DE19723062C2 - Verfahren zum Bilden einer selbst ausgerichteten Metallverdrahtung für ein Halbleiterbauelement - Google Patents
Verfahren zum Bilden einer selbst ausgerichteten Metallverdrahtung für ein HalbleiterbauelementInfo
- Publication number
- DE19723062C2 DE19723062C2 DE19723062A DE19723062A DE19723062C2 DE 19723062 C2 DE19723062 C2 DE 19723062C2 DE 19723062 A DE19723062 A DE 19723062A DE 19723062 A DE19723062 A DE 19723062A DE 19723062 C2 DE19723062 C2 DE 19723062C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- exposed
- film
- photosensitive film
- insulator film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 68
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 39
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims description 31
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims description 31
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 97
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 15
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 191
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 118
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 18
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 17
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 16
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 15
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 14
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 11
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 10
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 10
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 8
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 8
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 241000530268 Lycaena heteronea Species 0.000 description 2
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 101100346656 Drosophila melanogaster strat gene Proteins 0.000 description 1
- 101100400378 Mus musculus Marveld2 gene Proteins 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- NEXSMEBSBIABKL-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilane Chemical compound C[Si](C)(C)[Si](C)(C)C NEXSMEBSBIABKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000005289 physical deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
- H01L21/76802—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics
- H01L21/76807—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics for dual damascene structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
- H01L21/76802—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
- H01L21/76802—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics
- H01L21/76807—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics for dual damascene structures
- H01L21/76813—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics for dual damascene structures involving a partial via etch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/10—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device
- H01L2221/1005—Formation and after-treatment of dielectrics
- H01L2221/101—Forming openings in dielectrics
- H01L2221/1015—Forming openings in dielectrics for dual damascene structures
- H01L2221/1021—Pre-forming the dual damascene structure in a resist layer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum
Bilden einer selbst ausgerichteten Metallverdrahtung für ein
Halbleiterbauelement und insbesondere auf ein Verfahren zum
Bilden einer selbst ausgerichteten Metallverdrahtung, das in
der Lage ist, den Kontaktwiderstand und den Integrationsgrad
zu steigern, indem vermieden wird, daß die Oberfläche eines
Kontaktlochs aufgrund einer fehlerhaften Ausrichtung eines
Grabens zum Bilden des Kontaktlochs und einer oberen Ver
drahtungsschicht reduziert wird.
Im allgemeinen werden Aluminium- oder Aluminiumlegierungs
filme, welche eine hohe elektrische Leitfähigkeit, eine
überragende Haftung an einem Siliziumoxidfilm und einfache
Strukturierungseigenschaften durch Trockenätzverfahren und
ferner geringe Kosten aufweisen, als Schaltungsmetallver
drahtungssubstanz für ein Halbleiterbauelement verwendet. Da
jedoch die Größe des Halbleiterbauelements reduziert wird,
wodurch die Metallverdrahtung feiner und mehrschichtig wird,
da die Dichte derselben zunimmt, wird die Topographie einer
Oberfläche, auf der die Metallverdrahtung gebildet werden
soll, verschlechtert, oder die Stufenüberdeckung in einem
gebogenen Abschnitt, wie z. B. innerhalb eines Kontaktlochs,
wird hervorgehoben. Falls der Metallverdrahtungsfilm durch
Sputtern eines Aluminium- oder eines Aluminiumlegierungs
films mittels eines herkömmlichen Verfahrens gebildet wird,
wird die Dicke des Metallverdrahtungsfilms in dem gebogenen
Abschnitt aufgrund eines Schatteneffekts ziemlich dünn, wo
bei dieses Phänomen ferner in einem Kontaktloch besonders
auftritt, das ein Längenverhältnis größer als Eins hat.
Statt des physischen Abscheidungsverfahrens, wie z. B. Sput
tern, wurden Studien zum Verbessern der Stufenüberdeckung
durch ein chemisches Dampfabscheidungsverfahren (welches
nachfolgend als CVD (CVC = Chemical Vapor Deposition) be
zeichnet wird, durchgeführt, um eine flache Oberfläche des
zu bildenden Films zu erhalten.
Da die Breite der Metallverdrahtung mit der Zunahme der
Halbleiterbauelementdichte sehr dünn wird, muß die Metall
verdrahtung mit einem Metall mit höherer elektrischer Leit
fähigkeit als Aluminium oder einer Aluminiumlegierung, wie
z. B. mit Kupfer (Cu), mit Gold (Au) und mit Silber (Ag),
gebildet werden. Da Kupfer im Vergleich zu Aluminium eine
bessere Elektromigrations- und Belastungsmigrationscharakte
ristik sowie eine niedrigere Resistivität aufweist, besitzt
eine Metallverdrahtung, die mit Kupfer gebildet ist, den
Vorteil, daß die Zuverlässigkeit für dieselbe erhöht ist.
Daher wurde ein Verfahren zum Bilden des Metallverdrahtungs
films durch Sputtern von Kupfer oder durch ein CVD-Verfahren
für Kupfer untersucht.
Im Falle des Ätzens von Kupfer durch eine chemische Halogen
verbindung, die üblicherweise beim Ätzen von Aluminium ver
wendet wird, muß die Temperatur beim Ätzen auf über 500°C
erhöht werden, da der Dampfdruck der chemischen Halogenver
bindung niedrig wird.
Demgemäß wird ein Verfahren zum direkten Strukturieren der
Verdrahtung durch Kupfer mittels Ätzen nicht verwendet.
Stattdessen wird ein Verfahren zum Herstellen eines vergra
benen Leiters durch Durchführen einer Rückätzung durch ein
chemisch-mechanisches Schleifen (CMP; CMP = Chemical
Mechanical Polishing) nach dem Bilden eines Grabens in einer
Form der Metallverdrahtung in dem Substrat und durch Auf
bringen eines Kupferdünnfilms untersucht. Ferner wurde eine
Technik zum Bilden einer Multiverdrahtung durch Selbstaus
richtung des Kontaktlochs zum Verbinden einer unteren Ver
drahtung und einer oberen Verdrahtung mit dem Graben zum
Bilden der oberen Verdrahtung und zum Verbinden der unteren
Verdrahtung und der oberen Verdrahtung durch das Kontaktloch
beim Bilden der oberen Verdrahtung in VMIC (S. 144-p152) von
IBM Inc., 1991, mit dem Titel "Dual Damascene: A ULSI Wiring
Technology", und in IEDM (S. 305-308) von NEC Inc., mit
dem Titel "A Quarter-Micron Planarized Interconnection
Technology With Self-Aligned Plug", veröffentlicht.
Die Fig. 1A bis 1D dienen zum Erklären eines Verfahrens zum
Strukturieren der selbst ausgerichteten Metallverdrahtung
für ein Halbleiterbauelement gemäß der von IBM Inc. veröf
fentlichten Technik.
Bezugnehmend auf Fig. 1A wird ein erster Isolatorfilm 13 auf
einem Halbleitersubstrat 11 gebildet, wonach eine erste Lei
tungsschicht 15 auf dem ersten Isolatorfilm 13 gebildet
wird. Anschließend wird die erste Leitungsschicht 15 mittels
eines herkömmlichen Photolithographieverfahrens longitudinal
strukturiert, wonach ein zweiter Isolatorfilm 17 auf dem er
sten Isolatorfilm 13 und der ersten Leitungsschicht 15 ge
bildet wird. Anschließend wird ein erster photoempfindlicher
Film 19 auf den zweiten Isolatorfilm 17 aufgebracht, wonach
derselbe belichtet und entwickelt wird, um den zweiten Iso
latorfilm 17 an einem Teil freizulegen, in dem das Kontakt
loch gebildet werden soll. Ferner wird ein zweiter photoemp
findlicher Film 21 auf dem freigelegten Teil des zweiten
Isolatorfilms 17 und auf dem ersten photoempfindlichen Film
19 aufgebracht, wonach derselbe longitudinal belichtet und
in einer Längenrichtung der ersten Leitungsschicht 15 ent
wickelt wird. Zu dieser Zeit umfaßt ein entwickelter Teil
des zweiten photoempfindlichen Films 21, welcher eine Gra
benstruktur zum Bilden einer oberen Leitungsschicht auf
weist, den entwickelten Teil des ersten photoempfindlichen
Films 19, wobei der entwickelte Teil des zweiten photoem
pfindlichen Films 21 einen gegebenen Teil des ersten photo
empfindlichen Films 19 freilegt.
