DE2209518C3 - Zweirichtungsthyristor - Google Patents
ZweirichtungsthyristorInfo
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- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 title claims description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 29
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 25
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 19
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 15
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- 238000009760 electrical discharge machining Methods 0.000 description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 4
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 3
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 2
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 2
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000013641 positive control Substances 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101150036062 PITPNA gene Proteins 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000002146 bilateral effect Effects 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 210000003127 knee Anatomy 0.000 description 1
- 230000004807 localization Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000013642 negative control Substances 0.000 description 1
- 150000003017 phosphorus Chemical class 0.000 description 1
- 239000006223 plastic coating Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/74—Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action
- H01L29/747—Bidirectional devices, e.g. triacs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf einen Zweirichtungsthyristor mit einem Halbleiterkörper mit einer inneren
Zone von einem bestimmten Leitfähigkeiis'yp zwischen
einer ersten und einer zweiten äußeren Zone vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp, wobei die erste
äußere Zone an eine erste Hauptoberfläche des Korpers und die /weite äußere Zone an die gegenüberliegende
zweite Hauptoberfläche grenzt, und wobei die äußeren Zonen mit der erwähnten inneren Zone pn-Übergänge
bilden, wobei eine erste weitere Zone vom einen Leitfähigkeitstyp einen pn-Übergang mit der erwähnten
ersten äußeren Zone vom entgegengesetzten Leitiähigkeitstyp bildet und ebenfalls an die erwähnte erste
Hauptoberfläche des Körpers grenzt, während eine erste Hauptstromelektrode auf der erwähnten ersten
Hauptoberfläche des Körpers liegt, die einen ohmschen Kontakt mit der erwähnten ersten äußeren Zone vom
entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp und mit der erwähnten
ersten weiteren Zone vom einen Leitfähigkeitstyp bildet, wobei eine /weite und eine dritte weitere
Zone vom einen Leitfähigkeitstyp mit je der /weiten äußeren Zone vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp
einen pn-übergang bilden und jeweils an die erwähnte zweite Haupioberfläche des Körpers gren/en. während
ferner eine erste und eine /weite weitere Elektrode auf
der erwähnten /weiten Haupioberfläche des Korpers zur Bildung einer /weiten Hauptstromelektrode und
einer Steuerelektrode vorgesehen si"d. wobei die
erwähnte trste weitere Elektrode einen gemeinsamen ohmsihen Kontakt mit der /weiten äußeren Zone vom
entgegengesetzten I.eiifähigkeitsiyp und mit der zweiten
weiteren Zone vom einen leitfähigkeitstyp bildet, w
und wobei die erwähnte zweite weitere Elektrode einen gemeinsamen ohmschen Kontakt mit der zweiten
äußeren Zone vom erigegengesetzten Leitfähigkeitstyp und mit der dritten weiteren Zone vom einen
Leitfähigkeitstyp bilde'.
Ein Zweirichtungsthyristor dieser Art ist aus »Internationale
Elektronische Rundschau« 1966. Nr. 6. Seiten 353-356 bekannt.
Die Fig. I der Zeichnungen zeigt schematisch einen
Querschnitt durch einen bekannten Zweirichtungsthyristor. Er enthält einen Halbleiterkörper mit einer inneren
ri'leitetiden Zone 1, die sich zwischen einer ersten und
einer zweiten äußeren p-leitenden Zone 2 und 3 befindet, die auf ersten und zweiten einander gegen·1
überliegenden Oberflächen des Körpers liegen und pn-Übergänge /1 bzw. /2 mit der inneren n-leitenden
Zone I bilden. Eine weitere η-leitende Zone 4 bildet einen pn-übergang /3 mit dtr ersten äußeren p-Ieitenden
Zone 2 und erstreckt sich auf derselben einen Oberfläche des Körpers wie die erwähnte p-leitende
Zone 2. Eint zweite weitere η-leitende Zone 5 bildet einen pn-übergang U mit der zweiten äußeren
p-leitenden Zone 3 und erstreckt sich auf derselben gegenüberliegenden Oberfläche des Körpers wie die
erwähnte p-Ieitende Zone 3. Die dritte weitere η-leitende Zone 6 bildet einen pn-übergang /5 mit der
zweiten äußeren p-leitenden Zone 3 und erstreckt sich ebenfalls auf derselben Oberfläche des Körpers wie die
p-leitende Zone 3. Auf der ersten Oberfläche des Korpers ist noch eine η-leitende Zone 12 dargestellt, die
sich auf der ersten Oberfläche des Körpers erstreckt und einen pn-Übergang /& mit der ersten äußeren
p-leitenden Zone 2 bildet in der Praxis bilden die Zonen
4 und 12 üblicherweise ein Ganzes, aber für ein besseres Verständnis der Erfindung sind diese als gesonderte
Zonen gezeigt. Auch da die zusammengesetzte Zone 4, 12 auf der ersten Oberfläche des Körpers eine komplexe
Form aufweist, zeigen gewisse Schnitte durch den Körper, daß zwei gesonderte Zonen 4 u.-.j 12 vorhanden
sind.
Auf der erwähnten einen Oberfläche des Körpers befindet sich eine erste Hauptstromelektrode 7, die
einen ohmschen Kontakt mit der p-leiienden äußeren Zone 2 unj mit den n-leitenden Zonen 4 und 12 bildet
und auf diese Weise Teile der Übergänge /j und /b an
den Stellen, an denen sie sich an der Oberfläche erstrecken, knrzschließt. Die Elektrode 7 ist mit der
Hauptstromklemme Γι des Thyristors verbunden. Auf
der gegenüberliegenden Seite befindet sich eine zweite Hauptstromelektrode 8. die einen ohmschen Kontakt
mit der p-leitenden Zone 3 und mit der n-leitenden Zone
5 bildet und einen Teil des Überganges /t an der Stelle,
an der er sich an der Oberfläche erstreckt, kurzschließt.
Die Elektrode 8 ist mit der Hauptstromklemme T2 verbunden. Auch befindet sich auf dieser Seite des
Körpers eine Steuerelektrode 9, die einen gemeinsamen ohmschen Kontakt mit der p-leitenden Zone 3 und mit
der n-leitenden Zone 6 bildet und auf diese Weise einen Teil des Überganges /5 an der Stelle, an der sich an der
Oberfläche erstreckt, kurzschließt. Die Elektrode 9 ist mit einer Steuerklemme C des Thyristors verbunden. In
bezug auf die Richtung zwischen den e;nander gegenüberliegenden Hauptoberflächen des Körpers
überlappen sich die n-leitenden Zonen 4 und 5 gewissermaßen, gleich wie die n-leitenden Zonen 5 und
12. Die Betriebsweise des bekannten Thyristors kann gesondert in den beiden Halbperioden einer über den
Klemmen 7Ί und T2 angeordneten Wechselstromquelle
betrachtet werden. Wenn die Struktur ohne die η-leitende Zone 6 und die Steuerelektrode 9 in der
ersten Halbperiode belraciitet wird, wobei T\ positiv
und T2 i.cgjitiv ist. würde nach dem Überschreiten der
Durchschlagspannung des Übergangs h zwischen den
Elektroden 7 und 8 Leitung über die npnp-Thyristorstruktur
in der Mitte des gezeigten Querschnittes durch die Anordnung auftreten, welche Struktur durch die in
Reihenfolge angeordneten Zonen 5, 3, 1 und 2 gebildet wird, während in der anderen Halbperiode, wobei 7Ί
negativ und Ti positiv ist, nach dem Überschreiten der Durchschlagspannung des Übergangs ]\ zwischen den
Elektroden 7 und 8 Leitung über die pnpn-Thyristorstruktur auf der linken Seite des dargestellten
Querschnittes durch di? Anordnung auftreten würde, welche Struktur durch die in Reihenfolge angeordneten
Zonen 3,1,2 und 4 gebildet wird. Die n-leitenrJen Zonen
6 und 12 und die Steuerelektrode 9 sind derart
angebracht, Haß, im Gegensatz zu der obenbeschriebenen
Wirkung, wobei von der Abwesenheit dieser Zonen und dieser Elektrode ausgegangen wird, der anfängliche
Strom in jeder Halbperiode gesteuert werden kann und hicht Von der äußeren angelegten Spannung abhängig
ist, die die Durchschlagspannungen der Übergänge J2
und ;]\ überschreitet. Die besondere Form einer gesteuerten Anordnung nach Fig;l ist derart, daß
entweder in dem ersten Quadranten des SlronvSpanriungsdiagfarrims
(vefgl. Fig.2) öder in dem dritten
Quadranten Strom dadurch zu fließen anfangen kann, daß eine Spannung an die Klemme C angelegt wird, die
in bezug auf die an die Klemme T2 angelegte Spannung
positiv oder negativ ist. Diese Form einer gesteuerten bilateralen Anordnung mit drei Klemmen, die unter der
Bezeichnung »Triac« bekannt ist, ist die am meisten hergestellte und verkaufte Ausfiihrungsform. Es gibt
andere Typen, bei denen durch eine verschiedene Kuniiguiiiiiun üci ii-ieiieiideii Zu nc 6 lind/udci dci
Steuerelektrode 9 der Schaltmechanismus und/oder die Schaltmöglichkeiten der angelegten Spannungspolaritat
von der Struktur nach Fig. 1 verschieden sind. Es können z. B. Anordnungen mit drei Klemmen erhalten
werden, in denen nur in dem ersten oder in dem dritten Quadranten getriggert werden kann, wenn an die
Steuerelektrode eine Spannung angelegt wird, die in bezug auf die an T2 angelegte Spannung eine bestimmte
Polarität aufweist.
