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Die
vorliegende Erfindung betrifft einen Halbleiterdrucksensor mit auf
einem Membranabschnitt vorgesehenen Dehnungsmessstreifen zum Messen
eines auf ihn ausgeübten
Drucks.
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Ein
Halbleiterdrucksensor im Stand der Technik beinhaltet einen in 1 gezeigten
Sensorchip 10, der einen dünnen Membranabschnitt 10a aufweist,
der in der Figur durch eine gestrichelte Linie gezeigt ist. Der
Membranabschnitt 10a weist vier aus einer Störstellendiffusionsschicht
bestehende Piezowiderstandselemente (Dehnungsmessstreifen) 1a bis 1d darauf
auf, von denen zwei mittlere Messstreifen 1a, 1b sind,
die an dem Mittenabschnitt von diesem angeordnet sind, und von denen
die anderen zwei seitliche Messstreifen 1c, 1d sind,
die an dem Umfang von diesem angeordnet sind. Die Messstreifen 1a bis 1d sind
derart elektrisch verbunden, dass sie eine Brückenschaltung ausbilden, wie
es in 2 gezeigt ist, so dass ein elektrisches Signal
in Übereinstimmung
mit einem Druck aus Anschlüssen
OA, OB ausgegeben
wird. Um diesen Aufbau auszubilden, ist ein Aluminium- bzw. Al-Verdrahtungelement 2 derart
um den Membranabschnitt 10a vorgesehen, dass es elektrisch
mit den Dehnungsmessstreifen 1a bis 1d verbunden
ist, und das Sensorausgangssignal wird aus einem nicht gezeigten
Schaltungsabschnitt ausgegeben, mit welchem das Verdrahtungselement 2 verbunden
ist.
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Wie
es in 3 gezeigt ist, ist der Sensorchip 10 durch
anodisches Kontaktieren an einem Glasträger 11 befestigt und
ist der Glasträger 11 durch
einen Silikonsystemklebstoff 12 an eine Innenwand eines
aus Polybutylenterephthalat (PBT) oder dergleichen bestehenden Gehäuses 13 geklebt.
Ein Silikongel 14 ist auf die Oberfläche des Sensorchips 10 aufgetragen.
Bei diesem Aufbau kann das Gehäuse 13 eine
thermische Verzerrung erzeugen, die den Sensorchip 10 nachteilig
und nicht vernachlässigbar beeinträchtigt.
Wie es in 3 gezeigt ist, ist deshalb eine
aus einer 42-Legierung bestehende Platte 15 durch einen
Silikonsystemklebstoff 16 an die untere Oberfläche des
Glasträgers 11 geklebt,
um den nachteiligen Effekt der thermischen Verzerrung des Gehäuses 13 an
dem Sensorchip 10 zu verringern. Jedoch ist festgestellt
worden, dass sich das Sensorausgangssignal als ein Ergebnis einer
thermischen Hysterese immer noch ändert.
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Aus
der
JP 03229470 A ist
ein Halbleiterdrucksensor bekannt, der einen Sensorchip mit einem
Membranabschnitt, der auf ein Ausüben von Druck auf diesen versetzt
wird, eine Mehrzahl von widerstandsbehafteten Elementen, die auf
dem Membranabschnitt vorgesehen sind und jeweils mechanische Spannungsänderungen
durch eine Temperaturänderung
aufweisen, und einen auf dem Sensorchip vorgesehenen Spannungsausgleichsfilm
zum Ausgleichen der mechanischen Spannungsänderungen der Mehrzahl von
widerstandsbehafteten Elementen aufweist.
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Die
vorliegende Erfindung ist im Hinblick auf das zuvor beschriebene
Problem geschaffen worden. Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung
besteht darin, Änderungen
eines Ausgangswerts aus einem Halbleiterdrucksensor zu verringern,
die durch thermische Hysterese verursacht werden.
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Diese
Aufgabe wird erfindungsgemäß mit den
in Anspruch 1 angegebenen Maßnahmen
gelöst.
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Weitere
vorteilhafte Ausgestaltungen der vorliegenden Erfindung sind Gegenstand
der abhängigen
Ansprüche.
