DE2221225C3 - Einrichtung zur Gewinnung abgestufter Spannungswerte einer hohen Gleichspannung für den Betrieb einer Mehrschicht-Kathodenstrahlröhre o.dgl. - Google Patents
Einrichtung zur Gewinnung abgestufter Spannungswerte einer hohen Gleichspannung für den Betrieb einer Mehrschicht-Kathodenstrahlröhre o.dgl.Info
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Description
60
Die Erfindung bezieht sich auf eine Einrichtung zur Gewinnung abgestufter Spannungswerte einer hohen
Gleichspannung nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
Bei einer bereits bekannten Einrichtung dieser Gattung (US-PS 34 96 405) sind als Umschalteinrichtung
drei Thyristoren, ein Impulstransformator, ein Steuertransformator, ein kapazitiver Spannungsteiler
und ein Einstellwiderstand vorgesehen. Zur Einleitung des Umschaltvorganges wird durch einen der Thyristoren
eine äußere Spannung auf den Transformator aufgeschaltet. Der Parallelresonanzschwingkreis wird
von der kapazitiven Last, der Streuinduktivität des Impulstransformators und dem nicht vernachlässigbaren
Verlustwiderstand des letzteren gebildet Beim Erreichen der maximalen Spannung, die doppelt so hoch
ist wie die von außen angelegte Spannung, schaltet der jeweils wirksame Thyristor ab. Dann liegt die
gewünschte Hochspannung an der kapazitiven Last, die gleichzeitig im Nebenschluß über die Längsinduktivität,
die Streuinduktivität und den Verlustwiderstand des Impulstransformators durch Entladung vermindert
wird. — Wegen der erwähnten Bauelemente ihrer Umschalteinrichtung isl die bekannte Einrichtung zur
Gewinnung abgestufter Spannungswerie verhältnismäßig aufwendig, wartungsabhängig und mit nicht
vernachlässigbaren Verlusten verbunden. Infolge dieser Verluste ist die Anlegung einer gleichbleibenden
Gleichspannung an die kapazitive Last nur für eine begrenzte Dauer möglich. Außerdem erfolgt bei der
kurzzeitigen Aufschaltung der Spannungen auf den I mpulstranformator jedesmal eine stoßartige Belastung
der speisenden Spannungsquellen während der Ausbildung des Resonanzstroms in den Para'lelresonanzschwingkrcis.
Ferner müssen für die Auslegung des Impulstransformators bei dieser bekannten Einrichtung
kritische Schwingkreisparameter berücksichtigt werden, es ist ein last- und gegebenenfalls temperaturabhängiger
kritischer Abgleich von Einstellwiderständen erforderlich, und die auftretenden Verluste führen zur
Spannungseinbuße und Eigenerwärmung. Bei Umschaltvorgängen hoher Folgefrequenz ist mit der
Notwendigkeit der Abführung einer erheblichen Verlustwärmemenge zu rechnen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Einrichtung der eingangs genannten Gattung zu
schaffen, bei der die speisenden Hochspannungsquellen möglichst gering und gleichförmig belastet werden, die
beim Umschaltvorgang auftretende Verlustleistung möglichst klein ist, so daß Umschaltvorgänge mit hoher
Folgefrequenz ohne übermäßige Verlustleistung ausführbar sind, und die an die kapazitive Last jeweils
angelegte Spannung ihren Wert für eine beliebige Dauer beibehalten kann.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß mit den im kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 1 genannten
Merkmalen gelöst.
Die unmittelbare Speisung der Lastkapazität durch äußere Spannungsquellen ermöglicht eine beliebig
lange Dauer ihrer Beaufschlagung mit gleichbleibenden Spannungswerten. Die Ausbildung des Parallelresonanzschwingkreises
ist äußerst einfach und frei von Spannungsverlusten. Das gleiche gilt für die Ausbildung
der die Einrichtung vervollständigenden vier Ein-Aus-Schalter aufweisenden eigentlichen Umschalteinrichtung.