Die elektrischen Kennlinien des Thyristors nach F i g. 1 sind schematisch in F i g. 2 dargestellt, wobei die
Spannung V über dem Strom / zwischen den Klemmen T1 und T2 aufgetragen ist. In dem ersten Quadranten
(oberer rechter Teil mit Γι positiv und T2 negativ) steigt
bei einer Steuervorspannung 0 der Ausgangsstrom langsam an, wobei sich die Anordnung in dem
nichtleitenden Zustand befindet. Bei einer weiteren Zunahme der angelegten Spannung auf die Durchschlagspannung
VB ι weist die Kennlinie ein zweiteiliges negatives Widerstandsgebiet auf. das mit der gestrichelten
Linie angedeutet ist. Die Anordnung schaltet dann in den leitenden Zustand auf einen durch die Kreisimpedanz
bestimmten Strom um. Wenn anschließend der Strom herabgesetzt wird, schaltet die Anordnung
schließlich auf dem Haltestrompegel Ih \ ab, weil die
injizierte Ladung ungenügend wird, um die beiden inneren Zonen der betreffenden Vierzonen-Thyristorstruktur
in dem Sättigungszustand zu halten. In dem dritten Quadranten (unterer linker Teil mit Γι negativ
und T2 positiv) ist die Kennlinie im allgemeinen zu der
im ersten Quadranten symmetrisch. Sowohl im ersten als auch im dritten Quadranten wird, wenn an die
Klemme G eine niedrige Spannung angelegt wird, die in bezug auf die Spannung an T2 entweder positiv oder
negativ ist, die Anordnung von dem nichtleitenden zu dem leitenden Zustand getriggerL Diese Schaltungsweisen
sind unter der Bezeichnung I+-, I~-, IH+- und
III--Modus bekannt, wobei I+ die Triggerung im ersten Quadranten (T\ positiv, T2 negativ) mit einer positiven
Steuerspannung in bezug auf T2, I- die Triggerung im
ersten Quadranten mit einer negativen Steuerspannung in bezug auf T2, IH+ die Triggerung im dritten
Quadranten (7i negativ, T2 positiv) bei einer positiven
Steuerspannung in bezug auf T2, und HI- die Triggerung
im dritten Quadranten mit einer negativen Steuerspannung in bezug auf T2 darstellt
In hergestellten Anordnungen der in Fig. i dargestellten
Art sind die Oberflächengeometrie der n-leitenden Gebiete, die sich auf der gegenüberliegenden
Oberfläche des Körpers erstrecken, und ihre Überlappung verhältnismäßig verwickelt. Grundsätzlich gibt es
in bezug auf die Form des Halbleiterkörper zwei käuflich erhältliche »Triacw-Typcri. In einem dieser
»Triads« ist der Körper im allgemeinen fechteckig
gestaltet, während die sich auf der gegenüberliegenden Oberfläche des Körpers erstreckenden n-leilenden
Gebiete, gleich wie die den Elektroden 8 und 9 nach F i g. I entsprechenden Elektroden, längs der Seiten des
rechteckigen Körpers orientiert sind. Bei dem anderen
Typ weist der Körper die Pö'rni einer kreisförmigen Platte mit einer verhältnismäßig verwickelten Anordnung
der η-leitenden Gebiete und ihrer Überlappung auf einander gegenüberliegenden Seite der Platte auf.
wobei die Steuerelektrode (9 in Fig. I) in der Mitte
einer Seite der Platte angebracht ist. während die Hauptstromelektrode (8 in Fig. I) durch einen Ring
gebildet wird, der die mittlere Steuerelektrode umgibt Bei der Herstellung der Anuruiiung isi es aus
wirtschaftlichen Gründen wünschenswert, daß Bearbeitungen, wie Diffusion zur Bildung einer Anzahl von
»Triacw-Elementen in derselben Halbleiterscheibe und die anschließende Unterteilung der Scheibe, vor der
Montage der gesonderten Elemente durchgeführt werden. Der Körper jedes »Triac«-Elements kann die
Form einer Platte aufweisen, wobei diese Platte durch ein Ultraschallverfahren in Scheibchen unterteilt wird.
Diese Tc.hnik eignet sich aber am besten für Anordnungen mit einem großen Flächeninhalt und
einem verhältnismäßig hohen Strom, weil die Anzahl plattenförmiger »Truicw-Elemente, die auf ein und
derselben Scheibe hergestellt werden kann, beschränkt ist. Für Anordnungen mit einem kleinen Flächeninhalt
und einem verhältnismäßig niedrigen Strom wird für den Halbleiterkörper vorzugsweise die Rechteckform
gewählt, weil auf wirtschaftliche Weise aus derselben Materialscheibe eine Vielzahl von »Triac«-Elementen
erhalten werden können. Bei der Behandlung solcher Elemente mit einem verhältnismäßig kleinen Flächeninhalt
ergibt sich aber ein Problem in bezug auf die Kontaktierung und die Hantierung. Dies ist darauf
zurückzuführen, daß die Steuerelektrode und die Hauptstromelektrode auf der einen Oberfläche des
Körpers besonders klein sind und, weil sie verschiedene Gebiete des Körpers kontaktieren, müssen sie geson
dert identifiziert und während der nach der Unterteilung der Scheibe durchgeführten Bearbeitungen als
solche beibehalten werden. Dies führt zu hohen Kosten, nicht nur beim Hantieren der Körper, sondern auch
beim Anbringen in einer Umhüllung, wobei die Steuerklemme und die Hauptstromklemme mit J?r
erwähnten Hauptstromelektrode auf ungleiche Weise angebracht werden müssen.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, einen Zweirichtungsthyristor der eingangs genannten
Art so auszubilden, daß die elektrischen Verbindungen mit der Steuerelektrode und der Haiiptstromelektrode
auf derselben Seite des Halbleiterkörpers miteinander vertauscht werden können und dennoch der Thyristor
praktisch die gleichen Kennlinien für jede der beiden Alternativen Anschlußweisen aufweist.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die zweite und die dritte weitere Zone vom einen
Leitfähigkeitstyp praktisch den gleichen Flächeninhalt aufweisen und sich praktisch völlig auf einander
entgegengesetzten Seiten einer Linie befinden, die die erwähnte Oberfläche in zwei praktisch gleiche Oberflächenteile
unterteilt, wobei die weiteren Elektroden, die
die zweite Hauplslromelektrode Und die Steuerelektrode
bilden, ebenfalls zu beiden Seilen der genannten
Linie angebracht sindi
Da so der Zweilichtungsthyristor für die beiden alternativen Scnällüngswdsen praktisch die gleichen
Kennlinien aufweist, ergeben sich die Vorteile, daß die Herstellungskosten erheblich herabgesetzt werden, und
die Vermeidungen zwischen den Elektroden und dem
Aüßenanscriluß am Ende des Thyristors Vereinfacht werden körinen. Zunächst wird die zuletzt genannte
Möglichkeit betrachtet: Da eine der beiden Elektroden auf der zweiten Oberfläche des Körpers die Steuerelektrode
bilden kann, wobei die andere der erwähnten Elektroden eine Hauptstromelektrode bildet, kann die
Umhüllung des Thyristors verhältnismäßig einfach sein, weil es nicht erforderlich ist, die mit diesen Elektroden
Verbundenen Klemmen voneinander zu unterscheiden. Ferner ist der Gebraucher frei in der Wahl der Klemme
für Hip ^lpiiprplpklrnHp hpi pinpr I lmhiilliinu Hip vu/pi
— — —-—-·σ· —*- — ··-·
auf gleiche Weise auf einer Seite angebrachte Klemmen 2d
enthält, die die Steuerklemme und eine Hauptklemme bilden, während auf einer anderen Seite der Umhüllung
eine Klemme angebracht ist, die die andere Hauptklemme bildet.
Ein viel wichtigerer Vorteil der besonderen Bauart des Zweirichtungsthyristors nach der Erfindung besteht
aber darin, daß die Herstellungskosten infolge dieser besonderen Bauart erheblich herabgesetzt werden.
Eine bevorzugte Ausführungsform der Anordnung nach der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß der
Halbleit rkörper praktisch rechteckige Hauploberflächen aufweist, wobei die von der zweiten und der dritten
weiteren Zone eingenommenen Teile der zweiten Hauptoberfläche zu einer Linie, die die rechteckige
zweite Hauptoberfläche in zwei Teile unterteilt, praktisch symmetrisch sind.
Bei dieser Ausführungsform werden bei der Herstellung Vorteile erhalten, weil die Elektroden auf der
erwähnten zweiten Oberfläche in Form von Metallstreifen angebracht werden können, die sich praktisch
parallel zu der erwähnten Linie erstrecken. Durch Anwendung solcher Elektroden in Form von Metallstreiien
kann Dei der bildung einer Anzahl von Schaltungselementen auf ein und derselben Scheibe das
Elektrodenkontaktmuster, das auf der ganzen Scheibe angebracht ist, aus einer Anzahl paralleler Streifen
bestehen. Dadurch können die Kosten erheblich herabgesetzt werden, weil die bei der Bildung eines
Kontaktmusters erforderliche Maskierung sehr einfach ist und unter Verwendung der verhältnismäßig billigen
Technik erhalten werden kann, bei der Wachs durch eine Metallmaske hindurchgespritzt wird, in der durch
Funkenerosion streifenförmige Öffnungen angebracht sind.
Bei der genannten bevorzugten Ausführungsform kann das Verfahren zur Bildung der ersten, der zweiten
und der dritten weiteren Zone vom einen Leitfähigkeitstyp verhältnismäßig einfach sein, weil die Technik, bei
der Wachs durch Metallmasken, in denen durch Funkenerosion öffnungen angebracht sind, hindurchgespritzt
wird, auch beim Anbringen von Maskierungsmustern angewandt werden kann, die bei der Bildung von
öffnungen in Oberflächenisolierschichten auf der gegenüber liegenden Oberfläche des Körpers erforderlich
sind, wobei Diffusion eines den einen Leitfähigkeitstyp herbeiführenden Dotienjr.gselernents anschließend
in die Oberflächenteile durchgeführt wird, die durch die öffnungen freigelegt sind, damit die erwähnte erste.
zweite und dritte weitere Zone vom einen LeilFähigkeilstyp
gebildet werden.
