DE1265716B - Verfahren zum Herstellen von AB-Verbindungen in kristalline Form - Google Patents
Verfahren zum Herstellen von AB-Verbindungen in kristalline FormInfo
- Publication number
- DE1265716B DE1265716B DES82828A DES0082828A DE1265716B DE 1265716 B DE1265716 B DE 1265716B DE S82828 A DES82828 A DE S82828A DE S0082828 A DES0082828 A DE S0082828A DE 1265716 B DE1265716 B DE 1265716B
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- group
- temperature
- zone
- vapor
- crystalline
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B25/00—Phosphorus; Compounds thereof
- C01B25/06—Hydrogen phosphides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C1/00—Making non-ferrous alloys
- C22C1/007—Preparing arsenides or antimonides, especially of the III-VI-compound type, e.g. aluminium or gallium arsenide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/049—Equivalence and options
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/065—Gp III-V generic compounds-processing
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/072—Heterojunctions
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/079—Inert carrier gas
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Catalysts (AREA)
Description
DEUTSCHES
PATENTAMT
Int. Cl.:
BOIj
Deutsche KL: 12 g-1/01
Nummer: 1265 716
Aktenzeichen: S 82828IV a/12 g
Anmeldetag: 12. Dezember 1962
Auslegetag: 11. April 1968
Gegenstand des deutschen Patents 1191 794 ist ein Verfahren zum Herstellen von kristallinem Borphosphid.
Bei diesem Verfahren wird in einem Reaktionssystem ohne Zuhilfenahme fremder Elemente
das Borphosphid-Ausgangsmaterial in einer Zone hoher Temperatur von mindestens 5300C mit einem
Phosphordampfstrom in Berührung gebracht und dann das Gas in eine Zone tieferer Temperatur geleitet,
wo die Abscheidung des kristallinen Borphosphdis erfolgt.
Es hat sich nun gezeigt, daß sich dieses Verfahren zum Herstellen anderer AinBv-Verbindungen in
kristalliner Form ebenfalls verwenden läßt.
Das neue Verfahren zur Herstellung von AniBv-Verbindung
in kristalliner Form, insbesondere der Phosphide, Arsenide und Antimonide des Aluminiums,
Galliums, Indiums und Bors — ausgenommen des Borphosphids — durch Überleiten eines Dampfes
eines Elementes der V. Gruppe über ein Element der III. Gruppe bei erhöhter Temperatur ist dadurch ao
gekennzeichnet, daß in einem Reaktionssystem drei Zonen unterschiedlicher Temperaturen erzeugt werden,
wobei das Element der V. Gruppe in an sich bekannter Weise auf eine Temperatur erhitzt wird, bei der es in
die Dampfphase übergeführt wird, und das Element der III. Gruppe oder seine Verbindung mit dem
Element der V. Gruppe in einer zweiten Zone auf einer Temperatur gehalten wird, bei der die Verbindungskomponenten
in die Dampfphase übergeführt werden und in einer dritten Zone bei niedriger Temperatur in kristalliner Form abgeschieden werden,
wobei diese Temperatur für InAs, InSb und GaSb mindestens 10°C, für InP, GaP, GaAs und AJSb
mindestens 15°C sowie für AIP und BAs mindestens 30° C niedriger ist als die Temperatur der zweiten
Zone. Die Verbindungen scheiden sich in polykristalliner und einkristalliner Form ab.
Unter der Zone hoher Temperatur wird hier und im folgenden die Temperatur verstanden, bei der das
Element der III. Gruppe oder die Verbindungskomponenten der AmBv-Verbindung in die Dampfphase
übergeführt werden und ein technisch brauchbarer Dampfdruck gewährleistet ist.
P (gasförmig) + 2 InP (fest) InP Verfahren zum Herstellen von
Azoverbindungen
in kristalliner Form
in kristalliner Form
Anmelder:
Siemens Aktiengesellschaft, Berlin und München, 8520 Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50
Als Erfinder benannt:
Fritz Wenzel, 2000 Hamburg-Bergedorf;
Dr. Hans Merkel, 8520 Erlangen
Die mit dem erfindungsgemäßen Verfahren erhaltenen Einkristalle sind von gut definierter Form
und von kubischer Kristallstruktur. Sie sind erheblich reiner als das verwendete Ausgangsmaterial.
Ein besonderer Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens und seiner reinigenden Wirkung ist, daß
als Ausgangsmaterial eine amorphe oder kristalline AinBv-Verbindung oder deren einzelne Verbindungskomponenten von beliebigem Reinheitsgrad verwendet
werden kann.
Ein anderer Vorteil des Verfahrens gemäß der Erfindung beruht darauf, daß an dem physikalischchemischen
Vorgang, auf dem das Verfahren aufbaut, keine fremden Elemente beteiligt sind; eine Verunreinigung
durch fremde Elemente, wie das bei den bekannten unter Zuhilfenahme fremder Stoffe, z. B.
Halogen, Sauerstoff oder Wasser, ablaufenden Transportreaktionen möglich ist, wird dadurch weitgehend
ausgeschlossen.
Es wird angenommen, daß beim Überleiten der Elemente der V. Gruppe über die A111BV-Verbindungen
gasförmige Subverbindungen der Α-Komponente mit der B-Komponente entstehen. Dieser Vorgang kann
bei InP wie folgt formuliert werden:
P In (gasförmig) + P2 (gasförmig)
Auch bei den Antimoniden existieren derartige Subverbindungen. Beispielsweise wird in »Compound
Semiconductors«, New York 1961, S. 497, von R. K. Williardson und H. L. G ο e r i η g die
Verbindung InSb2 genannt.
809 538/499
Das Verfahren gemäß der Erfindung kann in einem offenen oder in einem geschlossenen Reaktionssystem
durchgeführt werden. Wird ein offenes System verwendet, kann die Dampfatmosphäre des Elementes
der V. Gruppe durch ein inertes Trägergas, z. B. Helium, über die als Ausgangsmaterial dienende
AniBv-Verbindung bzw. das betreffende Element
der m. Gruppe bewegt werden. Die Strömungsgeschwindigkeit der Dampfatmosphäre des Elementes
der V. Gruppe wird vorzugsweise auf 0,1 bis 1000 m/Std. bemessen.