Möglichkeiten zur vorteilhaften weiteren Ausgestaltung einer Einrichtung gemäß der Erfindung sind in den
Ansprüchen 2 bis 4 angegeben.
Im folgenden ist die Erfindung anhand des in den Zeichnungen dargestellten Beispiels näher erläutert. Es
zeigt
F i g. 1 ein vereinfachtes Schaltschema der Umschalteinrichtung einer Einrichtung gemäß der Erfindung,
Fig. 2 zur Erläuterung der Funktion der Umschalt-
einrichtung den Verlauf des Stroms und der Spannung während der Umschaltvorgänge,
Fig. 3 ein Blockschaltbild einer Einrichtung gemäß der Erfindung mit zwei Umschalteinrichtungen gemäß
F i g. 1 und
Fig.4 ein mehr in die Einzelheiten gehendes
Schaltbild einer Umschaltvorrichtung nach F i g. 1.
In Fig. 1 ist die Umschalteinrichtung als Ganzes mit
10 bezeichnet Der Kondensator 11 stellt die kapaziti"e
Last dar. Jeweils eine von zwei entgegengesetzt gepolten Gkiichspannungsquellen mit gleicher absoluter
Spannungshöhe 12, 13, deren Verbindungspunkt an Masse liegt, ist an die eine Klemme der kapazitiven Last
11 anschaltbar, derer, andere Klemme ebenfalls an Masse liegt. Die Spannung der beiden Gleichspannungsquellen
kann beispielsweise +2 kV bzw. —2 kV betragen. Zum Anschalten jeweils einer der beiden
entgegengesetzt gepolten Spannungsquellen 12, 13 an die kapazitive Last 11 dienen zwei Ein-Aus-Schalter A,
D. Eine Induktivität 14, die einerseits mit dem an Masse
liegenden Verbindungspunkt der beiden Gleichspannungsquellen 12, 13 und andererseits mit dem nicht an
Masse liegenden Anschluß der kapazitiven Last 11 verbindbar ist, bildet während des Umschaltens
zusammen mit dieser einen Parallelresonanzschwingkreis. Zwei Ein-Aus-Schalter B, C, die je von einer Diode
16 bzw. 17 überbrückt sind, sind mit der Induktivität 14 in Reihe angeordnet. Die Dioden 16 und 17 sind
gegeneinander gepolt jeweils einer der Schalter ß, C wird beim Anschalten der Last 11 an die eine oder
andere der beiden Gleichspannungsquellen 12 bzw. 13 geschlossen, der andere bleibt geöffnet. Da der eine
Anschluß des die kapazitive Last bildenden Kondensators 11 ständig an Masse liegt, ändert sich bei den
Umschaltvorgängen die an dem Kondensator anliegende Spannung zwischen positiven und negativen
Spannungswerten von jeweils 2 kV.
Der Spannungsverlauf an dem Kondensator während des Umschaltens ist in F i g. 2 dargestellt. Die ausgezogene,
mit Vc bezeichnete Wellenform entspricht der an dem Kondensator 11 anliegenden Spannung. Der Strom
in dem Parallelresonanzstromkreis ist in F i g. 2 durch die gestrichelte Wellenform /cdargeslellt
An der Zeitachse in Fig. 2 sind die jeweiligen Schaltzustände (Einschaltzustand bzw. Ausschaltzustand)
der Schalter A, B, Cund Dangegeben.