Eine weitere bevorzugte Ausführungsförm einer
Anordnung nach der Erfindung mit einem Halbleiterkörper mit fechleckigCn Häüptöbefflächen ist dadurch
gekennzeichnet, daß die Von der zweiten und der dritten
weiteren Zone eingenommenen Teile der zweiten Hauptoberfläche zu einer Diagonalen der zweiten
Hauptoberfläche praktisch symmetrisch sind. Bei dieser Ausführungsförm ergeben sich Vorteile nicht nur in
bezug auf die Weise, in der die Kontakte angebracht werden können, sondern auch dadurch, daß ein Teil der
zweiten äußeren Zone vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp zwischen den angrenzenden Teilen der
zweiten und der dritten weiteren Zone von einen Leitfähigkeitstyp erzeugt werden kann, der eine
größere Länge in einer zu der Diagonale parallelen Richtung aufweist. Tatsächlich kann für einen Körper
mit pinpm nimHratkrhpn I ImriR rlipcpr Tpil Hpc 7u/pitpn
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äußeren Gebietes eine maximale Länge aufweisen, die annähernd gleich dem 2-fachen der Seitenlänge ist,
während dagegen für einen solchen Körper mit einem quadratischen Umriß, in dem die Symmetrie der
erwähnten zweiten und dritten weiteren Zone von einen Leitfähigkeitstyp um eine Linie herum liegt, die sich
parallel zu der gegenüber liegenden Seite des Quadrates erstreckt, der erwähnte Teil des zweiten äußeren
Gebietes vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp eine maximale Länge haben kann, die erheblich geringer als
die Länge der Seite und gewöhnlich höchstens nur gleich der Hälfte der Länge der Seite ist. Dies ist wichtig
für die empfindliche Triggerung der Anordnung und wird nachstehend im Detail beschrieben.
Bei der erwähnten bevorzugten Ausführungsform der Anordnung, bei der die zweite und die dritte weitere
Zone vom einen Leitfähigkeitstyp zu einer Diagonale praktisch symmetrisch angebracht sind, können vorteilhaft
die erste und die zweite weitere Elektrode an der zweiten Hauptoberfläche die Form von Metallstreifen
einer praktisch gleichmäßigen Breite aufweisen, die sich in einer zu einer Diagonale praktisch parallelen
Richtung erstrecken. In der Herstellungsstufe dieser Anordnung, in der die ivieiaiistreifeneieKtroden angebracht
werden, wird das Kontaktmuster für eine Anzahl von Schaltungselementen auf ein und derselben Scheibe
aus einer Anzahl Metallstreifen bestehen, die sich parallel zu den erwähnten Diagonalen jeder der
Hauptoberflächen des Schaltungselements erstrecken. Beim Anbringen solcher längs einer Diagonale orientierter
Elektroden ergibt sich der weitere Vorteil, daß eine größere Oberfläche für Kontaktierung, z. B. durch
Thernokompression, erhalten wird als für längs der Seiten orientierte Elektroden der Fall wäre.
In der erwähnten bevorzugten Ausführungsform der Anordnung, in der die zweite und die dritte weitere
Zone vom einen Leitfähigkeitstyp zu einer Diagonale symmetrisch angebracht sind, können die zweite und die
dritte weitere Zone vom einen Leitfähigkeitstyp je einen ersten Randteil und einen zweiten Randteil
aufweisen, wobei die pn-Obergangsteile zwischen den ersten Randteilen und der zweiten äußeren Zone vom
entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp sich zu beiden Seiten der Diagonale und in einer zu der Diagonale
praktisch parallelen Richtung erstrecken, während sich die pn-Übergangsteile zwischen den zweiten Randteilen
und der zweiten äußeren Zone zu beiden Seiten der Diagonale und in einer die Diagonale schneidenden
Richtung erstrecken, wobei in Projektion quer zu den
Hauptoberflächen die ersten Randteile der zweiten und
der dritten weiteren Zone vom einen Leitfähigkeitstyp die erste weitere Zone vom einen Leitfähigkeitstyp an
der ersten Hauptoberfläche des Körpers überlappen, während in Projektion die zweiten Randteile der
zweiten und der dritten weiteren Zone vom einen Leitfähigkeitstyp an der zweiten Hauptoberfläche des
Körpers wenigstens über einen Teil ihrer Länge in der
Nähe der ersten Randteile die erste äußere Zone vom einen Leitfähigkeitstyp an der ersten Hauptoberfläche
des Körpers nicht überlappen.
Durch diese Lokalisierung des Überlappungsgebietes der Zonen vom einen Leitfähigkeitslyp auf einander
gegenüberliegenden Seiten des Körpers wird die Schaltgeschwindigkeit dadurch vergrößert, daß eine
möglichst niedrige Stromdichte in der Nähe der Überlappung besteht. Diese Form einer lokalisierten
Überlappung gestattet ferner eine empfindliche Triggerung der Anordnung, insbesondere in dem oben
erläuterten III*-Modus.
Bei Betrachtung der erwähnten zweiten Randteile, die die erste weitere Zone vom einen Leitfähigkeitstyp
nicht überlappen, soll auch der Fall betrachtet werden, in dem in bezug auf die Richtung zwischen der ersten
und der zweiten Oberfläche des Körpers die erwähnten Zonen auf Abstand voneinander liegen, aber auch der
Fall, in dem der Abstand zwischen diesen Zonen praktisch gleich null ist. In dem letzteren Fall, der durch
sine Anforderung bedingt sein kann, die mit Rücksicht auf die betreffenden Herstellungsverfahren und andere
Erwägungen bezüglich des Entwurfes gestellt werden muß, kann zwar nicht eine so große Erhöhung der
Schallgeschwindigkeit erhalten werden als in dem Falle, in dem die erwähnten Zonen in bezug auf die Richtung
zwischen der ersten und der zweiten Oberfläche des Körpers auf Abstand voneinander liegen, aber trotzdem
wird eine Zunahme dieser Geschwindigkeit erzielt.
Bei der Anordnung mit der genannten lokalisierten Überlappung ist eine weitere bevorzugte Ausführungsform dadurch gekennzeichnet, daß in einer Projektionsebene
quer zu den Hauptoberflächen jede der erwähnten ersten und zweiten weiteren Elektroden an
<ici erwähnten zweiten Haupiuberiläche lies Körpers
. auf Abstand von dem Überlappungsgebiet der ersten weiteren Zone vom einen Leitfähigkeitstyp an der
ersten Hauptoberfläche des Körpers mit der ersten Randzone der zweiten bzw. der dritten weiteren Zone
vom einen Leitfähigkeitstyp an der zweiten Hauptoberfläche des Körpers liegt. Dadurch wird effektiv ein
hoher Widerstand in dem Stromweg von der Elektrode zu dem Überlappungsgebiet herbeigeführt. Wenn eine
der beiden genannten Elektroden eine Hauptstromelektrode bildet und sich die Anordnung in dem leitenden
Zustand befindet, wobei die angelegte Spannungspolarität derartig ist, daß die zweite oder die dritte weitere
Zone vom einen Leitfähigkeitstyp die äußere Emitterzone einer Vierzonenstruktur bildet, durch die der
Hauptstrom zwischen den Hauptstromelektroden mit der erwähnten angelegten Spannungspolarität fließt, ist
die Stromdichte am höchsten in dem unmittelbaren »Schatten« der erwähnten einen der beiden Elektroden,
wobei in diesem Gebiet die zweite oder die dritte weitere Zone vom einen Leitfähigkeitstyp an der
zweiten Hauptoberfläche des Körpers die erste weitere Zone vom einen Leitfähigkeitstyp an der ersten
Hauptoberfläche des Körpers nicht überlappt. Da das
Überlappungsgebiet in der Nähe der anderen Elektrode an der zweiten Oberfläche des Körpers liegt, verläuft
der Weg von Ladungsträgern, die den einen Leitfähigkeitstyp
kennzeichnen, von der respektiven zweiten oder dritten weiteren Zone vom eitlen Leitfähigkeitstyp
zu dem Überlappungsgebiet über den Teil mit verhältnismäßig hoher Impedanz der erwähnten respektiven
zweiten oder dritten weiteren Zone vom einen Leitfähigkeitstyp, der nicht von der Hauptstromelektrode
bedeckt ist. Daher ist die Stromdichte in dem Überlappungsgebiet sehr niedrig, so daß die gespeicherte
Ladung in der inneren Zone vom einen Leitfähigkeitstyp in diesem Gebiet auf ein Mindestmaß
herabgesetzt wird. Diese minimale gespeicherte Ladung rekombiniert bald, wodurch hohe Schaltgeschwindigkeiten
erzielbar sind.
In der erwähnten bevorzugten Ausfülirungsform der Anordnung, in der die zweite und die dritte weitere
Zone vom einen Leitfähigkeitstyp zu den beiden Seiten der Diagonale praktisch symmetrisch angebracht sind,
können vorteilhaft die zweite und die dritte weitere Zone vom einen Leitfähigkeitstyp je einen Vorsprung
aufweisen, wobei die erwähnten Vorspränge sich im allgemeinen parallel zu der Diagonale in entgegengesetzten
Richtungen erstrecken und zwischen der zweiten und der dritten weiteren Zone vom einen
Leitfähigkeitstyp einen Teil der zweiten äußeren Zone vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp mit einer
größeren Abmessung in einer zu der Diagonale parallelen Richtung als in einer Richtung quer zu der
erwähnten Diagonale difinieren. Diese günstige bauliehe
Eigenschaft sichert eine empfindliche Triggerung. weil dadurch ein verhältnismäßig langer Widerstandsweg
in dem zweiten äußeren Gebiet vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp für Ladungsträger erhalten
wird, die den entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp kennzeichnen und die sich in dem an die Oberfläche
grenzenden Teil der zweiten äußeren Zone zwischen der Steuerelektrode an ihrer Kontaktfläche mit der
erwähnten Zone und der Hauptstromelektrode an ihrer Kontaktfläche mit der erwähnten Zone bewegen.