In einer Abwandlung des Verfahrens wird ein einseitig geschlossenes System verwendet. Am offenen
Ende des Systems wird der erzeugte Dampf des Elementes der V. Gruppe abgeleitet dadurch, daß
z. B. eine Pumpvorrichtung zur Absaugung des Dampfes verwendet wird. Ein kontinuierlicher Dampfstrom
des Elementes der V. Gruppe kann auch dadurch aufrechterhalten werden, daß dieser Dampf
in einer Kühlvorrichtung am Ende des Reaktionssystems kondensiert wird.
In Tabelle 1 sind die erforderlichen Temperaturdifferenzen
zwischen der Zone hoher Temperatur und der Zone tiefer Temperatur zusammengefaßt.
Temperaturdifferenz zwischen der Zone
hoher und tieferer Temperatur
hoher und tieferer Temperatur
AIP mindestens 300C, vorzugsweise 100 bis 900°.C
GaP mindestens 150C, vorzugsweise 100 bis 9000C
InP mindestens 15° C, vorzugsweise 80 bis 5000C
BAs mindestens 300C, vorzugsweise 200 bis 8500C
AlAs mindestens 2O0C, vorzugsweise 150 bis 8000C
GaAs mindestens 15° C, vorzugsweise 150 bis 7000C
InAs mindestens 1O0C, vorzugsweise 100 bis 500° C
AlSb mindestens 15° C, vorzugsweise 100 bis 7000C
GaSb mindestens 100C, vorzugsweise 50 bis 5000C
InSb mindestens 10° C, vorzugsweise 50 bis 7000C
In der Tabelle 2 sind die erforderlichen Temperaturbereiche
für die Zone hoher Temperatur sowie die Zone der niederen Temperatur und der nötige Dampfdruck
des Elementes der V. Gruppe zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Herstellen
der jeweiligen A:niBv-Verbindungen zusammengestellt.
Zone hoher Temperatur [0C] | 900 bis 1800 | Zone tieferer Temperatur [0C] |
Dampfdruck des Elementes der V. Gruppe | |
AIP | mindestens 500, | 500 bis 1400 | mindestens 0,01 Atm., | |
vorzugsweise | 900 bis 1600 | vorzugsweise 0,5 bis 10 Atm. | ||
GaP | mindestens 400, | 300 bis 1000 | mindestens 0,01 Atm., | |
vorzugsweise | 500 bis 1000 | vorzugsweise 0,5 bis 10 Atm. | ||
InP | mindestens 250, | 200 bis 800 | mindestens 0,001 Atm., | |
vorzugsweise | LOOO bis 1800 | vorzugsweise 0,5 bis 10 Atm. | ||
BAs | mindestens 450, | 400 bis 1600 | mindestens 0,001 Atm., | |
vorzugsweise'. | 900 bis 1800 | vorzugsweise 0,5 bis 10 Atm. | ||
AlAs | mindestens 400, | 350 bis 1500 | mindestens 0,001 Atm., | |
vorzugsweise | 900 bis 1600 | vorzugsweise 0,5 bis 10 Atm. | ||
GaAs | mindestens 400, | 300 bis 1200 | mindestens 0,01 Atm., | |
vorzugsweise | 500 bis 1000 | vorzugsweise 0,5 bis 10 Atm. | ||
InAs | mindestens 150, | 250 bis 930 | mindestens 0,01 Atm., | |
vorzugsweise | 700 bis 1700 | vorzugsweise 0,5 bis 10 Atm. | ||
AlSb | mindestens 250, | 300 bis 1050 | mindestens 10~4 Torr, | |
vorzugsweise | 600 bis 1600 | vorzugsweise 10~3 bis 50 Torr | ||
GaSb | mindestens 200, | 250 bis 690 | mindestens 10~4 Torr, | |
vorzugsweise | 500 bis 1600 | vorzugsweise 10~3 bis 10"1 Torr | ||
InSb | mindestens 150, | 200 bis 510 | mindestens 10~4 Torr, | |
vorzugsweise | vorzugsweise 10~s bis 10~a Torr | |||
An Hand der Zeichnung und einiger Ausführungsbeispiele wird die Erfindung ausführlich erläutert.
Es zeigt
F i g. 1 eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens gemäß der Erfindung mit offenem Reaktionssystem,
F i g. 2 eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens gemäß der Erfindung mit einseitig geschlossenem
Reaktionssystem,
F i g. 3 eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens gemäß der Erfindung mit geschlossenem
Reaktionssystem.
Die F i g. 1 stellt im Schnitt eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens gemäß der Erfindung
dar. Mit 11 ist das Reaktionssystem bezeichnet, das aus einem beidseitig offenen Rohr besteht. Im Inneren
des Rohres befinden sich zwei schiffchenförmige Vorratsbehälter 12 und 13. Der Vorratsbehälter 12
dient zur Aufnahme des Elementes der V. Gruppe und der Vorratsbehälter 13 zur Aufnahme des Ausgangsmaterials
in Form einer AraBv-Verbindung oder
des betreffenden Elementes der IH. Gruppe. Das Reaktionssystem befindet sich im Inneren zweier
Heizöfen 14 bzw. 15. Bei 16 wird das inerte Trägergas in das Reaktionssystem eingeleitet und bei 17 wieder
abgeführt. Bei 18 ist die entsprechende AUJ13v-Vorbindung dargestellt, die sich polykristallin und i
kristallin, niederschlägt.
kristallin, niederschlägt.
Das rohrförmige Reaktionssystem 11, das z.
