DE1614219A1 - Feldeffekttransistor mit isolierter Torelektrode - Google Patents

Feldeffekttransistor mit isolierter Torelektrode

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DE1614219A1
DE1614219A1 DE19671614219 DE1614219A DE1614219A1 DE 1614219 A1 DE1614219 A1 DE 1614219A1 DE 19671614219 DE19671614219 DE 19671614219 DE 1614219 A DE1614219 A DE 1614219A DE 1614219 A1 DE1614219 A1 DE 1614219A1
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Beale Julian Robert
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Description

DiPL-In3-ERICHE-VZALTHER 1614219
Pr*on-*anv/c:!t " ' " ' . - ?
Anmelder:!].Y.^!,LfPS1GLOEiLAMPENFABRIEKEH MB 31.575
Akte/ PHB- 31 575 \ _ -.'..' : u JW/AY
Anmeldune vom* 16»Februar 1967
Fellefrekttran3i3tor tait isolierter Tarelektrode.
Die Erfindung; bezieht sich aufeinen Peldeffekttpansistor vom Typ mit isGliertervTorelektroie, der einen nonokris-
tallinen Halbleiterkörper vom einen Leitungtyp enthält mit an einer GberfläGhe dieses Eörpers zwei getrennten Cberflächenzönen vom anderen Leitungstyp und zwischen diesen Zonen der Kanalzone, über wenigstens einen Teil derselben und dagegen isoliert die Torelektrode angebracht ist und mit ohmsöhen Fontakten an den Gberflä'chenzOnen und der Torelektrode.
Bei derartigen nalbleitervorTichtungen fliesst der Strom
in einer Zone .-an der oder in der ITähe der C ber£lache eines
BAD
009833/Ϊ579
-2- PHB 31.575
Halbleiterkörpers und der Strom wird von einer der Torelektrode zugeführten Spannung moduliert, wobei die Torelektrode dicht an der Oberfläche des Halbleiterkörpers, jedoch dagegen isoliert liegt.
Der Stror. kann zwischen zwei pn-Ubergängen f Hessen, wobei die Vorrichtung vom sogenannten "Anreicherungstyp" ist, und wobei der StroE von der Spannung an der Torelektroie, ausser moduliert, auch eingeleitet werden kann. Bei ir.anch.en Vorrichtungen vor.-. Anreicherung3typ flie3st bereits ein Strom bei einer opannung an der Torelektrode gleich ITuIl und der Stron: kann durch Anlegezi der geeigneten Spannung an die Torelektrode verringert eder vergrössert werden.
Ein Beispiel eines bekannten Feldeffekttransistors ve ρ Anreicherung typ ist in Figur 1 dargestellt, in der die Vorrichtung in senkrechtem Querschnitt und teilweise perspektivisch dargestellt ist. Ein monokristallines p-leitendes Substrat 1 aus Siliziuc besitzt an einer Oberfläche des Körpers zwei voneinander getrennte Oberflächenzonen 2 und 3· Diese Zonen können mit Hilfe einer üblichen Kaskierungstechnik durch Eindiffundieren eines η-leitenden Störstoffes, wie Phosphor, in die Oberfläche, des Körpers gebildet werden» Zwischen den zwei i'berflächenzonen 2 und 3 und dem Substrat 1 sind zwei gleichrichtende pn-TTbergänge 2' und 31 gebildet, die gemäss den gestrichelten Linien 4 und 5 an die Oberfläche des Substrats treten. Auf die Oberfläche des Körpers ist zwischen zwei einander ^•erer.überliegenden Teilen der Übergänge 4, 5 eine dünne dielektrische Schicht 6 aufgetragen. Diese dielektrische Schicht kann
00983 3/15 7^
BAD ORIGINAL
■-■..-3- ■■■■';' ■ " - pie 31.575
aus Siliciumdioxid bestehen,-das lurch "illation des-Siliziun- - oubs.trats gebildet ist.