Dieser rein ohmsche Stromweg in dem zweiten äußeren Gebiet vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp bildet
einen Verluste erzeugenden Nebenschlußstromweg und sui! uuT ein mmüeMmuG beschränkt werden.
Bei einer Anordnung nach der Erfindung mit den erwähnten hervorragenden Teilen ist eine bevorzugte
Ausführungsform dadurch gekennzeichnet, daß der erwähnte Teil der zweiten äußeren Zone vom
entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp eine praktisch rechteckige Oberfläche aufweist, und daß das Verhältnis
so l/w wenigstens gleich 6 ist, wobei / die Länge des erwähnten Teiles darstellt, in einer Richtung parallel zu
der Diagonale zwischen den Enden der Vorsprünge gemessen, und wobei ivdie Breite des erwähnten Teiles
der zweiten äußeren Zone darstellt, in einer Richtung quer zu der Diagonale zwischen den einander
zugekehrten Rändern der zweiten und dritten weiteren Zone vom einen Leitfähigkeitstyp gemessen. Der
Widerstand des Verluste erzeugenden Nebenschlußweges ist gleich dem spezifischen Widerstand der zweiten
äußeren Zone vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp multipliziert mit Uw. Der spezifische Widerstand kann
innerhalb gewisser Grenzen gesteuert werden, aber in einer praktischen Ausführungsform der Anordnung
muß l/w mindestens gleich 6 sein, damit kritische Scbaltströme erhalten werden können. Der kürzere
Stramweg in der zweiten äußeren Zone vom entgegengesetzten
Leitfähigkeitstyp, der sich unmittelbar unterhalb der Vorsprünge erstreckt, soll einen viel höheren
spezifischen Widerstand aufweisen, was durch Regelung
von Diffusionsgradienten erzielt wird.
Bei einer vorteilhaften Ausführungsform der Erfinijng
weist die erste weitere Zone von; einen Leitfähigkeitstyp an der ersten Hauptoberfläche des
Körpers zwei Aussparungen auf, die in einer Projektionsebene quer zu den Hauptoberflächen in der Nähe
der Vorsprünge der zweiten und dritten weiteren Zone vom einen Leitfähigkeitstyp an der zweiten Hauptoberfläche
des Körpers liegen. Der Grund der Anbringung der Aussparungen ist folgender: Einige der Schaltmechanismen
der Anordnungen bewirken den Anfang von Leitung an dem Ende eines der hervorragenden Teile.
Die erste weitere Zone vom einen Leitfähigkeitstyp an der ersten Oberfläche des Körpers unterteilt die erste is
äußere Zone vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp effektiv in zwei Oberflächenteile die zu beiden Seiten
der Diagonale liegen und miteinander durch den übrigen Teil des Gebietes, in den die erste weitere Zone
vom einen Leiträhigkeitstyp nicht eingedrungen ist,
verbunden sind Die Triggerung erfolgt von dem Ende eines Vorsprungs einer der zweiten oder dritten
weiteren Zonen vom einen Leitfähigkeitstyp an der zweiten Oberfläche des Körpeis zu der ersten äußeren
Zone vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp an der ersten Oberfläche des Körpers. Es ist wesentlich, daß
dieser Strom zu dem nächsten unterliegenden Teil der erwähnten ersten äußeren Zone fließt, der auf derselben
Seite der Diagonale wie der Vorsprung liegt, weil sonst der Hauptleitungsweg sich quer zu uem Teil der ersten
lußeren Zone auf der gegenüberliegenden Seite der Diagonale erstrecken und auf diese Weise eine hohe
Verlustleistung herbeiführen würde. Durch das Anbringen jeder Aussparung in der ersten äußeren Zone vom
einen Leitfähigkeitstyp wird auf zweckmäßige Weise der nächstliegende Teil der ersten äußeren Zon^ vom
entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp und somit das Leistungsgebiet näher zu dem betreffenden Vorsprung
geführt.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nächstehend
an Hand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigt
Fig. 3 und 4 dns Diffusionsmuster auf der Oberseite bzw. das Dinusionsmuster auf der Unterseite des
Halbleiterkörpers eines ein Ausführungsbeispiel der Erfindung darstellenden Zweirichtungsthyristors,
Fig. 5 und 6 für eine andere Orientierung des Halbleiterkörpers nach den Fig. 3 und 4 die Oberseite
des Halbleiterkörpers bzw. die Unterseite des Halbleiterkörpers nach dem Anbringen von Elektrodenschichten
auf der Oberseite bzw. Unterseite,
Fig. 7 und 8 senkrechte Schnitte durch den Halbleiterkörper längs der Linien VII-VII bzw. VIII-VIII
der F ig. 5 und 6,
Fig.9 eine Draufsicht auf die Oberseite eines Teiles
des Halbleiterkörpers, in dem eine Anzahl der Schaltungselemente nach den F i g. 3 bis 8 gebildet sind,
wobei diese Figur den Körper nach dem Anbringen der Elektrodenschichten und vor der Unterteilung in die
einzelnen Elemente darstellt, und
Fig. 10 eine Draufsicht auf die Oberseite eines weiteren ein Ausführungsbeispiel der Erfindung darstellenden
Zweirichtungsthyristors.
Der Zweirichtungsthyristor nach den Fig.3 bis 9
kann bei einem Durchlaßstrom-Effektivwert von 8 A oder weniger betrieben werden.
Die Anordnung enthält einen plattenförmigen, aus Silizium bestehenden Halbleiterkörper mit einem
quadratischen Umriß von 2,5 mm χ 2,5 mm und einer Dicke von 230 μιτι. Der Körper weist eine innere
n-Ieitende Zone 21 Fig. 7 und 8) mit einer Dicke von
ΙΙΟμίη und diffundierte erste Und zweite äußere
p-leitende Zonen 22 bzw. 23 mit je einer Dicke von
60 um auf, die sich auf der Unterseite bzw. der Oberseite
des Siliziumkörpers erstrecken und pn-Übergänge /1 bzw. /2 mit der inneren η-leitenden Zone 21 bilden. Eine;
erste weitere η-leitende Zone 24 mit einer Dicke von 15 μιτι bildet einen pn-übergang /j mit der ersten
äußeren p-leitenden Zone 22 und erstreckt sich auf der Unterseite des Siliziumkörpers. Eine zweite und eine
dritte weitere η-leitende Zone 25 und 26 bilden pn-Übergänge /4 bzw. A mit der zweiten äußeren
p-leitenden Zone 23 und erstrecken sich beide auf der Oberseite des Siliziumkörpers.
Die Übergänge /1 und /2 erstrecken sich völlig auf dem
Halbleiterkörper und enden an den Seitenflächen. Der Übergang /3 endet teilweise an den Seitenflächen und
teilweise an der llnterflärhe des .Silmiimknrners. wohei
der letztere Abschluß in den Fig.4 und 6 mit den
gestrichelten Linien /3 angedeutet ist. Die Übergänge U
Und /5 enden teilweise an den Seitenflächen und teilweise an den oberen Flächen des Siliziumkörpers,
wobei die letzteren Abschlüsse in den F i g. 3,5 und 9 mit den gestrichelten Linien /4 und /5 angedeutet sind.
In jeder der Fig.3 bis 6 sind die Ecken des quadratischen Siliziumkörpers mit A. B, C und D
bezeichnet.
Die F i g. 3 und 4 zeigen die Diffusionsmuster auf der Ober- bzw. der Unterseite und stellen beide eine
Draufsicht dar. F i g. 5 und 6 sind den F i g. 3 und 4 gleich, mit dem Unterschied, daß sie außerdem die Elektrodenschichten
zeigen, die auf der Ober- und der Unterseite des Körpers angebracht sind, während diese Figuren
eine verschiedene Orientation des Halbleiterkörpers zeigen, wobei die anschließenden Diagonalen CD
senkrecht sind. Dadurch, daß die beiden verschiedenen Orientationen des Siliziumkörpers dargestellt werden,
kann die Lage der ersten weiteren η-leitenden Zone 24 in bezug auf die zweite und die dritte η-leitende Zone 25
bzw. 26 und kann die Lage des Übergangs /3 in bzug auf die Übergänge U und /5 abgeleitet werden, wie
nachstehend im Detail beschrieben wird.
