DE2003576A1 - Optoelektrisches Schreibsystem - Google Patents

Optoelektrisches Schreibsystem

Info

Publication number
DE2003576A1
DE2003576A1 DE19702003576 DE2003576A DE2003576A1 DE 2003576 A1 DE2003576 A1 DE 2003576A1 DE 19702003576 DE19702003576 DE 19702003576 DE 2003576 A DE2003576 A DE 2003576A DE 2003576 A1 DE2003576 A1 DE 2003576A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
writing system
deflection unit
unit
plate
displacement
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19702003576
Other languages
English (en)
Inventor
Raymond Marcy
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Thales SA
Original Assignee
Thomson CSF SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Thomson CSF SA filed Critical Thomson CSF SA
Publication of DE2003576A1 publication Critical patent/DE2003576A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/083—Devices involving movement of the workpiece in at least one axial direction
    • B23K26/0853—Devices involving movement of the workpiece in at least in two axial directions, e.g. in a plane
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25H—WORKSHOP EQUIPMENT, e.g. FOR MARKING-OUT WORK; STORAGE MEANS FOR WORKSHOPS
    • B25H7/00—Marking-out or setting-out work
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
    • G02F1/31—Digital deflection, i.e. optical switching
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70383—Direct write, i.e. pattern is written directly without the use of a mask by one or multiple beams
    • G03F7/704—Scanned exposure beam, e.g. raster-, rotary- and vector scanning
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G03F7/70466—Multiple exposures, e.g. combination of fine and coarse exposures, double patterning or multiple exposures for printing a single feature
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K1/00—Methods or arrangements for marking the record carrier in digital fashion
    • G06K1/12—Methods or arrangements for marking the record carrier in digital fashion otherwise than by punching
    • G06K1/126—Methods or arrangements for marking the record carrier in digital fashion otherwise than by punching by photographic or thermographic registration

