DE2221225C3

DE2221225C3 - Einrichtung zur Gewinnung abgestufter Spannungswerte einer hohen Gleichspannung für den Betrieb einer Mehrschicht-Kathodenstrahlröhre o.dgl.

Info

Publication number: DE2221225C3
Application number: DE2221225A
Authority: DE
Inventors: Alfred James Palo Alto Calif. Mayle
Original assignee: CPS Inc SUNNYVALE CALIF US; Cps Inc Sunnyvale Calif
Current assignee: Vg Systems Inc Woodland Hills Calif Us
Priority date: 1971-05-03
Filing date: 1972-04-29
Publication date: 1981-04-09
Also published as: FR2135581A1; JPS483040A; NL162526C; JPS5144853B1; DE2221225A1; CA945209A; FR2135581B1; NL162526B; NL7205733A; US3780339A; GB1335795A; DE2221225B2

Description

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Die Erfindung bezieht sich auf eine Einrichtung zur Gewinnung abgestufter Spannungswerte einer hohen Gleichspannung nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.

Bei einer bereits bekannten Einrichtung dieser Gattung (US-PS 34 96 405) sind als Umschalteinrichtung drei Thyristoren, ein Impulstransformator, ein Steuertransformator, ein kapazitiver Spannungsteiler und ein Einstellwiderstand vorgesehen. Zur Einleitung des Umschaltvorganges wird durch einen der Thyristoren eine äußere Spannung auf den Transformator aufgeschaltet. Der Parallelresonanzschwingkreis wird von der kapazitiven Last, der Streuinduktivität des Impulstransformators und dem nicht vernachlässigbaren Verlustwiderstand des letzteren gebildet Beim Erreichen der maximalen Spannung, die doppelt so hoch ist wie die von außen angelegte Spannung, schaltet der jeweils wirksame Thyristor ab. Dann liegt die gewünschte Hochspannung an der kapazitiven Last, die gleichzeitig im Nebenschluß über die Längsinduktivität, die Streuinduktivität und den Verlustwiderstand des Impulstransformators durch Entladung vermindert wird. — Wegen der erwähnten Bauelemente ihrer Umschalteinrichtung isl die bekannte Einrichtung zur Gewinnung abgestufter Spannungswerie verhältnismäßig aufwendig, wartungsabhängig und mit nicht vernachlässigbaren Verlusten verbunden. Infolge dieser Verluste ist die Anlegung einer gleichbleibenden Gleichspannung an die kapazitive Last nur für eine begrenzte Dauer möglich. Außerdem erfolgt bei der kurzzeitigen Aufschaltung der Spannungen auf den I mpulstranformator jedesmal eine stoßartige Belastung der speisenden Spannungsquellen während der Ausbildung des Resonanzstroms in den Para'lelresonanzschwingkrcis. Ferner müssen für die Auslegung des Impulstransformators bei dieser bekannten Einrichtung kritische Schwingkreisparameter berücksichtigt werden, es ist ein last- und gegebenenfalls temperaturabhängiger kritischer Abgleich von Einstellwiderständen erforderlich, und die auftretenden Verluste führen zur Spannungseinbuße und Eigenerwärmung. Bei Umschaltvorgängen hoher Folgefrequenz ist mit der Notwendigkeit der Abführung einer erheblichen Verlustwärmemenge zu rechnen.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Einrichtung der eingangs genannten Gattung zu schaffen, bei der die speisenden Hochspannungsquellen möglichst gering und gleichförmig belastet werden, die beim Umschaltvorgang auftretende Verlustleistung möglichst klein ist, so daß Umschaltvorgänge mit hoher Folgefrequenz ohne übermäßige Verlustleistung ausführbar sind, und die an die kapazitive Last jeweils angelegte Spannung ihren Wert für eine beliebige Dauer beibehalten kann.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß mit den im kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 1 genannten Merkmalen gelöst.

Die unmittelbare Speisung der Lastkapazität durch äußere Spannungsquellen ermöglicht eine beliebig lange Dauer ihrer Beaufschlagung mit gleichbleibenden Spannungswerten. Die Ausbildung des Parallelresonanzschwingkreises ist äußerst einfach und frei von Spannungsverlusten. Das gleiche gilt für die Ausbildung der die Einrichtung vervollständigenden vier Ein-Aus-Schalter aufweisenden eigentlichen Umschalteinrichtung.