Aus den F i g. 3 und 5 ist ersichtlich, daß die zweite
und die dritte weitere η-leitende Zone 25 bzw. 26 an den Stellen, an denen sie auf der Oberseite des Körpers
erstrecken, zu einer Diagonale CD zwischen einander gegenüberliegenden Ecken der Oberfläche symmetrisch
angebracht sind. Die Elektrodenstruktur ist folgende. Auf der Unterseite befindet sich eine Metallschichtelektrode
27, die in F i g. 6 schraffiert dargestellt ist und sich völlig auf der Unterseite der Siliziumoberfiäche
erstreckt und aus einer Nickelschicht mit einer Dicke von 2 bis 3 μηι und einer darauf liegenden Goldschicht
mit einer Dicke von weniger als 1 μπι besteht. Die
Elektrode 27 bildet somit auf der Unterseite des Siliziumkörpers einen gemeinsamen ohmschen Kontakt
mit der ersten äußeren Zone 22 und mit der ersten weiteren n-Ieitenden Zone 24, wobei die Elektrode den
Übergang /3 an der Stelle, an der er sich an der Oberfläche erstreckt, kurzschließt und eine erste
Hauptstromelektrode bildet Auf der Oberseite des Körpers befinden sich zwei weitere Metallelektroden 28
und 29, die je die Form von Metallstreifen aufweisen, die ebenfalls aus Nickel (2 bis 3 μπι) und darauf liegendem
Gold (< ί μπι) bestehen. Die Streifen weisen eine
Breite von 1,0 mm auf und erstrecken sich völlig parallel zu einer Diaeonale CD. Die Metallschichtelektrode 28
bildet einen gemeinsamen ohmschen Kontakt auf der Oberseite des Siliziumkörpers mit der zweiien äußeren
p-leitenden Zone 23 und mit der zweiten weiteren η-leitenden Zone 25, wobei ein Teil des Überganges /ι
an der Stelle, an der er an der oberen Fläche endet, von der Elektrode 28 kurzgeschlossen wird. Die Metallschichtelektrode
2S bildet einen gemeinsamen ohmschen Kontakt auf der Oberseite des Siliziumkörpers
mit der zweiten äußeren p-leitenden Zone 23 und der dritten weiteren n-Ieitenden Zone 26, wobei ein Teil des
Überganges h an der Stelle, an der er an der oberen Fläche endet, von der Elektrode 29 kurzgeschlossen
wird. Die Elektroden 28 und 29 bilden zusammen eine zweite Hauptstromeleklrode und eine Steuerelektrode;
die alternativen Schaltungsweisen für diese Elektroden sind beide möglich. Ferner weist die Anordnung, trotz
der besonderen Lagerung der η-leitenden Zonen 25 und 26 gleichen Flächeninhalts in bezug auf die n-Ieitende
Zone 25 und ihrer Symmetrie zu der Diagonale CD. praktisch die gleichen Kennlinien für jede der beiden
alternativen Schaltungsweisen der Elektroden 28 und 29 auf
Zunächst sei der FaIi betrachtet, in dem die Elekrode
28 als Steuerelektrode und die Elektrode 29 als zweite Hauptstromelektrode der Anordnung geschaltet ist. Bei
einer derartigen Schaltungsweise kann beim Anlegen einer Wechselspannung zwischen den Hauptstromelektroden
27 und 29, wenn die Elektrode 27 in bezug auf die EIe! trode 28 negativ ist, nach der Triggerung ein Strom
zwischen diesen Elektroden über die npnp-Thyristorstruktur fließen, die durch die Zonen 24, 22, 21, 23
gebildet wird, während wenn die Elektrode 27 in bezug
auf die Elektrode 29 positiv ist. nach Triggerung ein
Strom zwischen diesen Elektroden über die pnpn-Thynstorstruktur
fließen kann, die durch die Zonen 22,21, 23,
26 gebildet wird Bei dieser Schaltungsweise der Anordnung tritt also der Hauptstrom, d. h. der Strom
zwischen den Elektroden 27 und 29. nach der Triggerung in dem Teil des Körpers auf der rechten
Seite der Diagonale C— D auf.
Auf entsprechende Weise wird bei der alternativen Schaltungsweise der Elektroden 28 und 29. d. h. mit der
Elektrode 28 als zweite Hauptstromelektrode und Elektrode 29 als Steuerelektrode, beim Anlegen einer
Wechselspannung /wischen den Hauptstromelektroden
27 und 28, wenn die Elektrode 27 in bezug auf die Elektrode 29 negativ ist. nach Triggerung ein Strom
zwischen diesen Elektroden über die npnp-Thyristorstruktur fließen können, die durch die Zonen 24, 22, 21,
23 gebildet wird, während wenn die Elektrode 27 in bezug auf die Elektrode 28 positiv ist. ein Strom
zwischen diesen Elektroden nach Triggerung über die pnpn-Thyristorstruktur fließt, die durch die Zonen 22,
21, 23, 25 gebildet wird. Bei dieser Schaltungsweise der Elektroden 28 und 29 tritt also der Hauptstrom nach
Triggerung in dem Teil des Körpers auf der linken Seite der Diagonale C-D auf.
Für jede der beiden alternativen Schaltungsweisen kann die Anordnung in dem ersten Quadranten und in
dem dritten Quadranten mit einer positiven oder negativen Spannung an der Steuerelektrode 28 oder 29
in bezug auf die an die Hauptstromelektrode 29 bzw- 28 angelegte Spannung getriggert Werden, Während die
übliche ZweirichtUngs-Thyristortriode zwei Haiteströme,
vier Steuerströme und vier Sperrströme aufweist, kann die Anordnung als vier Halteströme, acht
Steuerströme und acht Sperrströme aufweisend be*
trachtet werden. Die Weitere Umhüllung des Halbleiterkörpers, einschließlich der Klemmenverbindungen mit
dem Halbleiterkörper, geht auf folgende Weise vor sich. Der Halbleiterkörper wird mit der Elektrode 27 auf
einem Teil der Fläche der mittleren Klemme eines Kammes befestigi, für den eine Normalausführung einer
Kunsistoffumhüllung verwendet wird, die unter der JEDEC-Bezeichnung TO 127 bekannt isL Drähte können
mit den Elektroden 28 und 29 durch Thermokompression verbunden und an ihren ,anderen Enden an
ίο weiteren Klemmteilen des Kammes, befestigt werden,
die sich zu beiden Seiten der mittleren Klemme erstrecken. Auch können die Verbindungen zwischen
den Elektroden 28 und 29 und den weiteren Klemmenteilen des Kammes über einen sekundären Kamm
hergestellt werden, wobei die Verbindungen zwischen den Endteilen des sekundären Kammes und den
Elektroden 28 und 29 durch unmittelbares Löten hergestellt werden. Die auf diese Weise montierte und
an dem Kamm befestigte Halbleiteranordnung wird in einer Kunststoffumhüllung untergebracht. Die Unterseite
des Teiles der Fläche der mittleren Klemme, auf dem der Halbleiterkörper montiert ist. liegt in derselben
Ebene wie eine der Flächen der Umhüllung und ergibt eine befriedigende Wärmeableitung.
Die beiden anderen Klemmen, und zwar die zweite Hauptstromklemme und die Steuerklemme, oder
umgekehrt, ragen aus dem Kunststoffmaterial hervor und können ggf. je für sich als Hauptklemme und
Steuerklemme iden · ;fiziert werden.
Die Moglichkeil der gegenseitigen Verwechselbarkei! ist unmittelbar den besonderen Entwurfeigenschaften
der unterschiedlichen Gebiete in dem Halbleiterkörper zuzuschreiben.
Diese Entwurfeigenschaften ergeben jedoch auch einige vorteilhafte Effekte, nicht nur in bezug auf die
elektrischen Kennlinien der Anordnung, sondern auch in bezug auf die Herstellung, wie nachstehend
beschrieben wird.
Die zweite und die dritte weitere η-leitende Zone 25
bzw. 26 (siehe insbesondere F ι g. 3.4 und 5.6) weisen je
einen ersten Randteil 25a bzw. 26a und einen zweiten Randteil 256 bzw. 266 auf. wobei die Teile der
Übergänge U und f·, zwischen den ersten Randteilen 25,i
und 26a und der zweiten äußeren p-leitenden Zone 23 sich zu beiden Seiten der Diagonale DC in einer im
allgemeinen zu der Diagonalen CD parallelen Richtung
erstrecken, während die Teile der Übergänge U und /·>
zwischen den zweiten Randteilen 256 und 266 und der
zweiten äußeren Zone 23 sich zu beiden Seiten der Diagonale CD und in einer von der Diagonalen CD
abgekehrten Richtung erstrecken. Aus den F ι g ">
und 6 und dem Schnitt nach F ι g. 8 geht hervor, daß in bezug auf die Richtung zwischen der Ober- und der Unterseite
des Körpers der erste Randteil 25ader η-leitenden Zone 25 die nleitende Zone 24 auf der Unterseite des
Körpers gewissermaßen überlappt. Die Größe dieser Überlappunp ist mit der Abmessung »t/i« zwischen den
F i g. 5 und b und in dem Schnitt nach F i g. 8 angegeben und beträgt etwa 0.2 mm. Es sei bemerkt, daß in der
Nähe der Ecke D die Überlappung größer ist. Das letztere Gebiet großer Überlappung bildet keine
Eigenschaft des Entwurfes, die auf den Wunsch zurückzuführen ist, etwas verbesserte Kennlinien zu
erhallen, sondern ergibt sich aus dem Maskenentwurf,
der beim Anbringen der diffundierten n-leitenden Gebiete 25 und 26 verwendet wird, wie nachstehend im
Detail beschrieben wird/
Auf ähnliche Weise überlappt die erste Randzone 26a
Auf ähnliche Weise überlappt die erste Randzone 26a
ί5
der η-leitenden Zone 26 gewissermaßen die n-leitende
Zone 24 auf der Unterseite des Körpers. Die Größe dieser Überlappung ist mit der Abmessung »cfe«
zwischen den Fig.5 und 6 und im Schnitt nach Fig.7
angegeben und beträgt ebenfalls 0,2 mm. Auf ähnliche Weise ist die Überlappung in der Nähe der Ecke C
größer, was wieder eine Funktion des Maskenentwurfes ist, der für die Herstellung der η-leitenden diffundierten
Gebiete 25 und 26 verwendet wird.
Aus den F i g. 3 und 4 ist ersichtlich, daß in bezug auf die Richtung zwischen der Ober- und der Unterseite des
Körpers der zweite Randteil 250 der η-leitenden Zone 25 die η-leitende Zone 24 auf der Unterseite des
Körpers nicht überlappt; tatsächlich beträgt der seitliche Abstand praktisch 0, weil sowohl die betreffenden
Teile des Überganges /» als auch des Überganges /j
in einer senkrechten Ebene liegen, die die Diagonale A-B enthält. Auf entsprechende Weise überlappt der
zweite Randteil 266 der η-leitenden Zone 26 die η-leitende Zone 24 nicht, wobei der seitliche Abstand
wieder praktisch 0 beträgt, weil sowohl die betreffenden Teile des Überganges /5 als auch des Überganges h in
der die Diagonale A-B enthaltenden senkrechten Ebene liegen.
