DE1943029C - Vorrichtung zum kontinuierlichen Abscheiden eines Dotierungsmittels auf der Oberfläche von Halbleiterplättchen - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum kontinuierlichen Abscheiden eines ein Dotierungsmittel enthaltenden Materials auf der Oberfläche von Halbleiterplättchen, mit einer rohrförmigen Kammer, die mindestens eine Zuleitung und eine Auslaßöffnung für Gase aufweist, die das Dotierungsmittel enthalten, und die an ihren Enden eine Ein- bzw. eine Austrittsöffnung für die Halbleiterplättchen aufweist.

Es ist schon eine derartige Vorrichtung bekanntgeworden (französische Patentschrift 1511289), bei der Zu- und Ableitungen für die Gase in Abständen voneinander angeordnet sind und quer zur Kammer verlaufen. Des weiteren werden die Halbleiterplättchen durch die Kammer mit Hilfe von Trägern hindurchgeschickt, die Behälterform haben und an einem Ende eine Scheibe besitzen, deren Form dem Kammerquerschnitt entspricht, so daß durch diese Scheiben die Kammer in Sektionen unterteilt wird. Diese bekannte Vorrichtung ermöglicht zwar ein kontinuierliches Arbeiten, jedoch ist ein gleichmäßiges Dotieren der Halbleiterplättchen nicht gewährleistet, da wegen der quer zur Kammerlängsrichtung laufenden Zu- und Ableitungen für die Gase sowie der Bchältcrform für die Halbleilerplüttchen die das Dotierungsmittel enthaltenden Gase nicht in einem gleichmüßigen Strom an den Halbleiterplättchen vorbcislreiclicn. Negativ wirkt sich hier auch aus, daß sich clic von den Trägern für die Halbleiterplättchen gebildeten Kammcrabschnittc gegenüber den Einlaß-UM(J Anslaßölfnungcn für die Gase ständig bewegen. Schließlich muß bezweifelt werden, ob es mit der bekiinnlen Vorrichtung möglich ist, präzise Dolicrungs- «vilcii zu erreichen, nachdem tier Ciasaustausch 'wischen den ein/einen Kammerahsclinitlcn, von nur dem Abkühlen und dem Anwärmen der Halbleiterplättchen dienen sollen, mit Sicherheit verhältnismäßig hoch ist; denn die an den Trägern für die Halbleiterscheiben angeordneten und die Kammerabschnitte bildenden Scheiben können nicht S genau dem Kammerquerschnitt angepaßt werden, da sie sich sonst angesichts der Temperaturunterschiede in der Kammer verkeilen würden.

Der Erfindung lag daher die Aufgabe zugrunde, eine kontinuierlich arbeitende Vorrichtung zu schaffen, die eine gleichmäßige Dotierung von Halbleiter plättchen und gleiche Dotierungszeiten gewährleistet. Ausgehend von einer Vorrichtung der eingangs erwähnten Art wird diese Aufgabe gemäß der Erfindung dadurch gelöst, daß die Zuleitungen für die

Gase lediglich an den Kammerenden vorgesehen sind

-..j joo ait cm- viw. /Misiriiisuunuiigcn iur uie Halbleiterplättchen die Auslaßöffnungen für die Gase bilden. Dadurch, daß bei der erfindungsgemäßen Vorrichtung die das Dotierungsmittel enthaltenden

ίο Gase die ganze Kammer entlang strömen müssen, streichen diese Gase in einem gleichmäßigen Strom an den zu dotierenden Halbleiterplättchen vorbei. Da ferner die Kammer von den Trägern für die Halbleiterplättchen nic.it unterteilt werden muß, lassen

as sich diese wesentlich leichter durch die Kammer transportieren, da geringere Reibungswiderstände zu überwinden sind Ein weiterer Unterschied gegenüber der bekannten Vorrichtung, daß nämlich für das abströmende Gas keine besonderen Leitungen vorgesehen sind, sondern daß das Gas durch die Ein- bzw. Austrittsöffnungen für die Halbleiterplättchen entweicht und dort abgesaugt wird, führt zu dem weiteren Vorteil, daß im Reaktionsraum der Kammer stets ein gewisser Überdruck herrscht, der das Eindringen von verschmutzter, atmosphärischer Luft durch die Ein- bzw. Austrittsöffnungen für die Halbleiterplättchen verhindert.

Versuche haben gezeigt, daß eine optimale Dotierung dadurch erzielt werden kann, daß die öffnungen in Form von sich von den gegenüberliegenden Enden der Kammer aus nach außen erstreckenden Toren ausgebildet sind; besonders vorteilhafte Ergebnisse werden mit Toren erreicht, die etwa 10 cm lang sind.

Für die Aufrechterhaltung des erwähnten Uberdrucks innerhalb der Kammer ist es schließlich vorteilhaft, wenn die öffnungen der Tore so groß wie die Träger samt den Halbleiterplättchen sind, d. h., wenn die öffnungen gerade so groß sind, daß die mit Halbleiterplättchen bestückten Träger die Kammer gerade noch verlassen bzw. in diese eingeschoben werden können.

An Hand der Zeichnung werden besonders vorteilhafte Ausführungslormen der erfindungsgemäßen Vorrichtung erläutert; es zeigt

Fig. 1 ein erstes Ausführungsbeispiel, wobei zur Verdeutlichung der Darstellung ein Teil eines die Kammer erwärmenden Ofens entfernt wurde,

Fi g. 2 einen typischen Träger für zwei Halbleiterplättchen, wie er in Verbindung mit der in Fig. I gezeigten Vorrichtung verwendet wird,

F i g. 3 eine andere Ausfiihrungsforni eines Niederschlngsrohrs für die eriindungsgemäße Vorrichtung und

Fig. 4 eine dritte Ausfiihrungsform eines solchen Niixlcrschlcigsrohrs.

Die erfindungsgemäße Vorrichtung ist mit einen) Niederschlagsrohr versehen, das eine Kummer aulweist, die im Querschnitt halbkreisförmig ausgebildet

ist und einen ebenen Boden hat. An gegenüberliegenden Enden besitzt die bevorzugte Ausführungsform des Niederschlagsrohrs Zuleitungen für Gase und ferner Eintritts- und Austrittstore, deren öffnungen gerade groß genug sind, um die mit Halbleiterplättchen bestückten Träger durchzulassen, während die vom Niederschlagsrohr gebildete Kammer im übrigen geschlossen ist. Die Kammer ist zum Teil von einem Ofen umgeben, wodurch die Temperatur der durch die Kammer geführten Halbleiterplättchen auf die gewünschte Ablagerungstemperatur erhöht werden kann.

Bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel sind zwei Gaszuleitungen an dem Kammerende vorgesehen; an dem die Halbleiterplättchen in das Nieder- schlaÄsrohr eintreten, und durch diese Zuleituneen werden ein 1 ragergas wie Stickstoff, forner Sauerstoff und ein Gas, das ein Dotierungsmittel enthält, eingeleitet; am anderen Kammerende sind ebenfalls zwei Gaszuleitungen vorgesehen, durch dL- aber zweckmäüigerweise nur ein Trägergas eingeführt wird. Die Trager für die Halbleiterplättchen werden nacheinander am Eintrittsende des Niederschlagsrohrs eingeführt, wobei jeder Träger vorzugsweise zwei waagerecht angeordnete Halbleiterplättchen enthält. "

Im Niederschlagsrohr wird eine gleichmäßige Schicht einer Verbindung, die das Dotierungsmittel enthält, auf der Oberfläche eines jeden Halbleiterplattchens abgelagert, worauf die Träger mit den Halbleiterplättchen das Niederschlagsrohr am Austrittstor verlassen. Eine Fördereinrichtung bringt die aus dem Niederschlagsrohr hinausgeschobenen Trägt· r zum Beschickungsende des Niederschlagsrohrs zurück, wo die Halbleiterplättchen entnommen und die leeren Träger wieder beschickt werden. Es gibt Vorrichtungen, mit deren Hilfe die Halbleiterplättchen automatisch auf die Träger aufgesetzt und von diesen abgenommen werden können, so daß die erfindungsgemäße Vorrichtung, sieht man vom Hineinschieben und Herausnehmen der Träger einmal ab, automatisch arbeitet. Dasselbe System wird benutzt, um die DotierungsstofTe in die Halbleiterplättchen hiiieindifTundieren zu lassen, wobei jedoch du hier der Strömungsverlauf nicht so kritisch ist, ein wesentlich einfacher ausgebildetes halbkreisförmiges Rohr benutzt werden kann, um die Anlagekosten zu senken.

Ob'vohl man sich mit einer Gaszuleitung am einen Ende des Niederschlagsrohrs auskommen könnte, werden doch, wie bereits erwähnt, Gaszuleitungen an beiden Enden bevorzugt. Des weiteren ist es zweckmäßig, wenn wenigstens eine der Gaszuleitungen die Form eines Doppeleinlasses mit zwei Einlaßöffnungen hat. Es empfiehlt sich des weiteren, die zugefiihrten Gase vorzuwärmen, weshalb es zweckmüßig ist, wenn wenigstens eine der Gaszuleiüingeii sich etwa K) cm ins Innere der Kammer hincinerstreckt. In diesem Fall empfiehlt es sich jedoch, zum Zweck der Vereinfachung beide Einlaßöffnungen des Doppeleinlasses an eine gemeinsame Zufuhrleitung anzuschließen.

In F i g. 1 ist vine erfindungsgemäßc Vorrichtung 10 dargestellt, die eine bevorzugte Ausführungsform eines Niederschlagsrohrcs 12 enthält. Das Rohr 12 hat eine Niedcrschlugskammer 13, die die Form eines Rohres mit Halbkreisquerschnitt hat und einen im wesentlichen ebenen Boden aufweist, im Gegensat/ /u einem vollständigen Rohr, wobei jedoch der Grad der Ebenheit nicht besonders wichtig ist. Durch den Halbkreisquerschnitt werden die Gase dazu gebracht, nur über die Oberfläche der Plättchen zu strömen, während bei Verwendung eines vollen Kreisquerschnitts die Gase auch unter den Plättchen vorbeiströmen können, wodurch der Strömungsverlauf der Gase in der Kammer 13 schwieriger zu regulieren ist. Obgleich auch andere Materialien für das Rohr 12 verwendbar sind, wird Quarz, da es relativ inert ist, vorgezogen.

Um einen gleichmäßigen Strömungsverlauf durch die Kammer 13 zu erreichen, erstrecken sich doppelte Gaseinlässe 14 durch das Einlaßende 15 in die Kammer 13, während sich weitere doppelte Gaseinlässe 16 durch das Auslaßende 17 in die Kammer 13 erstrecken. Versuche haben gezeigt, daß mit doppelten Einlassen eine bessere uieicnmamgKcu cuciuiuai -·^

als mit einem einzigen Einlaß an beiden Enden, und ebenso erreicht man bessere Hrgebnisse mit Einlassen an beiden Enden der Kammer als mit einem Einlaß an nur einem Ende. Außerdem haben die Ergebnisse gezeigt, daß die doppelten Gaseinlässe 14 und 16 e'wa 4 cm in die Kammer 13 hineinreichen sollten, damit die eintretenden Gase, ehe sie über die Plättchen strömen, geeignet erwärmt werden, wodurch die Gleichmäßigkeit verbessert wird.

Am Einlaßende 15 der Kammer 13 ist ein Eintrittstor 18 angebracht, während am Austrittsende 17 der Kammer 13 ein Austrittstor 19 angebracht ist. Um eine optimale Dotierung zu erreichen, sollte die Länge der Tore etwa 10 cm betragen, wobei Versuchsergebnisse gezeigt haben, daß kürzere Tore zu einer geringeren Dotierung der Plättchen führen. Beide Tore 18 und 19 sind unter den Gaseinlässen 14 und 16 angeordnet, und zwar so, daß der Boden jedes Tores mit dem Boden der Kammer Ii bündig ist, so daß man einen glatten Übergang der Behälter zwischen den Toren 18 und 19 und der Kammer 13 erzielt. Die Innenmaße der beiden Tore sind so gewählt, daß die mit den Plättchen gefüllten Behälter 20 gerade hindurchgehen, wobei genügend Raum für den Durchtritt der Gase durch die Tore verbleibt. Über dem Eintritts- und dem Austrittsende des Rohres 12 sind Entlüftungen 21 angeordnet, um die durch die Tore 18 und 19 aus der Kammer 13 austretenden Gase zu sammeln und abzuführen. Das Rohr 12 ist auPer an den Enden 15 und 17 der Kammer 13 durch die Isolierung 4 und durch Heizwicklungen 3 umschlossen, die an eine nicht gezeigte Stromquelle angeschlossen sind. Ein Förderband 22, das nicht näher im Detail dargestellt ist, wird benutzt, um die aus dem Ausgangstor 19 des Rohres 12 austretenden Behälter zum Eingangstor 18 zurückzuführen, nachdem die Plättchen aus ihnen entnommen worden sind, worauf die Behälter wieder verwendet werden.

In Betrieb der Vorrichtung K) wird die Kammer 13 durch die Heizsvicklungen 3 auf eine gewünschte vorgegebene Temperatur erwärmt, um die Oberfläche sämtlicher Plättchen 8 auf eine gewünschte Niederschlagstcmperatur zu erhitzen, während sie durch die Kammer geführt werden. Um einen Niederschlug mit P-Lcitfähigkeit zu erhalten, werden Sauerstoff, ein Trägergas, wie Stickstoff, und ein Dotierungsgas, wie Bortribromid (HHr₁), das man aus einem flüssigen Vorrat erhält, diuvii die doppelten Einlasse 14 eingefühlt, wobei Hör das Dotierungsniittel ist. Obwohl dasselbe Gasgemisch auch durch die doppelten Einlasse 16 eingeführt werden kann, ist die nicht i-rl'or-

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derlich, weshalb durch die Einlasse 16 normalerweise Das Beladen und Entladen der Träger erfolg' nur das Trägergas eingeführt wird, und zwar haupt- außerhalb des Rohres 12. Hierdurch wird eine Ver sächlich zur Erzeugung gleichmäßigen Strömungs- unreinigung des Rohres herabgesetzt, da kein andere: Verlaufes der Gase in der Kammer 13. Die Gase Material als Quarz der chemisch und thermiscl: treten aus der Kammer 13 durch die Tore 18 und 19 5 aggressiven Umgebung in der Kammer 13 längere aus. Das Rohr 12 kann mit Gasentlüftungsöffnungen Zeit widerstehen und einen hohen Reinheitsgrad (nicht gezeigt) versehen sein, die an die Einlaß- und aufrechterhalten kann. Anstatt die Träger 20 durch Auslaßtore angeschlossen sind, um die Gase abzufüh- das Rohr 12 hindurchzuschieben, könnte in Erwären. Es wurde jedoch festgestellt, daß derartige Ent- gung gezogen werden, eine Art Förderband zu verlüftungsöffnungen nicht notwendig sind, da die Tore 10 wenden, es wurde jedoch festgestellt, daß kein Mate-18 und 19 genügend Raum für den Austritt der Gase rial auf die Dauer die extremen Umgebungsbedingunbieten. gen in dem Rohr 12 aushalten kann. Die Iceren

Es wurde ferner festgestellt, daß bei der Herstel- Träger werden am Beschickungsende der Vorrichlung eines Niederschlags der P-Leitfähigkeit auf SiIi- tung automatisch beladen. Der Antrieb der Trüger ciumplättchen mit einer Gruppe von Gasströmen 15 erfolgt durch einen nicht gezeigten Motor, der mit gleichmäßige Niederschläge in einem Temperatur- einem nicht gezeigten Antriebsmechanismus verbunbereich von etwa 800 bis etwa 1200⁰C erreichbar den ist, welcher auf den Träger einwirkt, der vor dem sind. Eine typische Gasströmung besteht z. B. aus Eintrittstor 18 angeordnet ist. Jeder Träger drückt 3,5 I Stickstoff/Min, durch den Einlaß 16, ferner 3,5 1 den vorhergehenden vor sich her und durch das Rohr Stickstoff/Min., 20 ecm Sauerstoff/Min, und 6 ecm 10 12 hindurch, wobei die Antriebskraft von dem AnStickstoff/Min, durch den Einlaß 14, wobei die letzt- triebsmechanismus auf den letzten Träger in dem genannte Stickstoffmenge durch flüssiges Bortribro- Behälterzug ausgeübt wird,
mid geführt wird. Während die Plättchen 8 durch die Kammer 13

Zur Herstellung eines Niederschlags der N-Leit- hindurchgeführt werden, steigt ihre Oberflächentcm-

fähigkeit auf Siliciumplättchen werden nicht dieselben 25 peratur so weit an, daß der Dotierstoff, z. B. Bor, bei

Strömungsmengen für sämtliche Niederschlagstcmpe- P-Leitfähigkeit, wenn Bortrirhlorid als Dotierungs-

raturen verwendet. Im Bereich zwischen etwa 775 mittel verwendet wird, oder Phosphor bei N-Leil-

und etwa 900° C eignen sich Strömungsmengen von fähigkeit, wenn Phosphoroxychlorid als Dotierungs-

2,75 1 Stickstoff/Min, durch den Einlaß 16, ferner mittel verwendet wird, mit dem Sauerstoff und dem

2,75 I Stickstoff/Min., 80 ecm Sauerstoff/Min, und 30 Silicium reagiert und sich auf der heißen Oberfläche

120 ecm Stickstoff/Min, durch den Einlaß 14, wobei der Plättchen als glasartige Bor-Silicat-Verbindung

der letztgenannte Stickstoff durch flüssiges Phosphor- niederschlägt, wenn Bor verwendet wird, und als glas-

oxychlorid (POCL₃) hindurchgeführt wird. Zwischen artige Phosphor-Silicat-Verbindung, wenn Phosphor

etwa 900 und etwa 1200⁰C eignen sich Strömungs- und wenn Siliciumplättchen verwendet werden. Die

mengen von 3,25 1 Stickstoff/Min, durch den Einlaß 35 Geschwindigkeit, mit der die Plättchen durch das

16, ferner 3,25 1 Stickstoff/Min., 180 ecm Sauerstoff/ Rohr geführt werden, ferner die Strömungsgeschwin-

Min. durch den Einlaß 14, wobei die.letztgenannte digkeit und die Konzentration der Gase bestimmen

Stickstoffmenge durch flüssiges Phosphoroxychlorid die Niederschlagsgeschwindigkeit der Dotierungs-

hindurchgeleitet wird. schicht auf der Oberfläche der Plättchen. Diese Para-

Zu Beginn der Ablagerung wird ein leerer Träger 40 meter werden vor Beginn des Niederschlagszyklus 20 am Beschickungsende der Vorrichtung vor dem bestimmt und abhängig von dem gewünschten Flä-Eintrittstor 18 abgestellt. Der Behälter, der in Fig. 2 chenwiderstand des Plättchens geändert, und zwar dargestellt ist, kann ein flacher Trog sein, der auf nach dem nachfolgenden Diffusions-Oxydations-Verseiner Oberfläche Platz für zwei Plättchen hat, die fahrensschritt. Die mit Plättchen beladenen Träger Seite an Seite angeordnet werden. Zwei Plättchen 8 45 verlassen das Rohr 12 durch das Austrittstor 19 und werden waagerecht auf'den Träger gelegt und durch werden durch das Förderband 22 zum Entladungs-Stifte 23 gehalten, die etwas über der Oberfläche des ende der Vorrichtung 10 transportiert, wo die Platt-Trägers vorstehen. Der Träger 20 kann beispielsweise chen automatisch aus den Behältern herausgenomaus Quarz bestehen. Es wird jedoch als Trägermate- men werden. Die leeren Behälter werden dann zum rial Graphit vorgezogen, der mit Siliciumcarbid über- 50 Beschickungsende vor dem Eintrittstor 18 zurückzogen ist, da zwischen Siliciumcarbid und Quarz der transportiert und mit neuen Halbleiterplättchen be-Reibrngskoeffeient kleiner ist als zwischen Quarz laden, worauf der Zyklus wiederholt wird,
und Quarz. Die Wahl des Materials für den Träger In Fig. 1 ist eine bevorzugte Ausführungsform ist insofern von Bedeutung, als, wenn das Quarzrohr des Rohres 12 dargestellt, durch welche eine maximit Trägern gefüllt ist, wie es während des Verfah- 55 male Gleichmäßigkeit und Flexibilität erreichbar ist. rens der Fall ist, die Reibungskräfte groß werden Es kann jedoch auch ein weriger genau ausgeführtes, können. Diese Reibungskräfte bestimmen die Be- in Fig. 3 dargestelltes Rohr33 verwendet werden, triebszeit, bis eine Reinigung des Rohres 12 notwendig Das Rohr 33, das auch für die Diffusion und Oxydaist, die teuer und langwierig ist und die deshalb mög- tion verwendbar ist, hat dieselbe Kammer 13 mit liehst auf ein Minimum herabgedrückt werden soll. 60 Halbkreisquerschnitt wie das Rohr 12. Am einen Aus diesem Grund wird für den Träger ein anderes Ende der Kammer 13 ist ein Eintrittstor 18 und am Material als Quarz vorgezogen. anderen E;id«r ein Anstrittstor 19 vorgesehen. Wenn

Die Temperatur der Kammer 13 ist so gewählt, keine große Notwendigkeit für einen Gasrückdruck in

daß die Mitte des ebenen Bodens sich etwas durch- der Kammer 13 besteht, wie z. B. dann, wenn hohe

senkt, so daß n"r die Ränder des Bodens der Träger 65 Fläche;iwiderstänrie erwünscht sind, können die Tore

20 auf dem Boden des Rohres aufliegen und laufen, 18 und 19 weggelassen oder kürzer ausgeführt wer-

wodurch die Reibung zwischen der Kammer 13 und den. Einzelne Gasünlässe 24 öffnen sich a.i beiden

den Trägern 20 reduziert wird. Enden in die Kammer 13. erstrecken sich ierinrh

nicht in diese hinein, so daß das eintretende Gas nicht erwärmt wird, ehe es in die Kammer selbst eintritt. Die einzelnen Gaseinlässe 24 ergeben keinen so gleichmäßigen Strömungsvcrlauf in der Kammer 13 wie die doppelten Einlasse, die in F i g. 1 gezeigt sind, sie können jedoch besonders bei der Diffusion und der Oxydation verwendet werden, wenn der Strömungsverlauf der Gase in der Kammer nicht zu kritisch ist.

In Fig. 4 ist eine weitere Ausführungsform eines Niederschlagsrohres 25 dargestellt. Die Kammer 13 hat dieselbe Form mit Halbkreisquerschnitt wie bei den Rohren 12 und 33. Das Rohr 25 hat Eintrittsund Austrittstore 26, die nicht aus der Kammer 13 vorstehen. Statt dessen haben die geschlossenen

Enden der Kammer 13 ÖITnungen26, die ausreichen, um die Behälter in die Kammer 13 einzuführen und herauszunehmen. An gegenüberliegenden Enden der Kammer 13 sind doppelte Gaseinlässe 14 und 16 vorgesehen, die sich in die Kammer 13 erstrecken und genügend lang sind, um die eintretenden Gase vorzuwärmen. Da infolge des Fehlens von langgestreckten Auslaß- und Einlaßtoren kein Rückdruck vorhanden ist wie bei den obigen Ausführungsformen, lassen

ίο sich mit dem Rohr 25 keine so hohen Dotierungen erreichen, insbesondere bei niedrigen Temperaturen, wie z. B. unterhalb von 900° C.

Die Niederschlagskammer kann mit jeder Kombination von Gaseinlässen und Toren verwendel werden.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

209635/269

Claims (4)

Patentansprüche:

1. Vorrichtung zum kt ntinuierlichen Abscheiden eines ein Dotierungsmittel enthaltenden Materials auf der Oberfläche von Halbleiterplättchen. mit einer rohrförmigen Kammer, die mindestens eine Zuleitung und eine Auslaßöffnung für Gase aufweist, die das Dotierungsmittel enthalten, und die an ihren Enden eine Ein- bzw. eine Austrittsöffnung für die Halbleiterplättchen aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß die Zuleitungen für die Gase (14, 16) lediglich an den Kammerenden vorgesehen sind, und daß die Einbzw. Austrittsöffnungen (18, 19) für die Halblei- ternlätfrhen fW A\r> An<:laRilflFr.„»._o— «:- j:«. *5„~ bilden.

2. Vorricn.ung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Öffnungen (18, Ϊ9) in Form von sich von den gegenüberliegenden Enden der Kammer (13) aus nach außen erstreckenden Toren (Fig. 1 und 3) ausgebildet sind.

3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Tore etwa 10 cm lang sind.

4. Vorrichtung nach Anspruch 2 oder 3, mit Trägern für die Halbleiterplättchen, dadurch gekennzeichnet, daß die öffnungen der Tore so groß wie die Träger (20) samt den Halbleiterplättchen sind.