Möglichkeiten zur vorteilhaften weiteren Ausgestaltung einer Einrichtung gemäß der Erfindung sind in den Ansprüchen 2 bis 4 angegeben.

Im folgenden ist die Erfindung anhand des in den Zeichnungen dargestellten Beispiels näher erläutert. Es zeigt

F i g. 1 ein vereinfachtes Schaltschema der Umschalteinrichtung einer Einrichtung gemäß der Erfindung,

Fig. 2 zur Erläuterung der Funktion der Umschalt-

einrichtung den Verlauf des Stroms und der Spannung während der Umschaltvorgänge,

Fig. 3 ein Blockschaltbild einer Einrichtung gemäß der Erfindung mit zwei Umschalteinrichtungen gemäß F i g. 1 und

Fig.4 ein mehr in die Einzelheiten gehendes Schaltbild einer Umschaltvorrichtung nach F i g. 1.

In Fig. 1 ist die Umschalteinrichtung als Ganzes mit

10 bezeichnet Der Kondensator 11 stellt die kapaziti"e Last dar. Jeweils eine von zwei entgegengesetzt gepolten Gkiichspannungsquellen mit gleicher absoluter Spannungshöhe 12, 13, deren Verbindungspunkt an Masse liegt, ist an die eine Klemme der kapazitiven Last

11 anschaltbar, derer, andere Klemme ebenfalls an Masse liegt. Die Spannung der beiden Gleichspannungsquellen kann beispielsweise +2 kV bzw. —2 kV betragen. Zum Anschalten jeweils einer der beiden entgegengesetzt gepolten Spannungsquellen 12, 13 an die kapazitive Last 11 dienen zwei Ein-Aus-Schalter A,

D. Eine Induktivität 14, die einerseits mit dem an Masse liegenden Verbindungspunkt der beiden Gleichspannungsquellen 12, 13 und andererseits mit dem nicht an Masse liegenden Anschluß der kapazitiven Last 11 verbindbar ist, bildet während des Umschaltens zusammen mit dieser einen Parallelresonanzschwingkreis. Zwei Ein-Aus-Schalter B, C, die je von einer Diode 16 bzw. 17 überbrückt sind, sind mit der Induktivität 14 in Reihe angeordnet. Die Dioden 16 und 17 sind gegeneinander gepolt jeweils einer der Schalter ß, C wird beim Anschalten der Last 11 an die eine oder andere der beiden Gleichspannungsquellen 12 bzw. 13 geschlossen, der andere bleibt geöffnet. Da der eine Anschluß des die kapazitive Last bildenden Kondensators 11 ständig an Masse liegt, ändert sich bei den Umschaltvorgängen die an dem Kondensator anliegende Spannung zwischen positiven und negativen Spannungswerten von jeweils 2 kV.

Der Spannungsverlauf an dem Kondensator während des Umschaltens ist in F i g. 2 dargestellt. Die ausgezogene, mit V_c bezeichnete Wellenform entspricht der an dem Kondensator 11 anliegenden Spannung. Der Strom in dem Parallelresonanzstromkreis ist in F i g. 2 durch die gestrichelte Wellenform /_cdargeslellt

An der Zeitachse in Fig. 2 sind die jeweiligen Schaltzustände (Einschaltzustand bzw. Ausschaltzustand) der Schalter A, B, Cund Dangegeben.