Bei den besonderen lokalisierten Überlappeungsgebieten
der zweiten und der dritten weiteren n-leitenden Zone 25 bzw. 26 auf der Oberseite des Körpers mit der
ersten weiteren η-leitenden Zone 24 auf der Unterseite des Körpers wird eine optimale Schaltgeschwindigkeit
erhallen, die mit kritischen Einschalterleichterungen vereinbar ist; insbesondere wird die Schaltempfindlichkeit
indem 111*-Modus für die beiden Schaltungsweisen der Elektroden 28 und 29 durch diese lokalisierte
Überlappung verbessert.
Ein weiteres Merkmal der Struktur in bezug auf die lokalisierte Überlappung betrifft die Lage der Elektroden
28 und 29 gegenüber den Überlappungsgebieten. Aus den F i g. 5 und 6 und dem Schnitt nach F i g. 8 ist
ersichtlich, daß der Innenrand der Elektrode 28 seitlich
in einem Abstand »</j« von dem Überlappungsgebiei
der η-leitenden Zonen 25 und 24 liegt, während aus den F i g. 5 und 6 und dem Schnitt nach F i g. 7 ersichtlich ist.
daß der Innenrand der Elektrode 29 seitlich in einem Abstand »dt« von dem Überlappungsgebiet der
η-leitenden Zonen 26 und 24 liegt. Diese Abstände »cft«
und »c&« betragen je etwa 0.15 mm. Diese Abstände
führen effektiv einen hohen Reihenwiderstand von etwa 0,2 Sl in dem Stromweg in den Zonen 25 und 26 von den
Elektroden 28 und 29 zu den Überlappungsgebieten herbei. Diese Widerstände liegen in Reihe mit den
Vorwärtswiderständen in den Überlappungsgebieten und sind gleich einem Vielfachen der letzteren
Widerstände. Dadurch ergibt sich eine Herabsetzung der Strorjidichten in den Überlappungsgebieten.
Die zweite und die dritte weitere η-leitende Zone 25 bzw. 26 weisen hervorragende Teile 25c bzw. 26c auf.
die sich im allgemeinen parallel zu der Diagonale CD in entgegengesetzten Richtungen erstrecken und zwischen
den η-leitenden Zonen 25 und 26 einen Teil des zweiten äußeren p-leitenden Gebietes mit einer
rechteckigen Oberfläche definieren, dessen Länge 1 in einer zu der Diagonale CD parallelen Richtung
wesentlich größer als-seine Breite w in einer Richtung
quer zu der Diagonale CD ist (siehe F ig, 3). In dem
dargestellten Äusführungsbeispiel ist /1,5 mm Und ist W
0,25 mm, so daß das Verhältnis 1/tV = 6 ist« Durch das
Anbringen der Vorsprünge 25c und 26c und des dazwischen liegenden fortgesetzten Teiles der pleiten·'
den Zone 23 wird eine sehr empfindliche Triggerung für die beiden alternativen Schaltungsweisen der Elektroden
28 und 29 erhalten. Es sei z. B. der Fall betrachtet, in
dem die Elektrode 28 die Steuerelektrode und die Elektrode 29 die zweite Hauptstromelektrode ist. In
dem I + -Modus ist die Elektrode 29 negativ in bezug auf die Elektrode 27 und wird an die Steuerelektrode 28
eine Spannung angelegt, die in bezug auf die Spannung an der Elektrode 29 positiv ist. Ein Verluste erzeugender
Löcherstrom fließt von der Steuerelektrode 28 über die p-leitende Zone 23 zu der Hauptstromelektrode 29.
Dieser Löcherstrom kann über den fortgesetzten Teil IAv zwischen den Vorsprüngen 25c und 26c und kann
auch in der p-leitenden Zone 23 über einen kürzeren Weg unterhalb der η-leitenden Zone 25 und 26 fließen.
Die p-Ieitende Zone 22 wird jedoch durch eine zwei Schritte umfassende Diffusion erzeugt, so daß die
Oberflächenleitung viel niedriger als die Leituc^· des
unterhalb der η-leitenden Zonen 25 und 26 liegenden Teiles des Gebietes 22 ist, so daß der Weg unterhalb der
η-leitenden Zonen 25 und 26 ein Weg hohen Widerstandes ist; der Löcherstom fließt also vorzugsweise
über das fortgesetzte /Λν-Gebiet zwischen den η-leitenden Zonen 25 und 26. Indem dieser Teil des
Gebietes als fortgesetzter Teil angebracht wird, kann der Widerstand verhältnismäßig hoch gemacht werden.
Dies ist aus den folgenden Gründen erwünscht. Zum Einschalten der auf der rechten Seite der Anordnung
liegenden npnp-Struktur, die durch die Gebiete 26, 23, 21 und 22 gebildet wird, wird das η-leitende Gebiet 26
nur in den untenliegenden Teil des p-leitenden Gebietes 23 Elektronen injizieren, wenn der seitliche Spannungsabfall
an dem mittleren Teil der p-leitenden Zone 23 entlang die Kniespannung von 0.8 V erreicht. Wenn der
Widerstand des mittleren Teiles der p-leitenden Zone nur 10 Ω beträgt, wird die Anordnung nicht getriggert.
bevor der Strom zwischen der Elektrode 28 und der Elektrode 29 80 mA beträgt. Wenn aber der Widerstand
100 Ω beträgt, erfolgt eine Triggerung. wenn der Strom
zwischen diesen Elektroden nur 8 mA ist.
Da es aus Obenstehendern deutlich hervorgeht, daß es
zum Erhalten einer hohen Triggerempfindlichkeit bei niedrigem Schaltstrom erwünscht ist. daß ein langer
Mittelteil des p-leitenden Gebietes 23 zwischen den η-leitenden Vorsprüngen 25c und 26c liegt, ist die
Orientierung der η-leitenden Zonen 25 und 26 derartig, daß sie zu einer Diagonale CD symmetrisch angebracht
sind, was günstig ist, weil bei dieser Orientierung die Abmessung größer sein kann als der Fall wäre, wenn die
η-leitenden Zonen symmetrisch zu eine- Mittellinie angebracht sind, die sich parallel zu einander gegenüberliegenden
Seiten des Körpers erstreckt.
Die wichtigsten Schritte bei der Herstellung der Anordnung nach den Fig. 3 bis 8 werden nachstehend
beschrieben. Es wird von einer η-leitenden Siliziumscheibe mit einem Durchmesser von 35 mm und einer
Dicke von 0,35 mm und einem spezifischen Widerstand von 25 Ω. cm ausgegangen. Die beiden Hauptoberflächen
der Scheibe werden durch Läppen und Ätzen vor der ersten Diffusionsbehandlung flach gemacht. In
dieser Scheibe müssen etwa 70 bis 80 der Anordnungen nach den Fig,3 bis 8 gebildet werden, wobei
Bearbeitungen, wie Diffusion, Maskierung usw^ gleich·
zeitig an allen Steilen der Scheibe durchgeführt werden, und Wobei die Scheibe nach dem Anbringen der
Elektrodenschichten in die einzelnen Körper mit quadratischer Oberfläche unterteilt wird, Die nächste*
hende Beschreibeung bezieht sich aber nur auf die
Bearbeitungen für eine einzige Stelle, Akzeptorverunreinigungen
werden in einander gegenüberliegende Hauptoberflächen der Scheibe eindiffumdiert zur Bildung
der äußeren p-leitenden Zonen 22 und 23 und der Übergänge ]\ und }i, die auf je einer Tiefe von etwa
60 μιη von der benachbarten Hauptobeirfläche liegen.
Vorzugsweise wird ein zwei Stufen umfassendes Akzeptordiffusionsverfahren verwendet, bei dem zunächst
Aluminium mit einem Schichtwiderstand von mehr als 200 Ω pro Quadrat eindiffundiert wird, um den
verlangten spezifischen Widerstand des p-leitenden Gebietes zu erhalten, das unter den Vorsprüngen 25c
und 26 zur Anlage kommen muß, während danach Bor eindiffundiert wird, um eine höhere Oberflächenkonzentration
zu erhalten, die für einen guten ohmschen |5 Kontakt mit den nachher anzubringenden Elektroden
benötigt wird.
Durch ein in der Halbleitertechnik übliches Verfahren wird die Scheibe mit einer Siliziumoxidschicht mit einer
Dicke von etwa 13 μΐη auf allen Oberflächen versehen.
Dann werden auf den Oxidschichten auf einander gegenüberliegenden Hauptoberflächen der Scheibe
Maskierungsschichten angebracht, welche Schichten die Muster aufweisen, die erforderlich sind, um, durch
anschließende Diffusion von Phosphor in die frei gelegten Siliziumteile, die durch die örtliche Entfernung
der Oxidschichten gebildet werden, 'n den Öffnungen in
den Maskierungsschichten die ersten weiteren n-leitenden Zonen 24 und die zweiten und dritten weiteren
η-leitenden Zonen 25 und 26 zu erhalten. Die Maskierungsschichten können durch einen Photolack
gebildet werden der durch ein photographisches Verfahren unter Verwendung von Photomasken strukturiert
wird. Auch kann das Vertahren Anwendung finden, bei dem Wachs durch öffnungen in Metallmasken
hindurchgespritzt wird. Bei dem letzteren Verfahren werden die Gebiete der Oxidschichten, die
geschützt werden müssen, mit Wachs überzogen. Dann werden die nicht überzogenen Teile der Oxidschichten
z. B. mit Fluorwasserstoffsäure geätzt, um die untenliegenden Siliziumoberflächenteile freizulegen. Die
Wachsmaskierung oder ggf. der verbleibende Photolack wird anschließend entfernt. Danach wird ein Phosphordiffusionsschritt
unter Verwendung eines in der Halbleitertechnik üblichen Verfahrens durchgeführt zur
Bildung der η-leitenden Zonen 24, 25 und 26. Die Übergangstiefen der η-leitenden Zonen 24, 25 und 26
betragen in jedem Einzelfall etwa Ι5μΐτι. während die
Phosphoroberflächenkonzentration etwa 102' Atome/cm'
ist. Während dieses Phosphordiffusionsschrittes wird eine weitere Oxidschicht auf den frei gelegten
Oberflächenteilen gebildet, während die Dicke der verbleibenden Teile der ursprünglichen Oxidschichten
zunimmt.
