JP6166185B2 - Memsセンサ - Google Patents
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Description
前記第1の基板は、空間部とこの空間部を囲む枠体部とを有し、前記第2の基板には、前記空間部に対向する撓み変形可能な感知部と、前記感知部の撓み変形に応じた検知出力を得る検知素子部とが形成され、
前記第2の基板の表面に絶縁層が形成されて、前記絶縁層の表面に電極パッドが形成され、前記電極パッドと前記検知素子部との間に連結配線層が形成されており、
前記連結配線層は、前記第2の基板と前記絶縁層との間に形成されて前記検知素子部に接続されるアルミニウムの下部配線層と、前記絶縁層の表面で前記電極パッドから延びる上部配線層とから成り、前記上部配線層がアルミニウムよりも温度変化による残留応力の変動が小さい導電性金属材料で形成されており、前記上部配線層と前記下部配線層とが、前記絶縁層を介して互いに導通されていることを特徴とするものである。
本発明は、前記第2の基板は正方形で、前記電極パッドが正方形の全ての角部に位置しており、前記連結配線層は、正方形の各辺と平行に形成されており、前記連結配線層の長さならびに前記下部配線層と前記上部配線層の長さの比は、正方形のそれぞれの辺において同じであることが好ましい。
さらには、L1/L0が、0.76〜0.88であることが好ましい。
(実施例1):L1=52μm、
(実施例2):L1=60μm、
(実施例3):L1=85μm、
(実施例4):L1=98μm、
2 SOI基板
11 第1の基板
11a 空間部
11b 枠体部
12 第2の基板
12a 感知部
12b 配線部
14 絶縁層
15a,15b,15c,15c 検知素子部
16a,16b,16c,16d 電極パッド
20 第1の連結配線層
21 下部配線層
22 上部配線層
25 第2の連結配線層
26下部配線層
27 上部配線層
Claims (7)
- 共にシリコン基板である第1の基板ならびに第2の基板が重ねられたMEMSセンサにおいて、
前記第1の基板は、空間部とこの空間部を囲む枠体部とを有し、前記第2の基板には、前記空間部に対向する撓み変形可能な感知部と、前記感知部の撓み変形に応じた検知出力を得る検知素子部とが形成され、
前記第2の基板の表面に絶縁層が形成されて、前記絶縁層の表面に電極パッドが形成され、前記電極パッドと前記検知素子部との間に連結配線層が形成されており、
前記連結配線層は、前記第2の基板と前記絶縁層との間に形成されて前記検知素子部に接続されるアルミニウムの下部配線層と、前記絶縁層の表面で前記電極パッドから延びる上部配線層とから成り、前記上部配線層がアルミニウムよりも温度変化による残留応力の変動が小さい導電性金属材料で形成されており、前記上部配線層と前記下部配線層とが、前記絶縁層を介して互いに導通されていることを特徴とするMEMSセンサ。 - 前記上部配線層が金で形成されている請求項1記載のMEMSセンサ。
- 前記第2の基板は正方形で、前記電極パッドが正方形の全ての角部に位置しており、前記連結配線層は、正方形の各辺と平行に形成されており、前記連結配線層の長さならびに前記下部配線層と前記上部配線層の長さの比は、正方形のそれぞれの辺において同じである請求項1または2記載のMEMSセンサ。
- 前記連結配線層の配線パターンは、前記第2の基板の図心を中心として180度の回転対称である請求項3記載のMEMSセンサ。
- 前記下部配線層と前記検知素子部との導通部と前記金属パッドとを除く前記連結配線層の全長をL0とし、前記上部配線層と前記下部配線層との導通部を含み且つ前記金属パッドを除いた前記上部配線層の長さをL1としたときに、L1/L0は、0.46〜0.88である請求項3または4記載のMEMSセンサ。
- L1/L0が、0.76〜0.88である請求項5記載のMEMSセンサ。
- 前記第2の基板と逆側で、前記第2の基板に接合された支持基板が設けられて、前記空間部が閉鎖され、前記感知部が気体の圧力で変形する圧力センサである請求項1ないし6のいずれかに記載のMEMSセンサ。
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