DE1250876B - Aus magnetischen Elementen beste hender Datenspeicher - Google Patents

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND

DEUTSCHES

PATENTAMT

AUSLEGES CHRIFT

250 876 Int. Cl.:

GlIc

Deutsche Kl.: 21 al - 37/60

Nummer:
Aktenzeichen:
Anmeldetag:
Auslegetag:

N24681IXc/21al
25. März 1964
28. September 1967

Die Erfindung betrifft aus einer Anordnung magnetischer Speicherelemente bestehende Datenspeicher, wobei jedes Speicherelement zum Ablesen und Einschreiben von Daten mit Wicklungen versehen ist. Diese Speicherelemente können entweder Ferritringe, dünne, ebene Magnetschichtelemente oder magnetische Drähte sein. Die letztere können wiederum entweder aus einem massiven magnetischen Draht oder aus einem nichtmagnetischen Trägerdraht, auf dem ein magnetischer Überzug abgelagert ist, bestehen. Da es aus verschiedenen Gründen zweckmäßig ist, bei einem solchen Datenspeicher möglichst wenig Wicklungen zu verwenden, ist es ■ bekannt, daß eine Wicklung oder eine Gruppe von Wicklungen sowohl zum Lesen als auch zum Schreiben verwendet wird. Eine solche Wicklung wird im folgenden als Lesetreiberwicklung bezeichnet/Dabei ist es üblich, je nachdem, ob gelesen oder geschrieben werden soll, entweder den Schreibtreiber oder : den Leseverstärker an die Lesetreiberwicklung anzuschalten.

Es sind aber auch Anordnungen bekanntgeworden, die diese Umschaltung nicht benötigen, sondern vielmehr Treiber und Leseverstärker fest mit der Lesetreiberwicklung verbinden. Bei solchen Schaltungen ist es erforderlich, daß die Beeinflussung des Leseverstärkers durch die Treiberstromquelle so gering wie möglich ist. Zu diesem Zweck ist es bekannt, die Lesetreiberwicklung in zwei gleiche Abschnitte zu unterteilen, die mit dem Leseverstärker so gekoppelt sind, daß die in den beiden Abschnitten der Wicklung auftretenden Schreibsignale in ihrer Wirkung auf den Leseverstärker unterdrückt werden. Der Leseverstärker wird durch in beiden Abschnitten , der Wicklung auftretende gleiche Signale nicht beeinflußt. Der von der Treiberstromquelle gelieferte Treiberstrom teilt sich dabei gleichmäßig zwischen den beiden Abschnitten der Wicklung auf, so daß während des Einschreibens von Daten in den Spei- : eher kein resultierendes Signal an den Leseverstärker gelangt. Demgegenüber wird beim Lesen jedoch in nur einem der beiden Abschnitte der Wicklung ein Leseausgangssignal induziert, so daß dieses Signal auf den Leseverstärker einwirken kann.

Obwohl hierdurch die gegenseitige Beeinflussung der Treiberstromquelle und des Leseverstärkers wesentlich verringert wird, tritt in der Praxis während einer Schreibperiode trotzdem eine unerwünscht starke Beeinflussung des Leseverstärkers durch den Treiberstrom auf. Dies ist darauf zurückzuführen, daß die beiden Abschnitte der Wicklung infolge unterschiedlicher Informationsmuster in den magne-Aus magnetischen Elementen bestehender
Datenspeicher

Anmelder:

The National Cash Register Company,

Dayton, Ohio (V. St. A.)

Vertreter:

Dr. A. Stappert, Rechtsanwalt,

Düsseldorf, Feldstr. 80

Beanspruchte Priorität:

V. St. v. Amerika vom 26. März 1963 (268 145)

tischen Elementen, mit denen die beiden Abschnitte der Wicklung infolge unterschiedlicher Informationsmuster in den magnetischen Elementen, mit denen die beiden Abschnitte der Wicklung gekoppelt sind, eine etwas voneinander abweichende Impedanz besitzen. Diese Beeinflussung bewirkt eine zeitweilige Verminderung der Empfindlichkeit des Leseverstärkers, wodurch die Arbeitsgeschwindigkeit des Speichers begrenzt wird.

Aufgabe der Erfindung ist deshalb die Schaffung einer Vorrichtung zum Vermindern einer solchen Beeinflussung des Leseverstärkers in einem eine gemeinsame Störunterdrückung anwendenden Datenspeicher der beschriebenen Art.

