DE19636735A1 - Mehrschichtiges Schaltungssubstrat und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents
Mehrschichtiges Schaltungssubstrat und Verfahren zu seiner HerstellungInfo
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 84
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 41
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 41
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims abstract description 34
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 12
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 12
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 11
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 9
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910020220 Pb—Sn Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 5
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 claims description 5
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 5
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- -1 hexafluoroisopropyl Chemical group 0.000 claims description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 76
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 101100346656 Drosophila melanogaster strat gene Proteins 0.000 description 2
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 2
- 101100102516 Clonostachys rogersoniana vern gene Proteins 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
- H01L21/486—Via connections through the substrate with or without pins
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
- H01L21/4857—Multilayer substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
- H01L23/5384—Conductive vias through the substrate with or without pins, e.g. buried coaxial conductors
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/12—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
- H05K3/1258—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns by using a substrate provided with a shape pattern, e.g. grooves, banks, resist pattern
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
- H05K3/4664—Adding a circuit layer by thick film methods, e.g. printing techniques or by other techniques for making conductive patterns by using pastes, inks or powders
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
- H05K1/095—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks for polymer thick films, i.e. having a permanent organic polymeric binder
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/05—Patterning and lithography; Masks; Details of resist
- H05K2203/0562—Details of resist
- H05K2203/0568—Resist used for applying paste, ink or powder
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
- H05K3/0017—Etching of the substrate by chemical or physical means
- H05K3/0023—Etching of the substrate by chemical or physical means by exposure and development of a photosensitive insulating layer
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/107—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by filling grooves in the support with conductive material
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/386—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by the use of an organic polymeric bonding layer, e.g. adhesive
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/44—Manufacturing insulated metal core circuits or other insulated electrically conductive core circuits
- H05K3/445—Manufacturing insulated metal core circuits or other insulated electrically conductive core circuits having insulated holes or insulated via connections through the metal core
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
- H05K3/465—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits by applying an insulating layer having channels for the next circuit layer
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
- H05K3/4652—Adding a circuit layer by laminating a metal foil or a preformed metal foil pattern
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein mehrschichtiges
Schaltungssubstrat und ein Verfahren zu seiner Herstellung,
und richtet sich im besonderen auf ein mehrschichtiges
Schaltungssubstrat und ein Verfahren zur Herstellung eines
mehrschichtigen Schaltungssubstrats unter Verwendung einer
leitfähigen Tinte und einer Metalldünnschicht.
Einschichtige und mehrschichtige Schaltungssubstrate
haben bei Halbleiterkomponenten bereits breite Anwendung
gefunden. Insbesondere wurden mehrschichtige Schaltungssub
strate besonders untersucht, die in Übereinstimmung mit dem
Trend zu hoher Integration trotz Kleinheit des Substrats
viele Vorrichtungen integrieren können.
Ein herkömmliches mehrschichtiges Schaltungssubstrat
wird hergestellt, indem schichtenweise abgelagert und geätzt
wird, so daß der Herstellungsprozeß kompliziert ist. Außer
dem beschränken sich die Materialien für das Substrat auf
solche, die geätzt werden können.
Zur Lösung eines solchen Problems wurde vom Anmelder
der vorliegenden Anmeldung bereits ein Verfahren vorgeschla
gen, nach welchem ein Schaltungssubstrat, statt den Ätzpro
zeß zu verwenden, durch Bedrucken eines Substrats mit einer
leitfähigen Tinte hergestellt wird.
Bei dem Verfahren der Herstellung eines mehrschichtigen
Schaltungssubstrats mit diesem Druckvorgang neigt eine
Schicht aus einer leitfähigen Tinte wegen der Viskosität
derselben dazu, runde Formen auf dem Substrat auszubilden.
Außerdem kann die Schicht aus leitfähiger Tinte wegen ihrer
Ungleichmäßigkeit infolge unterschiedlicher Größen der Tin
tenpartikel keine Ebenheit gewährleisten, so daß das Draht
bonden auf ihrer Oberfläche nicht einfach ist.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein mehrschichtiges
Schaltungssubstrat zu schaffen, bei welchem die Oberfläche
verbessert ist. Ferner ist es Aufgabe der Erfindung, ein
Verfahren zur Herstellung eines mehrschichtigen Schaltungs
substrats mit verbesserter Oberfläche zu schaffen.
