DE2024806A1

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Info

Publication number: DE2024806A1
Application number: DE19702024806
Authority: DE
Priority date: 1969-06-10
Filing date: 1970-05-21
Publication date: 1970-12-17
Also published as: GB1292692A; NL6908784A; SE367744B; DE2024806C3; ES380518A1; US3678404A; FR2050996A5; AT296386B; DE2024806B2

Description

PHN 4103 Va/RJ

Dipl.-lng. ERICH E. WALTHER

...a: PHH- 4103
Anmeldung vom ι 20. Mai 1970

"Lineare Verstärkerschaltung"

Die Erfindung bezieht sich auf eine Verstärkerschaltung mit zwei Transistorstufen, die je mindestens zwei Schichttransistoren mit in Reihe geschalteten und von demselben Speisestrom durchflossenen Emitter-Kollektor-Strecken enthalten, mit der Massgabe, dass eine Klemme der Speisequelle mit dem Kollektor des ersten dieser Transistoren verbunden ist, dessen Emitter mit dem Kollektor des zweiten Transistors verbunden ist, während der Emitter Λ des letzteren über eine Stromquelle mit der anderen Klemme der Speisequelle verbunden ist.

Bei Verstärkerschaltungen geht das Bestreben

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oft dahin, Spannungsfolger, Spannungsverstärker oder Spannungs-Strom-Wandler zu schafften, bei denen die Uebertragungskennlinie möglichst linear verlaufen soll. Bei den bekannten mit Transistoren bestückten Schaltungen treten aber die Basis-Emitterspannungen der Transistoren als eine störende Funktion in der Uebertragungskennlinie auf, was zur Folge hat, dass die Uebertragung nicht verzerrungsfrei ist. Ausserdem ist die Basis-Emitterspannung von der Gleichstromeins.tellung des Transistors abhängig. Bei Schaltungen der obenerwähnten Art muss also angestrebt werden, für die beiden Stufen die gleiche Gleichstromeinstellung zu erhalten, wodurch die betreffenden Stromquellen hohen Anforderungen entsprechen müssen. Schliesslich ist die Basis-Emitterspannung eines Transistors stark temperaturabhängig. Diese Temperaturabhängigkeit zeigt sich ihrerseits in der UebertragungskennliDie Erfindung bezweckt, eine besondere Ausführungsform der obenbeschriebenen Schaltung zu schaffen, die sich, insbesondere in bezug auf die Linearität der Uebertragungskennlinie, sehr günstig von den bekannten Schaltungen unterscheidet.

Die Verstärkerschaltung nach der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass auf an sich bekannte Weise die Basis-Elektrode des zweiten Transistors aus der einen Stufe mit der Emitter-Elektrode des ersten Transis-

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tors aus der anderen Stufe verbunden ist.

Dabei sei bemerkt, dass eine Schaltung bekannt ist, bei der eine Kreuzkopplung mit Zenerdioden vorgesehen ist. Die zweiten Transistoren der beiden Stufen wirken dabei als Stromquelle mit kleinem Ruhestrom, die infolge eines Eingangssignals über die Zenerdioden geschaltet werden. Die beiden Transistoren aus derselben Stufe werden in diesem Falle nicht von demselben Ruhe- f

strom durchflossen.

Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, dass die Basis-Emitterspannung eines Transistors praktisch nur durch seinen Emitt erstroin bestimmt wird. Dabei wird davon ausgegangen, dass die Transistoren aus derselben Stufe die gleichen Eigenschaften aufweisen, insbesondere in bezug aiif den Differential widerstand zwischen Emitter und Basis bei gleichem Emitterstrom, was bei den modernen, auf integrierten Schaltungen beruhenden Herstel- ^ lungstechniken leicht erzielbar ist. Ferner sei angenommen, dass der Stromverstärkungsfaktor der Transistoren gross ist, wodurch die Basisströme in bezug auf die Emitter- und Kollektorströme vernachlässigbar kloin sind. In diesem Falle werden der erste und der zweite Transistor derselben Stufe von demselben Gleichstrom durchflossen, was bedeutet, dass die Basis-Emitterspannungen dieser Transistoren einander gleich sind. Durch die Nassnahmen nach der, Erfindung wird erzielt, dass sich die Basis-Emitter-