Eine leitende Schicht 7 auf der dielektrischen Schicht <" kann durch Niederschlagen in: Vakuum gebildet «-erden, wobei gleichzeitig die klinischen lantak't-e '. und ?r,.ii den zwei voneinander getrennten Cbc-rflächensrnen 2 ;ml.3 gebildet werden lcöhner.. Die leitende Schicht -kann aua -Aliminiuti cesteten.
Eine detailliertere itecchreibung ,Tieses Peldeffel:ttransi3 tcr-typo hlr.sichtlich dessen Aufl'au'und r."ir«:un-;rs;«--ise ist in "Ir ceedings I.E.E.E. Ir, Sept. 1Γν3, Seite 11y ff., gegeben und zi.-ar in: Arti/.el "ΤΊλ- 'Giiiccn .Inaulited . Jäte Field Effect Transistor'·' v^n Hefstein und Hc-ittttn.--.Im Betrieb vrird svischen die zwei fberflächenzcner. eine Spannung angelegt. Das Flies-sen vco Itroir, zwischen den zvei Oberflächer.a >iier. I.arai ".uroh c-ine zwischen die leitende Schicht und das Hal I1 le it er subs trat angelet:te -:':annung cint-eleitet und gesteuert '!.er er., l'iese Spannung hat eint derartige Jolarität, dass ein Oberflächerianal vm anderen Leituagstyp -'unter der dielekirischen Schicht indus-iert *irä, Wcdurch- zwischen den zvei Oberflächenz r.rn ein -iron flieeser. kann. Diese nirkungsweise vrl rd als "Anrt icherungsverfahren" bezeicl.t.et, weil der Leitungskanal durch •k-nlegur.g einer Spannung an iie leiter.de "chicht ge til ie t wird..
Diese Verrichtung kann auf entsprechende Weise wie eine Vakiiur-rohre betrieben werden. Die zwei "terflächer.zcnen werden pe wohnlich als <.:elle und Serie und ϋε leitende Sohicht als Tsrelektrcde bezeichnet. Ein "cdulatirnssigr-al vlrd an die Torelektrode gelegt, iie eine hohe Zant-sr.^simpedanz aufweist.
Γ·1β lei'-.nde Tcrelektrode t.uss die "berfläcaenscnen über-
0 09833/157 9 "bad OWQINAL
-4- PHB 31.575
lappen tun dafür zu sorgen, dass sich im Betrieb der induzierte Oberflächenkanal bis zu beiden Zonen erstreckt. Diese Überlappung veranlasst eine Kapazität zwischen der Torelektrode und der Senke, was zu starker Rückkopplung bei hohen Frequenzen führen kann. Es ist deswegen notwendig, dass die Torelektrode gegenüber den Cberflächehzonen genau ausgerichtet ist, damit die Überlappung auf ein Minimum beschränkt wird, jedoch die Torelektrode sich allerdings bis zu den Oberflächenzonen erstreckt.
Die Eigenschaften der Vorrichtung sind u.a. abhängig vom Abstand zwischen der Quellen- und Senkenzone, zwischen denen .1er Strom fliesst, und von der Länge der Kanalzone, über die der Strom fliesst. Bei der bereits beschriebenen bekannten Vorrichtung beträgt dieser Abstand gewöhnlich ungefähr 1r Mikron. Die Steilheit der Vorrichtung lässt sich dadurclx verbessern, dass diese Abmessung ver&^nert und/oder die Länge der stromführenden Kanalz.:ne vergrössert wird.
Bei Verringerung des Rauces zwischen Quelle und. Senke treten bei der Herstellung der Vorrichtung Schwierigkeiten auf, weil die Torelektrode gegenüber der Kanalzone ausgerichtet werden nuss und eine mcglichst kleine Überlappung mit der Setfcnscae aufweisen muss. Würde die Kanal zcm-a ein® Breite von 1 Mikron haben, dann muss die- -Torelektrode eis -> Breite von bedeutend Qehr als 1 Kika?on besitzen us zv. gewahrleisten, dass die Torelektrode die Kanalsone zwischen den Oberflächenzonen völlig bedeckt.
