DE1646988A1 - Keramischer Koerper aus ferroelektrischem Material mit Perowskitstruktur,der teilweise p- und teilweise n-leitend ist - Google Patents
Keramischer Koerper aus ferroelektrischem Material mit Perowskitstruktur,der teilweise p- und teilweise n-leitend istInfo
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- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 28
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 14
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 39
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 19
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 15
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 3
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 3
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 claims description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 21
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 229910015802 BaSr Inorganic materials 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 5
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L barium carbonate Chemical compound [Ba+2].[O-]C([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 238000010183 spectrum analysis Methods 0.000 description 3
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910008487 TiSn Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N oxoantimony Chemical compound [Sb]=O VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004347 surface barrier Methods 0.000 description 2
- 235000004480 Bombax malabaricum Nutrition 0.000 description 1
- 244000293889 Bombax malabaricum Species 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- FYCUXQHNRAIMLN-UHFFFAOYSA-N [Pb].[Ca].[Sr].[Ba] Chemical compound [Pb].[Ca].[Sr].[Ba] FYCUXQHNRAIMLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229910052845 zircon Inorganic materials 0.000 description 1
- GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N zirconium(iv) silicate Chemical compound [Zr+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/04—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having negative temperature coefficient
- H01C7/042—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having negative temperature coefficient mainly consisting of inorganic non-metallic substances
- H01C7/043—Oxides or oxidic compounds
- H01C7/045—Perovskites, e.g. titanates
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
- C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
- C04B35/465—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates
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- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/02—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient
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- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/02—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient
- H01C7/022—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient mainly consisting of non-metallic substances
- H01C7/023—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient mainly consisting of non-metallic substances containing oxides or oxidic compounds, e.g. ferrites
- H01C7/025—Perovskites, e.g. titanates
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- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
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- H01C7/042—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having negative temperature coefficient mainly consisting of inorganic non-metallic substances
- H01C7/043—Oxides or oxidic compounds
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1272—Semiconductive ceramic capacitors
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Description
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT München 2, 21. MRZ 196 Berlin und München Wittelsbacherplatz
PA 65/2167 Bck/Zi P 16 -46 988.8
Keramischer Körper aus ferroelektrischem Material mit Perowskitstruktur, der teilweise p- und teilweise
η-leitend ist
Erfindung bezieht sich auf einen scheiben-, stab-, rohr- oder folienförmigen polykristallinen keramischen
Körper. Der Körper besteht aus dotiertem ferroelektrischen Material mit Perowskitstruktur der allgemeinen
Formel Me Me 0, mit Antimon, Niob oder Lanthan als
II Dotierungssubstanz für die η-Leitung, wobei als Me
wenigstens eines der Metalle Barium-Strontium-Kalzium-Blei und als Me wenigstens eines der Metalle Titan,
IV Zirkon und Zinn vorhanden sind und der Anteil der Me Metalle bis etwa 2 Mo1$ größer ist als der Anteil der
Me -Metalle. Die Größe der Kristallite in einem solchen Körper hat in ihrer maximalen Häufigkeit Werte,
die durchschnittlich zwischen 1 und 50/um liegen.
Körper der beschriebenen Art sind an sich bekannt. Sie
werden in aller Regel nach an sich bekannten Verfahren sperrschichtfrei kontaktiert, d.h. daß zwischen dem
Körper und der darauf aufgebrachten Metallbelegung keine
hochohmige bzw. als Sperrschicht wirkende Zwischenschicht besteht. Die Körper dieser Art werden als sogenannte
keramische Kaltleiter, d.h. als Widerstände mit hohen positiven Temperaturkoeffizienten des Widerstandswertes
im Bereich der Curie-Temperatur, aber auch als Kondensatordielektrikum und bei entsprechender Zusammensetzung
als Piezoelemente verwendet.
009810/U72
Das aus einem Gefüge aus zusammengesinterten Körnern der oben angegebenen Größenordnung bestehende Perowskitmaterial
weist an den Kornoberflächen bzw. in den Zwischenschichten zwischen den Körnern (beides soll im folgenden
kurz als Korngrenzen bezeichnet werden) eine von der Zusammensetzung
im Innern der Körner abweichende Zusammensetzung der Bestandteile auf.
Bariumtitanat stellt unter gewissen Voraussetzungen ain bevorzugtes Perowskitmaterial mit den oben angegebenen
Eigenschaften dar. Die folgenden Überlegungen sollen deshalb am Beispiel des Bariumtitanats erläutert werden,
ohne dadurch die Erfindung nur auf Bariumtitanat zu beechränken.