In Fig. 1B wird der freigelegte Teil des zweiten Isolator
films 17 in eine gegebene Tiefe mit dem ersten und dem zwei
ten photoempfindlichen Film 19 und 21 als Maske anisotrop
geätzt, um das Kontaktloch 23 zu bilden. Anschließend wird
das Kontaktloch 23 gebildet, derart, daß die erste Leitungs
schicht 15 nicht freigelegt wird.
Bezüglich Fig. 1C werden der zweite und der erste photoem
pfindliche Film 21 und 19 sequentiell rückgeätzt, um den
zweiten photoempfindlichen Film 21 des Grabenmusters auf den
ersten photoempfindlichen Film 19 zu übertragen. An
schließend wird der freigelegte Teil des ersten photoem
pfindlichen Films 19 vollständig entfernt, derart, daß der
zweite Isolatorfilm 17 freigelegt werden kann. Demgemäß wird
der zweite Isolatorfilm 17 in einer Längenrichtung der er
sten Leitungsschicht 15 longitudinal freigelegt. Ferner wird
der zweite Isolatorfilm 17 mit dem zweiten und dem ersten
photoempfindlichen Film 21 und 19 als Maske anisotrop ge
ätzt, um den Graben 25 zu bilden. Nun wird eine untere Ober
fläche des Kontaktlochs 23 geätzt, wodurch der Graben 25 ge
ätzt wird, derart, daß die erste Leitungsschicht 15 durch
das Kontaktloch 23 freigelegt ist.
Bezugnehmend auf Fig. 1D wird, nachdem der erste und der
zweite photoempfindliche Film 19 und 21 entfernt sind, ein
leitfähiges Material, wie z. B. Kupfer, usw., mit dem das
Kontaktloch 23 und der Graben 25 gefüllt werden, auf dem
zweiten Isolatorfilm 17 aufgebracht, um elektrisch mit der
ersten Leitungsschicht 15 verbunden zu sein, um eine zweite
Leitungsschicht 27 zu bilden. Ferner wird die zweite Lei
tungsschicht 27, die auf dem zweiten Isolatorfilm 17 aufge
bracht ist, durch das chemisch-mechanische Schleif- (CMP-)
Verfahren rückgeätzt.
Die Fig. 2A bis 2D dienen zum Erklären eines Verfahrens zum
Bilden der selbst ausgerichteten Metallverdrahtung für ein
Halbleiterbauelemement gemäß der von NEC Inc. beschriebenen
herkömmlichen Technik.
Bezugnehmend auf Fig. 2A wird der erste Isolatorfilm 13 auf
dem Halbleitersubstrat 11 gebildet. Ferner wird die erste
Leitungsschicht 15 auf dem ersten Isolatorfilm 13 gebildet.
Anschließend wird die erste Leitungsschicht 15 longitudinal
durch ein herkömmliches Photolithographieverfahren struktu
riert, wonach der zweite Isolatorfilm 17 auf dem ersten Iso
latorfilm 13 und auf der ersten Leitungsschicht 15 gebildet
wird.
In Fig. 2B wird ein anderes isolierendes Material, dessen
Ätzselektivitätsverhältnis von dem des ersten Isolatorfilms
13 unterschiedlich ist, auf dem zweiten Isolatorfilm 17 auf
gebracht, um eine Ätzschutzschicht 18 zu bilden. An
schließend wird der erste photoleitfähige Film auf der Ätz
schutzschicht 18 aufgebracht, belichtet und entwickelt, um
die Ätzschutzschicht 18 in dem Teil freizulegen, in dem das
Kontaktloch gebildet werden soll. Ferner wird der zweite
Isolatorfilm 17 durch Ätzen des freigelegten Teils der Ätz
schutzschicht 18 mit dem ersten photoempfindlichen Film 19
als Maske freigelegt.
Bezüglich Fig. 2C wird der erste photoempfindliche Film 19
entfernt, wonach ein dritter Isolatorfilm 20 auf dem zweiten
Isolatorfilm 19 und der Ätzschutzschicht 18 aufgebracht
wird, und zwar mit dem gleichen Isolatormaterial wie der
zweite Isolatorfilm 17. Anschließend wird der zweite photo
empfindliche Film 21 auf dem dritten Isolatorfilm 20 aufge
bracht und in einer Längenrichtung der ersten Leitungs
schicht 15 longitudinal belichtet und entwickelt. Nun weist
der entwickelte Teil des zweiten photoempfindlichen Films
21, welcher die Grabenstruktur zum Bilden der oberen Lei
tungsschicht hat, den freigelegten Teil des zweiten Isola
torfilms 17 auf, wobei derselbe den gegebenen Teil des drit
ten Isolatorfilms 20 freilegt. Ferner wird der freigelegte
Teil des dritten Isolatorfilms 20 mit dem zweiten photoem
pfindlichen Film 21 als Maske geätzt, derart, daß die Ätz
schutzschicht freigelegt werden kann, um den Graben 25 zu
bilden. Anschließend wird der zweite Isolatorfilm 17 mit der
Ätzschutzschicht 18 als Maske geätzt, derart, daß die erste
Leitungsschicht freigelegt werden kann, wodurch das Kontaktloch
23 gebildet wird.
Bezugnehmend auf Fig. 2D wird nach dem Entfernen des zweiten
photoempfindlichen Films 21 ein leitfähiges Material, wie z. B.
Kupfer, usw., mit dem das Kontaktloch 23 und der Graben
25 gefüllt wird, auf dem dritten Isolatorfilm 20 aufge
bracht, um mit der ersten Leitungsschicht 15 verbunden zu
sein, um die zweite Leitungsschicht 27 zu bilden. Ferner
wird die zweite Leitungsschicht 27, die auf dem dritten Iso
latorfilm 20 aufgebracht ist, durch das CMP-Verfahren oder
ein ähnliches Verfahren rückgeätzt.
Bei dem herkömmlichen Verfahren zum Bilden einer Metallver
drahtung existieren jedoch bestimmte Nachteile darin, daß
das Herstellungsverfahren sehr kompliziert ist, wobei der
Oberflächenbereich aufgrund der fehlerhaften Ausrichtung
reduziert wird, wodurch ein Kontaktwiderstand erhöht wird,
da der erste photoempfindliche Film zum Bilden des Kontakt
lochs und der zweite photoempfindliche Film zum Bilden des
Grabens jeweils durch voneinander unterschiedliche Masken
belichtet werden.
Die US-A-5,354,711 beschreibt ein Verfahren, um einen Gate-
Anschluß mittels einer Leitung zu kontaktieren, wobei die
Verbindung durch eine dielektrische Schicht erfolgt. Das
Herstellungsverfahrern umfaßt die Verwendung eines ersten
Harzes sowie eines zweiten HArzes, das nach dem entfernen
des ersten Harzes verwendet wird.
Die US-A-5,534,462 beschreibt ein Verfahren zum Bilden eines
Anschlusses in einem Halbleiterelement.
Die US-A-5,514,625 betrifft ein Verfahren zum Bilden einer
Verbindung zwischen zwei Verdrahtungsebenen. In einem ersten
Schritt wird ein Substrat mit einer ersten Metallschicht und
einer Isolationsschicht bereitgestellt. Auf der oberen Ober
fläche der Isolationsschicht wird eine Resistschicht abge
schieden. Diese Resistschicht wird durch eine erste Maske
belichtet, um eine Hartmaske auf derselben zu definieren. In
einem nachfolgenden Prozeßschritt wird der tatsächliche er
ste photolithographische Strukturierungsschritt durchge
führt, indem mittels einer Maske das verbleibende Resist
derart belichtet wird, daß sich entwickelte Regionen erge
ben, die dann entfernt werden, so daß aufgrund der nicht
entwickelten Region und der Hartmaske die Kontaktlochstruk
tur definiert ist. Im nachfolgenden Schritt wird das Kon
taktloch gebildet.
Die JP 8-107143 A zeigt ein Verfahren, bei dem unter Verwen
dung einer stufenförmigen Resistschicht gleichzeitig ein
Graben und ein Kontaktloch gebildet werden, wobei die stufen
artige Struktur des Resistfilms derart gebildet ist, daß die
Durchlässigkeit der unterschiedlichen Abschnitte eingestellt
ist, um den gleichzeitigen Ätzprozeß zu ermöglichen.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein
Verfahren zum Bilden einer selbst ausgerichteten Metallver
drahtung für ein Halbleiterbauelemtent zu schaffen, das in
der Lage ist, den Kontaktwiderstand zu verringern und die
Dichte zu erhöhen, indem verhindert wird, daß ein Oberflä
chenbereich aufgrund einer fehlerhaften Ausrichtung eines
Kontaktlochs und eines Grabens verringert wird.
Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren gemäß Anspruch 1
gelöst.
Ein Vorteil der vorliegenden Erfindung besteht darin, daß
sie ein Verfahren zum Bilden einer selbst ausgerichteten Me
tallverdrahtung schafft, das eines oder mehrere Probleme
aufgrund von Begrenzungen und Nachteilen des Stands der
Technik überwindet.
Ein weiterer Vorteil der vorliegenden Erfindung besteht dar
in, daß sie ein Verfahren zum Bilden einer selbst ausgerich
teten Metallverdrahtung für ein Halbleiterbauelement
schafft, das in der Lage ist, das Herstellungsverfahren des
Aufbringens eines photoempfindlichen Films durch Aufbringen
eines photoempfindlichen Films als Monoschicht und durch
zweimaliges Durchführen eines Belichtungs- und eines Ent
wicklungsschrittes zu vereinfachen.
Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung werden in der
folgenden Beschreibung dargelegt, wobei sie teilweise aus
der Beschreibung ersichtlich werden, oder beim Ausführen der
Erfindung zutage treten. Die Ziele und die weiteren Vorteile
der Erfindung werden durch die Struktur realisiert und er
halten, die speziell in der geschriebenen Beschreibung und
den Ansprüchen derselben sowie in den beigefügten Zeichnun
gen dargelegt ist.
Um diese und weitere Vorteile gemäß der vorliegenden Erfin
dung, wie sie ausgeführt und beschrieben ist, zu erreichen,
umfaßt ein Verfahren zum Bilden einer selbst ausgerichteten
Metallverdrahtung für ein Halbleiterbauelement folgende
Schritte: Bilden eines ersten Isolatorfilms auf einem Halb
leitersubstrat, und Bilden einer ersten Leitungsschicht auf
dem ersten Isolatorfilm; Bilden eines zweiten Isolatorfilms
auf: dem ersten Isolatorfilm und auf der ersten Leitungs
schicht und Aufbringen eines photoempfindlichen Films auf
den zweiten Isolatorfilm; erstmaliges Belichten und Ent
wickeln des photoempfindlichen Films, um eine Kontaktloch
struktur zu bilden, und Ätzen eines freigelegten Teils des
Isolatorfilms mit dem photoempfindlichen Film als Maske, um
ein Kontaktloch zu bilden; zweitmaliges Belichten und Ent
wickeln eines restlichen photoempfindlichen Films nach dem
ersten Schritt des Belichtens und Entwickelns, um eine
Grabenstruktur zu bilden, die das Kontaktlochmuster umfaßt
und in einer Längenrichtung der ersten Leitungsschicht lon
gitudinal gebildet ist; Freilegen der ersten Leitungsschicht
durch das Kontaktloch, während der zweite Isolatorfilm in
einer vorbestimmten Dichte mit dem photoempfindlichen Film
als Maske geätzt wird, um einen Graben zu bilden; und Ent
fernen des photoempfindlichen Films und Auffüllen des Gra
bens und des Kontaktlochs, um eine zweite Leitungsschicht zu
bilden, die mit der ersten Leitungsschicht elektrisch ver
bunden ist.
Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung
werden nachfolgend bezugnehmend auf die beiliegenden Zeich
nungen detaillierter erläutert. Es zeigen:
Fig. 1A bis 1D Ansichten zum Erklären eines herkömmlichen
Verfahrens zum Bilden einer selbst ausgerich
teten Metallverdrahtung für ein Halbleiter
bauelement;
Fig. 2A bis 2D Ansichten zum Erklären eines weiteren her
kömmlichen Verfahrens zum Bilden einer selbst
ausgerichteten Metallverdrahtung für ein
Halbleiterbauelement;
Fig. 3A bis 3C Ansichten zum Erklären eines Verfahrens zum
Bilden einer selbst ausgerichteten Metallver
drahtung für ein Halbleiterbauelement gemäß
dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegen
den Erfindung;
Fig. 4A bis 4D Ansichten zum Erklären eines Verfahrens zum
Bilden einer selbst ausgerichteten Metallver
drahtung für ein Halbleiterbauelement gemäß
dem zweiten Ausführungsbeispiel der vorlie
genden Erfindung;
Fig. 5A bis 5D Ansichten zum Erklären eines Verfahrens zum
Bilden einer selbst ausgerichteten Metallverdrahtung
für ein Halbleiterbauelement gemäß
dem dritten Ausführungsbeispiel der vorlie
genden Erfindung;
Fig. 6A bis 6D Ansichten zum Erklären eines Verfahrens zum
Bilden einer selbst ausgerichteten Metallver
drahtung für ein Halbleiterbauelement;
Fig. 7A bis 7D Ansichten zum Erklären eines Verfahrens zum
Bilden einer selbst ausgerichteten Metallver
drahtung, für ein Halbleiterbauelement gemäß
dem vierten Ausführungsbeispiel der vorlie
genden Erfindung; und
Fig. 8A bis 8D Ansichten zum Erklären eines Verfahrens zum
Bilden einer selbst ausgerichteten Metallver
drahtung für ein Halbleiterbauelement gemäß
dem fünften Ausführungsbeispiel der vorlie
genden Erfindung.
Nachfolgend wird detailliert auf die bevorzugten Ausfüh
rungsbeispiele der vorliegenden Erfindung Bezug genommen,
von denen Beispiele in den beigefügten Zeichnungen darge
stellt sind.
Die Fig. 3A bis 3D sind zum Erklären eines Verfahrens zum
Bilden einer selbst ausgerichteten Metallverdrahtung für ein
Halbleiterbauelement gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung vorgesehen.
Bezugnehmend auf die Fig. 3A wird ein erster Isolatorfilm 33
auf einem Halbleitersubstrat 31 gebildet, wonach eine erste
Leitungsschicht 35 auf dem ersten Isolatorfilm 33 gebildet
wird. Ein Fremdatom- oder "Unreinheits"-Eindiffusionsbereich
(nicht gezeigt) oder eine Leitung wird in dem Halbleitersub
strat 31 gebildet, wobei die erste Leitungsschicht 35 mit
dem Fremdatomeindiffusionsbereich oder der Leitung elek
trisch verbunden ist. Anschließend wird die erste Leitungs
schicht 35 longitudinal durch ein allgemeines Photolithogra
phieverfahren strukturiert, wonach ein zweiter Isolatorfilm
37 auf dem ersten Isolatorfilm und der Leitungsschicht 35
gebildet wird. Anschließend wird ein photoempfindlicher Film
39 vom positiven Typ auf dem zweiten Isolatorfilm 37 aufge
bracht und zuerst belichtet und entwickelt, um eine Kontakt
lochstruktur zu bilden, und um den zweiten Isolatorfilm 37
freizulegen. Anschließend wird ein freigelegter Teil des
zweiten Isolatorfilms 37 bis zu einer gegebenen Tiefe aniso
trop geätzt, wobei der photoempfindliche Film 39 als Maske
dient, und wobei ein reaktives Ion, das Fluor aufweist, wie
z. B. CF4 oder CHF3 usw., verwendet wird, um ein Kontaktloch
41 zu bilden. In diesem Stadium ist die erste Leitungs
schicht 35 jedoch nicht durch das Kontaktloch 41 freigelegt.
Bezugnehmend auf Fig. 3B wird der restliche photoempfindli
che Film 39 nach dem ersten Belichten und Entwickeln zum
zweitenmal belichtet und entwickelt, um eine Grabenstruktur
zu bilden, welche eine Kontaktlochstruktur umfaßt und in
einer Längenrichtung der ersten Leitungsschicht 35 longitu
dinal gebildet ist. Bisher war der restliche photoempfindli
che Film nach dem ersten Belichten und Entwickeln nicht be
lichtet, weshalb es möglich ist, den restlichen photoem
pfindlichen Film zu belichten und zu entwickeln.