Unter Anwendung der heutigen Techniken ist es schwer, die Torelektrode derart auszurichten, dass diese die Kanalzone- bedeckt,
CT-5 33 / 1 579
. - - - '."'■■-, -5~. ■■":■■;. , J, PHB 31,575
jedoch, die Senke nur in geringem Masse überlappt.
Ein Feldeffekttransistor vom Ers chöp furigs typ hat dieselbe Konfiguration wie die der Figur I1 jedoch mit einer n-leitenden Zone, die sich bis in die Nähe der Oberfläche zwischen den zwei n+-Oberfläehenzonen 2 und 3 erstreckt. Es flieset ein Strom zwischen den beiden Zonen 2 und 3 über die η-leitende Oberflächenzone und der stromführende Teil dieser Zone kann dadurch verringert werden» dass an die Torelektrode eine negative Spannung gelegt wird. Der stromführende Teil der η-leitenden Zone liegt dann zwischen dein p-leitenden Substrat-und einer induzierten p-leitenden Zone in der Nähe der Isolierschicht auf der Halbleiteroberflachev ' ; / ;
Weiter ist es oft sehr wichtig, dass die Kanalzorie zwischen den Cberflächenzonen, in einer Richtung, quer zur Stromrichtung . zwischen den Oberflächenzonen und parallel zur einene Oberfläche des Halbleiterkörpers gesehen, eine grosse länge hat,; während der Feldeffekttransistor dennoch einen gedrängten Aufbau und ein· tinfache Bauart aufweist. /
Die -Erfindung bezweckt daher einen FeldeffekttransietOr der eim-angs erwähnten Art zu schaffen, der eine Kanalaöne mit einer quer zur Stromrichtung in der Kanalzone gesehen,.grossen Länge hat, während der Feldeffekttransistor dennoch einen gedrängten Aufbau und eine einfache Bauart hat und der weiter sehr gute elektrische Eigenschaften. aiit einer eine schwache Rückkopplung verursachenden Kapazität haben kann.
Nach der Erfindung ist ein■ Feldeffektträns-ls.tor; der eingangs eorwähnten Art dadurch gekennzeichiaet, dass die Oberflächen-
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. ' 16U219
-6- PHB 31.575
Zonen ineinander greifende hervorstehende Teile haben, wodurch die Kanalzone meanderförmig ist, während die Torelektrode nur über die hervorstehenden Teile aei Oberflächenzonen und über zwischen diesen Teilen liegende Teile der Kanalzone angebracht ist.
Die Oberflächenzonen können an der Oberfläche dea Halbleiterkörpers durch pn-tfbergänge begrenzt sein.
Auch kann sich zwischen den Oberflächenzcnen eine an diese Oberflächenzonen grenzende dünne Oberflächenschicht vom anderen •Leitungstyp erstrecken, die einen grösseren spezifischen Widerstand als die Oberflächenzonen hat.
Die Torelektrode kann einfach linear sein.
Eine wichtige Ausführungsform ist dadurch gekennzeichnet, dass die Oberflächenzonen interdicitale hervorstehende Teile besitzen.
Die mittlere Breite der hervorstehenden Teile beträgt vorzugsweise höchstens 1C Kikron. Bei einer grösseren mittleren Breite der hervorstehenden Teile sind die Vorteile einer erfindungsgelassen Konfiguration verhältnisEässig klein. Kann der Feldeffekttransistor zum Gebrauch bei hohen Frequenzen bestimmt ist, wobei die Rückkopplung verursachende Kapazität klein sein soll, dann beträgt die mittlere Breite der hervorstehenden Teile vorzugsweise höchstens 5 Kikron-.
Die Erfindung bezieht sich weiter auf ein Verfahren zur Herstellung eines Feldeffekttransistors nach der Erfindung, der dadurch gekennzeichnet ist, dass die meanderförmige Oxidschicht mit Hilfe einer Elektronenstrahltechnik erhalten wird.