Dieses als .Ferroelektrikum bekannte Bariumtitanat (BaTiO,)
kann durch geeignete Dotierung nach dem Prinzip der gelenkten Valenz in den halbleitenden Zustand mit n-Leitung
übergeführt werden (z.B. durch Einbau von Antimonoxid SbpO,). Hierbei zeigt sich in einem beschränkten Temperaturintervall
von 20 bis 1500C, beginnend bei der Ourie-Temperatur
(ca. 1150C), ein steiler Widerstandsanstieg,
der bei den bekannten Materialien bisher maximal vier Zehnerpotenzen beträgt.
Das Diagramm nach Mg. 1 gibt eine übersichtliche Darstellung dieser Eigenschaft. Aufgetragen sind der spe-r
zifische Widerstand^ und die Dielektrizitätskonstanz ζ,
der dotierten Bariumtitanatkeramik als Punktion der Temperatur
bei Feldstärken von etwa 10 V/cm bzw. 3 kV/cm.
Aus den bisher bekannten Untersuchungen ergab sich, daß die Ursache für den anomalen Widerstandsanstieg oberhalb
der Curie-Temperatur in den Korngrenzen lokalisiert ist
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009810/U72
(vgl. Pig.2). Dort befinden sich Akzeptor-Oberflächen- ;
terme (N), in die die Elektronen übertreten können. Hierdurch bilden sich an den Korngrenzen Raumladungszonen aus (2mal r). Die im Bändermodell sich ergebende
Bandaufbäumung innerhalb dieser Raumladungszonen (in Fig.2 ist nur das Leitungsband gezeigt) wird
durch die Dielektrizitätskonstante sowie durch die spontane Polarisation gesteuert.
2 2 1 ° 2fc
Damit ergibt sich eine starke Temperaturabhängigkeit des Sperrschichtwiderstandes. Das Maximum der Bandaufbäumung^
und damit des »'iderstandsanstiegs ist erreicht, wenn die Oberflächenterme (N) bis zum Fermi-Niveau
angehoben sind. Die Hohe des Widerstandsmaximums wird also im wesentlichen durch die Aktivierungsenergie der
Oberflächenterme bestimmt. Da es sich um einen Sperrschichtwiderstand handelt, ergibt sich vor allem im Bereich
maximaler Bandaufbäumung eine starke Spannungsabhängigkeit des Widerstandes, deren Größe makroskopisch
durch die Zahl der hiitereinandergeschalteten Korngrenzen
bestimmt wird.
Es ist nun bekannt, daß die Y/iderstands-Temperatur-Charakteristik
solcher halbleitender Bariumtitanatkeramik, je nach Ausgangsmaterial und Herstellungsbedingungen,
beachtliche Unterschiede in Steilheit und Höhe des Widerstandsanstiegs zeigt, wobei jedoch bei der
Höhe des Widerstandsanstiegs vier Zehnerpotenzen zwir; sehen, den Wideratandswerten vor und nach dem Anstieg
nicht überschritten werden. Es wurde vermutet, daß der G-rund für die Unterschiede in Steilheit und Höhe des
Widerstandsanstiegs zum Teil in Jnterschieden der Ober-PA 65/2167
009810/U72
flächenterme zu suchen ist, die "bisher als der am schwersten
zu beherrschende Faktor im Gesamtsystem angesehen werden. So wurde bereits gezeigt, daß eine Anreduktion
(Entzug von Sauerstoff aus dem Gitter) den Widerstandeanstieg herabsetzt oder die Oberflächensperrschichten
ganz zerstört. Es wurde sogar schon die Vermutung geäußert, daß die Sauerstoffbilanz der entscheidende Paktor
für die Entstehung der Oberflächensperrschichten sei, doch zeigen Versuche, die zur vorliegenden Erfindung
geführt haben, daß auch bei gleichem Säuerstoffpartialdruck
gesinterte Proben gleicher Bruttozusammensetzung erhebliche Unterschiede im Verlauf des Widerstandsanstiegs
aufweisen. Im Diagramm nach Fig. 3 sei dies an einzelnen Beispielen erläutert, wobei zur Erklärung
der einzelnen Kurven die Tabelle I dient. In dieser Tabelle sind die einzelnen TiOp-Materialien (I bis V)
und Bariumkarbonat (VI) mit ihren Verunreinigungen gezeigt. Die Materialien I bis V wurden jeweils mit Bariumkarbonat
(VI) zu BaTiO, bei etwa 10000C umgesetzt,
das mit einer Dotierung von etwa 0,12.Mol# Antimonoxid
(Sb2O,) versehen war und bei 136O0C «ine Stunde
gesintert wurde. Unterschiedlich sind bei den einzelnen
Widerstands-Temperatur-kennlinien in Fig. 3 somit
nur die TiOp-Ausgangsmaterialien.
