DE3856022T2 - Selektives Ätzen dünner Schichten - Google Patents

Selektives Ätzen dünner Schichten

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Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft das selektive, vorzugsweise anisotrope Ätzen von auf Siliziumdioxid gebildeten Siliziumnitridfilmen. Unsere Erfindung betrifft insbesondere ein Verfahren zum anisotropen Ätzen von Siliziumnitrid mit hoher Selektivität in bezug auf das darunterliegende Siliziumdioxid sowie mit einem gesteuerten Siliziumnitridprofil und einem gesteuerten Siliziumdioxidverlust bzw. -gewinn.
  • Der Verbundstoff Siliziumnitrid auf Siliziumdioxid findet häufig bei integrierten Schaltungen Anwendung. So kann Nitrid- auf-Oxid als Oxidationsmaske verwendet werden, um Feldbereiche von Wafern für integrierte Schaltungen (IS) während der LOCOS-Formung des Feldisolationsoxids selektiv zu belichten. Bei derartigen Anwendungen kann das darunterliegende Oxid sehr dünn sein. Während der Anfertigung der Siliziumnitrid-LOCOS- Maske muß die lithographische Maske, wie z.B. ein Photoresist, im Siliziumnitrid ohne Maßverlust bei guter Auflösung und ohne Ätzen der aufliegenden Photoresistmaske (d.h. mit hinreichend hoher Selektivität in bezug auf diese) und der darunterliegenden dünnen Oxidschicht genau nachgebildet werden. Bei der nachfolgenden Entfernung des Nitrids von den aktiven Bereichen ist die Photoresistselektivität nicht von Bedeutung, da das Photoresist vor der LOCOS-Oxidation abgezogen wird. Dennoch ist es immer noch von großer Bedeutung, den Qualitätsverlust der dünnen Oxidschicht infolge des Abziehens zu verhindern.
  • Fluorkohlenwasserstoffätzmittel wie CH&sub3;F und CH&sub2;F&sub2; sowie SF&sub6; und NF&sub3; wurden zum Ätzen von Siliziumnitrid verwendet. Fluorkohlenwasserstoffätzmittel können nichtflüchtige kohlenstoffhaltige organische Polymere bilden, die sich auf dem Oxid absetzen und deshalb die Ätzselektivität erhöhen. Kohlenstoff bildet jedoch Partikel und führt so zu einer unerwünschten Verunreinigung, insbesondere bei hoch- und höchstintegrierten Schaltkreisen, die bereits bei relativ wenigen sehr kleinen Partikeln empfindlich reagieren. Außerdem können sich organische Polymerschichten manchmal willkürlich innerhalb des Reaktors ablagern, was relativ häufiges Reinigen des Reaktors erfordert.
  • Die FR-A-2408913 offenbart ein Gasplasmaverfahren und ein Gasgemisch zur Entfernung von Stoffen bei der Herstellung von Halbleiteranordnungen. Substratwafer bzw. Halbleiteranordnungen werden einem SiF&sub4; oder SiF&sub4; und Sauerstoff enthaltenenden Gasplasma während einer gewissen Zeitdauer ausgesetzt, um die gewünschte Entfernung des Stoffs vom Wafer bzw. der Anordnung durchzuführen. Das Verfahren bzw. das Gasgemisch sind für das selektive Ätzen von Si&sub3;N&sub4; und das Abziehen des Photoresists sowie für das Ätzen von Stoffen wie Silizium und Silizium ent-. haltenden Verbindungen vorgesehen.
  • Die US-A-4568410 offenbart das Ätzen von Siliziumnitrid bei einer hohen Geschwindigkeit und selektiv in bezug auf das Oxid in einem Gasplasma, das aus einem Gasgemisch gebildet ist, das 10-20 Volumenteile NF&sub3; je 20-35 Volumenteile O&sub2; enthält. Dabei werden Ätzgeschwindigkeiten für Siliziumnitrid in einem Bereich von 55 bis 75 10&supmin;³ µm pro Minute bei einem Nitrid- zu Oxidätzgeschwindigkeitsverhältnis von 8-11:1 erzielt.