Zwei Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeich-
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: 16H219
■-· ■ ■-?·*. PHB 31.575
nungeh dargestellt und werfen ic folgenden näher beschrieben. Ee aeigen - ~~-
Fi£ur 2 eine Draufsicht eines Feldeffekttransistors vom Anreicherungstyp,
Figur 3 drei senkrechte Schnitte gemäas de* Linien A-A, B-B bzw. C-C der Figur 2,
. Figur 4 senkrechte Schnitte durch einen Feldeffektransist r vom Er s chop fun £,-s typ, „
Figur 5 eine Draufsicht eines Feldeffekttransistors" einer kreisförmigen /Configuration,
Fi£ur 6 eine Schaltung, in der eine erfindungsgemässe Vorrichtung verwendbar ist.
Ein mcnokristallines, mit Borium dotiertes, p-leitendes Siliziuasubstrat K cit einem spezifischen n'iderstar.d von 5 "hir./cn besitzt zwei CberflSchenzonen 11 und 12, die unter Verwendung v.n Oxidmaakierung durch Eündlffundiei'eri von Phosphor in eine Oberfläche gebildet sind. Der Abstand zwischen den Z^nen 11 und 12 beträgt 5C KikiOB. Lie zwei Öberflächenzorieh 11 und 12 schliessen an die CberflSchenzonen 13 und I^ an, die einen höheren spezifischen Kiderstand haben und die eine Heihe von ir.einandar greifenden her*- vorstehenden Teilen 14 und 16 besitzen.^ie hervorstehenden Teile erstreoker. sich bis T I-lkron von Jeder Cberflachenzone. Die Linien 13' und 15" begrenzen die meauderförmige JCanalsone 17V·. ^ie Breite jedes der hervorstehenden Teile beträgt luvjefähr 1 Mikron und der Abstand svischen diesen Teilen beträgt ebenfalls 1 liikron. Die Breite der Kanalzone 17'beträgt also 1 Kikrcn uad seine Länge ist bedeutend mehr als die Lan^e jeder der eindiffundierten "ber-" -:- ■■■■" 3 °■■■'■-■ 1^- BAD O
-8- PHB 31.575
flächenzdnen. Die wirksame Überlappung der Torelektrode über die Senkenzone betragt -r- llikron«
Wenn die Vorrichtung eine Länge von 240 Mikron hat, beträgt die Länge der Kanalzone ungefähr 3C00 Mikron und die Vorrichtung hat somit eine Kanalzone mit einem grossen Länge-zuBrei te- Verhältnis, und scmit eine ziemlich hohe Steilheit (ungefähr. 1>" mA/V, wenn die Senkenspannung 10 V, der Senkenstrom 1T mA und die Spannung an der Torelektrode 3C V beträgt), als auch eine wirksame Überlappung der Torelektrode über die Senke von -r Kikron,
Es sei bemerkt, dass der Strom in der erfindungsgemässen Erreicherungsvorrichtung in einer Richtung^ parallel zur gröasten Abmessung der Torelektrode flieset, während bei der Konfiguration der bekannten Vorrichtung der Strom senkrecht zu dieser Abmessung fIiesst.
Eine Torelektrode 18 aus Aluminium mit einer Breite von 25 Mikron ist über einen Teil der Kanalzone 17 und über die hervorstehenden Teile 14 und 1g angebracht und durch eine SiIiziundio3Ex:laehioht 23 gegen dieselben isoliert. Die ohmsoheR Kontakte I^jr 2'. und 2i- sind auf äer ^uellerj-y Senk©nsone; bs*?» Torelektrode angebracht.