Gegenstand der Erfinung ist somit ein aus magnetischen Elementen bestehender Datenspeicher mit zumindest einem gleichzeitig als Leseleiter und Treiberleiter dienenden Leiter, bestehend aus zwei jeweils mit den Speicherelementen des Speichers gekoppelten Teilen, mit einer Treiberstromquelle, deren einer Anschluß mit jeweils dem einen Ende der genannten beiden Leiterteile verbunden ist, mit einem Leseverstärker und einem Kopplungselement zwischen dem Leseverstärker und dem anderen Ende der genannten Leiterteile, wobei die Anordnung so getroffen ist, daß sich die von der Treiberstromquelle durch die genannten beiden Leiterteile gelieferten Ströme in dem genannten Kopplungselement normalerweise aufheben.

Das kennzeichnende Merkmal des erfindungsgemäßen Speichers besteht darin, daß zwischen den genannten anderen Enden der Leiterteile eine bipolar arbeitende nichtlineare Impedanzschaltung angeordnet ist, die eine Übertragung von durch eine

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ungleiche Belastung der beiden Leiterteile während sprechenden von zwanzig Reihenerdleitern R1 bis

des Arbeitens der Treiberstromquelle entstehenden R 20 verbunden sind. Somit kann durch Auswählen

Störsignalen zum Leseverstärker vermindert, die eines Spaltentreibers und eines Reihenerdleiters jede

jedoch die in dem Leiter induzierten Leseausgangs- beliebige Wortzeile ausgewählt werden,

impulse zum Leseverstärker unbeeinflußt läßt. 5 Bei den Ziffernwicklungsleitern besteht der mit

Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nach- jedem Speicherdraht gekoppelte Teil dieses Leiters

stehend an Hand der Zeichnungen beschrieben, und aus zwei in Reihe geschalteten Abschnitten, von

zwar zeigt denen der eine aus einer über sämtliche Speicher-

F i g. 1 eine Prinzipdarstellung eines aus einer elemente dieses Speicherbitdrahtes fortlaufend geAnordnung von Speicherdrähten bestehenden ma- ίο wickelten Wicklung 12 und der andere aus dem gnetischen Datenspeichers, leitenden Träger des Speicherdrahtes besteht.

F i g. 2 ein Schaltbild der Treibervorrichtung für Die den in der oberen Hälfte der Matrix liegenden

eine Wortwicklung des Datenspeichers, zehn Speicherdrähten jeder i?C-Ebene (d. h. den

Fig. 3 ein Schaltbild einer 2?C-Ebene des in Drähten mit den i?-Koordinaten von 1 bis 10) zu-

F i g. 1 gezeigten Datenspeichers, ' 15 geordneten Ziffernwicklungen sind miteinander in

Fig. 4 einige intern Datenspeicher auftretende Reihe geschaltet, während die den in der unteren

Signalformen, Hälfte der Matrix liegenden Speicherdrähten jeder

Fig. 5 die Hysteresisschleife eines magnetischen i?C-Ebene (d.h. den Drähten mit den i?-Koordina-

Elements und ten 11 bis 20) zugeordneten Ziffernwicklungen eben-

F i g. 6 eine perspektivische Ansicht des Daten- 20 falls in Reihe geschaltet sind. Somit besteht jeder