Aluminiumoxid bestehen kann, wird durch die
Aluminiumoxid bestehen kann, wird durch die
Heizöfen 14 und 15 so erhitzt, daß sich
Reaktionsrohr drei verschieden'e Tempera
ausbilden können. Die erste dient zur Er
Dampfatmosphäre aus dem Element der
Reaktionsrohr drei verschieden'e Tempera
ausbilden können. Die erste dient zur Er
Dampfatmosphäre aus dem Element der
5 6
das sich in dem Vorratsbehälter 12 befindet, in der Verfahrens somit AmBv-Einkristalle mit Schichtenzweiten
Temperaturzone (Zone hoher Temperatur) folgen verschiedener Leitfähigkeit, z. B. n-p-n- bzw.
befindet sich der Vorrat an Ausgangsmaterial im p-n-p-Schichtenfolgen, hergestellt werden, dadurch,
Behälter 13 und wird hier in die Dampfphase über- daß verschieden dotierende Substanzen dem Dampf
geführt. Die dritte Zone 18 ist das Gebiet der Ab- 5 des Elementes der V. Gruppe bzw. dem Ausgangsscheidung
der gereinigten polykristallinen bzw. ein- material zugemischt werden,
kristallinen A111Bv-Verbindung. Die Abscheidungszone . .
kann zweckmäßigerweise als aus der Apparatur Beispiel
herausnehmbarer Teil gestaltet werden, z. B. als Ein Aluminiumoxidschiffchen wird mit 3 g granu-Einlageschale in Form eines längs aufgeschnittenen io liertem Aluminium gefüllt und in ein beidseitig Rohres. offenes Rohr aus Aluminiumoxid gebracht. Außerdem
kristallinen A111Bv-Verbindung. Die Abscheidungszone . .
kann zweckmäßigerweise als aus der Apparatur Beispiel
herausnehmbarer Teil gestaltet werden, z. B. als Ein Aluminiumoxidschiffchen wird mit 3 g granu-Einlageschale in Form eines längs aufgeschnittenen io liertem Aluminium gefüllt und in ein beidseitig Rohres. offenes Rohr aus Aluminiumoxid gebracht. Außerdem
In F i g. 2 ist mit 21 das Reaktionssystem bezeichnet, wird ein Aluminiumoxidschiffchen mit 27 g rotem
das aus einem einseitig geschlossenen Rohr besteht. Phosphor an das Eingangsende des Rohres gebracht.
Im Inneren des Rohres befinden sich zwei schiffchen- Der Phosphorvorrat wird auf 4000C und das AIu-
förmige Behälter 22 und 23. Der Vorratsbehälter 22 15 minium auf 1250° C mit Hilfe von elektrischen
dient zur Aufnahme des Elementes der V. Gruppe Widerstandsöfen erhitzt. Durch das Rohr wird vom
und der Vorratsbehälter 23 zur Aufnahme des Aus- Eingangsende her ein Argonstrom mit einer Ge-
gangsmaterials. schwindigkeit von 21/Std. geleitet, der zunächst den
Das Reaktionsrohr befindet sich im Inneren zweier erhitzten Phosphor und anschließend den Aluminium-Heizöfen
24 bzw. 25. Das offene Rohrende bei 26 20 vorrat umstreicht. Das Aluminium setzt sich mit
führt zur Aufrechterhaltung eines kontinuierlichen dem gasförmigen Phosphor zunächst zu AIP um.
Dampfstromes des Elementes der V. Gruppe zu einer Das so erzeugte AIP dient ohne Unterbrechnung des
nicht gezeichneten Pumpvorrichtung oder zu einer Prozesses zur Durchführung des erfindungsgemäßen
nicht gezeichneten Kühlvorrichtung. Bei 27 ist die Verfahrens, bei dem sowohl die Phosphortemperatur
kristalline A111BV-Verbindung dargestellt, die sich 25 von 400° C als auch die AIP-Temperatur von 12500C
polykristallin und einkristallin niederschlägt. beibehalten werden. In der auf das AlP-Ausgangs-
F i g. 3 stellt eine weitere Vorrichtung zur Durch- material folgenden Temperaturzone, die auf 825 bis
führung des Verfahrens gemäß der Erfindung dar. 1020° C erhitzt wird, scheidet sich kristallines AIP
Hier ist das Reaktionssystem beidseitig geschlossen. aus der Phosphordampfatmosphäre ab.
Dieses besteht aus einem beidseitig geschlossenen 30 , . _
Rohr 31. Im Inneren des Rohres 31 befindet sich B e 1 s ρ 1 e 1 11
bei 32 das Element der V. Gruppe und bei 33 das In einem einseitig geschlossenen Aluminiumoxidentsprechende Element der III. Gruppe oder dessen rohr werden am geschlossenen Ende in einem Alu-Verbindung mit einem Element der V. Gruppe. miniumoxidschiffchen 40 g roter Phosphor und im Das geschlossene Reaktionssystem befindet sich im 35 mittleren Teil des Rohrverlaufs 3 g granuliertes Alu-Inneren zweier Heizöfen 34 bzw. 35. Bei 36 ist die minium in einem Aluminiumoxidschiffchen gelagert, kristalline AniBv-Verbindung dargestellt, die sich Die im Rohr befindliche Luft wird mit Argon verpolykristallin und einkristallin niederschlägt. Durch drängt und das Rohr in zwei waagerecht nebenein-Einbau von Prallwänden in die Abscheidungszone kann ander angeordnete Öfen gelegt, so daß der Phosphor die Ausbeute an kristallinem Material erhöht werden. 40 sich in dem einen, der Aluminiumvorrat in dem anderen
Dieses besteht aus einem beidseitig geschlossenen 30 , . _
Rohr 31. Im Inneren des Rohres 31 befindet sich B e 1 s ρ 1 e 1 11
bei 32 das Element der V. Gruppe und bei 33 das In einem einseitig geschlossenen Aluminiumoxidentsprechende Element der III. Gruppe oder dessen rohr werden am geschlossenen Ende in einem Alu-Verbindung mit einem Element der V. Gruppe. miniumoxidschiffchen 40 g roter Phosphor und im Das geschlossene Reaktionssystem befindet sich im 35 mittleren Teil des Rohrverlaufs 3 g granuliertes Alu-Inneren zweier Heizöfen 34 bzw. 35. Bei 36 ist die minium in einem Aluminiumoxidschiffchen gelagert, kristalline AniBv-Verbindung dargestellt, die sich Die im Rohr befindliche Luft wird mit Argon verpolykristallin und einkristallin niederschlägt. Durch drängt und das Rohr in zwei waagerecht nebenein-Einbau von Prallwänden in die Abscheidungszone kann ander angeordnete Öfen gelegt, so daß der Phosphor die Ausbeute an kristallinem Material erhöht werden. 40 sich in dem einen, der Aluminiumvorrat in dem anderen
Weiterhin ist es möglich, eine Vorrichtung in das Ofen befindet. Der Phosphor wird auf 140° C, das
Rohreinzusetzen, die es ermöglicht, auf einem Material Aluminium auf 12800C erhitzt. Der gasförmige
gleicher oder ähnlicher Gitterstruktur wie das der zur Phosphor wird am Ausgang des Rohres in einer
Abscheidung gelangende AmBv-Verbindung, diese Kühlanlage kondensiert, so daß ein kontinuierlicher
epitaxial abzuscheiden. 45 Phosphordampfstrom das Rohr durchströmt. Das
Die Apparatur kann waagerecht, senkrecht oder Aluminium reagiert zunächst mit dem gasförmigen
beliebig geneigt angeordnet und das bereits ver- Phosphor, und es entsteht AIP, das ohne Unterwendete
Trägergas sowie die bereits verwendete brechung des Prozesses zur Durchführung des erAtmosphäre
des Elementes der V. Gruppe in einem findungsgemäßen Verfahrens dient, bei dem sowohl
Umlauf system erneut verwendet werden. Auch ist 50 die Phosphortemperatur von 410°C als auch die
es möglich, die Anordnung so zu gestalten, daß in der AIP-Temperatur von 128O0C beibehalten werden.
