DE19614164A1

DE19614164A1 - Verfahren zum Bilden einer Mehrschichtverbindung

Info

Publication number: DE19614164A1
Application number: DE19614164A
Authority: DE
Inventors: Akihiko Ohsaki
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Renesas Electronics Corp
Priority date: 1995-10-19
Filing date: 1996-04-10
Publication date: 1997-04-24
Anticipated expiration: 2016-04-11
Also published as: KR100194306B1; US5677243A; JPH09116006A; DE19614164C2; KR970024015A; JP3469976B2

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bilden einer Mehr schichtverbindung. Speziell betrifft sie ein Verfahren zum Bilden einer fein strukturierten, vergrabenen Mehrschichtverbindung für eine integrierte Schal tung.

Je höher die Speicherintegration gemacht wird, desto feiner wird die Breite einer für einen Speicher verwendeten Verbindungsschicht strukturiert. Bei einem Speicher mit wahlfreiem Zugriff (DRAM) mit einer Speicherkapazität von 16 Megabits ist beispielsweise die Designregel der Breite der Verbindungs schicht 0,5 µm. So wie die Verbindungsschicht mit einer Breite von 0,5 µm fein strukturiert wird, ist auch der Durchmesser eines Kontaktloches, das eine Verbindungsschicht mit einer anderen verbindet, fast der gleiche wie die Breite der Verbindungsschichten. Bei solch feiner Strukturierung sind verschiedene Verfahren zum Bilden einer Mehrschichtverbindung vorgeschlagen worden.

Fig. 25 bis 33 sind Querschnittsansichten, die ein Verfahren zum Bilden der vergrabenen Mehrschichtverbindung darstellen, das in Proceeding of VMIC Conference, Seiten 144-152, 1991 beschrieben ist. Mit Bezug zu diesen Figuren wird im folgenden ein der Anmelderin bekanntes Verfahren zum Bilden einer vergrabenen Mehrschichtverbindung beschrieben.

Wie in Fig. 25 gezeigt ist, ist eine erste Verbindungsschicht 601 durch einen Zwischenschichtisolierfilm 602 bedeckt. Eine Oberfläche des Zwischenschicht isolierfilms 602 ist planarisiert. Auf der Oberfläche des Zwischenschichtiso lierfilms 602 ist durch Photolithographie ein Resistmuster 603 für ein Kontakt loch gebildet. Das Resistmuster 603 ist mit einem Loch 616 zur Verfügung ge stellt, das einen Durchmesser d aufweist. Das Kontaktloch wird direkt unter halb des Loches 616 gebildet.

Wie in Fig. 26 gezeigt ist, wird ein Resist 604 auf dem Zwischenschichtiso lierfilm 602 und dem Resistmuster 603 gebildet.

Wie in Fig. 27 gezeigt ist, wird ein Muster einer zweiten Verbindungsschicht durch das durch die Pfeile 617, 618 angedeutete Licht auf den Resist 604 übertragen.

Wie in Fig. 28 gezeigt ist, wird der Resist 604 entwickelt und somit wird ein Resistmuster 614 für die zweite Verbindungsschicht gebildet.

Wie in Fig. 29 gezeigt ist, werden die Resistmuster 603 und 614 als Maske verwendet und der Zwischenschichtisolierfilm 602 wird so trockengeätzt, daß ein Kontaktloch 606 gebildet wird. Das Kontaktloch 606 wird so gebildet, daß seine Bodenwand die erste Verbindungsschicht 601 nicht erreichen kann.

Wie in Fig. 30 gezeigt ist, wird das Resistmuster 614 als Maske verwendet und das Resistmuster 603 wird so trockengeätzt, daß ein Loch 615 für die erste Verbindungsschicht gebildet wird.

Wie in Fig. 31 gezeigt ist, wird das Resistmuster 614 als Maske verwendet und der Zwischenschichtisolierfilm 602 wird so trockengeätzt, daß ein Loch 607, 608 für die zweite Verbindungsschicht in dem Zwischenschichtisolierfilm 602 gebildet wird. Zu diesem Zeitpunkt wird die Bodenwand des Lochs 606 so gebildet, daß sie die erste Verbindungsschicht 601 erreicht. Dann werden die Resistmuster 603 und 614 entfernt.

Wie in Fig. 32 gezeigt ist, wird ein Metallfilm 609, der die zweite Verbin dungsschicht und den Verbindungsabschnitt bildet, durch ein Verfahren gebil det, das eine gute Bedeckung aufweist, wie z. B. chemisches Abscheiden aus der Gasphase. Das Kontaktloch 606 und die Löcher 607, 608 werden mit dem Metallfilm 609 gefüllt.

Wie in Fig. 33 gezeigt ist, wird der Metallfilm 609 mittels eines chemisch/ mechanischen Schleifverfahrens geschliffen und somit werden ein Verbindungs abschnitt 611 und eine zweite Verbindungsschicht 610 gebildet.

Bei dem obigen Verfahren zum Bilden einer Mehrschichtverbindung wird in dem in Fig. 27 gezeigten Schritt manchmal das Licht 617 für das Muster der zweiten Verbindungsschicht, das exakt auf das Loch 616 für das Kontaktloch übertragen werden soll, von dem Loch 616 aufgrund eines mechanischen Feh lers der Photolithographiemaschine oder anderer Faktoren versetzt. Damit werden ein Bereich 619, auf dem der Resist 604 dicker ist, und ein Bereich 620, auf dem der Resist 604 dünner ist, gebildet. In dem Bereich 619 mit dem dickeren Resist wird die Auflösung zur Zeit der Musterbelichtung verringert und das Resistmuster 614 kann nicht exakt gebildet werden.

Weiterhin wird, wie in Fig. 27 und 28 gezeigt ist, der Durchmesser des Loches 616a um die Breite des Bereiches 620 mit dem dünneren Resist kleiner als der des Loches 616 (d. h. die Breite der Versetzung). Folglich werden, wenn der Durchmesser d des Loches 660 auf 0,25 µm verringert wird, der Durchmesser des Loches 616a und damit der des dadurch gebildeten Kontaktloches 606 so verringert, daß sie so klein wie 0,15 µm sind, da die maximale Breite der obigen Versetzung ungefähr 0,1 µm ist. Folglich erhöht sich ein elektrischer Wider stand des Kontaktabschnittes 611, der in Fig. 33 gezeigt ist. In dem in Fig. 32 gezeigten Schritt, ist es für das Kontaktloch 616 unmöglich, daß es mit dem Metallfilm 609 gefüllt wird und die erste und die zweite Verbindungsschicht können miteinander nicht elektrisch verbunden werden.

Das der vorliegenden Erfindung zugrundeliegende Problem ist, ein Verfahren zum Bilden einer Mehrschichtverbindung zur Verfügung zu stellen, das in der Lage ist ein Resistmuster durch Einhalten einer gewissen Filmdicke des Resistmusters genau zu bilden.

Weiterhin soll ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrschichtverbindung zur Verfügung gestellt werden, bei dem eine fehlerhafte Verbindung zwischen der ersten und zweiten Verbindungsschicht durch Sicherstellen eines ausreichenden Durchmessers des Kontaktlochs verhindert werden kann und bei dem dadurch die Verringerung des elektrischen Widerstandes des Kontaktabschnitts verhin dert werden kann.