Es ist ersichtlich und in umfangreichen Untersuchungen nachgewiesen, daß die Widerstands-Temperatur-Charakteristik
derartiger Kaltleiter bei sonst gleichen Herstellungsbedingungen stark mit den verwendeten Ausgang
smat er i all en variieren. Hierfür können sowohl unterschiedliche
Verunreinigungen dieses Materials als auch verschiedene Kristallisationszustände maßgebend
sein, wie sich aus der Tabelle I und dem Diagramm nach Fig. 3 ergibt.
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009810/ 1 472
Allgemein läßt sich dieser Zusammenstellung entnnehmen, daß mit zunehmendem Reinheitsgrad der Kaltleitereffekt
verringert wird.
Im !alle der Verwendung von Reinst-Anatas (Y) ist der
sprunghafte Widerstandsanstieg "bis auf eine kleine Anomalie verschwunden. Interessant ist in diesem Zusammenhang,
daß die in der Tabelle angegebenen Verunreinigungen höchstens in Konzentrationen auftreten,
wie sie für die theoretisch "berechnete Oberfläehentermdichte
erforderlich sind. Nun sind aber Verunreinigungen des Ausgangsmaterials, insbesondere bei großtechnisch hergestellten Produkten, weitgehend der
willkürlichen Beeinflussung entzogen.
Der Erfindung liegt eine Reihe von Aufgaben zugrunde: Zunächst sollen die Einflüsse der Verunreinigungen
auf den Verlauf der WiderStandstemperaturkurve beseitigt
werden. Weiterhin soll erreicht werden, daß der Widerstandsanstieg möglichst* steil ist und möglichst
stets mindestens in der Größenordnung von vier Zehnerpotenzen liegt. Durch gezielte Maßnahmen soll
erreicht werden, daß die Widerstandstemperaturcharakteristik
soweit verändert wird, daß keramische Körper aus einem solchen Material auch als Kondensatordielektrikum
und sogar als Heißleiter verwendet werden können, d.h. daß an den Korngrenzen isolierende Zwischenschichten
gebildet werden. Die Spannungsabhängigkeit des Widerstandswertes soll verringert werden.
Der keramische Körper der eingangs beschriebenen Art ist zur lösung dieser Aufgabe erfindungsgemäß gekennzeichnet
durch einen Gehalt von Eisen als Zusatzmetall in Mengen von 0,001 bis 0,2 Gew#, gerechnet als ^egO,
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und bezogen auf das Gesamtgewicht des Körpers und daß das Zusatzmetall an den Kristall!toberflächen angereichert
ist.
Insbesondere zur Verwendung bei Kaltleitern beträgt der Eisengehalt 0,001 bis 0,01 Gew#.
Pur die Verwendung als Kondensatordielektrikum wird ein
Eisengehalt von 0,01 bis 0,3 Gew$ vorgeschlagen.
Pur die Verwendung als Heißleiter wird ein Eisengehalt
von 0,01 bis 0,1, vorzugsweise 0,03 bis 0,1 Gew$ vorgeschlagen.
In den angeführten Fällen kann ein Teil des Eisens durch Kupfer ersetzt sein, etwa in dem Sinne, daß z.B.
anstelle der Hälfte des Eisenanteils Kupfer enthalten ist.
Aus der Tabelle 1, die aufgrund spektralanalytischer
Messungen aufgestellt wurde und daher im besten Fall Höchstgehalte angibt, geht hervor, daß die Ausgangsmaterialien
bereits sehr geringe Mengen an Sisen enthalten. Dennoch kommt es zu den in Pig. 3 angegebenen
Streuungen. Überraschenderweise hat sich herausgestellt, daß durch den gezielten Gehalt an Eisen auch
eine gezielte Beeinflussung der v7iderstandstemperaturcharakteristik
eintritt.