Apparatur zunächst das Phosphid oder das Arsenid Nach 70 Stunden wird das Rohr abgekühlt. In der
oder das Antimonid des jeweiligen Elementes der auf das AIP-Ausgangsmaterial folgenden Temperatur-III.
Gruppe in bekannter Weise, z.B. aus den EIe- zone, die auf 795 bis 10500C erhitzt wird, hat sich
menten, hergestellt wird und daß während oder nach 55 kristallines AIP aus der Phosphordampfatmosphäre
Beendigung dieses Vorganges der verfahrensgemäße abgeschieden.
Prozeß abläuft. Dabei wird das frisch gebildete Beispiel III
Phosphid oder Arsenid oder Antimonid mit Hufe
Prozeß abläuft. Dabei wird das frisch gebildete Beispiel III
Phosphid oder Arsenid oder Antimonid mit Hufe
der schon zu seiner Darstellung verwendeten Phosphor- In einem einseitig geschlossenen Rohr aus Aluoder
Arsen- oder Antimondampfatmosphäre in die 60 miniumoxid werden in der Nähe des geschlossenen
Gasphase überführt und in der dafür vorgesehenen Endes in einem Aluminiumoxidschiffchen 1,7 g granu-Zone
der Apparatur in kristalliner Form abgeschieden. liertes Aluminium gelagert. Am anderen Ende werden
Das erfindungsgemäße Verfahren erlaubt es, dem in einem Aluminiumoxidschiffchen 3 g roter Phosphor
Dampf des Elementes der V. Gruppe bzw. dem Aus- untergebracht. Das Rohr wird anschließend evakuiert
gangsmaterial dotierende Substanzen zuzumischen, 65 und verschlossen und in zwei waagerecht nebenum
polykristalline bzw. einkristalline AniBv-Ver- einander angeordnete Öfen gelegt, so daß der Alubindungen
vorgegebener Leitfähigkeit herzustellen. miniumvorrat sich in dem einen, der Phosphorvorrat
Es können durch mehrmalige Wiederholung des in dem anderen Ofen befindet. Das Aluminium wird
7 8
zunächst 24 Stunden auf 7000C, der Phosphor auf befindet sich ein Quarzschiffchen mit 45 g rotem
360°C erhitzt zur Umsetzung des Al zu AIP. Sodann Phosphor am Eingangsende des Rohres. Das Rohr
wird die Temperatur des AIP auf 1250° C und die des wird in zwei waagerecht nebeneinander angeordnete
Phosphors auf 400° C eingestellt. Nach insgesamt Öfen gelegt, mit deren Hufe der Phosphorvorrat auf
168 Stunden wird das Rohr abgekühlt. Das Alu- 5 400°C und das InP auf 1000°C erhitzt wird. Durch
minium hat sich mit dem gasförmigen Phosphor zu das Rohr wird vom Eingangsende her ein Argonstrom
AIP umgesetzt, das einkristalline Kristallnadeln bis mit einer Geschwindigkeit von 11/Std. geleitet, der
zu 20 mm Länge bildet. In der Temperaturzone von zunächst den erhitzten Phosphor und sodann das
650 bis 775 0C hat sich aus der Phosphordampf- InP überstreicht. In der auf das InP folgenden Tematmosphäre
kristallines AIP abgeschieden. io peraturzone, die auf 715 bis 850° C erhitzt wird,
_. . . , _,. scheidet sich InP in Form von Einkristallen und
Beispiel IV polykristallin ab.