Zur Erläuterung der Arbeitsweise mag von der Annahme ausgegangen werden, daß vor dem Zeitpunkt ίο der Schalter A eingeschaltet ist und damit +2 kV an dem Kondensator 11 anliegen, während die Schalter B, Cund D ausgeschaltet sind. Soll die im Zeitpunkt ίο an dem Kondensator 11 anliegende Spannung von +2 kV auf —2 kV umgeschaltet werden, so wird der Schalter A ausgeschaltet und der Schalter B eingeschaltet. Es fließt dann ein Strom von dem Kondensator 11 durch die Diode 17 und den Schalter B zur Masse. Die dabei auftretende Stromänderung ist so groß, daß in der Induktivität 14 eine der an dem Kondensator 11 anliegenden Spannung V_c gleiche Spannung hervorgerufen wird. Im Zeitpunkt f₀ beträgt also die an der Induktivität 14 anliegende Ppv.:,ung +2 kV. Während die an dem Kondensator anliegende Spannung V_c gegen Null hin abnimmt, erreicht der Strom l_c ein Maximum, bei dem der Gradient des Stromverlaufs Null beträgt, so daß an der Induktivität 14 keine Spannung mehr (>5 hervorgerufen wird. Danach wird der Gradient des Stromverlaufs negativ und die Stromstärke nimmt eeeen Null hin ab. so daß an der Induktivität 14 eine Spannung entgegengesetzter Polarität hervorgerufen wird. Wie aus F i g. 2 ersichtlich, geht der Wert von V, ins Negative bis zu dem Betrag —2 kV, der im Zeitpunkt ii erreicht wird. Der Kondensator 11 ist dann auf den Spannungsbetrag —2 kV aufgeladen. Nun wird der Schalter D geschlossen, der diesen Spannungswert ständig aus der Spannungsquelie 13 an den Kondensator 11 anlegt Ein Energieverlust tritt dabei in dem Schalter nicht auf. Der Schalter B wird in dem Zeitpunkt ii geöffnet

Die Änderung der Spannung vom Wert —2 kV zum Wert +2 kV erfolgt, wie aus Fig. 2 ersichtlich, in entsprechender Weise, indem nunmehr im Zeitpunkt i?, der Schalter D geöffnet und der Schalter Cgeschlossen wird. Der Strom durchläuft dann den durch den Schalter Cund die Diode 16 gebildeten Stromweg im negativen Sinn, wobei die an dem Kondensator 11 anliegende Spannung V_c wiederum durch Null hindurch geht und auf + 2 kV ansteigt. Danach, im Zeitpunkt /3, wird der Schalter C geöffnet und der Schalter A geschlossen, so daß die Spannung von +2 kV an dem Kondensator 11 aufrechterhalten wird.

Die vorstehend beschriebenen Umschaltvorgänge können naturgemäß zyklisch durchgeführt werden. Für die Zeitspanne zwischen ij und h sind dabei nur wenige MikroSekunden erforderlich. Die Zeitspanne zwischen ίο und ii bzw. f₂ und ti kann angenähert 10 Mikrosekunden betragen. Aus der vorstehenden Erläuterung der Arbeitsweise der Umschalteinrichtung nach Fig. 1 ist ersichtlich, daß die /.C-Resonanz zwischen Kondensator 11 und Induktivität 14 dazu benutzt wird, einen raschen Energieaustausch zwischen diesen beiden Schaltungskomponenten zu ermöglichen, der einen effektiven Polaritätswechsel an der kapazitiven Last ergibt. Darauf, daß die Widerstandswerte bei einer Einrichtung nach der Erfindung außerordentlich kleingehalten werden können, sind die bei ihr erreichbaren hohen Schaltgeschwindigkeiten hauptsächlich zurückzuführen.

Ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel der eriindungsgemäßen Einrichtung zur Gewinnung abgestufter Spannungswerte einer hohen Gleichspannung sei anhand von F i g. 3 erläutert. Dieses Ausführungsbeispiel betrifft den Betrieb einer Mehrschicht-Kathodenstrahlröhre 21 mit elektromagnetischen X- und V-Ablenkeinheiten 22, 23 und einer Treiberstufe mit Verstärkerkreisen 24. Solche Mehrschicht-Kathodenstrahlröhren sind handelsüblich. Sie weisen normalerweise einen Bildschirm mit einer roten und einer grünen Phosphorschicht auf, die durch eine Sperrschicht von einander getrennt sind. Die Endanode oder der Bildschirm der Kathodenstrahlröhre wird bei dem einen Betriebszustand mit so niedrigem Potential betrieben, daß die Elektronen nicht durch die Sperrschicht hindurchgehen und die andere Phosphorschicht zum Aufleuchten bringen können. Bei dem anderen Betriebszustand ist das Anodenpotential so hoch, daß die Elektronen durch die erste Phosphorschicht und die Sperrschicht hindurchgelangen und die zweite Phosphorschicht zum Aufleuchten bringen können. Auf diese Weise wird eine zweite Primärfarbe erzeugt. Zwischenwerte der Anodenspannung aktivieren die Phosphorschichten proportional, so daß Farbgemische erzielbar sind. Gewünschtenfalls können auch andere Phosphoroder Bildschirmeigenschaften, wie z. B. die Nachleuchtdauer, beeinflußt werden.

