JP6212000B2 - 圧力センサ、並びに圧力センサを用いたマイクロフォン、血圧センサ、及びタッチパネル - Google Patents
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Description
まず、図1等を参照して、第1の実施の形態に係る圧力センサについて説明する。
図1は、第1の実施形態に係る圧力センサ110Aおよび歪検知素子200を例示する模式的斜視図である。なお、図1においては、図を見1やすくするために歪検知素子200のうち一部のみを表示し、また絶縁部分の図示を省略し、主に導電部分を描いている。
空洞部111は、基板110に対してエッチングを施して膜部120が露出するまで基板110を加工することで形成される。
図5(a)は、歪検知素子200に引張の力tsが印加され歪が生じたときの状態(引張状態)に対応する。図5(b)は、歪検知素子200が歪を有しないときの状態(無歪状態)に対応する。図5(c)は、歪検知素子200に圧縮の力csが印加され歪が生じたときの状態(圧縮状態)に対応する。
図6は、歪検知素子200の一の構成例200Aを示す模式的な斜視図である。図6に示す通り、歪検知素子200Aは、下部電極204と、下地層205と、ピニング層206と、第2磁化固定層207と、磁気結合層208と、第1磁化固定層209(第2の磁性層202)と、中間層203と、磁化自由層210(第1の磁性層201)と、キャップ層211と、上部電極212とを下から順に積層してなる。第1磁化固定層209は、第2の磁性層202に相当する。磁化自由層210は、第1の磁性層201に相当する。また、下部電極204は、例えば配線C1(図1)に接続されており、上部電極212は、例えば配線C2(図1)に接続されている。ただし、例えば第1の磁性層201が分割されている場合には、一方の第1の磁性層201に接続された上部電極を配線C1(図1)に接続し、他方の第1の磁性層201に接続された上部電極を配線C2(図1)に接続しても良い。同様に、例えば第2の磁性層202が分割されている場合には、一方の第2の磁性層202に接続された下部電極を配線C1(図1)に接続し、他方の第2の磁性層202に接続された下部電極を配線C2(図1)に接続しても良い。
第1磁化固定層209として、Co−Fe−B合金以外に、例えば、Fe−Co合金を用いてもよい。
歪検知素子200Cの各層の材料は、歪検知素子200Aの各層の材料と同様のものを用いることができる。
歪検知素子200Dの各層の材料は、歪検知素子200Aの各層の材料と同様のものを用いることができる。
この第1の実施の形態の膜部120(振動部121、及び被支持部122)は、いずれもアルミニウム(Al)を含む酸化物(一例としては、酸化アルミニウム)により形成されている。前述のように、空洞部111は、基板110に対してエッチングを施して膜部120が露出するまで基板110を加工することで形成される。しかしその際、膜部120がエッチングされてしまうと、その度合によっては、露出した膜部120の膜厚が場所によって異なってしまい、これにより膜部120に関し所望の特性が得られず、これが圧力センサ110Aの精度の低下に繋がるという問題がある。この問題を、図13A〜図17を参照して説明する。
図17Cは膜部120に-10kPa、−5kPa、−1kPa、-0.5kPa、0kPa、0.5kPa、1、5kPa、10kPaの印加圧力80を加えた場合の図17AのB-B’断面における形状の変化をレーザ顕微鏡M3で測定した結果を示している。膜部120の重心120P1を境に左右の膜の形状が等しく、振動部121が変形した際に振動部121の端部に配置される歪検知素子200に加わる力が等しいことがわかる。
次に、第2の実施の形態に係る圧力センサを、図18を参照して説明する。この第2の実施の形態の圧力センサは、膜部120の構成が第1の実施の形態と異なっている。その他の構成は第1の実施の形態と同様である。図18において、第1の実施の形態と同一の構成については同一の参照符号を付しているので、以下ではその詳細な説明は省略する。
図19では説明の簡単のため空洞部111の形成された後の状態を示しているが、残留応力σ1、σ2及びσ3はそれぞれ空洞部111形成前に第1膜131、中間膜132及び第2膜133膜に生じている残留応力である。外部からの圧力に対して歪検知素子200に大きな歪みを加え圧力センサ110Aの感度を上げるためには、膜部120の残留応力σの値は0MPaに近い事が望ましい。積層構造からなる膜部120の平均の残留応力σaveは第1膜131、中間膜132、第2膜133の膜厚h1〜h3、及び残留応力σ1〜σ3を使い以下の式で算出される。
σave=(h1*σ1+h2*σ2+h3*σ3)/(h1+h2+h3)
なお、第1膜131はその上方にある歪検知素子200の加工のためのミリングによるエッチングを受け、一方、第2膜133は、空洞部111を加工する際の深堀りRIE法によるエッチングを受ける。もし、エッチングにより第1膜131の膜厚h1、第2膜133の膜厚h3が変化してしまった場合には、数式[数1]から理解される様に膜部120の平均の残留応力値σaveが変化してしまう。
膜部120がモーメントM1を持つため、膜部120は初期状態で撓み65aの大きな凸形状を持つ。その結果、歪検知素子200には大きな圧縮の力Psが加わる。