Speichers. Ziffemwicklungsleiter aus je einem gleichen oberen

Der in Fig. 1 gezeigte Datenspeicher besteht aus und unteren Teil. Die benachbarten Enden dieser einer dreidimensionalen Matrix von 9-20-8 Spei- beiden Teile, d. h. die von den Speicherdrähten mit cherelementen in den Koordinatenrichtungen C, R den i?-Koordinaten 10 und 11 kommenden Enden, und D. Die Speicherelemente bilden jeweils einen 25 sind miteinander und mit dem einen Pol des entAbschnitt von 20 · 8: Speicherdrähten. (Die Speicher- sprechenden von acht Ziff erntreiberleitern D1 bis drähte sind dünne Drähte, die im vorliegenden Fall D 8 verbunden, während ihre anderen Enden, d. h. aus einem leitenden, nichtmagnetischen Träger be- die von den Speicherdrähten mit den 2?-Koordinastehen, auf dem eine zusammenhängende dünne ten 1 und 20 kommenden Enden, über eine Brückenmagnetische Überzugsschicht aufgebracht ist.) Die 30 schaltung 35 und einen Übertrager 30 mit dem ande-Speicherdrähte verlaufen in der C-Richtung und ren Pol des entsprechenden Zifferntreiberleiters D1 enthalten jeweils neun Speicherelemente. Die Spei- bis D 8 verbunden sind. Außerdem sind diese Wickcherelemente eines Speicherdrahtes sind jeweils lungen durch die jeweiligen Übertrager 30 mit dem durch neun den Draht umgebende Wicklungen 11 entsprechenden von acht nicht gezeigten Leseverfestgelegt. In F i g. 1 sind der Deutlichkeit halber nur 35 stärkern Sl bis 58 gekoppelt, zwölf Speicherdrähte; gezeigt, die jeweils mit dem Wie bereits ausgeführt, beträgt das Speicherver-Buchstaben K und zwei tiefgestellten Zahlen bezeich- mögen des Datenspeichers 180 Wörter mit jeweils net sind, die die R-. und D-Koordinate des Drahtes acht binären Ziffern. Hierbei wird jedes Wort in den angeben. Ferner sind nur die Enden dieser Speicher- längs der D-Koordinatenrichtung liegenden Speicherdrähte gezeigt, so daß nur die Speicherelemente mit 40 elementen gespeichert, d.h. in den acht Elementen, den C-Koordinaten 1, 2, 8 und 9 zu sehen sind. mit denen der zugehörige Wortwicklungsleiter gekop-

Den Speicherdrähten sind zwei Gruppen von pelt ist. Die Ziffernwicklungen sind jeweils mit den

Wicklungsleitern zugeordnet. Die Wicklungsleiter einander entsprechende Bits sämtlicher Wörter spei-

der ersten Gruppe, zu denen die Wicklungen 11 ge- chernden Elementen gekoppelt. Die dünne magnetihören und die als Wortwicklungsleiter dienen, ver- 45 sehe Schicht jedes Speicherdrahtes besitzt eine in

laufen jeweils entlang der D-Richtung, so daß Längsrichtung verlaufende magnetische Vorzugs-

9-20 = 180 Wortwicklungsleiter vorhanden sind, richtung. Jedes Speicherelement besitzt somit zwei

die jeweils mit acht magnetischen Elementen gekop- mögliche stabile Sättigungszustände, die willkürlich

pelt sind. Die Wicklungsleiter der zweiten Gruppe, mit »0« und »L« bezeichnet werden können. Beim die als Ziffemwicklungsleiter bezeichnet werden, sind 50 Betrieb des Datenspeichers wird ein fester Lese-

jeweils mit sämtlichen Elementen einer i?C-Ebene Schreib-Zyklus angewandt, wobei sämtliche Ziffern

gekoppelt, so daß die acht Ziffernwicklungen jeweils eines ausgewählten Wortes parallel abgelesen und

mit 9 · 20 == 180 magnetischen Elementen gekoppelt zurückgeschrieben werden. Zum Lesen wird nur der

sind. Die Kapazität des Speichers beträgt somit 180 mit dem ausgewählten Wort gekoppelte Wortwick-Wörter mit einer Länge von jeweils acht Ziffern. 55 lungsleiter erregt, während zum Zurückschreiben der

Ein Wortwicklungsleiter besteht jeweils aus einer mit dem ausgewählten Wort gekoppelte Wortwick-

Hintereinanderschaltung von acht Wicklungen 11. lungsleiter sowie bestimmte der Ziffernwicklungs-

Jeder Wortwicklungsleiter enthält eine Diode 10. leiter erregt werden. In die Speicherelemente des

Auf der einen Seite der Matrix (in F i g. 1 rechts) ausgewählten Wortes wird in Abhängigkeit davon, sind die Wortwicklungsleiter mit jeweils der gleichen 60 ob die zugehörigen Ziffemwicklungsleiter erregt sind

C-Koordinate miteinander verbunden, und auf der oder nicht, entweder eine »L« oder »0« einge-

anderen Seite der Matrix sind die Wortwicklungs- schrieben.