Als perowskitgitterfremdes Llaterial wandert Hiseri bei
der Sinterung an die Kornoberflächen und stellt dort bei Kaltleitermaterial in geringer Dicke (in infinite-*-
simaler Größenordnung als Oberflächenakaeptorterme),
bei Dielektrikumsmaterial und bei Heißleitern in zum
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g co
Γ" ο
Γ" ο
Verunreinigungen (Gew#) {Jpektralanalyse)
Material | Ou | Al | oi | Mg | Fe | P | ^a | 3b | As | Sn i Pb | JO"3 | do"3 |
I. Anatas | ~ 10"2 | ..ΙΟ'5 | >10"5 | JO"3 | JO 7 | -ΙΟ"1 | ■ ΙΟ-' | 10"2 | do"3 . | »,ΙΟ"3 t | υιό"3 | |
II. AnaLay | ,, 1U2 | ^10-5 | ,ΙΟ"5 | ,,Ο"' | „10"1 | ,ΙΟ"' | 10 | <io"5 | do"3 . | J Ο"3 j.1.0"3 | _ | |
III.Anatas | O Ο"2 | .10-5 | ,ΙΟ"3 | .10-5 | do"3 | JO"1 | ^10-5 | ΙΟ"3 | ,ΙΟ"5 | do"3 | ||
IV. Rutil | .ίο"3 | ,ίο"' | ,!Ο"' | JO"' | ^IO"1 | , 10"' | ΙΟ"' | JO"3 | ||||
V. Anatas (Reinst) |
„"ίο"* | -ΙΟ"1 | -10-5 | JO"' | - | -ίο"3 | - | - | ||||
VI. BaOO3 | .ΙΟ"5 | .!Ο"3 | JO"1 | „ΙΟ"5 | - | ., 10"4 | - | - |
(D CO OO CO
- Ό —
Teil wesentlich größerer Dicke eine p-leitung aufweisende
Zwischenschicht her. Die diese p-leitung bewirkenden Akzeptorterme
haben jedoch einen sehr großen Abstand vom Valenzband im Bändermodell, der in der Größenordnung von
2 e-Volt liegt. Es sind also erhebliche Energien erforderlich, um in dieser p-leitenden Zwischenschicht die Defektelektronen
zur Leitung zu bewegen. Aus diesem Grunde ist die Zwischenschicht bei normalen Temperaturen gut
isolierend, so daß bei einer endlichen Dicke dieser Zwischenschicht Körper mit einer sehr hohen, durch die Zwischenschichten
gegebenen Dielektrizitätskonstante (DK) entstehen. Die gut isolierenden Zwischenschichten umgeben
das im Innern gut leitende Material. Bei stärkerer Dotierung wird einerseits die isolierende Zwischenschicht
stärker und andererseits wird Eisen auf Zwischengitterplätze im Innern der Körner abgedrängt. Durch die hohe
Aktivierungsenergie wird die Leitfähigkeit des Körpers
bei normalen Temperaturen immer geringer, ,wogegen bei einem Anstieg der Temperatur die Leitfähigkeit zunimmt. Dies
stellt das typische Verhalten eines Heißleiters dar.
Bei den vorliegenden Körpern kann die Curie-Temperatur in an sich bekannter Weise verschoben werden. Beispielsweise
bewirkt bei Bariumtitanat ein geringer Anteil an Strontium oder Zirkon eine Senkung der Curie-Temperatur
und damit eine Verlagerung des Widerstandsanstiegstemperatur-Bereiches zu tieferen Temperaturen, während
der Zusatz von Blei die Curie-Temperatur über den BaTiO^-Wert
von etwa 120° C erhöht und damit den Widerstandanstiegstemperatur-Bereich
nach höheren Temperaturen verschiebt. Bei den Körpern nach der Erfindung tritt bei der Verwendung
für Kaltleiterwiderstände zwar stets eine leichte Erhöhung des Kaltwiderstands, dagegen aber eine merkliche
Verkürzung des Widerstandanstiegsbereiches ein. Die Höhe des Widerstandanstiegs wird stets in der Größen-
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Ordnung von vier Zehnerpotenzen erzielt. Die Tabelle II zeigt dies an einigen Beispielen.
Wird dem als Ausgangsstoff dienenden Bariumtitanat bzw. den zur Herstellung des Bariumtitanats zusammengemischten
Komponenten Kalziumoxid in Menge von 0,001 bis etwa ,1 Gew$ zugesetzt, so ist eine Einstellung des spezifischen
Kaltwiderstandes unterhalb der Curie-Temperatur möglich. Im Zusammenhang mit Eisen wird darüber hinaus
eine deutliche Verringerung der Varistoreigensehaften,
nämlich der Spannungsabhängigkeit des Widerstandswertes von einer angelegten Spannung bei Temperaturen oberhalb
des Widerstandsanstiegs, erreicht. Hierzu wird näheres weiter unten angegeben.
Das Diagramm nach Pig. 4 zeigt nun einige Kurven für den
Verlauf des Widerstandes ψ in Abhängigkeit von der Temperatur.
Zur Herstellung der Proben wurden die Materialien II und VI der Tabelle I verwendet. Das Material
wurde jeweils mit 0,1 Gew$ SbpO., zur Erzeugung der n-Leitfähigkeit
dotiert und nach dem oben angegebenen Verfahren hergestellt.
