DE19758244B4 - Photoresist-Copolymer auf der Basis von Bicycloalkenen, Verfahren zu dessen Herstellung und dessen Verwendung - Google Patents

Photoresist-Copolymer auf der Basis von Bicycloalkenen, Verfahren zu dessen Herstellung und dessen Verwendung Download PDF

Info

Publication number
DE19758244B4
DE19758244B4 DE19758244.3A DE19758244A DE19758244B4 DE 19758244 B4 DE19758244 B4 DE 19758244B4 DE 19758244 A DE19758244 A DE 19758244A DE 19758244 B4 DE19758244 B4 DE 19758244B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
carboxylate
reaction product
norbornene
iii
photoresist
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE19758244.3A
Other languages
English (en)
Other versions
DE19758244A1 (de
Inventor
Jae Chang Jung
Cheol Kyu Bok
Ki Ho Baik
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SK Hynix Inc
Original Assignee
Hyundai Electronics Industries Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hyundai Electronics Industries Co Ltd filed Critical Hyundai Electronics Industries Co Ltd
Publication of DE19758244A1 publication Critical patent/DE19758244A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE19758244B4 publication Critical patent/DE19758244B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G03F7/0395Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having a backbone with alicyclic moieties
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F232/00Copolymers of cyclic compounds containing no unsaturated aliphatic radicals in a side chain, and having one or more carbon-to-carbon double bonds in a carbocyclic ring system
    • C08F232/02Copolymers of cyclic compounds containing no unsaturated aliphatic radicals in a side chain, and having one or more carbon-to-carbon double bonds in a carbocyclic ring system having no condensed rings
    • C08F232/04Copolymers of cyclic compounds containing no unsaturated aliphatic radicals in a side chain, and having one or more carbon-to-carbon double bonds in a carbocyclic ring system having no condensed rings having one carbon-to-carbon double bond
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Polymerisation Methods In General (AREA)
  • Polymerization Catalysts (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Medicines That Contain Protein Lipid Enzymes And Other Medicines (AREA)