Der Einfachheit halber wird hier von der Annahme ausgegangen, daß die Röhre 21 mit einer Vorspannung

von —9 kV an der Kathode 26 betrieben wird. Diese Vorspannung wird mit ± 1 kV durch eine als Schalter No. 1 bezeichnete Umschalteinrichtung 27 moduliert, der grundsätzlich der in F i g. 1 dargestellten Umschalteinrichtung entspricht. Eine zweite, als Schalter No. 2 bezeichnete Schalteinrichtung 28 dient zum Anschalten einer Spannung vom Betrag ±2 kV an den Anodenanschluß 29 der Röhre 21. Außerdem ist mit dem Anodenanschluß 29 eine scheinbare Kapazität gekoppelt, die hier als Kondensator C_x veranschaulicht ist. Beim Umschalten der Anode der Kathodenstrahlröhre ist diese als effektive kapazitive Last anzusehen.

In entsprechender Weise moduliert die ±1 kV-Ausgangsleitung 30 des Schalters 27 eine —9 kV-Vorspannungsquelle 31, die gegenüber Masse eine mit C, bezeichnete effektive Kapazität aufweist. Der Hauptvorteil dieses modulierten Hochspannungsteils besteht in seiner sehr kurzen Schaltzeit. Weiterhin weist die Einrichtung einen Niederspannungsteil 32 auf, der z. B. mit einer Netzspannungsquelle verbunden sein kann und die Eingangsnetzwechselspannung in die erforderlichen Speisespannungen für die zugeordneten Schaltungen einschließlich der Schalter 27 und 28 und der Verstärkerkreise der Treiberstufe 24 umformt. Da diese Verstärkerkreise mit —9 kV betrieben werden, ist eine Trennung der Treiberstufe 24 gegenüber dem Niederspannungsteil 32 und dem Leistungsverstärker 25 durch den zugeordneten Übertrager 25a vorgesehen. Die von dem Niederspannungsteil 32 gelieferte Energie wird ferner über den Übertrager 33 in einen Hochspannungsteil 34 eingegeben. Der Hochspannungsleil weist eine Ausgangsleitung 35 auf, welche die —9 kV-Vorspannungsleitung darstellt. Die Spannungsregelung für die Leitung 35 erfolgt durch einen Rückkopplungskreis 36 zwischen dem Hochspannungsteil 34 und dem Niederspannungsteil 32. Eine Licht emittierende Diode liefert eine Fehlerspannung an einen Fotodetektor, der mit einem Regler für den Niederspannungsteil 32 gekoppelt ist.

Zur ausreichenden Trennung des Hochspannungsteils 34 ist eine elektrostatische Abschirmung 37, beispielsweise in Form eines Gehäuses aus Kupferdrahtgitter, vorgesehen, das den ganzen Hochspannungsteil einschließlich des Übertragers 33 völlig umgibt. Eine zweite Abschirmung 38, ebenfalls aus Kupferdrahtgitter, dient zur zusätzlichen Trennung und liegt an Masse. Die Abschirmung 37 liegt über den Anschluß 39 zusammen mit der von dem Schalter 27 kommenden ± 1 kV-Modulationsspannungsleitung 30 an der 9 kV-Hochspannungssammeiklemme HV.

Durch geeignete Kombinationen von Schaltspannungen der Schalter 27 und 28 ergeben sich im Betrieb zwischen Kathode 26 und Anode 29 der Röhre 21 effektive Spannungsunterschiede von 6,8,10 und 12 kV.

