DE19522370A1 - Verfahren zur Herstellung von Stapelkondensatoren von Halbleitervorrichtungen - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von Stapelkondensatoren von HalbleitervorrichtungenInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren für
die Herstellung eines Stapelkondensators einer Halbleitervor
richtung, und besonders auf ein Verfahren für die Herstellung
eines Stapelkondensators für die Verwendung für eine hochinte
grierte Halbleitervorrichtung unter Benutzung einfacher Prozeß
schritte.
Im allgemeinen führt eine hohe Integration von dynamischen
Speichern mit wahlfreiem Zugriff (DRAM) die eine Art von Halb
leiterspeichervorrichtungen sind, unvermeidbar zu einer Verrin
gerung in der Fläche einer Zelle, und dadurch zu einer Begren
zung in der Erlangung einer ausreichenden Kapazität. Um die
Probleme zu lösen, die durch eine derartige Verringerung in der
Einheitsfläche einer Zelle verursacht werden, welche unvermeid
bar ist, um eine hohe Integration der Integrierten Halbleiter
schaltkreise zu erhalten, sind Anstrengungen unternommen worden,
um ausgeklügelte Prozeßtechniken zu entwickeln, und um die
Zuverlässigkeit der Vorrichtungen und eine ausreichende Kapa
zität einer Zelle abzusichern.
Als Teil derartiger Anstrengungen ist ein Verfahren vorge
schlagen worden zur Vergrößerung der wirksamen Fläche eines
Kondensators und ein Verfahren zur Benutzung eines hoch-dielek
trischen, dünnen Films. Die Entwicklung von hoch-dielektrischen,
dünnen Filmen hat noch nicht Reifegrad erreicht, um die hoch
dielektrischen, dünnen Filme in Halbleitervorrichtungen anzu
wenden. In dieser Hinsicht wurde Forschung zum Erhalt einer
Kapazität von gewünschtem Wert oder größer bei einer kleinen
Fläche aktiv betrieben.
Z.B. wurden dreidimensionale Strukturen des Kondensators, wie
etwa eine Stabstruktur, eine Zylinderstruktur und eine Stapel
struktur vorgeschlagen. Jedoch verlangen solche dreidimensiona
len Kondensatorstrukturen die Benutzung von komplexeren Prozeß
schritten zum Erhalt einer vergrößerten Kapazität. Darüber
hinaus führt diese Struktur zu einer Vergrößerung der Höhe eines
Kondensators, woraus sich ein Problem mit der Topologie eines
nachfolgenden Schrittes zur Bildung einer metallischen Verdrah
tung ergibt.
Deshalb ist es ein Ziel der Erfindung, ein Verfahren zur
Herstellung eines Stapelkondensators vorzusehen, das in der Lage
ist, die Herstellung zu vereinfachen, während es die Kapazität
des Kondensators vergrößert, und die Oberfläche des Kondensators
maximiert, ohne die Höhe des Kondensators zu vergrößern.