  • Hauptaufgabe der vorliegenden Erfindung ist das selektive Ätzen einer Dünnschicht wie z.B. von auf einer Siliziumdioxid als Unterlage gebildetem Siliziumnitrid.
  • Eine Aufgabe in diesem Zusammenhang ist es, ein Verfahren zur Verfügung zu stellen, mit dem selektives anisotropes Ätzen von Siliziumnitrid auf Siliziumdioxid mit einem daraus resultierenden gesteuerten anisotropen Nitridätzprofil und gesteuerter Selektivität (entweder Gewinn oder Minderung) in bezug auf das darunterliegende Oxid erzielt werden kann.
  • Eine weitere Aufgabe in diesem Zusammenhang ist es, ein derartiges Verfahren zur Verfügung zu stellen, das außerdem eine gesteuerte Selektivität in bezug auf die Photoresistmaske erzielen läßt. Diese Ziele werden durch das Verfahren gemäß Anspruch 1 erreicht.
  • Eine Ausführungsform unseres Verfahrens besteht darin, daß eine Siliziumnitridschicht, die Bestandteil eines eine auf einer Siliziumoxidunterlage gebildete Siliziumnitridschicht umfassenden Körpers ist, mit gesteuerter hoher Seleketivität in bezug auf die Siliziumoxidunterlage selektiv (und anisotrop) geätzt wird, und der Körper einem aus einem Reagentiengasstrom aus SiF&sub4;, Sauerstoff und NF&sub3; gebildeten Plasma ausgesetzt wird.
  • Insbesondere umfaßt das Verfahren zum Ätzen einer Siliziumnitridschicht, die Bestandteil eines eine auf einer Siliziumoxidunterlage gebildete Siliziumnitridschicht umfassenden Körpers ist, mit gesteuerter hoher Seleketivität in bezug auf die Siliziumoxidunterlage unter Verwendung einer auf dem Siliziumnitrid gebildeten Photoresistmaske in einer Plasmaätzkammer das Positionieren des maskierten Körpers in der Ätzkammer und das Zuführen eines ausgewählten NF&sub3;, NiF&sub4; und O&sub2; umfassenden Reagentiengasgemisches in die Ätzkammer, um das Siliziumnitrid mit einer hohen Selektivität in bezug auf Photoresist und Oxidunterlage zu ätzen.
  • Im folgenden wird eine spezifische Ausführungsform der Erfindung beschrieben, wobei auf die beiliegenden Zeichnungen Bezug genommmen wird, in denen folgendes dargestellt ist:
  • Figur 1 zeigt eine schematische Darstellung eines geeigneten Plasmaätzsystems zur Durchführung des vorliegenden Verfahrens und in
  • Figur 2 bis 5 sind Kurvenverläufe dargestellt, die den Einfluß von verschiedenen Gasen auf die Oxid- und Nitridätzgeschwindigkeit zeigen.
    • 1. Gesamtverfahren
  • Unsere Erfindung macht sich die Chemie von sauerstoffhaltigem fluorierten Gas in einem Vakuumplasmareaktor zunutze, um Siliziumnitrid bei gesteuerter Anisotropie verbunden mit hoher Selektivität in bezug auf organische Photoresistmasken und gesteuerter Selektivität in bezug auf das Oxid zu ätzen. Dieses gesteuerte Siliziumnitridätzen ist ein einfaches einstufiges Verfahren, das die Wiederholbarkeit erhöht, Materialkosten verringert und die Überwachung durch das Eedienungspersonal verbessert. Außerdem erhöht die gesteigerte Selektivität in bezug auf die Oxidunterlage die Ausbeute des Verfahrens und erleichtert die Anpassung des Verfahrens an andere Anwendungen.