以上説明したように、第2の実施の形態の圧力センサ110Aは、膜部120の上面、及び下面をアルミニウムを含む酸化物により構成している。このため、上述した第1の実施の形態の効果と同様に、膜部120の膜厚の均一性を担保し、圧力センサ110Aの感度を向上させることができる。すなわち、第2膜133は、空洞部111の形成のためのエッチングにおいてストッパ膜として機能し、第1膜131は、歪検知素子200のパターニングのためのエッチングに置いてストッパ膜として機能する。
次に、第3の実施の形態に係る圧力センサを、図22を参照して説明する。この第3の実施の形態の圧力センサは、膜部120の構成が第1の実施の形態と異なっている。その他の構成は第1の実施の形態と同様である。図22において、第1の実施の形態と同一の構成については同一の参照符号を付しているので、以下ではその詳細な説明は省略する。
以上説明したように、第3の実施の形態の圧力センサ110Aは、膜部120の下面(膜133)をアルミニウムを含む酸化物により構成している。膜部120の上面にはアルミニウムを含む酸化物の膜が無いため、膜部120の上面においては平坦性が若干失われるが、膜部120の下面では、膜133が空洞部111の形成のためのエッチングにおいてストッパ膜として機能させることができる。このため、膜部120の膜厚の均一性を担保することができ、第1の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
次に、第4の実施の形態に係る圧力センサを、図23を参照して説明する。この第4の実施の形態の圧力センサは、膜部120の構成が前述の実施の形態と異なっている。その他の構成は前述の実施の形態と同様である。図22において、前述の実施の形態と前述の構成については同一の参照符号を付しているので、以下ではその詳細な説明は省略する。
膜131は、第2の実施の形態の膜131と同様にアルミニウムを含む酸化物により構成され、膜132は、第2の実施の形態の中間膜132と同一の材料からなる。すなわち、この第4の実施の形態の膜部120は、第2の実施の形態の膜部120から第2膜133を除去した構成とされている。換言すれば、この第4の実施の形態の膜部120は、歪検知素子200の側の第2の表面のみがルミニウムを含む酸化物からなる。更に換言すれば、この第4の実施の形態の膜部120は、アルミニウムを含む酸化物を含む第2膜と、第3膜とを備え、第2膜が第3膜と歪検知素子との間に位置する。なお、膜131の膜厚は、10μm以上300μm以下、より好ましくは20nm以上200nm以下とすることができる。
以上説明したように、第4の実施の形態の圧力センサ110Aは、膜部120の上面(膜131)をアルミニウムを含む酸化物により構成している。膜部120の下面にはアルミニウムを含む酸化物の膜が無いため、膜部120の下面においては平坦性が若干失われるが、膜部120の上面では、膜131が歪検知素子200の形成のためのエッチングにおいてストッパ膜として機能させることができる。このため、膜部120の膜厚の均一性を担保することができ、第1の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
図24Aは振動部121の形状に円形を採用した場合の例で直径は530μmに設計されている。歪検知素子200の一辺の長さは10μmで、1つの振動部121上に2か所に分けて合計20個以上、図示の例では合計30個の歪検知素子が配置されている。歪検知素子200に接続される電極124は振動部121の動きの妨げにならないように可能な限り被支持部122上を通るように取回される。振動部121上の梁123の形状は歪検知素子200の配置方法に合わせて形状を変更可能で、取り除かれる場合もある。
なお、図24A、図24Bにおいては、圧力によって撓む膜部120上には梁123が設けられているが、これら梁123はなくても構わない。梁123は膜部120の上に、膜部120とは異なる材料で形成されたものである。
次に、図25を参照して、第5の実施の形態について説明する。図25は、本実施の形態に係るマイクロフォン150の構成を示す模式的な断面図である。第1〜第4の実施の形態に係る歪検知素子200を搭載した圧力センサ110Aは、例えば、マイクロフォンに搭載する事が出来る。
次に、図26及び図27を参照して、第6の実施の形態について説明する。図26は、第6の実施の形態に係る血圧センサ160の構成を示す模式図である。図27は、同血圧センサ160のH1−H2から見た模式的な断面図である。第1〜第4の実施の形態に係る歪検知素子200を搭載した圧力センサ110Aは、例えば、血圧センサ160に搭載する事が出来る。
次に、図28を参照して、第7の実施の形態について説明する。図28は、第7の実施の形態に係るタッチパネル170の構成を示す模式的な回路図である。タッチパネル170は、図示しないディスプレイの内部及びディスプレイの外部の少なくともいずれかに搭載される。
以上、具体例を参照しつつ、第1〜第4の実施の形態に係る歪検知素子200を搭載した圧力センサ110Aの応用例について説明した。しかし、圧力センサ110Aは、第5〜第7に示す実施の形態の他に、気圧センサやタイヤの空気圧センサ等、様々な圧力センサデバイスに応用することができる。
Claims (15)
- シリコンを含む支持部と、
前記支持部に支えられ、可撓性を有する膜部と、
歪検知素子と、
を備え、
前記膜部は、アルミニウムを含む酸化物を含む第1アモルファス膜を含み、
前記第1アモルファス膜は、前記支持部と接する第1部分と、前記第1部分と連続した第2部分と、を含み、