Ein Alumim'umoxidschiffchen wird mit 3 g GaP Beispiel VIII
gefüllt und in ein beidseitig offenes Rohr aus Alu-
rniniumoxid gebracht. Außerdem wird ein Aluminium- 15 In einem einseitig geschlossenen Quarzrohr befinden
oxidschiffchen mit 25 g rotem Phosphor am Eingangs- sich am geschlossenen Ende in einem Quarzschiffchen
ende des Rohres angeordnet. Das Rohr wird in zwei 50 g roter Phosphor und im mittleren Teil des Rohrwaagerecht
nebeneinander angeordnete Öfen gelegt, Verlaufs 2 g InP in einem Quarzschiffchen. Die im
mit deren Hilfe der Phosphorvorrat auf 400° C und Rohr befindliche Luft wird mit Argon verdrängt und
das GaP auf 1500°C erhitzt wird. Durch das Rohr ao das Rohr in zwei waagerecht nebeneinander anwird
vom Eingangsende her ein Argonstrom mit einer geordnete Öfen gelegt, so daß der Phosphor sich in
Geschwindigkeit von 21/Std. geleitet, der zunächst dem einen, das InP in dem anderen Ofen befindet. Der
den erhitzten Phosphor und sodann das GaP über- Phosphor wird auf 410° C, das InP auf 800° C erhitzt,
streicht. In der auf das GaP folgenden Temperaturzone, Der gasförmige Phosphor wird am Ausgang des
die auf 750 bis 1080° C erhitzt wird, scheidet sich GaP 25 Rohres in einer Kühlanlage kondensiert, so daß ein
in Form von Einkristallen ab, die bis 170 mm lang kontinuierlicher Phosphordampf strom das Rohr durchsind,
streicht. Nach 44 Stunden wird das Rohr abgekühlt. B e i s η i e 1 V In der auf das Ausgangs-Indiumphosphid folgenden
p Temperaturzone von 390 bis 425°C hat sich InP in
In einem einseitig geschlossenen Aluminiumoxid- 30 einkristalliner Form aus der Phosphordampfatmorohr
werden am geschlossenen Ende in einem Alu- Sphäre abgeschieden, miniumoxidschiffchen 35 g rohter Phosphor und im . . TV
mittleren Teil des Rohrverlaufs 3g GaP in einem Beispiel IX
Aluminiumoxidschiffchen gelagert. Die im Rohr In einem einseitig geschlossenen Rohr aus Quarz
befindliche Luft wird mit Argon verdrängt und das 35 wird in der Nähe des geschlossenen Endes in einem
Rohr in zwei waagerecht nebeneinander angeordnete Quarzschiffchen 1 g InP angeordnet. Am anderen
Öfen gelegt, so daß der Phosphor sich in dem einen, Ende wird in einem Quarzschiffchen 1 g roter Phosphor
das GaP in dem anderen Ofen befindet. Der Phosphor untergebracht. Das Rohr wird anschließend evakuiert
wird auf 140°C, das GaP auf 1480°C erhitzt. Der und verschlossen und in zwei waagerecht nebeneingasförmige
Phosphor wird am Ausgang des Rohres in 40 ander angeordnete Öfen gelegt, so daß der InP-Vorfat
einer Kühlanlage kondensiert, so daß ein kontinuier- sich in dem einen, der Phosphorvorrat in dem anderen
licher Phosphordampf strom das Rohr durchströmt. Ofen befindet. Das InP wird auf 600 0C, der Phosphor
Nach 75 Stunden wird das Rohr abgekühlt. In der auf 400° C und die InP-Abscheidungszone auf 360 bis
auf das Ausgangs-Galliumphosphid folgenden Tem- 400 0C erhitzt. In der Abscheidungszone hat sich InP
peraturzone von 805 bis HlO0C hat sich GaP in 45 in Form von einkristallinen Nadeln abgeschieden.
einkristalünerFormausder Phosphordampfatmosphäre . . ,
abgeschieden. Beispiel λ
BeisüielVI ^n emer evakuierten Aluminiumoxidampulle sind
am einen Ende 2,5 g Aluminium, am anderen Ende
In einem einseitig geschlossenen Rohr aus Alu- 50 9 g Arsen in Aluminiumoxidschiffchen untergebracht,
rniniumoxid werden in der Nähe des geschlossenen Die Ampulle wird in zwei nebeneinander angeordnete
Endes in einem Aluminiumoxidschiffchen 0,9 g GaP Öfen gelegt und das Al auf 1500° C, das As auf 610° C
angeordnet. Am anderen Ende werden in einem erhitzt. Nach 190 Stunden wird die Ampulle abgekühlt.
Aluminiumoxidschiffchen 2 g roter Phosphor unter- In der Zone, die auf 800 bis 1020° C erhitzt worden
gebracht. Das Rohr wird anschließend evakuiert und 55 war, hat sich AlAs in Form von Kristallen, überwiegend
verschlossen und in zwei waagerecht nebeneinander Einkristallen, abgeschieden,
angeordnete Öfen gelegt, so daß der GaP-Vorrat
sich in dem einen, der Phosphorvorrat in dem anderen B e 1 s ρ 1 e 1 Xl
Ofen befindet. Das GaP wird auf 1450° C, der Phosphor In einem beidseitig offenen Aluminiumoxidrohr
auf 400° C und die GaP-Abscheidungszone auf 580 bis 60 sind am einen Ende 3 g AlSb, am anderen Ende 3 g Sb
800° C erhitzt. Nach 113 Stunden wird das Rohr ab- in Aluminiumoxidschiffchen untergebracht. Das Rohr
gekühlt und geöffnet. In der Abscheidungszone hat wird in zwei nebeneinander angeordnete Öfen gelegt
sich GaP in Form von Haarkristallen und ein- und das AlSb auf 1400°C, das Sb auf 1000°C erhitzt
kristallinen Nadeln abgeschieden. und ein Argonstrom (21/Std.) durch das Rohr geleitet.
. . 65 Nach 48 Stunden wird das Rohr abgekühlt. In der
B e 1 s ρ 1 e 1 VIl 2one, die auf 850 bis 970° C erhitzt worden war, hat
Ein Quarzschiffchen wird mit 2 g InP gefüllt und in sich AlSb in kristalliner, überwiegend einkristalliner
ein beidseitig offenes Quarzrohr gebracht. Außerdem Form abgeschieden.
Beispiel XVIII
In einer evakuierten Aluminiumoxidampulle sind am einen Ende 1,5 g GaAs, am anderen Ende 1 g As
mAluminiumoxidschiffchenuntergebracht.DieAmpulle wird in zwei nebeneinander angeordnete Öfen gelegt
und das GaAs auf 1200°C, das As auf 6100C erhitzt. Nach 25 Stunden wird die Ampulle abgekühlt. In der
Zone, die auf 740 bis 95Q0C erhitzt worden war, hat GaAs in kristalliner, überwiegend einkristalliner
Form abgeschieden.