leiter mit jeweils der gleichen i?-Koordinate mitein- In Fig. 5 ist die Hysteresisschleife eines typischen

ander verbunden. Die C-Koordinatengruppen sind Speicherelements des in F i g. 1 gezeigten Datenüber entsprechende Leiter C₁ bis C₉ mit jeweils dem 65 Speichers zusammen mit einer Darstellung der zu

entsprechenden von neun Spaltentreibern C1 bis C 9 verschiedenen Zeiten an dieses Element angelegten

verbunden, während die jR-Koordinatengruppen über Magnetfelder zeigt. Ein permanentes Vormagneti-

entsprechende LeiterJjR₁ bis R₂₀ mit jeweils den ent- sierungsfeld H_B, das parallel zur magnetischen Vor-

zugsrichtung der Speicherdrähte gerichtet ist, hält das Element bei Speicherung einer »0« auf Punkt 70 und bei Speicherung einer »L« auf Punkt 71 der Hysteresisschleife. Zum Lesen wird durch einen durch den mit dem Element gekoppelten Wortwicklungsleiter geschickten Strom entsprechender Größe ein Feld JfJ₂₃ erzeugt, das das Element zum Punkt 72 schaltet. Ist vor dem Lesen eine »L« gespeichert, dann wird während des Lesens in dem zugeordneten Ziffernwicklungsleiter (der auch als Leseleiter dient) durch das Umschalten des Sättigungszustandes ein Ausgangsimpuls induziert. Ist dagegen vor dem Lesen in dem Element eine »0« gespeichert, dann wird in dem Ziffernwicklungsleiter nur ein vernachlässigbar kleiner Ausgangsimpuls induziert. Zum Schreiben wird das Feld H_2S weggenommen, so daß das Element auf Punkt 70 der Hysteresisschleife geht, und es wird durch einen dem Wortwicklungsleiter zugeführten Umkehrstrom ein Umkehrfeld H_2i erzeugt, wodurch das Element auf Punkt 73 geht. Ist eine »0« in das Element einzuschreiben, dann werden keine weiteren Felder angelegt, so daß das Element auf Punkt 73 bleibt. Ist dagegen eine »L« einzuschreiben, dann wird mittels eines dem Ziffernwicklungsleiter zugeführten Stromes ein Magnetfeld H₂₅ erzeugt, so daß das Element nach Punkt 74 geht. Am Ende des Schreibvorganges werden die Felder H_2i und, falls vorhanden, H₉₅ weggenommen, so daß das Element entweder auf Punkt 70 oder auf Punkt 71 zurückkehrt, je nachdem, ob'eine »0« oder »L« eingeschrieben wurde. Die Felder H_2i und H₂₅ sind annähernd gleich, so daß während des Schreibens einer »L« sich die mit dem Ziffernwicklungsleiter gekoppelten anderen Elemente, jeweils horizontal entlang ihrer Hysteresisschleife von Punkt 70 nach Punkt 73 und zurück nach Punkt 70 oder von Punkt 71 nach Punkt 75 und zurück nach Punkt 70 bewegen, je nachdem, ob in dem Element eine »0« oder »L« gespeichert ist.

in F i g. 6 ist der mechanische Aufbau des Daten-Speichers gezeigt. Die Enden der Speicherdrähte sind an der Vorderseite 80 sichtbar. Das Vormagnetisierungsfeld i?_ß wird durch eine aus zwei in Reihe geschalteten Teilen 81 und 82 bestehende Vormagnetisierungswicklung erzeugt, die sich in Vertiefungen der Verkleidungsplatten 83 und 84 der Matrix beimdet und durch eine Vormagnetisierungsstromquelle 85 erregt wird. Durch diese Anordnung wird ein ausreichend homogenes Magnetfeld H_B über den ganzen von den Speicherdrähten eingenommenen Raum erzeugt.

An Hand der F i g. 2 wird im folgenden die Erregung der Wortwicklungen beschrieben. Fig. 2 zeigt eine Gruppe von in einer i?D-Ebene des in Fig. 1 gezeigten Datenspeichers liegenden Wortwicklungsleiter. Der Einfachheit halber sind nur vier Wortwicklungsleiter, und zwar die mit dem i?-Koordinaten 1, 2,19 und 20 mit jeweils vier Speicherelementen gezeigt. Der Einfachheit halber wurden die Ziffernwicklungen weggelassen. Ferner ist in F i g. 2 ein Spaltentreiber C1 und eine Reihenerdschaltung R1 dargestellt. Durch Aufrufen dieser beiden Schaltungen wird der mit ihnen verbundene Wortwicklungsleiter durch die bekannte lineare Auswahl ausgewählt, wobei die Dioden 10 die Erregung der anderen Wortwicklungsleiter verhindern.