Abstract

Photoresist-Copolymer, das unter Verwendung von radikalischen Polymerisationsinitiatoren aus i) zwei oder mehreren Bicycloalkenen der folgenden Formel II, und ii) einem Maleinsäureanhydrid der folgenden Formel III oder einem Vinylencarbonat der folgenden Formel IV polymerisiert wird:worin R Wasserstoff oder einen geraden oder verzweigten Alkylrest mit 1 bis 10 substituierten oder nicht substituierten Kohlenstoffatomen bedeutet, und n 1 oder 2 ist, worin die Bicycloalkene mindestens ein (i) erstes Bicycloalken der Formel II aufweisen, worin R ein nichtsubstituiertes, gerades oder verzweigtes C1-C10 Alkyl ist, und ein (ii) zweites Bicycloalken der Formel II, worin R ein C1-C10 Hydroxyalkyl ist, wobei das Molekulargewicht des Copolymers in einem Bereich von etwa 3000 bis 100000 liegt.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Photoresist-Copolymer, das für die Submikrolithographie unter Verwendung von tiefem Ultraviolettlicht (DUV) als Lichtquelle geeignet ist, und ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Copolymers, sowie die Verwendung des Copolymers als Photoresist insbesondere zur Herstellung eines integrierten Schaltkreises sowie einer Halbleitervorrichtung.
  • In letzter Zeit herrschten chemische Verstärkungsphotoresistlacke in Halbleitervorrichtungen vor, da gefunden wurde, daß sie äußerst empfindlich für DUV-Licht sind, das als eine Lichtquelle anerkannt ist, die geeignet ist, um eine hohe Integration bei Halbleitervorrichtungen zu erreichen. Ein chemischer Verstärkungsphotoresistlack weist im allgemeinen einen Photosäuregenerator und ein Matrixpolymer, das eine chemische Struktur aufweist, die empfindlich mit der Säure reagiert, auf.
  • Der Wirkungsmechanismus eines solchen Photoresistlacks, wenn er durch eine Schablone mit einer DUV-Lichtquelle belichtet wird, besteht darin, daß Protonen durch die Wirkung des Photosäuregenerators erzeugt werden und dann mit der Haupt- oder Seitenkette des Matrixpolymers reagieren. Diese Reaktion erhöht die Löslichkeit des Copolymers in einer Entwicklungslösung, indem die Struktur des Copolymers umgewandelt wird, z. B. indem es zersetzt wird, vernetzt wird oder die Polarität verändert wird. Wenn das Copolymer daher mit der Entwicklungslösung behandelt wird, wird es in den belichteten Bereichen gelöst, wohingegen es in den nicht belichteten Bereichen ungelöst bleibt, wodurch die Form der Schablone als positives Bild auf dem Substrat bleibt. Inzwischen ist die Auflösung der durch Photolitographie gebildeten Muster im Allgemeinen der Wellenlänge der Lichtquelle proportional. So können feinere Muster gebildet werden, wenn die Wellenlänge kürzer ist. Als Ergebnis der Bemühungen, neue Lichtquellen zu finden, die geeignet sind, um die Auflösung zu verbessern, wurde tiefes UV-Licht (DUV) für die Integration von Halbleitervorrichtungen im 1-Giga-Bereich oder mehr entwickelt. Im Allgemeinen ist es erforderlich, daß Photoresistlacke eine hohe Ätzbeständigkeit und Wärmebeständigkeit haben. Außerdem sollte ein Photoresistlack, der für ArF verwendet wird, in einer 2,38%igen Tetramethylammoniumhydroxid-(TMAH)-Lösung entwickelt werden. Tatsächlich ist es jedoch schwierig, ein Photoresistharz zu erhalten, das diese Eigenschaften vollständig erfüllt.
  • Z. B. können Harze mit einem Gerüst aus Poly(methylmethacrylat), das für Licht der obigen kurzen Wellenlängen) durchlässig ist, leicht synthetisiert werden. Es gibt aber Probleme in der praktischen Anwendung aufgrund ihrer schlechten Ätzbeständigkeit und Entwicklung in TMAH-Lösung. Die Ätzbeständigkeit kann verbessert werden, indem aliphatische Ringmonomere in die Hauptkette eingeführt werden. Es ist aber praktisch unmöglich, das Harz mit einer Hauptkette, die aus aliphatischen Ringen besteht, zu synthetisieren.
  • Um die obigen Probleme zu lösen, entwickelte AT&T (oder Bell Laboratory) ein Harz mit einer Hauptkette, die mit Norbornen, Acrylat und Maleinsäureanhydrid substituiert ist, das in der folgenden Formel I dargestellt ist:
    Figure DE000019758244B4_0003
  • In Formel I wird der Maleinsäureanhydridteil A verwendet mit dem Ziel, aliphatische Cycloolefingruppen zu polymerisieren, die sogar in unbelichtetem Zustand in einer 2,38%igen TMAH-Lösung gut gelöst werden. Diese Löslichkeit kann vermindert werden, indem der Anteil von y, der mit t-Butyl-resten substituiert ist, in der Hauptkette erhöht wird. Wenn dies geschieht, wird z, das dazu dient, die Haftfähigkeit auf einem Substrat zu erhöhen, relativ klein im Vergleich, was zur Trennung des Photoresistlacks von dem Substrat, z. B. dem Wafer, führt. Als Ergebnis ist die Bildung guter Muster mit dieser Methode unmöglich. Bell Laboratory schlug ein Zweikomponentensystem vor, das eine Cholesterinverbindung als Lösungsinhibitor enthielt. Dieser Lösungsinhibitor muß jedoch in einer großen Menge zugegeben werden, z. B. etwa 30 Gew.-% bezogen auf das Harz, sodaß die Harze von Bell Laboratory im Prinzip problematisch zur Verwendung für Photoresistharze waren.
  • Bezüglich Copolymeren mit Bicycloalken-Einheiten ist weiterhin folgender Stand der Technik bekannt:
    • (1) Offenbart die Synthese von t-butyl-5-Norbonen-2-carboxylat
    • (2) Offenbart die Synthese von 5-Norbonen-2-Carbonsäure
    • (3) Offenbart ein Copolymer, das Norbonenderivate mit X=H und Y=COOCH3, und Maleinsäureanhydrid enthält.
    • (4) Offenbart ein Copolymer, das Maleinsäureanhydrid und Bicyclo[2,2,1]hept-2-en-2-carbonsäure oder 5-Norbornen-2-carbonsäuremethylester, enthält.
    • (5) Offenbart die Copolymerisation von Vinylencarbonat oder Methylbicyclo[2,2,1]-2-heptene-5-carboxylat.
    • (6) und (7) offenbaren Copolymere, die Norbonencarboxylat mit einer t-Butylgruppe in 2-Stellung enthalten.
    • (1) Lattes, Armand u. a. Bulgarien Chemical Communication (1992), 25(3), 416–26
    • (2) Dobrev, Alexander A. u. a. Bulgarian Chemical Communication (1995), 28(2), 253–258
    • (3) Ito, Thoshio u. a. Memoirs of the Faculty of Engineering, Osaka City University (165), 7, 87–93
    • (4) Nyitr ai, Karoly u. a. Magyar Kemiai Folyoirat (1966), 72(11), 491–3
    • (5) Judge, Joseph M., u. a., Journal of Polymer Science (1959), 41, 435–43
    • (6) JP-5297591
    • (7) Crivello, James V., u. a. Chemistry of Materials (1996), 8(2), 376–81
  • Es ist daher eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, die obigen Probleme, die mit dem Stand der Technik verbunden sind, zu überwinden und ein ArF-Photoresistharz bereitzustellen, das in Entwicklungslösungen ohne eine chemische Veränderung der Struktur wenig gelöst wird und außerdem in Bezug auf die Ätzbeständigkeit, Wärmebeständigkeit und Haftfähigkeit überlegen ist.
  • Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Photoresist-Copolymer bereitzustellen.
  • Es ist eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zur Herstellung des Photoresist-Copolymers bereitzustellen.
  • Es ist eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung, die Verwendung des Photoresist-Copolymer als Photoresist bereitzustellen.
  • Es wird ein Verfahren zur Herstellung des Photoresistlacks beschrieben.
  • Es ist eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung, die Verwendung des Photoresist-Copolymers zur Herstellung einer integrierten Schaltkreisvorrichtung bereitzustellen.
  • Es ist eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung, die Verwendung des Photoresist-Copolymers für eine eine teilweise vollständige bzw. halbfertige Halbleitervorrichtung bereitzustellen.
  • Das neue Photoresist-Copolymer der vorliegenden Erfindung wird aus zwei oder mehreren Bicycloalkenverbindungen der folgenden Formel II, Maleinsäureanhydrid der folgenden Formel III und/oder Vinylencarbonat der folgenden Formel IV hergestellt:
    Figure DE000019758244B4_0004
    worin R Wasserstoff oder einen geraden oder verzweigten Alkylrest mit 1 bis 10 substituierten oder nicht substituierten Kohlenstoffatomen bedeutet und n 1 oder 2 ist, worin die Bicycloalken mindestens ein (i) erstes Bicycloalken der Formel II aufweisen, worin R ein nichtsubstituiertes, gerades oder verzweigtes C1-C10 Alkyl ist, und ein (ii) zweites Bicycloalken der Formel II, worin R ein C1-C10 Hydrooxyalkyl ist, und die Bicycloalken darüber hinaus optional ein (iii) drittes Bicycloalken der Formel II aufweisen, worin R Wasserstoff ist, wobei das Molekulargewicht des Copolymers in einem Bereich von etwa 3000 bis 100000 liegt.
  • Figure DE000019758244B4_0005
  • In Formel II wird die Gruppe R bevorzugt aus der Gruppe enthaltend Wasserstoff, 2-Hydroxyethyl- und t-Butylreste, ausgewählt. Das heißt, bevorzugte Beispiele für das Bicycloalken schließen 2-Hydroxyethyl-5-norbornen-2-carboxylat, t-Butyl-5-norbornen-2-carboxylat, 5-Norbornen-2-carbonsäure, 2-Hydroxyethyl-bicyclo[2,2,2]oct-5-en-2-carboxylat, -Butyl-bicyclo[2,2,2]oct-5-en-2-carboxylat und/oder Bicyclo[2,2,2]oct-5-en-2-carbonsäure ein.
  • Das Copolymer der Erfindung hat ein Molekulargewicht im Bereich von ungefähr 3000 bis 100000.
  • Eines der bevorzugten Copolymere der Erfindung wird aus Vinylencarbonat und zwei oder mehreren bicyclischen Alkenen hergestellt, worin R, ein 2-Hydroxyethyl- und t-Butylrest ist und n 1 ist. D. h. es ist ausgewählt aus 2-Hydroxyethyl-5-norbornen-2-carboxylat und t-Butyl-5-norbornen-2-carboxylat.