Ie Betrieb flies-fst der Styst© v»s dw ^ttellen- zur Senkenzone über iie lianalzone gwisoben; €βκ interdigital en hervoratehendeti Teilen 14 und Ii in tüejenigen· Teile der Kanalzonef die unter der Torelektrode liegen«
Figur 4 zeigt Schnitte durch ehrten Feldeffekttransistor
vom Erg'Chöpf'-mgstypy entsprechend den Sohnitten geraäss Figur 3V
ÜO98337U70
BAD OHiGlNAL
ν-9- .-.■..■■ PHB 31.575
Die3e Vorrichtung mit derselben Draufsicht wie die der Vorrichtung nach Figur 2 hat eine hochohmige η-leitende Oberflächenzone 23 die sich -.zwischen den intardigitalen Quellen- und Senkenzonen erstreckt. Fenn ein negatives Potential an die Torelektrode TS gelegt wird, wird in der Zone 23 eine prleitende Oberflächenschicht induziert und der stromführende Kanal wird auf einen Teil zwischen der induzierten p-leitenden- Oberflächenschicht und dem p-leitenden Substrat beschränkt. .
"Es dürfte einleuchten, dass obschon der Strom unter der Torelektrode kleiner werden wird, der Strom in den nicht von der Torelektrode bedeckten Teilen des Kanals durch die angelegte Spannung nur in sehr geringem Masse verkleinert werden wird. Die Steilheit der Vorrichtung ist somit nicht sehr gross.
Figur 5 zeigt eine Vorrichtung vom Anreicherungstyp einer kreisförmigen Konfiguration. ;
Zwischen zwei η-leitenden Oberflächenzonen 35 uißi 37 ist eine meanderförmige !Canalzone 36.ßit einer Breite von 1 Kikron gebildet. Ein ohmseher Kontakt mit den Qberflächenzonen wird durch die n+ Zonen 34» 36 gebildet. Die Zonen werden durch Einführung von Donatorstörstoffen in ein -p-leitendes Substrat 33 gebildet. Die Torelektrode ist durch die Linien 39} 4<" angedeutet, woraus ersichtlich is ty dass-'die'Torelektrode mindestens einen- Teil der Kanalzone 38 überlappt. ' .
Die Ausführung kreisförmiger Konfiguration"hat einen niedrigeren Reihenwiierstand als <;ine Vorrichtung -linearer Knnfiguratiah, weil die hervorstehenden Teile eine dreieckige statt einer langgestreckten Form haben. Die Vorrichtung nach Figur 5
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besitzt jedoch eine höhere Kapazität zwischen der Torelektrode und der Senke (die Senke ist mit der Oberflächenzone 34 verbunden) weil die von der Torelektrode bedeckten hervorstehenden Teile dreieckig sind.
Die Vorrichtung nach Figur 5 kann auch alö"Feldeffekttransistor von Erschopfungstyp ausgebildet werden, mit einer n-leitenden Schicht eines hohen spezifischen Widerstandes in der meanderförmigen Kanalzone.
Figur 6 zeigt eine Schaltung, in der die erfindungsgemässe Vorrichtung anwendbar ist. Ein Feldeffekttransistor 24 vom Anreicherungstyp, in den durch einen η-leitenden induzierten Kanal Strom geführt wird, besitzt einen Abstimmkreis 25r der zwischen der Torelektrode 24 A und Erde angegeschlos3en ist; ausserdem ist eine Vorapannungsbatterie 26 vorhanden. Das Eingangssignal rührt von einer Signalquelle 29 her. Die Quelle 24 D der Vorrichtung ist an Erde gelegt und das Substrat 24 C der Vorrichtung wird von der Batterie 27 auf einem gewissen Potential gehalten. Ein Abstimmkreis 28 ist zwischen der Torelektrode 24 A und der Senke 24 B angebracht und die Spannung zwischen der Quelle und Senke wird von der Batterie 3t" geliefert, die durch einen Kondensator gegenüber der Torelektrode und durch einen Kondensator 32 gegenüber dem Ausgang gesperrt ist. Das verstärkte Ausgangssignal wird über die Belastung 41 abgenommen.
Im folgenden wird ein Verfahren zur Herstellung der Vorrichtung nach Figuren 2 und 3 beschrieben.
Auf einer flachen Oberfläche eines p-leitenden monokristallinischen Siliziumkörpers 10 wird mit den bekannten Techniken ÜÜä.8 3 37 1579
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'.ν-. ;■■■. 1014213
■ -■' L .. ■- . -It- PHB 31,575
durch Oxidation eine Silizimnoxidsohicht ir.it einer Dicke vjn f,3Kikrqn angebracht.