  • Die bevorzugten reaktionsfähigen Gase umfassen O&sub2;/SiF&sub4; und insbesondere NF&sub3;/O&sub2;/SiF&sub4;. SiF&sub4; ist das Selektivitäts- und Nitridätzmittel (s. Reaktion A). NF&sub3; kann das Hauptnitridätzmittel sein (s. Reaktion B). O&sub3; verbindet sich mit Silizium aus SiF&sub4;, um auf der Oxidunterlage selektiv eine siliziumoxidhaltige Schicht zu bilden und so die Selektivität in bezug auf Oxidschichten zu erhöhen (s. Reaktion A) . Normalerweise vermindert z.B. die Erhöhung der Anzahl der siliziumnitridhaltigen Wafer die Nitridätzgeschwindigkeit. Die Erhöhung des NF&sub3;- Durchsatzes erhöht jedoch die Nitridätzgeschwindigkeit sogar bei Konstanthaltung der übrigen Parameter und gleicht dadurch die erhöhte Anzahl an Wafern aus. Die Zugabe von NF&sub3; erweitert den nutzbaren Arbeitsbereich des Verfahrens, d.h. das "Prozeßwindow".
    • 2. Verfahrensverlauf/Verlaufskurven
  • Die Flexibilität und die Vorteile des vorliegenden Verfahrens zeigen sich darin, daß die ausgewählten Betriebsgase dazu verwendet werden können, die Ätzselektivität bezüglich der Photoresistätzmasken entsprechend zu bemessen, die Geschwindigkeit der Abscheidung der Siliziumoxid enthaltenden Verbindungen und dadurch den Verlust (oder den Gewinn) an Oxid während des Verfahrens durch Änderung des Durchsatzes bzw. der Durchsatzverhältnisse der drei gasförmigen Hauptreaktionsteilnehmer NF&sub3;, O&sub2; und SiF&sub4; zu steuern. Dies wird dadurch erzielt, daß man einen gewöhnlichen, nichtmodifizierten Reaktor 10 (Fig. 1) verwendet. Die Wirkungen der ausgewählten Betriebsgase sind weiter unten zusammengefaßt.
  • Die entsprechenden Gleichgewichtsreaktionen für SiF&sub4;, NF&sub3; und O&sub2; sind:
  • Reaktion A: SiF&sub4; + O&sub2; SiO&sub2; + 4F
  • Reaktion B: 2NF&sub3; N&sub2; + 6F
  • Reaktion A beherrscht den Selektivitätsmechanismus, da sich das SiO&sub2; abscheidet und Fluor ein Nitridätzmittel ist. Wie Reaktion B zeigt, erhöht Fluor die Nitridätzgeschwindigkeit.
  • Die Nitridätzgeschwindigkeit ist direkt proportional zum Durchsatz von SiF&sub4;, das hier als Hauptnitridätzmittel verwendet wird.
  • Wie bereits erwähnt, und wie in den Figuren 2 und 3 dargestellt, steigert ein erhöhter Durchsatz von NF&sub3; die Nitridätzgeschwindigkeit und den Oxidverlust.
  • Die Oxidätzgeschwindigkeit wird durch den Photoresistbelag auf dem Wafer beeinflußt. Genauer gesagt ist die Oxidätzgeschwindigkeit bei konstanten Verfahrensbedingungen umgekehrt proportional zur vom Photoresist bedeckten Fläche des Wafers, das heißt durch die Verminderung bzw. Erhöhung der vom Photoresist bedeckten Fläche wird der Oxidverlust während des Ätzens erhöht bzw. vermindert. Das Photoresist wirkt als Sauerstoffgetter, das die Bildung und Abscheidung von SiOx verlangsamt bzw. verhindert, was der Hauptfaktor bei der Steuerung von Oxidverlust bzw. -gewinn und Selektivität ist. Wie weiter unten erörtert werden wird, kann die für die Erstellung von integrierten Schaltungen und die damit verbundene Nitridätzstufe erforderlich große Fläche an Photoresistbelag durch die Erhöhung des Sauerstoffdurchsatzes ausgeglichen werden.
  • Wie bereits erwähnt, ist die Oxidätz- bzw. -abscheidungsgeschwindigkeit durch Änderung des Prozentgehalts an Sauerstoff im Gesamtgasstrom beeinfluß- und dadurch steuerbar. Wie die Figuren 4 und 5 zeigen, sind nämlich die Nitridätzgeschwindigkeit und die Oxidätzgeschwindigkeit umgekehrt proportional zum Sauerstoffgehalt im Gesamtgastrom. Die Oxid- und die Nitridätzgeschwindigkeit reagieren jedoch unterschiedlich auf die Erhöhung des Sauerstoffdurchsatzes. Dem ist zu verdanken, daß man sich den Selektivitätsmechanismus zunutze machen kann. Überdies trägt die Zugabe von NF&sub3; zur Steuerung des Selektivitätsmechanismus bei.
  • Aus Fig. 4 wird deutlich, daß durch die Verminderung bzw. Erhöhung des Sauerstoffdurchsatzes im Verhältnis zu den anderen Gasen außerdem die ausgewählte Abscheidung von SiOX, gewöhnlich SiO&sub2;, auf dem Oxid vermindert bzw. erhöht und infolgedessen der Oxidverlust während des Ätzvorgangs erhöht bzw. vermindert werden. Siehe Reaktion A. Die Erhöhung des Sauerstoffdurchsatzes kann die Siliziumoxidabscheidungsgeschwindigkeit so erhöhen, daß unbegrenzte Selektivität in bezug auf das Oxid (Ätzgeschwindigkeit 0) und somit reine Oxidabscheidung bzw. eher Oxidgewinn als Oxidverlust gewährleistet sind. Die Änderung des Sauerstoffdurchsatzverhältnisses erlaubt somit die Auswahl des Verhältnisses Oxidätzung zu Oxidabscheidung aus einem durchgehenden Geschwindigkeitsbereich, d.h. von hohen Ätzgeschwindigkeiten auf der einen Seite über null Ätzung/Abscheidung bis hin zur Abscheidung. Überdies hat unsere Auffassung von der unterschiedlichen Wirkung des Photoresistbelags und des Sauerstoffdurchsatzes auf die Oxidätz- bzw. Oxidabscheidungsgeschwindigkeit es ermöglicht, durch Einstellung des Sauerstoffdurchsatz es niedrige Oxidätzgeschwindigkeiten und hohe Selektivität bezüglich verschiedener Photoresistbeläge zu erzielen. Dies bedeutet, daß großflächige Photoresistbeläge durch Erhöhung des Sauerstoffdurchsatzes kompensiert werden können.
  • SiF&sub4; ist ein Ätzmittel (die Nitridätzgeschwindigkeit ist proportional zur SiF&sub4;-Durchflußmenge). Außerdem ist die Wirkung der SiF&sub4;-Durchflußmenge auf das Oxidätzen bzw. die Oxidabscheidung derjenigen der Sauerstoffdurchflußmenge insofern ähnlich, als die Oxidätzgeschwindigkeit (konkret die SiO&sub2;-Ätzgeschwindigkeit) umgekehrt proportional zur SiF&sub4;-Durchflußmenge ist. Durch Verminderung bzw. Erhöhung der Durchflußmenge von SiF&sub4; erhöht bzw. vermindert sich der Oxidverlust.