前記支持部から前記第1部分に向かう第1方向は、前記第1部分から前記第2部分に向かう方向と交差し、
前記第1方向における前記第1部分の位置は、前記第1方向における前記支持部の位置と、前記第1方向における前記歪検知素子の位置と、の間にあり、
前記第2部分は、前記第1方向で前記支持部と重ならず、
前記歪検知素子は、前記第2部分に設けられ、
前記歪検知素子は、第1磁性層と、第2磁性層と、前記第1磁性層と前記第2磁性層との間に設けられた中間層とを含み、
前記歪検知素子の電気抵抗は、前記膜部の歪に応じて変化する、圧力センサ。 - 前記膜部は、
アルミニウムを含む酸化物を含む第2アモルファス膜と、
前記第1アモルファス膜と前記第2アモルファス膜との間に設けられた第3膜と、
をさらに含み、
前記歪検知素子と前記第1アモルファス膜との間に前記第2アモルファス膜が位置した、請求項1記載の圧力センサ。 - 前記第1アモルファス膜の膜厚は20nm以上200nm以下である、請求項2記載の圧力センサ。
- 前記第2アモルファス膜の膜厚は20nm以上200nm以下である、請求項2記載の圧力センサ。
- 前記第1アモルファス膜の膜厚は100nm以上2μm以下である、請求項1記載の圧力センサ。
- 前記歪検知素子が、前記第1部分と前記第2部分との境界上の点と、前記膜部の重心と前記境界上の前記点とを結ぶ線分の中点と、の間に配置される、請求項1〜5のいずれか1つに記載の圧力センサ。
- 20個以上の前記歪検知素子が前記膜部に配置されている、請求項1〜6のいずれか1つに記載の圧力センサ。
- 前記膜部は長方形の形状を有する、請求項1〜7のいずれか1つに記載の圧力センサ。
- 前記膜部の形状に外接する最小外接矩形は、
第1辺と、前記第1辺と離間する第2辺と、
前記第1辺の一端と前記第2辺の一端とに接続された第3辺と、
前記第1辺の他端と前記第2辺の他端とに接続される第4辺と、
前記最小外接矩形の重心と
を含み、
前記歪検知素子は、前記第1辺と、前記第1辺の両端と前記最小外接矩形の重心とを結ぶ線分と、により囲まれた領域と重なる前記膜部に、前記第1辺に平行に並べて複数配置される、請求項1〜5のいずれか1つに記載の圧力センサ。 - 前記歪検知素子の周辺に設けられた硬質磁性体をさらに備えた、請求項1〜4のいずれか1つに記載の圧力センサ。
- 前記硬質磁性体は、CoPt及びFePtの少なくともいずれかを含む、請求項10記載の圧力センサ。
- 前記歪検知素子がアルミニウムを含む酸化物の層によって埋め込まれる、請求項1〜4のいずれか1つに記載の圧力センサ。
- 請求項1〜12のいずれか1つに記載の圧力センサを備えたマイクロフォン。
- 請求項1〜12のいずれか1つに記載の圧力センサを備えた血圧センサ。
- 請求項1〜12のいずれか1つに記載の圧力センサを備えたタッチパネル。
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Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE112013002288T5 (de) | 2012-05-03 | 2015-04-16 | Apple Inc. | Momentkompensierter Biegebalkensensor zur Lastmessung auf einer Biegebalken-gestützten Plattform |
WO2014149023A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-25 | Rinand Solutions Llc | Force sensing of inputs through strain analysis |
US10120478B2 (en) | 2013-10-28 | 2018-11-06 | Apple Inc. | Piezo based force sensing |
AU2015100011B4 (en) | 2014-01-13 | 2015-07-16 | Apple Inc. | Temperature compensating transparent force sensor |
US9612170B2 (en) | 2015-07-21 | 2017-04-04 | Apple Inc. | Transparent strain sensors in an electronic device |
JP6480837B2 (ja) * | 2015-09-04 | 2019-03-13 | 株式会社東芝 | センサ、情報端末、マイクロフォン、血圧センサ及びタッチパネル |
JP6373239B2 (ja) * | 2015-09-09 | 2018-08-15 | 株式会社東芝 | 圧力センサ、マイクロフォン、超音波センサ、血圧センサ及びタッチパネル |
JP2017146237A (ja) * | 2016-02-18 | 2017-08-24 | 株式会社東芝 | 圧力センサ、圧力センサシステム、マイクロフォン、血圧センサ及びタッチパネル |
US10209830B2 (en) | 2016-03-31 | 2019-02-19 | Apple Inc. | Electronic device having direction-dependent strain elements |
JP6750294B2 (ja) * | 2016-04-28 | 2020-09-02 | オムロンヘルスケア株式会社 | 脈波検出装置、及び、生体情報測定装置 |