  • Die neuen Copolymere der vorliegenden Erfindung, die aus einer oder mehreren Bicycloalkenverbindungen der Formel II und Maleinsäureanhydrid der Formel III oder Vinylencarbonat der Formel IV bestehen, werden mit üblichen radikalischen Polymerisationstechniken unter Verwendung von Radikalpolymerisationsinitiatoren hergestellt.
  • Sie werden in Masse oder in Lösung polymerisiert. Als Polymerisationslösungsmittel können Cyclohexanon, Methylethylketon, Benzol, Toluol, Dioxan, Dimethylformamid, Tetrahydrofuran allein oder Kombinationen davon verwendet werden. Gewöhnlich wird die Polymerisation in Gegenwart eines Polymerisationsinitiators durchgeführt, z. B. Benzoylperoxid, 2,21-Azobisiso-butyronitril(AIBN), Acetylperoxid, Laurylperoxid und t-Butylperacetat.
  • Eine positive Photoresistlackzusammensetzung, die zur Bildung positiver feiner Muster auf Halbleitervorrichtungen geeignet ist, kann erhalten werden, indem das neue Photoresist-Copolymer der Erfindung mit einem Photosäuregenerator in einem organischen Lösungsmittel in typischer Weise vermischt wird. Bei der Formulierung ist die Menge des Copolymers abhängig von dem organischen Lösungsmittel, dem Photosäuregenerator und den Lithographiebedingungen und liegt bevorzugt bei etwa 10 bis 30 Gew.-% des verwendeten organischen Lösungsmittels.
  • Um einen Photoresistlack herzustellen, wird das Copolymer der Erfindung zuerst in Cyclohexanon in einer Menge von 10 bis 30 Gew.-% gelöst und ein Oniumsalz oder eine organische Sulfonsäure werden als Photosäuregenerator in einer Menge von etwa 0,1 bis 10 Gew.-%, bezogen auf das Resistpolymer, zugegeben. Dann wird die Lösung mit einem ultrafeinen Filter filtriert, um eine Photoresistlösung zu liefern.
  • Diese Photoresistlacklösung wird auf einen Siliciumwafer schleuderbeschichtet und dann bei einer Temperatur von 80 bis 150°C 1 bis 5 Minuten lang in einem Ofen oder auf einer heißen Platte vorsichtig gebrannt. Ein Belichtungsverfahren wird durchgeführt, unter Verwendung eines Steppers, bei dem tiefes UV-Licht oder ein Excimer-Laser als Lichtquelle angewendet wird. Danach wird der Wafer einem Nachbrennen bei einer Temperatur von 100 bis 200°C unterzogen. Ein ultrafeines positives Resistbild kann erhalten werden, indem der nachgebrannte Wafer 90 Sekunden lang in eine 2,38%ige TMAH-Lösung eingetaucht wird.
  • Ein besseres Verständnis der vorliegenden Erfindung ist möglich im Licht der folgenden Beispiele, die angegeben sind, um die vorliegende Erfindung zu erläutern, nicht aber um sie zu beschränken.
  • Beispiel 1
  • Synthese von 2-Hydroxyethyl-5-norbornen-2-carboxylat
  • Dicyclopentadien der folgenden Formel V wurde bei 120 bis 170°C aufgebrochen, wodurch Cyclopentadien der folgenden Formel VI erhalten wurde
    Figure DE000019758244B4_0006
  • Das Cyclopentadien der Formel VI und 2-Hydroxyethylacrylat der folgenden Formel VII wurden im gleichen Verhältnis in Ether oder Tetrahydrofuran gelöst. Danach wurden sie bei einer Temperatur von etwa –30 bis 60°C 24 Stunden lang umgesetzt. Danach wurde das Lösungsmittel durch Verwendung eines Rotationsverdampfers entfernt und der Rest im Vakuum destilliert, was 2-Hydroxyethyl-5-norbornen-2-carboxylat der folgenden Formel VIII ergab, das eine Endo- und Exomischung war.
  • Figure DE000019758244B4_0007
  • Beispiel II
  • Synthese von t-Butyl-5-norbornen-2-carboxylat
  • In einen Reaktor wurden zuerst 66 g Cyclopentadien gegeben und dann mit 500 g Tetrahydrofuran vermischt. Dem Reaktor wurden 128 g t-Butylacrylat zugegeben. Danach wurden diese Reaktanden bei einer Temperatur von –30 bis 60°C 10 Stunden lang unter Rühren einer Reaktion unterzogen. Nach Abschluß der Reaktion wurde das Lösungsmittel im Vakuum verdampft unter Verwendung eines Rotationsverdampfers und dann wurde im Vakuum destilliert, was die Titelverbindung lieferte: Ausbeute 90%.
  • Beispiel III
  • Synthese des Copolymers
  • 91 g des in Beispiel I synthetisierten 2-Hydroxyethyl-5-nor-bornen-2-carboxylats, 97 g des in Beispiel II synthetisierten t-Butyl-5-norbornen-2-carboxylats und 86 g Vinylencarbonat wurden in einen Reaktor gegeben, der dann mit Stickstoff gespült wurde. Eine Reaktion wurde 6 Stunden lang bei 65 bis 120°C bei einem Druck von 5 bis 20 MPa (50 bis 200 Atmosphären) durchgeführt. Nach Abschluß der Reaktion wurde ein Teil des Lösungsmittels in einem Rotationsverdampfer entfernt und das Reaktionsprodukt wurde in Ethylether ausgefällt. Der Niederschlag wurde filtriert und in einem Vakuumofen getrocknet. Das entstehende Produkt wurde als Photoresistharz verwendet.
  • Beispiel IV
  • Synthese des Copolymers
  • 91 g des in Beispiel I synthetisierten 2-(2-Hydroxyethyl-carboxylat)-5-norbornens, 97 g des in Beispiel II synthetisierten 2-t-Butylcarboxylat-5-norbornens und 98 g Maleinsäureanhydrid wurden in einen Reaktor gegeben, der dann mit Stickstoff gespült wurde. Eine Reaktion wurde 6 Stunden lang bei 65 bis 120°C bei einem Druck von 5 bis 20 MPa (50 bis 200 Atmosphären) durchgeführt. Nach Abschluß der Reaktion wurde ein Teil des Lösungsmittels in einem Rotationsverdampfer entfernt und das Reaktionsprodukt wurde in Ethylether ausgefällt. Der Niederschlag wurde filtriert und in einem Vakuumofen getrocknet. Das entstehende Produkt wurde als Photoresistharz verwendet.
  • Beispiel V
  • Synthese des Copolymers
  • 98 g 2-Hydroxyethyl-bicyclo[2,2,2]oct-5-en-2-carboxylat, 104 g t-Butyl-bicyclo[2,2,2]oct-5-en-2-carboxylat und 86 g Vinylencarbonat wurden in einen Reaktor gegeben und dann mit 2 1 Tetrahydrofuran als Lösungsmittel vermischt. Danach wurden 1,5 g Azobisisobutyronitril (AIBN) in den Reaktor gegeben und dann wurde der Reaktor mit Stickstoff gespült. 6 Stunden lang wurde eine Reaktion bei 65°C durchgeführt. Nach Abschluß der Reaktion wurde ein Teil des Lösungsmittels mit einem Rotationsverdampfer entfernt und das Reaktionsprodukt wurde in Ethylether ausgefällt. Der Niederschlag wurde filtriert und im Vakuumofen getrocknet. Das entstehende Produkt wurde als Photoresistharz verwendet.
  • Beispiel VI
  • Synthese des Copolymers
  • 98 g 2-Hydroxyethyl-bicyclo[2,2,2]oct-5-en-2-carboxylat, 104 g t-Butyl-bicyclo[2,2,2]oct-5-en-2-carboxylat und 86 g Maleinsäureanhydrid wurden in einen Reaktor gegeben und dann mit 2 l Tetirahydrofuran als Lösungsmittel vermischt. Danach wurden 1,5 g Azobisisobutyronitril (AIBN) in den Reaktor gegeben und dann wurde der Reaktor mit Stickstoff gespült. 6 Stunden lang wurde eine Reaktion bei 65°C durchgeführt. Nach Abschluß der Reaktion wurde ein Teil des Lösungsmittels mit einem Rotationsverdampfer entfernt und das Reaktionsprodukt wurde in Ethylether ausgefällt. Der Niederschlag wurde filtriert und im Vakuumofen getrocknet. Das entstehende Produkt wurde als Photoresistharz verwendet.
  • Beispiel VII
  • Synthese des ArF-Photoresistharzes
  • Synthese von Poly[2-Hydroxyethyl-5-norbornen-2-carboxylat/t-Butyl-5-norbornen-2-carboxylat/5-Norbornen-2-carbonsäure/Maleinsäureanhydrid]
  • 1 Mol Maleinsäureanhydrid der folgenden Formel IX, 0,05 bis 0,8 Mol 2-Hydroxyethyl-5-norbornen-2-carboxylat, 0,5 bis 0,95 Mol t-Butyl-5-norbornen-2-carboxylat und 0,01 bis 0,2 Mol 5-Norbornen-2-carbonsäure wurden in Tetrahydrofuran oder Toluol gelöst. Danach wurde diese Lösung in einem Lösungsmittel gelöst. Eine radikalische Reaktion wurde bei einer Temperatur von etwa 60 bis 70°C 4 bis 24 Stunden lang unter Stickstoff oder Argonatmosphäre in Gegenwart von 0,5 bis 10 g Azobisisobutyronitril (AIBN) als Initiator durchgeführt. Das durch diese Polymerisation hergestellte Harz wurde in Ethylether oder Hexan ausgefällt und getrocknet, was Poly[2-Hydroxyethyl-5-norbornen-2-carboxylat/t-Butyl-5-norbornen-2-carboxylat/5-Norbornen-2-carbonsäure/Maleinsäureanhydrid] Harz lieferte.
    Figure DE000019758244B4_0008
  • Beispiel VIII
  • Herstellung des Photoresistfilms und Bildung eines Musters
  • 10 g Poly-[2-Hydroxyethyl-5-norbornen-2-carboxylat/t-Butyl-5-norbornen-2-carboxylat/5-Norbornen-2-carbonsäure/Maleinsäureanhydrid] wurden in 40 g 3-Methoxymethylpropionat als Lösungsmittel gelöst und es wurden etwa 0,02 bis 1 g Triphenylsulfoniumtriflat oder Dibutylnaphthylsulfoniumtriflat oder eine Mischung dieser beiden Photosäuregeneratoren zugegeben. Nachdem gut gerührt wurde, wurde die Mischung durch ein 0,10 μm Filter geleitet. Dieses Filtrat wurde auf einen Wafer aufgetragen und ein Muster gebildet. Als die Schicht etwa 0,6 μm dick war, wurde ein vertikales L/S-Muster mit einer Auflösung von 0,14 μm erhalten.
  • Wie vorher beschrieben ist der aus dem neuen Copolymer der Erfindung hergestellte Photoresistlack bezüglich der Ätzbeständigkeit und Wärmebeständigkeit überlegen. Außerdem kann er in einer 2,38%igen TMAH-Lösung entwickelt werden. Er zeigt auch eine so gute Haftfähigkeit, daß 0,15 μm L/S-Muster mit befriedigender Auflösung und Tiefenschärfe aus der Photoresistbeschichtung in einer Dicke von 0,7 μm erhalten werden können. Demzufolge führt die Einführung z. B. von 2-Hydroxyethyl-5-norbornen-2-carboxylat in das Gerüst eines Harzes zu einer Synthese eines Photoresistlacks, der eine ausgezeichnete Haftfähigkeit aufweist.
  • Die vorliegende Erfindung wurde erläuternd beschrieben und es versteht sich, daß die verwandte Terminologie der Beschreibung dient und keine Beschränkung sein soll. Viele Modifikationen und Veränderungen der vorliegenden Erfindung sind im Licht der obigen Lehren möglich. Daher versteht sich, daß innerhalb des Schutzbereichs der beigefügten Ansprüche die Erfindung in anderer Weise, als spezifisch beschrieben, durchgeführt werden kann.