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Spannungen des ersten und des zweiten Transistors aus derselben Stufe mit entgegengesetzten Vorzeichen in der Uebertragungskennlinie zeigen und sich somit ausgleichen. Der Einfluss der Basis-Emitterspannungen auf die Uebertragungskennlinie wird dadurch beseitigt.

Die Schaltung nach der Erfindung hat viele Anwendungsmöglichkeiten. Bei einer ersten Anwendung wird die Eingangsspannung zwischen den Basis-Elektroden der ersten Transistoren der beiden Stufen der Schaltung an·»· gelegt und wird zwischen den Emitter-Elektroden der zweiten Transistoren der beiden Stufen eine Impedanz, gegebenenfalls eine Ausgangsimpedanz, eingeschaltet, welche Elektroden zugleich als Ausgangsklemmen wirken können. Die Spannung zwischen den Ausgangsklemmen ist dabei gleich der Eingangsspannung, ohne dass Verzerrung auftritt, wodurch ein ausgezeichneter Spannungsfolger mit hoher Stromverstärkung erhalten ist.

Der Strom durch die beiden Stufen der Schaltung ist - mit Ausnahme des konstanten Einstellgleichstroms der Spannung über der Impedanz zwischen den Emitter-Elektroden der zweiten Transistoren und somit der Eingangsspannung proportional. Dadurch ergibt sich eine zweite Anwendungsmöglichkeit der Schaltung nach der Erfindung. Wenn nämlich in einen oder in die beiden Kollektorkreise der ersten Transistoren aus den beiden Stufen der Schaltung eine Impedanz aufgenommen wird, kann

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einer oder den beiden Kollektor-Elektroden der ersten Transistoren asymmetrisch oder symmetrisch eine Spannung entnommen werden, die der Eingangsspannung proportional ist, wobei gleichfalls keine Verzerrung auftritt.

Der Verstärkungsfaktor ist von der Impedanz zwischen den Emitter-Elektroden der zweiten Transistoren der beiden Stufen abhängig. Wenn für diese Impedanz ein regelbarer Widerstand, z.B. ein Feldeffekttransistor '

(FET) gewählt wird, kann der Verstärkungsfaktor der Schaltung geregelt werden.

Die Eingangsimpedanz der Schaltung ist gleich dem Produkt dieser Impedanz und des Stromverstärkungsfaktor der ersten Transistoren der beiden Stufen. Diese Eingangsimpedanz ist also gross in bezug auf die Impedanz zwischen den Emitter-Elektroden der zweiten Transistoren der beiden Stufen.

Diese Eingangsimpedanz kann noch dadurch ver- M

grössert werden, dass zwischen den Emitter-Elektroden der zweiten Transistoren der beiden Stufen keine Impedanz angebracht wird, sondern dalss diese Elektroden mit dem Eingang einer zweiten ähnlichen Verstärkerschaltung nach der Erfindung verbunden werden, welche Schaltung dann mit einer derartigen Impedanz abgeschlossen wird. Die Eingangsimpedanz wird dann nochmals um einen Faktor gleich dem Stromverstärkungsfaktor der ersten Transistoren der beiden Stufen der zweiten Verstärkerschaltung vergrössert.

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Wenn die Ausgangsspannung den Kollektor-Elektroden der ersten Transistoren der zweiten Verstärkerschaltung entnimmen wird, kann selbstverständlich - unter Beibehaltung der gleichen Eingangsimpedanz wie im Falle einer einzigen Verstärkerschaltung - auch die Verstärkung um den gleichen Faktor vergrössert werden, indem die Impedanz zwischen den Emitter-Elektroden der zweiten Transistoren entsprechend niedriger gewählt wird.