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Description

Dipl.-tng. ϋ,ρΐ. oec. publ.
EJUZll l? 27. Januar I970
alt
eMünchenai-Gotthardetr.ei
Telefon 56 17 ό2
THOMSON-CSF
Paris l6eme, Boulevard Murat 101 (Frankreich)
"Optoelektrisch^; s Schreibsystem"
Französische Priorität vom 29» Januar 19^9 aus der französischen Patentanmeldung Nr. 69/174-5 (Seine)
Die Erfindung betrifft ein optoelektrisches Schreibsystem, bei dem der von einem Laser erzeugte Strahl mittels eines Projektionsobjektivs auf einer Platte abgebildet wird, deren Verschiebung in zwei zueinander senkrechten Richtungen Lage- . fühler aufnehmen und wobei die Verschiebung mittels Kleinstmotoren geschieht, die von aus einem Rechner kommenden Informationen gesteuert werden.
Derartige Schreibsysteme werden insbesondere zur Herstellung von integrierten Schaltungen oder von Masken, die zur Herstellung ersterer dienen, verwendet.
Im allgemeinen wird als Lichtquelle ein Laser verwendet, Je nach dessen Leistungsfähigkeit si.nd verschiedene Verfahren möglich. Mit Laserquellen geringer Leistung werden die Masken beispielsweise aus fotoempfiridlichen Platten, die von einer solchen Quelle belichtet werden, hergestellt. Mit einer
009831/1588
stärkeren Laserquelle, beispielsweise einem Argon-Laser, bestrahlt man direkt "lichtbeständige11 Schichten, mit denen das Substrat nacheinander überzogen ist. Mit einer sehr leistungsfähigen Quelle, wie etwa Yttrium-Aluminium-Granat-Lasern (YAG), wird die Maske durch optisches Schneiden, einer metallischen Platte hergestellt. Bei diesen Systemen ist der Lichtstrahl im allgemeinen ortsfest und die Platte erfährt programmierte mechanische Verschiebungen in bezug auf die Projektionsoptik. Auf diese Weise können unterschiedliche Muster, eren Form vorteilhaft gewählt wurde, "geschrieben" und untereinander mittels integrierter Verbindungen verbunden werden.
Die nicht unerhebliche Trägheit der mechanischen Vorrichtung, die zur Verschiebung der Platte in bezug auf die Projektionsoptik dient, führt jedoch in den meisten Fällen zu einer sehr langen Dauer des Schreibvorganges.
lardErfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein opto- ■ elektrisches Schreibsystem zu schaffen, das wesentlich kürzere Schreibdauern erzielen läßt.
Diese Aufgabe ist bei dem optoelektrischen Schreibsystem ^er einleitend angegebenen Gattung dadurch gelöst, daß erfindungsgemäß zwischen der Laserquelle und dem Projektionsobjektiv eine Digital-Ablenkeinheit im Strahlengang liegt, die Informationen von dem Rechner erhält.
Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung der Zeichnung, in der beispielsweise gewählte Ausführungsformen des erfindungsgemäßen Schreibsystems schematisch veranschaulicht sind. Es zeigen:
009631/1588
Pig. 1 ein Schreibsystem nach der Erfindung,
Fig. 2 eine andere Ausführungsform des optischen Teils des Schreibsystems nach Pig. 1.
Im Zusammenhang mit der geschriebenen Ausgabe von von einem Rechner gelieferten Informationen sind optoelektrische Schreibsysteme bekanntgeworden, die das Bild der Schriftzeichen bzw. der Elementarsymbole auf einen fotoempfindlichen
Träger projezieren, Λ . . ;
Diese Systeme verwenden üblicherweise eine Lichtablenkein- ; heit, mit der ein polarisierter Lichtstrahl um digitale ·
Beträge parallel zu sich selbst verschoben wa:den kann. Eine '. solche Einheit s§tnt sich aus aufeinanderfolgenden Zellen I zusammen, deren jede einen elektro-optischen Kristall, gefolgt ;
von einem doppelbrechenden Kristall enthält. Wenn an seinen ! Elektroden keine Spannung anliegt, läßt der elektro-optische Kristall einen einfallenden Lichtstrahl hindurch, ohne ihn irgendwie zu beeinflussen; der Lichtstrahl ist dabei in der ; einen oder der anderen von zwei aufeinander senkrecht stehenden Ebenen polarisiert, die in dem doppelbrechenden Kristall entweder einem ordentlichen (d.h. nicht abgelenkten) oder eineir außerordentlichen (d.h. abgelenkten) Strahl entsprechen. Liegt an den Elektroden eine Spannung, so führt dies zu einer Drehung der Polarisationsebene um 90 Grad und der doppelbrechende Kristall wird statt von einem ordentlichen Strahl von einem außerordentlichen Strahl durchsetzt und umgekehrt. Auf diese Weise können mit jeder Elementarzelle zwei bestimmte unterschiedliche, von einer elektrischen Spannung gesteuerte Lagen des Lichtstrahls erhalten werden. Für eine Ablenkeinheit mit η-Zellen ergibt sich folglich die Höchstzahl möglicher