Claims (23)

  1. Photoresist-Copolymer, das unter Verwendung von radikalischen Polymerisationsinitiatoren aus i) zwei oder mehreren Bicycloalkenen der folgenden Formel II, und ii) einem Maleinsäureanhydrid der folgenden Formel III oder einem Vinylencarbonat der folgenden Formel IV polymerisiert wird:
    Figure DE000019758244B4_0009
    worin R Wasserstoff oder einen geraden oder verzweigten Alkylrest mit 1 bis 10 substituierten oder nicht substituierten Kohlenstoffatomen bedeutet, und n 1 oder 2 ist, worin die Bicycloalkene mindestens ein (i) erstes Bicycloalken der Formel II aufweisen, worin R ein nichtsubstituiertes, gerades oder verzweigtes C1-C10 Alkyl ist, und ein (ii) zweites Bicycloalken der Formel II, worin R ein C1-C10 Hydroxyalkyl ist, wobei das Molekulargewicht des Copolymers in einem Bereich von etwa 3000 bis 100000 liegt.
    Figure DE000019758244B4_0010
  2. Photoresist-Copolymer nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das zweite Bicycloalken, 2-Hydroxyethyl-5-norbornen-2-carboxylat oder 2-Hydroxyethyl-bicyclo[2,2,2]oct-5-en-2-carboxylat ist, und das erste Bicycloalken ausgewählt ist aus der Gruppe enthaltend t-Butyl-5-norbornen-2-carboxylat und t-Butyl-bicyclo[2,2,2]oct-5-en-2-carboxylat.
  3. Photoresist-Copolymer nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Bicycloalken darüber hinaus (iii) ein drittes Bicycloalken der Formel II enthalten, wobei R Wasserstoff ist.
  4. Photoresist-Copolymer nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß R des ersten Bicycloalken t-Butyl, R des zweiten Bicycloalkens 2-Hydroxyethyl und R des dritten Bicycloalkens Wasserstoff ist.
  5. Photoresist-Copolymer nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das erste Bicycloalken t-Butyl-5-norbornen-2-carboxylat oder t-Butyl-bicyclo[2,2,2]oct-5-en-2-carboxylat ist, das zweite Bicycloalken 2-Hydroxyethyl-5-norbornen-2-carboxylat oder 2-Hydroxyethyl-bicyclo[2,2,2]oct-5-en-2-carboxylat ist, und das dritte Bicycloalken 5-Norbornen-2-carbonsäure, oder Bicyclo[2,2,2]oct-5-en-2-carbonsäure ist.
  6. Verfahren zur Herstellung eines Photoresist-Copolymers, umfassend die Stufe, dass man zwei oder mehrere Bicycloalken der folgenden Formel II, und ein Maleinsäureanhydrid der folgenden Formel III oder ein Vinylencarbonat der folgenden Formel IV unter Verwendung von radikalischen Polymerisationsinitiatoren copolymerisiert,
    Figure DE000019758244B4_0011
    worin R Wasserstoff oder einen geraden oder verzweigten Alkylrest mit 1 bis 10 substituierten oder nicht substituierten Kohlenstoffatomen bedeutet, und n 1 oder 2 ist, worin die Bicycloalkene mindestens ein (i) erstes Bicycloalken der Formel II aufweisen, worin R ein nichtsubstituiertes, gerades oder verzweigtes C1-C10 Alkyl ist, und ein (ii) zweites Bicycloalken der Formel II, worin R ein C1-C10 Hydroxyalkyl ist, wobei das Molekulargewicht des Copolymers in einem Bereich von etwa 3000 bis 100000 liegt.
    Figure DE000019758244B4_0012
  7. Verfahren zur Herstellung eines Photoresist-Copolymers nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass das zweite Bicycloalken 2-Hydroxyethyl-5-norbornen-2-carboxylat oder 2-Hydroxyethyl-bicyclo[2,2,2]oct-5-en-2-carboxylat ist und das erste Bicycloalken ausgewählt ist aus der Gruppe enthaltend, t-Butyl-5-norbornen-2-carboxylat und t-Butyl-bicyclo[2,2,2]oct-5-en-2-carboxylat.
  8. Verfahren zur Herstellung eines Photoresist-Copolymers nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Bicycloalkene darüber hinaus (iii) ein drittes Bicycloalken der Formel II, enthalten wobei R Wasserstoff ist.
  9. Verfahren zur Herstellung eines Photoresist-Copolymers nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die radikalischen Polymerisationsinitiatoren ausgewählt sind aus der Gruppe bestehend aus Benzoylperoxid, 2,2-Azobisisobutyronitril (AIBN), Acetylperoxid, Laurylperoxid und t-Butylperacetat.
  10. Verfahren zur Herstellung eines Photoresist-Copolymers nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß Bicycloalkene der Formel II, ein Maleinsäureanhydrid der Formel III oder ein Vinylencarbonat der Formel IV in einem Verfahren der Polymerisation in Masse oder in Lösung copolymerisiert werden.
  11. Verfahren zur Herstellung eines Photoresist-Copolymers nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß das Polymerisationslösungsmittel ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus Cyclohexanon, Methylethylketon, Benzol, Toluol, Dioxan, Dimethylformamid, Tetrahydrofuran und Kombinationen davon.
  12. Verfahren zur Herstellung eines Photoresist-Copolymers nach Anspruch 6, das die folgenden Stufen (i) bis (vi) umfaßt: (i) daß man ein 2-Hydroxyethyl-5-norbornen-2-carboxylat, ein t-Butyl-5-norbornen-2-carboxylat und ein Vinylencarbonat in einen Reaktor gibt; (ii) das Reaktionsprodukt von Stufe (i) mit Stickstoff spült; (iii) das Reaktionsprodukt der Stufe (ii) 5 bis 7 Stunden lang bei 50 bis 140°C und einem Druck von 3 bis 23 MPa (30 bis 230 Atmosphären) umsetzt; (iv) einen Teil des Lösungsmittels in einem Rotationsverdampfer entfernt nach Abschluß der Stufe (iii); (v) das Reaktionsprodukt in Ethylether ausfällt und (vi) den Niederschlag von Stufe (v) filtriert und trocknet, um ein Photoresist-Copolymer zu erzeugen.
  13. Verfahren zur Herstellung eines Photoresist-Copolymers nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß das Verfahren die folgenden Stufen (i) bis (vi) umfaßt: (i) daß man 91 g 2-Hydroxyethyl-5-norbornen-2-carboxylat, 97 g t-Butyl-5-norbornen-2-carboxylat und 86 g Vinylencarbonat in einen Reaktor gibt; (ii) das Reaktionsprodukt der Stufe (i) mit Stickstoff spült; (iii) das Reaktionsprodukt von Stufe (ii) 6 Stunden lang bei 65 bis 120°C und einem Druck von 5 bis 20 MPa (50 bis 200 Atmosphären) umsetzt; (iv) einen Teil des Lösungsmittels mit einem Rotationsverdampfer entfernt nach Abschluß der Stufe (iii); (v) das Reaktionsprodukt in Ethylether ausfällt und (vi) den Niederschlag von Stufe (v) filtriert und trocknet, um ein Photoresist-Copolymer herzustellen.