Die oberste SignalformCL der Fig. 4 ist ein durch eine nicht gezeigte Taktimpulsquelle erzeugtes Zeitgabe- oder Taktsignal, dessen positiver Impuls 20 den Lese-Schreib-Zyklus des Datenspeichers einleitet. Diesem Taktimpuls 20 folgen Spaltentreiber- und Reihenerdschaltungsimpulse 21 und 22 (Signalformen Vq und Vr), die an den ausgewählten Spaltentreiber die ausgewählte Reihenerdschaltung angelegt werden. Nimmt man an, daß der Spältentreiber Cl und die Reihenerdschaltung R1 ausgewählt werden, dann schaltet der an den Spaltentreiber Cl angelegte Impuls 21 den Transistor 50 und der an die Reihenerdschaltung R1 angelegte Impuls 22 den Transistor 40 ein, so daß ein Treiberstromimpuls 23 (SignalformI_w in Fig. 4) von der positiven Klemme im Spaltentreiber Cl über den Transistor 50, den ausgewählten Wortwicklungsleiter, die zugeordnete Diode 10 und über den Transistor40 nach Erde fließt, wodurch ein Magnetfeld H₂₃ (Fig. 5) erzeugt wird. Dieser Strompfad reicht aus, um sämtliche mit ihm gekoppelten Elemente in den »0«-Zustand zu schalten, so daß in den Ziffernwicklungsleitern der Matrix in Abhängigkeit davon, in dem entsprechenden Speicherelement des abgelesenen Wortes eine »L« oder »0« gespeichert ist, jeweils entweder eine große oder kleine Spannung induziert wird, wie durch die Signalform V_s in F i g. 4 angezeigt.

Um eine Information in die gerade abgelesenen Elemente zurückzuschreiben, muß ein Strom der entgegengesetzten Polarität und etwa der halben Größe des Stromimpulses 23 durch den ausgewählten Wortwicklungsleiter und durch.ausgewählte der Ziffernwicklungsleiter fließen, wodurch die mit dem ausgewählten Wortwicklungsleiter gekoppelten EIemente in Abhängigkeit davon, ob ein Strom in dem entsprechenden Ziffernwicklungsleiter fließt oder nicht, entweder im »0«-Zustand belassen oder in den »!,«-Zustand geschaltet werden.

Der in der umgekehrten Richtung durch den ausgewählten Wortwicklungsleiter fließende Stromimpuls wird dadurch erreicht, daß als Dioden 10 solche mit einer verhältnismäßig langen Regenerierungszeit verwendet werden. Durch Verwendung einer geeigneten Diodenart und durch geeignete Wahl der Größe der negativen Spannung und des Emitter-Widerstandes 51 des Transistors 50 (diese liefern die erforderliche Sperrspannung für die Diode 10, wenn der Transistor 50 abgeschaltet ist) wird automatisch ein Stromimpuls 24 (Fig. 4) der erforderlichen Größe in dem ausgewählten Wortwicklungsleiter erzeugt, wenn der Spaltentreiber C1 durch das Abfällen des an ihn angelegten Erregungsstromimpulses 21 abgeschaltet wird. Dieser Stromimpuls 24 erzeugt ein MagnetfeldH_2i (Fig. 5). Der Transistor 40 ist in der Gegenrichtung durch eine Diode45 überbrückt, wodurch der Stromkreis für den Impuls 24 geschlössen wird.

An Hand der F i g. 3 wird nun die Anordnung der Ziffernwicklungen näher erläutert. Hier sind jeweils die Enden der sechs Speicherdrähte Κ_1Λ, K₂__v K₁₀._v Κ_11Λ,'K₁₉₁ und K_20-1 gezeigt, über deren ganze Länge jeweils eine durchgehende Wicklung angeordnet ist, deren eines Ende mit dem leitenden Träger verbunden ist. Außerdem zeigt die Fig. 3, wie die einzelnen Speicherdrähte untereinander verbunden sind. Der Einfachheit halber wurden die Wortwicklungen weggelassen. Die inneren Enden der beiden Teile des Ziffernwicklungsleiter sind mit dem einen Anschluß des Zifferntreibers D1 verbunden, während die äuße-

oberen oder unteren Teil U bzw. L des Ziffernwicklungsleiters durch Umschalten eines mit ihm gekoppelten Speicherelementes induzierter »L«-Ausgangsimpuls besitzt eine Spannung von etwa 75 mV. 5 Dieser Wert ist viel kleiner als die Schwellwertspannung, bei der die Dioden 32 nennenswert zu leiten beginnen und die etwa 250 mV beträgt. Die Dioden 32 leiten daher nicht und haben während des Lesens keine Wirkung.