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Gemäß Anspruch
1 weist ein Halbleiterdrucksensor einen Spannungsausgleichsfilm
zum Ausgleichen von Spannungsänderungen
einer Mehrzahl von widerstandsbehafteten Elementen auf, die durch
eine Temperaturänderung
bewirkt werden. Dies basiert auf einer Analyse, dass eine Änderung eines
Sensorausgangssignals durch unterschiedliche Spannungsänderungen
der widerstandsbehafteten Elemente verursacht wird, welche durch
die Tempera turänderung
erzeugt werden. Die Änderung
des Sensorausgangssignals kann durch den Spannungsausgleichsfilm
zum Ausgleichen der Spannungsänderungen
der widerstandsbehafteten Elemente auf nahezu null verringert werden.
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Gemäß Anspruch
6 kann der Spannungsausgleichsfilm einstückig mit einem Verdrahtungselement
ausgebildet sein, das elektrisch mit den widerstandsbehafteten Elementen
verbunden ist und um einen Membranabschnitt vorgesehen ist, auf
welchem die widerstandsbehafteten Elemente angeordnet sind. Der
Spannungsausgleichsfilm kann eine Mehrzahl von Spannungsausgleichsfilmabschnitten beinhalten,
die um den Membranabschnitt angeordnet sind.
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Gemäß Anspruch
9 beinhaltet ein Halbleiterdrucksensor ein Verdrahtungselement,
das elektrisch mit einer Mehrzahl von widerstandsbehafteten Elementen
verbunden ist und aus einem Material besteht, das bei einer Temperatur,
die höher
als ein Betriebstemperaturbereich des Drucksensors ist, eine Fließerscheinung
hervorbringt. Dies basiert auf einer Analyse, dass die Spannungsänderungen
der widerstandsbehafteten Elemente durch thermische Hysteresecharakteristiken
des Verdrahtungselements erzeugt werden, das um die widerstandsbehafteten Elemente
angeordnet ist.
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Wenn
das Verdrahtungselement aus dem zuvor beschriebenen Material besteht,
bringt das Verdrahtungselement innerhalb des Betriebstemperaturbereichs
des Drucksensors keine thermischen Hysterescharakteristiken hervor.
Als Ergebnis kann die Änderung
des Sensorausgangssignals verhindert werden.
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Die
vorliegende Erfindung wird nachstehend anhand eines Ausführungsbeispiels
unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen näher erläutert.
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Es
zeigen:
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1 eine
Draufsicht eines Halbleiterdrucksensors im Stand der Technik,
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2 eine
Darstellung eines aus Dehnungsmessstreifen bestehenden Brückenschaltungsaufbaus;
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3 eine
Querschnittsansicht eines Zustands, in dem der Drucksensor in 1 an
einem Gehäuse
befestigt ist;
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4 eine
Draufsicht eines Halbleiterdrucksensors gemäß einem Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung;
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5 eine
entlang einer Linie V-V in 4 genommene
Querschnittsansicht;
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6 eine
Draufsicht eines detaillierten Musters eines in 5 gezeigten
Verdrahtungselements und von Schaltungsabschnitten;
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7 eine
Draufsicht eines Halbleiterdrucksensors als ein Vergleichsbeispiel
in dem Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung;
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8 einen
Graph einer Beziehung zwischen einem Abstand des Verdrahtungselements von
einer Membran und einem Änderungswert
eines durch einen thermischen Test erzeugten Sensorausgangssignals;
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9A und 9B Graphen
zum Erklären von
zwei Fällen,
in denen Al-Filmabschnitte
(Spannungsausgleichsfilme) nicht ausgebildet sind bzw. ausgebildet
sind;
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10 einen
Graph einer Beziehung zwischen einem Abstand der Al-Filmabschnitte von
der Membran und einem Änderungswert
eines durch einen thermischen Test erzeugten Sensorausgangssignals;
und
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11A bis 11F ein
Verfahren zum Herstellen des in den 4 und 5 gezeigten
Drucksensors.
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Nachstehend
erfolgt die Beschreibung eines Ausführungsbeispiels der vorliegenden
Erfindung.
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Im
folgenden Verlauf wird ein Halbleiterdrucksensor gemäß dem Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die 4 und 5 erklärt, in welchen
die gleichen Teile wie diejenigen in den 1 bis 3 mit
den gleichen Bezugszeichen bezeichnet sind.
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Es
wird auf 5 verwiesen. In einem Sensorchip 100 ist
eine eingebettete Schicht 4 eines N-Typs in einem Siliziumsubstrat 3 eines
P-Typs vorgesehen, das eine (110)-Kristallausrichtung aufweist, und
ist auf diesem eine Epitaxieschicht 5 eines N-Typs vorgesehen.