Zur Erläuterung der Arbeitsweise mag von der Annahme ausgegangen werden, daß vor dem Zeitpunkt
ίο der Schalter A eingeschaltet ist und damit +2 kV an
dem Kondensator 11 anliegen, während die Schalter B,
Cund D ausgeschaltet sind. Soll die im Zeitpunkt ίο an
dem Kondensator 11 anliegende Spannung von +2 kV auf —2 kV umgeschaltet werden, so wird der Schalter A
ausgeschaltet und der Schalter B eingeschaltet. Es fließt dann ein Strom von dem Kondensator 11 durch die
Diode 17 und den Schalter B zur Masse. Die dabei auftretende Stromänderung ist so groß, daß in der
Induktivität 14 eine der an dem Kondensator 11 anliegenden Spannung Vc gleiche Spannung hervorgerufen
wird. Im Zeitpunkt f0 beträgt also die an der Induktivität 14 anliegende Ppv.:,ung +2 kV. Während
die an dem Kondensator anliegende Spannung Vc gegen
Null hin abnimmt, erreicht der Strom lc ein Maximum,
bei dem der Gradient des Stromverlaufs Null beträgt, so daß an der Induktivität 14 keine Spannung mehr (>5
hervorgerufen wird. Danach wird der Gradient des Stromverlaufs negativ und die Stromstärke nimmt
eeeen Null hin ab. so daß an der Induktivität 14 eine
Spannung entgegengesetzter Polarität hervorgerufen wird. Wie aus F i g. 2 ersichtlich, geht der Wert von V,
ins Negative bis zu dem Betrag —2 kV, der im Zeitpunkt ii erreicht wird. Der Kondensator 11 ist dann auf den
Spannungsbetrag —2 kV aufgeladen. Nun wird der Schalter D geschlossen, der diesen Spannungswert
ständig aus der Spannungsquelie 13 an den Kondensator
11 anlegt Ein Energieverlust tritt dabei in dem Schalter nicht auf. Der Schalter B wird in dem Zeitpunkt ii
geöffnet
Die Änderung der Spannung vom Wert —2 kV zum Wert +2 kV erfolgt, wie aus Fig. 2 ersichtlich, in
entsprechender Weise, indem nunmehr im Zeitpunkt i?,
der Schalter D geöffnet und der Schalter Cgeschlossen wird. Der Strom durchläuft dann den durch den Schalter
Cund die Diode 16 gebildeten Stromweg im negativen Sinn, wobei die an dem Kondensator 11 anliegende
Spannung Vc wiederum durch Null hindurch geht und auf + 2 kV ansteigt. Danach, im Zeitpunkt /3, wird der
Schalter C geöffnet und der Schalter A geschlossen, so daß die Spannung von +2 kV an dem Kondensator 11
aufrechterhalten wird.
Die vorstehend beschriebenen Umschaltvorgänge können naturgemäß zyklisch durchgeführt werden. Für
die Zeitspanne zwischen ij und h sind dabei nur wenige
MikroSekunden erforderlich. Die Zeitspanne zwischen ίο und ii bzw. f2 und ti kann angenähert 10 Mikrosekunden
betragen. Aus der vorstehenden Erläuterung der Arbeitsweise der Umschalteinrichtung nach Fig. 1 ist
ersichtlich, daß die /.C-Resonanz zwischen Kondensator 11 und Induktivität 14 dazu benutzt wird, einen
raschen Energieaustausch zwischen diesen beiden Schaltungskomponenten zu ermöglichen, der einen
effektiven Polaritätswechsel an der kapazitiven Last ergibt. Darauf, daß die Widerstandswerte bei einer
Einrichtung nach der Erfindung außerordentlich kleingehalten werden können, sind die bei ihr erreichbaren
hohen Schaltgeschwindigkeiten hauptsächlich zurückzuführen.
Ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel der eriindungsgemäßen
Einrichtung zur Gewinnung abgestufter Spannungswerte einer hohen Gleichspannung sei
anhand von F i g. 3 erläutert. Dieses Ausführungsbeispiel betrifft den Betrieb einer Mehrschicht-Kathodenstrahlröhre
21 mit elektromagnetischen X- und V-Ablenkeinheiten 22, 23 und einer Treiberstufe mit
Verstärkerkreisen 24. Solche Mehrschicht-Kathodenstrahlröhren sind handelsüblich. Sie weisen normalerweise
einen Bildschirm mit einer roten und einer grünen Phosphorschicht auf, die durch eine Sperrschicht von
einander getrennt sind. Die Endanode oder der Bildschirm der Kathodenstrahlröhre wird bei dem einen
Betriebszustand mit so niedrigem Potential betrieben, daß die Elektronen nicht durch die Sperrschicht
hindurchgehen und die andere Phosphorschicht zum Aufleuchten bringen können. Bei dem anderen Betriebszustand
ist das Anodenpotential so hoch, daß die Elektronen durch die erste Phosphorschicht und die
Sperrschicht hindurchgelangen und die zweite Phosphorschicht zum Aufleuchten bringen können. Auf diese
Weise wird eine zweite Primärfarbe erzeugt. Zwischenwerte der Anodenspannung aktivieren die Phosphorschichten
proportional, so daß Farbgemische erzielbar sind. Gewünschtenfalls können auch andere Phosphoroder
Bildschirmeigenschaften, wie z. B. die Nachleuchtdauer, beeinflußt werden.
Der Einfachheit halber wird hier von der Annahme ausgegangen, daß die Röhre 21 mit einer Vorspannung
von —9 kV an der Kathode 26 betrieben wird. Diese Vorspannung wird mit ± 1 kV durch eine als Schalter
No. 1 bezeichnete Umschalteinrichtung 27 moduliert, der grundsätzlich der in F i g. 1 dargestellten Umschalteinrichtung
entspricht. Eine zweite, als Schalter No. 2 bezeichnete Schalteinrichtung 28 dient zum Anschalten
einer Spannung vom Betrag ±2 kV an den Anodenanschluß 29 der Röhre 21. Außerdem ist mit dem
Anodenanschluß 29 eine scheinbare Kapazität gekoppelt, die hier als Kondensator Cx veranschaulicht ist.
Beim Umschalten der Anode der Kathodenstrahlröhre ist diese als effektive kapazitive Last anzusehen.
In entsprechender Weise moduliert die ±1 kV-Ausgangsleitung 30 des Schalters 27 eine —9 kV-Vorspannungsquelle
31, die gegenüber Masse eine mit C, bezeichnete effektive Kapazität aufweist. Der Hauptvorteil
dieses modulierten Hochspannungsteils besteht in seiner sehr kurzen Schaltzeit. Weiterhin weist die
Einrichtung einen Niederspannungsteil 32 auf, der z. B. mit einer Netzspannungsquelle verbunden sein kann
und die Eingangsnetzwechselspannung in die erforderlichen Speisespannungen für die zugeordneten Schaltungen
einschließlich der Schalter 27 und 28 und der Verstärkerkreise der Treiberstufe 24 umformt. Da diese
Verstärkerkreise mit —9 kV betrieben werden, ist eine Trennung der Treiberstufe 24 gegenüber dem Niederspannungsteil
32 und dem Leistungsverstärker 25 durch den zugeordneten Übertrager 25a vorgesehen. Die von
dem Niederspannungsteil 32 gelieferte Energie wird ferner über den Übertrager 33 in einen Hochspannungsteil
34 eingegeben. Der Hochspannungsleil weist eine Ausgangsleitung 35 auf, welche die —9 kV-Vorspannungsleitung
darstellt. Die Spannungsregelung für die Leitung 35 erfolgt durch einen Rückkopplungskreis 36
zwischen dem Hochspannungsteil 34 und dem Niederspannungsteil 32. Eine Licht emittierende Diode liefert
eine Fehlerspannung an einen Fotodetektor, der mit einem Regler für den Niederspannungsteil 32 gekoppelt
ist.
