halbleiterschaltungen bestückter Substrate übereinander offenbart ist, die Kontaktierung zwischen den einzelnen Ebenen erfolgt dabei ebenfalls längs des Randes.

Einen ähnlichen Aufbau zeigt in IFAC/1FIP Sym-