  14. Verfahren zur Herstellung eines Photoresist-Copolymers gemäß Anspruch 6, das die folgenden Stufen (i) bis (vi) umfaßt: (i) daß man 2-Hydroxyethyl-5-norbornen-2-carboxylat, ein t-Butyl-5-norbornen-2-carboxylat und Maleinsäureanhydrid in einen Reaktor gibt; (ii) das Reaktionsprodukt von Stufe (i) mit Stickstoff spült; (iii) das Reaktionsprodukt von Stufe (ii) 5 bis 7 Stunden lang bei 50 bis 140°C und einem Druck von 3 bis 23 MPa (30 bis 230 Atmosphären) umsetzt; (iv) einen Teil des Lösungsmittels in einem Rotationsverdampfer entfernt nach Abschluß der Stufe (iii); (v) das Reaktionsprodukt in Ethylether ausfällt und (vi) den Niederschlag von Stufe (v) filtriert und trocknet, um ein Photoresist-Copolymer herzustellen.
  15. Verfahren zur Herstellung eines Photoresist-Copolymers nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß das Verfahren die folgenden Stufen (i) bis (vi) umfaßt: (i) daß man 91 g 2-Hydroxyethyl-5-norbornen-2-carboxylat, 97 g t-Butyl-5-norbornen-2-carboxylat und 98 g Maleinsäureanhydrid in einen Reaktor gibt; (ii) das Reaktionsprodukt von Stufe (i) mit Stickstoff spült; (iii) das Reaktionsprodukt von Stufe (ii) 6 Stunden lang bei 65 bis 120°C und einem Druck von 5 bis 20 MPa (50 bis 200 Atmosphären) umsetzt; (iv) einen Teil des Lösungsmittels mit einem Rotationsverdampfer nach Abschluß von Stufe (iii) entfernt; (v) einen Rest des Lösungsmittels in Ethylether ausfällt und (vi) den Niederschlag von Stufe (v) filtriert und trocknet, um ein Photoresist-Copolymer herzustellen.
  16. Verfahren zur Herstellung eines Photoresist-Copolymers gemäß Anspruch 6, das die folgenden Stufen (i) bis (vii) umfaßt: (i) daß man ein 2-Hydroxyethyl-bicyclo[2,2,2]oct-5-en-2-carboxylat, ein t-Butyl-bicyclo[2,2,2]oct-5-en-2-carboxylat und ein Vinylencarbonat in einen Reaktor gibt; (ii) zu dem Reaktionsprodukt der Stufe (i) ein Tetrahydrofuran-Lösungsmittel zugibt; (iii) Azobisisobutyronitril (AIBN) zu dem Reaktionsprodukt von Stufe (ii) zugibt und dann mit Stickstoff den Reaktor spült; (iv) das Reaktionsprodukt von Stufe (iii) 5 bis 8 Stunden lang bei einer Temperatur von 50 bis 80°C umsetzt; (v) einen Teil des Lösungsmittels in einem Rotationsverdampfer entfernt nach Abschluß von Stufe (iv); (vi) einen Rest des Lösungsmittels in Ethylether ausfällt und (vii) den Niederschlag von Stufe (vi) filtriert und trocknet, um ein Photoresist-Copolymer herzustellen.
  17. Verfahren zur Herstellung eines Photoresist-Copolymers nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß das Verfahren die folgenden Stufen (i) bis (vii) umfaßt: (i) daß man 98 g 2-Hydroxyethyl-bicyclo[2,2,2]oct-5-en-2-carboxylat, 104 g eines t-Butyl-bicyclo[2,2,2]oct-5-en-2-carboxylat und 86 g Vinylencarbonat in einen Reaktor gibt; (ii) 2 l Tetrahydrofuran als Lösungsmittel zu dem Reaktionsprodukt von Stufe (i) zugibt; (iii) 1,5 g Azobisisobutyronitril (AIBN) dem Reaktionsprodukt von Stufe (ii) zugibt und dann mit Stickstoff den Reaktor spült; (iv) das Reaktionsprodukt von Stufe (iii) 6 Stunden bei 65°C umsetzt; (v) einen Teil des Lösungsmittel in einem Rotationsverdampfer entfernt nach Abschluß der Stufe (iv); (vi) das Reaktionsprodukt in Ethylether ausfällt und (vii) den Niederschlag von Stufe (vi) filtriert und trocknet, um ein Photoresist-Copolymer herzustellen.
  18. Verfahren zur Herstellung eines Photoresist-Copolymers gemäß Anspruch 6, das die folgenden Stufen (i) bis (vii) umfaßt: (i) daß man 2-Hydroxyethyl-bicyclo[2,2,2]oct-5-en-2-carboxylat, ein t-Butyl-bicyclo[2,2,2]oct-5-en-2-carboxylat und Maleinsäureanhydrid in einen Reaktor gibt; (ii) Tetrahydrofuran zu dem Reaktionsprodukt von Stufe (i) zugibt; (iii) Azobisisobutyronitril (AIBN) zu dem Reaktionsprodukt von Stufe (ii) zugibt und dann mit Stickstoff den Reaktor spült; (iv) das Reaktionsprodukt von Stufe (iii) 5 bis 8 Stunden lang bei einer Temperatur von 50 bis 80°C umsetzt; (v) einen Teil des Lösungsmittels in einem Rotationsverdampfer entfernt nach Abschluß der Stufe (iv); (vi) einen Rest des Lösungsmittels in Ethylether ausfällt und (vii) den Niederschlag von Stufe (vi) filtriert und trocknet, um ein Photoresist-Copolymer herzustellen.
  19. Verfahren zur Herstellung eines Photoresist-Copolymers nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß das Verfahren die folgenden Stufen (i) bis (vii) umfaßt: (i) daß man 98 g 2-Hydroxyethyl-bicyclo[2,2,2]oct-5-en-2-carboxylat, 104 g t-Butyl-bicyclo[2,2,2]oct-5-en-2-carboxylat und 98 g Maleinsäureanhydrid in einen Reaktor gibt; (ii) 2 l Tetrahydrofuran zu dem Reaktionsprodukt von Stufe (i) zugibt; (iii) 1,5 g Azobisisobutyronitril (AIBN) dem Reaktionsprodukt von Stufe (ii) zugibt und dann den Reaktor mit Stickstoff spült; (iv) das Reaktionsprodukt von Stufe (iii) 6 Stunden lang bei 65°C umsetzt; (v) einen Teil des Lösungsmittels in einem Rotationsverdampfer nach Abschluß der Stufe (iv) entfernt; (vi) das Reaktionsprodukt els in Ethylether ausfällt und (vii) den Niederschlag von Stufe (vi) filtriert und trocknet, um ein Photoresist-Copolymer herzustellen.
  20. Verfahren zur Herstellung eines Photoresist-Copolymers gemäß Anspruch 6, das die folgenden Stufen (i) bis (iv) umfaßt: (i) daß man 1 Mol Maleinsäureanhydrid, 0,05 bis 0,8 Mol 2-Hydroxyethyl-5-norbornen-2-carboxylat, 0,5 bis 0,95 Mol t-Butyl-5-norbornen-2-carboxylat und 0,01 bis 0,2 Mol 5-Norbornen-2-carbonsäure in Tetrahydrofuran oder Toluol als Lösungsmittel löst; (ii) 0,5 bis 1,0 g Azobisisobutyronitril (AIBN) als Initiator zu dem Reaktionsprodukt von Stufe (i) zugibt; (iii) das Reaktionsprodukt von Stufe (ii) 4 bis 24 Stunden lang bei 65 bis 70°C unter Stickstoff oder Argonatmosphäre umsetzt und (iv) das Reaktionsprodukt von Stufe (iii) ausfällt und trocknet, um Poly-(2-hydroxyethyl-5-norbor-nen-2-carboxylat/t-Butyl-5-norbornen-2-carboxylat/5-Norbornen-2-carboxylat/Maleinsäureanhydrid)-Photoresist-Copolymer herzustellen.
  21. Verwendung des Photoresistlack-Copolymer nach Anspruch 1 als Photoresistlack.
  22. Verwendung des Copolymer nach Anspruch 1 als Photoresist zur Herstellung eines integrierten Schaltkreises,
  23. Verwendung des Copolymer nach Anspruch 1 als Photoresist für eine Halbleitervorrichtung, wobei die Vorrichtung ein Substrat und einen Resistlackfilm umfaßt, wobei der Lackfilm ein Photoresist-Copolymer nach Anspruch 1 umfasst.
DE19758244.3A 1996-12-31 1997-12-30 Photoresist-Copolymer auf der Basis von Bicycloalkenen, Verfahren zu dessen Herstellung und dessen Verwendung Expired - Lifetime DE19758244B4 (de)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR96-80264 1996-12-31
KR19960080264 1996-12-31
KR1019970026807A KR100265597B1 (ko) 1996-12-30 1997-06-21 Arf 감광막 수지 및 그 제조방법
KR97-26807 1997-06-21