Übereinstimmend mit einem Aspekt, sieht die vorliegende
Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines Stapelkondensators
einer Halbleitervorrichtung vor, enthaltend die Schritte: Bil
dung eines ersten Oxidfilms für eine Einebnung über dem Sub
strat, Aufbringung eines ersten Nitridfilms über dem ersten
Oxidfilm, und dann Bildung eines Kondensatorkontaktlochs in der
sich daraus ergebenden Struktur, die nach Aufbringung des ersten
Nitridfilms erhalten wurde; Aufbringung eines gedopten, ersten
Polysiliziumfilms über der ganzen freiliegenden Oberfläche der
sich ergebenden Struktur, die nach Bildung des Kontaktlochs
erhalten wurde, so daß der Polysiliziumfilm das Kontaktloch
füllt, und dann nach einander Aufbringung eines zweiten Nitrid
films und eines zweiten Oxidfilms über dem ersten Polysilizium
film; nach einander Ätzen des zweiten Oxidfilms, des zweiten
Nitridfilms und des ersten Polysiliziumfilms durch einen litho
graphischen Prozeß unter Benutzung einer Speicherelektroden
maske, dadurch Bildung eines Musters, das von den nach dem Ätzen
übrig gelassenen Filmen gebildet wird; dickes Aufwachsen eines
selektiven, dritten Oxidfilms über dem zweiten Oxidfilm; Auf
bringung eines gedopten, zweiten Polysiliziumfilms über der
ganzen freiliegenden Oberfläche der sich ergebenden Struktur,
die nach dem Aufwachsen des dritten Oxidfilms erhalten wurde;
Ätzen des zweiten Polysiliziumfilms unter Benutzung einer
Deckentrockenätzung, dadurch Bilden von Mustern des zweiten
Polysiliziumfilms auf den Seitenwänden der Muster des ersten
Polysiliziumfilms bzw. zweiten Nitridfilms; Entfernen des drit
ten Oxidfilms und des zweiten Oxidfilms; Entfernen des zweiten
Nitridfilms und des ersten Nitridfilms; und Bilden eines dielek
trischen Films über einer Speicherelektrode, die durch die
Muster des ersten Polysiliziumfilms und den Mustern des zweiten
Polysiliziumfilms gebildet wird, und dann Bildung einer Platten
elektrode über dem dielektrischen Film.
Übereinstimmend mit einem anderen Aspekt, sieht die vorlie
gende Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines Stapelkon
densators einer Halbleitervorrichtung vor, enthaltend die
Schritte: Bildung eines ersten Oxidfilms für eine Einebnung über
dem Substrat, und dann Bildung eines Kondensatorkontaktlochs in
der sich daraus ergebenden Struktur, die nach Aufbringung des
ersten Oxidfilms erhalten wurde; Aufbringung eines gedopten,
ersten Polysiliziumfilms über der ganzen freiliegenden Ober
fläche der sich ergebenden Struktur, die nach Bildung des
Kontaktlochs erhalten wurde, so daß der Polysiliziumfilm das
Kontaktloch füllt, und dann Aufbringung eines zweiten Oxidfilms
über dem ersten Polysiliziumfilm; nach einander Ätzen des zwei
ten Oxidfilms und des ersten Polysiliziumfilms durch einen
lithographischen Prozeß unter Benutzung einer Speicherelektro
denmaske, dadurch Bildung eines Musters, das von den nach dem
Ätzen übrig gelassenen Filmen gebildet wird; Bilden eines Photo
resistfilmes über einem Teil des ersten, nach dem Ätzen frei
liegenden Oxidfilms, so daß der Photoresistfilm sich hinauf bis
zu einer gewählten Höhe des zweiten Oxidfilms erstreckt; dickes
Aufwachsen eines selektiven, dritten Oxidfilms über dem Teil des
zweiten Oxidfilms, der nach der Bildung des Photoresistfilms
freiliegt, und dann Entfernen des Photoresistfilms; Aufbringung
eines gedopten, zweiten Polysiliziumfilms über der ganzen frei
liegenden Oberfläche der sich ergebenden Struktur, die nach dem
Entfernen des Photoresistfilms erhalten würde, und dann Ätzen
des zweiten Polysiliziumfilms unter Benutzung einer trockenen
Ätzung, dadurch Bildung von Mustern des zweiten Polysilizium
films auf den Seitenwänden der Muster des ersten Polysilizium
films bzw. zweiten Oxidfilms; Entfernen des dritten Oxidfilms
und des zweiten Oxidfilms und gleichzeitig Bildung von Unter
schneidungen unter die Muster des ersten und zweiten Poly
siliziumfilms; und Bilden eines dielektrischen Films über einer
Speicherelektrode, die durch die Muster des ersten Polysilizium
films und den Mustern des zweiten Polysiliziumfilms gebildet
wird, und dann Bildung einer Plattenelektrode über dem dielek
trischen Film.