Ein Verfahren zum Herstellen einer Mehrschichtverbindung nach einem Aspekt der vorliegenden Erfindung enthält die folgenden Schritte:
Entfernen eines Abschnittes einer Isolierschicht, die eine Hauptoberfläche auf weist und die eine auf einem Halbleitersubstrat gebildete erste Leitungsschicht bedeckt, so daß in der Isolierschicht ein Loch gebildet wird, das die erste Lei tungsschicht erreicht,
Bilden einer organischen Schicht, die zumindest das Loch füllt,
Entfernen eines Abschnittes der Isolierschicht, der die organische Schicht be rührt, die das Loch füllt,
Entfernen der organischen Schicht, die das Loch füllt, so daß ein ausgesparter Abschnitt durchgehend zu dem Loch gebildet wird,
und Bilden einer zweiten Leitungsschicht in einer solchen Art, daß sie das Loch und den Resistabschnitt füllt.

Weiterhin kann der Schritt des Bildens des Loches Bilden eines Resistmusters auf der Hauptoberfläche der Isolierschicht und Entfernen der Isolierschicht entsprechend zu dem Resistmuster enthalten.

Weiterhin kann der Schritt des Bildens der organischen Schicht Füllen des Loches mit einer organischen Schicht während des Bildens einer organischen Schicht auf der Hauptoberfläche der Isolierschicht und dann Zu rückätzen der organischen Schicht, bis die Hauptoberfläche der Isolierschicht erscheint, enthalten.

Weiterhin kann der Schritt des Entfernens eines Abschnitts der Isolierschicht Bilden eines Resistmusters auf einer Hauptoberfläche der Isolierschicht und Entfernen der Isolierschicht entsprechend dem Resistmuster enthalten.

Weiterhin kann die erste Leitungsschicht zumindest eine Komponente sein, die von der Gruppe bestehend aus einem in dem Halbleitersubstrat gebildeten Dotierungsbereich und aus auf dem Halbleitersubstrat gebildeten Verbindungs schichten ausgewählt ist.

Weiterhin ist die vorliegende Erfindung bemerkenswert wirksam, wenn die Breite der ersten und der zweiten Leitungsschicht kleiner als 0,5 µm ist.

Bei dem obigen Verfahren zum Bilden einer Mehrschichtverbindung wird zuerst in einer Isolierschicht ein Loch gebildet, das eine erste Leitungsschicht er reicht, und dann wird das Loch mit einer organischen Schicht gefüllt, so daß ein ausreichender Durchmesser des Loches, das als Kontaktloch dient, erhalten werden kann. Folglich können ein erhöhter elektrischer Widerstand im Verbin dungsabschnitt und eine fehlerhafte Verbindung zwischen der ersten und der zweiten Verbindungsschicht verhindert werden.

Weiterhin kann in dem Schritt des Bildens des Loches oder in dem Schritt des Entfernens eines Abschnitts der Isolierschicht eine gewisse Filmdicke des Resists beim Bilden eines Resistmusters zum Entfernen der Isolierschicht erhal ten werden, so daß die Auflösung zum Zeitpunkt der Übertragung des Musters nicht verringert wird.

Ein besonders bemerkenswerter Effekt kann erwartet werden, wenn die Breite bzw. die Dicke der Leitungsschicht kleiner als 0,5 µm ist.

Ein Verfahren zum Herstellen einer Mehrschichtverbindung entsprechend einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung enthält die Schritte:
Entfernen eines Abschnitts einer Isolierschicht, die eine Hauptoberfläche auf weist und die eine auf einem Halbleitersubstrat gebildete erste Leitungsschicht bedeckt, so daß in der Isolierschicht ein Loch gebildet wird, das die erste Lei tungsschicht erreicht,
Bilden einer organischen Schicht, so daß das Loch gefüllt wird und so daß die Hauptoberfläche der Isolierschicht bedeckt wird,
Entfernen eines Abschnitts der Isolierschicht, der die organische Schicht, die das Loch füllt, kontaktiert und eines Abschnitts der organischen Schicht, der auf dem Abschnitt der Isolierschicht gebildet ist,
Entfernen der organischen Schicht, die das Loch füllt, so daß in der Isolier schicht ein ausgesparter Abschnitt durchgehend zu dem Loch gebildet wird, und Bilden einer zweiten Leitungsschicht in einer solchen Art, daß sie das Loch und den ausgesparten Abschnitt füllt.

Weiterhin kann der Schritt des Bildens des Loches Bilden eines Resistmusters auf der Hauptoberfläche der Isolierschicht und Entfernen der Isolierschicht entsprechend dem Resistmuster enthalten.

Weiterhin kann der Schritt des Entfernens eines Abschnitts der Isolierschicht und eines Abschnitts der organischen Schicht
Bilden eines Resistmusters auf der organischen Schicht und Entfernen der Iso lierschicht und der organischen Schicht entsprechend dem Resistmuster enthal ten.

Weiterhin kann die erste Leitungsschicht aus mindestens einer Komponente sein, die aus der Gruppe bestehend aus einem in dem Halbleitersubstrat gebil deten Dotierungsbereich und aus auf dem Halbleitersubstrat gebildeten Verbin dungsschichten ausgewählt ist.

Weiterhin ist die vorliegende Erfindung besonders wirksam, wenn die Breite der ersten und der zweiten Leitungsschicht kleiner als 0,5 µm ist.

Weiterhin enthält die organische Schicht bevorzugt reflexminderndes bzw. reflexionshinderndes Material.

In dem obigen Verfahren zum Bilden einer Mehrschichtverbindung wird, da zuerst in einer Isolierschicht ein Loch gebildet wird, das eine erste Leitungs schicht erreicht, und da eine organische Schicht so gebildet wird, daß sie das Loch füllt, ein ausreichender Durchmesser des Loches, das als Kontaktloch dient, erhalten. Folglich können ein erhöhter elektrischer Widerstand im Ver bindungsabschnitt und eine fehlerhafte Verbindung zwischen der ersten und der zweiten Verbindungsschicht verhindert werden.

Weiterhin kann in dem Schritt des Bildens des Lochs oder in dem Schritt des Entfernens eines Abschnitts der Isolierschicht und eines Abschnitts der orga nischen Schicht eine gewisse Filmdicke des Resists beim Bilden eines Resistmusters zum Entfernen der Isolierschicht erhalten werden, so daß die Auflösung zu der Zeit der Übertragung des Musters nicht verringert wird.

Ein besonders vorteilhafter Effekt kann erwartet werden, wenn die Breite der Leitungsschicht kleiner 0,5 µm ist.

Weiterhin kann, wenn die organische Schicht ein reflexminderndes Material enthält, das Resistmuster präzise gebildet werden.

Ein Verfahren zum Bilden einer Mehrschichtverbindung nach einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung enthält die Schritte:
Entfernen eines Abschnitts einer ersten Isolierschicht, die eine Hauptoberfläche aufweist und die eine auf einem Halbleitersubstrat gebildete erste Leitungs schicht bedeckt, so daß in der Isolierschicht ein erstes Loch, das die erste Leitungsschicht erreicht, gebildet wird,
Bilden einer organischen Schicht, die zumindest das erste Loch füllt,
Bilden einer zweiten Isolierschicht auf der organischen Schicht und der Hauptoberfläche der ersten Isolierschicht,
Entfernen eines Abschnitts der zweiten Isolierschicht, so daß in der zweiten Isolierschicht ein zweites Loch, das die organische Schicht, die das erste Loch füllt, erreicht, gebildet wird,
Entfernen der organischen Schicht, die das erste Loch füllt, so daß das erste Loch mit dem zweiten Loch verbunden wird,
und Bilden einer zweiten Leitungsschicht in einer solchen Art, daß sie das erste und das zweite Loch füllt.