Die Kurve 1 entspricht der Kurve II in 3?ig. 2 und gilt für das Material der eben beschriebenen Art, ohne daß
ein Eisensusatz getätigt wurde. In der Tabelle I ist zwar angegeben, daß das Material I ungefähr 10~^ Grew# Eisen enthält,
dennoch ist der durch die Erfindung für den Ei-senzusatζ
festgestellte Effekt nicht zu bemerken. Dies liegt wahrscheinlich daran, daß entweder die Ergebnisse der
Spektralanalyse mit dem tatsächlichen -Eisengehalt nicht übereinstimmen oder daß im Zusammenhang mit den vielen
anderen Verunreinigungen ein spezifischer Effekt nicht
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Tabelle II
TiO2 Material It.Tab. I |
Zusatz stoff |
Zusatz in C * J etwa |
spez.Kalt widerstand £λ. cm] etwa |
Widerstands- anstiegsbe- reich £ cj etwa |
Widerstands höhe [Zehner- potenzj etwa |
\7iderstands- anstieg im steilen Be reich pro C etwa |
O) | |
Zusammensetzung | II | - | - | 10 bis 20 | 110 bis 120 | 1 bis 2,3 | 0,1 bis 0,3 | |
τ, m.n Tc=120° C BaTl03 =12O8-Typ |
II | - | - | 120 - 150 | 130 | 3,5 | 9 | |
(BaSr)(TiSn)O3 =20 -Typ |
II | - | - | 700 | 120 | 3,3 | 5 0 | |
(BaSr)(TiSn)O, = O-Typ5 |
II | Pe2°3 | o,oob | 40 | 60 | 3,7 | 21 | |
BaTiO3 =120°-Typ | III | Pe2U5 | 0,005 | 70 | 40 | 3,ü | 117 | |
BaTiO-, =120°-rJ?yp | ||||||||
CD CO CO
zu bemerken ist. Es kann aber auch daran liegen, daß die einzelnen Chargen des Aus gangs ma tesri als in ihrer Zusammensetzung
voneinander abweichen. Gerade für Kaltleiter bezweckt aber die Erfindung, daß ein Mindestgehalt an Pe2O,
stets sichergestellt ist.
Aus Tabelle 3 geht hervor, für welche Zusatzmengen an Eisenoxid die jeweiligen Kurven gelten.
0) a b e 1 1 e III
Kurve Gew#
2 . 0,003
3 0,005
4 0,008
5 0,01
6 0,012
7 0,03
8 0,05
9 0,07
Das Diagramm nach Fig. 4 zeigt, daß je nach der Menge des zugesetzten Metalls die Körper aus solchem Material entweder
als Kaltleiter oder als Heißleiter benutzt werden können. Ein Teil der für Heißleiter verwendbaren Materialien
weist eine extrem hohe Schein-DK von etwa 50 000 auf ( tg63.1O~2 bei 1 kHz Meßfrequenz).
An sich bekannte Sperrschichtkondensatoren, die beispielsweise aus Bariumtitanat bestehen, wobei diese Körper zunächst
durch und durch reduziert wurden und dann durch eine oxydierende Behandlung an der Körperoberfläche eine sehr
dünne vollaufoxydierte Bariumtitanatschicht aufweisen, zei-
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gen zwar, wenn man den gesamten Körper als Dielektrikum betrachtet, auch eine sehr hohe' Schein-DK, jedoch ist
die Durchschlagsfestigkeit dieser sogenannten Sperrschichtkondensatoren sehr gering.
Wendet man Körper nach der vorliegenden Erfindung als Dielektrikum
an, so werden zunächst die zum Teil recht schwierig durchzuführenden Reduktions- und Oxydationsvorgänge vermieden, denn die Körper aus diesem Material
können direkt als Dielektrikum verwendet werden. Weiterhin ergibt sich der Vorteil, daß die Spannungsfestigkeit
beträchtlich erhöht wird, weil an den an den Oberflächen der Kristallite befindlichen guten Isolierschichten jeweils
nur ein Bruchteil der am gesamten Körper angelegten Spannung liegt. Die Kapazität eines Kondensators
mit einem Körper nach der Erfindung als Dielektrikum ist abhängig von der Zahl der im Ersatzschaltbild hintereinandergeschalteten
Isolierschicht auf den Kristallitoberflächen. Durch Vergrößerung der Kristallite kann
die Kapazität somit erhöht werden.