Die Widerstände 34 sind so gewählt, daß der sie durchfließende Treiberstrom (z. B. 100 mA) an ihnen einen Spannungsabfall von etwa 1 V erzeugt, so daß die Dioden 32 in Durchlaßrichtung vorgespant werden, d. h. auf einen Zustand verhältnismäßig nied

ren Enden mit den beiden Enden der Primärwicklung des Übertragers 30 verbunden sind. Der Mittelabgriff der Primärwicklung ist mit dem anderen Anschluß des Zifferntreibers Dl verbunden. Die Sekundärwicklung des Übertragers 30 ist mit einem nicht gezeigten Leseverstärker Sl gekoppelt.

Da die oberen zehn Speicherdrähte eine erste und die unteren zehn Speicherdrähte eine zweite Reihenschaltung bilden und da jede dieser Reihenschaltungen über jeweils eine Hälfte der Primärwicklung des Übertragers 30 an dem Zifferntreiber D1 liegt, ergeben sich zwei symmetrische Stromkreise, so daß sich die in diesen beiden Stromkreisen auftretenden Störsignale gegenseitig aufheben.

Läßt man die Brückenschaltung 35 im Augenblick 15 riger dynamischer Impedanz, und zwar auch dann, außer acht, dann teilt sich der Ausgangsstrom des wenn ein genaues Gleichgewicht zwischen den beiden Zifferntreibers Dl im Idealfall zu gleichen Teilen Teilen U und L vorhanden ist. Die Widerstände 34 auf die beiden Teile U und L Ziffernwicklungsleiters bewirken also eine derartige Vorspannung der auf, wodurch in beiden Teilen U und L ein Strom- Dioden 32, daß bei Auftreten einer Spannungsdiffeimpuls 25 (Signalform I₀ in Fig. 4) erzeugt wird, 20 renz zwischen den Enden der Teilet/ und L die wenn eine »L« einzuschreiben ist. Der Ausgangs- Dioden 32 diese Differenz an der Primärwicklung strom des Zifferntreibers D1 teilt sich daher im des Übertragers 30 ausgleichen, obwohl diese Diffe-Idealfall gleichmäßig auf die beiden Hälften der renz zwischen den beiden Teilen U und L wesentlich Primärwicklung des Übertragers 30 auf, so daß in kleiner als 250 mV ist. Entspricht der Wert der dessen Sekundärwicklung keine Spannung induziert 25 Widerstände 34 dem dynamischen Widerstand der wird. Da jedoch das in den Speicherelementen der ^x Dioden 32 bei vollständigem Gleichgewicht, dann oberen und unteren zehn Speicherdrähte gespeicherte werden an der Primärwicklung des Übertragers 30 Informationsmuster variieren kann, können die bei- auch geringfügige Spannungsdifferenzen an den beiden Teile U und L des Ziffernwicklungsleiters in der den Teilen U und L des Ziffernwicklungsleiters Praxis unterschiedliche Impedanzen haben, so daß 30 vollständig ausgeglichen.

zwischen den äußeren Anschlüssen der Primärwick- Selbstverständlich soll der Wert der Widerstände

so klein sein, daß sie die während des Ablesens erzeugten »L«-Ausgangsimpulse nicht nennenswert abschwächen. _ .

In der Praxis wird die Größe des noch auf den Leseverstärker einwirkenden Treibersignals etwa um den Faktor 10 reduziert, wodurch am Ausgang des Ziffernwicklungsleiters ein Signal 27 (Signal V_s in F i g. 4) entsteht, das kleiner als das beim Lesen die von der Matrix kommenden Leseausgangssignale 40 einer »L« erzeugte Lesesignal ist und das somit vom anspricht. Hierdurch würde die maximale Arbeits- Leseverstärker aufgenommen werden kann, ohne geschwindigkeit des Datenspeichers verringert. Ob- daß dieser in dem Sättigungsbereich antritt oder ein wohl zwar die Ausgangsspannung der Sekundär- Empfindlichkeitsverlust verursacht Wird, wicklung des Übertragers 30 durch einen Impuls 26 Es sei bemerkt, daß durch Weglassen der Wider-