Weiterhin kann der Schritt des Bildens des ersten Lochs Bilden eines Resistmusters auf der Hauptoberfläche der ersten Isolierschicht und Entfernen der ersten Isolierschicht entsprechend dem Resistmuster enthal ten.

Weiterhin kann der Schritt des Bildens der organischen Schicht Füllen des ersten Loches mit einer organischen Schicht während eine orga nische Schicht auf der Hauptoberfläche der ersten Isolierschicht gebildet wird und dann Zurückätzen der organischen Schicht, bis die Hauptoberfläche der Isolierschicht erscheint, enthalten.

Weiterhin kann der Schritt des Bildens des zweiten Loches Bilden eines Resistmusters auf einer Hauptoberfläche der zweiten Isolierschicht und Entfernen der zweiten Isolierschicht entsprechend dem Resistmuster ent halten.

Weiterhin kann der Schritt des Bildens der zweiten Isolierschicht bevorzugt Bilden der zweiten Isolierschicht bei einer Temperatur, bei der die organische Schicht standhält, enthalten.

Weiterhin kann die erste Leitungsschicht aus zumindest einer Komponente sein, die von der Gruppe bestehend aus einem in dem Halbleitersubstrat gebildeten Dotierungsbereiches und aus auf dem Halbleitersubstrat gebildeten Verbin dungsschichten ausgewählt ist.

Weiterhin ist die vorliegende Erfindung vor allem wirksam, wenn die Breite der ersten und der zweiten Leitungsschicht kleiner als 0,5 µm ist.

In dem obigen Verfahren zum Bilden einer Mehrschichtverbindung kann, da zuerst in einer ersten Isolierschicht ein erstes Loch gebildet wird, das eine erste Leitungsschicht erreicht, und da das erste Loch mit einer organischen Schicht gefüllt wird ein ausreichender Durchmesser des ersten Lochs, das als Kontaktloch dient, erhalten werden. Folglich können ein erhöhter elektrischer Widerstand im Verbindungsabschnitt und eine fehlerhafte Verbindung zwischen der ersten und der zweiten Verbindungsschicht verhindert werden.

Weiterhin kann in dem Schritt des Bildens des ersten Loches oder in dem Schritt des Bildens des zweiten Loches eine gewisse Filmdicke des Resists beim Bilden eines Resistmusters zum Entfernen der Isolierschicht aufrecht er halten werden, so daß die Auflösung zu der Zeit der Übertragung des Musters nicht verringert wird.

Ein besonders bemerkenswerter Effekt kann erwartet werden, wenn die Breite der Leitungsschicht kleiner als 0,5 µm ist.

Weiterhin wird, da die zweite Isolierschicht bei einer Temperatur gebildet wird, die die organische Schicht aushält, die organische Schicht nicht schmel zen, wenn die zweite Isolierschicht gebildet wird.

Weitere Merkmale und Zweckmäßigkeiten der Erfindung ergeben sich aus der Beschreibung von Ausführungsbeispielen anhand der Figuren. Von den Figuren zeigen:

Fig. 1 eine Querschnittsansicht einer Struktur einer Mehrschichtverbindung auf die das Herstellungsverfahren der vorliegenden Erfindung angewendet wird,

Fig. 2-9 Querschnittsansichten, die den ersten bis achten Schritt des Ver fahrens des Bildens einer Mehrschichtverbindung entsprechend einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigen,

Fig. 10-17 Querschnittsansichten, die den ersten bis achten Schritt des Ver fahrens des Bildens einer Mehrschichtverbindung entsprechend einem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung zeigen,

Fig. 18-24 Querschnittsansichten, die den ersten bis siebten Schritt des Ver fahrens des Bildens einer Mehrschichtverbindung entsprechend einem dritten Aspekt der vorliegenden Erfindung zeigen, und

Fig. 25-33 Querschnittsansichten, die den ersten bis neunten Schritt eines der Anmelderin bekannten Verfahren zum Bilden einer Mehrschichtver bindung zeigen.

Wie in Fig. 1 gezeigt ist, ist auf einem Halbleitersubstrat 101 ein Ele menttrennfilm 102 gebildet. Weiterhin sind in dem Halbleitersubstrat 101 ein Dotierungsbereich 103 und ein anderer Dotierungsbereich 103 so gebildet, daß sie voneinander entfernt angeordnet sind. In einem Bereich auf dem Halbleiter substrat 1, der zwischen dem einen Dotierungsbereich 103 und dem anderen Dotierungsbereich 103 angeordnet ist, ist eine Gateelektrode 105 mit einem dazwischen vorgesehenen Gateoxidfilm gebildet. Ein Isolierfilm 106 ist so ge bildet, daß er den Gateoxidfilm 104 und die Gateelektrode 105 bedeckt. Ein Zwischenschichtisolierfilm 107 ist so auf dem Halbleitersubstrat 101 gebildet, daß er den Elementtrennfilm 102, den Dotierungsbereich 103 und den Isolier film 106 bedeckt. Eine Oberfläche des Zwischenschichtisolierfilms 107 ist planarisiert. Eine erste Verbindungsschicht 109, 110 ist in dem Zwischen schichtisolierfilm 107 vergraben. Die erste Verbindungsschicht 110 und der Dotierungsbereich 103 sind durch einen Verbindungsabschnitt 108 miteinander elektrisch verbunden.

Weiterhin ist ein zweiter Zwischenschichtisolierfilm 201 auf dem Zwischen schichtisolierfilm 107 gebildet. Eine Oberfläche des zweiten Zwischenschicht isolierfilms 201 ist planarisiert. Eine zweite Verbindungsschicht 203, 215 ist in dem zweiten Zwischenschichtisolierfilm 201 vergraben. Die zweite Verbin dungsschicht 203 und die erste Verbindungsschicht 109 sind durch einen Ver bindungsabschnitt 202 elektrisch miteinander verbunden. Eine obere Schicht ist ähnlich strukturiert.

Das Bildungsverfahren der vorliegenden Erfindung wird im folgenden in den Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung mit Bezug zu dem Fall, bei dem das Verfahren auf die Verbindung zwischen der ersten Verbindungsschicht 109 und der zweiten Verbindungsschicht 203, die in Fig. 1 gezeigt sind, ange wendet wird, beschrieben.

1. Ausführungsform

Wie in Fig. 2 gezeigt ist, wird ein Zwischenschichtisolierfilm 201 auf einem Halbleitersubstrat 101 gebildet. Es wird eine erste Verbindungsschicht 109, 110 in dem Zwischenschichtisolierfilm 201 vergraben. Das Halbleitersubstrat 101 entspricht hier dem Halbleitersubstrat 101 von Fig. 1. Der Zwischen schichtisolierfilm 201 entspricht dem Zwischenschichtisolierfilm 201 von Fig. 1. Die erste Verbindungsschicht 109, 110 entspricht der Verbindungsschicht 109, 110 von Fig. 1. Die erste Verbindungsschicht 110, 109 wird mit dem Zwi schenschichtisolierfilm 107 in Fig. 1 bedeckt, während sie hier mit dem Zwi schenschichtisolierfilm 201 bedeckt wird. Eine Oberfläche des Zwischen schichtisolierfilms 201 wird planarisiert. Ein Resistmuster 204 für ein Kontakt loch mit einem Loch 250 wird auf der Oberfläche des Zwischenschichtisolier films 201 durch Photolithographie gebildet.