In Fig. 3C wird ein freigelegter Teil des zweiten Isolator
films 37, der durch das zweite Belichten und Entwickeln mit
dem photoempfindlichen Film 39 freigelegt wurde, wobei die
Grabenstruktur als Maske gebildet wurde, in einer gegebenen
Tiefe mit dem reaktiven Ion, das Fluor aufweist, wie z. B.
mit CF4 oder CHF3 usw., anisotrop geätzt, um einen Graben 43
zu bilden. In diesem Moment wird die untere Oberfläche des
Kontaktlochs 41 geätzt, weshalb der Graben 43 derart ge
bildet ist, daß die erste Leitungsschicht 35 durch das Kon
taktloch 41 freigelegt sein kann. Nachdem der photoempfind
liche Film 39 entfernt ist, wird das leitfähige Material,
welches Aluminium, Kupfer, Gold, Silber, Platin oder ihre
Legierungen aufweist, auf der gesamten Oberfläche durch das
Sputter- oder das chemische Dampfabscheidungsverfahren,
usw., aufgebracht, um die zweite Leitungsschicht 45 zu bil
den. Nun ist die zweite Leitungsschicht 45 in das Kontakt
loch sowie in den Graben 43 gefüllt, und dieselbe ist mit
der ersten Leitungsschicht 35 elektrisch verbunden. An
schließend wird die zweite Leitungsschicht 45, die auf dem
zweiten Isolatorfilm 37 aufgebracht ist, durch das CMP-Ver
fahren, usw., rückgeätzt.
Die Fig. 4A bis 4D dienen zum Erklären des Verfahrens zum
Bilden einer selbst ausgerichteten Metallverdrahtung für das
Halbleiterbauelement gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung.
Bezugnehnend auf Fig. 4A wird der erste Isolatorfilm 33 auf
dem Halbleitersubstrat 31 gebildet, wonach die erste Lei
tungsschicht 35 auf dem ersten Isolatorfilm 33 gebildet
wird. Der Fremdatomeindiffusionsbereich (nicht gezeigt) oder
die Leitung wird in dem Halbleitersubstrat 31 gebildet, wo
bei die erste Leitungsschicht 35 mit dem Fremdatomeindiffu
sionsbereich oder der Leitung elektrisch verbunden ist. An
schließend wird die erste Leitungsschicht 35 durch ein all
gemeines Photolithographieverfahren longitudinal struktu
riert, wonach der zweite Isolatorfilm 37 auf dem ersten Iso
latorfilm 33 und der ersten Leitungsschicht 35 gebildet
wird. Anschließend werden der photoempfindliche Film 39 vom
positiven Typ und ein photoempfindlicher Film 47 vom nega
tiven Typ sequentiell auf dem zweiten Isolatorfilm 37 aufge
bracht. Der obere photoempfindliche Film 47 vom negativen
Typ wird zuerst belichtet und entwickelt, um die Kontakt
lochstruktur zu bilden, wodurch der untere photoempfindliche
Film 39 vom positiven Typ freigelegt wird. Der obere und der
untere photoempfindliche Film 39 und 47 sind somit aus einem
positiven bzw. negativen Typ gebildet, wobei es jedoch eben
falls möglich sein kann, daß sie aus dem negativen Typ bzw.
dem positiven Typ gebildet sind.
Bezugnehmend auf Fig. 4B werden der obere und der untere
photoempfindliche Film 47 und 39 durch das anisotrope Ätz
verfahren mit einem reaktiven Ion, welches Fluor F umfaßt,
wie z. B. durch CF4 oder CHF3, usw., oder durch Sauerstoff
O, wie z. B. O2, rückgeätzt, derart, daß der obere photo
empfindliche Film 47 auf dem unteren photoempfindlichen Film
39 entfernt werden kann. Nun wird die Kontaktlochstruktur,
die auf dem oberen photoempfindlichen Film 39 gebildet ist,
auf den unteren photoempfindlichen Film 39 übertragen, wo
durch der zweite Isolatorfilm 37, der dem übertragenen Teil
entspricht, freigelegt wird. Anschließend wird der freige
legte Teil des zweiten Isolatorfilms 37 in einer gegebenen
Tiefe mit dem unteren photoempfindlichen Film 39, in dem die
Kontaktlochstruktur gebildet ist, als Maske und mit dem re
aktiven Ion, das Fluor umfaßt, wie z. B. mit CF4 oder CHF3,
usw., anisotrop geätzt, um das Kontaktloch 41 zu bilden. Zu
diesem Zeitpunkt ist jedoch die erste Leitungsschicht 35
nicht durch das Kontaktloch 41 freigelegt.
In Fig. 4C wird der photoempfindliche Film 39, in dem die
Kontaktlochstruktur gebildet ist, zum zweitenmal belichtet
und entwickelt, um die Grabenstruktur zu bilden, welche die
Kontaktlochstruktur aufweist, und welche in der Längenrich
tung der ersten Leitungsschicht 35 longitudinal gebildet
ist. Der restliche photoempfindliche Film 39 wurde bisher
während des ersten Belichtens nicht belichtet, weshalb es
möglich ist, den restlichen photoempfindlichen Film 39 zu
belichten und zu entwickeln. Ferner wird ein gegebener Teil
des zweiten Isolatorfilms 37, der durch das zweite Belichten
und Entwickeln freigelegt wurde, mit dem photoempfindlichen
Film 39 als Maske bis zu einer gegebenen Tiefe mit dem reak
tiven Ion, das Fluor aufweist, wie z. B. mit CF4 oder CHF3,
usw., anisotrop geätzt, um den Graben 43 zu bilden. Nun wird
die untere Oberfläche des Kontaktlochs 41 geätzt, wodurch
der Graben 43 geätzt wird, derart, daß die erste Leitungs
schicht 35 durch das Kontaktloch 41 freigelegt ist.
Bezugnehmend auf Fig. 4D wird, nachdem der photoempfindliche
Film 39 entfernt ist, das leitfähige Material, welches Alu
minium, Kupfer, Gold, Silber, Platin oder eine Legierung
derselben aufweist, auf der gesamten Oberfläche durch das
Sputter- oder das chemische Dampfabscheidungsverfahren,
usw., aufgebracht, um die zweite Leitungsschicht 45 zu bil
den. Nun ist die zweite Leitungsschicht 45 in das Kontakt
loch 41 sowie in den Graben 43 gefüllt und mit der ersten
Leitungsschicht 35 elektrisch verbunden. Nun wird die zweite
Leitungsschicht 45, die auf dem zweiten Isolatorfilm 37 auf
gebracht ist, durch das CMP-Verfahren, usw., rückgeätzt.
Die Fig. 5A bis 5D dienen zum Erklären eines Verfahrens zum
Bilden einer selbst ausgerichteten Metallverdrahtung für ein
Halbleiterbauelement gemäß dem dritten Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung.
Bezugnehmend auf Fig. 5A wird ein erster Isolatorfilm 33 auf
einem Halbleitersubstrat 31 gebildet, wonach eine erste Lei
terschicht 35 auf dem ersten Isolatorfilm 33 gebildet wird.
Ein Fremdatomeindiffusionsbereich (nicht gezeigt) oder eine
Leitung wird in dem Halbleitersubstrat 31 gebildet, wonach
die erste Leiterschicht 35 mit dem Fremdatomeindiffusions
bereich oder der Leitung elektrisch verbunden wird. An
schließend wird die erste Leiterschicht 35 über ein allge
meines Photolithographieverfahren longitudinal strukturiert,
wonach ein zweiter Isolatorfilm 37 auf dem ersten Isolator
film und auf der Leiterschicht 35 gebildet wird. Nun wird
ein photoempfindlicher Film 39 vom positiven Typ dickenmäßig
auf dem zweiten Isolatorfilm 37 aufgebracht. Der photoemp
findliche Film 39 wird zuerst belichtet und bis zu einer
vorbestimmten Tiefe entwickelt, indem die Belichtung derart
eingestellt ist, daß der zweite Isolatorfilm 37 nicht frei
gelegt wird, wodurch die Kontaktlochstruktur gebildet wird.
In Fig. 5B wird der photoempfindliche Film 39 mittels des
anisotropen Ätzverfahrens mit einem reaktiven Ion, welches
Fluor umfaßt, wie z. B. mit CF4 oder CHF3, usw., oder welches
Sauerstoff umfaßt, wie z. B. O2, usw., rückgeätzt, der
art, daß der zweite Isolatorfilm 37 freigelegt werden kann.
Im obigen Schritt wird die Kontaktlochstruktur, die in einem
vorbestimmten Teil des oberen photoempfindlichen Films ge
bildet ist, zu dem unteren Abschnitt übertragen, wodurch der
zweite Isolatorfilm 37, der dem übertragenen Teil ent
spricht, freigelegt wird. Anschließend wird der freigelegte
Teil des zweiten Isolatorfilms 37 bis zu einer vorbestimmten
Tiefe mit dem restlichen photoempfindlichen Film 39, in dem
die Kontaktlochstruktur gebildet ist, als Maske und mit dem
reaktiven Ion, das Fluor umfaßt, wie z. B. mit CF4 oder
CHF3, usw., anisotrop geätzt, um das Kontaktloch 41 zu bil
den. In diesem Stadium ist jedoch die erste Leitungsschicht
35 nicht durch das Kontaktloch 41 freigelegt.