Die Eingangsimpedanz kann auch dadurch vergrössert werden, dass die Verstärkerschaltung nach der Erfindung mit mehr als zwei Stufen bestückt wird, wobei jede Stufe aus der Reihenschaltung einer Stromquelle und der Emitter-Kollektorstrecken zweier Transistoren besteht, und wobei die Basis-Elektroden des ersten und des zweiten Transistors einer Stufe mit den Emitter-Elektroden der entsprechenden Transistoren der vorahgehenden Stufe verbunden sind, während die Gleichstromeinstellung aufeinander folgender Stufen von den beiden Eingangsstufen her um jeweils einen Faktor grosser gewählt wird.

Die Schaltung nach der Erfindung kann dadurch für höhere Frequenzen geeignet gemacht werden, dass zwei zusätzliche Transistoren aufgenommen werden, deren Emitter-Kollektor-Strecken mit denen der ersten Transistoren der beiden Stufen in Reihe geschaltet und deren Basis-Elektroden auf ein festes Potential eingestellt sind. Auf diese Weise wird die Rückwirkung über die Streukapa-

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zitäten der ersten Transistoren der beiden Stufen auf den Eingang in erheblichem Masse herabgesetzt.

Nach einer weiteren Ausführungsform der erfindungsgemässen Schaltung werden die Basis-Elektroden der ersten Transistoren der beiden Stufen miteinander verbunden und wird zwischen den Emitter-Elektroden der zweiten Transistoren die Signalquelle eingeschaltet. Die Spannung zwischen diesen Emitter-Elektroden bleibt gleich ™ der Spannung zwischen den Basis-Elektroden der ersten Transistoren und ist also gleich null. Die Signalquelle wird somit kurzgeschlossen. Der von der Signalquelle gelieferte Strom, der also nur durch den Innenwiderstand dieser Quelle beschränkt wird, erscheint wieder in den Kollektorkreisen der ersten Transistoren der beiden Stufen.

Einige Ausführungsformen der Erfindung sind in

den Zeichnungen dargestellt und werden im folgenden näher A

beschrieben. Es zeigen:

Fig. 1 eine erste Ausführungsform einer Schaltung nach der Erfindung,

Fig 2 die Uebertragungskennlinie einer Schaltung nach der Erfindung im Vergleich zu der von bekannten Schaltungen,

Fig. 3 eine zweite Ausführungsform der Schaltung nach der Erfindung,

Fig. h eine erste Erweiterung der Schaltung

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nach der Erfindung,

Fig. 5 eine zweite Erweiterung der Schaltung nach der Erfindung, und

Fig. 6 eine dritte Erweiterung der Schaltung nach der Erfindung.

Die Schaltung nach Fig. 1 besteht aus zwei Stufen, die mit den Blöcken I und II angedeutet sind·. Die erste Stufe enthält die Transistoren T und T _, wobei die Emitter-Elektrode des ersten Transistors T dieser Stufe mit der Kollektor-Elektrode des zweiten Transistors T₁P verbunden ist. Die zweite Stufe enthält die Transistoren T₀₁ und T , wobei die Emitter-Elektrode

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des ersten Transistors Tp₁ dieser Stufe mit der Kollektor-Elektrode des zweiten Transistors T₉₉ verbunden ist. Die Emitter-Elektroden von T₁„ und T_p? sind über die Stromquellen S bzw. Sp mit einem Punkt konstanten Potentials, und zwar der einen Klemme der Speisequelle E, verbunden. Die Basis-Elektrode von T₁ „ ist nach der Erfindung mit der Emitter-Elektrode von T_p1 verbunden, während die Basis-Elektrode von T mit der Emitter-Elektrode von T₁₁ verbunden ist. Die Kollektor-Elektroden von T₁₁ und T₉₁ sind, gegebenenfalls über Impedanzen L₁ und Lp, mit einem Punkt konstanten Potentials, und zwar der anderen Klemme der Speisequelle E, verbunden. Die Eingangsspannungsquelle ist zwischen den Basis-Elektroden von T₁ und T₁ angebracht, während zwischen den Emitter-Elok-

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troden von T_1? und T„„ eine Impedanz L eingeschaltet ist.