US10352800B2 (en) * | 2016-06-03 | 2019-07-16 | Mks Instruments, Inc. | Micromachined bulk acoustic wave resonator pressure sensor |
US10133418B2 (en) | 2016-09-07 | 2018-11-20 | Apple Inc. | Force sensing in an electronic device using a single layer of strain-sensitive structures |
JP6619313B2 (ja) | 2016-09-21 | 2019-12-11 | 株式会社東芝 | センサ及びセンサパッケージ |
JP6640766B2 (ja) * | 2017-02-07 | 2020-02-05 | 株式会社東芝 | 磁性素子、圧力センサ、磁気ヘッド、および磁性メモリ |
US10444091B2 (en) | 2017-04-11 | 2019-10-15 | Apple Inc. | Row column architecture for strain sensing |
US10309846B2 (en) | 2017-07-24 | 2019-06-04 | Apple Inc. | Magnetic field cancellation for strain sensors |
JP7075110B2 (ja) * | 2018-02-28 | 2022-05-25 | 国立大学法人東北大学 | 振動センサ |
US10782818B2 (en) | 2018-08-29 | 2020-09-22 | Apple Inc. | Load cell array for detection of force input to an electronic device enclosure |
US11226252B2 (en) | 2019-01-07 | 2022-01-18 | International Business Machines Corporation | Multilayered magnetic free layer structure in magnetic tunnel junction arrays for sub-micrometer resolution pressure sensors |
JP7396913B2 (ja) * | 2020-01-30 | 2023-12-12 | アズビル株式会社 | 圧力測定装置 |
JP7396912B2 (ja) | 2020-01-30 | 2023-12-12 | アズビル株式会社 | 圧力センサ |
CN114827871B (zh) * | 2021-01-29 | 2023-07-14 | 歌尔股份有限公司 | 振膜及发声装置 |
Family Cites Families (66)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4579001A (en) * | 1984-04-20 | 1986-04-01 | Craig Hosterman | Pressure relief valve with pressure indicating means |
US4600912A (en) * | 1985-01-25 | 1986-07-15 | Bourns Instruments, Inc. | Diaphragm pressure sensor with improved tensile loading characteristics |
US4904978A (en) * | 1988-04-29 | 1990-02-27 | Solartron Electronics, Inc. | Mechanical sensor for high temperature environments |
US5049460A (en) * | 1988-05-31 | 1991-09-17 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for producing beam-shaping diaphragms for lithographic devices |
US5245504A (en) * | 1989-02-28 | 1993-09-14 | United Technologies Corporation | Methodology for manufacturing hinged diaphragms for semiconductor sensors |
US5107309A (en) * | 1989-12-18 | 1992-04-21 | Honeywell Inc. | Double diffused leadout for a semiconductor device |
JPH03291975A (ja) * | 1990-04-10 | 1991-12-24 | Citizen Watch Co Ltd | 圧力センサ |
JP2558549B2 (ja) * | 1990-10-11 | 1996-11-27 | 東横化学株式会社 | 半導体圧力センサ及びその製造方法 |
FI94203C (fi) * | 1991-11-25 | 1995-07-25 | Anturilaakso Oy | Kaiutin |