Ein Teil des Siliziumsubstrats 3 eines P-Typs ist durch Ätzen entfernt,
um einen dünnen
Membranabschnitt 10a auszubilden. Mittlere Messstreifen 1a, 1b und
seitliche Messstreifen 1c, 1d sind durch Störstellendiffusion
in dem Membranabschnitt 10a ausgebildet. Die Messstreifen 1a bis 1d bilden
eine Brückenschaltung
aus, wie es ebenso in 2 gezeigt ist. Ein Isolationsbereich 6 eines P-Typs
ist in der Epitaxieschicht 5 eines N-Typs ausgebildet,
um den Membranabschnitt 10a von dessen Umfang elektrisch
zu isolieren. Ein Oxidfilm 7 ist auf der Epitaxieschicht 5 eines
N-Typs vorgesehen und ein Al-Verdrahtungselement 2 ist
an dem Umfang des Membranabschnitts 10a auf dem Oxidfilm 7 angeordnet.
Ein aus einem Oxid, Nitrid oder dergleichen bestehender Schutzfilm 8 ist
derart angeordnet, dass er das Al-Verdrahtungselement 2 bedeckt.
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Die
mittleren Messstreifen 1a, 1b und die seitlichen
Messstreifen 1c, 1d sind durch Kontaktlöcher, die
in dem Oxidfilm 7 ausgebildet sind, elektrisch mit dem
Verdrahtungselement 2 verbunden und das Verdrahtungselement 2 ist
elektrisch mit einem Schaltungsabschnitt verbunden, der auf der
Epitaxieschicht 5 eines N-Typs ausgebildet ist, wie es nachstehend
beschrieben wird. Ein Ausgangssignal aus der Brückenschaltung wird in dem Verarbeitungsabschnitt
verarbeitet, um als ein Sensorausgangssignal ausgegeben zu werden.
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Al-Filmabschnitte 2a bis 2d als
Spannungsausgleichsfilme sind als Teile des Verdrahtungselements 2 derart
vorgesehen, dass sie den vier Ecken des Membranabschnitts 10a gegenüberliegen.
Ein Abstand d von jedem der Al-Filmabschnitte 2a bis 2d von
der Kante des Membranabschnitts 10a beträgt ungefähr 80 μm. Das Verdrahtungselement 2 ist
zum einfachen Unterscheiden der Al-Filmabschnitte 2a bis 2d von
diesem in 4 vereinfacht dargestellt; jedoch
weist das Verdrahtungselement 2 in der Praxis ein Muster
auf, das in 6 gezeigt ist, und weist ein Muster
auf, das um den Schaltungsabschnitt angeordnet ist, das ein Konstantstrom-Energieversorgungsteil
C1, ein Temperaturerfassungsbrückenteil C2,
ESD-Elemente C3, C4 und dergleichen aufweist. Das Muster des Verdrahtungselements 2,
das um den Schaltungsabschnitt angeordnet ist, ist in 6 weggelassen.
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Gemäß diesem
Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung verringern die Al-Filmabschnitte 2a bis 2d die Änderung
des Sensorausgangssignals, die durch eine thermische Hysterese verursacht
wird. Diese Wirkung wurde unter Verwendung von drei Drucksensorproben
A, B und C experimentell bestätigt.
Eine Probe A wies den gleichen Aufbau wie denjenigen des Drucksensors
im Stand der Technik auf, der in den 1 und 3 gezeigt
ist. Probe C wies den gleichen Aufbau wie denjenigen des vorliegenden
Ausführungsbeispiels
auf, das in den 4 und 5 gezeigt
ist. Probe B wies einen Aufbau auf, der in 7 gezeigt
ist. In einem Sensorchip 100a einer Probe B sind die Al-Dünnfilmabschnitte 2a bis 2d derart
angeordnet, dass sie mit den Ecken des Membranabschnitts 10a überlappen.
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Dann
wurden Änderungen
von Sensorausgangssignalen aus Proben A bis C, die durch eine thermische
Hysterese verursacht wurden, durch einen thermischen Test gemessen.
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In
dem thermischen Test wurden ein Ausgangswert aus jedem Sensor, wenn
eine Umgebungstemperatur am Anfang bei einer Raumtemperatur (ungefähr 25°C) gehalten
wurde, und ein Ausgangswert aus dem Sensor, wenn die Temperatur
zu der Raumtemperatur zurückgeführt wurde,
nachdem die Temperatur bis auf 70°C
angehoben wurde, gemessen und wurde eine Differenz zwischen den
zwei Ausgangswerten berechnet. Das Ergebnis ist in 8 gezeigt.