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE19758244A1 DE19758244A1 (de) 1998-07-02
DE19758244B4 true DE19758244B4 (de) 2014-08-14

Family

ID=26632436

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19758244.3A Expired - Lifetime DE19758244B4 (de) 1996-12-31 1997-12-30 Photoresist-Copolymer auf der Basis von Bicycloalkenen, Verfahren zu dessen Herstellung und dessen Verwendung

Country Status (10)

Country Link
US (1) US6132926A (de)
JP (4) JP3220745B2 (de)
KR (1) KR100265597B1 (de)
CN (2) CN1983029B (de)
DE (1) DE19758244B4 (de)
FR (1) FR2757868B1 (de)
GB (1) GB2320718B (de)
IT (1) IT1297352B1 (de)
NL (1) NL1007939C2 (de)
TW (1) TW388926B (de)

Families Citing this family (92)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100265597B1 (ko) * 1996-12-30 2000-09-15 김영환 Arf 감광막 수지 및 그 제조방법
US6808859B1 (en) 1996-12-31 2004-10-26 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. ArF photoresist copolymers
KR100225956B1 (ko) * 1997-01-10 1999-10-15 김영환 아민을 도입한 에이알에프 감광막 수지
KR100321080B1 (ko) * 1997-12-29 2002-11-22 주식회사 하이닉스반도체 공중합체수지와이의제조방법및이수지를이용한포토레지스트
KR100520148B1 (ko) * 1997-12-31 2006-05-12 주식회사 하이닉스반도체 신규한바이시클로알켄유도체와이를이용한포토레지스트중합체및이중합체를함유한포토레지스트조성물
KR100334387B1 (ko) 1997-12-31 2002-11-22 주식회사 하이닉스반도체 공중합체수지와그제조방법및이수지를이용한포토레지스트
JPH11231541A (ja) * 1998-02-17 1999-08-27 Daicel Chem Ind Ltd 放射線感光材料及びそれを使用したパターン形成方法
US6147177A (en) * 1998-02-23 2000-11-14 The B. F. Goodrich Company Polycyclic resist compositions with increased etch resistance
KR19990081722A (ko) 1998-04-30 1999-11-15 김영환 카르복실기 함유 지환족 유도체 및 그의 제조방법
KR100376983B1 (ko) * 1998-04-30 2003-08-02 주식회사 하이닉스반도체 포토레지스트중합체및이를이용한미세패턴의형성방법
KR100546472B1 (ko) 1998-07-01 2006-01-26 프로메러스, 엘엘씨 폴리시클릭 공중합체 조성물
KR100403325B1 (ko) 1998-07-27 2004-03-24 주식회사 하이닉스반도체 포토레지스트중합체및이를이용한포토레지스트조성물
KR20000014580A (ko) * 1998-08-21 2000-03-15 김영환 신규한 포토레지스트 중합체 및 이를 이용한 포토레지스트 조성물
KR20000015014A (ko) 1998-08-26 2000-03-15 김영환 신규의 포토레지스트용 단량체, 중합체 및 이를 이용한 포토레지스트 조성물
JP3587743B2 (ja) 1998-08-26 2004-11-10 株式会社ハイニックスセミコンダクター フォトレジスト単量体とその製造方法、フォトレジスト共重合体とその製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法、および、半導体素子。
US6569971B2 (en) * 1998-08-27 2003-05-27 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Polymers for photoresist and photoresist compositions using the same
KR100274119B1 (ko) * 1998-10-08 2001-03-02 박찬구 감방사선성 레지스트 제조용 중합체 및 이를 함유하는 레지스트조성물
KR100400295B1 (ko) * 1998-10-17 2004-02-14 주식회사 하이닉스반도체 신규한포토레지스트모노머,그의공중합체및이를이용한포토레지스트조성물및제조방법
US6114085A (en) * 1998-11-18 2000-09-05 Clariant Finance (Bvi) Limited Antireflective composition for a deep ultraviolet photoresist
KR100400293B1 (ko) * 1998-11-27 2004-03-22 주식회사 하이닉스반도체 포토레지스트단량체,그의중합체및이를이용한포토레지스트조성물
US6475904B2 (en) * 1998-12-03 2002-11-05 Advanced Micro Devices, Inc. Interconnect structure with silicon containing alicyclic polymers and low-k dielectric materials and method of making same with single and dual damascene techniques
JP4144957B2 (ja) 1999-01-22 2008-09-03 富士通株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの形成方法
KR20000056355A (ko) * 1999-02-19 2000-09-15 김영환 고농도의 아민 존재하에서 우수한 특성을 갖는 포토레지스트 조성물
KR100634973B1 (ko) 1999-04-09 2006-10-16 센쥬긴소쿠고교가부시키가이샤 솔더볼 및 솔더볼의 피복방법
US6403280B1 (en) * 1999-04-28 2002-06-11 Jsr Corporation Radiation sensitive resin composition
KR20000073149A (ko) * 1999-05-07 2000-12-05 김영환 신규의 포토레지스트용 단량체, 그의 공중합체 및 이를 이용한포토레지스트 조성물
KR20010011766A (ko) * 1999-07-30 2001-02-15 김영환 신규한 포토레지스트 단량체, 그의 공중합체 및 이를 이용한 포토레지스트 조성물
KR20010011773A (ko) * 1999-07-30 2001-02-15 김영환 모포린 유도체를 포함하는 신규의 포토레지스트용 단량체, 그의 공중합체 및 이를 이용한 포토레지스트 조성물
KR100647380B1 (ko) * 1999-07-30 2006-11-17 주식회사 하이닉스반도체 신규의 포토레지스트용 단량체, 그의 공중합체 및 이를 이용한포토레지스트 조성물
KR20010016971A (ko) * 1999-08-06 2001-03-05 박종섭 신규한 포토레지스트 중합체 및 이를 이용한 포토레지스트 조성물
KR20010016972A (ko) * 1999-08-06 2001-03-05 박종섭 신규한 포토레지스트 단량체, 그의 공중합체 및 이를 이용한포토레지스트 조성물
KR20010016970A (ko) * 1999-08-06 2001-03-05 박종섭 신규한 포토레지스트 단량체, 그의 공중합체 및 이를 이용한포토레지스트 조성물
KR100301065B1 (ko) * 1999-08-16 2001-09-22 윤종용 백본이 환상 구조를 가지는 감광성 폴리머와 이를 포함하는 레지스트 조성물
KR100520180B1 (ko) * 1999-08-31 2005-10-10 주식회사 하이닉스반도체 포토레지스트의 노광후 지연 안정성을 확보하기 위한 첨가제
KR100557599B1 (ko) * 1999-08-31 2006-03-10 주식회사 하이닉스반도체 광조사에 의해 라디칼을 발생하는 그룹을 포함하는 포토레지스트단량체, 그의 공중합체 및 이를 이용한 포토레지스트 조성물
JP2001139669A (ja) * 1999-11-10 2001-05-22 Jsr Corp 硬化剤、熱硬化性樹脂組成物、およびその硬化物
JP4529245B2 (ja) * 1999-12-03 2010-08-25 住友化学株式会社 化学増幅型ポジ型レジスト組成物
US6365322B1 (en) 1999-12-07 2002-04-02 Clariant Finance (Bvi) Limited Photoresist composition for deep UV radiation
KR100576201B1 (ko) * 2000-01-17 2006-05-03 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 화학 증폭형 레지스트 재료
US6777157B1 (en) * 2000-02-26 2004-08-17 Shipley Company, L.L.C. Copolymers and photoresist compositions comprising same
US6277683B1 (en) * 2000-02-28 2001-08-21 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Method of forming a sidewall spacer and a salicide blocking shape, using only one silicon nitride layer
US6306554B1 (en) 2000-05-09 2001-10-23 Shipley Company, L.L.C. Polymers containing oxygen and sulfur alicyclic units and photoresist compositions comprising same
KR100583095B1 (ko) * 2000-06-30 2006-05-24 주식회사 하이닉스반도체 광산 발생제와 함께 광 라디칼 발생제(prg)를 포함하는포토레지스트 조성물
US6447980B1 (en) 2000-07-19 2002-09-10 Clariant Finance (Bvi) Limited Photoresist composition for deep UV and process thereof
KR100546098B1 (ko) * 2000-12-27 2006-01-24 주식회사 하이닉스반도체 열산 발생제를 포함하는 포토레지스트 조성물을 이용하여포토레지스트 패턴 폭 감소 현상을 개선하는 방법
KR100504290B1 (ko) * 2001-01-12 2005-07-27 삼성전자주식회사 포토레지스트용 옥소옥사알카노노르보넨 함유 공중합체 및그를 포함하는 포토레지스트 조성물
WO2002069038A2 (en) * 2001-02-25 2002-09-06 Shipley Company, L.L.C. Novel polymers and photoresist compositions comprising same
