DE1186510B - Matrizenspeicher zur Speicherung unveraenderlicher Zeichen - Google Patents
Matrizenspeicher zur Speicherung unveraenderlicher ZeichenInfo
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Description
BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Internat. Kl.: H 03 k
Deutsche Kl.: 21 al-37/60
Nummer: 1186 510
Aktenzeichen: N 21553IX c/21 al
Anmeldetag: 8. Mai 1962
Auslegetag: 4. Februar 1965
Die Erfindung bezieht sich auf einen Matrizenspeicher zur Speicherung unveränderlicher Zeichen
mit einer Anzahl Kerne aus magnetisierbarem Werkstoff großer Remanenz und zumindest zwei Gruppen
von elektrischen Leitern, die mit den Kernen in der Weise verkettet sind, daß Ströme in einer ersten und
einer zweiten Gruppe von Leitern magnetische Felder in den Kernen erregen können, wobei einzelne
Kerne des Speichers durch aufgebrachte, jeweils einen Kern umfassende Kurzschlußstrombahnen mit
kleinem Ohmschen Widerstand unwirksam gemacht sind.
Matrizenspeicher dieser Art werden in unterschiedlichen datenverarbeitenden Systemen, wie
elektronischen Rechenmaschinen oder elektronischen Steuersystemen, zur Lieferung von unveränderlichen
Kombinationen von Bits angewandt. Die Lieferung eines bestimmten unveränderlichen Zeichens wird
dadurch eingeleitet, daß ein Strom durch einen bestimmten Leiter, beispielsweise einen zu einer ersten
Gruppe gehörenden Leiter, fließt. Es werden dann nur in den Leitern einer zweiten Gruppe, die das von
dem Strom in dem erwähnten Leiter der ersten Gruppe in einem nicht unwirksam gemachten Kern
erregte Feld umfassen, Spannungen induziert. Unwirksam gemachte Kerne induzieren keine Spannungen.
In einer ersten bekannten Ausführung eines solchen Speichers ist die Matrize, mit Ausnahme
der ringförmigen Kerne, in einer flachen Platte aus Kunststoff eingebettet. Jeder Kern befindet sich in
einer zylindrischen Öffnung der Kunststoffplatte, die in horizontaler Lage montiert ist. An ihrer Unterseite
liegt eine steife Lochkarte, die unterhalb jeder Öffnung, in der sich ein unwirksam zu machender
Kern befindet, mit einem Loch versehen ist. Unter der Lochkarte ist ein elastischer, mit Quecksilber
gefüllter Behälter angeordnet. Dieser Behälter wird in solcher Weise und in solchem Maße deformiert,
daß das Quecksilber in die Öffnungen der Kunststoffplatte, unter denen sich ein Loch in der Lochkarte
befindet, eintritt, ohne aber die Oberseite der Platte zu erreichen. Das Quecksilber wirkt wie eine
Kurzschlußwindung für jeden Kern, der sich in einer Öffnung befindet, in die das Quecksilber durch ein
Loch in der Lochkarte hineintreten kann. Demzufolge werden die Kerne in den Öffnungen, unter
denen sich ein Loch in der Lochkarte befindet, unwirksam gemacht.
In einer anderen Ausführungsform ist jeder Kern mit einer speziellen Wicklung versehen, die mittels
eines Stöpsels kurzgeschlossen werden kann, der in Matrizenspeicher zur Speicherung
unveränderlicher Zeichen
unveränderlicher Zeichen
Anmelder:
N. V. Hollandse Signaalapparaten, Hengelo
(Niederlande)
(Niederlande)
Vertreter:
Dipl.-Ing. W. Scherrmann, Patentanwalt,
Eßlingen/Neckar, Fabrikstr. 9
Als Erfinder benannt:
Anthonius Maria Schulte, Delden;
Johannes Steenberg, Enschede (Niederlande)
Anthonius Maria Schulte, Delden;
Johannes Steenberg, Enschede (Niederlande)
Beanspruchte Priorität:
Niederlande vom 10. Mai 1961 (264643)
eine einem solchen Kern zugeordnete Kontaktvorrichtung eingeführt werden kann.
In einer weiteren Ausführungsform kann jeder Kern mittels eines kleinen Permanentmagneten unwirksam
gemacht werden. Diese bekannten Matrizenspeicher können wohl vielfältigen Programmen
oder Gruppen von fest zu speichernden Worten angepaßt werden, so daß keine speziellen, einem
solchen Programm angepaßten Speicher gewickelt zu werden brauchen, doch sind sie nicht universell
brauchbar. Die erste Ausführung, die mit Quecksilber arbeitet, hat den Nachteil, daß der Speicher
immer genau in horizontaler Lage montiert werden muß, obwohl die Isolierstoffplatten, welche die
Schaltelemente der datenverarbeitenden Systeme tragen, fast immer in vertikaler Lage angeordnet
werden, unter anderem deshalb, weil dadurch die Kühlung verbessert und der Staubniederschlag vermindert
wird.