Eine horizontale Achse in 8 stellt einen
Abstand des Verdrahtungselements 2, das die Al-Filmabschnitte 2a bis 2d beinhaltet,
von den Ecken des Membranabschnitts 10a dar.
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Wie
es in 8 gezeigt ist, hat sich der Ausgangswert einer
Probe A, die dem Drucksensor im Stand der Technik entspricht, durch
den zuvor beschriebenen thermischen Test zu einer Minusseite geändert und
hat sich der Ausgangswert einer Probe B, die in 7 gezeigt
ist, zu einer Plusseite geändert.
Der Ausgangswert einer Probe C, die dem vorliegenden Ausführungsbeispiel
entspricht, hat sich durch den Test kaum geändert. Demgemäß ist es
bestätigt,
dass die Al-Filmabschnitte 2a bis 2d die Änderung
des Sensorausgangssignals, die durch den thermischen Test erzeugt
wird, wirkungsvoll verhindern können.
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Genauer
gesagt ändert
sich, wenn die Al-Filmabschnitte 2a bis 2d nicht
ausgebildet sind, wie es in 1 gezeigt
ist (Probe A), eine Spannung σ in
einer Richtung X in 1 durch den zuvor beschriebenen
thermischen Test, wie es in 9A gezeigt
ist, in welcher die obere Kurve eine Spannung σ darstellt, wenn die Temperatur
bei der Raumtemperatur gehalten wird, und die untere Kurve eine
Spannung σ darstellt,
wenn die Temperatur zu der Raumtemperatur zurückgeführt wird, nachdem sie auf 70°C angehoben
worden ist. In diesem Fall erfüllen eine
Spannungsdifferenz Δσc an den
mittleren Messstreifen 1a, 1b und eine Spannungsdifferenz Δσs an den
seitlichen Messstreifen 1c, 1d eine Beziehung von Δσc – Δσs < 0. Im Übrigen stellt
die horizontale Achse in 9A einen
Abstand von der Mitte des Membranabschnitts dar.
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Andererseits ändert sich,
wenn die Al-Filmabschnitte 2a bis 2d an den vier
Ecken des Membranabschnitts 10a ausgebildet sind, wie es
in 7 gezeigt ist (Probe B), eine Spannung σ in einer
Richtung X in 7 durch den thermischen Test,
wie es in 9B gezeigt ist, in welcher die
obere Kurve eine Spannung σ darstellt,
wenn die Temperatur bei der Raumtemperatur gehalten wird, und die
untere Kurve eine Spannung σ darstellt,
wenn die Temperatur zu der Raumtemperatur zurückgeführt wird, nachdem sie ebenso
auf 70°C
angehoben worden ist. In diesem Fall ändert sich die Beziehung zwischen
der Spannungsdifferenz Δσc an den
mittleren Messstreifen 1a, 1b und der Spannungsdifferenz Δσs an den seitlichen
Messstreifen 1c, 1d zu Δσc – Δσs > 0. Deshalb wird das Sensorausgangssignal
aus einer Probe A, die die Al-Filmabschnitte 2a bis 2d nicht
aufweist, zu einer Plusseite verschoben, während das Sensorausgangsignal
aus einer Probe B, die Al-Filmabschnitte 2a bis 2d aufweist,
zu einer Minusseite verschoben wird.
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Diese
Erscheinung wird in Verbindung mit der Hystereseeigenschaft des
Al-Verdrahtungselements
und der Al-Filmabschnitte wie folgt betrachtet.