US6737215B2 (en) 2001-05-11 2004-05-18 Clariant Finance (Bvi) Ltd Photoresist composition for deep ultraviolet lithography
US6686429B2 (en) 2001-05-11 2004-02-03 Clariant Finance (Bvi) Limited Polymer suitable for photoresist compositions
US6723488B2 (en) 2001-11-07 2004-04-20 Clariant Finance (Bvi) Ltd Photoresist composition for deep UV radiation containing an additive
FR2832411A1 (fr) * 2001-11-19 2003-05-23 Atofina Copolymere amorphe partiellement fluore permettant la fabrication de materiaux conducteurs de la lumiere
FR2832412B1 (fr) * 2001-11-19 2003-12-19 Atofina Polymere fonctionnel reticulable permettant la fabrication de materiaux conducteurs de la lumiere
KR100440776B1 (ko) * 2001-12-17 2004-07-21 주식회사 하이닉스반도체 불화아르곤 노광원을 이용한 반도체 소자 제조 방법
US7138218B2 (en) * 2001-12-18 2006-11-21 Hynix Semiconductor Inc. Process for forming an ultra fine pattern using a bottom anti-reflective coating film containing an acid generator
US6800416B2 (en) 2002-01-09 2004-10-05 Clariant Finance (Bvi) Ltd. Negative deep ultraviolet photoresist
US7070914B2 (en) 2002-01-09 2006-07-04 Az Electronic Materials Usa Corp. Process for producing an image using a first minimum bottom antireflective coating composition
US6844131B2 (en) 2002-01-09 2005-01-18 Clariant Finance (Bvi) Limited Positive-working photoimageable bottom antireflective coating
US20030235775A1 (en) 2002-06-13 2003-12-25 Munirathna Padmanaban Photoresist composition for deep ultraviolet lithography comprising a mixture of photoactive compounds
US7264913B2 (en) 2002-11-21 2007-09-04 Az Electronic Materials Usa Corp. Antireflective compositions for photoresists
US20040166434A1 (en) 2003-02-21 2004-08-26 Dammel Ralph R. Photoresist composition for deep ultraviolet lithography
US7674847B2 (en) * 2003-02-21 2010-03-09 Promerus Llc Vinyl addition polycyclic olefin polymers prepared with non-olefinic chain transfer agents and uses thereof
US7338742B2 (en) * 2003-10-08 2008-03-04 Hynix Semiconductor Inc. Photoresist polymer and photoresist composition containing the same
US7270937B2 (en) * 2003-10-17 2007-09-18 Hynix Semiconductor Inc. Over-coating composition for photoresist and process for forming photoresist pattern using the same
KR100680405B1 (ko) * 2003-11-19 2007-02-08 주식회사 하이닉스반도체 Euv용 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한포토레지스트 패턴 형성 방법
US7473512B2 (en) 2004-03-09 2009-01-06 Az Electronic Materials Usa Corp. Process of imaging a deep ultraviolet photoresist with a top coating and materials thereof
US20050214674A1 (en) 2004-03-25 2005-09-29 Yu Sui Positive-working photoimageable bottom antireflective coating
US7081511B2 (en) 2004-04-05 2006-07-25 Az Electronic Materials Usa Corp. Process for making polyesters
KR100574496B1 (ko) * 2004-12-15 2006-04-27 주식회사 하이닉스반도체 상부반사방지막 중합체, 그 제조방법 및 이를 함유하는상부반사방지막 조성물
KR100694412B1 (ko) * 2006-02-24 2007-03-12 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의 미세패턴 형성방법
US7745339B2 (en) * 2006-02-24 2010-06-29 Hynix Semiconductor Inc. Method for forming fine pattern of semiconductor device
KR100849800B1 (ko) * 2006-07-20 2008-07-31 주식회사 하이닉스반도체 노광 마스크 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법
US8313876B2 (en) * 2006-07-20 2012-11-20 Hynix Semiconductor Inc. Exposure mask and method for manufacturing semiconductor device using the same
US7790357B2 (en) * 2006-09-12 2010-09-07 Hynix Semiconductor Inc. Method of forming fine pattern of semiconductor device
US7959818B2 (en) * 2006-09-12 2011-06-14 Hynix Semiconductor Inc. Method for forming a fine pattern of a semiconductor device
KR100861173B1 (ko) * 2006-12-01 2008-09-30 주식회사 하이닉스반도체 액침 노광 공정을 이용한 반도체 소자의 패턴 형성 방법
KR20080057562A (ko) * 2006-12-20 2008-06-25 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법
KR100919564B1 (ko) * 2007-06-29 2009-10-01 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법
KR100876816B1 (ko) * 2007-06-29 2009-01-07 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법
US8088548B2 (en) * 2007-10-23 2012-01-03 Az Electronic Materials Usa Corp. Bottom antireflective coating compositions
US8221965B2 (en) * 2008-07-08 2012-07-17 Az Electronic Materials Usa Corp. Antireflective coating compositions
US8329387B2 (en) 2008-07-08 2012-12-11 Az Electronic Materials Usa Corp. Antireflective coating compositions
US20100092894A1 (en) * 2008-10-14 2010-04-15 Weihong Liu Bottom Antireflective Coating Compositions
KR101037528B1 (ko) * 2008-10-16 2011-05-26 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 패턴 형성 방법
US8455176B2 (en) * 2008-11-12 2013-06-04 Az Electronic Materials Usa Corp. Coating composition
US8632948B2 (en) * 2009-09-30 2014-01-21 Az Electronic Materials Usa Corp. Positive-working photoimageable bottom antireflective coating
US8507192B2 (en) 2010-02-18 2013-08-13 Az Electronic Materials Usa Corp. Antireflective compositions and methods of using same
US8449781B2 (en) 2010-06-22 2013-05-28 International Business Machines Corporation Selective etch back process for carbon nanotubes intergration
US8853856B2 (en) 2010-06-22 2014-10-07 International Business Machines Corporation Methodology for evaluation of electrical characteristics of carbon nanotubes
US8475667B2 (en) 2010-06-22 2013-07-02 International Business Machines Corporation Method of patterning photosensitive material on a substrate containing a latent acid generator
JP5751487B2 (ja) * 2011-07-21 2015-07-22 三菱レイヨン株式会社 レジスト用重合体の製造方法、レジスト組成物の製造方法、およびパターンが形成された基板の製造方法
KR101378026B1 (ko) * 2013-04-26 2014-03-25 금호석유화학주식회사 레지스트용 중합체 및 이를 포함하는 레지스트 조성물
KR102038749B1 (ko) * 2016-03-31 2019-10-30 주식회사 엘지화학 알칼리 가용성 수지 및 이를 포함하는 감광성 수지 조성물, 포토 스페이서 및 디스플레이 장치