Zur ausreichenden Trennung des Hochspannungsteils 34 ist eine elektrostatische Abschirmung 37, beispielsweise
in Form eines Gehäuses aus Kupferdrahtgitter, vorgesehen, das den ganzen Hochspannungsteil einschließlich
des Übertragers 33 völlig umgibt. Eine zweite Abschirmung 38, ebenfalls aus Kupferdrahtgitter,
dient zur zusätzlichen Trennung und liegt an Masse. Die Abschirmung 37 liegt über den Anschluß 39
zusammen mit der von dem Schalter 27 kommenden ± 1 kV-Modulationsspannungsleitung 30 an der 9 kV-Hochspannungssammeiklemme
HV.
Durch geeignete Kombinationen von Schaltspannungen der Schalter 27 und 28 ergeben sich im Betrieb
zwischen Kathode 26 und Anode 29 der Röhre 21 effektive Spannungsunterschiede von 6,8,10 und 12 kV.
In Fig.4 ist vereinfacht eine Steuerschaltung 42 für
die Schalter A bis D der Fig. 1, ausführlicher für die
beiden Ein-Aus-Schalter C und D mit Halbleiter-Schalterbauelementen,
dargestellt. Durch die links in der Mitte des Zeichnungsblatts von Fig.4 ankommende
Leitung wird den Aufwärts- und Abwärts-Flip-Flops 43 und 44 ein Umschaltbefehl zum Umschalten der
Schaltspannung von dem einen auf den anderen Grenzwert zugeführt. Die Flip-Flops dienen im
wesentlichen als Speicherelemente, welche bestimmen, ob der Schaltkreis sich im Zeitpunkt des Eingangs eines
Umschaltbefehls auf dem positiven oder auf dem negativen Extremwert der Schaltspannung befindet. Ein
als Univibrator bezeichneter monostabiler Multivibrator 46, der mit den Ausgängen der Flip-Flops 43 und 44
gekoppelt ist, steuert über eines der beiden UND-Gatter
47 und 48 jeweils den Schalter Coder den Schalter B an, je nachdem, ob er einen positiven oder negativen
Strom /t· führt. Die Koinzidenzeingänge der UND-Gatter 47 und 48 werden von den komplementären
Ausgängen des Aufwärts- und des Abwärts-Flip-Flops 43 bzw. 44 gesteuert.
Der Ausgang des UND-Gatters 47 ist über einen
ίο Impulsübertrager 49 mit den Invertern 51 und 52
• gekoppelt. Der Inverter 51 ist mit einem Transistor 53 gekoppelt, der beispielsweise im Zeitpunkt h (siehe
Fig. 2) angesteuert wird und seinerseits einen Transistor
54 steuert, durch den die Anschaltung der in Reihe geschalteten Transistoren 55a bis 55</beschleunigt wird.
Der Transistor 55t/ ist mit der kapazitiven Last gekoppelt, die er moduliert, während der Transistor 55a
mit der Induktivität 14 gekoppelt ist. Bei Ansteuerung der Transistoren 55a bis 55c/ wird der Schalter C
geschlossen.
Wenn der Schalter C geöffnet und der Schalter B leitend ist, führen die jeweils zwischen Kollektor und
Emitter der Transistoren 55a bis 55c/ gekoppelten Dioden 56a bis 56c/ den durch den andern Schalter
hindurchgehenden Strom, während die zugeordneten Transistoren sich im gesperrten Zustand befinden.
Wenn weder der Schalter B noch der Schalter C eingeschaltet ist, ergibt sich ein hoher Spannungsabfall
an den Schaltern. Um an jeder Stufe des Schalters den gleichen Spannungsabfall zu erhalten, sind zwischen
Kollektor und Basis jeder Transistorstufe Widerstände 57a bis 57d geschaltet. Die Werte dieser Widerstände
liegen dabei im Bereich von mehreren hundert Kiloohm. Wenn die Transistoren 55a bis 55c/ abgeschaltet oder
gesperrt, die Dioden 56a bis 56c/ jedoch leitend sind, dienen die in Reihe geschalteten und mit den
Kollektoren der Transistoren verbundenen Dioden 58a bis 58c/ dazu, die Transistoren 55a bis 55c/ im
abgeschalteten Zustand zu halten.