Auf eine übliche Weise werden in"der OxidschichtPenster geätzt, ün die Zonen 11 und 12 anzubringen«
Durch die Fenster wird Phosphor in den Körper 10. eindiffundiert bis die η -Zonen 11 und 12 im Korper IC erhalten worden sind* Die η -Zonen liege« in einem Abstand von 5r fcikron ν-nein*-- ander und haben eine Fliasphorkonaenträtion veη ungefähr ^x 1Λ At./ cm . Die Oxidschicht wird dann ir.it Hilfe einer Lösung von ' Amnoniuir.flucrid in Fluorwasserstoffsäure von denjenigen Tei.l der
entfernt, der innerhalb der gestrichelten Linie in 2 liegt*
Eine Beanderförcige Oxidschicht mit einer DiokeVon ~,3 Kikron und einer Breite von 1 Kikran wird an der der iCanalssone Π1 entsprechenden Stelle angebracht. DaS Oxid wird mit Hilfe von Elektronenbündeltecäniken nieingeschlagen. Das Elektrsnenbundel wird auf das Siliziumaubstrat, das in eine Atmosphäre ■vm Sauerstoff enthaltendeüi Tretaathcxysilan gestellt ist, fckuasiert. Die, Stromdichte beträgt oc^-efähr 1 hK/qk^ bei einer Spannung von ti kV* Die Teildrücke von Sauerstoff und 3ilan .
_ ο
betragen ungefähr K " mm iuecksilberdruck. ITach. den: Niederschlagen der Oxidschicht wird in nassen Argen eine halbe Stunde bei T"CCC erhitzt. '
/Danach wird Arsen in die noch freilie jeiiien Oberflächenteile eindiffundi'ert, wobei die her vors tehenäen Teile 14 und M erhalten werden. Bei diesem Diffusicnsprozess im ^abatrat wird bis eine kleinere Tiefe und nit einer kleineren Xonsentratien
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an Störstoffen als bei der vorgehenden Diffusion eindiffundiert, damit die Teile 14 und 16 unter der Oxidschicht getrennt bleiben.
Die meanderförmige Oxidschicht wird mit einer Läb«ing von Ammoniumflüorid in Fluorwasserstoffsäure entfernt und eine neue Oxidschicht wird über die ganze Oberfläche dee Substrate angebracht. Die Oxidschicht wird mit Penstern versehen, an denjenigen Stellen, an denen die Kontakte 19, 20' angebracht werden müssen. Die Diffusionsprofile aus Arsen werden praktisch nicht beeinflusst, wenn die Oxidschicht bei einer Temperatur unter 1COO0G . angebracht wird. Die ohmsehen Kontakte 19» 20 und die Torelektrode 13 werden durch das niederschlagen von Aluminium angebracht. Die Alüminiumkontakte haben eine Dicke von ungefähr 0,1 Mikron. Die Torelektrode muss ungefähr syMMtrisch zwischen den ^uellen- und Senkenzonen über die meanderformige Kanalzone 17 angebracht werden, wobei die Torelektrode gegenüber die Quellen- und Senkenzonen nioht ausseht genau ausgerichtet zu werden braucht, da eine kleine Verschiebung der Torelektrode die Eigenschaften der Vorrichtung praktisch nicht ändert.
Ein ohmscher Kontakt 21 kann auf die Torelektrode angebracht werden und mit den Kontakten.19, 2C könne» ZufuhrungB-leitungen verbunden werden, wonach öle Vorrichtung auf eine übliche Weise fertigir-ontlert werden kaaa*
Eine η-leitende Oberfläcäenaan© 23 kann durch Diffusion eines Donator3törstoffee gebildet werden, bevor die meanderformige Oxidschicht angebracht wird.