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05297591A (ja) * 1992-04-20 1993-11-12 Fujitsu Ltd ポジ型放射線レジストとレジストパターンの形成方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL6914466A (de) * 1969-09-24 1971-03-26
US3715330A (en) * 1970-05-20 1973-02-06 Asahi Chemical Ind Self-thermoset unsaturated polyesters and method for preparation thereof
JPS5818369B2 (ja) * 1973-09-05 1983-04-12 ジェイエスアール株式会社 ノルボルネンカルボンサンアミドオヨビ / マタハイミドルイノ ( キヨウ ) ジユウゴウタイノセイゾウホウホウ
US4106943A (en) * 1973-09-27 1978-08-15 Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. Photosensitive cross-linkable azide containing polymeric composition
US4491628A (en) * 1982-08-23 1985-01-01 International Business Machines Corporation Positive- and negative-working resist compositions with acid generating photoinitiator and polymer with acid labile groups pendant from polymer backbone
DE3721741A1 (de) * 1987-07-01 1989-01-12 Basf Ag Strahlungsempfindliches gemisch fuer lichtempfindliche beschichtungsmaterialien
EP0380676B1 (de) * 1988-02-17 1994-05-04 Tosoh Corporation Fotoresist-zusammensetzung
JPH0251511A (ja) * 1988-08-15 1990-02-21 Mitsui Petrochem Ind Ltd 極性基含有環状オレフイン系共重合体およびその製法
DE3922546A1 (de) * 1989-07-08 1991-01-17 Hoechst Ag Verfahren zur herstellung von cycloolefinpolymeren
US5252427A (en) * 1990-04-10 1993-10-12 E. I. Du Pont De Nemours And Company Positive photoresist compositions
CA2064750C (en) * 1990-06-06 2002-03-19 Satoru Moriya Polyolefin resin composition
US5705503A (en) * 1995-05-25 1998-01-06 Goodall; Brian Leslie Addition polymers of polycycloolefins containing functional substituents
JP3804138B2 (ja) * 1996-02-09 2006-08-02 Jsr株式会社 ArFエキシマレーザー照射用感放射線性樹脂組成物
KR100536824B1 (ko) * 1996-03-07 2006-03-09 스미토모 베이클라이트 가부시키가이샤 산불안정성펜던트기를지닌다중고리중합체를포함하는포토레지스트조성물
US5843624A (en) * 1996-03-08 1998-12-01 Lucent Technologies Inc. Energy-sensitive resist material and a process for device fabrication using an energy-sensitive resist material
KR100261022B1 (ko) * 1996-10-11 2000-09-01 윤종용 화학증폭형 레지스트 조성물
KR100265597B1 (ko) * 1996-12-30 2000-09-15 김영환 Arf 감광막 수지 및 그 제조방법
KR100220953B1 (ko) * 1996-12-31 1999-10-01 김영환 아미드 또는 이미드를 도입한 ArF 감광막 수지
KR100225956B1 (ko) * 1997-01-10 1999-10-15 김영환 아민을 도입한 에이알에프 감광막 수지
KR100252546B1 (ko) * 1997-11-01 2000-04-15 김영환 공중합체 수지와 포토레지스트 및 그 제조방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05297591A (ja) * 1992-04-20 1993-11-12 Fujitsu Ltd ポジ型放射線レジストとレジストパターンの形成方法

Non-Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Crivello, J. V., u.a., Chemistry of Materials (1996), 8(2), S. 376-381. *
Dobrev, A. A., u.a., Bulgarian Chemical Communication (1995) 28(2), S. 253-258. *
Ito, T., u.a., Memoirs of the Faculty of Engineering, Osaka City University (1965), 7, S. 87-93. *
JP 5297591 A
Judge, J. M., u.a., Journal of Polymer Science (1959), 41, S. 435-443. *
Lattes, A. u.a, Bulgarien Chemical Communication (1992), 25 (3), S. 416-426. *
Nyitrai, K., u.a., Magyar Kemiai Folyoirat (1966), 72(11), S. 491-493. *

Also Published As

Publication number Publication date
JP4025956B2 (ja) 2007-12-26
GB2320718A8 (en) 1999-08-17
GB9727474D0 (en) 1998-02-25
CN1983029B (zh) 2012-03-14
IT1297352B1 (it) 1999-09-01
CN1983029A (zh) 2007-06-20
JP2002003541A (ja) 2002-01-09
JPH10218947A (ja) 1998-08-18
FR2757868B1 (fr) 2003-11-14
JP2007146182A (ja) 2007-06-14
JP4999499B2 (ja) 2012-08-15
CN1478800A (zh) 2004-03-03
GB2320718A9 (en) 1999-08-17
KR19980063345A (ko) 1998-10-07
CN1280321C (zh) 2006-10-18
JP2002003542A (ja) 2002-01-09
US6132926A (en) 2000-10-17
KR100265597B1 (ko) 2000-09-15
ITTO971150A1 (it) 1999-06-30
NL1007939A1 (nl) 1998-07-01
JP3220745B2 (ja) 2001-10-22
NL1007939C2 (nl) 1998-11-17
GB2320718B (en) 2000-09-13
TW388926B (en) 2000-05-01
GB2320718A (en) 1998-07-01
FR2757868A1 (fr) 1998-07-03
DE19758244A1 (de) 1998-07-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19758244B4 (de) Photoresist-Copolymer auf der Basis von Bicycloalkenen, Verfahren zu dessen Herstellung und dessen Verwendung
DE69726542T2 (de) Chemisch verstärkte Resistzusammensetzung
DE4319178C2 (de) Resist-Zusammensetzung enthaltend ein Polymermaterial und einen Säuregenerator
DE19721693B4 (de) Photoresists mit Vinyl-4-Tetrahydropyranyloxybenzal-Vinyl-4-Hydroxybenzal-Vinyltetrahydropyranylether-Vinylacetat-Copolymer und mit Vinyl-4-Tetrahydropyranyloxybenzal-Vinyltetrahydropyranylether-Vinylacetat-Copolymer
DE19753276B4 (de) Amid- oder Imid- enthaltendes Copolymer, Herstellungsverfahren für das Copolymer und dieses Copolymer enthaltendes Photoresist
DE4409220C2 (de) Musterbildungsmaterial und Musterbildungsverfahren
US6608158B2 (en) Copolymer resin, preparation thereof, and photoresist using the same
US6808859B1 (en) ArF photoresist copolymers
DE19637425B4 (de) Neue N-Vinyllactam-Derivate und deren Polymere
DE19721694B4 (de) N-Vinyllactamderivate enthaltende Copolymere, Herstellungsverfahren hierfür und hieraus hergestellte Photoresists
DE69927104T2 (de) Polymer für lichtempfindichen Resist und dieses Polymer enthaltende Resistzusammensetzung
DE19860767A1 (de) Halbleitervorrichtung unter Verwendung eines polymerhaltigen Photoresists und Verfahren zu dessen Herstellung
DE19725348A1 (de) Photosensitive Polymerverbindung und diese enthaltende Photoresistzusammensetzung
DE69905424T2 (de) Positiv arbeitende lichtempfindliche Harzzusammensetzung
DE69123873T2 (de) Photoresistzusammensetzung
KR100334387B1 (ko) 공중합체수지와그제조방법및이수지를이용한포토레지스트
DE19940515A1 (de) Neue Monomere für Photoresiste, deren Polymere und Photoresist-Zusammensetzungen, die diese verwenden
DE19860782A1 (de) Neues Monomer und Polymer für ein Photoresist und Photoresist, das dieses verwendet
DE19860832A1 (de) Copolymerharz, seine Herstellung und ein Photoresist, welches dieses verwendet
DE19900977A1 (de) Ring-opened Polymer
DE69228584T2 (de) Positiv-arbeitendes Resistmaterial
DE60003008T2 (de) Verfahren zur herstellung von polymeren enthaltend cyclische anhydride als seitengruppen
EP0206983A2 (de) Verfahren und Polymere zur Bilderzeugung
DE19746932B4 (de) Neues Photoresist-Copolymer und Photoresistzusammensetzung
DE10218512B4 (de) Lichtempfindliches Polymer und Resist-Zusammensetzungen

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R020 Patent grant now final
R071 Expiry of right