Fig. 5 gibt als grobe Darstellung die Verhältnisse in
einem polykristallinen Körper nach der Erfindung wieder, u.zw. sind im vorliegenden Falle drei Körner als
Ausschnitt aus einem solchen Körper im Schnitt gezeigt. Der innere mit η bezeichnete Kern der Kristallite ist
gut η-leitend infolge der Dotierung beispielsweise mit Antimon. Die mit ρ bezeichneten Oberflächensehichten
auf den Kristalliten sind an sich p-leitend; wegen des sehr hohen Bandabstandes der Akzeptorterme und der
deshalb sehr hohen Aktivierungsenergie sind diese Oberflächensehichten
bei normalen Bedingungen, d.h. unterhalb der Curie-Temperatur, sehr schlecht leitend und
können praktisch als Isolierschichten betrachtet werden. Die Dicke der Oberflächensehichten ρ schwankt je
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nach, der Menge des Anteils des Zusatzmetalls. In fig.
sind beispielsweise die Verhältnisse so gezeigt, wie sie bei der Verwendung der Körper nach der Erfindung für
Kondensatordielektrika vorliegen können.
Das Diagramm nach Pig. 6 zeigt den Verlauf der Kapazität eines Scheibenkondensators mit einem Körper nach der Erfindung,
der einen Durchmesser von 10 mm und eine Dicke von 1 mm hatte, in Abhängigkeit von der Temperatur bei
einer Meßfrequenz von 1 kHz.
Mit zunehmender Menge an Zusatzmetall wird bei Kaltlei- ä
tern der Varistoreffekt immer geringer. Neben der Steuerung
des Varistoreffektes durch Wahl kleiner Kristallitgrößen stellt dies eine weitere Steuermöglichkeit des
Varistoreffekts dar, die immer dann von Y/e'rt ist, wenn das Kornwachstum nicht gehemmt werden kann.
fig. 7 zeigt nun einen besonders zusammengesetzten Körper nach der Erfindung. Der Körper 21 ist zusammengesetzt
aus den Teilen 22 und 23, u.zw. sind diese beiden Teile je für sich vorgefertigt und dann zusammengesin-r
tert worden. Der Teil 22 besteht aus Bariumtitanat (Material II und VI nach Tabelle I) mit einer Dotierung
von 0,1 ft Sb2O,. Dieser Teil 22 ist somit gut η-leitend. i
Der Teil 23 ist zusammengesetzt aus dem gleichen Material wie der Teil 22, mit einem zusätzlichen Gehalt
von o,1$ Fe2O-; dieser Teil ist somit überwiegend pleitend.
Die auf den Körper 21 aufgebrachten Belegungen 24 und 25 dienen zur Kontaktierung. Die Nahtfläche
26 stellt einen pn-übergang dar, wenn der Körper auf Temperaturen gehalten wird, bei denen genügend
freie Ladungsträger vorhanden sind. Wird die Belegung
positiv und die Belegung 25 negativ geschaltet, so bil-
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det sich an der Nahtstelle ein pn-übergang aus, der bei Anlegen einer Spannung sperrt. Wird dagegen die Belegung
25 positiv und die Belegung 24 negativ geschaltet, dann sperrt der pn-übergang nicht (Durchlaßrichtung). Aus
Fig. 8 geht die Stromspannungscharakteristik einer in Fig. 7 gezeigten Bariumtitanatdiode bei 265° C hervor.
Rechts der Ordinate fließt mit steigender Spannung ein stark ansteigender Strom, während links von der Ordinate,
d.h. wenn der pn-übergang sperrend gepolt ist, praktisch kein Strom fließt.
Für viele technische Anwendungen (parametrische Verstärker, Frequenzvervielfacher, Modulator etc.) sind spannungsabhängige
Kondensatoren erwünscht. Die bisher bekanntgewordenen ferroelektrischen Materialien, SrTiO,
oder (BaSr)TiO, zeigen nur eine relativ geringe Kapazitätsänderung
bei vernünftigen Steuerspannungen.
Ein weiterer Nachteil dieser Substanzen ist, daß sie eine merkliche Spannungsabhängigkeit lediglich im Bereich
des öuriepunktes zeigen und demgemäß stark temperaturabhängig
sind. Im Fall des SrTiO, ist daher Kühlung mit flüssigem Wasserstoff nötig (Curiepunkt: -2400G).
(BaSr)TiO_-Keramik kann dagegen so gewählt werden, daß
der Curiepunkt im Bereich der Zimmertemperatur liegt. Die hier vorgeschlagenen Körper verbinden nun die Vorteile
der guten Steuerbarkeit der Varaktordioden mit der höheren Verstärkerleistung, z.B. des SrTiO^ bzw.
des (BaSr)TiO,.