Weiter kann die Bildung einer Oxidschicht auf einer SiIiziUEoberflache die Dcnatorkonzentration an dieser Oberfläche 009833/1579
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erhöhen und eine η-leitende Zone kann abhängig vom spezifischen Widerstand des p-leitenden Stibstrats und den Oxidationsverhältnissen gebildet, werden.
Die erfindungsgemässe Vorrichtung hat verbesserte Kennlinien und eine relativ kleine Kapazität zwischen der Torelektrode und der Senke. Ein weiterer Vorteil der erfindungsgemäesen Vorrichtung ist die relativ lange Kanalzone, über welche ein Strom fliesst, in gedrängter Form, was bei der Herstellung integrierter Schaltungen besonders vorteilhaft ist. Auf diese Weise kann das Halbleitersubstrat andere wirksame und unwirksame Teile enthalten, die mit der Vorrichtung nach der Erfindung einen Kreis bilden. Besonders -wichtig ist, dass die Torelektrode nicht mehr äusserst genau ausgerichtet zu werden braucht.
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Claims (1)

  1. -14- PHB 31.575
    PATEHTAITSPRUECHEt
    1. Feldeffekttransistor vom Typ mit isolierter Torelektrode, der einen monokris tailing Halbleiterkörper vom einen Leitungstyp enthält, mit an einer Oberfläche dieses Körpers zwei getrennten Oberflächenzonen vom anderen Leitungstyp und zwischen diesen Zonen der Kanalzone, über wenigstens einen Teil derselben und dagegen isoliert die Torelektrode angebracht ist und mit ohraschen Kontakten an den. Oberflächenzonen und der Torelektrode, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberflächenzonen ineinander greifende hervorstehende Teile haben, wodurch die Kanalzone meanderfönnig ist, während die Torelektrode nur über die hervorstehenden Teile der Oberflächenzonen und über die zwischen diesen Teilen liegenden Teile der Kanalzone angebracht ist.
    2. Feldeffekttransistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberflächenzonen an der Oberfläche des Halbleiterkörpers von pn-tTbergangen begrenzt sind.
    3. Feldeffekttransistor nach Ansprach. 1, dadurch gekennzeichnet, das3 sich zwischen den Oberflächenzonen eine an diese Zonen grenzende dünne Oberflächenschicht vom anderen Leitungstyp erstreckt, die einen grösseren spezifischen Widerstand als die Oberflächenzonen hat.
    4. Feldeffekttransistor nach einem oder mehreren der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Torelektrode linear ist. -
    5. Feldeffekttransistor nach einem oder mehreren der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberflächenzonen interdigitale hervorstehende Teile besitzen.
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    6* Pelcteffekttränsistor naoh einem oder mehreren der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die mittlere Breite der hervorstehenden Teile höohstfens IC Klkron, vorzugsweise höchstens 5 Kikron beträgt»
    7. Feldeffekttransistor nach einem oder mehreren der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Tarelektrode des Halbleiterkörpers durch eine Isolierschicht, die ein Oxid des Materials des Halbleiterkörpers enthalt, isoliert ist. ei. Feldeffekttransistor nach einem oder mehreren der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberflächenzonen einen Teil höherer Leitfähigkeit besitzen, teit dem ein ohmscher Kontakt gebildet ist.
    ~. . Verfahren zur Herstelluni; eines Feldeffekttransistors nach einem oder mehreren der vorstehenden Ansprüche., dadurch gekennzeichnet, dass die Cberflachenzanen wenigstens teilweise durch Eindifi\indieren eines Stora to ffes in die eine Oberfläche des Halbleiterkörpers, unter Verwendung einer meanlerförmigen ."-Udachixsht als SiffusionsEacke erhalten werden.
    10. .,Verfahren-nach" Anspruch 9, dadurch gekenngeichntt, dass die meanieinförmige rxidschicht tnit Hilfe einer Elektronönstrahltechnik erhalten uirda
    ÖC9833/T5 7 9
DE19671614219 1966-02-18 1967-02-17 Feldeffekttransistor mit isolierter Torelektrode Pending DE1614219A1 (de)

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