Andere Ziele und Aspekte der Erfindung werden aus der folgen
den Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen unter Bezug
auf die begleitenden Zeichnungen offensichtlich werden, in
denen:
Fig. 1 bis 7 Querschnittsdarstellungen sind, die die abfol
genden Schritte eines Verfahrens zur Herstellung eines Stapel
kondensators einer Halbleitervorrichtung nach einer ersten Aus
führungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulichen; und
Fig. 8 bis 15 Querschnittsdarstellungen sind, die die abfol
genden Schritte eines Verfahrens zur Herstellung eines Stapel
kondensators einer Halbleitervorrichtung nach einer zweiten
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulichen.
Fig. 1 bis 7 sind Querschnittsdarstellungen, die die abfol
genden Schritte eines Verfahrens zur Herstellung eines auf ein
DRAM angewendeten Stapelkondensators einer Halbleitervorrichtung
nach einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung
veranschaulichen. Zur Erleichterung der Darstellung wird die
DRAM-Struktur so gezeigt, daß sie nicht einen Metalloxid
siliziumfeldeffekttransistor (MOSFET) einschließt, mit dem der
Kondensator verbunden ist. Tatsächlich wird der MOSFET auf dem
Substrat gebildet, das sich unter dem Kondensator erstreckt.
Nach diesem Verfahren wird ein erster Oxidfilm 1 zur Eineb
nung über einer Struktur gebildet, die nach Bildung eines Feld
oxidfilms und des MOSFET über dem Substrat in konventioneller
Weise erhalten wird, wie in Fig. 1 gezeigt. Über dem ersten
Oxidfilm 1, wird dann ein erster Nitridfilm 2 aufgebracht.
Danach wird der erste Nitridfilm 2 und der erste Oxidfilm 1 an
den Stellen geätzt, die mit der Region übereinstimmen, wo eine
Speicherelektrode des zu bildenden Kondensators in Kontakt mit
dem Substrat sein wird. Durch den Ätzschritt wird ein Kontakt
loch gebildet. Über der gesamten, freigelegten Oberfläche der
sich ergebenden Struktur wird ein gedopter, erster Polysilizium
film 4 aufgebracht. Anschließend wird ein zweiter Nitridfilm 5
und ein zweiter Oxidfilm 6 in dieser Reihenfolge über dem ersten
Polysiliziumfilm 4 aufgebracht. Durch einen lithographischen
Prozeß unter Benutzung einer Kondensatorspeicherelektrodenmaske
wird der zweite Oxidfilm 6, der zweite Nitridfilm 5 und der
erste Polysiliziumfilm 4 nacheinander geätzt, um ein gewünschtes
Muster zu bilden. Der erste Nitridfilm 2 wird angepaßt, um ein
selektives Wachsen eines dritten Oxidfilms in einem nachfol
genden Schritt sicherzustellen. D.h., der erste Nitridfilm 2
dient dazu, zu verhindern, daß der dritte Oxidfilm über den
ersten Oxidfilm wächst. Der erste Oxidfilm 1 enthält einen Bor-
Phosphor-Silikatglasfilm (BPSG).
Danach wird ein selektiver Oxidfilm über dem zweiten Oxidfilm
6 aufgebracht, und bildet damit den dritten Oxidfilm, der mit
dem Bezugszeichen 7 bezeichnet ist, wie in Fig. 2 gezeigt. Der
dritte Oxidfilm 7 wird außerordentlich stark aufgetragen, so daß
er sich nach unten über die Seitenflächen des zweiten Oxidfilms
6 hinaus erstreckt, und dabei einen Teil von jeder Seitenfläche
des zweiten Nitridfilms 5 bedeckt. Der dritte Oxidfilm 7 ist aus
O₃-Tetraäthylorthosilikat (TEOS), Phosphorsilikatglas (PSG) oder
TEOS.