Die Körper nach der Erfindung, die oben als Kondensatordielektrikum
beschrieben worden sind, erfüllen diese Aufgabe in hervorragender Weise, weil bei ihnen die ein-
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zelnen η-leitenden Kristallite von einer isolierenden bzw. schwach p-leitenden Schicht umhüllt sind.
Sie stellen somit praktisch eine Hintereinanderschaltung von npn-Übergängen dar. Im Bereich der Zimmertemperatur
werden bei Subatanzen mit einem Curiepunkt von 120° C Schein-DK-Werte von 20 000 bis 50 000 erreicht. Diese
DK-Werte sind stark spannungsabhängig, da infolge des leitfähigen Kerns der einzelnen Kristallite die an den
Außenelektroden angelegte Spannung praktisch nur an den Korngrenzen abfällt, so daß hier beträchtliche Feldstärken
auftreten. Und zwar findet sich schon eine starke Spannungsabhängigkeit weit unterhalb des Guriepunktes
(Curietemperatur ::.B. .120° C). Fig. 9 vermittelt hiervon
eine Vorstellung. Uu einen Vergleich mit den bisherigen
ferroelektrisehen luaterialien zu ermöglichen,
ii: die Spannunt:3abhänoigkeit der DK von (3a3r)TiO, mit
eingezeichnet (Juriepunkt w 20° Ci). Meßtemperatur:
ca. 20° C, lüeiifrequens s.S. 10 kHz. ilan entnimmt der
Figur, v/ie außerordentlich groß der Effekt ist.
In der Nähe des Duriepunktes ist die Spannungsabhängigkeit
der Ka^auität natürlich noch erheblicher.
es sich bei diesem Material praktisch um hintereinandergeBchaltete
Kondensatoren handelt (es sind nur die
p-leitenden Schichten an der Oberfläche der Kristallite wirksam) erhält man je nach Korngröße und Dicke der
Zwischenschichten eine mehr oder weniger große Steuerbarkeit.
In Fig. 10 ist das Schaltbild für die Messung der Spannungsabhängigkeit
der Kapazität dargestellt. Der Kondensator 110, der einen Korper nach der Erfindung als Di-PA
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elektrikum hat, ist über eine Drossel 111 und über eine
direkte Leitung 112 mit der Gleichstromspannungsquelle
(Steuerspannung) verbunden. Andererseits ist der Kondensator 110 über Kondensatoren 11,4 und 115 mit einer Meßbrücke
116 verbunden, die über einen Oszillator mit beispielsweise 1OkHz betrieben wird.
Zur Herstellung der Körper nach der Erfindung wird bevorzugt folgendes Verfahren vorgeschlagens
Die perowskitbildenden Ausgangssubstanzen werden in den gewünschten Mengen in Form von Oxiden oder Oxide liefernden
Verbindungen (z.B. Karbonate) unter Beifügung der Dotisrungssubstanz und des Zusatzmetalls miteinander
gemischt, mit 0,5 1 destilliertem Wasser pro Mol Ansatz gemahlen, danach getrocknet und bei ca. 1050° C in oxydierender
Atmosphäre, beispielsweise im Sauerstoffstrom, während einer Dauer von ca. 1 Stunde pro Mol Ansatz
umgesetzt. Das Reaktionsprodukt wird erneut mit 0,5 1 destilliertem Wasser pro Mol Ansatz 24 Stunden lang in
einer Kugelmühle bis zu der gewünschten Korngröße gemahlen. Aus dem Mahlgut werden nach Trocknung und Zusatz
an sich bekannter Bindemittel die gewünschten Körper geformt, beispielsweise gepreßt, und diese bei
ca. 1360° C in oxydierender Atmosphäre, beispielsweise im Sauerstoffstrom, etwa 1 Stunde gesintert. Je nach
der Verwendung werden in an sich allgemein bekannter Weise Elektroden aufgebracht.
Zur Herstellung eines Körpers nach Fig. 7 werden aus dem
Mahlgut der jeweiligen bei der Beschreibung der Pig. 7 angegebenen
Materialien Scheiben gepreßt; zwei solcher Scheiben, eine mit Zusatzmetall und eine ohne Zusatzmetall,
werden dann zusammengepreßt und danach wie oben beschrieben gesintert.