    • 3. Beispiele und Anwendungen
  • Die weiter unten angeführten Tabellen fassen die optimalen Werte und Bereiche von bevorzugten und geeigneten Werten von Parametern für das Ätzen von Siliziumnitrid auf Siliziumdioxid unter Verwendung des ionengestützten Niederdruckplasmareaktors vom Typ AME 8110 zusammen. Dieser Reaktor kann von der Firma Applied Materials, Inc., Santa Clara, Kalifornien, bezogen werden. Der AME 8110 ist stellvertretend für alle nach dem Niederdruck-Reaktivionenätzverfahren (RIÄ) arbeitenden Plasmaätzreaktoren der Serie 8100 in Fig. 1 schematisch als Anlage 10 dargestellt. Die RIÄ-Anlage 10 umfaßt eine zylinderförmige Reaktionskammer 11 und eine sechseckige Kathode 12, die beispielhaft 24 Wafer, vier auf jeder Seite, enthält und an eine Hochfrequenzstromquelle angeschlossen ist. Die Austrittsöffnung 14 verbindet das Innere der Reaktionskammer 11 mit einer Vakuumpumpe. Die Wände der Reaktionskammer 11 und die Grundplatte 16 bilden die geerdete Anode der Anlage. Die Versorgung mit dem Reaktionsgas erfolgt über die Gaszuleitung 17, welche mit dem Inneren der Kammer 11 über die Einlaßöffnung 18 und über das Leitungssystem 19 mit dem Gasverteilungsring 20 am oberen Ende der Kammer verbunden ist.
  • Die Geometrie der Reaktoranlage 10 ist asymmetrisch, d.h. das Verhältnis Anode zu Kathode ist etwas größer als 2:1, was einen hochenergetischen Beschuß der Kathodenoberfläche 12 in bezug zur Anodenoberfläche 11 bewirkt. Eine derartige Anordnung ermöglicht eine geringere Leistungsdichte und bessere Ätzhomogenität, verringert die Verunreinigung durch die Kammerwände und erleichtert das Erreichen von Ätzanisotropie. Außerdem ermöglicht die Kathodenanordung die vertikale Ausrichtung aller 24 Wafer während des Verfahrens, um die Wafer so wenig wie möglich der Einwirkung von aus Partikeln bestehenden Stoffen auszusetzen.
  • Bei derartigen RIÄ-Anlagen überwiegt eine Ätzkomponente aus stark gebündeltem mechanischen Ionenbeschuß die stärker isotrope chemische Komponente und verleiht den Ätzeigenschaften des Systems hohe Anisotropie. Infolgedessen werden RIÄ-Anlagen für die Ätzstufen von hochdichten, kleine Abmessungen aufweisenden IS-Anwendungen wie hoch- und höchstintegrierten Schaltkreisen bevorzugt. Die Verwendung von Ätzvorrichtungen vom Typ AME 8110 und solchen der Serie 8100 hat ausschließlich illustrierenden Charakter. Das Verfahren konnte auch mit Ätzvorrichtungen der Serie 8300, die ebenfalls von der Firma Applied Materials, Inc., Santa Clara, Kalifornien, bezogen werden können, erfolgreich durchgeführt werden. Ganz allgemein wird das vorliegende Verfahren vorwiegend chemisch gesteuert und sollte deshalb für alle im Plasmazustand arbeitenden Anlagen, die die beschriebenen Gase zu verarbeiten vermögen, verwendet werden.