Wenn der Stronverstärkungsfaktor der Transistoren gross ist, sind die Basisströme verriachlässigbar klein in bezug auf die Emitter- und Kollektorströme. Aus den Figuren geht dann hervor, dass die Emitterströme der Transistoren T₁₁ und T₁₂ und auch die Emitterströme der Transistoren T_Q1 und T„_ einander gleich sind. Bei gleichen Eigenschaften von T₁₁ und T₁- bedeutet dies, dass die Basis-Emitterspannungen dieser Transistoren einander gleich sind; dies trifft auch für dfe Transistoren T₂₁ und T₂₂ zu.

Es sei angenommen, dass die Signaleingangsspannung zwischen den Basis-Elektroden von T₁₁ und T₉₁ V. beträgt. Aus der Figur ist deutlich ersichtlich, dass die Spannung der Emitter-Elektrode von T₁₂ gleich der Spannung an der Basis von T_?1 abzüglich der Basis-Emitterspannungen von T₂₁ und T₁₂ ist, und dass die Spannung an der Emitter-Elektrode von T₂₂ gleich der Spannung an der Basis-Elektrode von T₁₁ abzüglich der Basis-Emitterspannungen von T₁₁ und T „ ist.Durch die Gleichheit der entsprechenden Basis-Emitter-Spannungen ist dann die Spannung V zwischen den Emitter-Elektroden von T₁₀ und T gleich der Eingangsspannung V., wobei die Grosse der Basis-Emitterspannungen keine Rolle spielt, weil die ent .sprechenden Basis-Emitterapannungen sich in bezug auf

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die Ausgangsspannung ausgleichen.

Dabei ist es nicht erforderlich, dass die beiden Stufen I und II der Schaltung die gleiche Gleichstromeinstellung aufweisen. Die Basis-Emitterspannung . der Transistoren der Stufe I ist in diesem Falle also von der der Transistoren der Stufe II verschieden. Die Spannung an den Klemmen χ und y wird jedoch durch die Eingangsspannung und die Summe der Basis-Emitterspannungen eines Transistors der Stufe I und eines Transistors der Stufe II bestimmt. Der Einfluss verschiedener Gleichstromeinstellungen auf die Ausgangsspannungen wird also gleiche falls beseitigt. Der Strom durch die Impedanz L ist gleich dem Quotienten der Eingangsspannung V. und der Impedanz L. Dieser Strom erscheint in den Kollektorkreisen von T ₁ und von Tp₁. Dadurch, dass in einen oder in die beiden Kreise eine Impedanz aufgenommen wird, kann die Kollektor-Elektrode eines oder der beiden ersten Transistoren der beiden Stufen als-Ausgacngsklemme benutzt werden, wodurch die Ausgangsspannung sowohl asymmetrisch als auch symmetrisch entnommen werden kann. Auf diese Weise kann eine lineare Spannungsverstärker erzielt werden. Dabei wird der Verstärkungsfaktor auch durch die Grosse der Impedanz L bestimmt. Indem für diese Impedanz eine regelbare Impedanz, z.B. in Form des Kanals eines Feldeffekttransistors, gewählt wird, kann die Verstärkung der Schaltung geregelt werden. Als Feldeffekttransistor wird

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dann vorzugsweise ein Feldeffekttransistor mit isolierter Torelektrode gewählt, dem di,e Verstärkungsregel spannung zugeführt wird. Wenn für L ein Resonanzkreis gewählt wird, kann selbstverständlich ein selektiver Verstärker erhalten werden.