Wenn der monostabile Multivibrator 46 gegen Ende der durch die LC-Zeitkonstante der Schaltung vorgegebenen
Zeitspanne keinen Ausgangsimpuls mehr liefert, steuert der Inverter 52 den Transistor 59 an. Dadurch
werden die Transistoren 55a bis 55</ gesperrt, d. h.
ausgeschaltet. Zur Begünstigung der Ausschaltvorgänge können Klemmkreise, bestehend aus parallel zwischen
Basis und Emitter der Transistoren 55a bis 55c geschalteten Widerständen 61 a bis 61 cvorgesehen sein.
Nach Umschaltung der an der kapazitiven Last liegenden Spannung wird der Schalter B oder der
Schalter C abgeschaltet und der in der Hauptleitung liegende Schalter A oder der Schalter D angeschaltet
oder geschlossen. Durch das Verzögerungsglied 63 (F i g. 4) läßt sich eine Verzögerung während der
Polaritätsänderung der kapazitiven Last bewirken.
Der Aufbau des Ein-Aus-Schalters D ist im wesentlichen
der gleiche wie der des Ein-Aus-Schalters C Er umfaßt eine Reihenschaltung von Transistoren 65a bis
65c mit jeweils zwischen Basis und Kollektor liegenden Widerständen 67a bis 67c, welche dazu dienen, die
Spannungsabfälle an den Transistoren zu vergleichmäßigen. Auch an dem Ein-Aus-Schalter D können
Schaltungsmaßnahmen vorgesehen sein, um die Ein- und Ausschaltgeschwindigkeiten zu steigern.
Eine Trennung der Speisespannungen beider Umschalteinrichtungen 27 und 28 (Schalter No. 1 und No. 2)
kann durch Übertrager mit Brückengleichrichtern in deren Sekundärkreisen erfolgen, welche die erforderli-
7 8
chen Speisegleichspannungen liefern. kreises bestimmt sind. Ihre Sehaltzciten sind in beiden
Umschalteinrichtungen, wie sie einer liinrichtung zur Unisehaltcinrichlungen jeweils die gleichen. Da der
Gewinnung abgestufter Spannungswerte einer hohen Umschaltvorgang jeweils beim Stromwcrt Null erfolgt,
Gleichspannung gemäß der Erfindung eigentümlich isl der Leistungsverlust äußerst gering und es lassen sich
sind, ermöglichen sehr kurze Sehaltzciten, die im > hohe Schallfolgefrequenzcn erreichen,
wesentlichen durch die LC-Zeitkonstantc des Schalt-
wesentlichen durch die LC-Zeitkonstantc des Schalt-
Hierzu 3 Blatt Zeichnungen
Claims (4)
1. Einrichtung zur Gewinnung abgestufter Spannungswerte einer hohen Gleichspannung für den
Betrieb einer Mehrschicht-Kathodenstrahlröhre od. dgl., bei der für die Umschaltung auf jeweils eine
andere Stufe wenigstens eine Umschaltvorrichtung vorgesehen ist, mit der aus einer rein kapazitiven
Last mit Hilfe einer für die Dauer des Umschaltvorganges eingeschalteten Induktivität ein Parallelresonanzschwingkreis
gebildet wird, der nach einer halben Periode seiner Eigenschwingungsfrequenz abgeschaltet wird, dadurch gekennzeichnet,
daß sie wenigstens eine vier Ein-Aus-Schalter enthaltende Umschaheinrichtung(lO) mit paarweise
gleichzeitig zu schaltenden Ein-Aus-Schaltern (A, B, C1 D) aufweist, von denen zwei Ein-Aus-Schalter (A.