Hierzu sieht die Erfindung ein Verfahren zur Herstel
lung eines mehrschichtigen Schaltungssubstrats vor, welches
die Verfahrensschritte des Beschichtens der Oberseite eines
Substrats mit einer lichtempfindlichen Isolationsschicht,
Belichtens und Entwickelns der lichtempfindlichen Isola
tionsschicht zur Ausbildung einer lichtempfindlichen Isola
tionsschicht mit bestimmtem Muster und Musterzwischenräumen,
Ausbildens einer leitfähigen Schicht durch Drucken einer
leitfähigen Tinte in die Musterzwischenräume, Ausbildens
einer Anzahl von Schichten, wobei jede Schicht durch eine
lichtempfindliche Isolationsschicht eines bestimmten Musters
mit Musterzwischenräumen und eine in den Musterzwischenräu
men ausgebildete leitfähige Schicht gebildet ist, durch
Wiederholen der vorhergehenden Schritte, Beschichtens der
obersten der Schichten mit einer adhäsiven bzw. klebenden
Isolationsschicht, Ausbildens einer Metalldünnschicht auf
der adhäsiven Isolationsschicht durch Wärmepressung, und
Ätzens der Metalldünnschicht zur Ausbildung eines bestimmten
Metalldünnschichtmusters, und Ausbildens eines Durchgangs
loches, in welches ein leitfähiges Material eingeführt wird
und welches das Substrat, die leitfähige Schicht, lichtemp
findliche Isolationsschicht und Metalldünnschicht zur elek
trischen Verbindung der leitfähigen Schicht mit der gemu
sterten Dünnschicht durchsetzt, aufweist.
Zur Lösung der Aufgabe sieht die Erfindung ferner ein
mehrschichtiges Schaltungssubstrat vor, welches ein Sub
strat, eine Anzahl von auf dem Substrat ausgebildeten
Schichten, wobei jede Schicht durch eine lichtempfindliche
Isolationsschicht mit bestimmten Musterzwischenräumen und
eine leitfähige Schicht, die durch eine leitfähige Tinte in
den Musterzwischenräumen gebildet ist, und eine Metalldünn
schicht eines bestimmten Musters aufweist, welche auf der
obersten Schicht der Anzahl von Schichten durch eine adhäsi
ve Isolationsschicht zur Anhaftung gebracht ist, wobei ein
Loch, in welches leitfähiges Material injiziert ist, das
Substrat, die Anzahl von Schichten und die Metalldünnschicht
durchsetzt, um die leitfähige Schicht und die Metalldünn
schicht elektrisch miteinander zu verbinden.
Im folgenden werden bevorzugte Ausführungsformen der
Erfindung anhand der beigefügten Zeichnungen beschrieben.
Auf dieser ist bzw. sind
Fig. 1A und 1B Darstellungen zur Wiedergabe eines Ver
fahrens zur Herstellung eines mehrschichtigen Schaltungs
substrats gemäß einer Ausführungsform der Erfindung,
Fig. 2 eine Schnittansicht des nach dem Herstellungs
verfahren der Fig. 1 hergestellten mehrschichtigen Schal
tungssubstrats, und
Fig. 3 eine Darstellung zur Wiedergabe einiger Schritte
eines Verfahrens zur Herstellung eines mehrschichtigen
Schaltungssubstrats gemäß einer weiteren Ausführungsform der
Erfindung.
Es wird nun unter Bezugnahme auf die Fig. 1A und 1B ein
Verfahren zur Herstellung eines mehrschichtigen Schaltungs
substrats gemäß der Erfindung beschrieben.
Zunächst wird ein Substrat 10 aus Metall, Keramik oder
einem isolierenden Material bereitgestellt (Schritt 100).
Wenn das Substrat 10 aus einem leitfähigen Metall (z. B.
Legierung 42 bzw. Kupferlegierung) besteht, welches ausge
zeichnete Wärmestabilität und Wärmeemissionsvermögen be
sitzt, wird ein erstes Loch 11 in dem Substrat 10 ausgebil
det (Schritt 110), die Oberfläche des Substrats 10 und das
erste Loch 11 mit einem Isolationsmaterial 12 beschichtet
(Schritt 120) und die Oberseite des beschichteten Isola
tionsmaterials 12 mit einer lichtempfindlichen Isolations
schicht 20 beschichtet (Schritt 130). Andererseits wird,
wenn das Substrat 10 aus einer Keramik oder einem isolieren
den Material besteht, die Oberseite des Substrats 10 mit der
lichtempfindlichen Isolationsschicht 20 ohne Vornahme des
Schritts 120 beschichtet.