009831 / 1588
2U03576
-A-
Punkte zu 2n. Der Übergang von einem Punkt auf einen anderen kann darüber hinaus in beliebiger Reihenfolge und in einer Zeit in der Größenordnung von Mikrosekunden erfolgen.
Mit optoelektrischen Schreibsystemen bekannter Art, die solche Ablenkeinheiten verwenden, können Zeichen oder Symbole mit sehr hoher Geschwindigkeit geschrieben werden, da sowohl das Ansprechen einer Digital-Ablenkeinheit wie auch die Aufzeichnung auf einem fotoempfindlichen Träger sehr schnell "folgen.
Es erscheint somit vorteilhaft, derartige Ablenkeinheiten zum "Schreiben" von Mustern.auf einem Träger zu verwenden, der zur Herstellung von Masken für die Mikroelektronik, insbesondere für integrierte Schaltungen dient.
Die programmierte Verschiebung des Lichtstrahls erlaubt dabei, auf den Träger ein vorher gewähltes Muster zu schreiben.
Fig. 1 zeigt ein erfindungsgemäßes Schreibsystem mit einer Laserquelle 1, deren Strahl durch eine Digital-Ablenkeinheit längs einer von zwei kartesischen Koordinaten der Platte 6
ogelenkt wird. Diese letztere liegt in der Bildebene eines .Projektionsobjektives 5 und empfängt folglich das Elementaroder Grundmuster, das von dem Laserstrahl geschrieben wird. Die Platte 6 ist beispielsweise auf gekreuzten Schlitten 61 und 62 befestigt, deren Verschiebungen längs zweier aufeinander senkrecht stehender Richtungen mittels Kleinstmotoren 81, 82 derart vorgenommen werden, daß nacheinander die verschiedenen Muster, die eine bestimmte Maske bilden, aufgeschrieben werden können. Lagefühler 71 und 72, die beispielsweise nach dem Prinzip der Laser-I^terferrometrie arbeiten, dienen zur
009831 /1588
2ÜÜ3576
Steuerung der Verschiebungsbewegungen.
Ein Rechner 9 hat zum einen die Steuerung der Digital-Ablenkeinheit 3> zum anderen die der Kleinstmotoren 81 und 82 zur Aufgabe. Zu diesem Zweck setzt er sich vorteilhaft aus zwei Untereinheiten 91 und 92 zusammen, die mit den unterschiedlichen Programmen zweier Programmeinheiten 93 und 94 versorgt werden und beide darüber hinaus die von den Lagefühlern.
71 und 72 kommenden Informationen erhalten« Die Untereinheit enthält zwei nicht dargestellte Zähler, die mit Hilfe der Informationen, die sie von den jeweiligen Lagefühlern 71 bzw.
72 erhalten, die Anzahl der Schritteinheiten bestimmen, um die sich der eine und/oder der andere der die Platte 6 tragenden Schlitten 61 und 62 verschoben hat. Das Ergebnis des Vergleiches dieser gemessenen Zahlen mit den von dem Programm 94 gelieferten Informationen dient zur Steuerung der Mikromotoren 81 und 82„ Die Untereinheit 91 weist einen Binärzähler 4 auf, dessen jede Stufe eine der Zellen der Ablenkeinheit 3 steuert. Der Binärzähler 4 arbeitet nur dann, wenn er von einem der Lagefühler, beispielsweise 72, Impulse erhält. Auf Impulse, die von dem anderen Lagefühler, im gewählten Beispiel 71, in die Untereinheit 91 gelangen, spricht er nicht an. Hieraus ergibt sich, daß die Digitalablenkung nur in einer einzigen Richtun erfolgt und jede Verschiebung der Platte 6 in einer anderen Richtung die Unterbrechung dieser Ablenkung hervorruft. Die durch die Ablenkeinheit 3 bewirkten aufeinanderfolgenden Verschiebungen des Laserstrahls werden so direkt durch die Verschiebung des Schlittens 62 gesteuert. Diese unmittelbare , Steuerung der Digital-Ablenkeinheit 3 in Abhängigkeit von den i Verschiebungen der Platte 6 ermöglicht es, das Aufschreiben auf der Platte 6 unabhängig von der Geachwindigkeit oder Unregelmäßigkeiten d«r Verschiebung zu machen.
009831/1588
2 O Ü 3 5 7 6
Darüber hinaus steuert die Untereinheit 91 des Rechners einen Lichtmodulator 2, der vorteilhaft ■ in den Strahlengang zwischen die Laserquelle 1 und die Ablenkeinheit 3 derart eingefügt ist, daß der Strahl ausgelöscht ist, wenn kein Schreibvorgang vorgenommen werden soll.
Das Programm der Programmeinheit 93 hängt von dem zu schreibenden Muster ab. Es enthält die Adressen von Informationen, die der Bestimmung der Geometrie der von dem Laser-