Ferner ist aus der Figur deutlich ersichtlich, dass die Eingangsimpedanz der Schaltung gleich dem Produkt des Stromv;erstärkungsfaktors der ersten Transistoren ™ der beiden Stufen und der Impedanz L ist. Da dieser Stromverstärkungsfaktor voraussetzungsgemäss gross ist und bei den modernen Transistoren über einen grossen Strombereich konstant bleibt, ist bei Anwendung einer festen Impedanz L die Eingangsimpedanz konstant und gross in bezug auf diese Impedanz L.

In Fig. 2 gibttlie volle Linie die Uebertragungskennlinie der Schaltung nach der Erfindung an. Der Strom i_T durch die Impedanz L ist dabei als Abszisse und die Λ

Eingangsspannung V. als Ordinate aufgetragen. Bis zum UeberSteuerungspunkt der Kollektoren der Transistoren T₁- und Tpp ist die Kennlinie genau linear. Die gestrichelte Linie gibt die Kennlinie bekannter Schaltungen an, wobei infolge der nichtlinearen Beziehung zwischen dem Emitterstrom und der Basis-Emitterspannung der Transistoren eine Verzerrung auftritt.

Fig. 3 zeigt eine zweite Ausführungsform der Schaltung nach der Erfindung, bei der die Basis-Elektro-

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den von T₁₁ und T₁ miteinander verbunden sind und zwischen den Emitter-Elektroden von T₁₀ und T₀₀ eine Signal-

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Spannungsquelle V. mit dem Innenwiderstand r. eingeschaltet ist. Der von der Spannungsquelle V. eingeführte Strom erscheint wieder in den Kollektorkreisen von T₁ und T , wo also wieder die Ausgangsspannung entnommen werden kann. Die Spannung über der Spannungsquelle V. und deren Innenwiderstand r. ist gleich der Spannung zwischen den Basis-Elektroden von T₁₁ und T* und somit gleich null. Die Spannungsquelle V. ist also gleichsam kurzgeschlossen und der gelieferte Strom wird lediglich durch den Innenwiderstand r. der Spannungsquelle V. beschränkt. Eine kleine Signalspannung führt also bereits grosse Ströme in den Kollektorkreisen von T₁₁ und T_₁ herbei, wenn der Innenwideratand der Spannungsquelle klein ist.

Fig. h zeigt eine Erweiterung der Schaltung nach Fig. 1, bei der die Emitter-Kollektor-Strecken zweier zusätzlicher Transistoren t₁.und t„ mit denen der Transistoren T₁₁ und T„₁ in Reihe geschaltet sind. Die Basis-Elektroden dieser zusätzlichen Transistoren liegen an einem festen Potential. Durch diese Massnahme wird die Rückwirkung auf den Eingang über die Streukapazität zwischen dem Kollektor und der Basis der ersten Transistoren T₁₁ und T₉₁ erheblich herabgesetzt, wodurch die Schaltung bis zu höheren Frequenzen noch befriedigend wirkt.

Fig. 5 zeigt eine Erweiterung der Schaltung

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nach der Erfindung, die aus zwei Gruppen Transistoren besteht, die je mehr als eine Stufe umfassen. Jede Stufe besteht ihrerseits aus der Reihenschaltung einer Stromquelle S^- S/- und der Emitter-Kollektor-Strecken zweier

Transistoren T₁₁ - T₁₀ bis T^₁ - T^₀. Die Basis-Elektrode 11 12 o1 52

des ersten bzw. des zweiten Transistors aus einer Stufe einer Gruppe ist mit. der Emitter-Elektrode des ersten bzw. des zweiten Transistors aus der vorangehenden Stufe derselben Gruppe verbunden, so dass eine Kaskadenschaltung von Emitterfolgern gebildet wird. Die Eingangsspannungsquelle V. wird zwischen den Basis-Elektroden der ersten Transistoren T₁₁ und T_?1 aus den beiden ersten Stufen der beiden Gruppen eingeschaltet und die Impedanz L wird zwischen den Emitter-Elektroden der zweiten Transistoren T_o und T^₂ aus den beiden letzten Stufen der beiden Gruppen angeordnet. Die Kreuzkopplung ist zwischen der Basis-Elektrode des zweiten Transistors (T_1? und T_p?) aus ύ