Wie in Fig. 3 gezeigt ist, wird das Resistmuster 204 als Maske verwendet und der Zwischenschichtisolierfilm 201 wird trockengeätzt, so daß ein Kontaktloch 205 gebildet wird, dessen Bodenwand die erste Verbindungsschicht 109 er reichen kann. Der Durchmesser des Kontaktloches 205 ist so angepaßt, daß er ungefähr gleich zu dem des Loches 250 ist.

Wie in Fig. 4 gezeigt ist, wird ein organisches Material 206 durch einen Be schichter so aufgebracht, daß es das Kontaktloch 205 füllt und daß es die ge samte Oberfläche des Zwischenschichtisolierfilms 201 bedeckt.

Wie in Fig. 5 gezeigt ist, wird das organische Material 206 so zurückgeätzt, daß ein vergrabener Abschnitt 207 gebildet wird, der das mit dem organischen Material gefüllte Kontaktloch 205 ist. Die Oberfläche des Zwischenschichtiso lierfilms 201 kann fast plan mit einer Oberfläche des aus dem organischen Material gebildeten vergrabenen Abschnitts 207 gemacht werden.

Wie in Fig. 6 gezeigt ist, wird ein Resistmuster 208 eines Loches für eine Ver bindungsschicht auf Oberflächen des Zwischenschichtisolierfilms 201 und des vergrabenen Abschnittes 207 gebildet. Da die Oberfläche des Zwischenschicht isolierfilms 201 fast plan mit der Oberfläche des vergrabenen Abschnitts 207 ist, weist das Resistmuster 208 fast eine gleichmäßige Filmdicke auf. Dies er laubt, daß das Resistmuster 208 präzise gebildet wird.

Wie in Fig. 7 gezeigt ist, wird das Resistmuster 208 als Maske verwendet und der Zwischenschichtisolierfilm 201 und der vergrabene Abschnitt 207 werden trockengeätzt, so daß ein Loch 209, 210 für eine Verbindungsschicht gebildet wird.

Wie in Fig. 8 gezeigt ist, werden der aus dem organischen Material gebildete vergrabene Abschnitt 207 und das Resistmuster 208 des Loches zum Bilden der Verbindungsschicht durch Ablösen entfernt, um das Loch 209, 210 für die Verbindungsschicht und das Kontaktloch 205 zu öffnen.

Wie in Fig. 9 gezeigt ist, werden das Kontaktloch 205 und das Loch 209, 210 mit einem Metallfilm so gefüllt, daß ein Verbindungsabschnitt 202 und eine zweite Verbindungsschicht 203, 213 gebildet werden.

In dem obigen Verfahren zum Bilden einer Mehrschichtverbindung können, da der Durchmesser des Kontaktlochs 205 fast gleich zu dem des Loches 250 des Resistmusters 204 in dem in Fig. 3 gezeigten Schritt gemacht werden kann, solche Schwierigkeiten wie der erhöhte elektrische Widerstand im Verbin dungsabschnitt und eine fehlerhafte Verbindung zwischen der ersten und der zweiten Verbindungsschicht aufgrund eines verringerten Durchmessers des Verbindungsabschnittes 202 gelöst werden. Weiterhin kann in dem in Fig. 5 gezeigten Schritt die Oberfläche des Zwischenschichtisolierfilms 201 fast plan mit der Oberfläche des aus dem organischen Material gebildeten vergrabenen Abschnitts 207 gemacht werden. Dies erlaubt, daß das Resistmuster 208 für die zweite Verbindungsschicht präzise gebildet werden kann und sogar präzise auf dem Kontaktloch 205, wie in Fig. 6 gezeigt ist, gebildet werden kann.

2. Ausführungsform

Wie in Fig. 10 gezeigt ist, wird ein Zwischenschichtisolierfilm 201 auf einem Halbleitersubstrat 101 gebildet. Die erste Verbindungsschicht 109, 110 ist in dem Zwischenschichtisolierfilm 201 vergraben. Das Halbleitersubstrat 101 hier entspricht dem Halbleitersubstrat 101 von Fig. 1. Der Zwischenschichtisolier film 201 entspricht dem Zwischenschichtisolierfilm 201 von Fig. 1. Die erste Verbindungsschicht 109, 110 entspricht der ersten Verbindungsschicht 109, 110 von Fig. 1. Die erste Verbindungsschicht 110, 109 wird hier mit dem Zwi schenschichtisolierfilm 201 bedeckt, während die erste Verbindungsschicht 110, 109 von Fig. 1 mit dem Zwischenschichtisolierfilm 107 bedeckt ist. Eine Oberfläche des Zwischenschichtisolierfilms 201 wird planarisiert. Ein Resistmuster 221 mit einem Loch 260 wird auf der Oberfläche des Zwischen schichtisolierfilms 201 durch Photolithographie gebildet.

Wie in Fig. 11 gezeigt ist, wird das Resistmuster 221 als Maske verwendet und der Zwischenschichtisolierfilm 201 wird trockengeätzt, so daß ein Kontaktloch 222 gebildet wird, dessen Bodenwand die erste Verbindungsschicht 109 er reichen kann. Der Durchmesser des Kontaktloches 222 ist so angepaßt, daß er fast gleich zu dem des Loches 260 ist.

Wie in Fig. 12 gezeigt ist, wird ein organisches Material 223, das ein reflex minderndes Material enthält, durch einen Beschichter so aufgebracht, daß es das Kontaktloch 222 füllt und das es die gesamte Oberfläche des Zwischen schichtisolierfilms 201 bedeckt.

Wie in Fig. 13 gezeigt ist, wird ein Resistmuster 224 eines Loches für eine Verbindungsschicht auf einer Oberfläche des organischen Materials 223 gebil det. Die Dicke des Resistmuster 224 ist fast gleichmäßig, da die Oberfläche des organischen Materials 223 fast gleichmäßig ist.

Wie in Fig. 14 gezeigt ist, wird das Resistmuster 224 als Maske verwendet und das organische Material 223 wird so trockengeätzt, daß ein Loch 225, 226 für eine zweite Verbindungsschicht gebildet wird.

Wie in Fig. 15 gezeigt ist, wird das Resistmuster 224 als Maske verwendet und der Zwischenschichtisolierfilm 201 wird so trockengeätzt, daß ein Loch 227, 228 für die Verbindungsschicht gebildet wird.

Wie in Fig. 16 gezeigt ist, werden das organische Material 223 und das Resistmuster 224 durch Ablösen entfernt, so daß das Loch 227, 228 und das Kontaktloch 222 geöffnet werden.

Wie in Fig. 17 gezeigt ist, werden das Kontaktloch 222 und das Loch 227, 228 mit einem Metallfilm gefüllt, so daß ein Verbindungsabschnitt 202 und die zweite Verbindungsschicht 203, 230 gebildet werden.