In Fig.4 ist vereinfacht eine Steuerschaltung 42 für die Schalter A bis D der Fig. 1, ausführlicher für die beiden Ein-Aus-Schalter C und D mit Halbleiter-Schalterbauelementen, dargestellt. Durch die links in der Mitte des Zeichnungsblatts von Fig.4 ankommende Leitung wird den Aufwärts- und Abwärts-Flip-Flops 43 und 44 ein Umschaltbefehl zum Umschalten der Schaltspannung von dem einen auf den anderen Grenzwert zugeführt. Die Flip-Flops dienen im wesentlichen als Speicherelemente, welche bestimmen, ob der Schaltkreis sich im Zeitpunkt des Eingangs eines Umschaltbefehls auf dem positiven oder auf dem negativen Extremwert der Schaltspannung befindet. Ein als Univibrator bezeichneter monostabiler Multivibrator 46, der mit den Ausgängen der Flip-Flops 43 und 44 gekoppelt ist, steuert über eines der beiden UND-Gatter 47 und 48 jeweils den Schalter Coder den Schalter B an, je nachdem, ob er einen positiven oder negativen Strom /_t· führt. Die Koinzidenzeingänge der UND-Gatter 47 und 48 werden von den komplementären Ausgängen des Aufwärts- und des Abwärts-Flip-Flops 43 bzw. 44 gesteuert.

Der Ausgang des UND-Gatters 47 ist über einen

ίο Impulsübertrager 49 mit den Invertern 51 und 52 • gekoppelt. Der Inverter 51 ist mit einem Transistor 53 gekoppelt, der beispielsweise im Zeitpunkt h (siehe Fig. 2) angesteuert wird und seinerseits einen Transistor 54 steuert, durch den die Anschaltung der in Reihe geschalteten Transistoren 55a bis 55</beschleunigt wird. Der Transistor 55t/ ist mit der kapazitiven Last gekoppelt, die er moduliert, während der Transistor 55a mit der Induktivität 14 gekoppelt ist. Bei Ansteuerung der Transistoren 55a bis 55c/ wird der Schalter C geschlossen.

Wenn der Schalter C geöffnet und der Schalter B leitend ist, führen die jeweils zwischen Kollektor und Emitter der Transistoren 55a bis 55c/ gekoppelten Dioden 56a bis 56c/ den durch den andern Schalter hindurchgehenden Strom, während die zugeordneten Transistoren sich im gesperrten Zustand befinden.

Wenn weder der Schalter B noch der Schalter C eingeschaltet ist, ergibt sich ein hoher Spannungsabfall an den Schaltern. Um an jeder Stufe des Schalters den gleichen Spannungsabfall zu erhalten, sind zwischen Kollektor und Basis jeder Transistorstufe Widerstände 57a bis 57d geschaltet. Die Werte dieser Widerstände liegen dabei im Bereich von mehreren hundert Kiloohm. Wenn die Transistoren 55a bis 55c/ abgeschaltet oder gesperrt, die Dioden 56a bis 56c/ jedoch leitend sind, dienen die in Reihe geschalteten und mit den Kollektoren der Transistoren verbundenen Dioden 58a bis 58c/ dazu, die Transistoren 55a bis 55c/ im abgeschalteten Zustand zu halten.

Wenn der monostabile Multivibrator 46 gegen Ende der durch die LC-Zeitkonstante der Schaltung vorgegebenen Zeitspanne keinen Ausgangsimpuls mehr liefert, steuert der Inverter 52 den Transistor 59 an. Dadurch werden die Transistoren 55a bis 55</ gesperrt, d. h.

ausgeschaltet. Zur Begünstigung der Ausschaltvorgänge können Klemmkreise, bestehend aus parallel zwischen Basis und Emitter der Transistoren 55a bis 55c geschalteten Widerständen 61 a bis 61 cvorgesehen sein.

Nach Umschaltung der an der kapazitiven Last liegenden Spannung wird der Schalter B oder der Schalter C abgeschaltet und der in der Hauptleitung liegende Schalter A oder der Schalter D angeschaltet oder geschlossen. Durch das Verzögerungsglied 63 (F i g. 4) läßt sich eine Verzögerung während der Polaritätsänderung der kapazitiven Last bewirken.

Der Aufbau des Ein-Aus-Schalters D ist im wesentlichen der gleiche wie der des Ein-Aus-Schalters C Er umfaßt eine Reihenschaltung von Transistoren 65a bis 65c mit jeweils zwischen Basis und Kollektor liegenden Widerständen 67a bis 67c, welche dazu dienen, die Spannungsabfälle an den Transistoren zu vergleichmäßigen. Auch an dem Ein-Aus-Schalter D können Schaltungsmaßnahmen vorgesehen sein, um die Ein- und Ausschaltgeschwindigkeiten zu steigern.