Überdies muß die Horizontalstellung ziemlich genau einjustiert werden, damit das Quecksilber
nicht an der niedrigsten Seite der Platte über den Rand einer mit Quecksilber gefüllten öffnung in
eine andere öffnung, die kein Quecksilber enthalten darf, fließen kann, sowie um zu verhüten, daß an
der höchsten Seite der Platte das Quecksilber in den Öffnungen so niedrig steht, daß keine kurzgeschlos-
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sene Strombahn entsteht. Auch ist dieser Matrizenspeicher nicht für transportable Geräte geeignet. Er
muß sogar besonders erschütterungsfrei aufgestellt werden, damit nicht unter der Einwirkung von Erschütterungen
das Quecksilber aus den Öffnungen an der Oberseite austritt und in andere Öffnungen
eintritt, die kein Quecksilber enthalten dürfen. Daneben müssen Maßnahmen getroffen werden, um
auszuschließen, daß das Quecksilber zwischen der Karte und der Kunststoffplatte durchfließt und in
eine Öffnung gelangt, unter der sich kein Loch in der Lochkarte befindet. Zu diesem Zwecke können
Dichtungen sowie Mittel zum Anpressen der Karte wie auch das Festkleben der Karte erforderlich sein.
Überdies sind Maßnahmen erforderlich, die verhindern, daß Quecksilber aus dem Matrizenspeicher
austritt und Kurzschlüsse sowie chemische Beschädigungen in anderen Teilen der Schaltung verursacht.
Die beiden anderen Ausführungsformen haben den Nachteil, daß die Stöpsel und die Kontakte bzw. die
Haltevorrichtungen für die Permanentmagnete verhältnismäßig viel Platz erfordern, und zwar mehr, als
in einem modernen Matrizenspeicher mit den heute übliches kleinen Ringkernen ohne weiteres zur Verfügung
steht. Ein solcher Speicher muß demnach größer gebaut werden als es den Abmessungen der
Ringkerne entspricht.
Daneben sind diese bekannten Ausführungen bedeutend teurer als die Ausführung einer normalen
Matrize zur Speicherung veränderlicher Daten.
Der erfindungsgemäße Matrizenspeieher vermeidet
alle diese Unannehmlichkeiten. Erfindungsgemäß ist der Matrizenspeicher in solcher Weise ausgeführt,
daß die Kurzschlußstrombahnen jeweils aus einer den jeweiligen Kernen umfassenden und ihn zumindest
teilweise bedeckenden, fest haftenden Schicht aus einem elektrisch leitenden Werkstoff nach Art
einer elektrisch leitenden Farbe bestehen.
Der neue Matrizenspeicher kann in jeder Lage montiert sein; er ist unempfindlich gegen Erschütterungen
und damit für transportable Geräte geeignet. Da er keinerlei Flüssigkeit enthält, ist auch
nicht zu befürchten, daß Flüssigkeit aus dem Speicher austreten und in andere Teile des Systems gelangen
könnte. Bei der Herstellung der erfindungsgemäßen Matrize kann von einer verhältnismäßig
billigen, handelsüblichen Normalausführung eines Matrizenspeichers zur Speicherung veränderlicher
Daten aasgegangen werden, was zu einer bedeutenden Kostenersparnis führt.
Die Anwendung vö© leitenden Schichten als elektrische
Leiter an sich ist, besonders in gedruckten Schaltungen, wohlbekannt. Die übliche gedruckte
Schaltungstechnik läßt sich aber im vorliegenden Falle bei Speichermatrizen grundsätzlich nicht anwenden,
weü hierzu die fertigen Matrizen in unterschiedliche
chemische Flüssigkeiten — einschließlich Ätzfiüssigkeitea — getaucht werden müßten, was für
die feine Verdrahtung der Matrizen unverträglich wäre. Auch Metallspritzverfahren, die auch schon
zur Herstellung von leitenden Schichten in Schaltungen angewandt wurden, scheiden grundsätzlich
aus, da es bei diesen Verfahren nicht möglich ist, einen einzigen unwirksam! zu machenden Kern aus
einer Gruppe von nahe beieinanderliegenden Kernen auszuwählen und mit einer eine Kurzschlußwicklung
darstellenden Bedeckung zu versehen, ohne daß die benachbarten Kerne in Mitleidenschaft gezogen
würden. Überdies wären diese Verfahren auch aus dem Grunde nicht zuverlässig brauchbar, weil es
praktisch unmöglich erscheint, auf diesem Wege bei einer fertigen Matrize auch die Innenseite der Kerne,
in die die Verdrahtung schon eingefädelt ist, mit einer genügenden leitenden Bedeckung zu versehen.