Beispiel XIII
Ein beidseitig offenes Aluminiumoxidrohr wird am einen Ende mit 1,5 g GaSb, am anderen Ende mit
3,9 g Sb in Aluminiumoxidschiffchen beschickt, Das Rohr wird durch zwei nebeneinanderstehende Öfen
geleitet und das GaSb auf 75O0C, das Sb auf 6200C
erhitzt und durch das Rohr ein Argonstrom geleitet (21/Std.). Nach 89 Stunden wird das Rohr abgekühlt, ao
In der Zone, die auf 460 bis 6500C erhitzt worden war,
hat sich GaSb in kristalliner, überwiegend in einkristalliner Form abgeschieden.
Beispiel XIV *5
In einer evakuierten Aluminiumoxidampulle sind am einen Ende 1,5 g InAs, am anderen Ende 1 g As
in Aluminiumoxidschiffchen untergebracht. Die Ampulle wird in zwei nebeneinander angeordnete öfen
gelegt und das InAs auf 8000C, das As auf 61O0C
erhitzt. Nach 106 Stunden wird die Ampulle abgekühlt. In einer Zone, die auf 400 bis 470° C erhitzt worden war,
haben sich Kristalle, überwiegend Einkristalle, von InAs abgeschieden.
B e i s ρ i e 1 XV
Ein beidseitig offenes Aluminiumoxidrohr wird am einen Ende mit 2 g InSb, am anderen Ende mit 5 g Sb
in Aluminiumoxidschiffchen beschickt. Das Rohr wird durch zwei nebeneinanderstehende Öfen geleitet
und das InSb auf 950° C, das Sb auf 10000C erhitzt
und zugleich ein Argonstrom (21/Std.) durch das Rohr geleitet. Nach 50 Stunden wird das Rohr abgekühlt.
In der Zone, die auf 320 bis 45O0C erhitzt
worden war, hat sich InSb überwiegend in Einkreistallform abgeschieden.
In einer evakuierten Aluminiumoxidampulle werden am einen Ende 0,1 g amorphes Bor, am anderen Ende
1,2 g As in Aluminiumoxidschiffchen untergebracht. Die Ampulle wird in zwei nebeneinander angeordnete
Öfen gelegt und das Bor auf 13000C, das Arsen auf 68O0C erhitzt. Nach 210 Stunden wird die Ampulle
abgekühlt. In einer Zone, die auf 675 bis 9450C erhitzt
worden war, ist BAs in kristalliner, überwiegend einkristalliner Form aufgewachsen.
Beispiel XVII
In einer evakuierten Quarzampulle sind am einen Ende 0,7 g AlSb und am anderen Ende 1,0 g Sb in
Aluminiumoxidschiffchen untergebracht. Die Ampulle wird in zwei nebeneinander angeordnete Öfen gelegt
und das AlSb auf 1050°C und das Sb auf 620°C erhitzt.
Nach 48 Stunden wird die Ampulle abgekühlt. In der Zone, die auf 650 bis 800 0C erhitzt worden war, hat
sich AlSb in kristalliner Form abgeschieden.
In einer evakuierten Quarzampulle ist am einen
Ende 1 g InSb und am anderen Ende 1 g Sb in AIuminiumoxidschiffchen
untergebracht. Die Ampulle wird in zwei nebeneinander angeordnete Öfen gelegt
und das InSb auf 5OQ0C und das Sb auf 620°C erhitzt.
Nach 106 Stunden wird die Ampulle abgekühlt. In der Zone, die auf 388 bis 4000C erhitzt worden war,
hat sich InSb in feinkristalliner Form abgeschieden.
Claims (9)
1. Verfahren zur Herstellung von AnIBv-Verbindungen
in kristalliner Form, insbesondere der Phosphide, Arsenide und Antimonide des Aluminiums,
Galliums, Indiums und Bors — ausgenommen des Borphosphids — durch Überleiten
eines Dampfes eines Elementes der V. Gruppe über ein Element der III. Gruppe bei erhöhter Temperatur,
dadurchgekennzeichnet, daß in einem Reaktionssystem drei Zonen unterschiedlicher
Temperaturen erzeugt werden, wobei das Element der V. Gruppe in an sich bekannter Weise
auf eine Temperatur erhitzt wird, bei der es in die Dampfphase übergeführt wird, und das Element
der III. Gruppe oder eines Verbindung mit dem Element der V. Gruppe in einer zweiten Zone auf
einer Temperatur gehalten wird, bei der die Verbindungskomponenten in die Dampfphase übergeführt
werden und in einer dritten Zone bei niedriger Temperatur in kristalliner Form abgeschieden
werden, wobei diese Temperatur für InAs, InSb und GaSb mindestens 100C, für
InP, GaP, GaAs und AlSb mindestens 15°C sowie für AIP und BAs mindestens 30° C niedriger ist als
die Temperatur der zweiten Zone.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die drei Zonen unterschiedlicher
Temperaturen in einem offenen Reaktionssystem erzeugt werden und daß der Dampf des Elementes
der V. Gruppe mit Hilfe eines inerten Trägergases über das Element der III. Gruppe oder dessen
Verbindung mit einem Element der V. Gruppe geleitet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die drei Zonen unterschiedlicher
Temperaturen in einem einseitig geschlossenen Reaktionssystem erzeugt werden und daß der
Dampf des Elementes der V. Gruppe mittels einer Pumpvorrichtung am offenen Ende abgesaugt wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die drei Zonen unterschiedlicher
Temperaturen in einem beidseitig geschlossenen Reaktionssystem erzeugt werden.
5. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß zur Vergrößerung
des Reinigungseffektes das Verfahren wiederholt durchgeführt wird.
6. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß — zur Erzielung
eines epitaxialen Abscheidern der gewünschten AniBv-Verbindung — ein Auffänger, bestehend
aus der entsprechenden A111B7-Verbindung oder
aus einem Material ähnlicher oder gleicher Gitterstruktur, verwendet wird.
7. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß zur Herstellung von
809 538/499
kristallinen AmBv-Verbindungen vorgegebener
Leitfähigkeit dem Dampf des Elementes der V. Gruppe dotierende Substanzen zugemischt
werden.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß zur Herstellung von
kristallinen ArnBv-Verbindungen vorgegebener
Leitfähigkeit dem Element der ΠΙ. Gruppe oder dessen Verbindungen mit einem Element der
V. Gruppe dotierende Substanzen zugemischt werden.
9. Verfahren nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, daß zur Herstellung von ein-
kristallinen AraBv-Verbindungen mit Schichtenfolgen
verschiedener Leitfähigkeit, z. B. n-p-n- bzw. p-n-p-Schichtenfolgen, das Verfahren wiederholt
durchgeführt wird.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Auslegeschriften Nr. 1 029 803,1128 841; USA.-Patentschriften Nr. 2 759 861, 2 862 787;
Halbleiterprobleme, Bd. V, 1960, S. 55;
Journal of the Electrochemical Society, 105 (1958), S. 695.
Deutsche Auslegeschriften Nr. 1 029 803,1128 841; USA.-Patentschriften Nr. 2 759 861, 2 862 787;
Halbleiterprobleme, Bd. V, 1960, S. 55;
Journal of the Electrochemical Society, 105 (1958), S. 695.
In Betracht gezogene ältere Patente:
Deutsches Patent Nr. 1191 794.
Deutsches Patent Nr. 1191 794.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
309 538/499 4.68 © Bundeadnickerei Berlin
Priority Applications (16)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL286890D NL286890A (de) | 1962-03-29 | ||
BE630321D BE630321A (de) | 1962-03-29 | ||
NL297600D NL297600A (de) | 1962-03-29 | ||
DES78719A DE1191794B (de) | 1962-03-29 | 1962-03-29 | Verfahren zur Herstellung gereinigter Borphosphideinkristalle |
CH1360562A CH477365A (de) | 1962-03-29 | 1962-11-20 | Verfahren zum Herstellen von kristallinem Borphosphid |
DE1962S0082828 DE1265716C2 (de) | 1962-03-29 | 1962-12-12 | Verfahren zum Herstellen von AB-Verbindungen in kristalline Form |
US266736A US3340009A (en) | 1962-03-29 | 1963-03-20 | Method of producing crystalline boron phosphide |
FR928818A FR1407655A (fr) | 1962-03-29 | 1963-03-23 | Procédé de fabrication de phosphure de bore cristallin |
GB12640/63A GB1032604A (en) | 1962-03-29 | 1963-03-29 | A process for use in the production of crystalline boron phosphide |
AT665463A AT244304B (de) | 1962-12-12 | 1963-08-20 | Verfahren zur Herstellung von Verbindungen aus einem Element der III. Gruppe mit einem Element der V. Gruppe des Periodischen Systems |
CH1043263A CH449590A (de) | 1962-03-29 | 1963-08-23 | Verfahren zum Herstellen von III-V-Verbindungen in kristalliner Form |
US334961A US3269878A (en) | 1962-03-29 | 1963-12-05 | Method of producing iii-v semiconductor compounds in crystalline form |
FR956835A FR1424413A (fr) | 1962-03-29 | 1963-12-11 | Procédé pour la fabrication de composés cristallins du type iii.v |
SE13797/63A SE326163B (de) | 1962-03-29 | 1963-12-11 | |
BE641093A BE641093A (de) | 1962-03-29 | 1963-12-11 | |
GB49223/63A GB1063084A (en) | 1962-03-29 | 1963-12-12 | The production of a b -compounds in crystalline form |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DES78719A DE1191794B (de) | 1962-03-29 | 1962-03-29 | Verfahren zur Herstellung gereinigter Borphosphideinkristalle |
DE1962S0082828 DE1265716C2 (de) | 1962-03-29 | 1962-12-12 | Verfahren zum Herstellen von AB-Verbindungen in kristalline Form |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1265716B true DE1265716B (de) | 1968-04-11 |
DE1265716C2 DE1265716C2 (de) | 1968-11-14 |
Family
ID=25996821
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DES78719A Pending DE1191794B (de) | 1962-03-29 | 1962-03-29 | Verfahren zur Herstellung gereinigter Borphosphideinkristalle |
DE1962S0082828 Expired DE1265716C2 (de) | 1962-03-29 | 1962-12-12 | Verfahren zum Herstellen von AB-Verbindungen in kristalline Form |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DES78719A Pending DE1191794B (de) | 1962-03-29 | 1962-03-29 | Verfahren zur Herstellung gereinigter Borphosphideinkristalle |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US3340009A (de) |
BE (2) | BE641093A (de) |
CH (2) | CH477365A (de) |
DE (2) | DE1191794B (de) |
GB (2) | GB1032604A (de) |
NL (2) | NL286890A (de) |
SE (1) | SE326163B (de) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE630321A (de) * | 1962-03-29 | |||
JPS4820106B1 (de) * | 1968-03-08 | 1973-06-19 | ||
JPS557946B2 (de) * | 1972-04-19 | 1980-02-29 | ||
US4093704A (en) * | 1974-01-16 | 1978-06-06 | U.S. Philips Corporation | Method for synthesis of III-V compounds |
US4550014A (en) * | 1982-09-09 | 1985-10-29 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Method for production of free-standing polycrystalline boron phosphide film |
US4559217A (en) * | 1983-11-01 | 1985-12-17 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Method for vacuum baking indium in-situ |
US4783320A (en) * | 1985-11-25 | 1988-11-08 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Rapid synthesis of indium phosphide |
US4946543A (en) * | 1986-06-02 | 1990-08-07 | Kalisher Murray H | Method and apparatus for growing films on a substrate |
CN107868981B (zh) * | 2016-09-28 | 2020-09-29 | 清华大学 | 一种金属铂的半金属化合物及其制备方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2759861A (en) * | 1954-09-22 | 1956-08-21 | Bell Telephone Labor Inc | Process of making photoconductive compounds |
DE1029803B (de) * | 1954-09-18 | 1958-05-14 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung einer Verbindung oder einer Legierung in kristalliner Form durch Zusammen-schmelzen der Komponenten in einem abgeschlossenen System |
US2862787A (en) * | 1953-05-27 | 1958-12-02 | Paul F Seguin | Process and apparatus for the preparation of semi-conductors from arsenides and phosphides and detectors formed therefrom |