trahl geschriebenen Muster dienen» Es gestattet außerdem den Abruf bestimmter Programme, die beispielsweise dazu dienen, eine Linie oder eine Fläche auf der Platte 6 nur dadurch aufzuschreiben, daß die Adressen der Endpunkte gegeben werden. Beispielsweise besteht die Programmierung einer durch einen Strich wiedergegebenen Verbindung aus der Adresse des Anfangspunktes des Striches, der Adresse des Endpunktes und dem Abrufbefehl eines Unterprogrammes, das dem kontinuierlichen Schreiben der dazwischenliegenden Punkte dient.
Wenn das Einschreiben eines vollständigen Musters durch aufeinanderfolgendes Einschreiben von benachbarten Grundmustern erhalten wird, enthält das Schreibsystem nach. Fig, 1 außerdem eine nicht dargestellte Einheit zur Auswahl des Grundmusters. Diese Einheit besteht beispielsweise aus einer Digital-Ablenkeinheit, die mittels des Laserstrahls eine Platte abtastet, die die Hologramme der Grundmuster enthält. Diese kombinierte Einheit liegt vorteilhaft im Strahlengang zwischen dem Modulator 2.und der Digital-Ablenkeinheit 3. Bei diesem System umfaßt das Programm der Programmeinheit 93 folglich außerdem die Adressen jedes der Grundmuster, die der Herstellung sei es eines gegebenen Musters, sei es der Verbindungen verschiedener Muster untereinander dienen. Dieses System gestattet folglich die vollständig automatisierte Herstellung
- 7 -009831/1588
2 Ü (J 3 5 7 6
mikroelektronischer, insbesondere integrierter Schaltungen und/ oder deren Masken mittels Mustern, die in codierter Form in einem Speicher enthalten sindo Dies erfordert jedoch Speichereinheiten von im allgemeinen erheblicher Größe und ist für bestimmte Anwendungen dieser Systeme nicht eben vorteilhaft.
Eine andere Ausführungsform des erfindungsgemäßen Schreibsystems erlaubt die Verwendung eines umfangreichen Speichers zu vermeiden und besteht darin, in bekannter Weise eine Projektion verschiedener wiederzugebender Muster vorzunehmen, die vorzugsweise in optischer Form gespeichert sind. Dabei wird die optische Projektion mit dem beschriebenen optoelektrischen Schreibsystem nach der Erfindung kombiniert, wobei das letztere in diesem Fall zur Herstellung der internen Verbindungen, d.h. ■ der Verbindungen der Muster untereinander verwendet wird. Unter bestimmten Umständen kann man sogar unvollständige Muster i projezieren, deren interne Verbindungen mittels des Schreibsystems durch digitale Ablenkung vorgenommen werden, was erlaubt, mit Hilfe eines einzigen unvollständigen Musters mehrere verschiedene Muster je nach den Befehlen, die die Digital- ; Ablenkeinheit 3 erhält, herzustellen«
Fig« 2 zeigt hierzu den optischen Teil der Projektion und Aufschrift eines derartigen Systems, das als zusätzliche Besonderheit eine Anordnung aufweist, die die gleichzeitige Aufschrift von zwei gleichen Mustern ermöglicht. Dieses System enthält folglich außer der Laserquelle 1, dein Modulator 2, der Digital-Ablenkeinheit 3 und der Optik 5 einen halbdurchlässigen Spiegel 10, der zwischen die Ablenkeinheit 3 und die Optik 5 eingefügt ist, sowie außerdem eine Einrichtung zur Projektion der Muster 11, die von einer Blitzlampe 12 beleuchtet ist.
009831/1588
:■:[):.; Jb 76
Der Befehl zur Auswahl des zu projezierenden Musters und zur Auslösung der Blitzlampe 12 wird von dem Rechner 9 gegeben. Die Verwendung des halbdurchlässigen Spiegels 10 gestattet es, mit Hilfe einer Optik 13 und 14, eines Spiegels 15 und einem Objektiv 16 gleichzeitig zwei übereinstimmende Muster 601 und 602 auf die Platte 6 aufzuschreiben, welch letztere in diesem Fall üblicherweise fotoempfindlich ist.
Das erfindungsgemäße optoelektrische Schreibsystem dient wie bereits erwähnt - zur Herstellung von integrierten Schaltungen und/oder Masken für integrierte Schaltungen mittels programmierter digitaler Abtastung eines Lichtstrahles und kann mit der üblichen Technik der optischen Projektion der aufzuschreibenden Motive kombiniert werden. Bei diesen Systemen gestattet die Kontrolle der Verschiebungen der Platte, auf die aufgeschrieben wird, die Regelung der Abtastung bzw. Ablenkung des Lichtstrahls in bezug auf die Verschiebungen, was die Aufschrift der Muster unabhängig von der Geschwindigkeit der Verschiebung der Platte macht.
- Patentansprüche -
009831/1688