In dem obigen Verfahren zum Bilden einer Mehrschichtverbindung können, da der Durchmesser des Kontaktloches 222 fast gleich zu dem des Loches 260 des Resistmusters 221 in dem in Fig. 11 gezeigten Schritt gemacht werden kann, solche Schwierigkeiten wie ein erhöhter elektrischer Widerstand im Verbin dungsabschnitt 202 und eine fehlerhafte Verbindung zwischen der ersten und der zweiten Verbindungsschicht aufgrund eines verringerten Durchmessers des Verbindungsabschnittes 202 gelöst werden. Weiterhin wird in dem in Fig. 13 gezeigten Schritt, da das Niveau der Oberfläche des organischen Materials 223 fast gleichmäßig ist, die Dicke des Resistmusters 224 fast gleichmäßig sein. Weiterhin kann, da das organische Material 223 ein reflexminderndes Material enthält, das Resistmuster 224 präzise gebildet werden.

3. Ausführungsform

Wie in Fig. 18 gezeigt ist, wird ein Zwischenschichtisolierfilm 201a auf einem Halbleitersubstrat 101 gebildet. Die erste Verbindungsschicht 109, 110 wird in dem Zwischenschichtisolierfilm 201a vergraben. Ein Halbleitersubstrat 101 entspricht hier dem Halbleitersubstrat 101 von Fig. 1. Der Zwischenschichtiso lierfilm 201a ist Teil des Zwischenschichtisolierfilms 201 von Fig. 1. Die erste Verbindungsschicht 109, 110 entspricht der ersten Verbindungsschicht 109, 110 von Fig. 1. Die erste Verbindungsschicht 109 wird hier mit dem Zwischen schichtisolierfilm 201a bedeckt, während die erste Verbindungsschicht 109 in Fig. 1 mit dem Zwischenschichtisolierfilm 107 bedeckt wird. Eine Oberfläche des Zwischenschichtisolierfilms 201a wird planarisiert. Der Zwischenschicht isolierfilm 201a ist dünner als der Zwischenschichtisolierfilm 201 von Fig. 1.

Ein Resistmuster 241 des Kontaktloches mit einem Loch 270 wird auf dem Zwischenschichtisolierfilm 201a durch Photolithographie gebildet.

Wie in Fig. 19 gezeigt ist, wird das Resistmuster 241 als Maske verwendet und der Zwischenschichtisolierfilm 201a wird so trockengeätzt, daß ein Kontakt loch 242 gebildet wird, dessen Bodenwand die erste Verbindungsschicht 109 erreichen kann. Der Durchmesser des Kontaktloches 242 ist so angepaßt, daß er fast gleich zu dem des Loches 270 ist.

Weiterhin kann, da der Abstand der Oberfläche des Zwischenschichtisolier filmes 201 zu der ersten Verbindungsschicht 109 kleiner ist als der Abstand der Oberfläche des Zwischenschichtisolierfilms 201 zu der ersten Verbindungs schicht, die in Fig. 1 gezeigt sind, das Kontaktloch 242 einfach gebildet wer den.

Wie in Fig. 20 gezeigt ist, wird organisches Material mittels eines Beschichters so aufgebracht, daß es das Kontaktloch 242 füllt und daß es die gesamte Ober fläche des Zwischenschichtisolierfilms 201a bedeckt. Dann wird das organische Material zurückgeätzt bis die Oberfläche des Zwischenschichtisolierfilms 201a freigelegt wird, so daß ein vergrabener Abschnitt 243 gebildet wird, der das mit dem organischen Material gefüllte Kontaktloch 242 ist. Der Zwischen schichtisolierfilm 201a weist eine Oberfläche auf, die fast plan ist mit einer Oberfläche des vergrabenen Abschnitts 243, der aus dem organischen Material gebildet ist.

Wie in Fig. 21 gezeigt ist, wird ein Zwischenschichtisolierfilm 201b auf der Oberfläche des Zwischenschichtisolierfilms 201a und der Oberfläche des ver grabenen Bereiches 243 bei einer Temperatur gebildet, die das organische Material, das den vergrabenen Abschnitt 243 bildet, aushält. Die Zwischen schichtisolierfilme 201a und 201b entsprechen dem Zwischenschichtisolierfilm 201 von Fig. 1. Dann wird ein Resistmuster 245 eines Loches für eine Verbin dungsschicht auf einer Oberfläche des Zwischenschichtisolierfilms 201b gebil det. Da die Oberfläche des Zwischenschichtisolierfilms 201b fast planarisiert ist, wird das Resistmuster 245 eine fast gleichmäßige Dicke aufweisen. Folglich kann das Resistmuster 245 präzise gebildet werden.

Wie in Fig. 22 gezeigt ist, wird das Resistmuster 245 als Maske verwendet und die Zwischenschichtisolierfilme 201a, 201b werden so trockengeätzt, daß ein Loch 246, 247 für die Verbindungsschicht gebildet wird.

Wie in Fig. 23 gezeigt ist, werden der aus dem organischen Material gebildete vergrabene Abschnitt 243 und das Resistmuster 245 durch Ablösen entfernt, so daß das Loch 246, 247 und das Kontaktloch 242 geöffnet werden.

Wie in Fig. 24 gezeigt ist, werden das Kontaktloch 242 und das Loch 246, 247 mit einem Metallfilm so gefüllt, daß ein Verbindungsabschnitt 202 und die zweite Verbindungsschicht 203, 249 gebildet werden.

Bei dem obigen Verfahren zum Herstellen einer Mehrschichtverbindung können, da der Durchmesser des Kontaktloches 242 fast gleich zu dem des Loches 270 des Resistmusters 241 in dem in Fig. 19 gezeigten Schritt gemacht werden kann, solche Schwierigkeiten wie ein erhöhter elektrischer Widerstand im Verbindungsabschnitt 202 und eine fehlerhafte Verbindung zwischen der ersten und der zweiten Verbindungsschicht aufgrund eines reduzierten Durch messers des Verbindungsabschnittes 202 gelöst werden. Weiterhin ist in dem in Fig. 21 gezeigten Schritt die Oberfläche des Zwischenschichtisolierfilms 201b fast planarisiert. Daher kann die Dicke des Resistmusters 245 fast gleichmäßig gemacht werden, so daß das Resistmuster 245 präzise gebildet werden kann.

Wie oben ausgeführt wurde, entsprechen jeweils die erste Verbindungsschicht 109 und die zweite Verbindungsschicht 203 der ersten bis dritten Ausführungs form, die in Bezug zu den Figuren beschrieben wurden, der ersten Verbin dungsschicht 109 und der zweiten Verbindungsschicht 203 von Fig. 1. Es können jedoch jeweils die erste Verbindungsschicht 109 und die zweite Ver bindungsschicht 203 von diesen Ausführungsformen dem Dotierungsbereich 103 und der ersten Verbindungsschicht 110 von Fig. 1 entsprechen. Weiterhin können jeweils die erste Verbindungsschicht 109 und die zweite Verbindungs schicht 203 der Ausführungsformen der Verbindungsschicht 303, 215 und der Verbindungsschicht 403, 304 entsprechen.

Weiterhin weist der Durchmesser des Verbindungsabschnitts, der durch das Verfahren des Bildens einer Mehrschichtverbindung der vorliegenden Erfindung gebildet wurde, kaum einen Fehler auf. Daher kann ein besonders bemerkens werter Effekt erhalten werden, wenn der Durchmesser des Verbindungsab schnitts kleiner als 0,5 µm ist, d. h. wenn die Breite der ersten und der zweiten Verbindungsschicht kleiner als 0,5 µm ist.

Im folgenden werden Beispiele der vorliegenden Erfindung mit Bezug zu den Figuren beschrieben. Das erste bis dritte Beispiel entspricht jeweils der ersten bis dritten Ausführungsform.

1. Beispiel

Im folgenden wird basierend auf Fig. 2-9 das Verfahren zum Herstellen einer Mehrschichtverbindung entsprechend der ersten Ausführungsform der vorlie genden Erfindung beschrieben.

Wie in Fig. 2 gezeigt ist, wird ein Zwischenschichtisolierfilm 201, der einen Siliziumoxidfilm enthält, auf einem Halbleitersubstrat 101 aus Silizium gebil det. In dem Zwischenschichtisolierfilm 201 ist die erste Verbindungsschicht 109, 110 vergraben, die eine Breite von 0,3 µm aufweist und die aus Alumi nium, das 0,5 Gewichtsprozent Kupfer enthält, gebildet ist. Die Oberfläche des Zwischenschichtisolierfilms 201 wird planarisiert. Der Resist, der ein naphtho quinondiazidphotoempfindliches Material und ein Novolakharz enthält, wird auf die Oberfläche des Zwischenschichtisolierfilms 201 aufgebracht und ein Resistmuster 204 mit einem Loch 250, das einen Durchmesser von 0,3 µm auf weist, wird durch Photolithographie gebildet.

Wie in Fig. 3 gezeigt ist, wird das Resistmuster 204 als Maske verwendet und der Zwischenschichtisolierfilm 201 wird durch reaktive Ionen in einem ge mischten Gas aus CHF₃ und O₂ so geätzt, daß ein Kontaktloch 205 gebildet wird, dessen Bodenwand die erste Verbindungsschicht 109 erreichen kann.

Wie in Fig. 4 gezeigt ist, wird ein organisches Material 206, das Novolakharz enthält, durch einen Beschichter aufgebracht.

Wie in Fig. 5 gezeigt ist, wird das organische Material 206 durch reaktive Ionen in einem O₂ Gas so zurückgeätzt, daß ein vergrabener Abschnitt 207 gebildet wird, der das mit dem organischen Material 206 gefüllte Kontaktloch 205 ist. Die Oberfläche des Zwischenschichtisolierfilms 201 und die Ober flächen des aus dem organischen Material gebildeten vergrabenen Abschnitts 207 werden fast aneinander angeglichen.

Wie in Fig. 6 gezeigt ist, wird der Resist, der das naphthoquinondiazidphoto sensitive Material und den Novolakharz enthält, auf die Oberfläche des Zwischenschichtisolierfilms 201 und auf die Oberfläche des vergrabenen Ab schnitts 207 aufgebracht und ein Resistmuster 208 eines Loches für eine Ver bindungsschicht wird durch Photolithographie gebildet. Da die Oberfläche des Zwischenschichtisolierfilms 201 und die Oberfläche des vergrabenen Abschnitts 207 fast zueinander auf gleichem Niveau sind, ist die Dicke des Resistmusters 208 fast gleichförmig. Dies erlaubt, daß das Resistmuster 208 präzise gebildet wird.

Wie in Fig. 7 gezeigt ist, wird das Resistmuster 208 als Maske verwendet und der Zwischenschichtisolierfilm 201 und der vergrabene Abschnitt 207 werden durch reaktive Ionen in einem gemischten Gas aus CHF₃ und O₂ so geätzt, daß das Loch 209, 210 für die Verbindungsschicht gebildet wird.

Wie in Fig. 8 gezeigt ist, reagiert der Novolakharz des vergrabenen Abschnitts 207 mit dem O₂ Plasma, so daß das Loch 209, 210 und das Kontaktloch 205 geöffnet werden.

Wie in Fig. 9 gezeigt ist, werden das Kontaktloch 205 und das Loch 209, 210 mit Aluminium, das 0,5 Gewichtsprozent Kupfer enthält, so gefüllt, daß der Verbindungsabschnitt 202 und die zweite Verbindungsschicht 203, 213 gebildet werden.

In dem ersten Beispiel wird ein Verbindungsabschnitt 202 mit einem Durch messer von ungefähr 0,3 µm erhalten. Weiterhin traten solche Schwierigkeiten wie ein erhöhter elektrischer Widerstand in dem Kontaktabschnitt 202 und eine fehlerhafte Verbindung zwischen der ersten Verbindungsschicht 109 und der zweiten Verbindungsschicht 203 nicht auf.

Zweites Beispiel

Im folgenden wird das Verfahren des Bildens einer Mehrschichtverbindung ent sprechend einem zweiten Beispiel der vorliegenden Erfindung mit Bezug zu Fig. 10 bis 17 beschrieben.

Wie in Fig. 10 gezeigt ist, wird ein Zwischenschichtisolierfilm 201, der einen Siliziumoxidfilm enthält, auf einem Halbleitersubstrat 101, bestehend aus Sili zium, gebildet. In dem Zwischenschichtisolierfilm 201 ist die erste Verbin dungsschicht 109, 110 mit einem Durchmesser von 0,3 µm, die aus Aluminium, das 0,5 Gewichtsprozent Kupfer enthält, gebildet ist, vergraben. Eine Ober fläche des Zwischenschichtisolierfilms 201 wird planarisiert. Ein Resist, das naphtoquinondiazidphotosensitives Material und Novolakharz enthält, wird auf die Oberfläche des Zwischenschichtisolierfilms 201 aufgebracht und es wird ein Resistmuster 221 des Kontaktloches mit einem Loch 260, das einen Durch messer von 0,3 µm aufweist, durch Photolithographie gebildet.

Wie in Fig. 11 gezeigt ist, wird das Resistmuster 221 als Maske verwendet und der Zwischenschichtisolierfilm 201 wird durch reaktive Ionen in einem ge mischten Gas aus CHF₃ und O₂ so geätzt, daß ein Kontaktloch 222 gebildet wird, dessen Bodenwand die erste Verbindungsschicht 109 erreicht.

Wie in Fig. 12 gezeigt ist, wird ein organisches Material 223, das BARLi (Handelsname), hergestellt durch Höchst AG, enthält, durch einen Beschichter so aufgebracht, daß es das Kontaktloch 222 füllt und daß es die gesamte Ober fläche des Zwischenschichtisolierfilms 201 bedeckt.

Wie in Fig. 13 gezeigt ist, wird ein Resist, der ein naphthoquinondiazid- photo sensitives Material und Novolakharz enthält, auf die Oberfläche des organi schen Materials 223 aufgebracht und das Resistmuster 224 eines Lochs für die Verbindungsschicht wird durch Photolithographie gebildet. Da die Oberfläche des organischen Materials 223 fast planarisiert ist, ist die Dicke des Resist musters 224 nahezu gleichmäßig. Weiterhin ist es möglich das Resistmuster 224 präzise zu bilden, da das in dem organischen Material 223 enthaltene BARLi reflexminderndes Material enthält.

Wie in Fig. 14 gezeigt ist, wird das Resistmuster 224 als Maske verwendet und das organische Material 223 wird durch reaktive Ionen in einem O₂ Gas so ge ätzt, daß das Loch 225, 226 für die zweite Verbindungsschicht gebildet wird.

Wie in Fig. 15 gezeigt ist, wird das Resistmuster 224 als Maske verwendet und der Zwischenschichtisolierfilm 201 wird durch reaktive Ionen in einem ge mischten Gas aus O₂ und N₂ so geätzt, daß das Loch 227, 228 für die Verbin dungsschicht gebildet wird.