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Al,
das das Verdrahtungselement 2 ausbildet, weist eine äußerst kleine
Fließspannung
von ungefähr
15 MPa auf. Deshalb überschreitet
eine Spannung, die in dem Verdrahtungselement 2 aufgrund
einer Temperaturänderung
erzeugt wird, leicht die Fließspannung
von diesem, bei welcher eine Fließerscheinung auftritt, um eine
bleibende Beanspruchung und bleibende Spannung in dem Verdrahtungselement 2 zu
erzeugen. Die bleibende Beanspruchung und die bleibende Spannung
bleiben auch zurück,
nachdem die Temperatur zu der Raumtemperatur zurückgeführt worden ist. Diese Hystereseeigenschaft
beeinträchtigt
die mittleren Messstreifen 1a, 1b und die seitlichen
Messstreifen 1c, 1d unterschiedlich, wodurch unterschiedliche
Spannungsänderungen
der mittleren Messstreifen 1a, 1b und der seitlichen
Messstreifen 1c, 1d erzeugt werden. Die Änderung
des Sensorausgangssignals kommt von diesen unterschiedlichen Spannungsänderungen
der mittleren und seitlichen Messstreifen 1a bis 1d,
das heißt,
von der Unausgeglichenheit der thermischen Hysteresewirkung zwischen
den mittleren Messstreifen 1a, 1b und den seitlichen
Messstreifen 1c, 1d. Es wird angenommen, dass
die Al-Filmabschnitte 2a bis 2d die Unausgeglichenheit
der thermischen Hysteresewirkung zwischen den mittleren Messstreifen 1a, 1b und
den seitlichen Messstreifen 1c, 1d kompensieren
können,
um die Spannungsänderungen
der mittleren und seitlichen Messstreifen 1a bis 1d auszugleichen.
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Auf
der Grundlage dieser Analyse werden die Positionen der Al-Filmabschnitte 2a bis 2d um
die Ecken des Membranabschnitts 10a optimiert. Genauer
gesagt wurde ein Änderungswert
(ein Wert einer thermischen Hysterese) des Sensorausgangssignals
bezüglich
des Abstands d (siehe 4) von jedem Al-Filmabschnitt
von jeder Ecke des Membranabschnitts 10a (Membranecke)
durch den thermischen Test im Wesentlichen auf die gleiche Weise, wie
sie zuvor beschrieben worden ist, gemessen. Das Ergebnis ist in 10 gezeigt.
Wie es sich aus 10 versteht, wird der Änderungswert
des Sensorausgangssignals verringert, wenn der Abstand d erhöht wird.
Wenn der Abstand ungefähr
80 μm beträgt, ist
der Änderungswert
des Sensorausgangssignals im Wesentlichen null. Demgemäß wurde
der Abstand d der Al-Filmabschnitte 2a bis 2d von
dem Membranabschnitt 10a bestimmt und an dem Drucksensor
(Probe C) des vorliegenden Ausführungsbeispiels
angewendet. Der Änderungswert
des Sensorausgangssignals aus einer Probe C ist sowohl in 8 im
Vergleich zu Proben A, B als auch in 10 dargestellt.
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Daher
werden gemäß diesem
Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung die unterschiedlichen Spannungsänderungen
zwischen den Dehnungsmessstreifen 1a, 1d, das
heißt,
die Unausgeglichenheit der thermischen Hysteresewirkung durch das
Verdrahtungselement 2 an den Dehnungsmessstreifen 1a bis 1d,
durch die Al-Filmabschnitte 2a bis 2d eingestellt,
die als die Spannungsausgleichsfilme wirken, um den Änderungswert
des Sensorausgangssignals zu verringern. Im Übrigen wurden die Ergebnisse,
die in den 8 bis 10 gezeigt
sind, durch den thermischen Test erzielt, bei welchem die Temperatur
von einer hohen Temperatur (70°C)
zu der Raumtemperatur zurückgeführt wurde;
jedoch ist es bestätigt,
dass die gleiche Wirkung eines Setzens des Änderungswerts des Sensorausgangssignals auf
nahezu null durch einen thermischen Test erzielt wird, bei welchem
die Temperatur zu einer niedrigen Temperatur (–30°C) verringert wird und dann
zu der Raumtemperatur zurückgeführt wird.
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Als
Nächstes
wird ein Verfahren zum Herstellen des Halbleiterdrucksensors gemäß dem vorliegenden
Ausführungsbeispiel
unter Bezugnahme auf 11A bis 11F beschrieben.
Zuerst wird ein Halbleitersubstrat vorbereitet. Wie es in 11A gezeigt ist, besteht das Halbleitersubstrat
aus einem Siliziumsubstrat 3 eines P-Typs, einer eingebetteten Schicht 4 eines
N-Typs, die in dem Siliziumsubstrat 3 eines P-Typs ausgebildet
ist, und einer Epitaxieschicht 5 eines N-Typs, die auf
dem Siliziumsubstrat 3 ausgebildet ist. Als Nächstes wird
der Isolationsbereich 6 eines P-Typs in der Epitaxieschicht 5 eines N-Typs
ausgebildet, wie es in 11B gezeigt
ist, und wird der Oxidfilm 7 auf der Epitaxieschicht 5 eines
N-Typs ausgebildet, wie es in 11C gezeigt ist.