Claims (1)

  1. Patentansprüche:
    1. Optoelektrisches Schraibsy stern, bei dem der von einem Laser erzeugte Strahl mittels eines Projektionsobjektivs auf einer Platte abgebildet wird, deren Verschiebung in zwei zueinander senkrechten Riehtungen Lagefühler aufnehmen und wobei die Verschiebung mittels Kleinstmotoren geschieht, die von aus einem Rechner kommenden Informationen gesteuert werden, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der Laserquelle (1) und dein Projektionsobjektiv (5) eine Digital-Ablenkeinhe.it (^) im Strahlengang liegt, die Information^ von dem Rechner (9) erhält.
    2. Schreibsystem nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Digital-Ablenkeinheit (j5) die Ablenkung in nur einer einzigen Richtung bewirkt.
    J5. Schreibsystem nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der Laserquelle (1) und der Digital-Ablenkeinheit (^) ein von dem Rechner (9) gesteuerter Lichtmodulator (2) im Strahlengang liegt.
    00983 1/1508
    2 Ü 0 3 5 7 6
    4. Schreibsystem nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Rechner (9) zwei Untereinheiten (91 > 92) enthält, deren eine (91) mit einer ersten Programmeinheit (93) für die Steuerung der Digital-Ablenkeinheit (3)» deren andere (92) mit einer zweiten Prοgrammeinheit (94) für die Verschiebung der Platte (6) verbunden ist,
    5. Schreibsystem nach.Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Untereinheit (91) zur Steuerung der Digital-Ablenkeinheit (3) einen Binärzähler (4) enthält, der die von einem der Lagefühler (7.2) kommenden Informationen erhält und nur für eine Richtung der Verschiebung der Platte (6) arbeitet, für die andere Richtung dagegen gesperrt bleibt.
    6.wSchreibsystem nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Untereinheit (92) für die Steuerung der Verschiebung der Platte einen Zähler für jede Richtung der Verschiebung und eine Vergleichsschaltung für die von ihm gelieferten Informationen mit denen der entsprechenden Programmeinheit (94) enthält.
    7. Schreibsystem nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine Vorrichtung zur Auswahl von Grundmustern zwischen der Laserquelle (1) und der Digital-Ablenkeinheit (3) im Strahlengang liegt und vom Rechner (9) gesteuert wird.
    8, Schreibsystem nach Anspruch 7f dadurch gekennzeichnet, daß : die Vorrichtung zur Auswahl von Grundmustern aus einer Digital-Ablenkeinheit, verbunden mit einer Platte besteht, die die Hologramme der Grundmueter trägt.
    009831/1588
    2Ü03576
    9. Schreibsystem nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine optische Projektionsvorrichtung (11) für die ■wiederzugebenden optisch gespeicherten Muster, mit der eine Blitzröhre (12) verbunden ist, unter Einfügung eines halbdurchlässigen Spiegels (10) zwischen der Digital-Ablenkeinheit (3) und dem Projektionsobjektiv (5) liegt
    10. Schreibsystem nach eitlem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Auswahl der projezierten Muster durch die optische Projektionsvorrichtung (11) und die Steuerung der Blitzlampe (12) durch den Rechner (.9) geschieht, der außerdem die D^gital-Ablenkeinheit (3) zur Herstellung der inneren Verbindungen der projezierten Muster sowie der Verbindungen der Muster untereinander steuert.
    11. Schreibsystem nach einem der Ansprüche 1 bis 9> dadurch gekennzeichnet, daß ein hinter dem halbdurchläefligenr
    . Spiegel (10) angeordneter Bildwagen (13, 14) ein Spiegel (15) und eine Projektionsoptik (16) vorgesehen sind und zur gleichzeitigen Aufzeichnung eines zweiten, mit dem Hauptmuster (601) identischen (602, 601) Musters auf de. Platte (6)" dienen.
    009831/1588
DE19702003576 1969-01-29 1970-01-27 Optoelektrisches Schreibsystem Pending DE2003576A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR6901745A FR2030468A5 (de) 1969-01-29 1969-01-29