Wie in Fig. 16 gezeigt ist, reagieren der Novolakharz des Resistmusters 224 und das BARLi des organischen Materials 223 mit dem O₂ Plasma, so daß das Loch 227, 228 und das Kontaktloch 222 geöffnet werden.

Wie in Fig. 17 gezeigt ist, werden das Kontaktloch 222 und das Loch 227, 228 mit Aluminium, das 0,5 Gewichtsprozent Kupfer enthält, so gefüllt, daß ein Verbindungsabschnitt 202 und die zweite Verbindungsschicht 203, 230 gebildet werden.

Der durch dieses Verfahren gebildete Verbindungsabschnitt 202 weist einen Durchmesser von ungefähr 0,3 µm auf. Schwierigkeiten wie ein erhöhter elek trischer Widerstand im Verbindungsabschnitt 202 und eine fehlerhafte Verbin dung zwischen der ersten Verbindungsschicht 109 und der zweiten Verbin dungsschicht 203 traten nicht auf.

3. Beispiel

Im folgenden wird das Verfahren des Bildens einer Mehrschichtverbindung ent sprechend einem dritten Beispiel der vorliegenden Erfindung mit Bezug auf Fig. 18-24 beschrieben.

Wie in Fig. 18 gezeigt ist, wird ein Zwischenschichtisolierfilm 201a, der einen Siliziumoxidfilm enthält, auf einem Halbleitersubstrat 101, bestehend aus Sili zium, gebildet. In dem Zwischenschichtisolierfilm 201a ist die erste Verbin dungsschicht 109, 110, die eine Breite von 0,3 µm aufweist und die aus Alumi nium, das 0,5 Gewichtsprozent Kupfer enthält, gebildet ist, vergraben. Der Abstand zwischen einer Oberfläche des Zwischenschichtisolierfilms 201a und der ersten Verbindungsschicht 109 ist kleiner als der des ersten und zweiten Beispiels, der ungefähr 800 nm ist. Die Oberfläche des Zwischenschichtisolier films 201a wird planarisiert. Es wird ein Resist, der naphtoquinonedaizidphoto sensitives Material und Novolakharz enthält, auf die Oberfläche des Zwischen schichtisolierfilms 201a aufgebracht und ein Resistmuster 241 für das Kontakt loch mit einem Loch 270, das einen Durchmesser von 0,3 µm aufweist, wird durch Photolithographie gebildet.

Wie in Fig. 19 gezeigt ist, wird das Resistmuster 241 als Maske verwendet und der Zwischenschichtisolierfilm 201a wird durch reaktive Ionen in einem ge mischten Gas aus CHF₃ und O₂ so geätzt, daß das Kontaktloch 242 gebildet wird, dessen Bodenwand die erste Verbindungsschicht 109 erreicht. Da der Abstand zwischen der Oberfläche des Zwischenschichtisolierfilms 201a und der ersten Verbindungsschicht 109 (ca. 800 nm) kleiner ist als der des ersten und zweiten Beispiels, kann das Kontaktloch 242 einfach gebildet werden.

Wie in Fig. 20 gezeigt ist, wird ein organisches Material, das Polyimid enthält, so aufgebracht, daß es das Kontaktloch 242 füllt und daß es die gesamte Ober fläche des Zwischenschichtisolierfilms 201b bedeckt und das organische Mate rial wird durch reaktive Ionen in einem gemischten Gas aus O₂ und N₂ so ge ätzt, daß ein vergrabener Abschnitt 243 mit dem aus dem organischen Material gebildeten Inneren des Kontaktloches 42 gebildet wird. Die Oberfläche des Zwischenschichtisolierfilms 201a und die Oberfläche des aus dem organischen Material gebildeten vergrabenen Abschnitts 243 sind so gemacht, daß sie nahezu auf gleichem Niveau zueinander sind.

Wie in Fig. 21 gezeigt ist, wird ein Zwischenschichtisolierfilm 201b, der einen Siliziumoxidfilm enthält, auf dem Zwischenschichtisolierfilm 201a bei einer Temperatur unter 200°C gebildet, da die maximale Temperatur die Polyimid, das in dem vergrabenen Abschnitt 243 vergraben ist, standhält ungefähr 200°C ist. Dann wird der Resist, der das naphthoquinonediazidphotosensitive Material und den Novolakharz enthält, auf eine Oberfläche des Zwischenschichtisolier films 201b aufgebracht und das Resistmuster 245 für die erste Verbindungs schicht wird durch Photolithographie gebildet. Da die Oberfläche des Zwischenschichtisolierfilms 201b fast planarisiert ist, ist die Dicke des Resistmusters 254 nahezu gleichmäßig. Dies erlaubt, daß das Resistmuster 245 gleichmäßig gebildet wird.

Wie in Fig. 22 gezeigt ist, wird das Resistmuster 245 als Maske verwendet und die Zwischenschichtisolierfilme 201a, 201b werden durch reaktive Ionen in einem gemischten Gas aus CHF₃ und O₂ so geätzt, daß das Loch 246, 247 für die Verbindungsschicht gebildet wird.

Wie in Fig. 23 gezeigt ist, reagieren das Polyimid des vergrabenen Abschnitts 243 und das Novolakharz des Resistmusters 245 mit dem O₂ Plasma, so daß das Loch 246, 247 und das Kontaktloch 242 geöffnet werden.

Wie in Fig. 24 gezeigt ist, werden das Kontaktloch 242 und das Loch 246, 247 mit Aluminium, das 0,5 Gewichtsprozent Kupfer enthält, so gefüllt, daß ein Verbindungsabschnitt 202 und die zweite Verbindungsschicht 203, 249 gebildet werden.

Bei dem durch dieses Verfahren gebildeten Verbindungsabschnitt 202 traten solche Probleme wie ein erhöhter elektrischer Widerstand und eine fehlerhafte Verbindung zwischen der ersten Verbindungsschicht 109 und der zweiten Ver bindungsschicht 203 aufgrund des Verbindungsabschnitts 202 mit einem Durchmesser von 0,3 µm und damit einem reduzierten Durchmesser nicht auf.

Claims

1. Verfahren zum Bilden einer Mehrschichtverbindung mit den Schritten: Entfernen eines Abschnitts einer Isolierschicht (201), die eine Hauptoberfläche aufweist und die eine auf einem Halbleitersubstrat (101) gebildete erste Lei tungsschicht (109) bedeckt, so daß ein Loch (205), das die erste Leitungs schicht (109) erreicht, in der Isolierschicht (201) gebildet wird, Bilden einer organischen Schicht (207), so daß zumindest das Loch (205) ge füllt wird,
Entfernen eines Abschnitts der Isolierschicht (201), der die organische Schicht (207), die das Loch (205) füllt, berührt,
Entfernen der organischen Schicht (207), die das Loch (205) füllt, so daß in der Isolierschicht (201) ein ausgesparter Abschnitt (209) mit dem Loch (205) zusammenhängend gebildet wird, und
Bilden einer zweiten Leitungsschicht (202, 203) in einer solchen Art, daß sie das Loch (205) und den ausgesparten Abschnitt (209) füllt.

2. Verfahren zum Bilden einer Mehrschichtverbindung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt des Bildens des Loches (105) Bilden eines Resistmusters (204) auf der Hauptoberfläche der Isolierschicht (201) und Entfernen der Isolierschicht (201) entsprechend dem Resistmuster (204) ent hält.

3. Verfahren zum Bilden einer Mehrschichtverbindung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt des Bildens der organischen Schicht (207) Füllen des Loches (205) mit einer organischen Schicht (206) während eine organische Schicht (206) auf der Hauptoberfläche der Isolierschicht (201) ge bildet wird und Zurückätzen der organischen Schicht (206), bis die Hauptoberfläche der Iso lierschicht (201) erscheint, enthält.

4. Verfahren zum Bilden einer Mehrschichtverbindung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt des Entfernens eines Abschnittes der Isolierschicht (201) Bilden eines Resistmusters (208) auf der Hauptoberfläche der Isolierschicht (201) und Entfernen der Isolierschicht (201) entsprechend dem Resistmuster (208) ent hält.

5. Verfahren zum Bilden einer Mehrschichtverbindung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Leitungsschicht (109) zumindest eine Komponente ist, die von der Gruppe bestehend aus einem in dem Halbleitersubstrat (101) gebildeten Dotie rungsbereich (103) und einer auf dem Halbleitersubstrat (101) gebildeten Ver bindungsschicht (109, 215, 303, 403) ausgewählt ist.

6. Verfahren zum Bilden einer Mehrschichtverbindung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die erste und die zweite Leitungsschicht (109, 202, 203) einen Abschnitt mit einer Breite von weniger als 0,5 µm enthalten.

7. Verfahren zum Bilden einer Mehrschichtverbindung mit den Schritten:
Entfernen eines Abschnittes einer Isolierschicht (201), die eine Hauptoberfläche aufweist und die eine auf einem Halbleitersubstrat (101) gebildete erste Lei tungsschicht (109) bedeckt, so daß ein Loch (222), das die erste Leitungs schicht (109) erreicht, in der Isolierschicht (201) gebildet wird,
Bilden einer organischen Schicht (223) in einer solchen Art, daß sie das Loch (222) füllt und daß sie die Hauptoberfläche der Isolierschicht (201) bedeckt,
Entfernen eines Abschnitts der Isolierschicht (201), der die organische Schicht (223), die das Loch (222) füllt, berührt, und eines Abschnittes der organischen Schicht (223), der auf dem Abschnitt der Isolierschicht (201) gebildet ist,
Entfernen der organischen Schicht (223), die das Loch (222) füllt, so daß ein ausgesparter Abschnitt (227), der mit dem Loch (222) zusammenhängt, in der Isolierschicht (201) gebildet wird, und
Bilden einer zweiten Leitungsschicht (202, 203) in einer solchen Art, daß sie das Loch (222) und den ausgesparten Abschnitt (227) füllt.

8. Verfahren zum Bilden einer Mehrschichtverbindung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt des Bildens des Loches (222) Bilden eines Resistmusters (221) auf der Hauptoberfläche der Isolierschicht (201) und Entfernen der Isolierschicht (201) entsprechend dem Resistmuster (221) ent hält.

9. Verfahren zum Bilden einer Mehrschichtverbindung nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt des Entfernens eines Abschnitts der Isolierschicht (201) und eines Abschnitts der organischen Schicht (223) Bilden eines Resistmusters (224) auf der organischen Schicht (223) und Entfernen der Isolierschicht (201) und der organischen Schicht (223) ent sprechend dem Resistmuster (224) enthält.

10. Verfahren zum Bilden einer Mehrschichtverbindung nach einem der Ansprüche 7 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Leitungsschicht (109) zumindest eine Komponente ist, die von der Gruppe bestehend aus einem in dem Halbleitersubstrat (101) gebildeten Dotie rungsbereich (103) und einer auf dem Halbleitersubstrat (101) gebildeten Ver bindungsschicht (109, 215, 303, 403) ausgewählt ist.

11. Verfahren zum Bilden einer Mehrschichtverbindung nach einem der Ansprüche 7 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß die erste und die zweite Leitungsschicht (109, 202, 203) einen Abschnitt mit einer Breite von weniger als 0,5 µm enthalten.

12. Verfahren zum Bilden einer Mehrschichtverbindung nach einem der Ansprüche 7 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß die organische Schicht (223) ein reflexminderndes Material enthält.

13. Verfahren zum Bilden einer Mehrschichtverbindung mit den Schritten:
Entfernen eines Abschnitts einer ersten Isolierschicht (201a), die eine Haupt oberfläche enthält und die eine auf einem Halbleitersubstrat (101) gebildete erste Leitungsschicht (109) bedeckt, so daß ein erstes Loch (242), das die erste Leitungsschicht (109) erreicht, in der ersten Isolierschicht (201a) gebil det wird,
Bilden einer organischen Schicht (243), so daß zumindest das erste Loch (242) gefüllt wird,
Bilden einer zweiten Isolierschicht (201b) auf der organischen Schicht (243) und der Hauptoberfläche der ersten Isolierschicht (201a),
Entfernen eines Abschnitts der zweiten Isolierschicht (201b), so daß ein zwei tes Loch (246), das die organische Schicht (243), die das erste Loch (242) füllt, erreicht, in der zweiten Isolierschicht (201b) gebildet wird,
Entfernen der organischen Schicht (243), die das erste Loch (242) füllt, so daß das erste Loch (242) mit dem zweiten Loch (246) verbunden wird, und
Bilden einer zweiten Leitungsschicht (202, 203) in einer solchen Art, daß sie das erste Loch (242) und das zweite Loch (246) füllt.

14. Verfahren zum Bilden einer Mehrschichtverbindung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt des Bildens des ersten Loches (242) Bilden eines Resistmusters (241) auf der Hauptoberfläche der ersten Isolier schicht (201a) und Entfernen der ersten Isolierschicht (201a) entsprechend dem Resistmuster (241) enthält.

15. Verfahren zum Bilden einer Mehrschichtverbindung nach Anspruch 13 oder 14, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt des Bildens der organischen Schicht (243) Füllen des ersten Loches (242) mit einer organischen Schicht während dem Bilden einer organischen Schicht auf der Hauptoberfläche der ersten Isolier schicht (201a) und Zurückätzen der organischen Schicht, bis die Hauptoberfläche der ersten Iso lierschicht (201a) erscheint, enthält.

16. Verfahren zum Bilden einer Mehrschichtverbindung nach einem der Ansprüche 13 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt des Bildens des zweiten Kontaktloches (246) Bilden eines Resistmusters (245) auf einer Hauptoberfläche der zweiten Iso lierschicht (201b) und Entfernen der zweiten Isolierschicht (201b) entsprechend dem zweiten Resistmuster (245) enthält.

17. Verfahren zum Bilden einer Mehrschichtverbindung nach einem der Ansprüche 13 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt des Bildens der zweiten Isolierschicht (201b) Bilden der zweiten Isolierschicht (201b) bei einer Temperatur, die die orga nische Schicht (243) aushält, enthält.

18. Verfahren zum Bilden einer Mehrschichtverbindung nach einem der Ansprüche 13 bis 17, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Leitungsschicht (109) zumindest eine Komponente ist, die aus der Gruppe bestehend aus einem in dem Halbleitersubstrat (101) gebildeten Dotie rungsbereich (103) und einer auf dem Halbleitersubstrat (101) gebildeten Ver bindungsschicht (109, 215, 303, 403) ausgewählt ist.

19. Verfahren zum Bilden einer Mehrschichtverbindung nach einem der Ansprüche 13 bis 18, dadurch gekennzeichnet, daß die erste und die zweite Leitungsschicht (109, 202, 203) einen Abschnitt mit einer Breite von weniger als 0,5 µm enthalten.