D) dazu dienen, jeweils eine von zwei entgegengesetzt gepolten Gleichspannungen (12,13) mit gegen
Masse gleicher absoluter Spannungshöhe an die kapazitive Last (ti) gegen Masse anzuschalten,
und daß zur Bildung des Parallelresonanzschwingkreises während des Umschaltens der kapazitiven Last (11) von der einen auf die andere der beiden Gleichspannungen (12, 13) und umgekehrt ein und dieselbe Induktivität (14) dient, die in einer einerseits mit der kapazitivien Last (11) und andererseits mit Masse verbundenen Reihenschaltung mit zwei beiderseits von ihr vorgesehenen Ein-Aus-Schaltern (B, C) angeordnet ist, von denen jeder durch eine von zwei gegensinnig gepolten Dioden (16, 17) überbrückt ist und von denen jeweils einer zugleich mit dem Ausschalten des einen der beiden erstgenannten Ein-Aus-Schalter (A, D) eingeschaltet und zugleich mit dem Einschalten des anderen dieser beiden Ein-Aus-Schalter ausgeschaltet wird.
und daß zur Bildung des Parallelresonanzschwingkreises während des Umschaltens der kapazitiven Last (11) von der einen auf die andere der beiden Gleichspannungen (12, 13) und umgekehrt ein und dieselbe Induktivität (14) dient, die in einer einerseits mit der kapazitivien Last (11) und andererseits mit Masse verbundenen Reihenschaltung mit zwei beiderseits von ihr vorgesehenen Ein-Aus-Schaltern (B, C) angeordnet ist, von denen jeder durch eine von zwei gegensinnig gepolten Dioden (16, 17) überbrückt ist und von denen jeweils einer zugleich mit dem Ausschalten des einen der beiden erstgenannten Ein-Aus-Schalter (A, D) eingeschaltet und zugleich mit dem Einschalten des anderen dieser beiden Ein-Aus-Schalter ausgeschaltet wird.
2. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß jeder der beiden erstgenannten
Ein-Aus-Schalter (A, D) aus einer zwischen einer der beiden Gleichspannungsquellen (12, 13) und der
kapazitiven Last (11) angeordneten Reihenschaltung von Transistoren (65a bis 65c) besteht.
3. Einrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß zur gleichmäßigen Aufteilung der an 4S
die Reihenschaltung angelegten Spannung jeweils ein Widerstand (67a bis 67ς)zwischen Kollektor und
Basis der Transistoren (65a bis 65c^ angeordnet ist.
4. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die in Reihe mit der Induktivität (14)
angeordneten Ein-Aus-Schalter (B, C) zum Führen von Strömen jeweils einer Polarität ausgebildete
Gruppen in Reihe geschalteter Transistoren (55a bis 554I in Verbindung mit zur Überbrückung der
Transistoren dienenden, zur Führung von Strömen der entgegengesetzten Polarität gepolten Dioden
(56a bis 56d) aufweisen.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US00139775A US3780339A (en) | 1971-05-03 | 1971-05-03 | High speed switching circuit for driving a capacitive load |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2221225A1 DE2221225A1 (de) | 1972-11-16 |
DE2221225B2 DE2221225B2 (de) | 1980-08-21 |
DE2221225C3 true DE2221225C3 (de) | 1981-04-09 |
Family
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (7)
Country | Link |
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Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5159233A (en) * | 1974-11-20 | 1976-05-24 | Mitsubishi Electric Corp | Yoryoseifukano inkadenatsukirikaesochi |
JPS5171730A (en) * | 1974-12-19 | 1976-06-21 | Mitsubishi Electric Corp | Yoryoseifukano inkadenatsukirikaesochi |
JPS5814119B2 (ja) * | 1975-02-15 | 1983-03-17 | 三菱電機株式会社 | ヨウリヨウセイフカノ インカデンアツキリカエソウチ |
US4104564A (en) * | 1976-12-27 | 1978-08-01 | Venus Scientific Inc. | High switching speed high voltage power supply |