Über die gesamte freiliegende Oberfläche der sich ergebenden
Struktur einschließlich des dritten Oxidfilms 7 wird dann ein
gedopter, zweiter Polysiliziumfilm 8 bis zur gewünschten Dicke
aufgebracht, wie in Fig. 3 gezeigt. Der zweite Polysiliziumfilm
8 zeigt eine gute Stufenüberdeckung, so daß er in einer gleich
förmigen Dicke selbst über eine Region aufgebracht wird, die
unter einem überhängenden Teil des dritten Oxidfilms 7 definiert
ist.
Danach wird der zweite Polysiliziumfilm 8 einer Decken
trockenätzung ausgesetzt, und dabei werden die Muster 8′ des
zweiten Polysiliziumfilms 8 an entgegengesetzten Teilen der
durch den ersten Polysiliziumfilm 4 und den zweiten Nitridfilm 5
dargestellten Struktur gebildet, wie in Fig. 4 gezeigt. Eines
der Muster 8′ hat eine um 90° nach rechts gekippte U-Form,
während das andere Muster eine um 90 Grad nach links gekippte
U-Form hat.
Die sich ergebende Struktur wird dann einer isotropen oder
anisotropen Ätzung ausgesetzt, um den dritten Oxidfilm 7 und den
zweiten Oxidfilm 6 zu entfernen, wie in Fig. 5 gezeigt.
Anschließend wird die sich ergebende Struktur einer isotropen
Ätzung ausgesetzt, um den zweiten Nitridfilm 5 und den ersten
Nitridfilm 2 zu entfernen, wie in Fig. 6 gezeigt. Im Ergebnis
wird eine Speicherelektrode 20 erhalten, die aus dem ersten
Polysiliziumfilm 4 und den Mustern 8′ des zweiten Polysilizium
films an entgegengesetzten Enden des ersten Polysiliziumfilms 4
gebildet werden.
Ein dielektrischer Film 9 des Kondensators wird dann über der
Speicherelektrode 20 gebildet, wie in Fig. 7 gezeigt. Schließ
lich wird ein gedopter Polysiliziumfilm über der sich ergebenden
Struktur aufgebracht, und bildet damit eine Plattenelektrode 10
des Kondensators.
Fig. 8 bis 15 sind Querschnittsdarstellungen, die die abfol
genden Schritte eines Verfahrens zur Herstellung eines auf ein
DRAM angewendeten Stapelkondensators einer Halbleitervorrichtung
nach einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung
veranschaulichen. Zur Erleichterung der Darstellung wird die
DRAM-Struktur so gezeigt, daß sie nicht einen Metalloxid
siliziumfeldeffekttransistor (MOSFET) einschließt, mit dem der
Kondensator verbunden ist. Tatsächlich wird der MOSFET auf dem
Substrat gebildet, das sich unter dem Kondensator erstreckt.
Nach diesem Verfahren wird ein erster Oxidfilm 11 zur Eineb
nung über einer Struktur gebildet, die nach Bildung eines Feld
oxidfilms und des MOSFET über dem Substrat in konventioneller
Weise erhalten wird, wie in Fig. 8 gezeigt. Dann wird der erste
Oxidfilm 11 an den Stellen geätzt, die mit der Region überein
stimmen, wo eine Speicherelektrode des zu bildenden Kondensators
in Kontakt mit dem Substrat sein wird. Durch den Ätzschritt wird
ein Kontaktloch gebildet. Über der gesamten, freigelegten Ober
fläche der sich ergebenden Struktur wird ein gedopter, erster
Polysiliziumfilm 13 aufgebracht. Anschließend wird ein zweiter
Oxidfilm 14 über dem ersten Polysiliziumfilm 13 aufgebracht.
Durch einen lithographischen Prozeß unter Benutzung einer Kon
densatorspeicherelektrodenmaske wird der zweite Oxidfilm 14 und
der erste Polysiliziumfilm 13 nacheinander geätzt, um ein
gewünschtes Muster zu bilden. Ein Photoresistfilm 15 wird dann
über der gesamten, freiliegenden Oberfläche der sich ergebenden
Struktur aufgezogen.
Der erste Oxidfilm 11 enthält einen BPSG-Film.
Danach wird der Photoresistfilm 15 bis zu einer gewünschten
Tiefe unter Benutzung von O₂-Plasma deckengeätzt, so daß er bis
zur Hälfte der Höhe des zweiten Oxidfilms 14 erhalten bleibt,
wie in Fig. 9 gezeigt.
Ein Oxidfilm wird dann selektiv über einem freiliegenden Teil
des zweiten Oxidfilms 14 aufgebracht, und bildet dadurch einen
dritten Oxidfilm 16, wie in Fig. 10 gezeigt. Der dritte Oxidfilm
16 besteht aus O₃-TEOS, PSG oder TEOS.
Anschließend wird der verbliebene Photoresistfilm unter
Benutzung einer feuchten Ätzung vollständig entfernt, wie in
Fig. 11 gezeigt.
Über der gesamten, frei liegenden Oberfläche der sich ergeben
den Struktur, einschließlich des dritten Oxidfilms 16, wird ein
gedopter, zweiter Polysiliziumfilm 17 bis zu einer gewünschten
Dicke aufgebracht, wie in Fig. 12 gezeigt. Wegen der guten
Stufenabdeckung von Polysiliziumfilm wird der zweite Poly
siliziumfilm in gleichförmiger Dicke selbst über einer Region
aufgebracht, die unter einem überhängenden Teil des dritten
Oxidfilms 16 definiert ist.
Danach wird der zweite Polysiliziumfilm 17 einer Decken
trockenätzung ausgesetzt, und dabei werden die Muster 17′ des
zweiten Polysiliziumfilms 17 an entgegengesetzten Teilen der
durch den ersten Polysiliziumfilm 13 und den zweiten Oxidfilm 14
dargestellten Struktur gebildet, wie in Fig. 13 gezeigt. Eines
der Muster 17′ hat eine um 90° nach rechts gekippte U-Form,
während das andere Muster eine um 90° Grad nach links gekippte
U-Form hat. Durch eine derartige Form der Muster 17′ wird die
wirksame Fläche des Kondensators maximiert.
Die sich ergebende Struktur wird dann unter Benutzung eines
gepufferten Oxid-Ätzmittels oder einer HF-Lösung einer isotropen
Ätzung ausgesetzt, und dabei wird der dritte Oxidfilm 16 und der
zweite Oxidfilm 14 entfernt, wie in Fig. 14 gezeigt. Gleichzei
tig wird der erste Oxidfilm 11, der unter dem zweiten Poly
siliziumfilmmustern 17′ und dem ersten Polysiliziumfilm 13 auf
gebracht ist, bis zu einer benötigten Tiefe geätzt, und dabei
werden Unterschneidungen gebildet. Im Ergebnis wird eine Spei
cherelektrode 22 erhalten, die aus dem ersten Polysiliziumfilm
13 und den Mustern 17′ des zweiten Polysiliziumfilms an entge
gengesetzten Enden des ersten Polysiliziumfilms 13 gebildet
werden. Durch die Unterschneidungen hat die Speicherelektrode 22
eine vergrößerte, wirksame Oberfläche, im Vergleich zu konven
tionellen Speicherelektroden.
Ein dielektrischer Film 18 des Kondensators wird dann über
der Speicherelektrode 22 gebildet, wie in Fig. 15 gezeigt.
Schließlich wird ein gedopter Polysiliziumfilm über der sich
ergebenden Struktur aufgebracht, und bildet damit eine Platten
elektrode 19 des Kondensators.