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE2003576A1 true DE2003576A1 (de) 1970-07-30

Family

ID=9028320

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19702003576 Pending DE2003576A1 (de) 1969-01-29 1970-01-27 Optoelektrisches Schreibsystem

Country Status (4)

Country Link
US (1) US3632205A (de)
DE (1) DE2003576A1 (de)
FR (1) FR2030468A5 (de)
GB (1) GB1291557A (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0154279A2 (de) * 1984-03-01 1985-09-11 Laser Photonics, Inc. Laserstrahl-Abtastvorrichtung und Markierungssystem

Families Citing this family (78)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4445776A (en) * 1980-09-29 1984-05-01 High resistration photomask machine and computerized numerical control system
US4120583A (en) * 1970-12-28 1978-10-17 Hyatt Gilbert P High registration photomask method and apparatus
DE2134144A1 (de) * 1970-07-09 1972-01-20 Thomson Csf Opto-elektrisches Schreibsystem zur Herstellung von Mikroschaltungen
FR2135425B1 (de) * 1971-05-04 1973-08-10 Thomson Csf
US3745897A (en) * 1971-06-21 1973-07-17 Ibm Mask bit error indicator
US4110762A (en) * 1974-05-10 1978-08-29 Commissariat A L'energie Atomique Drawing machines especially for integrated circuit masks
SE399628B (sv) * 1975-02-13 1978-02-20 Westerberg Erik Gerhard Natana Drivanordning, speciellt for anvendning vid en avsokningsanordning for framstellning av masker for mikrokretsar
DE2511390C2 (de) * 1975-03-15 1984-03-15 Agfa-Gevaert Ag, 5090 Leverkusen Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Tageslichtprojektionsschirmen sowie nach diesem Verfahren hergestellter Tageslichtprojektionsschirm
US4190759A (en) * 1975-08-27 1980-02-26 Hitachi, Ltd. Processing of photomask
FR2330030A1 (fr) * 1975-10-31 1977-05-27 Thomson Csf Nouvel appareil photorepeteur de masques de haute precision
US4110594A (en) * 1976-12-13 1978-08-29 International Business Machines Corporation Pattern mask generating method and apparatus
FR2388300A1 (fr) * 1977-04-20 1978-11-17 Thomson Csf Dispositif optique de projection de motifs comportant un asservissement de focalisation a grandissement constant
US4262186A (en) * 1977-10-27 1981-04-14 Rohr Industries, Inc. Laser chem-milling method, apparatus and structure resulting therefrom
US4167662A (en) * 1978-03-27 1979-09-11 National Research Development Corporation Methods and apparatus for cutting and welding
US4266548A (en) * 1978-12-18 1981-05-12 Davi S K Apparatus for and method of utilizing energy to excise pathological tissue
US4469098A (en) * 1978-12-18 1984-09-04 Davi Samantha K Apparatus for and method of utilizing energy to excise pathological tissue
US4541712A (en) * 1981-12-21 1985-09-17 Tre Semiconductor Equipment Corporation Laser pattern generating system
USRE33931E (en) * 1981-12-21 1992-05-19 American Semiconductor Equipment Technologies Laser pattern generating system
FR2519156A1 (fr) * 1981-12-28 1983-07-01 Thomson Csf Dispositif optique a source d'energie radiante pour le transfert de motifs sur un substrat et procede de mise en oeuvre
US4464030A (en) * 1982-03-26 1984-08-07 Rca Corporation Dynamic accuracy X-Y positioning table for use in a high precision light-spot writing system
IL66817A0 (en) * 1982-09-16 1982-12-31 Gaz Moshe Special visual and sound effects in cinematography using beam lasers on positive and negative copies
FR2536872A1 (fr) * 1982-11-29 1984-06-01 Cii Honeywell Bull Generateur de motifs pour circuits integres et procede de generation de motifs utilisant ce generateur
US4822975A (en) * 1984-01-30 1989-04-18 Canon Kabushiki Kaisha Method and apparatus for scanning exposure
US4773750A (en) * 1984-06-21 1988-09-27 Bruning John H Deep-UV lithography
DE3447405A1 (de) * 1984-12-24 1986-07-03 Winkler & Dünnebier, Maschinenfabrik und Eisengießerei GmbH & Co KG, 5450 Neuwied Vorrichtung zum formbrennschneiden einer bewegten materialbahn mittels eines laserstrahls
DE3624163C2 (de) * 1985-07-24 2001-05-17 Ateq Corp Gerät zur Erzeugung eines Musters auf einem eine strahlungsempfindliche Schicht aufweisenden Werkstück
US4796038A (en) * 1985-07-24 1989-01-03 Ateq Corporation Laser pattern generation apparatus
US4799210A (en) * 1986-11-05 1989-01-17 Unisys Corporation Fiber optic read/write head for an optical disk memory system
US4822987A (en) * 1988-01-25 1989-04-18 Westinghouse Electric Corp. Method and apparatus for providing fuel rod identification to permit traceability during manufacture and use
US4960984A (en) * 1988-02-04 1990-10-02 Westinghouse Electric Corp. Method and apparatus for reading lased bar codes on shiny-finished fuel rod cladding tubes
BG46808A1 (en) * 1988-05-27 1990-03-15 Univ Plovdivski Device for laser engraving
US4940508A (en) * 1989-06-26 1990-07-10 Digital Equipment Corporation Apparatus and method for forming die sites in a high density electrical interconnecting structure
US5120136A (en) * 1989-09-12 1992-06-09 Lasertape Systems, Inc. Optical tape recorder having an acousto-optic device for scanning a radiant energy beam onto a media
US5315111A (en) * 1992-10-15 1994-05-24 Lasa Industries, Inc. Method and apparatus for laser beam drift compensation
DE4326874C3 (de) * 1993-08-11 1999-11-25 Benecke Kaliko Ag Verfahren zum Gravieren eines Musters in eine Oberfläche eines Werkstücks
EP0738556B1 (de) * 1995-04-19 1997-12-29 Gerber Garment Technology, Inc. Laserschneidgerät und Verfahren zum Schneiden von Flachmaterial
US6555449B1 (en) * 1996-05-28 2003-04-29 Trustees Of Columbia University In The City Of New York Methods for producing uniform large-grained and grain boundary location manipulated polycrystalline thin film semiconductors using sequential lateral solidfication
SE9800665D0 (sv) * 1998-03-02 1998-03-02 Micronic Laser Systems Ab Improved method for projection printing using a micromirror SLM
SE514835C2 (sv) * 1999-01-21 2001-04-30 Micronic Laser Systems Ab System och metod för mikrolitografiskt skrivande