Eine Trennung der Speisespannungen beider Umschalteinrichtungen 27 und 28 (Schalter No. 1 und No. 2) kann durch Übertrager mit Brückengleichrichtern in deren Sekundärkreisen erfolgen, welche die erforderli-

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chen Speisegleichspannungen liefern. kreises bestimmt sind. Ihre Sehaltzciten sind in beiden

Umschalteinrichtungen, wie sie einer liinrichtung zur Unisehaltcinrichlungen jeweils die gleichen. Da der

Gewinnung abgestufter Spannungswerte einer hohen Umschaltvorgang jeweils beim Stromwcrt Null erfolgt,

Gleichspannung gemäß der Erfindung eigentümlich isl der Leistungsverlust äußerst gering und es lassen sich

sind, ermöglichen sehr kurze Sehaltzciten, die im > hohe Schallfolgefrequenzcn erreichen,
wesentlichen durch die LC-Zeitkonstantc des Schalt-

Hierzu 3 Blatt Zeichnungen

Claims

Patentansprüche:

1. Einrichtung zur Gewinnung abgestufter Spannungswerte einer hohen Gleichspannung für den Betrieb einer Mehrschicht-Kathodenstrahlröhre od. dgl., bei der für die Umschaltung auf jeweils eine andere Stufe wenigstens eine Umschaltvorrichtung vorgesehen ist, mit der aus einer rein kapazitiven Last mit Hilfe einer für die Dauer des Umschaltvorganges eingeschalteten Induktivität ein Parallelresonanzschwingkreis gebildet wird, der nach einer halben Periode seiner Eigenschwingungsfrequenz abgeschaltet wird, dadurch gekennzeichnet,

daß sie wenigstens eine vier Ein-Aus-Schalter enthaltende Umschaheinrichtung(lO) mit paarweise gleichzeitig zu schaltenden Ein-Aus-Schaltern (A, B, C₁ D) aufweist, von denen zwei Ein-Aus-Schalter (A. D) dazu dienen, jeweils eine von zwei entgegengesetzt gepolten Gleichspannungen (12,13) mit gegen Masse gleicher absoluter Spannungshöhe an die kapazitive Last (ti) gegen Masse anzuschalten,
und daß zur Bildung des Parallelresonanzschwingkreises während des Umschaltens der kapazitiven Last (11) von der einen auf die andere der beiden Gleichspannungen (12, 13) und umgekehrt ein und dieselbe Induktivität (14) dient, die in einer einerseits mit der kapazitivien Last (11) und andererseits mit Masse verbundenen Reihenschaltung mit zwei beiderseits von ihr vorgesehenen Ein-Aus-Schaltern (B, C) angeordnet ist, von denen jeder durch eine von zwei gegensinnig gepolten Dioden (16, 17) überbrückt ist und von denen jeweils einer zugleich mit dem Ausschalten des einen der beiden erstgenannten Ein-Aus-Schalter (A, D) eingeschaltet und zugleich mit dem Einschalten des anderen dieser beiden Ein-Aus-Schalter ausgeschaltet wird.

2. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß jeder der beiden erstgenannten Ein-Aus-Schalter (A, D) aus einer zwischen einer der beiden Gleichspannungsquellen (12, 13) und der kapazitiven Last (11) angeordneten Reihenschaltung von Transistoren (65a bis 65c) besteht.

3. Einrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß zur gleichmäßigen Aufteilung der an ⁴S die Reihenschaltung angelegten Spannung jeweils ein Widerstand (67a bis 67ς)zwischen Kollektor und Basis der Transistoren (65a bis 65c^ angeordnet ist.

4. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die in Reihe mit der Induktivität (14) angeordneten Ein-Aus-Schalter (B, C) zum Führen von Strömen jeweils einer Polarität ausgebildete Gruppen in Reihe geschalteter Transistoren (55a bis 554I in Verbindung mit zur Überbrückung der Transistoren dienenden, zur Führung von Strömen der entgegengesetzten Polarität gepolten Dioden (56a bis 56d) aufweisen.