Wie erkennbar aus der obigen Beschreibung, erreicht die vor
liegende Erfindung eine Vergrößerung in der wirksamen Oberfläche
der Speicherelektrode, wobei ein relativ einfaches Herstellungs
verfahren benutzt wird, das Prozeßschritte einbezieht mit Auf
bringen selektiver Oxidfilme über einer frei liegenden Oberfläche
des Oxidfilms, der unter Benutzung von Speicherelektrodenmasken
mit Mustern versehen ist, und dabei eine überhängende Struktur
bildet, mit Aufbringen eines Polysiliziumfilms, der eine gute
Stufenabdeckung über die sich ergebende Struktur einschließlich
der überhängenden Struktur aufweist, mit Bildung von Mustern des
Polysiliziumfilms unter Benutzung einer Deckenätzung, wobei die
Muster Seitenwände einer Speicherelektrode eines zu bildenden
Kondensators darstellen, um so die wirksame Fläche des Konden
sators zu vergrößern.
Obgleich die bevorzugten Ausführungsformen der Erfindung zu
veranschaulichenden Zwecken offengelegt worden sind, werden die
in der Technik Geübten erkennen, daß verschiedene Modifika
tionen, Ergänzungen und Ersetzungen möglich sind, ohne vom
Umfang und Geist der Erfindung abzuweichen, wie in den beige
fügten Ansprüchen offengelegt.
Claims (6)
1. Verfahren zur Herstellung eines Stapelkondensators einer
Halbleitervorrichtung, die Schritte enthaltend:
Bildung eines ersten Oxidfilms zur Einebnung über einem Sub strat, Aufbringung eines ersten Nitridfilms über dem ersten Oxidfilm, und dann Bildung eines Kondensatorkontaktlochs in der sich ergebenden Struktur, die nach Aufbringung des ersten Nitridfilms erhalten wird;
Aufbringung eines gedopten, ersten Polysiliziumfilms über der gesamten, freiliegenden Oberfläche der sich ergebenden Struktur, die nach Bildung des Kontaktlochs erhalten wird, derart, daß der Polysiliziumfilm das Kontaktloch füllt, und dann nach einander Aufbringung eines zweiten Nitridfilms und eines zweiten Oxid films über dem ersten Polysiliziumfilm;
nach einander Ätzung des zweiten Oxidfilms, des zweiten Nitridfilms und des ersten Polysiliziumfilms durch einen photo lithographischen Prozeß unter Benutzung einer Speicherelektro denmaske, und dabei Bildung eines Musters, das durch die nach dem Atzen verbleibenden Filme dargestellt wird;
dickes Aufwachsen eines selektiven, dritten Oxidfilms über dem zweiten Oxidfilm;
Aufbringung eines gedopten, zweiten Polysiliziumfilms über der gesamten, frei liegenden Oberfläche der sich ergebenden Struktur, die nach dem Aufwachsen des dritten Oxidfilms erhalten wird;
Ätzen des zweiten Polysiliziumfilms unter Benutzung einer Deckentrockenätzung und dabei Bildung von Mustern des zweiten Polysiliziumfilms an Seitenwänden der Muster des ersten Poly siliziumfilms bzw. des zweiten Nitridfilms;
Entfernen des dritten Oxidfilms und des zweiten Oxidfilms; Entfernen des zweiten Nitridfilms und des ersten Nitridfilms; und
Bildung eines dielektrischen Films über einer Speicherelek trode, die durch die Muster des ersten Polysiliziumfilms und der Muster des zweiten Polysiliziumfilms gebildet werden, und dann Bildung einer Plattenelektrode über dem dielektrischen Film.