US6368945B1 (en) * 2000-03-16 2002-04-09 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Method and system for providing a continuous motion sequential lateral solidification
US6830993B1 (en) * 2000-03-21 2004-12-14 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Surface planarization of thin silicon films during and after processing by the sequential lateral solidification method
CA2389607A1 (en) * 2000-10-10 2002-04-18 The Trustees Of Columbia University Method and apparatus for processing thin metal layers
KR100873927B1 (ko) * 2000-11-27 2008-12-12 더 트러스티스 오브 콜롬비아 유니버시티 인 더 시티 오브 뉴욕 기판상의 반도체막 영역의 레이저 결정화 처리를 위한 공정 및 마스크 투영 시스템
US6538230B2 (en) * 2001-05-17 2003-03-25 Preco Laser Systems, Llc Method and apparatus for improving laser hole resolution
WO2003018882A1 (en) * 2001-08-27 2003-03-06 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Improved polycrystalline tft uniformity through microstructure mis-alignment
AU2003220611A1 (en) * 2002-04-01 2003-10-20 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Method and system for providing a thin film
TWI325157B (en) * 2002-08-19 2010-05-21 Univ Columbia Process and system for laser crystallization processing of film regions on a substrate to provide substantial uniformity, and a structure of such film regions
CN100336941C (zh) * 2002-08-19 2007-09-12 纽约市哥伦比亚大学托管会 改进衬底上薄膜区域内诸区及其边缘区内均一性以及这种薄膜区域之结构的激光结晶处理工艺与***
TWI331803B (en) 2002-08-19 2010-10-11 Univ Columbia A single-shot semiconductor processing system and method having various irradiation patterns
US7622370B2 (en) * 2002-08-19 2009-11-24 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Process and system for laser crystallization processing of film regions on a substrate to minimize edge areas, and a structure of such film regions
KR101191837B1 (ko) * 2003-02-19 2012-10-18 더 트러스티스 오브 콜롬비아 유니버시티 인 더 시티 오브 뉴욕 순차적 측면 고상화 기술을 이용하여 결정화되는 복수의 반도체 박막을 가공하는 방법 및 장치
US7364952B2 (en) * 2003-09-16 2008-04-29 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Systems and methods for processing thin films
TWI351713B (en) * 2003-09-16 2011-11-01 Univ Columbia Method and system for providing a single-scan, con
WO2005029546A2 (en) * 2003-09-16 2005-03-31 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Method and system for providing a continuous motion sequential lateral solidification for reducing or eliminating artifacts, and a mask for facilitating such artifact reduction/elimination
WO2005029550A2 (en) * 2003-09-16 2005-03-31 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Method and system for producing crystalline thin films with a uniform crystalline orientation
US7164152B2 (en) 2003-09-16 2007-01-16 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Laser-irradiated thin films having variable thickness
TWI359441B (en) 2003-09-16 2012-03-01 Univ Columbia Processes and systems for laser crystallization pr
US7318866B2 (en) * 2003-09-16 2008-01-15 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Systems and methods for inducing crystallization of thin films using multiple optical paths
WO2005029547A2 (en) * 2003-09-16 2005-03-31 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Enhancing the width of polycrystalline grains with mask
WO2005029548A2 (en) * 2003-09-16 2005-03-31 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York System and process for providing multiple beam sequential lateral solidification
WO2005034193A2 (en) 2003-09-19 2005-04-14 The Trustees Of Columbia University In The City Ofnew York Single scan irradiation for crystallization of thin films
US7645337B2 (en) * 2004-11-18 2010-01-12 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Systems and methods for creating crystallographic-orientation controlled poly-silicon films
US8221544B2 (en) * 2005-04-06 2012-07-17 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Line scan sequential lateral solidification of thin films
US20090218577A1 (en) * 2005-08-16 2009-09-03 Im James S High throughput crystallization of thin films
TW200733240A (en) * 2005-12-05 2007-09-01 Univ Columbia Systems and methods for processing a film, and thin films
WO2009039482A1 (en) 2007-09-21 2009-03-26 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Collections of laterally crystallized semiconductor islands for use in thin film transistors
TWI418037B (zh) 2007-09-25 2013-12-01 Univ Columbia 藉由改變形狀、大小或雷射光束在製造於橫向結晶化薄膜上之薄膜電晶體元件中產生高一致性的方法
JP5443377B2 (ja) * 2007-11-21 2014-03-19 ザ トラスティーズ オブ コロンビア ユニヴァーシティ イン ザ シティ オブ ニューヨーク エピタキシャルに配向された厚膜を調製するための調製システムおよび方法
US8012861B2 (en) 2007-11-21 2011-09-06 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Systems and methods for preparing epitaxially textured polycrystalline films
WO2009067688A1 (en) 2007-11-21 2009-05-28 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Systems and methods for preparing epitaxially textured polycrystalline films
WO2009111340A2 (en) * 2008-02-29 2009-09-11 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Flash lamp annealing crystallization for large area thin films
KR20100132020A (ko) * 2008-02-29 2010-12-16 더 트러스티이스 오브 콜롬비아 유니버시티 인 더 시티 오브 뉴욕 균일한 결정질 ｓｉ 막들을 제조하는 리소그래피 방법
WO2009111326A2 (en) * 2008-02-29 2009-09-11 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Flash light annealing for thin films
US7929660B2 (en) * 2008-07-18 2011-04-19 Xcounter Ab Support structure for mammography
US8802580B2 (en) * 2008-11-14 2014-08-12 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Systems and methods for the crystallization of thin films
US9087696B2 (en) 2009-11-03 2015-07-21 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Systems and methods for non-periodic pulse partial melt film processing
US9646831B2 (en) 2009-11-03 2017-05-09 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Advanced excimer laser annealing for thin films
US8440581B2 (en) * 2009-11-24 2013-05-14 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Systems and methods for non-periodic pulse sequential lateral solidification

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1208407A (fr) * 1958-06-10 1960-02-23 Victor Bouzard Et Ses Fils Dispositif de commande automatique pour machines à copier photomécaniques, en particulier pour l'offset
US3524394A (en) * 1966-11-16 1970-08-18 Ibm Monolithic circuit manufacture and photoresist exposure technique utilized therein
FR1516152A (fr) * 1967-01-25 1968-03-08 Thomson Houston Comp Francaise Perfectionnements aux bancs photographiques répétiteurs
US3498711A (en) * 1967-10-18 1970-03-03 Texas Instruments Inc Step and repeat camera

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0154279A2 (de) * 1984-03-01 1985-09-11 Laser Photonics, Inc. Laserstrahl-Abtastvorrichtung und Markierungssystem
EP0154279A3 (de) * 1984-03-01 1986-04-30 Laser Photonics, Inc. Laserstrahl-Abtastvorrichtung und Markierungssystem

Also Published As

Publication number Publication date
GB1291557A (en) 1972-10-04
US3632205A (en) 1972-01-04
FR2030468A5 (de) 1970-11-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2003576A1 (de) Optoelektrisches Schreibsystem
EP0527166B1 (de) Belichtungsvorrichtung
EP0610183B1 (de) Belichtungsvorrichtung
DE2246152C2 (de) Verfahren und Vorrichtung zum gegenseitigen Ausrichten von Halbleiterplättchen und Masken
DE2922459C2 (de) Optische Aufzeichnungsvorrichtung
DE2503851C2 (de) Schaltung zur Ansteuerung einer Lichtquellenzeile zur gerasterten Reproduktion eines Bildes
DE2845603A1 (de) Verfahren und einrichtung zum projektionskopieren
DE1034690B (de) Anordnung zur Einstellung der Koordinatenlage einer Punktlichtquelle auf einer Oberflaeche in Abhaengigkeit von binaer verschluesselten Signalen
DE1272583B (de) Verfahren zur photooptischen Aufzeichnung bzw. Speicherung von aus Einzelsymbolen bestehenden Informationen
DE3643578A1 (de) Projektionsbelichtungsvorrichtung und verfahren fuer deren betrieb
DE2050763A1 (de) Verfahren zur Herstellung von genau lokalisierten geänderten Oberflachenbe reichen eines Substrats sowie Vorrichtung zur Durchfuhrung des Verfahrens
DE2822027C3 (de) Vorrichtung zur Scharfeinstellung des Objektivs einer einäugigen Spiegelreflexkamera
DE69105167T2 (de) Laserbearbeitungsvorrichtung.
DE2224083A1 (de) Photoelektrische Positioniereinrichtung
DE2535561C3 (de) Antriebseinrichtung für den Träger von Strahlumlenkmitteln bzw. des Werkstücks einer Laserbearbeitungsvorrichtung
DE2221914A1 (de) Anordnung zur Aufzeichnung von Motiven auf einem lichtempfindlichen Traeger
EP0004584B1 (de) Anordnung zur Messung der Entfernung oder Geschwindigkeit eines Gegenstandes, ihre Verwendung und Verfahren zu ihrem Betrieb
DE2914122C2 (de) Opto-elektronische Einrichtung zur Erzeugung eines Fokussierungssignals
DE1958663A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur photooptischen Herstellung von Halbleitererzeugnissen
DE2134144A1 (de) Opto-elektrisches Schreibsystem zur Herstellung von Mikroschaltungen
DE69011178T2 (de) Faksimilegerät mit integrierter Optik.
DE3443758C2 (de)
EP0873006A2 (de) Fotoplott-Verfahren und Anordnung zur Aufzeichnung eines computergespeicherten Rasterbildes auf einen ebenen lichtempfindlichen Aufzeichnungsträger
DE2441472A1 (de) Anordnung zum lichtoptischen rechnergesteuerten zeichnen von masken fuer halbleiter-bauelemente
DE102014203525A1 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Bearbeitung eines Werkstückes