  • Die drei Spalten der Tabelle beschreiben in aufsteigender Reihenfolge der Verwendbarkeit drei Bereiche für die Verfahrensparameter zum Ätzen von Siliziumnitrid ohne Beschädigung der Oxidunterlage: Spalte 1 beschreibt einen Bereich von Parametern, die erwartungsgemäß - bezogen auf die in Spalte 2 und 3 dargestellten Daten - zweckmäßige Ergebnisse liefern. Da das Verfahren chemisch gesteuert ist, kann es überdies auf jedwedes Plasmasystem angewandt werden, z.B. auf einen viel weiteren Druckbereich als in der Tabelle angegeben. Spalte 2 beschreibt eine engere und deshalb spezifischere Zusammenstellung von Verfahrensparameterbereichen, die eine bessere Kombination von hoher Siliziumnitridätzgewschwindigkeit, hoher Photoresistselektivität und hoher Selektivität in bezug auf die Oxidunterlage gewährleistet. Spalte 3 zeigt eine bestimmte enge Zusammenstellung von Verfahrensparametern, die gegenwärtig bevorzugt sind, da sie bei voller Beladung mit 24 6"-Wafern eine Kombination aus hohen Nitridätzgeschwindigkeiten, angemessener Photoresistselektivität und sehr hoher Selektivität in bezug auf die Oxidunterlage gewährleisten. Ätzparameter Siliziumnitrid/SiO&sub2;
  • (1) Thermisches LPCVD Nitrid/Thermisches Oxid
  • (2) Plasmanitrid/Thermisches Oxid
  • Die obige Tabelle hat erklärenden Chrarakter. Sie betrifft das Ätzen einer Schicht aus thermischem LPCVD-Siliziumnitrid bzw. Plasmanitrid mit einer Stärke von ca. 1000-3000 Angström (10Å = 1nm), die über einer Schicht aus thermisch gewachsenem Siliziumdioxid mit einer Stärke von 80-1000 Angström gebildet wurde, unter Verwendung einer 0,6-1,5µm starken organischen Photoresistmaske vom Typ AZ1470.
  • Das beispielhafte Ätzverfahren läßt sich kurz wie folgt zusammenfassen:
  • Es umfaßt das Positionieren eines oder mehrerer auf seinen bzw. ihren Seiten den Verbundstoff aus Photoresistmaske, Nitrid und Oxid umfassenden Wafer in einer Ätzanlage vom Typ 8110, und nach den herkömmlichen Reinigungs-, Reifungs- und Kalibrierungsstufen die Zufuhr des Gases bei den genannten Durchsätzen für eine gegebene Verweilzeit sowie die Verwendung eines gegebenen Kammerdrucks und einer gegebenen Leistungseinstellung.
  • Die Ergebnisse sind wie angegeben ziemlich gut. Die Photoresistselektivität ≥ 0:5, 1:1 bzw. 1:1 für den breiten, optimalen bzw. bevorzugten Bereich bei Vollast. Die Selektivität in bezug auf die thermische Oxidunterlage in Verbindung mit dem thermischen LPCVD-Nitrid ist > 3:1, > 5:1 bzw. ca. 15:1 für die drei Bereiche. Außerdem ist die Selektivität in bezug auf die thermische Oxidunterlage > 5:1, > 10:1 bzw. ca. 25:1 für das Plasmanitrid. Unser Verfahren gewährleistet eine ausgezeichnete Steuerung der Linienstärke und ein vertikales Nitridprofil, vermindert den Linienstärkenverlust, vermindert schnabelförmige Einrisse während der thermischen LOCOS-Oxidation und erlaubt dabei eine bessere Bestimmung der Kanalweite bei MOSanordnungen. Die Gesamtgleichmäßigkeit ist ± 4% verglichen zu ± 10% früherer Verfahren unter Verwendung des 8110 bei bekannten Verfahren unter Erzielung hoher Oxidselektivität. Aufgrund der hohen Selektivität und ausgezeichneten Gleichmäßigkeit ist die Gleichmäßigkeit des verbleibenden thermischen Oxids weitaus besser als diejenige, die durch Verfahren des Standes der Technik gewährleistet wird.
  • Wie in den Spalten 2 und 3 der Tabelle angegeben, sind die richtigen Durchsatzverhältnisse von NF&sub3;, O&sub2; und SiF&sub4; für das Erreichen und Steuern hoher Selektivität in bezug auf das Oxid überaus wichtig. Außerdem ist der Druckbereich sehr wichtig für die Steuerung und Aufrechterhaltung der Anisotropie und der kritischen Abmessungen. Es wird angenommen, daß ein erheblicher Druckanstieg im Reaktor vom Typ AME 8110 die Steuerung der kritischen Abmessungen und wahrscheinlich die Gleichmäßigkeit der Ätzgeschwindigkeit vermindert.