US5323656A (en) * | 1992-05-12 | 1994-06-28 | The Foxboro Company | Overpressure-protected, polysilicon, capacitive differential pressure sensor and method of making the same |
US5949118A (en) * | 1994-03-14 | 1999-09-07 | Nippondenso Co., Ltd. | Etching method for silicon substrates and semiconductor sensor |
DE69512544T2 (de) * | 1994-03-18 | 2000-05-25 | The Foxboro Co., Foxboro | Halbleiter-Druckwandler mit Einkristall-Silizium-Membran und Einkristall-Dehnungsmessstreifen und Herstellungsverfahren dazu |
DE69729941T2 (de) * | 1997-02-21 | 2005-08-25 | Matsushita Electric Works Ltd., Kadoma-Shi | Beschleunigungsmesselement sowie verfahren zu seiner herstellung |
JP3873454B2 (ja) * | 1998-05-29 | 2007-01-24 | 株式会社デンソー | 半導体圧力センサ |
JP3339565B2 (ja) | 1998-09-29 | 2002-10-28 | 株式会社山武 | 圧力センサ |
JP3517876B2 (ja) * | 1998-10-14 | 2004-04-12 | セイコーエプソン株式会社 | 強誘電体薄膜素子の製造方法、インクジェット式記録ヘッド及びインクジェットプリンタ |
JP3756734B2 (ja) | 2000-07-13 | 2006-03-15 | 株式会社山武 | 容量式圧力センサ |
JP4557412B2 (ja) * | 2000-11-20 | 2010-10-06 | パナソニック株式会社 | スピーカ |
US6528340B2 (en) * | 2001-01-03 | 2003-03-04 | Honeywell International Inc. | Pressure transducer with composite diaphragm |
US7024937B2 (en) * | 2003-12-03 | 2006-04-11 | Honeywell International Inc. | Isolated pressure transducer |
WO2005124306A1 (en) * | 2004-06-15 | 2005-12-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
DE102004032482B4 (de) * | 2004-07-05 | 2008-01-31 | Infineon Technologies Ag | Sensor und Verfahren zum Erfassen einer Verformung |
DE102005010338B4 (de) * | 2005-03-07 | 2007-01-25 | Infineon Technologies Ag | Kraftsensoranordnung mit magnetostriktiven Magnetowiderstandssensoren und Verfahren zur Ermittlung einer auf den Träger einer Kraftsensoranordnung wirkenden Kraft |
JP4150013B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2008-09-17 | Tdk株式会社 | トンネル効果素子 |
DE102005027365A1 (de) * | 2005-06-14 | 2006-12-21 | Robert Bosch Gmbh | Hochdrucksensoreinrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
JP4916449B2 (ja) * | 2005-11-15 | 2012-04-11 | 三菱電機株式会社 | 半導体圧力センサおよびその製造方法 |
US7661318B2 (en) * | 2006-02-27 | 2010-02-16 | Auxitrol S.A. | Stress isolated pressure sensing die, sensor assembly inluding said die and methods for manufacturing said die and said assembly |
US7750627B2 (en) | 2006-10-24 | 2010-07-06 | Headway Technologies, Inc. | Magnetic film sensor having a magnetic film for generating a magnetostriction and a depressed insulating layer |