Bezugnehmend auf Fig. 5C wird der photoempfindliche Film 39,
in dem die Kontaktlochstruktur gebildet ist, zum zweitenmal
belichtet und entwickelt, um die Grabenstruktur zu bilden,
welche die Kontaktlochstruktur umfaßt, und welche longitudi
nal in der Längenrichtung der ersten Leitungsschicht 35 ge
bildet ist. Bisher wurde der restliche photoempfindliche
Film 39 während des ersten Belichtens nicht belichtet, wes
halb es möglich ist, den restlichen photoempfindlichen Film
39 zu belichten und zu entwickeln. Ferner wird ein gegebener
Teil des zweiten Isolatorfilms 37, der durch das zweite Be
lichten und Entwickeln mit dem photoempfindlichen Film 39
als Maske freigelegt wurde, mittels des reaktiven Ions, das
Fluor aufweist, wie z. B. mit CF4 oder CHF3, usw., bis zu
einer vorbestimmten Tiefe anisotrop geätzt, um den Graben 43
zu bilden. Anschließend wird die untere Oberfläche des Kon
taktlochs 41 geätzt, wonach der Graben 43 geätzt wird, der
art, daß die erste Leitungsschicht 35 durch das Kontaktloch
41 freigelegt sein kann.
Bezüglich Fig. 5D wird, nachdem der photoempfindliche Film
39 entfernt ist, das leitfähige Material, welches Aluminium,
Kupfer, Gold, Silber, Platin oder Legierungen derselben auf
weist, auf der gesamten Oberfläche, die die oben erwähnte
Struktur aufweist, mittels des Sputter- oder des chemischen
Dampfabscheidungsverfahrens, usw., aufgebracht, um die zwei
te Leitungsschicht 45 zu bilden. Nun ist die zweite Lei
tungsschicht 45 in das Kontaktloch 41 sowie in den Graben 43
gefüllt und mit der ersten Leitungsschicht 35 elektrisch
verbunden. Nun wird die zweite Leitungsschicht 45, die auf
dem zweiten Isolatorfilm 37 aufgebracht ist, mittels des
CMP-Verfahrens, usw., rückgeätzt.
Fig. 6A bis 6D dienen zum Erklären eines Verfahrens zum Bil
den einer selbst ausgerichteten Metallverdrahtung für ein
Halbleiterbauelement.
Bezugnehmend auf Fig. 6A wird ein erster Isolatorfilm 33 auf
einem Halbleitersubstrat 31 gebildet, wonach eine erste Lei
tungsschicht 45 auf dem ersten Isolatorfilm 33 gebildet
wird. Ein Fremdatomeindiffusionsbereich (nicht gezeigt) oder
eine Leitung wird in dem Halbleitersubstrat 31 gebildet, wo
nach die erste Leitungsschicht 35 mit dem Fremdatomeindiffu
sionsbereich oder der Leitung elektrisch verbunden wird. An
schließend wird die erste Leitungsschicht 35 durch ein all
gemeines Photolithographieverfahren longitudinal struktu
riert, wonach ein zweiter Isolatorfilm 37 auf dem ersten
Isolatorfilm 33 und der Leitungsschicht 35 gebildet wird.
Anschließend wird ein photoempfindlicher Film 39 vom positi
ven Typ dickenmäßig auf dem zweiten Isolatorfilm 37 aufge
bracht. Der photoempfindliche Film 39 wird zuerst in einer
Form der Kontaktlochstruktur bis zu einem Teil belichtet,
der mit dem zweiten Isolatorfilm 37 verbunden werden soll,
und derselbe wird durchgehend zum zweitenmal bis zu einer
vorbestimmten Tiefe belichtet, indem die Belichtung derart
eingestellt wird, daß derselbe in einer Grabenstruktur
belichtet wird, die die oben erwähnte Kontaktlochstruktur
aufweist. Anschließend werden der erste und der zweite
belichtete Teil entwickelt, um die Kontaktlochstruktur und
das Grabenmuster zu bilden. Die Kontaktlochstruktur legt den
zweiten Isolatorfilm 37 eines vorbestimmten Teils, der der
ersten Leitungsschicht 35 entspricht, frei, wobei die Gra
benstruktur ein Ende hat, das sich von dem des Kontaktlochs
unterscheidet, und wobei dieselbe in einer Längenrichtung
der ersten Leitungsschicht 35 longitudinal gebildet ist.
Bezugnehmend auf Fig. 6B wird der freigelegte Teil des zwei
ten Isolatorfilms 37 bis zu einer vorbestimmten Tiefe mit
dem photoempfindlichen Film 39 als Maske und mit dem reakti
ven Ion, das Fluor aufweist, wie z. B. mit CF4 oder CHF3,
usw., anisotrop geätzt, um das Kontaktloch 41 zu bilden. In
diesem Stadium ist die erste Leitungsschicht 35 nicht durch
das Kontaktloch 41 freigelegt.
Bezüglich Fig. 6C wird der photoempfindliche Film 39 durch
das anisotrope Ätzverfahren mit einem reaktiven Ion, welches
Fluor aufweist, wie z. B. mit CF4 oder CHF3, usw., oder mit
Sauerstoff (O), wie z. B. O2, rückgeätzt, derart, daß die
Grabenstruktur auf den zweiten Isolatorfilm 37 übertragen
werden kann. Anschließend wird der freigelegte Teil des
zweiten Isolatorfilms 37 bis zu einer gegebenen Tiefe mit
dem restlichen photoempfindlichen Film 39, in dem die Gra
benstruktur gebildet ist, als Maske und mit dem reaktiven
Ion, das Fluor umfaßt, wie z. B. mit CF4 oder CHF3, usw.,
anisotrop geätzt, um den Graben 43 zu bilden. Nun ist die
Oberfläche der ersten Leitungsschicht 35 freigelegt, wodurch
der Graben 43 geätzt ist, derart, daß die erste Leitungs
schicht 35 freigelegt sein kann.
In Fig. 6D wird, nachdem der photoempfindliche Film 39 ent
fernt ist, das leitfähige Material, welches Aluminium, Kup
fer, Gold, Silber, Platin oder eine Legierung derselben auf
weist, auf der gesamten Oberfläche, die die oben erwähnte
Struktur aufweist, durch das Sputter- oder das chemische
Dampfabscheidungsverfahren, usw., aufgebracht, um die zweite
Leitungsschicht 45 zu bilden. In diesem Stadium ist die
zweite Leitungsschicht 45 in das Kontaktloch 41 sowie in den
Graben 43 gefüllt und mit der ersten Leitungsschicht 35
elektrisch verbunden. Nun wird die zweite Leitungsschicht
45, die auf dem zweiten Isolatorfilm 37 aufgebracht ist,
mittels des CMP-Verfahrens, usw., rückgeätzt.
Die Fig. 7A bis 7D dienen zum Erklären eines Verfahrens zum
Bilden einer selbst ausgerichteten Metallverdrahtung für ein
Halbleiterbauelement gemäß dem vierten Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung.
Bezugnehmend auf Fig. 7A wird ein erster Isolatorfilm 33 auf
einem Halbleitersubstrat 31 gebildet, wonach eine erste Lei
tungsschicht 35 auf dem ersten Isolatorfilm 33 gebildet
wird. Ein Fremdatomeindiffusionsbereich (nicht gezeigt) oder
eine Leitung wird in dem Halbleitersubstrat 31 gebildet, wo
bei die erste Leitungsschicht 35 mit dem Fremdatomeindiffu
sionsbereich oder der Leitung elektrisch verbunden ist. An
schließend wird die erste Leitungsschicht 35 durch ein all
gemeines Photolithographieverfahren longitudinal struktu
riert, wonach ein zweiter Isolatorfilm 37 auf dem ersten
Isolatorfilm und der Leitungsschicht 35 aufgebracht wird.
Anschließend wird ein photoempfindlicher Film 39 vom posi
tiven Typ dickenmäßig auf dem zweiten Isolatorfilm 37 auf
gebracht. Nun wird der photoempfindliche Film 39 zuerst bis
zu einer vorbestimmten Tiefe durch Einstellen der Belichtung
belichtet, um einen belichteten Bereich 49 der Kontaktloch
struktur zu bilden. Anschließend wird der photoempfindliche
Film 39 mit organischem Material, wie z. B. mit HMDS (Hexa
methyldisilan), das Silizium (Si) oder Zinn (Sn), usw., ent
hält, dotiert, um eine Umwandlungsschicht 41 in einem Teil
zu bilden, in dem der Belichtungsbereich 49 nicht gebildet
ist.