Bildung eines ersten Oxidfilms zur Einebnung über einem Sub strat, Aufbringung eines ersten Nitridfilms über dem ersten Oxidfilm, und dann Bildung eines Kondensatorkontaktlochs in der sich ergebenden Struktur, die nach Aufbringung des ersten Nitridfilms erhalten wird;
Aufbringung eines gedopten, ersten Polysiliziumfilms über der gesamten, freiliegenden Oberfläche der sich ergebenden Struktur, die nach Bildung des Kontaktlochs erhalten wird, derart, daß der Polysiliziumfilm das Kontaktloch füllt, und dann nach einander Aufbringung eines zweiten Nitridfilms und eines zweiten Oxid films über dem ersten Polysiliziumfilm;
nach einander Ätzung des zweiten Oxidfilms, des zweiten Nitridfilms und des ersten Polysiliziumfilms durch einen photo lithographischen Prozeß unter Benutzung einer Speicherelektro denmaske, und dabei Bildung eines Musters, das durch die nach dem Atzen verbleibenden Filme dargestellt wird;
dickes Aufwachsen eines selektiven, dritten Oxidfilms über dem zweiten Oxidfilm;
Aufbringung eines gedopten, zweiten Polysiliziumfilms über der gesamten, frei liegenden Oberfläche der sich ergebenden Struktur, die nach dem Aufwachsen des dritten Oxidfilms erhalten wird;
Ätzen des zweiten Polysiliziumfilms unter Benutzung einer Deckentrockenätzung und dabei Bildung von Mustern des zweiten Polysiliziumfilms an Seitenwänden der Muster des ersten Poly siliziumfilms bzw. des zweiten Nitridfilms;
Entfernen des dritten Oxidfilms und des zweiten Oxidfilms; Entfernen des zweiten Nitridfilms und des ersten Nitridfilms; und
Bildung eines dielektrischen Films über einer Speicherelek trode, die durch die Muster des ersten Polysiliziumfilms und der Muster des zweiten Polysiliziumfilms gebildet werden, und dann Bildung einer Plattenelektrode über dem dielektrischen Film.
2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der dritte Oxidfilm aus
einem O₃-Tetraäthylorthosilikatfilm, einem Phosphorsilikatglas
film oder einem Tetraäthylorthosilikatfilm besteht.
3. Verfahren zur Herstellung eines Stapelkondensators einer
Halbleitervorrichtung, die Schritte enthaltend:
Bildung eines ersten Oxidfilms zur Einebnung über einem Sub strat, und dann Bildung eines Kondensatorkontaktlochs in der sich ergebenden Struktur, die nach Aufbringung des ersten Oxid films erhalten wird;
Aufbringung eines gedopten, ersten Polysiliziumfilms über der gesamten, freiliegenden Oberfläche der sich ergebenden Struktur, die nach Bildung des Kontaktlochs erhalten wird, derart, daß der Polysiliziumfilm das Kontaktloch füllt, und dann Aufbringung eines zweiten Oxidfilms über dem ersten Polysiliziumfilm;
nach einander Ätzung des zweiten Oxidfilms und des ersten Polysiliziumfilms durch einen photolithographischen Prozeß unter Benutzung einer Speicherelektrodenmaske, und dabei Bildung eines Musters, das durch die nach dem Ätzen verbleibenden Filme dargestellt wird;
Bildung eines Photoresistfilms über einem Teil des ersten, nach dem Ätzen freiliegenden Oxidfilms, derart, daß der Photo resistfilm sich bis zu einer gewählten Höhe des zweiten Oxid films erstreckt;
dickes Aufwachsen eines selektiven, dritten Oxidfilms über einem Teil des zweiten Oxidfilms, der nach der Bildung des Photoresistfilm freiliegt, und dann Entfernen des verbleibenden Photoresistfilms;
Aufbringung eines gedopten, zweiten Polysiliziumfilms über der gesamten, freiliegenden Oberfläche der sich ergebenden Struktur, die nach dem Entfernen des Photoresistfilms erhalten wird, und dann Ätzen des zweiten Polysiliziumfilms unter Benut zung einer Trockenätzung und dabei Bildung von Mustern des zwei ten Polysiliziumfilms an Seitenwänden der Muster des ersten Polysiliziumfilms bzw. des zweiten Oxidfilms;
Entfernen des dritten Oxidfilms und des zweiten Oxidfilms und gleichzeitig Bildung von Unterschneidungen unter den Mustern des ersten und zweiten Polysiliziumfilms; und
Bildung eines dielektrischen Films über einer Speicherelek trode, die durch die Muster des ersten Polysiliziumfilms und der Muster des zweiten Polysiliziumfilms gebildet wird, und dann Bildung einer Plattenelektrode über dem dielektrischen Film.