der Eingangsstufe der einen Gruppe und der Emitter-Elektrode des ersten Transistors (T-r_ und T-₁) aus der Ausgangsstufe der anderen Gruppe angebracht. Die Wirkungsweise der Schaltung ist der der Schaltung nach Fig. 1 völlig gleich. Die Eingangsimpedanz kann aber durch passende Wahl der unterschiedlichen Stromquellen S erheblich gesteigert werden. Die Gleichstromeinstellung aufeinander folgender Stufen aus derselben Gruppe kann, von der EingangHstufe (T₁₁ - T₂₁) an, jeweils um einen Faktor grös-

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ser gewählt werden, d.h., dass die der Transistoren T , T , T. ,. und Tr viele Zehnerpotenzen grosser als die der Transistoren T , T , T und Tp gewählt werden kann, während die Gleichstromeinstellung der Transistoren Τ_ς1, T_p, T^₁ und T/-_o wieder viele Zehnerpotenzen

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grosser als die der Transistoren T^₁, T„_?, T^₁ und T. ist. Dadurch wird erreicht, dass bei einem sehr geringen Eingangsstrom dennoch ein grosser Ausgangsstrom erhalten werden kann. Die einzige gestellte Anforderung ist die, dass die Basisströme der Transistoren aus einer Stufe in bezug auf die Emitterströme der Transistoren aus der vorangehenden Stufe derselben Gruppe klein bleiben müssen. Durch die Wahl von Transistoren mit einem grossen Stromverstärkungsfaktor lässt sich diese Anforderung leicht erfüllen.

Fig. 6 zeigt eine Erweiterung der Schaltung nach der Erfindung, bei der zwischen den Emitter-Elektroden der zweiten Transistoren T₁ _o und T₀₀ keine Impedanz L angeordnet ist, sondern diese Elektroden mit den Basis-Elektroden der ersten Transistoren T„. und T_Q1 einer

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zweiten auf ähnliche Weise aufgebauten Verstärkerschaltung nach der Erfindung verbunden sind. Die Impedanz L ist zwischen den Emitter-Elektroden der zweiten Transistoren Τ~ρ und Top dieser Schaltung angebracht. Die Eingangsspannung V. wird wieder zwischen den Basis-Elektroden der Transistoren T₁₁ und T₃₁ der ersten Schal-

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tung angelegt. Die Eingangsimpedanz 1st nun gleich dem Produkt des Stromverstärkungsfaktors des Transistors T₁₁ (oder T_p1), des Stromverstärkungsfaktors des Transistors T₇₁ (oder To₁) und der Impedanz L. In bezug auf die Schaltung nach Fig. 1 ist diese Impedanz um einen Faktor gleich dem Stromverstärkungsfaktor der Transistoren T₇₁ bzw. Tg₁ vergrössert. g

Auch kann unter Beibehaltung der gleichen Eingangsimpedanz wie bei der Schaltung nach Fig. 1 die Impedanz L um den gleichen Faktor verringert werden, wodurch der Verstärkungsfaktor, unter Verwendung der Spannungen über den Kollektorimpedanzen L₇ und Ln der Transistoren T₇₁ bzw. To₁ aus der zweiten Schaltung, um den gleichen Faktor vergrössert wird.

Durch weitere Reihenanordnung von Schaltungen nach der Erfindung kann sowohl die Eingangsimpedanz als auch der Verstärkungsfaktor gesteigert werden. ™

Dabei empfiehlt es sich, für aufeinander folgende Schaltungen nach der Erfindung Transistoren entgegengesetzter Leitfähigkeirbstype zu benutzen, um die benötigte Speisespannung niedrig zu halten.