Bezüglich Fig. 7B wird, nachdem der belichtete Bereich 49
entwickelt wurde, um entfernt zu werden, der freigelegte
Teil des photoempfindlichen Films 39 mit der Umwandlungs
schicht 51 als Maske und mit einem reaktiven Ion, das Fluor
umfaßt, wie z. B. mit CF4 oder CHF3, usw., oder das Sauer
stoff enthält, wie z. B. mit O2, usw., rückgeätzt. An
schließend wird die Kontaktlochstruktur übertragen, wodurch
der zweite Isolatorfilm 37 freigelegt wird. Ferner wird der
freigelegte Teil des zweiten Isolatorfilms 37 bis zu einer
vorbestimmten Tiefe mit der Umwandlungsschicht 51 als Maske
und mit einem reaktiven Ion, das Fluor aufweist, wie z. B.
mit CF4 oder CHF3, usw., rückgeätzt, um das Kontaktloch 41
zu bilden. In diesem Stadium ist die erste Leitungsschicht
51 nicht durch das Kontaktloch 41 freigelegt.
Bezugnehmend auf Fig. 7C wird ein restlicher photoempfindli
cher Film 39 mit Ausnahme eines Teils, der die Umwandlungs
schicht oder der belichtete Teil ist, zum zweitenmal in ei
ner Grabenstruktur belichtet, welche die Kontaktlochstruktur
aufweist und in einer Längenrichtung der ersten Leitungs
schicht 35 longitudinal gebildet ist. Anschließend wird die
Umwandlungsschicht selektiv entfernt, wonach der belichtete
Teil des photoempfindlichen Films 39 entwickelt wird, um die
Grabenstruktur zu bilden. Im obigen Schritt ist es, nachdem
die Umwandlungsschicht selektiv entfernt worden ist, mög
lich, die Grabenstruktur zu bilden, indem der photoempfind
liche Film 39 zum zweitenmal belichtet und entwickelt wird.
Ferner wird der belichtete Teil des zweiten Isolatorfilms 37
mit dem restlichen photoempfindlichen Film 39, in dem die
Grabenstruktur gebildet ist, als Maske, und mit einem re
aktiven Ion, das Fluor aufweist, wie z. B. mit CF4 oder
CHF3, usw., anisotrop geätzt, um den Graben 43 zu bilden.
Nun wird die untere Oberfläche des Kontaktlochs 41 geätzt,
wodurch der Graben 43 geätzt wird, derart, daß die erste
Leitungsschicht 35 durch das Kontaktloch 41 freigelegt
werden kann.
In Fig. 7D wird, nachdem der photoempfindliche Film 39 ent
fernt ist, das leitfähige Material, das Aluminium, Kupfer,
Gold, Silber, Platin oder eine Legierung derselben aufweist,
auf der gesamten Oberfläche, die die vorher erwähnte Struk
tur aufweist, durch das Sputter- oder das chemische Dampf
abscheidungs-Verfahren, usw., aufgebracht, um die zweite
Leitungsschicht 45 zu bilden. In diesem Stadium ist die
zweite Leitungsschicht 45 in das Kontaktloch 41 sowie in den
Graben 43 gefüllt und mit der ersten Leitungsschicht 35
entsprechend elektrisch verbunden. Die zweite Leitungs
schicht 45, die auf dem zweiten Isolatorfilm 37 aufgebracht
ist, wird nun durch das CMP-Verfahren, usw., rückgeätzt.
Die Fig. 8A bis 8D dienen zu Erklären eines Verfahrens zum
Bilden einer selbst ausgerichteten Metallverdrahtung für ein
Halbleiterbauelement gemäß dem fünften Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung.
Bezugnehmend auf Fig. 8A wird ein erster Isolatorfilm 33 auf
einem Halbleitersubstrat 31 gebildet, wonach eine erste Lei
tungsschicht 35 auf dem ersten Isolatorfilm 33 gebildet
wird. Ein Fremdatomeindiffusionsbereich (nicht gezeigt) oder
eine Leitung ist in dem Halbleitersubstrat 31 gebildet, wo
bei die erste Leitungsschicht 35 mit dem Fremdatomeindiffu
sionsbereich oder der Leitung elektrisch verbunden ist. An
schließend wird die erste Leitungsschicht 35 über ein allge
meines Photolithographieverfahren longitudinal strukturiert,
wonach ein zweiter Isolatorfilm 37 auf dem ersten Isolator
film und der Leitungsschicht 35 gebildet wird. Anschließend
wird, nachdem ein photoempfindlicher Film 39 vom positiven
Typ auf dem zweiten Isolatorfilm 37 aufgebracht worden ist,
der photoempfindliche Film 39 zuerst in der Form der Kon
taktlochstruktur bis zu einem Teil belichtet, der mit dem
zweiten Isolatorfilm 37 verbunden werden soll, wodurch der
belichtete Bereich 49 der Kontaktlochstruktur gebildet wird.
Anschließend wird der photoempfindliche Film 39 mit einem
organischen Material, wie z. B. mit HMDS (Hexamethyldisi
lan), das Silizium (Si) oder Zinn (Sn) usw., enthält, do
tiert, um eine Umwandlungsschicht 51 mit einer vorbestimmten
Tiefe in einem Teil zu bilden, in dem der belichtete Bereich
49 nicht gebildet ist.
Bezugnehmend auf Fig. 8B wird der belichtete Bereich 49 ent
wickelt, um entfernt zu werden, derart, daß der zweite Iso
latorfilm 37 belichtet werden kann, wobei der belichtete
Teil des photoempfindlichen Films 39 mit der Umwandlungsschicht
51 als Maske und mit einem reaktiven Ion, das Fluor
aufweist, wie z. B. mit CF4 oder CHF3, usw., anisotrop ge
ätzt wird, um das Kontaktloch 41 zu bilden. In diesem Stadi
um ist die erste Leitungsschicht 51 nicht durch das Kontakt
loch 41 freigelegt.
Bezüglich Fig. 8C wird der restliche photoempfindliche Film
39 mit Ausnahme des Teils, der die Umwandlungsschicht 51
oder der belichtete Teil ist, zum zweitenmal in einer Gra
benstruktur belichtet, welche die Kontaktlochstruktur um
faßt, und welche longitudinal in einer Längenrichtung der
ersten Leitungsschicht 35 gebildet ist. Anschließend wird
die Umwandlungsschicht 51 selektiv entfernt, wonach der be
lichtete Teil des photoempfindlichen Films 39 entwickelt
wird, um die Grabenstruktur zu bilden. Bei dem obigen
Schritt ist es, nachdem die Umwandlungsschicht 51 selektiv
entfernt worden ist, möglich, die Grabenstruktur durch ein
zweites Belichten und Entwickeln des photoempfindlichen
Films 39 zu bilden. Anschließend wird der belichtete Teil
des zweiten Isolatorfilms 37 mit dem restlichen photo
empfindlichen Film 39, in dem die Grabenstruktur gebildet
ist, als Maske, und mit einem reaktiven Ion, das Fluor
aufweist, wie z. B. mit CF4 oder CHF3, usw., anisotrop
geätzt, um den Graben zu bilden. In diesem Stadium wird die
untere Oberfläche des Kontaktlochs 41 geätzt, wodurch der
Graben 43 geätzt wird, derart, daß die erste Leitungsschicht
35 durch das Kontaktloch 41 freigelegt werden kann.
In Fig. 8D wird, nachdem der restliche photoempfindliche
Film 39 entfernt worden ist, das leitfähige Material, wel
ches Aluminium, Kupfer, Gold, Silber, Platin oder eine Le
gierung derselben aufweist, auf der gesamten Oberfläche, die
die oben erwähnte Struktur aufweist, durch das Sputter- oder
das chemische Dampfabscheidungsverfahren, usw., aufgebracht,
um die zweite Leitungsschicht 45 zu bilden. In diesem Sta
dium ist die zweite Leitungsschicht 45 in das Kontaktloch 41
sowie in den Graben 43 gefüllt, um mit der ersten Leitungs
schicht 35 elektrisch verbunden zu sein. Nun wird die zweite
Leitungsschicht 45, die auf dem zweiten Isolatorfilm 37
aufgebracht ist, durch das CMP-Verfahren, usw., rückgeätzt.