Danach wird nach Ausrichten einer Photomaske 24 mit
einem bestimmten Muster auf der Oberfläche der lichtempfind
lichen Isolationsschicht 20 das Substrat 10 belichtet (Licht
26) und entwickelt (Schritt 140). Der belichtete Teil der
lichtempfindlichen Isolationsschicht 20 wird dabei durch
eine Entwicklerlösung entfernt und so eine lichtempfindliche
Isolationsschicht 20A mit einem bestimmten Muster ausgebil
det (Schritt 150).
Dann wird eine leitfähige Tinte in im Schritt 150 ent
standene Musterzwischenräume 22 der leitfähigen Isolations
schicht 20A gedruckt und zur Härtung mehrere Male erwärmt,
womit eine leitfähige Schicht 30 ausgebildet wird (Schritt
160)
Wie oben beschrieben, wird ein einschichtiges Schal
tungssubstrat mit den Schritten 100 bis 160 hergestellt. Ein
mehrschichtiges Schaltungssubstrat kann also ausgebildet
werden, indem diese Schritte wiederholt werden (Schritt
170). D.h., es wird zur elektrischen Isolation des ein
schichtigen Schaltungssubstrats dieses mit einer lichtemp
findlichen Isolationsschicht beschichtet (nicht gezeigt).
Nach Ausrichtung einer Photomaske mit einem bestimmten Mu
ster (nicht gezeigt) auf der Oberfläche der lichtempfind
lichen Isolationsschicht wird eine lichtempfindliche Isola
tionsschicht 20B eines bestimmten Musters ausgebildet, und
die Musterzwischenräume werden über einen Belichtungs- und
Entwicklungsvorgang ausgebildet (nicht gezeigt). Dann wird
eine leitfähige Schicht 30A durch Drucken einer leitfähigen
Tinte in die Musterzwischenräume ausgebildet, womit ein
zweischichtiges Druck-Schaltungssubstrat hergestellt ist.
Wenn also diese Vorgänge wiederholt werden, lassen sich eine
Anzahl von leitfähigen Schichten 30, 30A, 30B und 30C durch
Drucken einer leitfähigen Tinte in die Musterzwischenräume
der lichtempfindlichen Isolationsschichten 20A, 20B, 20C und
20D ausbilden.
Als nächstes wird, nachdem das die lichtempfindliche
Isolationsschicht 20D aufweisende Substrat mit einer adhäsi
ven bzw. klebenden Isolationsschicht 40 beschichtet worden
ist, eine Metalldünnschicht 50, wie etwa eine Kupferdünn
schicht, thermisch gepreßt, um so an der adhäsiven Isola
tionsschicht 40 zur Anhaftung gebracht zu werden (Schritt
180). Die Metalldünnschicht 50 als ein Material, das bei
einem Schaltungssubstrat breite Anwendung findet, hat dabei
überragende Ebenheit, so daß Komponenten, beispielsweise ein
Chip, leicht darauf angebracht werden können.
Eine Metalldünnschicht 50A eines bestimmten Musters
wird dann durch Ätzen der Metalldünnschicht 50 ausgebildet,
wonach Zwischenräume der Metalldünnschicht 50A mit einem
isolierenden Material 60 gefüllt werden.
Danach wird ein Durchgangsloch 70 ausgebildet, welches
das Substrat 10, das gefüllte erste Loch 11 (siehe Schritt
110), die leitfähigen Schichten 30, 30A, 30B und 30C, die
lichtempfindlichen Isolationsschichten 20A, 20B, 20C und
20D, die adhäsive Isolationsschicht 40 und die Metalldünn
schicht 50A durchsetzt (Schritt 200). Dann wird eine leitfä
hige Tinte 70A in das Durchgangsloch 70 implantiert, womit
ein mehrschichtiges Schaltungssubstrat vervollständigt ist.
Das Durchgangsloch 70, in welches die leitfähige Tinte 70A
implantiert worden ist, verbindet also die leitfähigen
Schichten 30, 30A, 30B und 30C, die in Musterzwischenräumen
des Isolationsmaterials in jeder Etage ausgebildet sind, und
die Metalldünnschicht 50A miteinander. Das gefüllte Loch 11
wird dabei um etwa 100 bis 200 µm größer als das Durchgangs
loch 70 ausgebildet. Das Isolationsmaterial 12 ist damit in
einer ausreichenden Dicke dafür gewährleistet, so daß bei
der Ausbildung des Durchgangslochs 17 eine elektrische Iso
lation zum Substrat 10 erreicht werden kann.
Fig. 2 ist eine Schnittansicht, welche eine Ausfüh
rungsform des nach dem in den Fig. 1A und 1B gezeigten Ver
fahren hergestellten mehrschichtigen Schaltungssubstrats
zeigt. Die gleichen Bezugszeichen wie diejenigen der Fig. 1A
und 1B geben die gleichen Komponenten wie diejenigen der
Fig. 1A und 1B an.
Dieses mehrschichtige Schaltungssubstrat enthält ein
Substrat 10, eine Anzahl von auf dem Substrat 10 ausgebilde
ten lichtempfindlichen Isolationsschichten 20A, 20B, 20C und
20D mit Zwischenräumen 22 (Fig. 1A), in den Zwischenräumen
22 ausgebildete Schichten aus leitfähiger Tinte 30, 30A, 30B
und 30C, eine Metalldünnschicht 50A mit einem bestimmten
Muster, welche auf der Isolationsschicht 20D und Schicht aus
leitfähiger Tinte 30C durch eine adhäsive Isolationsschicht
40 zur Anhaftung gebracht ist, sowie ein leitfähige Tinte
enthaltendes Durchgangsloch 70, welches die leitfähigen
Schichten 30, 30A, 30B und 30C mit der Metalldünnschicht 50A
verbindet.
Unabhängig von der Leitfähigkeit können verschiedene
Materialien, wie Metall, Keramik oder ein isolierendes Mate
rial als Substrat 10 verwendet werden. Vorzugsweise kann ein
Metallmaterial (z. B. eine Legierung 42, eine Kupferlegierung
etc.) als Substrat 10 verwendet werden. Diese Metallmateria
lien bieten ausgezeichnete Wärmestabilität und Wärmeemis
sionsvermögen. Auch können verschiedene Arten von Metall
materialien ausgewählt werden. Wenn ein leitfähiges Metall
als Substrat 10 verwendet wird, wird das erste Loch 11 auf
dem Substrat 10 ausgebildet und das isolierende Material 12
auf die Oberfläche des Substrats 10 und im gefüllten Loch 11
aufgebracht.
Jede lichtempfindliche Isolationsschicht 20A, 20B, 20C
oder 20D eines bestimmten Musters ist eine Photoresist-
Schicht mit einer Einfriertemperatur (Tg) von 200°C oder
mehr.
Die leitfähige Tinte setzt sich aus feinen Metallpul
vern (z. B. Cu-Pb-Sn, Ag-Pb-Sn etc.), einem polymerisierenden
reaktiven Material, wie etwa einer Anhydridreihe-Verbindung
(z. B. Hexafluorisopropyl-Diphtalsäureanhydrid) und einem
Lösungsmittel (z. B. Methylethylketon, Aceton etc.) zusammen.
Ormet 2005®, entwickelt von der Firma Toranaga Co. (USA),
kann als leitfähige Tinte verwendet werden.
Die Metalldünnschicht 50A, ein Teil, welcher mit einer
Komponente, wie etwa einem Chip, bestückt ist, liefert ein
ausgezeichnetes zuverlässiges Ebenheitsmerkmal.
Wenn das Substrat 10 aus einem Metall besteht, wird das
Isolationsmaterial 12 in das auf dem Substrat 10 ausgebilde
te erste Loch 11 gefüllt.
Eine weitere Ausführungsform eines Verfahrens zur Her
stellung eines mehrschichtigen Schaltungssubstrats gemäß der
Erfindung wird nun unter Bezugnahme auf Fig. 3 beschrieben.
Gleiche Bezugszeichen wie diejenigen der vorhergehenden
Figuren geben die gleichen Komponenten wie in diesen vorher
gehenden Figuren an.
Gemäß dieser Ausführungsform wird der Musterzwischen
raum 22 der Fig. 1A, in welchen leitfähige Tinte zu drucken
ist, in wenigstens einer Schicht, beispielsweise der licht
empfindlichen Isolationsschicht 90, nicht ausgebildet (siehe
Schritt 290). Das heißt, die lichtempfindliche Isolations
schicht 90 ist eine bloße Isolationsschicht. Die anderen
Schritte werden in der gleichen Weise durchgeführt, wie die
Schritte der Fig. 1A und 1B.
Auch wenn die lichtempfindliche Isolationsschicht 90
als bloße Isolationsschicht dient, kann das Durchgangsloch
70 die Schichten aus leitfähiger Tinte 30, 30A und 30B mit
der Metalldünnschicht 50A verbinden.
Wie oben beschrieben, bietet das unter Verwendung einer
leitfähigen Tinte hergestellte mehrschichtige Schaltungssub
strat gemäß der Erfindung einen einfachen Aufbau, womit die
Produktivität gefördert wird. Da sich ferner das Substrat
nicht auf ein Metallsubstrat beschränkt, kann das Material
in weiten Bereichen ausgewählt werden, so daß sich die Pro
duktionskosten vermindern lassen. Insbesondere da die Eben
heit der Metalldünnschicht auf dem obersten Teil gewährlei
stet ist, läßt sich das Draht-Bonden ohne Schwierigkeiten
durchführen.
Claims (18)
1. Verfahren zur Herstellung eines mehrschichtigen
Schaltungssubstrats mit den Verfahrensschritten des
Beschichtens der Oberseite eines Substrats (10) mit einer lichtempfindlichen Isolationsschicht (20),
Belichtens und Entwickelns der lichtempfindlichen Iso lationsschicht zur Ausbildung einer lichtempfindlichen Iso lationsschicht mit einem bestimmten Muster (20A) und Muster zwischenräumen (22),
Ausbildens einer leitfähigen Schicht (30) durch Drucken einer leitfähigen Tinte in die Musterzwischenräume,
Ausbildens einer Anzahl von Schichten, von denen jede aus einer leitfähigen Isolationsschicht eines bestimmten Musters mit Musterzwischenräumen und einer in den Muster zwischenräumen ausgebildeten leitfähigen Schicht besteht, durch Wiederholen der vorhergehenden Schritte,
Beschichtens der obersten Schicht der Anzahl von Schichten mit einer adhäsiven Isolationsschicht, Ausbildens einer Metalldünnschicht auf der adhäsiven Isolationsschicht durch thermisches Pressen und Ätzens der Metalldünnschicht zur Ausbildung eines bestimmten Metalldünnschichtmusters, und
Ausbildens eines Durchgangsloches (70), in welches ein leitfähiges Material implantiert wird und welches Substrat, leitfähige Schichten, lichtempfindliche Isolationsschichten und Metalldünnschicht zur elektrischen Verbindung der leit fähigen Schichten mit der gemusterten Metalldünnschicht durchsetzt.
Beschichtens der Oberseite eines Substrats (10) mit einer lichtempfindlichen Isolationsschicht (20),
Belichtens und Entwickelns der lichtempfindlichen Iso lationsschicht zur Ausbildung einer lichtempfindlichen Iso lationsschicht mit einem bestimmten Muster (20A) und Muster zwischenräumen (22),
Ausbildens einer leitfähigen Schicht (30) durch Drucken einer leitfähigen Tinte in die Musterzwischenräume,
Ausbildens einer Anzahl von Schichten, von denen jede aus einer leitfähigen Isolationsschicht eines bestimmten Musters mit Musterzwischenräumen und einer in den Muster zwischenräumen ausgebildeten leitfähigen Schicht besteht, durch Wiederholen der vorhergehenden Schritte,
Beschichtens der obersten Schicht der Anzahl von Schichten mit einer adhäsiven Isolationsschicht, Ausbildens einer Metalldünnschicht auf der adhäsiven Isolationsschicht durch thermisches Pressen und Ätzens der Metalldünnschicht zur Ausbildung eines bestimmten Metalldünnschichtmusters, und
Ausbildens eines Durchgangsloches (70), in welches ein leitfähiges Material implantiert wird und welches Substrat, leitfähige Schichten, lichtempfindliche Isolationsschichten und Metalldünnschicht zur elektrischen Verbindung der leit fähigen Schichten mit der gemusterten Metalldünnschicht durchsetzt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die leitfähige
Tinte feine Metallpulver, ein polymerisierendes reaktives
Material und ein Lösungsmittel enthält.
3. Verfahren nach Anspruch 2, wobei die feinen Metall
pulver aus der Gruppe, bestehend aus Cu-Pb-Sn und Ag-Pb-Sn,
ausgewählt werden, das polymerisierende reaktive Material
eine Anhydridreihe-Verbindung ist und das Lösungsmittel aus
der Gruppe, bestehend aus Methylethylketon und Aceton, aus
gewählt wird.
4. Verfahren nach Anspruch 3, wobei das polymerisieren
de reaktive Material Hexafluorisopropyl-Diphtalsäureanhydrid
ist.
5. Verfahren nach Anspruch 1, wobei wenigstens eine
(90) der lichtempfindlichen Isolationsschichten eine bloße
Isolationsschicht ohne Musterzwischenräume, in welche die
leitfähige Tinte einzudrucken ist, ist.
6. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Substrat (10)
aus einer Keramik gebildet ist.
7. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Substrat (10)
aus einem Metall, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus
Kupferlegierung und einer Legierung (42), ausgebildet ist.
8. Verfahren nach Anspruch 7, welches ferner einen
Schritt des Ausbildens eines ersten Loches (11) in einem
Teil des Substrats (10), wo das Durchgangsloch (70) auszu
bilden ist, und Beschichtens der Oberfläche des Substrats
und des Inneren des ersten Loches mit einem Isola
tionsmaterial vor dem Schritt des Beschichtens des Substrats
mit der ersten Isolationsschicht aufweist.
9. Verfahren nach Anspruch 8, wobei der Durchmesser des
ersten Loches (11) größer als derjenige des Durchgangsloches
(70) ist, derart, daß in das Durchgangsloch injiziertes
leitfähiges Material von dem Substrat durch in das erste
Loch gefülltes Isolationsmaterial elektrisch isoliert ist.
10. Mehrschichtiges Schaltungssubstrat, welches
ein Substrat (10),
eine Anzahl von auf dem Substrat (10) ausgebildete
Schichten, von denen jede durch eine leitfähige Isolations
schicht (20) mit bestimmten Musterzwischenräumen (22) und
eine in den Musterzwischenräumen aus einer leitfähigen Tinte
ausgebildete leitfähige Schicht (30) gebildet ist,
eine Metalldünnschicht (50) eines bestimmten Musters,
die auf der obersten Schicht der Anzahl von Schichten durch
ein adhäsives Isolationsmaterial zur Anhaftung gebracht ist,
ein Loch (70), in welches leitfähiges Material einge
bracht ist und welches das Substrat, die Anzahl von Schich
ten und die Metalldünnschicht zur elektrischen Verbindung
der leitfähigen Schichten und der Metalldünnschicht durch
setzt, aufweist.
11. Substrat nach Anspruch 10, wobei die leitfähige
Tinte feine Metallpulver und ein polymerisierendes reaktives
Material aufweist.
12. Substrat nach Anspruch 11, wobei die feinen Metall
pulver aus der Gruppe, bestehend aus Cu-Pb-Sn und Ag-Pb-Sn,
ausgewählt sind, das polymerisierende reaktive Material eine
Anhydridreihe-Verbindung ist und das Lösungsmittel aus der
Gruppe, bestehend aus Methylethylketon und Aceton, ausge
wählt ist.
13. Substrat nach Anspruch 12, wobei das polymerisie
rende reaktive Material Hexafluorisopropyl-Diphtalsäureanhy
drid ist.
14. Substrat nach Anspruch 10, wobei das Substrat aus
einer Keramik gebildet ist.
15. Substrat nach Anspruch 10, wobei das Substrat aus
einem Metall, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus einer
Kupferlegierung und Legierung (42), ausgebildet ist.
16. Substrat nach Anspruch 15, wobei ein erstes Loch
(11) in einem Teil des Substrats (10), wo das Durchgangsloch
(70) auszubilden ist, gebildet ist und die Oberfläche des
Substrats und das Innere des ersten Lochs mit einem isolie
renden Material beschichtet sind.
17. Substrat nach Anspruch 16, wobei der Durchmesser
des ersten Lochs (11) größer als derjenige des Durch
gangslochs (70) ist, derart, daß das in das Durchgangsloch
eingebrachte leitfähige Material gegenüber dem Substrat
durch das in das erste Loch gefüllte isolierende Material
elektrisch isoliert ist.
18. Substrat nach Anspruch 10, wobei die Metalldünn
schicht (50) aus Kupfer (Cu) besteht.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR95-29688 | 1995-09-12 | ||
KR1019950029688A KR0155877B1 (ko) | 1995-09-12 | 1995-09-12 | 다층 회로기판 및 그 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19636735A1 true DE19636735A1 (de) | 1997-03-13 |
DE19636735B4 DE19636735B4 (de) | 2005-12-29 |
Family
ID=19426526
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1996136735 Expired - Fee Related DE19636735B4 (de) | 1995-09-12 | 1996-09-10 | Mehrschichtiges Schaltungssubstrat und Verfahren zu seiner Herstellung |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5747222A (de) |
JP (1) | JP3765627B2 (de) |
KR (1) | KR0155877B1 (de) |
CN (1) | CN1107336C (de) |
DE (1) | DE19636735B4 (de) |
TW (1) | TW304323B (de) |
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