Bildung eines ersten Oxidfilms zur Einebnung über einem Sub strat, und dann Bildung eines Kondensatorkontaktlochs in der sich ergebenden Struktur, die nach Aufbringung des ersten Oxid films erhalten wird;
Aufbringung eines gedopten, ersten Polysiliziumfilms über der gesamten, freiliegenden Oberfläche der sich ergebenden Struktur, die nach Bildung des Kontaktlochs erhalten wird, derart, daß der Polysiliziumfilm das Kontaktloch füllt, und dann Aufbringung eines zweiten Oxidfilms über dem ersten Polysiliziumfilm;
nach einander Ätzung des zweiten Oxidfilms und des ersten Polysiliziumfilms durch einen photolithographischen Prozeß unter Benutzung einer Speicherelektrodenmaske, und dabei Bildung eines Musters, das durch die nach dem Ätzen verbleibenden Filme dargestellt wird;
Bildung eines Photoresistfilms über einem Teil des ersten, nach dem Ätzen freiliegenden Oxidfilms, derart, daß der Photo resistfilm sich bis zu einer gewählten Höhe des zweiten Oxid films erstreckt;
dickes Aufwachsen eines selektiven, dritten Oxidfilms über einem Teil des zweiten Oxidfilms, der nach der Bildung des Photoresistfilm freiliegt, und dann Entfernen des verbleibenden Photoresistfilms;
Aufbringung eines gedopten, zweiten Polysiliziumfilms über der gesamten, freiliegenden Oberfläche der sich ergebenden Struktur, die nach dem Entfernen des Photoresistfilms erhalten wird, und dann Ätzen des zweiten Polysiliziumfilms unter Benut zung einer Trockenätzung und dabei Bildung von Mustern des zwei ten Polysiliziumfilms an Seitenwänden der Muster des ersten Polysiliziumfilms bzw. des zweiten Oxidfilms;
Entfernen des dritten Oxidfilms und des zweiten Oxidfilms und gleichzeitig Bildung von Unterschneidungen unter den Mustern des ersten und zweiten Polysiliziumfilms; und
Bildung eines dielektrischen Films über einer Speicherelek trode, die durch die Muster des ersten Polysiliziumfilms und der Muster des zweiten Polysiliziumfilms gebildet wird, und dann Bildung einer Plattenelektrode über dem dielektrischen Film.
4. Verfahren nach Anspruch 3, wobei der dritte Oxidfilm aus
einem O₃-Tetraäthylorthosilikatfilm, einem Phosphorsilikatglas
film oder einem Tetraäthylorthosilikatfilm besteht.
5. Verfahren nach Anspruch 3, wobei der Schritt zur Bildung
des Photoresistfilms die Schritte enthält:
Aufbringung eines Photoresistfilms über der gesamten, frei liegenden Oberfläche der sich ergebenden Struktur, die nach Ätzen des zweiten Oxidfilms und des ersten Polysiliziumfilms erhalten wird; und
Deckenätzung des Photoresistfilms bis zu einer gewählten Tiefe derart, daß der Photoresistfilm bis zur gewählten Höhe des zweiten Oxidfilms belassen wird.
Aufbringung eines Photoresistfilms über der gesamten, frei liegenden Oberfläche der sich ergebenden Struktur, die nach Ätzen des zweiten Oxidfilms und des ersten Polysiliziumfilms erhalten wird; und
Deckenätzung des Photoresistfilms bis zu einer gewählten Tiefe derart, daß der Photoresistfilm bis zur gewählten Höhe des zweiten Oxidfilms belassen wird.
6. Verfahren nach Anspruch 3, wobei der Schritt des Entfer
nens des dritten Oxidfilms und des zweiten Oxidfilms und der
gleichzeitigen Bildung der Unterschneidungen unter Benutzung
eines gepufferten Oxid-Ätzmittels oder einer HF-Lösung durch
geführt wird.
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