JPS5728617Y2 (de) * | 1978-01-31 | 1982-06-22 | ||
JPS5757872Y2 (de) * | 1978-02-09 | 1982-12-11 | ||
JPS54119085U (de) * | 1978-02-09 | 1979-08-21 | ||
JPS5728618Y2 (de) * | 1978-04-29 | 1982-06-22 | ||
US4346308A (en) * | 1978-12-11 | 1982-08-24 | Hewlett-Packard Company | DC Switching circuit with current through resistive load below holding current of triac strings to charge capacitive load to predetermined potentials |
US4281272A (en) * | 1980-01-21 | 1981-07-28 | Sperry Corporation | High voltage switching power supply for penetration cathode ray displays |
GB2103057B (en) * | 1981-07-20 | 1985-05-09 | United Technologies Corp | Modular high speed color switch |
JPS5830152A (ja) * | 1981-08-17 | 1983-02-22 | Toshiba Corp | 半導体集積回路 |
WO2002039419A1 (en) * | 2000-11-09 | 2002-05-16 | Lg Electronics Inc. | Energy recovering circuit with boosting voltage-up and energy efficient method using the same |
WO2004032108A1 (ja) * | 2002-10-02 | 2004-04-15 | Fujitsu Hitachi Plasma Display Limited | 駆動回路および駆動方法 |
KR100482348B1 (ko) * | 2003-04-16 | 2005-04-14 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널의 에너지 회수장치 및 회수방법 |
EP1469445A3 (de) * | 2003-04-16 | 2009-03-04 | Lg Electronics Inc. | Vorrichtung zur Energierückgewinnung und Verfahren zur Ansteuerung einer Plasmaanzeigetafel |
KR100503606B1 (ko) * | 2003-04-23 | 2005-07-26 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널의 에너지 회수장치 및 회수방법 |
KR20050037639A (ko) * | 2003-10-20 | 2005-04-25 | 엘지전자 주식회사 | 에너지 회수장치 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB809076A (de) * | 1900-01-01 | |||
DE946555C (de) * | 1944-07-29 | 1956-08-02 | Aeg | Anordnung zum Wenden gleichstromerregter magnetischer Felder |
US3418495A (en) * | 1965-10-23 | 1968-12-24 | Bose Corp | Switching |
US3435256A (en) * | 1966-01-17 | 1969-03-25 | Bell Telephone Labor Inc | Alternating polarity current driver using cascaded active switching elements |
US3396233A (en) * | 1966-02-07 | 1968-08-06 | Polaroid Corp | High-voltage switching for two-color line-sequential color television |
DE1537167A1 (de) * | 1966-08-22 | 1969-12-18 | Polaroid Corp | Schaltungsanordnung zum Erzeugen von elektrischen Signalen mit stufenartigem Verlauf |
US3496405A (en) * | 1967-03-31 | 1970-02-17 | Texas Instruments Inc | Apparatus for generating a stepped voltage waveform |
US3492502A (en) * | 1967-07-14 | 1970-01-27 | Ibm | Bi-directional capacitive load driver |
US3426245A (en) * | 1967-11-01 | 1969-02-04 | Bendix Corp | High speed magnetic deflection amplifier |
IT965519B (it) * | 1968-06-26 | 1974-02-11 | Sits Soc It Telecom Siemens | Circuito di comando senza trasforma tore per interruttore elettronico |
US3611001A (en) * | 1969-05-05 | 1971-10-05 | Burroughs Corp | High-speed current-switching amplifiers |
US3628083A (en) * | 1969-08-06 | 1971-12-14 | Systems Res Labor | Magnetic deflection amplifier utilizing both positive and negative voltage supplies for high-speed deflection |
BE757845A (fr) * | 1969-10-24 | 1971-04-01 | Bbc Brown Boveri & Cie | Montage convertisseur statique autopilote |
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1971
- 1971-05-03 US US00139775A patent/US3780339A/en not_active Expired - Lifetime
-
1972
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- 1972-04-12 GB GB1693372A patent/GB1335795A/en not_active Expired
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GB1335795A (en) | 1973-10-31 |
DE2221225B2 (de) | 1980-08-21 |
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