  • Wie in der Tabelle angegeben, kann ein Inertgas wie Helium dem Reaktionsgasgemisch aus NF&sub3;, SiF&sub4; und O&sub2; zugesetzt werden, um die Gleichmäßigkeit zu erhöhen. Des weiteren kann zum Zwecke des Sputterätzens ein Inertgas wie Hehum oder Argon in eingestellten Mengen zugesetzt werden. Außerdem können Freon enthaltende Gase, dargestellt durch die Summenformel CnHyFxXz zugesetzt werden, um die Photoresistselektivität zu erhöhen.
  • Ganz allgemein kann das oben beschriebene Verfahren leicht auf Ätzschichten angewandt werden, die flüchtige, reaktionsfähiges Fluor enthaltende Substanzen bilden, wo hohe Selektivität in bezug auf das darunterliegende oder maskierende Siliziumoxid gefordert ist. Neben der Siliziumnitridätzung unter Verwendung von NF&sub3;/SiF&sub4;/O&sub2; und NF&sub3;/SiF&sub4;/O&sub2;/He kann das Verfahren leicht auf das selektive Ätzen von dotiertem und undotiertem über Siliziumdioxidunterlagen gebildeten Polysilizium unter Verwendung von reaktionsfähigen Gasen, bestehend aus NF&sub3;/SiF&sub4;/O&sub2;/CnHyFxXz, auf das selektive Ätzen von Wolfram auf Siliziumdioxidunterlagen unter Verwendung von reaktionsfähigen Gasen, bestehend aus NF&sub3;/SiF&sub4;/O&sub2;/CnHyFxXz, und auf das selektive Ätzen von dotiertem und undotiertem Einkristallsilizium mit hohere Selektivität in bezug auf das darunterliegende Siliziumdioxid und/oder auf eine Siliziumdioxidmaske unter Verwendung von NF&sub3;/SiF&sub4;/O&sub2; angewandt werden. Eine solche Anwendung ist die Einkristalleinkerbungsätzung. Es kann außerdem möglich sein, das Verfahren auf die Planarabscheidung von Plasmasiliziumdioxiden über Polysilizium oder Aluminiumlinien unter Einsatz von Abscheidung und Wiederwegätzen auszudehnen. Die Planarabscheidung von Siliziumdioxid könnte zur Passivierung der Anordnung verwendet werden. Das Vermögen der Reaktivionenätzanlagen AME 8100 und AME 8300 im Batchmodus, in situ und in mehreren Stufen zu arbeiten, konnte erfolgreich auf die vorliegende Erfindung angewandt werden, um 1 Megabit- und größere beerdigte C-Glieder herzustellen. Weitere Anwendungen umfassen die isotrope Entfernung von organischen Materialien (wie Photoresist und Polyimide) zur Profilsteuerung unter Verwendung von Verfahren mit mehrstufiger Profilierung.

Claims (4)

1. Verfahren zum selektiven Ätzen von Siliziumnitrid bei hoher Selektivität im Hinblick auf das Photoresist und das Siliziumoxid unter Verwendung eines Gasgemisches, dadurch gekennzeichnet, daß das Gasgemisch SiF&sub4;, Sauerstoff und NF&sub3; umfaßt.
2. Verfahren zum selektiven Ätzen von Siliziumnitrid nach Anspruch 1, wobei das Siliziumnitrid über einer Unterlage aus Siliziumoxid angeordnet ist und eine darauf ausgebildete Photoresistmaske aufweist.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Reaktionsgasstrom zur Steigerung der Selektivität im Hinblick auf das Photoresist ein Freon enthaltendes Gas umfaßt.
4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Reaktionsgasstrom außerdem noch ein Inertgas umfaßt, ausgewählt unter Argon und/oder Helium umfassenden Gasen.
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