Die Elektrodenschichten werden dann auf folgende Weise angebracht. An der oberen Fläche wird ein
Maskierungsmuster auf der Oberflächenoxidschicht dadurch angebracht, daß Wachs durch Öffnungen in
einer Metallmaske hindurchgespritzt wird. Die öffnungen in der Maske bestehen aus einer Anzahl paralleler 6υ
Streifen, wobei die Metallmaske derart angebracht wird,
daß sich die Streifen in einer zu der Diagonale OD der
gesonderten quadratischen Flächen parallelen Richtung erstrecken, auf welchen Streifen die Gebiete jedes
einzelnen Elements gebildet werden; Diese Maske, die eine verhältnismäßig einfache Form hat, wird durch
funkenerosion erhalten. Das Wachs wird an den Stellen der Oberflächenoxidschicht angebracht, die von den
Metallkontaktstreifan frei bleiben müssen. Die unmaskierten
Teile der Oberflächenoxidschicht auf der oberen Fläche werden dann durch Ätzen mit Fluorwasserstoffsäure
entfernt. Gleichzeitig wird die Oxidschicht auf der gegenüberliegenden unteren Fläche mit Fluorwasserstoffsäure
weggeätzt. Anschließend wird die Wachsmaskierungsschicht auf der Oberseite entfernt. Danach
werden auf den streifenförmigen freigelegten Siliziumoberflächenteilen
an der durch das Oxid maskierten oberen Fläche und auf der ganzen freigelegten unteren
Fläche dadurch Elektrodenschichten angebracht, daß zunächst Nickel (2 bis 3 μιτι) und dann Gold (<
1 μιτι) auf elektrolytischem Wege niedergeschlagen wird. Auf
diese Weise werden eine Anzahl sich parallel erstrekkender
Metallelektrodenstreifen auf der oberen Fläche und wird eine ununterbrochene Elektrodenschicht auf
der unteren Fläche gebildet.
Fig.9 zeigt eine Draufsicht auf die Oberseite eines Teiles des Siliziumkörpers nach der Bildung der
Metallelektrodenstreifen. In der Mitte der Figur ist eine Anordnung mit einer quadratischen Oberfläche mit
Diagonalen A-B und C-D (siehe Fig. 3 bis 8) und mit
Elektroden 28 und 29 (siehe die schraffierten Gebiete) dargestellt. Die senkrechten und waagerechten Linien
geben die Stellen an, an denen nachher durch Sägebearbeitungen Schnittlinien gebildet werden sollen.
Aus der Figur ist ersichtlich, daß die Elektroden 28 und
29 in der mittleren Airordnung einen Teil ununterbrochener Streifen bilden, die sich parallei zu der Diagonale
C-D erstrecken. Der Streifen, aus dem die Elektrode 28 der mittleren Anordnung erhalten ist, bildet auch die
Elektrode 29 der sofort unterhalb der mittleren A nordnung gezeigten Anordnung und auch die
Elektrode 28 der sofort rechts von der letzteren Anordnung liegenden Anordnung. Der Streifen, aus
dem die Elektiode 29 der mittleren Anordnung erhalten
ist, bildet auch die Elektrode 28 der sofort unterhalb der mittleren Anordnung liegenden Anordnung und ebenfalls
die Elektrode 28 der sofort rechts von der mittleren Anordnung liegenden Anordnung. '■' i g. 9 zeigt die
Form eines Diffusionsmusters der η-leitenden Zonen 25 und 26 oberhalb anschließender Teile der Scheibe.
Übergänge /» und A enden beide an den beiden Seitenflächen AC und D-B jeder Anordnung. Füi
optimale Symmetrie der Kennlinien wäre es erwünscht,
daß der Übergang / in der Nähe der Ecken Cund ßund daß der Übergang A an den Ecken A und D endet.
Fig. 10 zeigt eine Draufsicht auf die Oberseite des Halbleiterkörpers einer weiteren Ausführungsform der
Erfindung, in der die Abschlüsse der Übergänge /4 und A sich an den Ecken A. D bzw. B. C befinden. Übrigens ist
die Anordnung genau gleich der an Hand der F1 g. 3 bis
8 beschriebenen Anordnung. Der Grund, aus dem die Übergänge /4 und A an den Seitenflächen der in den
Fig. 3 bis 9 dargestellten Anordnung längs der Seite
A-Cenden, läßt sich durch die Maskierung erklären, die
zur Herstellung des Diffusionsmusters der n-leitenden Zonen 25 und 26 erforderlich ist (siehe F i g. 9). Wenn es
wünschenswert wäre, eine Vielzahl von Anordnungen der in Fig. 10 gezeigten Art auf ein und derselben
Scheibe nach Fig. 9 herzustellen, würde, dank dem
Abschluß der Übergänge U und h an den Ecken jedes
Teiles des Elements auf der Scheibe, die Maske, die zum Definieren der zu entfernenden Oxidschichtteile für die
η-Typ-Diffusion verwendet wird, aus einer Anzahl isolierter Öffnungen bestehen, d. h, aus einer isolierten
Insel für jedes Quadrat, Dagegen weist die für die Herstellung der Anordnung nach Fig.9 erforderliche
Maske nicht eine solche Anzahl isolierter öffnungen auf, weil die Übergänge /, und h an den Seitenflächen
jedes Teiles eines Elements enden. Tatsächlich besteht diese Maske aus einer Anzahl streifenförmiger öffnungen,
die sich in Reihen erstrecken, deren Flächeninhalt praktisch dem der ununterbrochenen p-leitenden sich in
Reihen auf der Scheibe erstreckenden Zonen entspricht. Obgleich die Öffnungen der Maske, die zum Definieren
der öffnungen in der Oxidschicht für den Diffusionsschritt verwende: wird, eine kompliziertere Form als die
öffnungen in der Maske aufweisen, die zum Definieren der öffnungen in der Oxidschicht für die Elektrodensxreifen
verwendet wird, kann die erstere Maske noch ohne Schwierigkeiten durch Funkenerosion gebildet
werden, dank der Kontinuität der sich in Reihen erstreckenden öffnungen. Bei der Herstellung können
also Anordnungen nach F i g. 9, wenigstens in bezug auf diese besondere Maskierungsbearbeitung, leichter erhalten
werden.
Bei der Herstellung der Anordnung nach den Fig.3
bis 8 wird die Scheibe nach Anbringung der Elektroden, wie oben beschrieben, längs der orthogonalen Linien
nach Fig. 9 unterteilt Diese Unterteilung erfolgt durch Sägen in Gegenwart eines Läppmittels. Die gesonderten
Elemente werden dann einer Ätzbehandlung unterworfen, um eine etwaige mechaniscne Beschädigung
der Ränder der Sägeschnitte zu beseitigen. Während dieser Ätzbehandlung dienen die verbleibenden
Teile der Oxidschicht an dar oberen Fläche
zusammen mit den vorhandenen Elektrodenschichten als Schutzmaske. Vorzugsweise werden die verbleibenden
Oxidschichtteile an der oberen Fläche nicht entfernt und in der endgültigen Anordnung zur Förderung der
Stabilität beibehalten. Der Deutlichkeit halber sind diese Oxidschichtteile in den Figuren aber nicht
dargestellt.
Anschließend werden die einzelnen Elemente montiert.
Es können auch andere Halbleitermaterialien und andere Metalle, Isolierschichten usw. als die hier
genannten verwendet werden, auch können andere Geometrien gewählt werden. Auch können alle
Leitfähigkeitrtypen in den beschriebenen Beispielen gleichzeitig durch die entgegengesetzte Leitfähigkeitsiypen
ersetzt werden, wobei die Vorspamu'ngspotentia-Ie
umgekehrt werden.
Hierzu 5 Blatt Zeichnungen
Claims (9)
1. Zweirichtungsthyristor mit einem Halbleiterkörper
mit einer inneren Zone (21) von einem bestimmten Leitfähigkeitstyp zwischen einer ersten
(22) und einer zweiten (23) äußeren Zone vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp, wobei die
erste äußere Zone (22) an eine erste Hauptoberfläche des Körpers und die zweite äußere Zone (23) an
die gegenüberliegende zweite Hauptoberfläche grenzt, und wobei die äußeren Zonen mit der
erwähnten inneren Zone PN-Übergänge (Ju h) bilden, wobei eine erste weitere Zone (24) vom einen
Leitfähigkeitstyp einen PN-Obergang (Ji) mit der
erwähnten ersten äußeren Zone (22) vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp bildet und ebenfalls an
die erwähnte erste Hauptoberfläche des Körpers grenzt, während eine erste Hauptstromelektrode
(27) auf der erwähnten ersten Hauptoberfläche des Körpers liegt, die einen ohmschen Kontakt mit der
erwähnten ensten äußeren Zone (22) vom entgegengesetzten
Leitfähigkeitstyp und mit der erwähnten ersten weiteren Zone (24) vom einen Leitfähigkeitstyp bildet, wobei eine zweite (25) und eine dritte (26)
weitere Zone vom einen Leitfähigkeitstyp mit je der zweiten äußeren Zone (23) vom entgegengesetzten
Leitfähigkeitstyp einen PN-Übergang (U, /5) bilden und jeweils an die erwähnte zweite Hauptoberfläche
des Körpers grenzen, während ferner eine erste (28) und eine zweite (29) weitere Elektrode auf der
erwähnten zweiten Hauptoberfläche des Körpers Eur Bildung eine, zweiten Hauptstromelektrodc und
einer Steuerelektrode vorgesehen sind, wobei die
erwähnte erste weitere Elektrode (28) einen gemeinsamen ohmschen Kontakt 'lit der zweiten
äußeren Zone (23) vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp und mit der /weiten weiteren Zone (25)
vom einen Leitfähigkeitstyp bildet, und wobei die erwähnte zweite weitere Elektrode (29) einen
gemeinsamen ohmschen Kontakt mit der /weiten äußeren Zone (23) vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp
und mit der dritten weiteren Zone (26) vom einen Leitfähigkeitstyp bildet, dadurch
gekennzeichnet, daß die /weite (25) und die dritte (26) weitere Zone vom einen Leitfähigkeitstyp
praktisch den gleichen Flächeninhalt aufweisen und sich praktisch völlig auf einander entgegengesetzten
Seiten einer Linie (CD) befinden, die die erwähnte Oberfläche in zwei praktisch gleich Oberflächenteile
unterteilt, wobei die weiteren Elektroden (28,29). die die /weite Hauptstromelektrode und die Steuerelektrode
bilden, ebenfalls zu beiden Seiten der genannten Linie (C£yangebracht sind.