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Claims

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Patentansprüche:

11 Verstärkerschaltung mit zwei Transistorstufen, die je mindestens zwei Schichttransistoren mit in Reihe geschalteten und von dem gleichen Speisestrom durchflossenen Emitter-Kollektor-Strecken enthalten, mit der Massgabe, dass eine Klemme der Speisequelle mit dem Kollektor des ersten dieser Transistoren verbunden ist, dessen Emitter mit dem Kollektor des zweiten dieser Transistoren verbunden ist, während der Emitter des letzteren über eine Stromquelle mit der anderen Klemme der Speisequelle verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, dass auf an sich bekannte Weise die Basis-Elektrode des zweiten Transistors (T₁ ρ, T ) der einen Stufe (i, II) mit der Emitter-Elektrode des ersten Transistors (Tp₁, T₁₁) der anderen Stufe (il, i) verbunden ist.
2. Verstärkerschaltung nach Anspruch 1, bei der die Eingangsspannungsquelle zwischen den Basis-Elektroden der ersten Transistoren der beiden Stufen eingeschaltet ist, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen den Emitter-Elektroden der zweiten Transistoren (T _p, T)

der beiden Stufen (l, II) eine Impedanz (l) angeschlossen ist, die die Stromverstärkung der Schaltung bestimmt.
3· Verstärkerschaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass in dem KoJ1ektorkreis mindestens eines der ersten Transistoren (T₁₁ bzw. T₀₁) der boidon Stufen eine Impedanz (L₁ bzw. L ) angeordnet ist, über

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der die Ausgangsspannung entnommen wird.
4. ' Verstärkerschaltung nach Anspruch 2 oder 3» dadurch gekennzeichnet, dass die Impedanz zwischen den Emitter-Elektroden der zweiten Transistoren der beiden Stufen ein regelbarer Widerstand, z.B. ein Feldeffekttransistor, ist.
5. Verstärkerschaltung nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass in den Kollektorkreis jedes der ersten Transistoren (T₁₁ bzw. T₁₁) der beiden Stufen (i, II) der Schaltung die Emitter-Kollektor-Strecke eines Transistors (t₁ bzw. t„) aufgenommen ist, dessen Basis auf ein festes Potential eingestellt ist. (Fig. 4) .
6. Verstärkerschaltung nach einem der vorstehenden Ansprüche, die aus zwei Gruppen von Transistoren besteht, die je mehr als eine Stufe enthalten, welche Stufen je aus der Reihenschaltung einer Stromquelle und der Emitter-Kollektor-Strecken zweier Transistoren bestehen, % wobei die Basis-Elektrode des ersten bzw. des zweiten Transistors einer Stufe mit der Emitter-Elektrode des ersten bzw. des zweiten Transistors der vorangehenden Stufe aus derselben Gruppe verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Kreuzkopplung zwischen der Basis-Elektrode des zweiten Transistors (Τ_1ρ bzw. T_pp) der ersten Stufe einer Gruppe und der Emitter-Elektrode des ersten Transistors (Tx₁ bzw. T_..) aus der letzten Stufe der

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anderen Gruppe angebracht ist. (Fig. 5)
7. Verstärkerschaltung, die aus mindestens zwei Schaltungen nach Anspruch 1 besteht, dadurch gekennzeichnet, dass die Emitter-Elektroden der zweiten Transistoren (T₁₃ bzw. T p) der beiden Stufen der einen Schaltung mit den Basis-Elektroden der ersten Transistoren (T^₁ bzw. To₁) der beiden Stufen der anderen Schaltung verbunden sind, und dass zwischen den Emitter-Elektroden der zweiten Transistoren (T~p bzw. Top) der beiden Stufen der anderen Schaltung eine Impedanz (L ) eingeschaltet ist, die die Stromverstärkung bestimmt. (Fig. 6) ,
8. Verstärkerschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Eingangsspannungsquelle (V.) zwischen den Emitter-Elektroden der zweiten Transistoren (t_i? bzw.
Tpp) der beiden Stufen eingeschaltet ist, und dass die Basis-Elektroden der ersten Transistoren (T₁₁ bzw.
T_?1) der beiden Stufen miteinander verbunden sind. (Fig. 3).
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