Demgemäß bestehen die Vorteile der vorliegenden Erfindung
darin, daß der Kontaktwiderstand verringert und die Schal
tungsdichte gesteigert wird, indem verhindert wird, daß der
Oberflächenbereich des Kontaktlochs aufgrund einer fehler
haften Ausrichtung des Kontaktlochs und des Grabens verrin
gert wird, und darin, daß das Herstellungsverfahren verein
facht wird, indem der photoempfindliche Film als die Mono
schicht aufgebracht wird, um die Schritte des Belichtens und
Entwickelns zweimal durchzuführen.
Claims (10)
1. Verfahren zum Bilden einer selbst ausgerichteten Me
tallverdrahtung für ein Halbleiterbauelement, mit fol
genden Schritten:
Bilden eines ersten Isolatorfilms (33) auf einem Halb leitersubstrat (31) und Bilden einer ersten Leitungs schicht (35) auf dem ersten Isolatorfilm (33);
Bilden eines zweiten Isolatorfilms (37) auf dem ersten Isolatorfilm (33) und auf der ersten Leitungsschicht (35) und Aufbringen eines photoempfindlichen Films (39) auf dem zweiten Isolatorfilm (37);
erstmaliges Belichten eines ersten Abschnitts des pho toempfindlichen Films (39) und Entwickeln des ersten Abschnitts, um eine Kontaktlochstruktur zu definieren, und Ätzen des Isolatorfilms (37) mit dem photoempfind lichen Film (39) als Maske, um ein Kontaktloch (41) zu bilden;
zweitmaliges Belichten eines zweiten, nicht-belichteten Abschnitts des photoempfindlichen Films (39) und Ent wickeln des zweiten Abschnitts nach dem erstmaligen Be lichtungs-, Entwicklungs- und Ätzschritt, um eine Graben struktur zu definieren, die die Kontaktlochstruktur um faßt und in einer Längenrichtung der ersten Leitungs schicht (35) longitudinal gebildet ist;
Freilegen der ersten Leitungsschicht (35) durch das Kontaktloch (41), während der zweite Isolatorfilm (37) in eine vorbestimmte Tiefe mit dem photoempfindlichen Film (39) als Maske geätzt wird, um einen Graben (43) zu bilden; und
Entfernen des photoempfindlichen Films (39) und Auf füllen des Grabens (43) und des Kontaktlochs (41), um eine zweite Leitungsschicht (45) zu bilden, die mit der ersten Leitungsschicht (35) elektrisch verbunden ist.
Bilden eines ersten Isolatorfilms (33) auf einem Halb leitersubstrat (31) und Bilden einer ersten Leitungs schicht (35) auf dem ersten Isolatorfilm (33);
Bilden eines zweiten Isolatorfilms (37) auf dem ersten Isolatorfilm (33) und auf der ersten Leitungsschicht (35) und Aufbringen eines photoempfindlichen Films (39) auf dem zweiten Isolatorfilm (37);
erstmaliges Belichten eines ersten Abschnitts des pho toempfindlichen Films (39) und Entwickeln des ersten Abschnitts, um eine Kontaktlochstruktur zu definieren, und Ätzen des Isolatorfilms (37) mit dem photoempfind lichen Film (39) als Maske, um ein Kontaktloch (41) zu bilden;
zweitmaliges Belichten eines zweiten, nicht-belichteten Abschnitts des photoempfindlichen Films (39) und Ent wickeln des zweiten Abschnitts nach dem erstmaligen Be lichtungs-, Entwicklungs- und Ätzschritt, um eine Graben struktur zu definieren, die die Kontaktlochstruktur um faßt und in einer Längenrichtung der ersten Leitungs schicht (35) longitudinal gebildet ist;
Freilegen der ersten Leitungsschicht (35) durch das Kontaktloch (41), während der zweite Isolatorfilm (37) in eine vorbestimmte Tiefe mit dem photoempfindlichen Film (39) als Maske geätzt wird, um einen Graben (43) zu bilden; und
Entfernen des photoempfindlichen Films (39) und Auf füllen des Grabens (43) und des Kontaktlochs (41), um eine zweite Leitungsschicht (45) zu bilden, die mit der ersten Leitungsschicht (35) elektrisch verbunden ist.
2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem der photoempfind
liche Film (39, 47) in einer Struktur mit einer unteren
Schicht (39) vom positiven Typ und mit einer oberen
Schicht (47) vom negativen Typ gebildet ist, welche
Entwicklungscharakteristika aufweisen, die sich von
einander unterscheiden.
3. Verfahren nach Anspruch 2, bei dem die obere Schicht
(47) des photoempfindlichen Films (39) zuerst belichtet
und entwickelt wird, um die Kontaktlochstruktur zu bil
den, und ferner zurückgeätzt wird, um in die untere
Schicht (39) übertragen zu werden.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem der
erstmalig belichtete und entwickelte photoempfindliche
Film (39) als Maske verwendet wird, derart, daß die er
ste Leitungsschicht (35) beim Bilden des Kontaktlochs
(41) nicht freigelegt wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, das nach
dem erstmaligen Belichten und vor dem erstmaligen Ent
wickeln folgenden Schritt umfaßt:
Dotieren des photoempfindlichen Films (39) mit Fremdatomen, um eine Umwandlungsschicht (51) mit einer vorbestimmten Tiefe in einem Teil, in dem der belichtete Bereich (49) nicht gebildet ist, zu bilden; und
das nach dem Bilden der Grabenstruktur folgenden Schritt umfaßt:
Entfernen der Umwandlungsschicht (51).
Dotieren des photoempfindlichen Films (39) mit Fremdatomen, um eine Umwandlungsschicht (51) mit einer vorbestimmten Tiefe in einem Teil, in dem der belichtete Bereich (49) nicht gebildet ist, zu bilden; und
das nach dem Bilden der Grabenstruktur folgenden Schritt umfaßt:
Entfernen der Umwandlungsschicht (51).
6. Verfahren nach Anspruch 5, bei dem der belichtete Be
reich (49) in einer vorbestimmten Tiefe durch Einstel
len der Belichtung gebildet ist.
7. Verfahren nach Anspruch 6, bei dem der photoempfind
liche Film (39) nach dem Entwickeln des belichteten
Bereichs (39) mit der Umwandlungsschicht (51) als Maske
rückgeätzt wird, derart, daß die Kontaktlochstruktur
übertragen wird und der zweite Isolatorfilm (37) frei
gelegt wird.
8. Verfahren nach Anspruch 6 oder 7, bei dem der belich
tete Bereich (49) derart gebildet ist, daß er in
Kontakt mit dem zweiten Isolatorfilm (37) ist.