2. Zweirichtungsthyristor nach Anspruch 1. dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper
praktisch rechteckige Hauptoberflächen aufweist, wobei die von der zweiten und der dritten weiteren
Zone (25, 26) eingenommenen Teile der zweiten Hauptoberfläche zu einer Linie, die die rechteckige
zweite Hauploberfläche in /wei Teile unterteilt. 6t>
praktisch symmetrisch SiRd1
3. Zweirichtungsthyristor nach Anspruch 2, da»
durch gekennzeichnet, daß die von der zweiten und der dritten weiteren Zone (25, 26) eingenommenen
Teile der zweiten Hauploberfläche zu einer Diagonale (CD) der zweiten Hauptoberfläche
praktisch symmetrisch sind.
4. ZweirichlUngslhyrisför nach Anspruch X dadurch
gekennzeichnet, daß die erste und die zweite weitere Elektrode (28, 29) an der zweiten Hauptoberfläche
die Form von Metallstreifen einer praktisch gleichmäßigen Breite aufweisen, die sich in
einer zu einer Diagonale (CD) praktisch parallelen Richtung erstrecken.
5. Zweirichtungsthyristor nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite und die
dritte weitere Zone (25, 26) vom einen Leitfihigkeitstyp
je einen ersten Randteil (25a, 26a)und einen zweiten Randteil (25b, 26b) aufweisen, wobei die
PN-Übergangsteile zwischen den ersten Randteilen (25a, 26a) und der zweiten äußeren Zone (23) vom
entgegengesetzten Lei'fähigkeitstyp sich zu beiden
Seiten der Diagonale (CD) und in einer zu der Diagonale praktisch parallelen Richtung erstrecken,
während sich die PN-Übergangsteile zwischen den zweiten Randteilen (25b. 26b) und der zweiten
äußeren Zone (23) zu beiden Seiten der Diagonale (CD) und in einer in Diagonale schneidenden
Richtung erstrecken, wobei in Projektion quer zu den Hauptoberflächen die ersten Randteile (25a,
26ajder zweiten und der dritten weiteren Zone vom
einen Leitfähigkeitstyp die erste weitere Zone (24) vom einen Leitfähigkeitstyp an der ersten Hauptoberfläche
des Körpers überlappen, während in Projektion die zweiten Randteile (2ub, 26b) der
zweiten und der dritten weiteren Zone vom einen Leitfähigkeitstyp an der zweiten Hauptoberfläche
des Körpers wenigstens über einen Teil ihrer Länge in der Nähe der ersten Randteile (25a, 25Z^ die erste
weitere Zone (24) vom einen Leitfähigkeitstyp an der ersten Hauptoberfläche des Körpers nicht
überlappen.
6. Zweirichtungsthyristor nach Anspruch 5. dadurch gekennzeichnet, daß in Projektion quer /u den
Hauptoberflächen jede der erwähnten ersten und zweiten weiteren Elektroden (28, 29) an der
erwähnten zweiten Hauptoberfläche des Korpers auf Abstand von dem Überlappt igsgebiet der
ersten weiteren Zone vom einen Leitfähigkeitstyp an der ersten Hauploberfläche des Körpers mit der
ersten Randzone (25a. 26a,/ der /weiten bzw. der dritten weiteren Zone vom einen l.eiifähigkeitstyp
an der zweiten Hauptoberfläche des Körpers liegt.
7. Zweirichtungsthyristor nach einem oder mehreren der Ansprüche 3 bis 6. dadurch gekennzeichnet,
daß die zweite und dritte weitere Zone (25, 26) vom einen LeitfähigkeitMyp je einen Vorsprung (25c 26tV
aufweisen, wobei die erwähnten Vorsprünge sich im allgemeinen parallel /u der Diagonale (C D) in
entgegengesetzten Richtungen erstrecken und /wi sjhen der zweiten und der dritten weiteren Zone (25,
26) vom einen l.eitfähigkeitstyp einen Teil der
zweiten äußeren Zone (23) vom entgegengesetzten Leilfähigkeitstyp mit einer größeren Abmessung in
einer /u der Diagonale (CD) parallelen Richtung als in einer Richtung quer /u der erwähnten Diagonale
definieren.
8. Zweirichtungsthyristor nach Anspruch 7. dadurch gekennzeichnet, daß der erwähnte Teil der
zweiten äußeren Zone (23) vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp eine praktisch rechteckige Oberfläche aufweist, und daß das Verhältnis l/w
wenigstens gleich 6 ist, wobei / die Länge des erwähnten Teiles darstellt, in einer Richtung parallel
zu der Diagonale (CD) zwischen den Enden der Vorsprünge gemessen, und wobei w die Breite des
erwähnten Teiles der zweiten Süßeren Zone (23)
darstellt, in einer Richtung quer zu der Diagonale (CD) zwischen den einander zugekehrten Rändern
der zweiten und der dritten weiteren Zone (25, 26) vom einen Leitfähigkeitstyp gemessen.
9. Zweirichtungsthyristor nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, daß die erste weitere Zone
(2) vom einen Leitfähigkeitstyp an der ersten Hauptoberfläche des Körpers zwei Aussparungen
aufweist, die in Projektion quer zu den Hauptoberflächen in der Nähe der Vorsprünge (25c, 26c) der
zweiten und der dritten weiteren Zone (25, 26) vom einen Leitfähigkeitstyp an der zweiten Hauptoberfläche
des Körpers liegen
15
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB571171 | 1971-03-01 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2209518A1 DE2209518A1 (de) | 1972-10-12 |
DE2209518B2 DE2209518B2 (de) | 1980-01-31 |
DE2209518C3 true DE2209518C3 (de) | 1980-10-02 |
Family
ID=9801208
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2209518A Expired DE2209518C3 (de) | 1971-03-01 | 1972-02-29 | Zweirichtungsthyristor |
Country Status (13)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3739242A (de) |
JP (1) | JPS526078B1 (de) |
AT (1) | AT334421B (de) |
AU (1) | AU463708B2 (de) |
BE (1) | BE780014A (de) |
CA (1) | CA954978A (de) |
CH (1) | CH537097A (de) |
DE (1) | DE2209518C3 (de) |
FR (1) | FR2128464B1 (de) |
GB (1) | GB1345186A (de) |
IT (1) | IT952873B (de) |
NL (1) | NL7202537A (de) |
SE (1) | SE368117B (de) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3879744A (en) * | 1971-07-06 | 1975-04-22 | Silec Semi Conducteurs | Bidirectional thyristor |
US4066483A (en) * | 1976-07-07 | 1978-01-03 | Western Electric Company, Inc. | Gate-controlled bidirectional switching device |
JPS59132167A (ja) * | 1983-01-18 | 1984-07-30 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
US4994885A (en) * | 1988-07-01 | 1991-02-19 | Sanken Electric Co., Ltd. | Bidirectional triode thyristor |
US5818074A (en) * | 1996-01-31 | 1998-10-06 | Beacon Light Products, Inc. | Smooth switching thyristor |
-
1971
- 1971-03-01 GB GB571171*[A patent/GB1345186A/en not_active Expired
-
1972
- 1972-02-15 US US00226461A patent/US3739242A/en not_active Expired - Lifetime
- 1972-02-25 NL NL7202537A patent/NL7202537A/xx unknown
- 1972-02-26 IT IT67612/72A patent/IT952873B/it active
- 1972-02-28 AU AU39412/72A patent/AU463708B2/en not_active Expired
- 1972-02-28 CH CH279372A patent/CH537097A/de not_active IP Right Cessation
- 1972-02-28 SE SE02448/72A patent/SE368117B/xx unknown
- 1972-02-28 CA CA135,675A patent/CA954978A/en not_active Expired
- 1972-02-29 BE BE780014A patent/BE780014A/xx unknown
- 1972-02-29 DE DE2209518A patent/DE2209518C3/de not_active Expired
- 1972-03-01 AT AT169472A patent/AT334421B/de not_active IP Right Cessation
- 1972-03-01 JP JP47020684A patent/JPS526078B1/ja active Pending
- 1972-03-01 FR FR7207039A patent/FR2128464B1/fr not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
AU3941272A (en) | 1973-08-30 |
AU463708B2 (en) | 1975-07-18 |
SE368117B (de) | 1974-06-17 |
CH537097A (de) | 1973-05-15 |
GB1345186A (en) | 1974-01-30 |
BE780014A (fr) | 1972-08-29 |
ATA169472A (de) | 1976-05-15 |
DE2209518A1 (de) | 1972-10-12 |
IT952873B (it) | 1973-07-30 |
US3739242A (en) | 1973-06-12 |
CA954978A (en) | 1974-09-17 |
DE2209518B2 (de) | 1980-01-31 |
NL7202537A (de) | 1972-09-05 |
FR2128464A1 (de) | 1972-10-20 |
AT334421B (de) | 1976-01-10 |
FR2128464B1 (de) | 1977-07-15 |
JPS526078B1 (de) | 1977-02-18 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OD | Request for examination | ||
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |