DE19620839A1 - Operationsverstärker und Digitalsignalübertragungsschaltung - Google Patents
Operationsverstärker und DigitalsignalübertragungsschaltungInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf einen Operationsverstärker, der
einem Eingangssignal überlagertes Rauschen entfernen kann,
sowie auf eine Digitalsignalübertragungsschaltung, die den
Operationsverstärker nutzt.
Zunächst soll der einschlägige Stand der Technik unter Hinweis
auf die Fig. 15, 16 und 17 erläutert werden.
Fig. 15 zeigt einen gewöhnlichen Digitalsignalübertragungs
schaltkreis, der als Digitalsignalfilter arbeitet, welcher das
einem digitalen Signal überlagerte Rauschen unterdrückt und
ein Signal ohne Rauschkomponente ausgibt.
Die in Fig. 15 dargestellte Schaltung weist einen CR-Filter
auf, der einen Widerstand R und einen Kondensator C umfaßt.
Wenn dieser Schaltkreis ein digitales Eingangssignal (siehe
Fig. 16a) einschließlich Rauschkomponenten (Fig. 17a)
empfängt, filtert der CR-Filter die Rauschkomponenten aus dem
hochfrequente Rauschkomponenten enthaltenden Signal aus. Das
Eingangssignal, dessen Rauschen vom CR-Filter beseitigt wurde,
wird von einer Zeitkonstante des CR-Filters verzerrt (siehe
Fig. 16b, 17b) und dann einer Wellenformung mittels eines
Komparators vom Differentialtyp unterzogen, um ein digitales,
rauschfreies Signal auszugeben (siehe Fig. 17c).
Eine Schaltung mit einem solchen CR-Filter muß also zur voll
ständigen Unterdrückung des dem Eingangssignal über lagerten
Rauschens einen Kondensator C von großem Wert enthalten, um
die CR-Konstante im CR-Filter zu erhöhen. Das macht es
schwierig, einen solchen Kondensator C zusammen mit dem Kom
parator in eine integrierte Halbleiterschaltung einzubauen.
Aus diesem Grund muß der Kondensator C von außerhalb der IC-Schaltung
zur Verfügung gestellt werden, und das erfordert
eine große Anzahl von Komponenten, schwierige Behandlung und
hohe Kosten.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Digital
signalübertragungsschaltung zu schaffen, die in eine inte
grierte Halbleiterschaltung inkorporiert werden kann und die
eine Signalübertragung unter Beseitigung des dem eingegebenen
digitalen Signal überlagerten Rauschens ermöglicht.
Es ist weiterhin Aufgabe der Erfindung, einen Operationsver
stärker zu schaffen, der weniger dadurch beeinträchtigt wird,
daß sich das Rauschen, welches dem Eingangssignal überlagert
ist, momentan von hoch zu niedrig ändert.
Gemäß einem Aspekt der Erfindung weist der Operationsverstär
ker folgendes auf: ein Differentialtransistorpaar mit einem
ersten Transistor eines ersten Leitfähigkeitstyps, dessen
Steuerelektrode ein Eingangssignal empfängt, und dessen eine
Hauptelektrode mit einem ersten Stromzufuhrpotentialknoten
verbunden ist, sowie einen zweiten Transistor des ersten
Leitfähigkeitstyps, dessen Steuerelektrode ein Ausgangssignal
empfängt und dessen andere Hauptelektrode mit der anderen
Hauptelektrode des ersten Transistors verbunden ist, wobei
dessen andere Hauptelektrode als Ausgangsknoten des Differen
tialtransistorpaares dient. Ferner gehört zu dem Operations
verstärker eine Stromspiegelschaltung mit einem dritten Tran
sistor eines zweiten Leitfähigkeitstyps, dessen eine Haupt
elektrode und eine Steuerelektrode beide mit dem Ausgangs
knoten des Differentialtransistorpaares verbunden sind, und
einem vierten Transistor des zweiten Leitfähigkeitstyps,
dessen Steuerelektrode mit der Steuerelektrode des dritten
Transistors verbunden ist und dessen andere Hauptelektrode mit
dem ersten Stromzufuhrpotentialknoten gekoppelt ist, während
seine eine Hauptelektrode als Ausgangsknoten der Strom
spiegelschaltung wirkt. Ein fünfter Transistor des zweiten
Leitfähigkeitstyps ist mit seiner einen Hauptelektrode an
einen Ausgangsanschluß angeschlossen, während seine andere
Hauptelektrode mit dem ersten Stromzufuhrpotentialknoten
gekoppelt ist, und dessen Steuerelektrode mit dem Ausgangs
knoten der Stromspiegelschaltung verbunden ist. Ferner ist
zwischen den Ausgangsknoten der Stromspiegelschaltung und den
Ausgangsanschluß ein kapazitives Element geschaltet.
Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung weist eine Digital
signalübertragungsschaltung einen Operationsverstärker mit
einem Nichtkehreingang zum Empfang eines digitalen Eingangs
signals sowie einen Komparator auf, der einen Nichtkehreingang
für den Empfang der Ausgabe des Operationsverstärkers sowie
einen Kehreingang für den Empfang einer Bezugsspannung hat.
Dabei weist der Operationsverstärker folgendes auf: ein
Differentialtransistorpaar mit einem ersten Transistor eines
ersten Leitfähigkeitstyps, dessen Steuerelektrode mit dem
Nichtkehreingang verbunden ist, und einem zweiten Transistor
des ersten Leitfähigkeitstyps, dessen Steuerelektrode eine
Bezugsspannung empfängt und dessen andere Hauptelektrode mit
der anderen Hauptelektrode des ersten Transistors verbunden
ist; eine Stromspiegelschaltung mit einem dritten Transistor
eines zweiten Leitfähigkeitstyps, dessen eine Hauptelektrode
und Steuerelektrode beide mit einer Hauptelektrode des zweiten
Transistors verbunden sind und dessen andere Hauptelektrode
mit einem ersten Stromzufuhrpotentialknoten verbunden ist,
sowie einem vierten Transistor des zweiten Leitfähigkeitstyps,
dessen Steuerelektrode mit der Steuerelektrode des dritten
Transistors verbunden ist, dessen eine Hauptelektrode mit
einer Hauptelektrode des ersten Transistors und dessen andere
Hauptelektrode mit dem ersten Stromzufuhrpotentialknoten
verbunden ist, wobei die eine Hauptelektrode des vierten
Transistors als Ausgangsknoten der Stromspiegelschaltung
dient; ein fünfter Transistor des zweiten Leitfähigkeitstyps,
dessen eine Hauptelektrode mit einem Ausgangsanschluß
verbunden ist, dessen andere Hauptelektrode an einen ersten
Stromzufuhrpotentialknoten angeschlossen ist, und dessen
Steuerelektrode mit dem Ausgangsknoten der Stromspie
gelschaltung verbunden ist; und ein kapazitives Element,
welches zwischen den Ausgangsknoten der Stromspiegelschaltung
und den Ausgangsanschluß geschaltet ist.
Im folgenden ist die Erfindung mit weiteren vorteilhaften
Einzelheiten anhand schematisch dargestellter Ausführungsbei
spiele näher erläutert. In den Zeichnungen zeigt:
Fig. 1 einen Operationsverstärker gemäß einem ersten Ausfüh
rungsbeispiel der Erfindung;
Fig. 2-6 jeweils ein weiteres Ausführungsbeispiel eines
Operationsverstärkers gemäß der Erfindung;
Fig. 7 eine Digitalsignalübertragungsschaltung gemäß einem
siebten Ausführungsbeispiel der Erfindung;
Fig. 8 eine Digitalsignalübertragungsschaltung gemäß einem
achten Ausführungsbeispiel der Erfindung;
Fig. 9 eine Detailschaltung des in Fig. 8 gezeigten Operati
onsverstärkers;
Fig. 10, 11 und 12 jeweils ein weiteres Ausführungsbeispiel
einer Digitalsignalübertragungsschaltung;
Fig. 13 eine Impulsübersicht der Eingabe-Ausgabe-Beziehung
eines Operationsverstärkers, wenn in die in Fig. 1
dargestellte Schaltung impulsartiges Rauschen
eingegeben wird;
Fig. 14 eine Impulsübersicht der Eingabe-Ausgabe-Beziehung
eines Operationsverstärkers, wenn in die in Fig. 9
dargestellte Schaltung impulsartiges Rauschen einge
geben wird;
Fig. 15 eine herkömmliche Digitalsignalübertragungsschaltung;
Fig. 16 eine Impulsübersicht der Eingabe/Ausgabesignale einer
Digitalsignalübertragungsschaltung eines herkömmli
chen Operationsverstärkers;
Fig. 17 eine Impulsübersicht der Eingabe-Ausgabe-Beziehung
eines Operationsverstärkers, wenn impulsartiges Rau
schen in eine herkömmliche Schaltung eingegeben wird.
Fig. 1 zeigt einen Operationsverstärker gemäß einem ersten
Ausführungsbeispiel der Erfindung, bei dem es sich genauer
gesagt um einen Operationsverstärker handelt, der eine
Mischung mit einem stromrückkopplungs-Operationsverstärker und
einem Spannungsrückkopplungs-Operationsverstärker darstellt.
Dieser Operationsverstärker kann ein Signal unter Beseitigen
des dem eingegebenen digitalen Signal überlagerten Rauschens
übertragen. Ferner ist dieser Operationsverstärker für den
Einbau in eine integrierte Halbleiterschaltung geeignet. Mit
dem Operationsverstärker wird außerdem die Auswirkung des sich
momentan von hoch nach tief ändernden, dem eingegebenen Signal
überlagerten Rauschens selbst dann verringert, wenn er als
allgemeiner Operationsverstärker benutzt wird. Darüber hinaus
kann dieser Operationsverstärker als Rauschunterdrücker
schaltung verwendet werden.
In Fig. 1 ist die Basis eines PNP-Transistors Q1 mit einem
Nichtkehreingangsanschluß (+) verbunden, wo das Eingangssignal
angelegt wird, und der Kollektor ist geerdet. Eine Konstant
stromquelle I1 ist zwischen einen Stromzufuhrpotentialknoten
Vcc und den Emitter des Transistors Q1 geschaltet und versorgt
diesen mit gleichbleibendem Strom i1. Diese Konstantstrom
quelle I1 weist einen bipolaren Transistor auf, wie allgemein
bekannt, und bildet einen ersten Eingangspuffer in Kombination
mit dem PNP-Transistor Q1.
Ein PNP-Transistor Q6 hat die gleichen Eigenschaften wie der
PNP-Transistor Q1; seine Basis ist an einen Ausgangsanschluß
angeschlossen und sein Kollektor ist geerdet. Zwischen den
Stromzufuhrpotentialknoten Vcc und den Emitter des Transistors
Q6 ist eine Konstantstromquelle I3 geschaltet, die dem Emitter
des PNP-Transistors Q6 gleichbleibenden Strom i3 zuführt.
Diese Konstantstromquelle I3, welche die gleichen Charakteri
stiken hat wie die Konstantstromquelle I1, weist einen bi
polaren Transistor auf, wie allgemein bekannt, und bildet
einen zweiten Eingangspuffer in Kombination mit dem PNP-Transistor
Q6.
Die Basis eines PNP-Transistors Q2, dem das in den Nicht
kehreingangsanschluß (+) über den ersten Eingangspuffer ein
gegebene Signal zugeführt wird, ist mit einem Emitter des PNP-Transistors
Q1 verbunden, und der Kollektor ist geerdet. Die
Basis eines PNP-Transistors Q3, der mit dem Ausgangsanschluß
(einem direkt mit dem Ausgangsanschluß verbundenen Kehrein
gang) über den zweiten Eingangspuffer gekoppelt ist und das
Ausgangssignal empfängt, ist mit dem Emitter des PNP-Transistors
Q6 verbunden, und der Emitter des PNP-Transistors Q3 ist
mit dem Emitter des PNP-Transistors Q2 verbunden. Dieser PNP-Transistor
Q3 bildet zusammen mit dem PNP-Transistor Q2 ein
Differentialtransistorpaar, wobei der Kollektor des PNP-Transistors
Q3 als Ausgangsknoten wirkt. Dieser Transistor Q3 hat
die gleichen Eigenschaften wie der PNP-Transistor Q2, und dem
Kollektorstrom des Transistors Q3, d. h. der Ausgangsstrom des
Differentialtransistorpaares ist der gleiche wie der Kollek
torstrom des PNP-Transistors Q2, wenn an der Basis des Tran
sistors Q3 und an der Basis des Transistors Q2 das gleiche
Potential anliegt.
Zwischen den Stromzufuhrpotentialknoten Vcc und die Emitter
der PNP-Transistoren Q2 und Q3, die miteinander verbunden
sind, ist eine Konstantstromquelle I2 geschaltet, die den
Emittern der beiden Transistoren Q2 und Q3 gleichbleibenden
Strom i2 zuführt. Die Konstantstromquelle I2 weist bipolare
Transistoren auf, wie allgemein bekannt.
Mit dem Ausgangsknoten des Differentialtransistorpaares, d. h.
dem Kollektor des PNP-Transistors Q3 ist der Kollektor eines
NPN-Transistors Q5 verbunden, dessen Basis mit seinem Kollek
tor verbunden ist. Zwischen den Emitter des NPN-Transistors Q5
und einen Erdungsknoten ist ein Widerstandselements R1 ge
schaltet.
Mit der Basis des NPN-Transistors Q5 ist die Basis eines NPN-Transistors
Q7 verbunden, der gemeinsam mit dem NPN-Transistor
Q5 eine Stromspiegelschaltung bildet, wobei der Kollektor des
NPN-Transistors Q7 als Ausgangsknoten wirkt. Diese Stromspie
gelschaltung hat ein Kollektorstromverhältnis von n : 1 zwischen
dem NPN-Transistor Q5 und dem NPN-Transistor Q7, was bedeutet,
daß der NPN-Transistor Q7 einen schwächeren Kollektorstrom von
1/n hat als der NPN-Transistor Q5. Zwischen den Emitter des
NPN-Transistors Q7 und einen Erdungsknoten ist ein Wider
standselement R2 geschaltet. Das ohmsche Verhältnis zwischen
den Widerstandselementen R1 und R2 beträgt 1 : n, mit anderen
Worten, das Widerstandselement R2 hat im Vergleich zum Wider
standselement R1 einen n-fachen Widerstandswert.
Zwischen den Stromzufuhrpotentialknoten Vcc und den Kollektor
des NPN-Transistors Q7 ist eine Konstantstromquelle I4 ge
schaltet, die dem Kollektor des NPN-Transistors Q7 gleich
bleibenden Strom i4 zuführt. Diese Konstantstromquelle I4
weist bipolare Transistoren auf, wie allgemein bekannt, und
hat einen gleichbleibenden Strom i4, dessen Stromwert das
1/2 n-fache im Vergleich zum konstanten Strom i2 der Kon
stantstromquelle I2 ist, um einen Versatz für den Fall zu
vermeiden, daß das Potential des Nichtkehreingangsanschlusses
(+) das gleiche ist wie das des mit der Basis des Transistors
Q6 verbundenen Kehreingangs. Das Verhältnis zwischen dem
konstanten Strom i4 und dem konstanten Strom i2 wird erhalten
als i2 = 2 × i2′ = 2 × n × i4.
Die Basis eines Transistors Q8 ist mit dem Ausgangsknoten der
Stromspiegelschaltung, d. h. dem Kollektor des NPN-Transistors
Q7 verbunden, und sein Kollektor mit dem Ausgangsanschluß,
während der Emitter geerdet ist. Zwischen den Stromzufuhrpo
tentialknoten Vcc und den Kollektor des Transistors Q8 ist
eine Konstantstromquelle I5 geschaltet, die dem Kollektor des
NPN-Transistors Q8 gleichbleibenden Strom i5 zuführt. Auch die
Konstantstromquelle I5 weist bipolare Transistoren auf, wie
allgemein bekannt.
Zwischen den Ausgangsknoten der Stromspiegelschaltung, d. h.
den Kollektor des NPN-Transistors Q7 und den Ausgangsanschluß,
d. h. den Kollektor des NPN-Transistors Q8 ist ein kapazitives
Element C1 geschaltet.
Nachfolgend soll die Arbeitsweise des so aufgebauten Operati
oonsverstärkers näher erläutert werden. Zunächst wird der sta
bile Betrieb für den Fall erörtert, daß das Potential des
Nichtkehreingangsanschlusses (+) das gleiche ist wie das des
Ausgangsanschlusses (d. h. der Basis des Transistors Q3). In
diesem Fall liegt an den Basen der das Differentialtran
sistorpaar bildenden PNP-Transistoren Q2 und Q3 Potential des
gleichen Wertes an, und die Kollektorströme der PNP-Transistoren
Q2 und Q3 sind gleich, d. h. als gleichbleibender Strom
i2 wird 1/2-mal von der Konstantstromquelle I2 zugeführt.
Da der Kollektorstrom i2′ des PNP-Transistors Q3 1/2 × i2 ist,
ist der Kollektorstrom des NPN-Transistors Q5 auch 1/2 × i2,
und dann ist der Kollektorstrom des NPN-Transistors Q7 1/2 ×
i2 × 1/n.
Da der Kollektorstrom des NPN-Transistors Q7 und der von der
Konstantstromquelle I4 gelieferte, gleichbleibende Strom i4
beide das 1/2 n-fache des gleichbleibenden Stroms i2 sind,
führt die Konstantstromquelle I4 dem NPN-Transistor Q8 und dem
kapazitiven Element C1 keinen Strom zu, und es wird auch kein
Strom vom NPN-Transistor Q7 ausgegeben.
Aus diesem Grund bleibt der NPN-Transistor Q7 im gleichen Zu
stand. Mit anderen Worten, das Potential des Ausgangs bleibt
so erhalten wie es ist, ohne daß Ströme zu und aus dem Aus
gangsanschluß fließen.
Wenn bei diesem Zustand des Potential des Nichtkehreingangs
anschlusses (+) plötzlich höher wird als das des Ausgangsan
schlusses, oder, anders ausgedrückt, wenn das eingegebene di
gitale Signal plötzlich von tief nach hoch geht, arbeitet der
Operationsverstärker wie folgt.
Die Potentialänderung von tief nach hoch am Nichtkehrein
gangsanschluß (+) wird über den ersten Eingangspuffer der
Basis des PNP-Transistors Q2 zugeleitet, die eine Seite des
Differentialtransistorpaares darstellt. Folglich wird das
Basispotential des PNP-Transistors Q2 höher als das der Basis
des PNP-Transistors Q3, die Leitfähigkeit des PNP-Transistors
Q2 wird niedriger als die des PNP-Transistors Q3, dann wird
der Kollektorstrom des PNP-Transistors Q2 kleiner als 1/2 × i2
(d. h. 1/2 × i2 - α), während der Kollektorstrom des PNP-Transistors
Q3 größer wird als 1/2 × i2 (d. h. 1/h × i2 + α),
worin α die Größe der Zunahme oder Abnahme des Stroms
bezeichnet.
Da der Kollektorstrom i2′ des PNP-Transistors Q3 (1/h × i2 +
α) ist, ist der Kollektorstrom des NPN-Transistors Q5 auch
(1/h × i2 + α), und der Kollektorstrom des NPN-Transistors Q7
wird (1/h × i2 + α) × 1/n.
Da der Kollektorstrom des NPN-Transistors Q7 1/h × i2 + α) ×
1/n wird, was um α/n größer ist als der von der Konstant
stromquelle I4 zugeführte gleichbleibende Strom i4, wird
dieser Differentialstrom α/n mit dem Strom kompensiert, der
aus der Basis des NPN-Transistors Q8 und dem kapazitiven
Element C1 bezogen wird.
Infolgedessen nimmt die Leitfähigkeit des NPN-Transistors Q8
ab, dann steigt das Potential am Ausgangsanschluß, und
daraufhin fließt ein Teil des von der Konstantstromquelle I5
gelieferten gleichbleibendem Stroms i5 aus dem Ausgangsan
schluß. Mit zunehmendem Potential am Ausgangsanschluß wird
diese Potentialänderung über den zweiten Eingangspuffer an die
Basis des PNP-Transistors Q3 übertragen, der zum Differen
tialtransistorpaar gehört. Diese Operation wird so lange
fortgesetzt, bis das Basispotential des PNP-Transistors Q3 den
gleichen Wert erreicht wie das des PNP-Transistors Q2.
Wenn das Basispotential der beiden Transistoren Q3 und Q2
gleich ist, ändert sich der Operationsverstärker zu dem oben
erläuterten Zustand, bei dem das Potential des Ausgangsan
schlusses sich dem des Nichtkehreingangsanschlusses (+) an
gleicht, mit anderen Worten, dem Potential des Eingangssi
gnals, bei dem kein Strom zu oder vom Ausgangsanschluß fließt.
Wenn also das Eingangssignal von tief nach hoch geht, wird am
Ausgangsanschluß ein digitales Signal ausgegeben, welches sich
von tief nach hoch ändert und eine gewünschte Durchlaufge
schwindigkeit hat. Das bedeutet, daß das Eingangssignal als
Ausgangssignal übertragen wird.
Wenn andererseits bei Empfang des Eingangssignals am Ein
gangsanschluß das Potential am Nichtkehreingangsanschluß (+)
unter das Potential des Ausgangsanschlusses sinkt, mit anderen
Worten, wenn das eingegebene digitale Signal von hoch nach
tief geht, arbeitet der Funktionsverstärker wie folgt. Die
Potentialänderung des Nichtkehreingangsanschlusses (+) von
hoch nach tief wird über den ersten Eingangspuffer an die
Basis des PNP-Transistors Q2 übertragen, der die eine Seite
des Differentialtransistorpaares bildet. Folglich sinkt das
Basispotential des PNP-Transistors Q2 unter das Potential der
Basis des PNP-Transistors Q3, und die Leitfähigkeit des PNP-Transistors
Q2 steigt über die des PNP-Transistors Q3 an. Aus
diesem Grund wird der Kollektorstrom des PNP-Transistors Q2
(1/2 × i2 + α), was um α größer ist als 1/2 × i2, und der
Kollektorstrom des PNP-Transistors Q3 wird (1/2 × i2 - α), was
um α kleiner ist als 1/2 × i2.
Da der Kollektorstrom i2′ des PNP-Transistors Q2 (1/2 × i2 -
α) ist, ist der Kollektorstrom des NPN-Transistors Q5 auch
(1/2 × i2 - α), und der Kollektorstrom des NPN-Transistors Q7
ist (1/2 × i2 - α) × 1/n.
Da der Kollektorstrom des NPN-Transistors Q7 (1/2 × i2 - α) n
× i2 ist, ist der fließende Strom des NPN-Transistors Q7 um
α/n kleiner als der von der Konstantstromquelle I4 zugeführte
gleichbleibende Strom i4. Deshalb fließt dieser Differential
strom α/n von der Konstantstromquelle I4 in die Basis des NPN-Transistors
Q8 und in das kapazitive Element C1.
Hieraufhin steigt die Leitfähigkeit des NPN-Transistors Q8,
das Potential des Ausgangsanschlusses nimmt ab, und Strom wird
aus dem Ausgangsanschluß entnommen. Diese Abnahme des Poten
tials am Ausgangsanschluß wird über den zweiten Eingangspuffer
an die Basis des PNP-Transistors Q3 übertragen, der eine Seite
des Differentialtransistorpaares bildet. Der vorstehend ge
nannte Betrieb dauert so lange, bis das Basispotential des
PNP-Transistors Q3 das gleiche wird wie das des PNP-Transistors
Q2.
Wenn beide Basispotentiale der Transistoren Q3 und Q2 gleich
sind, nimmt der Operationsverstärker den oben genannten Zu
stand an, bei dem das Potential am Ausgangsanschluß das glei
che wird wie das des Nichtkehreingangsanschlusses (+), d. h.
das Potential des Eingabesignals, bei dem kein Strom zu oder
vom Ausgangsanschluß fließt. Wenn also das Eingabesignal von
hoch nach tief geht, wird am Ausgangsanschluß ein digitales
Signal ausgegeben, welches von hoch nach tief geht und eine
gewünschte Durchlaufgeschwindigkeit hat. Das bedeutet, daß das
Eingabesignal als Ausgangsanschluß übertragen wird.
Wenn sich, wie oben beschrieben, das Eingabesignal von hoch
nach tief ändert, sinkt das Emitterpotential des PNP-Transi
stors Q2 zeitweilig ab, die Basis-Emitter-Strecke des PNP-Transistors
Q3 und diejenige des PNP-Transistors Q6 wird ge
sperrt, und der Sperrstrom fließt zeitweilig über PNP-Transistor
Q3. Da dieser Sperrstrom über den PNP-Transistor Q2 zum
Erdungsknoten fließt, hat er keinen Einfluß auf die Strom
spiegelschaltung und den NPN-Transistor Q8, der der Ausgangs
transistor ist. Deshalb ändert sich die Spannung des Aus
gangsanschlusses von hoch nach tief in Abhängigkeit von der
Änderung des Eingangssignals von hoch nach tief.
Da der so aufgebaute Operationsverstärker Durchlaufgeschwin
digkeit haben kann, ist es möglich, eine Frequenz, die die
vorherbestimmte Frequenz übersteigt, nicht auszugeben, wenn
diese in den Nichtkehreingangsanschluß (+) eingegeben wird.
Damit wird hochfrequentes Rauschen eliminiert.
Genauer gesagt, wird die Grenzfrequenz f des so aufgebauten
Operationsverstärkers wie folgt erhalten.
f = I4 / {2CV · exp (-3/20)}
worin V = Eingangsspannung; C = Kapazität des Kondensators C1;
R1, R2 = Widerstand der Widerstandselemente und hier R1 = R2 =
0Ω; und die Größe des Transistors Q5 = die Größe des Transi
stors Q7 (für den Fall n = 1).
Nun muß die Schaltgeschwindigkeit der PNP-Transistoren Q1, Q2,
Q3 und Q6 schneller gemacht werden als die Durchlaufgeschwin
digkeit, wenn man eine niedrigere Grenzfrequenz erhalten will.
Deshalb sind bei dem Operationsverstärker gemäß diesem Aus
führungsbeispiel die gleichbleibenden Ströme i1, i2 und i3,
die von den Konstantstromquellen I1, I2 bzw. I3 geliefert
werden, so ausgelegt, daß sie die Schaltgeschwindigkeit der
PNP-Transistoren Q1, Q2, Q3 und Q6 schneller machen als die
Durchlaufgeschwindigkeit.
Wenn außerdem n auf mehr als eins gesetzt ist im Strom
spiegelverhältnis n : 1 zwischen den Transistoren Q5 und Q7, die
die Stromspiegelschaltung bilden, kann der von der Konstant
stromquelle I2 gelieferte gleichbleibende Strom i2 selbst dann
zunehmen, wenn sowohl der von der Konstantstromquelle I4
gelieferte gleichbleibende Strom i4 und die Grenzfrequenz
abnehmen. Auf diese Weise ist es möglich, die Schaltgeschwin
digkeit der PNP-Transistoren Q1, Q2, Q3 und Q6 schneller zu
machen als die Durchlaufgeschwindigkeit.
Aus der obigen Erläuterung geht klar hervor, daß der Operati
onsverstärker das Signal unter Beseitigung des Rauschens aus
dem digitalen Signal übertragen kann. Mit anderen Worten, der
Operationsverstärker kann die Frequenz, die höher ist als ein
vorherbestimmter Wert aus dem in den Nichtkehreingangsanschluß
(+) eingegebenen digitalen Signal entfernen und deshalb das
Signal als das digitale Ausgabesignal am Ausgangsanschluß
ausgeben. Ferner braucht der Operationsverstärker keinen Kon
densator von großer Kapazität. Außerdem kann dieser Opera
tionsverstärker sowohl als eine Digitalsignalübertragungs
schaltung, die in eine integrierte Halbleiterschaltung
einbaubar ist, als auch als Rauschunterdrückerschaltung
benutzt werden. Bei diesem Operationsverstärker hat die
plötzliche Änderung des Eingangssignals von hoch nach tief bei
der Eingabe keinerlei Einfluß auf den Ausgangsanschluß.
Darüber hinaus kann der Operationsverstärker als Rauschfilter
oder Rauschunterdrückerschaltung eingesetzt werden, da er
nicht von dem Rauschen beeinflußt wird, welches dem in den
Nichtkehreingangsanschluß (+) eingegebenen analogen Signal
überlagert ist. Damit kann das Ausgabesignal am Ausgangsan
schluß störungsfrei erhalten werden.
Fig. 2 zeigt ein zweites Ausführungsbeispiel eines Opera
tionsverstärkers gemäß der Erfindung, bei dem im Vergleich zu
dem in Fig. 1 dargestellten Operationsverstärker die PNP-Transistoren
Q2, Q3 durch NPN-Transistoren ersetzt sind. Da
diese PNP-Transistoren durch NPN-Transistoren ersetzt sind,
sind weitere PNP-Transistoren in der Schaltung durch NPN-Transistoren
ersetzt, und die Stromquellen sind von der
Stromzufuhrseite zur Erdungsseite verlegt. Da dieser Aufbau
dem Fachmann geläufig ist, braucht er nicht näher erläutert zu
werden.
Da beim zweiten Ausführungsbeispiel das Differentialtransi
storpaar NPN-Transistoren aufweist, kann die erste und zweite
Eingangspufferschaltung des ersten Ausführungsbeispiels weg
gelassen werden. Die Basis des NPN-Transistors Q2 ist dann un
mittelbar mit dem Nichtkehreingangsanschluß (+) verbunden,
während die Basis des NPN-Transistors Q3 unmittelbar mit einem
Ausgangsanschluß verbunden ist (einem Kehreingang).
Ein so aufgebauter Operationsverstärker arbeitet ebenso wie
der des ersten Ausführungsbeispiels und hat die gleiche Wir
kung. Die in Fig. 2 mit den gleichen Bezugszeichen bezeichne
ten Elemente oder Teile haben die gleichen Funktionen wie in
Fig. 1.
Bei dem dritten Ausführungsbeispiel eines Operationsverstär
kers der vorliegenden Erfindung, wie er in Fig. 3 gezeigt ist,
sind die PNP-Transistoren Q2, Q3 aus Fig. 1 durch P-Kanal MOS-Transistoren
ersetzt, und die NPN-Transistoren Q5, Q7 und Q8
sind durch N-Kanal MOS-Transistoren ersetzt. In der gleichen
Weise weisen die Konstantstromquellen I2, I4 und I5 MOS-Transistoren
auf, wie allgemein bekannt.
Da bei diesem dritten Ausführungsbeispiel das Differential
transistorpaar P-Kanal MOS-Transistoren aufweist, kann die
erste und zweite Eingangspufferschaltung aus dem ersten Aus
führungsbeispiel weggelassen werden, und die Basis des P-Kanal
MOS-Transistors Q2 ist unmittelbar mit dem Nichtkehreingangs
anschluß (+) verbunden, während die Basis des P-Kanal MOS-Transistors
Q3 unmittelbar mit einem Ausgangsanschluß verbun
den ist (einem Kehreingang).
Der Operationsverstärker, der den oben beschriebenen Aufbau
hat, arbeitet auf die gleiche Weise wie das erste Ausfüh
rungsbeispiel und hat auch die gleiche Wirkung. Wiederum
bezeichnen die gleichen Bezugszeichen in Fig. 3 und Fig. 1 die
gleichen Teile oder Teile mit gleicher Funktion.
Fig. 4 zeigt ein viertes Ausführungsbeispiel eines Opera
tionsverstärkers, der sich von dem zweiten Ausführungsbeispiel
insofern unterscheidet, als im vierten Ausführungsbeispiel
MOS-Transistoren vorgesehen sind, während beim zweiten Aus
führungsbeispiel bipolare Transistoren verwendet sind. Mit
anderen Worten, die NPN-Transistoren Q2 und Q3 des Opera
tionsverstärkers gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel sind
durch N-Kanal MOS-Transistoren beim vierten Ausführungsbei
spiel ersetzt. Ebenso weisen die Konstantstromquellen I2, I4
und I5 MOS-Transistoren auf, wie allgemein bekannt.
Der wie vorstehend aufgebaute Operationsverstärker arbeitet
ebenso wie das zweite Ausführungsbeispiel und hat auch die
gleiche Wirkung wie das zweite Ausführungsbeispiel. Einander
entsprechende Teile oder Teile mit den gleichen Funktionen
sind in Fig. 4 und Fig. 2 mit den gleichen Bezugszeichen ge
kennzeichnet.
Fig. 5 zeigt ein fünftes Ausführungsbeispiel eines Opera
tionsverstärkers, bei dem die in Fig. 1 gezeigten PNP-Transistoren
Q2 und Q3 durch eine Vielzahl von PNP-Transistoren
ersetzt sind (zum Beispiel vier PNP-Transistoren), die
parallelgeschaltet sind und von denen jeder die gleiche
Charakteristik hat wie gemäß Fig. 1. Der Kollektor eines der
parallelen PNP-Transistoren Q3 ist mit dem Kollektor des NPN-Transistors
Q5 als Ausgangsknoten des Differentialtransistor
paares verbunden, und die übrigen Kollektoren der anderen PNP-
Transistoren sind geerdet. Im übrigen sind alle Teile gleich
wie beim ersten Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 1.
Folge dieses Aufbaus ist es, daß für den Fall, daß die Poten
tiale sowohl des Nichtkehreingangsanschlusses (+) und des
Ausgangsanschlusses gleich sind, d. h. die Arbeitsweise des
Operationsverstärkers stabil ist, die Kollektorströme der
parallelen PNP-Transistoren Q2 und Q3 gleich sind, d. h. das
1/2-fache des von der Konstantstromquelle I2 zugeführten,
gleichbleibenden Stroms i2. Da in jedem der PNP-Transistoren,
die den parallelgeschalteten PNP-Transistor Q3 ausmachen,
äquivalenter Strom fließt, ist der Kollektorstrom i2′ eines
PNP-Transistors der parallelgeschalteten Transistoren des PNP-Transistors
Q3, der mit dem Kollektor des NPN-Transistors Q5
verbunden ist, ein Viertel des 1/2 × i2 beim fünften Ausfüh
rungsbeispiel.
Deshalb wird auch der Kollektorstrom des NPN-Transistors Q5
1/2 × i2 × 1/4, und dann wird der Kollektorstrom des NPN-Transistors
Q7 1/2 × i2 × 1/4 × 1/n. Aus diesem Grund wird der
konstante Strom i4 der Konstantstromquelle I4 auch 1/2 × i2 ×
1/4 × 1/n.
Folglich kann beim fünften Ausführungsbeispiel ein großes
Verhältnis von 8 n : 1 zwischen dem konstanten Strom i2 der
Konstantstromquelle I2 und dem konstanten Strom i4 der Kon
stantstromquelle I4 erhalten werden. Mit diesem Ausführungs
beispiel ist es daher möglich, den konstanten Strom i4 der
Konstantstromquelle I4 zu verringern, die Grenzfrequenz zu
erhöhen und den konstanten Strom i2 der Konstantstromquelle I2
zu erhöhen, um die Schaltgeschwindigkeit der PNP-Transistoren
Q1, Q2 und Q3 schneller als die Durchlaufgeschwindigkeit zu
machen. Der Operationsverstärker gemäß diesem Ausführungsbei
spiel hat den gleichen Effekt wie die des Verstärkers gemäß
dem ersten Ausführungsbeispiel.
In Fig. 6 ist ein sechstes Ausführungsbeispiel eines Operati
onsverstärkers gezeigt, bei dem die in Fig. 5 dargestellten
parallelen Transistoren Q2, Q3 durch Mehrfachtransistoren er
setzt sind, die jeweils eine Vielzahl von Kollektoren haben,
wie Fig. 6 zeigt. Die Arbeitsweise dieser Mehrfachtransistoren
ist die gleiche wie die der Paralleltransistoren beim fünften
Ausführungsbeispiel. In Fig. 6 hat jeder Transistor Q2, Q3
eine Vielzahl von Kollektoren, und einer der Kollektoren des
Transistors Q3 ist mit einem Kollektor des Transistors Q5
verbunden. Der Operationsverstärker gemäß dem sechsten Aus
führungsbeispiel hat die gleichen Wirkungen wie der Opera
tionsverstärker gemäß dem fünften Ausführungsbeispiel.
In Fig. 7 ist eine Digitalsignalübertragungsschaltung gemäß
einem siebten Ausführungsbeispiel der Erfindung gezeigt. Die
Digitalsignalübertragungsschaltung kann das Signal durch Un
terdrücken des einem erzeugten, digitalen Signal überlagerten
Rauschens übertragen. Das siebte Ausführungsbeispiel der Er
findung wird nicht nur als Digitalsignalübertragungsschaltung
benutzt, die in eine integrierte Halbleiterschaltung eingebaut
werden kann, sondern dient auch als Rauschunterdrückerschal
tung oder als digitaler Signalfilter.
In Fig. 7 wirkt der Operationsverstärker 10 als Spannungsfol
geschaltung mit einer vorherbestimmten Durchlaufgeschwindig
keit, die dem Eingabesignal überlagertes Rauschen unterdrückt,
wenn das digitale Eingabesignal in den Nichtkehreingangsan
schluß (+) eingegeben wird, und der Kehreingangsanschluß (-)
ist mit einem Ausgangsanschluß verbunden. Die Operationsver
stärker gemäß dem ersten bis zum sechsten Ausführungsbeispiel
sind in diesem Operationsverstärker 10 verwendet.
Der Ausgang des Operationsverstärkers 10 ist mit dem Nicht
kehreingangsanschluß (+) eines Komparators 20 verbunden, und
an den Kehreingangsanschluß (-) des Komparators 20 wird eine
Bezugsspannung (Vergleichsspannung) Vref2 angelegt. Das digi
tale Ausgabesignal ohne Rauschen steht am Ausgangsanschluß des
Komparators 20 zur Verfügung. Bei dem Komparator 20 handelt es
sich um eine Vergleichsschaltung, die üblicherweise als Wel
lenformerschaltung verwendet wird und bipolare Transistoren
für den Fall aufweist, daß der Operationsverstärker 10 bipo
lare Transistoren enthält. Für den Fall, daß allerdings der
Operationsverstärker 10 MOS-Transistoren aufweist, weist auch
oder Komparator 20 MOS-Transistoren auf. Der Komparator 20 ist
zusammen mit dem Operationsverstärker 10 in eine integrierte
Halbleiterschaltung eingeschlossen.
Eine Schaltung des oben beschriebenen Aufbaus arbeitet wie
folgt. Wenn als Eingabesignale hohe und tiefe digitale Signale
eingegeben werden, gibt zunächst der Operationsverstärker 10
des Spannungsfolgetyps tiefe und hohe digitale Signale an den
Ausgangsanschluß, die die gleichen Potentiale wie die Ein
gabesignale haben. Der Komparator 20 empfängt diese tiefen und
hohen digitalen Signale am Nichtkehreingangsanschluß (+) und
vergleicht sie mit der am Kehreingangsanschluß (-) empfangenen
Bezugsspannung Vref2 Wenn das digitale Signal niedriger ist
als die Bezugsspannung Vref2, gibt diese Schaltung ein nie
driges digitales Signal aus, während sie ein hohes digitales
Signal liefert, wenn das digitale Signal höher ist als die
Bezugsspannung Vref2 entsprechend dem Eingabesignal.
Falls das Eingabesignal von tief nach hoch geht, arbeitet der
Operationsverstärker 10 wie schon für das erste bis sechste
Ausführungsbeispiel beschrieben und gibt das Signal an den
Ausgangsanschluß weiter, der angesichts der vorherbestimmten
Durchlaufgeschwindigkeit von tief nach hoch wechselt. Für den
Fall, daß die Ausgabe des Operationsverstärkers 10 von tief
nach hoch geht, legt der Komparator 20 sofort seine Ausgabe
von tief auf hoch und gibt ein hohes digitales Signal an den
Ausgangsanschluß, wenn die Eingangsspannung am Nichtkehran
schluß des Komparators 20 die Bezugsspannung Vref2 erreicht.
Für den Fall, daß das Eingabesignal von hoch nach tief wech
selt, arbeitet der Operationsverstärker 10 wie für das erste
bis sechste Ausführungsbeispiel beschrieben und gibt das Si
gnal an den Ausgangsanschluß, der angesichts der vorherbe
stimmten Durchlaufgeschwindigkeit von hoch nach tief wechselt.
Für den Fall, daß die Ausgabe des Operationsverstärkers 10 von
hoch nach tief umschlägt, senkt der Komparator 20 sofort die
Ausgabe von hoch nach tief und gibt an den Ausgangsanschluß
ein tiefes digitales Signal, wenn die Eingangsspannung am
Nichtkehranschluß des Komparators 20 auf die Bezugsspannung
Vref2 sinkt.
Da der Operationsverstärker 10 die vorherbestimmte Durchlauf
geschwindigkeit hat, wie zuvor erläutert, wird die Ausgabe des
Operationsverstärkers 10 nicht durch das Rauschen beeinträch
tigt, wenn die Rauschfrequenz höher ist als der vorherbe
stimmte Wert, und zwar selbst dann nicht, wenn das auf tief
gehende Rauschen einem hohen Eingabesignal überlagert ist oder
das auf hoch gehende Rauschen einem niedrigen Eingabesignal.
Sogar für den Fall, daß die Ausgabe des Operationsverstärkers
10 sich in gewissem Ausmaß ändert, wird die Ausgabe vom Kompa
rator 20 durch Rauschen nicht beeinflußt, wenn die Ausgabe des
Operationsverstärkers 10 nicht unter die Bezugsspannung Vref2
absinkt.
Deshalb ist es möglich, eine Digitalsignalübertragungsschal
tung zu schaffen, die das Signal unter Unterdrückung der dem
digitalen Signal überlagerten Störungen übertragen und in eine
integrierte Halbleiterschaltung eingebaut werden kann.
In den Fig. 8 und 9 ist ein achtes Ausführungsbeispiel der
Erfindung gezeigt. Dieses Ausführungsbeispiel stellt eine
Digitalsignalübertragungsschaltung dar, die das Signal durch
Entfernen der dem eingegebenen digitalen Signal überlagerten
Störungen übertragen kann und zum Einbau in eine integrierte
Halbleiterschaltung geeignet ist. In Fig. 8 ist der Ausgang
des Operationsverstärkers 10 mit dem Nichtkehreingangsanschluß
(+) eines Komparators 20 verbunden, und eine Bezugsspannung
(Vergleichsspannung) Vref2 wird an den Kehreingabeanschluß (-)
des Komparators 20 angelegt. Das digitale Ausgangssignal ohne
Rauschen wird dem Ausgangsanschluß des Komparators 20 bereit
gestellt. Der Komparator 20 ist von einer Art, wie sie norma
lerweise als Wellenformerschaltung benutzt wird und weist bi
polare Transistoren auf, wenn der Operationsverstärker 10 bi
polare Transistoren aufweist. Wenn allerdings der Operations
verstärker 10 MOS-Transistoren aufweist, weist auch der Kom
parator 20 MOS-Transistoren auf. Der Komparator 20 ist
zusammen mit dem Operationsverstärker 10 in eine integrierte
Halbleiterschaltung eingebaut.
Fig. 9 zeigt den Aufbau des Operationsverstärkers 10 gemäß dem
achten Ausführungsbeispiel. Hier empfängt die Basis des NPN-Transistors
Q2 Eingangssignale, die in den Nichtkehreingangs
anschluß (+) eingegeben werden, und sein Kollektor ist mit
einem Ausgangsknoten verbunden. Die Basis des PNP-Transistors
Q3 empfängt eine erste Bezugsspannung Vref1, die an einen
Kehreingangsanschluß (-) angelegt wird, und sein Emitter ist
mit dem Emitter des PNP-Transistors Q2 verbunden. Der PNP-Transistor
Q3 bildet zusammen mit dem PNP-Transistor Q2 ein
Differentialtransistorpaar. Der Transistor Q3 hat die gleiche
Charakteristik wie der PNP-Transistor Q2. Das bedeutet, daß
der Kollektorstrom des Transistors Q3 der gleiche ist wie der
Ausgangsstrom des Differentialtransistorpaares, nämlich der
Kollektorstrom des PNP-Transistors Q2, wenn das Basispotential
des Transistors Q3 das gleiche ist wie beim Transistor Q2.
Zwischen den Stromzufuhrpotentialknoten Vcc und die üblicher
weise verbundenen Emitter der PNP-Transistoren Q2 und Q3 ist
die Konstantstromquelle I2 geschaltet, die den Emittern der
Transistoren Q2 und Q3 konstanten Strom i2 zuführt. Diese
Konstantstromquelle I2 weist bipolare Transistoren auf, wie
allgemein bekannt.
Mit dem Kollektor des PNP-Transistors Q3 ist der Kollektor
eines NPN-Transistors Q5 verbunden. Seine Basis ist mit seinem
Kollektor und einer Basis des Transistors Q7 verbunden und
sein Emitter ist geerdet. Der NPN-Transistor Q7 bildet
gemeinsam mit dem NPN-Transistor Q5 eine Stromspiegelschaltung
und wirkt als ausgangsseitiger Transistor, während der NPN-Transistor
Q5 als Eingangstransistor dient. Der Kollektor des
NPN-Transistors Q7 ist mit dem Ausgangsknoten des Differenti
altransistorpaares verbunden, d. h. mit dem Kollektor des PNP-Transistors
Q2. Die Basis des NPN-Transistors Q7 ist mit der
Basis des NPN-Transistors Q5 verbunden. Gemeinsam bilden sie
eine Stromspiegelschaltung. Der Kollektor des NPN-Transistors
Q7 dient als Ausgangsknoten der Stromspiegelschaltung. Bei dem
achten Ausführungsbeispiel hat der Transistor Q7 die gleiche
Charakteristik wie der NPN-Transistor Q5, dessen Strom
spiegelverhältnis 1 : 1 ist.
Die Basis des NPN-Transistors Q8 ist mit dem Ausgangsknoten
der Stromspiegelschaltung verbunden, d. h. mit dem Kollektor
des NPN-Transistors Q7, dessen Kollektor mit einem Ausgangs
knoten A verbunden ist, während sein Emitter geerdet ist.
Zwischen den Stromzufuhrpotentialknoten Vcc und den Kollektor
des Transistors Q8 ist eine Konstantstromquelle I5 geschaltet,
die dem Kollektor des Transistors Q8 gleichbleibenden Strom i5
zuführt und bipolare Transistoren aufweist, wie allgemein be
kannt. Zwischen den Ausgangsknoten den Stromspiegelschaltung,
d. h. den Kollektor des NPN-Transistors Q7 und den Ausgangs
knoten A, d. h. den Kollektor des NPN-Transistors Q8 ist ein
kapazitives Element C1 geschaltet.
Eine Schaltung des oben beschriebenen Aufbaus arbeitet wie
folgt. Wenn ein tiefes Eingangssignal eingegeben wird, ver
gleicht der Operationsverstärker 10 dieses mit der ersten Be
zugsspannung Vref1 und gibt das tiefe digitale Signal an den
Ausgangsknoten A, da das Eingangssignal tiefer ist als die
erste Bezugsspannung Vref1.
Das bedeutet mit anderen Worten, da der tiefere Potentialpegel
dem PNP-Transistor Q2 bereitgestellt wird, während die erste
Bezugsspannung Vref1, die höher ist als der tiefere Pegel des
Potentials, an der Basis des PNP-Transistors Q3 verfügbar ist.
Die Leitfähigkeit des PNP-Transistors Q2 ist also höher als
die des PNP-Transistors Q3. Da diese Transistoren ein Diffe
rentialtransistorpaar bilden, ist der Kollektorstrom des PNP-Transistors
Q2 (1/2 × i2 + α) und damit größer als 1/2 × i2,
während der Kollektorstrom des PNP-Transistors Q3 (1/2 × i2 -
α) und damit kleiner ist als 1/2 × i2.
Da der Kollektorstrom des PNP-Transistors Q2 (1/2 × i2 + α)
ist, während der Kollektorstrom des NPN-Transistors Q7 (1/2 ×
i2 - α) ist, fließt Differentialstrom 2α zwischen ihnen sowohl
in die Basis des NPN-Transistors Q8 als auch in das kapazitive
Element C1. Damit ist die Leitfähigkeit des NPN-Transistors Q8
hoch (niedrig als Widerstand), was das Potential des Aus
gangsknotens A senkt und den Strom aus dem Ausgangsknoten A
entzieht. Das führt dazu, daß der Pegel des Ausgangsknotens A
niedriger wird.
Der das tiefe digitale Signal vom Ausgangsknoten A am Nicht
kehreingangsanschluß (+) empfangende Komparator 20 vergleicht
die Spannung dieses tiefen digitalen Signals mit dem höheren
Wert der zweiten Bezugsspannung Vref2 und gibt dann entspre
chend dem niedrigen Eingabesignal das niedrige digitale Signal
aus.
Wenn andererseits das hohe digitale Signal das Eingabesignal
ist, vergleicht der Operationsverstärker 10 das hohe digitale
Signal mit der ersten Bezugsspannung Vref1 und gibt das hohe
digitale Signal an den Ausgangsknoten A entsprechend dem Ein
gangssignal, welches höher ist als die erste Bezugsspannung
Vref1.
Da dem PNP-Transistor Q2 Potential von tiefem Pegel zur Ver
fügung steht und eine erste Bezugsspannung Vref1, die nie
driger ist als ein vorherbestimmtes Potential eines hohen
Pegels an der Basis des PNP-Transistors Q3 verfügbar ist, ist
die Leitfähigkeit des PNP-Transistors Q2 niedriger als die des
PNP-Transistors Q3. Aus diesem Grund wird der Kollektorstrom
des PNP-Transistors Q2 (1/2 × i2 - α), was kleiner ist als 1/2
× i2, während der Kollektorstrom des PNP-Transistors Q3 (1/2 ×
i2 + α) wird, was größer ist als 1/2 × i2.
Weil der Kollektorstrom des PNP-Transistors Q3 der gleiche ist
wie der des NPN-Transistors Q5 ist der Kollektorstrom des NPN-Transistors
Q7 auch der gleiche wie der des PNP-Transistors
Q3, nämlich (1/2 × i2 + α).
Weil der Kollektorstrom des PNP-Transistors Q2 (1/2 × i2 - α)
ist, während der Kollektorstrom des NPN-Transistors Q7 (1/2 ×
i2 + α) ist, wird der Differentialstrom 2α sowohl der Basis
des NPN-Transistors Q8 als auch dem kapazitiven Element C1
entnommen. Damit wird die Leitfähigkeit des NPN-Transistors Q8
niedrig (hoch als Widerstand), was das Potential des Aus
gangsknotens A erhöht, der den Strom für den Komparator 20 zur
Verfügung stellt.
Wenn er das hohe digitale Signal vom Ausgangsknoten A am
Nichtkehreingangsanschluß (+) empfängt, vergleicht der Kompa
rator 20 die Spannung dieses hohen digitalen Signals mit dem
niedrigeren Wert der zweiten Bezugsspannung Vref2 und gibt
dann entsprechend dem hohen Eingabesignal das hohe digitale
Signal aus.
Wenn das Eingangssignal am Nichtkehranschluß von tief nach
hoch geht, vergleicht der Operationsverstärker 10 das von hoch
nach tief gehende Signal mit der ersten Bezugsspannung Vref1
Infolgedessen nimmt die Leitfähigkeit und der Kollektorstrom
des PNP-Transistors Q2 ab, und die Leitfähigkeit und der Kol
lektorstrom des PNP-Transistors Q3 nimmt zu. Aus diesem Grund
nimmt der in die Basis des NPN-Transistors Q8 und den Konden
sator C1 fließende Strom um die Differenz 2α ab, und schließ
lich wird der Strom 2α vom NPN-Transistor Q8 und Kondensator
C1 abgezogen.
Die Leitfähigkeit des NPN-Transistors Q8 wird also niedrig
(hoch als Widerstand), was das Potential des Ausgangsknotens A
erhöht und den Strom vom Ausgangsknoten A liefert. Deshalb
ändert sich am Ausgangsknoten A das Potential von tief nach
hoch mit der vorherbestimmten Durchlaufgeschwindigkeit, und
schließlich nimmt der Ausgangsknoten A hohes Niveau an.
Wenn der Ausgang des Operationsverstärkers 10 von tief nach
hoch wechselt und die Bezugsspannung Vref2 erreicht, erhöht
plötzlich der Komparator 20 die Ausgabe von tief nach hoch und
gibt ein digitales Signal hohen Pegels an den Ausgangsanschluß
ab.
Wenn andererseits das Eingabesignal am Nichtkehranschluß von
hoch nach tief geht, vergleicht der Operationsverstärker 10
das von tief nach hoch wechselnde Eingabesignal mit der Be
zugsspannung Vref1. Infolgedessen nimmt die Leitfähigkeit und
der Kollektorstrom des PNP-Transistors Q2, der eine Seite des
Differentialtransistorpaares darstellt, zu, während die Leit
fähigkeit und der Kollektorstrom des PNP-Transistors Q3 ab
nimmt.
Der an der Basis des NPN-Transistors Q8 und am Kondensator C1
entnommene Strom sinkt also um die Differenz 2α, und schließ
lich wird der Strom 2α der Basis des NPN-Transistors Q8 und
dem Kondensator C1 zugeführt. Die Leitfähigkeit des NPN-Transistors
Q8 ist also hoch (tief als Widerstand), was das
Potential am Ausgangsknoten A senkt und den Strom durch den
Ausgangsknoten zieht. Infolgedessen ändert sich das Potential
am Ausgangsknoten A von hoch nach tief mit der vorherbestimm
ten Durchlaufgeschwindigkeit, und der Ausgangsknoten A nimmt
schließlich einen niedrigen Pegel an.
Wenn der Ausgang des Operationsverstärkers 10 von hoch nach
tief geht und die Bezugsspannung Vref2 erreicht, wechselt der
Komparator 20 sofort den Ausgang von hoch nach tief und gibt
ein tiefes digitales Signal aus. Da der Operationsverstärker
10 eine vorherbestimmte Durchlaufgeschwindigkeit hat, wird
seine Ausgabe nicht beispielsweise durch das Rauschen beein
flußt, welches auf niedrig geht, wenn das Eingangssignal hoch
ist, oder auf hoch geht, wenn das Eingangssignal tief ist,
sofern die Frequenz des Rauschens oberhalb einer vorherbe
stimmten Frequenz liegt. Selbst für den Fall, daß sich die
Ausgabe des Operationsverstärkers 10 in gewissem Ausmaß
ändert, wird die Ausgabe des Komparators 20 nicht durch
Rauschen beeinträchtigt, wenn sich die Ausgabe des Opera
tionsverstärkers 10 um weniger als die am Komparator 20
anliegende Bezugsspannung Vref2 ändert.
Man kann also eine Digitalsignalübertragungsschaltung erhal
ten, die das Signal unter Unterdrückung des dem digitalen Si
gnal überlagerten Rauschens überträgt und in eine integrierte
Halbleiterschaltung einbaubar ist.
Unter Hinweise auf die Fig. 17(a) und 17(b) wird im einzelnen
erläutert, wie überlagertes Rauschen unterdrückt werden kann,
welches auf tief geht, wenn das Eingabesignal hoch ist. Wenn
das auf tief gehende Rauschen bei hohem Eingabesignal ansteht,
wie in Fig. 17(a) gezeigt, ändert sich das Ausgangssignal des
Operationsverstärkers 10, der die vorherbestimmte Durchlauf
geschwindigkeit hat, von hoch nach tief entsprechend der
Eingabesignaländerung von hoch nach tief. Wenn danach das
Rauschen des Eingabesignals von tief nach hoch geht, wie in
Fig. 17(b) gezeigt, geht das Ausgangssignal des Operations
verstärkers 10, der die vorherbestimmte Durchlaufgeschwin
digkeit hat, auf hoch.
Außer wenn die Potentialänderung des am Ausgang des Operati
onsverstärkers 10 erscheinenden Rauschens geringer wird als
die zweite Bezugsspannung Vref2 ,wird also der Ausgang des
Komparators 20 durch das Rauschen nicht beeinträchtigt. Es
wird also ein Ausgangssignal erhalten, aus dem Störungen
beseitigt sind. Wenn zum Beispiel Rauschen einer Spannung von
0-5 V und einer Frequenz von etwa 3,5 MHz eingeht, ist eine
Zeitkonstante CR von 2 × 10 7 für die in Fig. 15 gezeigte
herkömmliche Schaltung nötig. Angenommen R = 2 kΩ, dann ist
eine Kapazität C von 100 pF erforderlich. Bei der Erfindung,
wie sie in Fig. 9 dargestellt ist, kann andererseits die
Kapazität des Kondensators C1 lediglich 0,56 pF betragen, wenn
I₂ = 10 µA. Hier ist es möglich, die Kapazität des Kondensa
tors C1 durch Erniedrigen des Stroms I₂ der Vorspannung im
Komparator oder Operationsverstärker zu verringern.
Fig. 10 zeigt eine Digitalsignalübertragungsschaltung gemäß
dem neunten Ausführungsbeispiel der Erfindung. Die hier ver
wendeten Transistoren sind MOS-Transistoren, während sie beim
achten Ausführungsbeispiel bipolare Transistoren sind. Das
bedeutet mit anderen Worten, daß beim neunten Ausführungsbei
spiel die PNP-Transistoren Q2, Q3 aus dem achten Ausführungs
beispiel durch P-Kanal MOS-Transistoren Q2, Q3 und die NPN-Transistoren
Q5, Q7 und Q8 durch N-Kanal MOS-Transistoren Q5,
Q7 und Q8 ersetzt sind. Auch die Gleichstromquellen I2 und I5
weisen MOS-Transistoren auf, wie allgemein bekannt.
Der so gestaltete Schaltkreis arbeitet auf die gleiche Weise
wie im Fall des achten Ausführungsbeispiels. Gleiche Bezugs
zeichen in den Fig. 10 und 9 bezeichnen gleiche Bauelemente
oder Elemente mit gleichen Funktionen. Beide Ausführungsbei
spiele haben die gleichen Wirkungen.
In Fig. 11 ist eine Digitalsignalübertragungsschaltung gemäß
einem zehnten Ausführungsbeispiel der Erfindung gezeigt, die
zum Einbau in eine integrierte Halbleiterschaltung geeignet
ist und das Signal unter Unterdrückung des dem digitalen Si
gnal überlagerten Rauschens übertragen kann. Das zehnte Aus
führungsbeispiel unterscheidet sich von dem achten allein im
Aufbau des Operationsverstärkers 10.
Im Fall von Fig. 11 empfängt die Basis des PNP-Transistors Q2
das in den Nichtkehreingangsanschluß (+) eingegebene Signal,
und der Kollektor dieses Transistors ist geerdet. Ein PNP-Transistor
Q2 bildet gemeinsam mit dem PNP-Transistor Q3 ein
Differentialtransistorpaar. Die Basis des PNP-Transistors Q3
empfängt eine Bezugsspannung (Vergleichsspannung) Vref1 an
einem Kehreingangsanschluß (-), und der Emitter dieses Tran
sistors ist mit dem Emitter des PNP-Transistors Q2 verbunden,
während sein Kollektor als Ausgangsknoten des Differential
transistorpaares fungiert. Der Transistor Q3 hat die gleiche
Charakteristik wie der PNP-Transistor Q2, der Kollektorstrom
(Ausgangsstrom des Differentialtransistorpaares) ist der
gleiche wie der Kollektorstrom des PNP-Transistors Q2, falls
das Potential an der Basis des PNP-Transistors Q3 das gleiche
ist wie das am PNP-Transistor Q2.
Zwischen den Stromzufuhrpotentialknoten Vcc und die verbun
denen Emitter der PNP-Transistoren Q2 und Q3 ist die Kon
stantstromquelle I2 geschaltet, die den Emittern der beiden
Transistoren Q2 und Q3 gleichbleibenden Strom i2 zuführt.
Diese Konstantstromquelle I2 weist bipolare Transistoren auf,
wie allgemein bekannt.
Der Kollektor des NPN-Transistors Q5 ist mit einem Ausgangs
knoten des Differentialtransistorpaares, nämlich dem Kollektor
des PNP-Transistors Q3 verbunden, und die Basis des NPN-Transistors
Q5 ist mit dem Emitter des NPN-Transistors Q5 verbun
den, während der Emitter geerdet ist. Die Basis des NPN-Transistors
Q5 und die Basis des NPN-Transistors Q7 sind mitein
ander verbunden und bilden eine Spiegelschaltung. Der NPN-Transistor
Q5 dient als eingangsseitiger Transistor in der
Stromspiegelschaltung.
Der NPN-Transistor Q7 dient als ausgangsseitiger Transistor
der Stromspiegelschaltung, ist mit seinem Emitter geerdet, und
der Kollektor dient als Ausgangsknoten der Stromspiegelschal
tung. Das Kollektorstromverhältnis zwischen den Kollektor
strömen der NPN-Transistoren Q5, Q7 ist n : 1. Mit anderen
Worten, der Kollektorstrom des NPN-Transistors Q7 ist das 1/n-fache
des Kollektorstroms des NPN-Transistors Q5.
Zwischen den Stromzufuhrpotentialknoten Vcc und den Kollektor
des NPN-Transistors Q7 ist die Konstantstromquelle I4 ge
schaltet, die dem Kollektor des NPN-Transistors Q7 gleich
bleibenden Strom i4 zuführt. Die Konstantstromquelle I4 weist
bipolare Transistoren auf, wie allgemein bekannt, und der
konstante Strom i4 ist das 1/2 n-fache des konstanten
Stroms i2.
Die Basis des NPN-Transistors Q8 ist mit dem Ausgangsknoten
der Stromspiegelschaltung, nämlich dem Kollektor des NPN-Transistors
Q7 verbunden. Der Kollektor ist mit dem Ausgangs
knoten A verbunden, der Emitter geerdet, und die Aufgabe ist
die eines Ausgangstransistors. Zwischen den Stromzufuhrpoten
tialknoten Vcc und den Kollektor des Transistors Q8 ist die
Konstantstromquelle I5 geschaltet, die für den Kollektor des
NPN-Transistors Q8 gleichbleibenden Strom i5 liefert. Die
Konstantstromquelle I5 weist bipolare Transistoren auf, wie
allgemein bekannt.
Zwischen den Ausgangsknoten der Stromspiegelschaltung, nämlich
den Kollektor des NPN-Transistors Q7 und den Ausgangsknoten A,
nämlich den Kollektor des NPN-Transistors Q8 ist das kapazi
tive Element C1 geschaltet.
Eine so aufgebaute Schaltung arbeitet wie folgt. Wenn ein
tiefes digitales Signal in den Nichtkehranschluß eingegeben
wird, vergleicht der Operationsverstärker 10 hohe digitale
Signale mit der ersten Bezugsspannung Vref1 und gibt tiefe
digitale Signale an den Ausgangsknoten A ab, wenn das Ein
gabesignal der Basis des Transistors Q2 höher ist als die
erste Bezugsspannung Vref1. Da das tiefe Potential am PNP-Transistor
Q2 verfügbar ist, während die erste Bezugsspannung
Vref1 zur Verfügung steht, die höher ist als das tiefe
Potential, ist der PNP-Transistor Q2 durchgesteuert, während
der PNP-Transistor Q3 gesperrt ist. Deshalb fließt kein
Kollektorstrom im PNP-Transistor Q3, und das bedeutet, daß
auch kein Kollektorstrom in den NPN-Transistoren Q5 und Q7
fließt.
Folglich fließt konstanter Strom i4 (= i2/2 n) der Konstant
stromquelle I4 in der Basis des NPN-Transistors Q8 und im ka
pazitiven Element C1. Hierbei wirkt der konstante Strom i4 als
Ladestrom für das kapazitive Element C1, welches die Durch
laufgeschwindigkeit von tief nach hoch bestimmt.
Die Leitfähigkeit des NPN-Transistors Q8 ist also hoch (tief
als Widerstand), was das Potential des Ausgangsknotens A ver
ringert und den Strom aus dem Ausgangsknoten A entnimmt. Damit
wird der Ausgangsknoten A tief. Bei Empfang des tiefen
digitalen Signals vom Ausgangsknoten A am Nichtkehreingangs
anschluß (+), vergleicht der Komparator 20 die Spannung des
tiefen Potentials am Nichtkehreingangsanschluß (+) mit der
zweiten Bezugsspannung Vref2 am Kehreingangsanschluß (-) und
gibt ein tiefes digitales Signal aus.
Wenn andererseits ein hohes digitales Signal in den Nicht
kehranschluß eingegeben wird, vergleicht der Operationsver
stärker 10 das tiefe digitale Signal an der Basis des Transi
stors Q2 mit der ersten Bezugsspannung Vref1 und gibt
schließlich das hohe digitale Signal an den Ausgangsknoten A,
wenn das Eingangssignal des Transistors Q2 niedriger ist als
die erste Bezugsspannung Vref1.
Da an der Basis des PNP-Transistors Q2 niedriges Potential
verfügbar ist, während die erste Bezugsspannung Vref1, die
niedriger ist als das hohe Potential, der Basis des PNP-Transistors
Q3 zur Verfügung gestellt wird, ist der PNP-Transistor
Q2 gesperrt, während der PNP-Transistor Q3 durchgesteuert ist.
Deshalb erlebt der Kollektor des PNP-Transistors Q3 die Strö
mung des konstanten Stroms i2.
Da der Kollektorstrom des PNP-Transistors Q3 der gleiche ist
wie der des NPN-Transistors Q5, ist der Kollektorstrom des
NPN-Transistors Q7 das 1/n-fache des Kollektorstroms des PNP-Transistors
Q3, nämlich i2 × 1/n.
Folglich wird der Kollektorstrom entsprechend i2 × 1/2 n des
PNP-Transistors Q7 von der Basis des NPN-Transistors Q8 und
dem kapazitiven Element C1 entnommen. Dieser Differentialstrom
i2 × 1/n n ist ein Entladungsstrom des kapazitiven Elements
C1, und damit wird die Durchlaufgeschwindigkeit von hoch nach
tief bestimmt.
Die Leitfähigkeit des NPN-Transistors Q8 ist also niedrig
(hoch als Widerstand, er kann gesperrt sein), was das Poten
tial des Ausgangsknotens A erhöht, und der Strom fließt aus
dem Ausgangsknoten A heraus. Also wird das Potential am Aus
gangsknoten A hoch.
Bei Empfang des hohen digitalen Signals vom Ausgangsknoten A
am Nichtkehreingangsanschluß (+), vergleicht der Komparator 20
die Spannung des digitalen Signals mit der zweiten Bezugs
spannung Vref2, die niedriger ist als das am Kehreingangsan
schluß (-) empfangene hohe Potential, und gibt das hohe digi
tale Signal entsprechend dem Eingangssignal aus.
Wenn das Eingabesignal am Nichtkehranschluß von tief nach hoch
wechselt, wird das Basispotential des Transistors Q2, das von
tief nach hoch geht, mit der ersten Bezugsspannung Vref1 ver
glichen und bringt den PNP-Transistor Q2 aus geöffnetem in
gesperrten Zustand und bringt den PNP-Transistor Q3, der mit
dem Transistor Q2 das Differentialtransistorpaar bildet, aus
gesperrtem Zustand in leitenden Zustand, und zwar entsprechend
der Potentialänderung des eingegebenen Signals. Folglich zieht
der NPN-Transistor Q7 den Strom i2/2 n von der Basis des NPN-Transistors
Q8 und dem kapazitiven Element C1 ab.
Die Leitfähigkeit des NPN-Transistors Q8 ist niedrig (hoch als
Widerstand, und er kann in gesperrtem Zustand sein), was das
Potential des Ausgangsknotens A erhöht, und der Strom fließt
aus dem Ausgangsknoten A heraus. Der Verstärker gibt also
Ausgangssignale, die von tief nach hoch gehen und die vorher
bestimmte Durchlaufgeschwindigkeit haben (die von der Entla
dungszeit des kapazitiven Elements C1 abhängt) an den Aus
gangsknoten A, und damit wird das Potential am Ausgangsknoten
A schließlich hoch.
Wenn sich der Ausgang des Operationsverstärkers 10 von tief
nach hoch ändert und die Bezugsspannung Vref2 erreicht, stei
gert der Komparator 20 sofort das Ausgangspotential von tief
nach hoch, und es wird ein hohes digitales Signal ausgegeben.
Wenn sich andererseits das Eingangssignal am Nichtkehranschluß
von hoch nach tief ändert, wird das Basispotential des Tran
sistors Q2, beim Wechsel von hoch nach tief mit der ersten
Bezugsspannung Vref1 verglichen und ändert den Zustand des
PNP-Transistors Q2 von gesperrt zu durchgesteuert und ändert
den Zustand des PNP-Transistors Q3, der mit dem Transistor Q2
gemeinsam das Differentialtransistorpaar bildet, von leitend
zu nichtleitend entsprechend der Potentialänderung des einge
gebenen Signals. Infolgedessen fließt der Strom i2/2n in die
Basis des NPN-Transistors Q8 und das kapazitive Element C1.
Die Leitfähigkeit des Transistors Q8 ist also hoch (tief als
Widerstand), was das Potential des Ausgangsknotens A senkt,
und der Strom wird vom Ausgangsknoten A abgezogen. Infolge
dessen gibt der Operationsverstärker 10 das Ausgangssignal von
vorherbestimmter Durchlaufgeschwindigkeit (die von der Lade
zeit des kapazitiven Elements C1 abhängt) an den Ausgangskno
ten A und wechselt von hoch nach tief. Damit nimmt der Aus
gangsknoten A schließlich tiefes Niveau an.
Beim Wechseln des Ausgangs des Operationsverstärkers 10 von
hoch nach tief und bei Erreichen der Bezugsspannung Vref2 er
niedrigt der Komparator 20 plötzlich das Ausgangspotential von
hoch nach tief, und deshalb gibt der Verstärker das tiefe di
gitale Signal aus.
Beim Wechsel des Eingangssignals von hoch nach tief fällt das
Emitterpotential des PNP-Transistors Q2 im Operationsverstär
ker 10 zeitweilig, und es wird Sperrstrom an die Basis-Emitter-Strecke
des PNP-Transistors Q3 angelegt, und der durch den
PNP-Transistor Q3 verursachte, in Sperrichtung fließende Strom
fließt über den PNP-Transistor Q2 zum Erdungsknoten. Das hat
zur Folge, daß dieser in Sperrichtung fließende Strom den NPN-Transistor
Q8 nicht beeinflußt, und der Ausgang des Operati
onsverstärkers 10 wechselt von hoch nach tief entsprechend der
Eingangssignaländerung von hoch nach tief.
Da der Operationsverstärker 10 eine vorherbestimmte Durch
laufgeschwindigkeit hat, wird der Ausgang des Operations
verstärkers 10 vom Rauschen, selbst wenn dem hohen Eingangs
signal nach tief wechselndes Rauschen überlagert ist oder wenn
dem tiefen Eingangssignal nach hoch wechselndes Rauschen
überlagert ist, nicht beeinflußt, sofern die Rauschfrequenz
höher ist als der vorherbestimmte Wert. Da der Kollektor des
PNP-Transistors Q2, in den das Eingangssignal eingegeben wird,
und der eine Seite des Differentialtransistorpaares darstellt,
geerdet ist und der Kollektor des PNP-Transistors Q3 als Aus
gangsknoten des Differentialtransistorpaares dient, kann die
Wirkung des mittels des PNP-Transistors Q3 verursachten
Sperrstroms unterdrückt werden, falls das Eingangssignal am
Nichtkehranschluß von hoch nach tief wechselt. Damit wird
Rauschen gründlich beseitigt. Selbst für den Fall, daß sich
der Ausgang des Operationsverstärkers 10 in gewissem Ausmaß
ändert, wird der Ausgang des Komparators 20 nicht durch
Rauschen beeinflußt, sofern der Ausgang des Operationsver
stärkers 10 nicht unter die Bezugsspannung Vref2 fällt.
Es ist also möglich, eine Digitalsignalübertragungsschaltung
zu erhalten, die zum Einbau in eine integrierte Halbleiter
schaltung geeignet ist und das Signal unter Unterdrückung des
dem eingegebenen digitalen Signal überlagerten Rauschens
übertragen kann.
Unter Hinweis auf die Fig. 14(a) und 14(b) wird erläutert, wie
das überlagerte Rauschen beseitigt werden kann, welches auf
tief wechselt, wenn das Eingangssignal hoch ist. Wenn das auf
tief übergehende Rauschen angelegt wird, während das Ein
gangssignal hoch ist, wie in Fig. 14(a) gezeigt, ändert sich
das Ausgangssignal des Operationsverstärkers 10, der die
vorherbestimmte Durchlaufgeschwindigkeit hat, von hoch nach
tief entsprechend der Eingangssignaländerung von hoch nach
tief. Wenn danach das Rauschen des Eingangssignals von tief
nach hoch geht, wie in Fig. 14(b) gezeigt, ändert sich das
Ausgangssignal des Operationsverstärkers 10 mit der vorher
bestimmten Durchlaufgeschwindigkeit, auf hohes Niveau.
Das Verhältnis zwischen der Impulszeit des Rauschens und der
Spannungskurvensenke V im Ausgangssignal des Operationsver
stärkers 10 wird wie folgt erhalten:
C1 × V - i4 × t.
Angenommen, i4 = 10 µA; C1 = 10 pF; t = 10 ns, ergibt sich für
die Spannungskurvensenke 0,01 V. Damit ist es ganz leicht, die
zweite Bezugsspannung Vref2 zu bestimmen. Und das Ausgangssi
gnal des Komparators 20 wird durch die beseitigte Störung
nicht beeinflußt, es sei denn, das Potential am Ausgang des
Operationsverstärkers 10 ändert sich auf einen niedrigeren
Wert als die zweite Bezugsspannung Vref2 Das bedeutet, daß
ein Ausgangssignal erhalten wird, aus dem Störungen entfernt
sind.
Im Operationsverstärker 10 wird die Grenzfrequenz für das
Rauschen mittels der gleichen Formel erhalten wie beim ersten
Ausführungsbeispiel erläutert. Die Anstiegszeit von tief nach
hoch und die Abfallzeit von hoch nach tief kann mittels des
konstanten Stroms i2 der Konstantstromquelle I2 und des
gleichbleibenden Stroms i4 der Konstantstromquelle I4 erhalten
werden. Beim neunten Ausführungsbeispiel ist durch Justieren
des Stroms auf i4 = 2 × i2 die Anstiegs- und die Abfallszeit
gleich.
Wenn n des Stromspiegelverhältnisses n : 1 zwischen den die
Stromspiegelschaltung bildenden Transistoren Q5 und Q7 erhöht
wird, kann der konstante Strom i2 der Konstantstromquelle I2
erhöht werden und die Schaltgeschwindigkeit der PNP-Transistoren
Q1, Q2, Q3 und Q6 auf einen höheren Wert als die
Durchlaufgeschwindigkeit angehoben werden, wenn der konstante
Strom i4 der Konstantstromquelle I4 gesenkt und die Grenz
frequenz niedriger gewählt wird.
In Fig. 12 ist eine Schaltung gemäß einem elften Ausführungs
beispiel der Erfindung dargestellt, die sich durch ihre MOS-Transistoren
von dem bipolare Transistoren aufweisenden elften
Ausführungsbeispiel unterscheidet. Anders ausgedrückt, die
NPN-Transistoren Q5, Q7 und Q8 des zehnten Ausführungsbei
spiels sind durch N-Kanal MOS-Transistoren Q5, Q7 und Q8 beim
elften Ausführungsbeispiel ersetzt. Ebenso weisen die Kon
stantstromquellen I2, I4 und I5 bei diesem Ausführungsbeispiel
MOS-Transistoren auf, wie allgemein bekannt.
Eine Schaltung dieses Aufbaus arbeitet in der gleichen Weise
wie das achte Ausführungsbeispiel. In Fig. 12 sind für ent
sprechende Teile oder Teile mit entsprechenden Funktionen die
gleichen Bezugszeichen verwendet wie in Fig. 11.
Claims (19)
1. Operationsverstärker,
gekennzeichnet durch:
gekennzeichnet durch:
- - ein Differentialtransistorpaar (Q2, Q3) mit einem ersten Transistor eines ersten Leitfähigkeitstyps, dessen Steuerelektrode ein Eingangssignal empfängt und dessen eine Hauptelektrode mit einem ersten Stromzufuhrpoten tialknoten (Vcc) verbunden ist, und einem zweiten Tran sistor des ersten Leitfähigkeitstyps, dessen Steuer elektrode ein Ausgangssignal empfängt und dessen andere Hauptelektrode mit der Hauptelektrode des ersten Transi stors verbunden ist und dessen andere Hauptelektrode als Ausgangsknoten des Differentialtransistorpaares (Q2, Q3) dient;
- - eine Stromspiegelschaltung (Q5, Q7) mit einem dritten Transistor eines zweiten Leitfähigkeitstyps, dessen eine Hauptelektrode und Steuerelektrode beide mit dem Aus gangsknoten des Differentialtransistorpaares verbunden sind, und einem vierten Transistor des zweiten Leitfähig keitstyps, dessen Steuerelektrode mit der Steuerelektrode des dritten Transistors verbunden ist und dessen andere Hauptelektrode mit dem ersten Stromzufuhrpotentialknoten gekoppelt ist, und dessen eine Hauptelektrode als Aus gangsknoten der Stromspiegelschaltung (Q5, Q7) dient;
- - einen fünften Transistor des zweiten Leitfähigkeitstyps, dessen eine Hauptelektrode mit einem Ausgangsanschluß verbunden ist, dessen andere Hauptelektrode mit dem ersten Stromzufuhrpotentialknoten (Vcc) gekoppelt ist und dessen Steuerelektrode mit dem Ausgangsknoten der Stromspiegel schaltung (Q5, Q7) verbunden ist; und
- - ein kapazitives Element (C1), welches zwischen den Aus gangsknoten der Stromspiegelschaltung und den Ausgangs anschluß geschaltet ist.
2. Operationsverstärker nach Anspruch 1,
gekennzeichnet durch:
- - einen sechsten Transistor des ersten Leitfähigkeitstyps, dessen Steuerelektrode das Eingangssignal empfängt, dessen eine Hauptelektrode mit dem ersten Stromzufuhrpotential knoten (Vcc) gekoppelt ist und dessen andere Hauptelek trode mit der Steuerelektrode des ersten Transistors verbunden ist; und
- - einen siebten Transistor des ersten Leitfähigkeitstyps, dessen Steuerelektrode mit dem Ausgangsanschluß verbunden ist, dessen eine Hauptelektrode mit dem ersten Stromzu fuhrpotentialknoten (Vcc) gekoppelt ist und dessen andere Hauptelektrode mit der Steuerelektrode des zweiten Tran sistors verbunden ist.
3. Operationsverstärker nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß der erste und zweite Transistor jeweils ein bipolarer PNP-Transistor
ist, daß der dritte bis fünfte Transistor jeweils
ein NPN-Transistor ist, daß die einen Hauptelektroden
Kollektorelektroden, die anderen Hauptelektroden Emitterelek
troden und die Steuerelektroden Basiselektroden in den jewei
ligen Transistoren sind, und daß der erste Stromzufuhrpoten
tialknoten ein Erdungsknoten ist.
4. Operationsverstärker nach Anspruch 2,
dadurch gekennzeichnet,
daß der erste, zweite, sechste und siebte Transistor jeweils
ein bipolarer PNP-Transistor ist, daß der dritte bis fünfte
Transistor jeweils ein NPN-Transistor ist, daß die einen
Hauptelektroden Kollektorelektroden, die anderen Hauptelek
troden Emitterelektroden und die Steuerelektroden Basiselek
troden in den Transistoren sind, und daß der erste Stromzu
fuhrpotentialknoten geerdet ist.
5. Operationsverstärker nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß der erste und zweite Transistor jeweils ein bipolarer NPN-Transistor
ist, daß der dritte bis fünfte Transistor jeweils
ein PNP-Transistor ist, daß die einen Hauptelektroden Kollek
torelektroden, die anderen Hauptelektroden Emitterelektroden
und die Steuerelektroden Basiselektroden in den Transistoren
sind, und daß ein Stromzufuhrpotential an den ersten Stromzu
fuhrpotentialknoten angelegt wird.
6. Operationsverstärker nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß der erste und zweite Transistor jeweils ein P-Kanal MOS-Transistor
ist, daß der dritte bis fünfte Transistor jeweils
ein N-Kanal MOS-Transistor ist, daß die einen Hauptelektroden
Quellenelektroden, die anderen Hauptelektroden Senkenelek
troden und die Steuerelektroden Torelektroden im ersten und
zweiten Transistor sind, daß die einen Hauptelektroden
Senkenelektroden, die anderen Hauptelektroden Quellenelektro
den und die Steuerelektroden Torelektroden im dritten und
fünften Transistor sind, und daß der erste Stromzufuhrpo
tentialknoten Erde ist.
7. Operationsverstärker nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß der erste und zweite Transistor jeweils ein N-Kanal MOS-Transistor
ist, daß der dritte bis fünfte Transistor jeweils
ein P-Kanal MOS-Transistor ist, daß die einen Hauptelektroden
Quellenelektroden, die anderen Hauptelektroden Senkenelek
troden und die Steuerelektroden Torelektroden im ersten und
zweiten Transistor sind, daß die einen Hauptelektroden
Senkenelektroden, die anderen Hauptelektroden Quellenelektro
den und die Steuerelektroden Torelektroden im dritten bis
fünften Transistor sind, und daß der erste Stromzufuhrpo
tentialknoten geerdet ist.
8. Operationsverstärker nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß der erste Transistor eine Vielzahl der einen Hauptelek
troden hat, die alle mit dem ersten Stromzufuhrpotentialknoten
verbunden sind, daß der zweite Transistor eine Vielzahl der
einen Hauptelektroden hat, von denen eine als der Aus
gangsknoten des Differentialtransistorpaares dient und die
restlichen Elektroden mit dem ersten Stromzufuhrpotentialkno
ten verbunden sind.
9. Operationsverstärker nach Anspruch 7,
dadurch gekennzeichnet,
daß der erste und zweite Transistor Mehrfachkollektor-Transi
storen sind.
10. Operationsverstärker nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Stromspiegelschaltung ein Verhältnis von 1/n (n < 1)
des Eingangsstroms gegenüber dem Ausgangsstrom hat.
11. Digitalsignalübertragungsschaltung,
gekennzeichnet durch:
gekennzeichnet durch:
- - einen Operationsverstärker (10) mit einem Nichtkehreingang zum Empfang eines digitalen Eingangssignals; und
- - einen Komparator (20) mit einem Nichtkehreingang zum Emp fang eines Ausgangs des Operationsverstärkers und einen Kehreingang zum Empfang einer Bezugsspannung.
12. Digitalsignalübertragungsschaltung nach Anspruch 11,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Operationsverstärker eine Spannungsfolgeschaltung
aufweist, in der der Ausgangsknoten und der Kehreingang
miteinander verbunden sind.
13. Digitalsignalübertragungsschaltung nach Anspruch 11,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Operationsverstärker als Komparator wirkt, dessen
Kehreingang eine Bezugsspannung empfängt.
14. Digitalsignalübertragungsschaltung nach Anspruch 11,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Operationsverstärker folgendes aufweist: ein
Differentialtransistorpaar mit einem ersten Transistor eines
ersten Leitfähigkeitstyps, dessen Steuerelektrode mit dem
Nichtkehreingang verbunden ist, und einem zweiten Transistor
des ersten Leitfähigkeitstyps, dessen Steuerelektrode Bezugs
spannung empfängt und dessen andere Hauptelektrode mit der
anderen Hauptelektrode des ersten Transistors verbunden ist;
eine Stromspiegelschaltung mit einem dritten Transistor eines
zweiten Leitfähigkeitstyps, dessen eine Hauptelektrode und
Steuerelektrode beide mit einer Hauptelektrode des zweiten
Transistors verbunden sind und dessen andere Hauptelektrode
mit einem ersten Stromzufuhrpotentialknoten verbunden ist, und
einem vierten Transistor des zweiten Leitfähigkeitstyps,
dessen Steuerelektrode mit der Steuerelektrode des dritten
Transistors verbunden ist, dessen eine Hauptelektrode mit
einer Hauptelektrode des ersten Transistors und dessen andere
Hauptelektrode mit dem ersten Stromzufuhrpotentialknoten
verbunden ist und dessen eine Hauptelektrode als Ausgangs
knoten der Stromspiegelschaltung dient; einen fünften Tran
sistor des zweiten Leitfähigkeitstyps, dessen eine Haupt
elektrode mit einem Ausgangsanschluß verbunden ist, dessen
andere Hauptelektrode mit einem ersten Stromzufuhrpoten
tialknoten verbunden ist und dessen Steuerelektrode mit dem
Ausgangsknoten der Stromspiegelschaltung verbunden ist; und
ein kapazitives Element, welches zwischen den Ausgangsknoten
der Stromspiegelschaltung und den Ausgangsanschluß geschaltet
ist.
15. Digitalsignalübertragungsschaltung nach Anspruch 14,
dadurch gekennzeichnet,
daß der erste und zweite Transistor bipolare PNP-Transistoren
sind, daß der dritte bis fünfte Transistor NPN-Transistoren
sind, daß die einen Hauptelektroden Kollektorelektroden, die
anderen Hauptelektroden Emitterelektroden und die Steuerelek
troden Basiselektroden in den jeweiligen Transistoren sind,
und daß der erste Stromzufuhrpotentialknoten Erde ist.
16. Digitalsignalübertragungsschaltung nach Anspruch 14,
dadurch gekennzeichnet,
daß der erste und zweite Transistor P-Kanal MOS-Transistoren
sind, daß der dritte bis fünfte Transistor N-Kanal MOS-Transistoren
sind, daß die einen Hauptelektroden Quellenelek
troden, die anderen Hauptelektroden Senkenelektroden und die
Steuerelektroden Torelektroden beim ersten und zweiten Tran
sistor sind; daß die einen Hauptelektroden Senkenelektroden
und die anderen Hauptelektroden Quellenelektroden und die
Steuerelektroden Torelektroden im dritten bis fünften Transi
stor sind; und daß der erste Stromzufuhrpotentialknoten Erde
ist.
17. Digitalsignalübertragungsschaltung nach Anspruch 11,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Operationsverstärker folgendes aufweist: ein
Differentialtransistorpaar mit einem ersten Transistor eines
ersten Leitfähigkeitstyps, dessen Steuerelektrode mit dem
Nichtkehreingang verbunden ist, dessen eine Hauptelektrode mit
einem ersten Stromzufuhrpotentialknoten verbunden ist, und
einem zweiten Transistor des ersten Leitfähigkeitstyps, dessen
Steuerelektrode Bezugsspannung empfängt und dessen andere
Hauptelektrode mit der anderen Hauptelektrode des ersten
Transistors verbunden ist, und dessen andere Hauptelektrode
als Ausgangsknoten wirkt; eine Stromspiegelschaltung mit einem
dritten Transistor des zweiten Leitfähigkeitstyps, dessen eine
Hauptelektrode und Steuerelektrode beide mit dem Ausgangs
knoten des Differentialtransistorpaares verbunden sind, dessen
andere Hauptelektrode mit dem ersten Stromzufuhrpotential
knoten verbunden ist, und einem vierten Transistor des zweiten
Leitfähigkeitstyps, dessen Steuerelektrode mit der Steuer
elektrode des dritten Transistors verbunden ist, dessen andere
Hauptelektrode mit dem ersten Stromzufuhrpotentialknoten
verbunden ist und dessen eine Hauptelektrode als Ausgangs
knoten wirkt; ein fünfter Transistor des zweiten Leitfähig
keitstyps, dessen eine Hauptelektrode mit einem Ausgangs
anschluß verbunden ist, dessen andere Hauptelektrode mit dem
ersten Stromzufuhrpotentialknoten verbunden ist, und dessen
Steuerelektrode mit dem Ausgangsknoten der Stromspiegelschal
tung verbunden ist; und ein kapazitives Element, welches
zwischen den Ausgangsknoten der Stromspiegelschaltung und den
Ausgangsanschluß geschaltet ist.
18. Digitalsignalübertragungsschaltung nach Anspruch 17,
dadurch gekennzeichnet,
daß der erste und zweite Transistor bipolare PNP-Transistoren
sind, daß der dritte bis fünfte Transistor NPN-Transistoren
sind, daß die einen Hauptelektroden Kollektorelektroden, die
anderen Hauptelektroden Emitterelektroden und die Steuerelek
troden Torelektroden in den jeweiligen Transistoren sind, und
daß der erste Stromzufuhrpotentialknoten Erde ist.
19. Digitalsignalübertragungsschaltung nach Anspruch 17,
dadurch gekennzeichnet,
daß der erste und zweite Transistor P-Kanal MOS-Transistoren
sind, daß der dritte bis fünfte Transistor N-Kanal MOS-Transistoren
sind, daß die einen Hauptelektroden Quellenelektroden
und die anderen Hauptelektroden Senkenelektroden und die
Steuerelektroden Torelektroden im ersten und zweiten
Transistor sind, daß die einen Hauptelektroden Senkenelek
troden und die anderen Hauptelektroden Quellenelektroden und
die Steuerelektroden Torelektroden im dritten bis fünften
Transistor sind, und daß der erste Stromzufuhrpotentialknoten
Erde ist.
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