9. Verfahren gemäß nach der Ansprüche 6 bis 8, bei dem die
Umwandlungsschicht (51) durch Dotieren von organischem
Material, das Silizium (Si) oder Zinn (Sn) umfaßt, ge
bildet ist.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 9, bei dem der
belichtete und entwickelte photoempfindliche Film (39)
als Maske verwendet wird, derart, daß die erste Lei
tungsschicht (35) beim Bilden des Kontaktlochs (41)
nicht freigelegt wird.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019960028408A KR0184158B1 (ko) | 1996-07-13 | 1996-07-13 | 반도체장치의 자기 정합정 금속 배선 형성 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19723062A1 DE19723062A1 (de) | 1998-01-22 |
DE19723062C2 true DE19723062C2 (de) | 2003-04-30 |
Family
ID=19466286
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19723062A Expired - Fee Related DE19723062C2 (de) | 1996-07-13 | 1997-06-02 | Verfahren zum Bilden einer selbst ausgerichteten Metallverdrahtung für ein Halbleiterbauelement |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6171967B1 (de) |
JP (1) | JP2964230B2 (de) |
KR (1) | KR0184158B1 (de) |
DE (1) | DE19723062C2 (de) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6066569A (en) * | 1997-09-30 | 2000-05-23 | Siemens Aktiengesellschaft | Dual damascene process for metal layers and organic intermetal layers |
KR100480573B1 (ko) * | 1997-11-17 | 2005-09-30 | 삼성전자주식회사 | 반도체메모리소자의비트라인형성방법 |
DE19829152A1 (de) * | 1998-05-05 | 1999-11-18 | United Microelectronics Corp | Doppeltes Damaszierverfahren |
GB2340302B (en) * | 1998-07-29 | 2000-07-26 | United Microelectronics Corp | Method of manufacture using dual damascene process |
FR2791472B1 (fr) * | 1999-03-26 | 2002-07-05 | Commissariat Energie Atomique | Procede de creation de lignes de connexion et de points de contact sous-jacents dans un substrat dielectrique |
EP1212794A2 (de) | 1999-08-25 | 2002-06-12 | Infineon Technologies AG | Verfahren zur herstellung einer integrierten schaltung mit mindestens einer metallisierungsebene |
KR100598308B1 (ko) * | 1999-12-23 | 2006-07-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 다마신 패턴 형성방법 |
DE10021865C2 (de) * | 2000-05-05 | 2002-08-01 | Infineon Technologies Ag | Elektronisches Bauteil mit einem Halbleiterchip und elektronisches Bauteil mit einer Teststruktur auf einem Halbleiterchip sowie Verfahren zu deren Herstellung |
JP3822101B2 (ja) * | 2001-12-26 | 2006-09-13 | 株式会社ルネサステクノロジ | 感放射線組成物及びパタン形成方法及び半導体装置の製造方法 |
US6461887B1 (en) * | 2002-01-03 | 2002-10-08 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Method to form an inverted staircase STI structure by etch-deposition-etch and selective epitaxial growth |
KR100462764B1 (ko) * | 2002-07-02 | 2004-12-20 | 동부전자 주식회사 | 이종 감광막을 이용한 듀얼 다마신 방법 |
US6864152B1 (en) * | 2003-05-20 | 2005-03-08 | Lsi Logic Corporation | Fabrication of trenches with multiple depths on the same substrate |
KR100571409B1 (ko) | 2003-12-31 | 2006-04-14 | 동부아남반도체 주식회사 | 반도체 소자의 배선 형성 방법 |
US7304354B2 (en) * | 2004-02-17 | 2007-12-04 | Silicon Space Technology Corp. | Buried guard ring and radiation hardened isolation structures and fabrication methods |
US8278719B2 (en) * | 2005-10-14 | 2012-10-02 | Silicon Space Technology Corp. | Radiation hardened isolation structures and fabrication methods |
US20080142899A1 (en) * | 2006-08-04 | 2008-06-19 | Silicon Space Technology Corporation | Radiation immunity of integrated circuits using backside die contact and electrically conductive layers |
TWI316381B (en) * | 2007-01-24 | 2009-10-21 | Phoenix Prec Technology Corp | Circuit board and fabrication method thereof |
US10038058B2 (en) | 2016-05-07 | 2018-07-31 | Silicon Space Technology Corporation | FinFET device structure and method for forming same |
CN107678247B (zh) * | 2017-08-25 | 2020-05-29 | 长安大学 | 一种硅基集成曝光量测量器件 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5354711A (en) * | 1990-06-26 | 1994-10-11 | Commissariat A L'energie Atomique | Process for etching and depositing integrated circuit interconnections and contacts |
JPH08107143A (ja) * | 1994-10-03 | 1996-04-23 | Toshiba Corp | 多層配線層の形成方法 |
US5514625A (en) * | 1994-03-16 | 1996-05-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of forming a wiring layer |
US5534462A (en) * | 1995-02-24 | 1996-07-09 | Motorola, Inc. | Method for forming a plug and semiconductor device having the same |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4758305A (en) * | 1986-03-11 | 1988-07-19 | Texas Instruments Incorporated | Contact etch method |
US4985374A (en) * | 1989-06-30 | 1991-01-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Making a semiconductor device with ammonia treatment of photoresist |
JP2778996B2 (ja) * | 1989-06-30 | 1998-07-23 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
JP2831847B2 (ja) * | 1990-11-29 | 1998-12-02 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
KR960000375B1 (ko) * | 1991-01-22 | 1996-01-05 | 가부시끼가이샤 도시바 | 반도체장치의 제조방법 |
KR970002427B1 (en) * | 1994-01-14 | 1997-03-05 | Lg Semicon Co Ltd | Fine patterning method of photoresist film |
JP3529849B2 (ja) * | 1994-05-23 | 2004-05-24 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
1996
- 1996-07-13 KR KR1019960028408A patent/KR0184158B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1997
- 1997-06-02 DE DE19723062A patent/DE19723062C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1997-07-11 JP JP9186702A patent/JP2964230B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1997-07-11 US US08/893,582 patent/US6171967B1/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5354711A (en) * | 1990-06-26 | 1994-10-11 | Commissariat A L'energie Atomique | Process for etching and depositing integrated circuit interconnections and contacts |
US5514625A (en) * | 1994-03-16 | 1996-05-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of forming a wiring layer |
JPH08107143A (ja) * | 1994-10-03 | 1996-04-23 | Toshiba Corp | 多層配線層の形成方法 |
US5534462A (en) * | 1995-02-24 | 1996-07-09 | Motorola, Inc. | Method for forming a plug and semiconductor device having the same |
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
KAANTA, C.W. (u.a.): Dual Damascene: A ULSI Wiring Technology. In: IEEE VMIC, 1991,S. 144-152 * |
UENO, K. (u.a.): In: IEDM 1992, Technical Digest, S. 305-308 * |
WIDMANN, D. (u.a.): Technologie hochintegrierter Schaltungen, 2. Aufl., Springer, 1996, S.117-123 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR980011853A (ko) | 1998-04-30 |
JPH1064996A (ja) | 1998-03-06 |
US6171967B1 (en) | 2001-01-09 |
KR0184158B1 (ko) | 1999-04-15 |
DE19723062A1 (de) | 1998-01-22 |
JP2964230B2 (ja) | 1999-10-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE19723062C2 (de) | Verfahren zum Bilden einer selbst ausgerichteten Metallverdrahtung für ein Halbleiterbauelement | |
DE69531244T2 (de) | Vereinfachter doppel-damaszenen prozess für die herstellung einer mehrlagen-metallisierung und einer verbindungsstruktur | |
DE102005052000B3 (de) | Halbleiterbauelement mit einer Kontaktstruktur auf der Grundlage von Kupfer und Wolfram | |
DE69625975T2 (de) | Halbleiteranordnung mit in selbstjustierter Weise gebildeter Leiternut und Kontaktloch und deren Herstellungsverfahren | |
DE69220995T2 (de) | Metallisierung eines integrierten Schaltkreises mit Nullkontaktanforderung des Gehäuses und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE102008059650B4 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Mikrostruktur mit einer Metallisierungsstruktur mit selbstjustierten Luftspalten zwischen dichtliegenden Metallleitungen | |
EP0609496B1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Kontakte und diese verbindende Leiterbahnen umfassenden Metallisierungsebene | |
DE102005020060B4 (de) | Verfahren zum Strukturieren eines Dielektrikums mit kleinem ε unter Anwendung einer Hartmaske | |
DE68923305T2 (de) | Elektrische Leitungen für elektronische Bauelemente. | |
DE102011002769B4 (de) | Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung einer Hybridkontaktstruktur mit Kontakten mit kleinem Aspektverhältnis in einem Halbleiterbauelement | |
DE102005046975A1 (de) | Technik zur Herstellung einer kupferbasierten Metallisierungsschicht mit einer leitenden Deckschicht | |
DE102009006798B4 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Metallisierungssystems eines Halbleiterbauelements unter Anwendung einer Hartmaske zum Definieren der Größe der Kontaktdurchführung | |
DE102004042169B4 (de) | Technik zur Erhöhung des Füllvermögens in einem elektrochemischen Abscheideprozess durch Verrundung der Kanten und Gräben | |
DE19834917A1 (de) | Verfahren zum Bilden von selbstausrichtenden Durchgängen in integrierten Schaltungen mit mehreren Metallebenen | |
DE68920291T2 (de) | Verfahren zum Herstellen von leitenden Bahnen und Stützen. | |
DE19626039C2 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Metalleitung | |
DE102007057682A1 (de) | Hybridkontaktstruktur mit Kontakt mit kleinem Aspektverhältnis in einem Halbleiterbauelement | |
DE69228099T2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Sacklöchern und hergestellte Struktur | |
DE69221430T2 (de) | Verfahren zur Bildung eines Metalleiters für ein Halbleiterbauelement | |
DE4139462C2 (de) | Verfahren zur Verbindung von Schichten in einer Halbleitervorrichtung | |
DE19614164A1 (de) | Verfahren zum Bilden einer Mehrschichtverbindung | |
DE102007009912B4 (de) | Verfahren zur Herstellung einer kupferbasierten Metallisierungsschicht mit einer leitenden Deckschicht durch ein fortschrittliches Integrationsschema | |
DE69829716T2 (de) | Verfahren zum Ausbilden eingebetteter Kupferzwischenverbindungen und eingebettete Kupferzwischenverbindungsstruktur | |
DE19531602C2 (de) | Verbindungsstruktur einer Halbleitereinrichtung und ihr Herstellungsverfahren | |
DE102008026211B4 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit Metallleitungen mit einer selektiv gebildeten dielektrischen Deckschicht |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8304 | Grant after examination procedure | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |
Effective date: 20140101 |