DE1128841B (de) * | 1958-12-11 | 1962-05-03 | Monsanto Chemicals | Verfahren zur Herstellung von kristallinem Borphosphid der Zusammensetzung B P bis B P |
DE1191794B (de) * | 1962-03-29 | 1965-04-29 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung gereinigter Borphosphideinkristalle |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2871100A (en) * | 1955-07-22 | 1959-01-27 | Rca Corp | Method of preparing indium phosphide |
US3021196A (en) * | 1955-09-23 | 1962-02-13 | Siemens Ag | Method for producing multi-component substances comprising a component of high volatility |
US2937075A (en) * | 1956-06-08 | 1960-05-17 | Rca Corp | Method of preparing pure indium phosphide |
US2921905A (en) * | 1956-08-08 | 1960-01-19 | Westinghouse Electric Corp | Method of preparing material for semiconductor applications |
US2966424A (en) * | 1958-03-03 | 1960-12-27 | Monsanto Chemicals | Crystallization of boron phosphide |
US3019092A (en) * | 1958-12-19 | 1962-01-30 | Rca Corp | Method for purifying materials |
NL252911A (de) * | 1959-06-22 | |||
NL253175A (de) * | 1959-06-29 | |||
NL121550C (de) * | 1959-12-11 | |||
NL275516A (de) * | 1961-03-02 |
-
0
- BE BE630321D patent/BE630321A/xx unknown
- NL NL297600D patent/NL297600A/xx unknown
- NL NL286890D patent/NL286890A/xx unknown
-
1962
- 1962-03-29 DE DES78719A patent/DE1191794B/de active Pending
- 1962-11-20 CH CH1360562A patent/CH477365A/de not_active IP Right Cessation
- 1962-12-12 DE DE1962S0082828 patent/DE1265716C2/de not_active Expired
-
1963
- 1963-03-20 US US266736A patent/US3340009A/en not_active Expired - Lifetime
- 1963-03-29 GB GB12640/63A patent/GB1032604A/en not_active Expired
- 1963-08-23 CH CH1043263A patent/CH449590A/de unknown
- 1963-12-05 US US334961A patent/US3269878A/en not_active Expired - Lifetime
- 1963-12-11 SE SE13797/63A patent/SE326163B/xx unknown
- 1963-12-11 BE BE641093A patent/BE641093A/xx unknown
- 1963-12-12 GB GB49223/63A patent/GB1063084A/en not_active Expired
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2862787A (en) * | 1953-05-27 | 1958-12-02 | Paul F Seguin | Process and apparatus for the preparation of semi-conductors from arsenides and phosphides and detectors formed therefrom |
DE1029803B (de) * | 1954-09-18 | 1958-05-14 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung einer Verbindung oder einer Legierung in kristalliner Form durch Zusammen-schmelzen der Komponenten in einem abgeschlossenen System |
US2759861A (en) * | 1954-09-22 | 1956-08-21 | Bell Telephone Labor Inc | Process of making photoconductive compounds |
DE1128841B (de) * | 1958-12-11 | 1962-05-03 | Monsanto Chemicals | Verfahren zur Herstellung von kristallinem Borphosphid der Zusammensetzung B P bis B P |
DE1191794B (de) * | 1962-03-29 | 1965-04-29 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung gereinigter Borphosphideinkristalle |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US3269878A (en) | 1966-08-30 |
CH477365A (de) | 1969-08-31 |
SE326163B (de) | 1970-07-20 |
BE641093A (de) | 1964-06-11 |
CH449590A (de) | 1968-01-15 |
US3340009A (en) | 1967-09-05 |
BE630321A (de) | |
NL286890A (de) | |
GB1063084A (en) | 1967-03-30 |
NL297600A (de) | |
DE1265716C2 (de) | 1968-11-14 |
DE1191794B (de) | 1965-04-29 |
GB1032604A (en) | 1966-06-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE944209C (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterkoerpern | |
DE1134459B (de) | Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkoerper aus Silizium | |
DE69114445T2 (de) | Oxidsupraleiter und dessen herstellung. | |
DE1017795B (de) | Verfahren zur Herstellung reinster kristalliner Substanzen, vorzugsweise Halbleitersubstanzen | |
DE1667655A1 (de) | Siliziumkarbidkristalle und deren Herstellung | |
DE1265716B (de) | Verfahren zum Herstellen von AB-Verbindungen in kristalline Form | |
DE3446956A1 (de) | Verfahren zum herstellen eines einkristall-substrates aus siliciumcarbid | |
DE2729169A1 (de) | Verfahren zur herstellung von reinem silizium | |
DE2305019B2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum epitaktischen Aufwachsen von Halbleiterschichten mittels Flüssigphasen-Epitaxie | |
DE3390358T1 (de) | Verfahren und Einrichtung zur Erzeugung von Silizium aus Fluorkieselsäure | |
DE2831819C2 (de) | ||
DE69312582T2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Metalloxid-Kristalls | |
AT244304B (de) | Verfahren zur Herstellung von Verbindungen aus einem Element der III. Gruppe mit einem Element der V. Gruppe des Periodischen Systems | |
DE1644045A1 (de) | Elektrolumineszierende Bauelemente und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE102018129492B4 (de) | Vorrichtung und Verfahren zum Züchten von Kristallen | |
AT236341B (de) | Verfahren zum Herstellen von kristallinem Borphosphid | |
DE2441298C3 (de) | Verfahren zum Herstellen weicher hexagonaler Bornitridkristalle | |
DE1254607B (de) | Verfahren zum Herstellen von einkristallinen Halbleiterkoerpoern aus der Gasphase | |
DE1137091B (de) | Material fuer Schenkel von Thermo- bzw. Peltierelementen | |
DE1261842B (de) | Verfahren zum Herstellen von hochreinem Silicium | |
DE1901735C (de) | Verfahren zum Herstellen von emkri stallinen Galhumarsenidstaben | |
AT250441B (de) | Verfahren zum Herstellen von kristallinem vorzugsweise einkristallinem Silizium | |
AT226649B (de) | Verfahren zum Herstellen von einkristallinem Silizium | |
AT228276B (de) | Verfahren zum Herstellen von kristallinen, insbesondere einkristallinen Schichten aus einem halbleitenden Element | |
AT243858B (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterkörpers mit einem p-n-Übergang |