(Signalform V_ST in Fig. 4) ausgeblendet werden 45 stände 34 eine zwar weniger wirksame, jedoch immer kann, wodurch ein durch die Signalform V_SA in noch brauchbare Begrenzung erreicht wird. F i g. 4 veranschaulichtes Eingangssignal an den
eigentlichen Leseverstärker gelangt, besteht die Möglichkeit, daß die Ausblend- oder Gatterschaltung
selbst durch relativ große Signale gesättigt wird, so 50
daß durch eine solche Maßnahme das Problem nicht

lung des Übertragers 30 eine Spannungsdifferenz entstehen kann. Werden keine besonderen Maßnahmen getroffen, dann kann eine solche Spannungsdifferenz dazu führen, daß beim Schreiben eine nicht unerhebliehe Spannung zum Leseverstärker gelangt. Dies kann wiederum dazu führen, daß der Leseverstärker gesättigt wird und dadurch für eine nicht unbeachtliche Zeitspanne nach dem Schreibvor^ang nicht auf

gelöst wird.

Die Erfindung löst jedoch dieses Problem durch Anordnung eines Spannungsbegrenzungsnetzwerks an dem Kopplungselement zwischen dein Ziffernwicklungsleiter und dem Leseverstärker, d. h. an der Primärwicklung des Übertragers 30. Dieses Netzwerk besteht aus zwei in der in F i g. 3 gezeigten Weise geschalteten Dioden 32 und Widerständen 34, wobei die äußeren Enden der Teile U und L des Wicklungsleiters mit den Anschlüssen der Primärwicklung des Übertragers 30 über die Widerstände 34 verbunden sind und die Dioden 32 die einander nicht entsprechenden Enden der Widerstände 34 miteinander verbinden. Die Dioden 32 sind dabei so gepolt, daß sie in Richtung auf ihren leitenden Zustand vorgespannt sind, wenn der Zifferntreiberleiter D1 erregt ist. Ein während einer Leseperiode im

Claims (4)

Patentansprüche:

1. Aus magnetischen Elementen bestehender Datenspeicher mit zumindest einem gleichzeitig als Leseleiter und Treiberleiter dienenden Leiter, bestehend aus zwei jeweils mit den Speicherelementen des Speichers gekoppelten Teilen, mit einer Treiberstromquelle, deren einer Anschluß mit jeweils dem einen Ende der genannten beiden Leiterteile verbunden ist, mit einem Leseverstärker und einem Kopplungselement zwischen dem Leseverstärker und den anderen Enden der genannten Leiterteile, wobei die Anordnung so getroffen ist, daß sich die von der Treiberstromquelle durch die genannten beiden Leiterteile gelieferten Ströme in dem genannten Kopplungselement normalerweise aufheben, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen den genannten anderen Enden der Leiterteile eine bipolar arbeitende nichtlineare Impedanzschaltung angeordnet ist, die eine Übertragung von durch eine ungleiche Belastung der beiden Leiterteile wäh-

rend des Arbeitens der Treiberstromquelle entstehenden Störsignalen zum Leseverstärker vermindert, die jedoch die in dem Leiter induzierten Leseausgangsimpulse zum Leseverstärker unbeeinflußt läßt.

2. Speicher nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Kopplungselement aus einem Übertrager mit geteilter Primärwicklung besteht, deren Mittelabgriff mit dem anderen Anschluß der Treiberstromquelle verbunden ist, und daß der Leseverstärker an der Sekundärwicklung des Übertragers liegt.

3. Speicher nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die nichtlineare Impedanzschaltung aus zwei gleichen Widerständen und zwei glei-

chen Halbleiterdioden besteht, -wobei die anderen Enden der genannten Leiterteile über die beiden Widerstände mit den Enden der Primärwicklung verbunden sind und die Dioden die einander nicht entsprechenden Enden der beiden Widerstände miteinander verbinden und so gepolt sind, daß sie bei Erregung der Treiberstromquelle in Durchlaßrichtung vorgespannt sind.

4. Speicher nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die nichtlineare Impedanzschaltung ■ aus zwei antiparallelgeschalteten Halbleiterdioden besteht.

In Betracht gezogene Druckschriften:
Französische Patentschrift Nr. 1308 943.

Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

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