DE1922618U - Vorrichtung zum kuehlen von transistoren. - Google Patents

Vorrichtung zum kuehlen von transistoren.

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DE1922618U
DE1922618U DED31433U DED0031433U DE1922618U DE 1922618 U DE1922618 U DE 1922618U DE D31433 U DED31433 U DE D31433U DE D0031433 U DED0031433 U DE D0031433U DE 1922618 U DE1922618 U DE 1922618U
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Description

Firma Daut & Co. KG,,. Nürnberg, Franzstraße 9 "Vorrichtung zum Kühlen von Transistoren"
Das Kühlen von Transistoren bereitet bekanntlich vielfach Schwierigkeiten, weshalb sie bevorzugt mit wärmeableitenden Massen in Berührung gebracht werden. Dieser Maßnahme stellen sich aber oft nicht nur die konstruktiven Gegebenheiten in den Weg, sondern auch die im allgemeinen vergleichsweise geringe Oberfläche dieser Massen.
Innerhalb dieses allgemeinen Problems ist die Erfindung bestrebt, mit einfachstem Aufwand und möglichst geringem Raumbedarf einen Wärmeleiter zu schaffen, der eine größtmögliche Oberfläche aufweist und diese Oberfläche besonders wirkungsvoll der kühlenden Luft aussetzt.
Diese Aufgabe wird gemäßder Erfindung durch einen band- oder drahtförmigen Wärmeleiter von gegenüber dem Transistorumfang vergleichsweise großer Länge gelöst, der zu einer dem Transistorumfang federnd anliegenden Fassung und
von dieser unmittelbar strahlenförmig ausgehenden, der Kühlluft ausgesetzten Schleifen verformt ist. Durch die Ausbildung der Fassung wird ein besonders guter Wärmeübergang vom !Transistor auf die einzelnen Schleifen des Wärmeleiters bewirkt. Andererseits steht genügend Abstrahlfläche zur Verfügung, und die Luft kann durch den Wärmeleiter ungehindert hindurchströmen. Für den Wärmeleiter kommt vor allem Metall als Werkstoff infrage und hierbei wiederum die Metalle mit der günstigsten Wärmeleitfähigkeit. Als besonders zweckmäßig hat sich Kupfer erwiesen, doch kann dieser Werkstoff aus Gründen der guten Strahlungseigensehaften noch versilbert oder in anderer Weise oberflächenbehandelt werden.
Während bei Verwendung eines bandförmigen Wärmeleiters der Kühlluftstrom möglichst gerichtet, nämlich quer zur Ebene der Bandschleifen, verlaufen soll, wird ein drahtförmiger Wärmeleiter allseitig von Luft durchströmt, ohne daß es dabei auf die Einhaltung einer besonders günstigen Strömungsrichtung ankommt*
Besteht gemäß der Erfindung der Wärmeleiter aus einem Band von einer etwa mindestens der Höhe des Ü?ransistorkörpers entsprechenden Breite und sind die einzelnen Schleifen in der Radialebene, d.h. in einer Ebene senkrecht zur Achse der Fassung für den fransistor, ausgebildet, so läßt sich eine besonders gedrungene Bauart erzielen, die weitgehend den örtlichen Gegebenheiten angepaßt werden kann.
Eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung zeichnet sich dadurch aus, daß die aus dem Band geformten Schleifen ein Rechteck bilden, dessen eine Seitenlänge etwa dem Durchmesser des Transistorkörpers entspricht. An die Stelle des Rechtecks kann auch ein Vieleck treten, wenn dies die Einbauverhältnisse erfordern.
Eine andere Alternative besteht darin, daß das Band mäanderförmig gebogen ist und die Grundflächen der einen Mäanderseite die Fassung für den Transistorkörper bilden, während die Grundflächen der anderen Mäanderseite mindestens einem Federring od.dgl. anliegen. Es ist dabei gleichgültig, ob die Mäanderform&eitengleich ist. Auch hierbei sind zahlreiche Variationen möglich, um eine weitgehende Anpassung an die jeweiligen Gegebenheiten zu schaffen.
Das mäanderförmige Band wird um den Transistorkörper gewickelt und gegebenenfalls durch mindestens einen Federring od.dgl. unter federnder Vorspannung gegenüber dem Transistorumfang gehalten.
Es liegt weiter im Rahmen der Erfindung, daß der Wärmeleiter aus einem schmalen Band bzw. einem Draht besteht und die einzelnen Schleifen etwa senkrecht auf der Radialebene stehen. Die Ebene der einzelnen Schleife liegt dann in einer die Achse enthaltenden oder in einer Tangentialebene hierzu.
Sind die beiden Enden des Wärmeleiters miteinander verbunden, so weisen die Schleifen eine Vorspannung gegenüber dem Transistorumfang auf» Auf diese Weise wird eine satte Anlage der einzelnen Wärmeleiterflächen gegenüber dem Sansistorumfang und damit ein besonders guter Wärmeübergang gewährleistet.
Weitere Merkmale, Einzelheiten und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der folgenden Beschreibung einiger bevorzugter Ausführungsformen der Erfindung sowie anhand der Zeichnung. Hierbei zeigen:
Fig. 1 einen bandförmigen Wärmeleiter in perspektivischer Darstellung;
Fig. 2 eine weitere Ausführungsform eines bandförmigen Wärmeleiters in perspektivischer Darstellung und
Fig. 3 in axialer Ansicht etwa nach Pfeil III in Fig. 2;
Fig. 4 eine Ausführungsform mit drahtförmigem Wärmeleiter in axialer Ansicht und
Fig. 5 einen Schnitt nach Linie V-V in Fig. 4.
Der Transistorkörper 1 mit seinen Anschlußleitern 2 weist einen zylindrischen Umfang J auf, dem der Wärmeleiter anliegt.
Die Fig. 1 zeigt in Verbindung mit dem Transistor 1 einen Wärmeleiter aus einem Metallband 4·, dessen Breite etwa der Höhe des Transistorkörpers 3 entspricht. Das Band 4
ist zu einer ringförmigen Fassung 5 für den Transistor 1 gebogen, sodaß sich ein unmittelbarer Wärmeübergang vom Transistor 1 zum Band 4 ergibt. Dieses weist beiderseits der Fassung 5 je zwei ineinander liegende Schleifen, und zwar eine äußereföchleife 6 und eine innere Schleife 7 auf, die aus dem gleichen Band geformt sind. Gegebenenfalls können auch zwei Bandabschnitte verwendet werden, von denen der eine die beiden äußeren Schleifen 6 und der andere die beiden inneren Schleifen 7 bildet. Der Wärmeleiter nach Fig. 1 weist, in axialer Richtung des Transistors 1 gesehen, einen rechteckigen Querschnitt auf,dessen eine Seitenlänge etwa dem Durchmesser des Transistors 1 entspricht.
Die Ausführungform nach den Figuren 2 und 3 besteht aus einem mäanderförmig gebogenen breiteren Band 8, welches zu einer Zylinderform gebogen ist, deren innerer Hohlraum 9 den Transistor 1 aufnimmt. Dabei bilden die innen liegenden Mäander-Grundflächen 10 die Fassung für den Transistor 1. Die außen liegenden Grundflächen des mäanderförmig gestalteten Bandes 8 werden von zwei Federringen 12 umfaßt, die der Fassung eine gewisse Vorspannung gegenüber dem Transistorumfang 3 verleihen. Die aus dem Band 8 gebildeten Schleifen 13 liegen wie bei der Ausführungsform nach Fig. 1 in der Radialebene der Fassung 9·
Dagegen sind die aus einem drahtförmigen Wärmeleiter 14-gebildeten Schleifen 15 bei der Aüsführungsform nach
den Figuren 4 und 5 etwa senkrecht zur Radialebene angeordnet. Die parallelen inneren Stege 16 der einzelnen Schleifen 15 bilden die Fassung 17 für den Transistor 1. Sind die beiden Enden des Drahtes 8 miteinander verbunden, so ergibt sich für die !Passung eine konzentrische Vorspannung gegenüber dem Transistorumfang 3 und ein dementsprechend guter Wärmeübergang zwischen beiden.

Claims (6)

HA. 3(H .16-8*12.6.65 Pat ent ansprüche
1. Vorrichtung zum Kühlen von Transistoren, gekennzeichnet durch einen band- oder drahtförmigen Wärmeleiter von gegenüber dem Transistorumfang (3) vergleichsweiser grosser Länge, der zu einer dem Transistorumfang federnd anliegenden Fassung (5, 9) und von dieser unmittelbar strahlenförmig ausgehenden, der Kühlluft ausgesetzten Schleifen (6, 7j 13» 15) verformt ist.
2. Torrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Wärmeleiter aus einem B^nd (4) von einer etwa mindestens der Höhe des Transiatorkörpers entsprechenden Breite besteht und die einzelnen Schleifen (6, 7) in der Radialebene, d.h. in einer Ebene senkrecht zur Achse der Fassung (5) für den Transistor (1) ausgebildet sind.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die aus dem Band (4) geformten Schleifen (6, 7) ein Rechteck bilden, dessen eine Seitenlänge etwa dem Durchmesser des Transistorkörpers (1) entspricht.
-8-
4. "Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Band (8) mäanderförmig gebogen ist und die Grundflächen (1o) der einen Mäanderseite die Fassung (9) für
den Transistorkörper (i) bilden, während die Grundflachen
(11) der anderen Mäanderseite mindestens einem lederring
(12) od. dgl. anliegen.
5. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Wärmeleiter aus einem schmalen Band bzw. einem Draht (H) besteht und die einzelnen Schleifen (15) etwa senkrecht auf der Radialebene stehen.
6. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Enden des Wärmeleiters (H) miteinander verbunden sind und die Schleifen eine Vorspannung gegenüber dem Transistorumfang (3) aufweisen.
DED31433U 1965-06-12 1965-06-12 Vorrichtung zum kuehlen von transistoren. Expired DE1922618U (de)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19531628A1 (de) * 1995-08-28 1997-03-06 Siemens Ag Kühlkörper
DE19640381A1 (de) * 1996-09-30 1998-06-10 Siemens Ag Kühlkörper für elektronische Bauelemente und Verfahren zu dessen Montage

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19531628A1 (de) * 1995-08-28 1997-03-06 Siemens Ag Kühlkörper
DE19531628C2 (de) * 1995-08-28 1999-08-12 Siemens Ag Kühlkörper
DE19640381A1 (de) * 1996-09-30 1998-06-10 Siemens Ag Kühlkörper für elektronische Bauelemente und Verfahren zu dessen Montage
DE19640381C2 (de) * 1996-09-30 1999-08-26 Siemens Ag Kühlkörper für elektronische Bauelemente mit einem Lüfter und Verfahren zur Montage des Kühlkörpers

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