5 Patentansprüche 10 Figuren
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Claims (1)
- Patentansprüche1. Polykristalliner scheiben-, stab-, rohr- oder folienförmiger keramischer Körper mit durchschnittlicher Kristallitgröße zwischen 1 und 50 /um, der teilweise . η-leitend und teilweise p-leitend ist, "bestehend aus dotiertem ferroelektrischen Material mit Perowskit-TT Tystruktur der allgemeinen lOrmel Me Me 0, mit Antimon, Fiob oder Lanthan als Dotierungssubstanz für die n-Leitüng, wobei als Me wenigstens eines der Me-IV talle Barium, Strontium, Kalzium, Blei und als Mewenigstens eines der Metalle Titan, Zirkon, ZinnIY vorhanden sind und der Anteil der Me -Metalle bis zu etwa 2 MoI^ größer ist als der Anteil der Me Metalle, gekennzeichnet durch einen Gehalt von Eisen als Zusatzmetall in Mengen von 0,001 bis 0,2 Gew$, gerechnet als Fe2O, und bezogen auf das' Gesamtgewicht des Körpers, und daß das Zusatzmetall an den Kristallitoberflächen angereichert ist.Keramischer Körper nach Anspruch 1, insbesondere zur Verwendung bei Kaltleiterwiderständen, dadurch gekennzeichnet, daß der Eisengehalt 0,001 bis 0,01 gerechnet als Fe2O, und bezogen auf das Gesamtgewicht des Körpers, beträgt.Keramischer Körper nach Anspruch 1, insbesondere zur Verwendung als Kondensatordielekfc rikum, dadurch gekennzeichnet, daß der Eisengehalt 0,01 bis 0,03 Gew$, gerechnet als Fe2O^ und bezogen auf das Gesamtgewicht des Körpers, beträgt.PA 65/216-7 - 18 -Neue Unterlagen (Art. 7 £ I Aba. 2 Nr. I SdU 3 des Änckirune···*. v. ·*.009810/1 4724. Keramischer Körper nach Anspruch 1, insbesondere zur Verwendung bei Heißleiterwiderständen, dadurch gekennzeichnet, daß der Eisengehalt 0,01 bis 0,1 Gew#, vorzugsweise 0,03 bis.0,1 Gew$, gerechnet als Fe2O, und bezogen auf das Gesamtgewicht des Körpers, beträgt.5. Verfahren zur Herstellung eines keramischen Körpers nach einem der Ansprüche 1 bis 4» dadurch gekennzeichnet, daß die perowskitbildenden Ausgangssubstanzen in für die Zusammensetzung erforderlichen Mengen in Form von Oxiden oder Oxide liefernden /erbindungen unter Beifügung der Dotierungssubstanz und des Zusatzmetalls gemischt, mit 0,5 1 destilliertem Y/asser pro Mol-Ansatz gemahlen, danach getrocknet und bei ca. 1050° C in oxydierender Atmosphäre während einer Dauer von ca.1 Stunde pro Mol-Ansatz umgesetzt, danach erneut mit 0,5 1 destilliertem V/asser pro Mol-Ansatz 24 Stunden in einer Kugelmühle gemahlen v/erden und daß aus dem Mahlgut nach Trocknung und Zusatz an sich bekannter Bindemittel die gewünschten Körper geformt (gepreßt) und bei ca. 1360° C in oxydierender Atmosphäre für 1 Stunde gesintert werden.009810/1472Leerseite
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DE1965S0096060 DE1646988B2 (de) | 1965-03-19 | 1965-03-19 | Verfahren zum herstellen polykristalliner scheiben-, stabrohr- oder folienfoermiger keramischer kaltleiter- bzw. dielektrikums- bzw. heissleiterkoerper |
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DE1646988B2 DE1646988B2 (de) | 1973-06-14 |
Family
ID=7519796
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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DE1965S0096060 Granted DE1646988B2 (de) | 1965-03-19 | 1965-03-19 | Verfahren zum herstellen polykristalliner scheiben-, stabrohr- oder folienfoermiger keramischer kaltleiter- bzw. dielektrikums- bzw. heissleiterkoerper |
Country Status (6)
Country | Link |
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1966
- 1966-03-14 NL NL6603290A patent/NL6603290A/xx unknown
- 1966-03-16 US US534792A patent/US3441517A/en not_active Expired - Lifetime
- 1966-03-18 GB GB11896/66A patent/GB1104237A/en not_active Expired
- 1966-03-18 BE BE678042D patent/BE678042A/xx unknown
- 1966-03-19 JP JP1709666A patent/JPS5333754B1/ja active Pending
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1978
- 1978-01-27 JP JP878378A patent/JPS5635299B1/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2634896A1 (de) * | 1976-08-03 | 1978-02-09 | Siemens Ag | Kondensatordielektrikum mit inneren sperrschichten und verfahren zu seiner herstellung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB1104237A (en) | 1968-02-21 |
US3441517A (en) | 1969-04-29 |
NL6603290A (de) | 1966-09-20 |
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BE678042A (de) | 1966-09-19 |
JPS5635299B1 (de) | 1981-08-15 |
DE1646988B2 (de) | 1973-06-14 |
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