JP4882732B2 (ja) * | 2006-12-22 | 2012-02-22 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
CH699668A1 (de) * | 2008-10-09 | 2010-04-15 | Kistler Holding Ag | Sensormembrane. |
JP5220866B2 (ja) * | 2008-11-17 | 2013-06-26 | アルプス電気株式会社 | 半導体圧力センサ |
JP5067584B2 (ja) * | 2009-03-02 | 2012-11-07 | オムロン株式会社 | 半導体センサ及びその製造方法 |
US7775119B1 (en) * | 2009-03-03 | 2010-08-17 | S3C, Inc. | Media-compatible electrically isolated pressure sensor for high temperature applications |
JP5101659B2 (ja) | 2010-05-25 | 2012-12-19 | 株式会社東芝 | 血圧センサ |
JP5235964B2 (ja) * | 2010-09-30 | 2013-07-10 | 株式会社東芝 | 歪検知素子、歪検知素子装置、および血圧センサ |
JP5443421B2 (ja) | 2011-03-24 | 2014-03-19 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドジンバルアッセンブリ、及び、磁気記録再生装置 |
JP5740268B2 (ja) | 2011-09-27 | 2015-06-24 | 株式会社東芝 | 表示装置 |
JP5766569B2 (ja) | 2011-09-27 | 2015-08-19 | 株式会社東芝 | 脈波伝播速度計測装置 |
JP5677258B2 (ja) * | 2011-09-27 | 2015-02-25 | 株式会社東芝 | 歪検知装置及びその製造方法 |
JP5579218B2 (ja) | 2012-03-28 | 2014-08-27 | 株式会社東芝 | 圧力検知素子の製造方法 |
JP5701807B2 (ja) * | 2012-03-29 | 2015-04-15 | 株式会社東芝 | 圧力センサ及びマイクロフォン |
JP6065421B2 (ja) * | 2012-06-15 | 2017-01-25 | セイコーエプソン株式会社 | 超音波プローブおよび超音波検査装置 |
JP5367877B2 (ja) | 2012-06-19 | 2013-12-11 | 株式会社東芝 | Mems圧力センサ |
JP5711705B2 (ja) | 2012-09-10 | 2015-05-07 | 株式会社東芝 | 圧力検知素子及びその製造方法 |
GB2505953B (en) * | 2012-09-18 | 2019-05-08 | B & W Group Ltd | Stepped thickness change in dome-shaped diaphragms for loudspeaker drive units or microphones |
JP2014074606A (ja) * | 2012-10-03 | 2014-04-24 | Toshiba Corp | 圧力センサ、音響マイク、血圧センサ及びタッチパネル |
JP6055286B2 (ja) * | 2012-11-20 | 2016-12-27 | 株式会社東芝 | 圧力センサ、マイクロフォン、血圧センサ、およびタッチパネル |
JP5951454B2 (ja) | 2012-11-20 | 2016-07-13 | 株式会社東芝 | マイクロフォンパッケージ |
JP5607204B2 (ja) * | 2013-04-09 | 2014-10-15 | 株式会社東芝 | Mems圧力センサシステムおよびmems圧力センサ |
JP6113581B2 (ja) | 2013-06-12 | 2017-04-12 | 株式会社東芝 | 圧力センサ、音響マイク、血圧センサ及びタッチパネル |
JP6263356B2 (ja) | 2013-09-09 | 2018-01-17 | 株式会社東芝 | 歪検知装置及びその製造方法 |
US10160688B2 (en) * | 2013-09-13 | 2018-12-25 | Corning Incorporated | Fracture-resistant layered-substrates and articles including the same |
JP6223761B2 (ja) | 2013-09-20 | 2017-11-01 | 株式会社東芝 | 歪検知素子、圧力センサ、マイクロフォン、血圧センサおよびタッチパネル |
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JP2015095830A (ja) | 2013-11-13 | 2015-05-18 | 株式会社東芝 | 差動増幅回路 |
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