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Danach
werden das Verdrahtungselement 2 und die Spannungsausgleichsfilme 2a bis 2d aus
Al ausgebildet, wie es in 11D gezeigt
ist. Nachdem der Schutzfilm 8 ausgebildet worden ist, wie
es in 11E gezeigt ist, wird das Siliziumsubstrat 3 eines P-Typs
von der Seite der hinteren Oberfläche geätzt, um dadurch den Membranabschnitt 10a auszubilden, wie
es in 11F gezeigt ist. Als Ergebnis
ist der Halbleiterdrucksensor fertig gestellt, wie er in den 4 und 5 gezeigt
ist.
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Bei
dem zuvor beschriebenen Verfahren ist es, da die Al-Filmabschnitte 2a bis 2d als
die Spannungsausgleichsfilme in dem gleichen Schritt mit dem Verdrahtungselement
ausgebildet werden, nicht notwendig, einen besonderen Schritt für die Spannungsausgleichsfilme
durchzuführen.
Obgleich die Spannungsausgleichsfilme 2a bis 2d in
diesem Ausführungsbeispiel
als Teile des Verdrahtungselements 2 ausgebildet werden,
können
die Spannungsausgleichsfilme 2a bis 2d getrennt
von dem Verdrahtungselement 2 ausgebildet werden. Jede
Form der Spannungsausgleichsfilme 2a bis 2d ist
nicht auf ein Dreieck beschränkt
und ist veränderbar.
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Weiterhin
kann, wenn die Spannungsausgleichsfilme 2a bis 2d derart
vorgesehen werden, dass sie wie in dem vorliegenden Ausführungsbeispiel
den vier Ecken des Membranabschnitts 10a gegenüberliegen,
ein Raum zwischen dem Verdrahtungselement 2 und den Dehnungsmessstreifen 1a bis 1d insbesondere
dann wirkungsvoll verwendet werden, wenn die Membran achteckig ist;
jedoch können
die Positionen der Spannungsausgleichsfilme 2a bis 2d geändert werden.
Zum Beispiel können die
Spannungsausgleichsfilme 2a bis 2d näher an den
mittleren Messstreifen 1a, 1b ausgebildet werden.
Die Spannungsausgleichsfilme 2a bis 2d können aus
anderen Materialien, wie zum Beispiel Al-Si, Ni, zusätzlich zu
Al bestehen, vorausgesetzt, dass das Material eine kleine Fließspannung
aufweist.
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Die
Spannungsausgleichsfilme 2a bis 2d sind vorgesehen,
um die Unausgeglichenheit der thermischen Hysteresewirkung durch
das Al- Verdrahtungselement 2 zwischen
den Dehnungsmessstreifen 1a bis 1d zu kompensieren,
und die thermischen Hysteresewirkungen sind dem Verdrahtungselement 2 zu
Eigen, das aus einem Material besteht, das eine kleine Fließspannung
aufweist. Deshalb kann, wenn das Verdrahtungselement 2 aus
einem Material besteht, das eine Fließspannung aufweist, die größer als
eine maximale Spannung ist, die bei einem Betriebstemperaturbereich
von zum Beispiel –30°C bis 70°C in dem
Verdrahtungselement 2 erzeugt wird, die Änderung
des Sensorausgangssignals ohne Vorsehen der Spannungsausgleichsfilme 2a bis 2d wirkungsvoll
verhindert werden. Die anwendbaren Materialien für ein derartiges Verdrahtungselement
sind zum Beispiel Al(4,5 Gew.-%)-Mg(0,5 Gew.-%)-Mn, Al(4 Gew.-%)-Cu(0,6 Gew.-%)-Mg(0,5
Gew.-%)-Mn, Al(4,5 Gew.-%)-Cu(1,5 Gew.-%)-Mg(0,6 Gew.-%)-Mn und Al(5,6 Gew.-%)-Zn(2,5
Gew.-%)-Mg(1,6 Gew.-%)-Cu, die eine Fließspannung von 195 MPa, 195
MPa, 323 MPa bzw. 505 MPa aufweisen.
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Obgleich
die vorliegende Erfindung an dem Drucksensor angewendet worden ist,
der aus dem Siliziumsubstrat 3 besteht, das eine (110)-Kristallausrichtung
aufweist, kann sie an einem Drucksensor angewendet werden, der aus
einem Siliziumsubstrat besteht, das eine (100)-Kristallausrichtung
aufweist.