Die Herstellung der erfindungsgemäßen Matrize ist
außerordentlich einfach:
Die jeweiligen Kerne brauchen lediglich mittels
jo eines spitzen Pinsels mit der leitenden Farbe angetippt
oder angestrichen zu werden. Der Pinsel erlaubt es, immer nur einen einzigen Kern zu berühren,
und bei richtiger Wahl der Viskosität der Farbe treibt die Oberflächenspannung die Farbe in das
Innere des Ringkernes hinein, so daß das Zustandekommen einer geschlossenen Kurzschlußstrombahn
sicher gewährleistet ist.
Die Erfindung wird im folgenden an Hand der Figur erklärt werden, welche einen Teil eines Matrizenspeichers
bekannter Art zeigt, der erfindungsgemäß gestaltbar ist.
Die Figur zeigt einen Teil eines magnetischen Matrizenspeichers mit ringförmigen Kernen. Dieser
Teil umfaßt neun Magnetkerne. Die Rotationsachsen der ringförmigen Kerne wie 1, 2 sind der
Zeichenfläche parallel, so daß sie als Rechtecke dargestellt sind. Sie sind aus einem Werkstoff mit einer
nahezu rechteckigen Hysteresisschleife angefertigt. Jeder Ring befindet sich sowohl in einer Spalte, die
in der Zeichnung von oben nach unten, als auch in einer Zeile, die in der Zeichnung von links nach
rechts verläuft. In diesem Beispiel sind Spalten und Zeilen gerade und stehen senkrecht zueinander. Die
Magnetisierung eines Kernes hat eine bestimmte Richtung, wenn er eine Binärziffer oder ein Bit einer
bestimmten Art, beispielsweise das Bit 1, speichert und die entgegengesetzte Richtung, wenn er eine
Binärziffer oder ein Bit der anderen Art, wie beispielsweise das Bit 0, speichert. Der Speicher umfaßt
in diesem Beispiel drei Leitergruppen zum Magnetisieren und zum Ablesen der Kerne. Jeder
Leiter der ersten Gruppe, wie die Leiter 3 und 4, verlaufen in der Zeichnung von oben nach unten
und durch die Ringe einer Spalte. Jeder Leiter der zweiten Gruppe, wie der Leiter 5, verläuft von links
nach rechts durch die Ringkerne einer bestimmten Zeile. Ein dritter Leiter läuft durch alle Ringkerne
des ganzen Speichers. Dieser Leiter ist in der Figur als eine Leitergruppe gezeichnet, zu der der Leiter 6
gehört; jeder dieser Leiter verläuft durch die Ringe einer Zeile, und alle Leiter sind in Reihe geschaltet.
Die Wirkung eines solchen Speichers ist wohlbekannt und erfordert nur eine kurze Erklärung. Ein
Strom mit der Stärke / fließt durch die Leiter der dritten Gruppe, wozu der Leiter 6 gehört. Dieser
Strom ist so schwach, daß er die Magnetisierung der Kerne mit großer Remanenz, durch die die
Leiter verlaufen, kaum beeinflußt. Die Bits eines Zeichens werden in der Kernen einer Zeile gespeichert.
Während des mit dem Namen »Schreiben« angedeuteten Speicherns eines Zeichens erhalten
die Magnetisierungen der Kerne der Zeile, auf die das Zeichen gespeichert werden muß, die Richtungen,
welche der Art der zu speichernden Bits entsprechen. Während des Schreibens kann nur ein
Feld mit einer bestimmten Richtung in den Kernen erregt werden, so daß die beim Schreiben in den
Leitern fließenden Ströme die Kerne nur in der
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Richtung, die einer bestimmten Art Bit entspricht, erhält. Dieser Strom wirkt der ihn verursachenden
magnetisieren kann. Deshalb müssen, bevor das Feldänderung entgegen. Demzufolge verläuft die
Schreiben anfängt, alle Kerne der Zeile in einer Umkehrung des magnetischen Feldes viel träger als
Richtung, die der Richtung des das Schreiben aus- ohne kurzgeschlossene Strombahn. Die in den Leiführenden
Feldes entgegengesetzt ist, magnetisiert 5 ter3 induzierte Spannung ist der Änderungswerden, sonst könnte ein Kern, der während einer geschwindigkeit des Feldes im Kern proportional
Schreibhandlung nicht magnetisiert wurde, trotzdem und ist demzufolge bei Anwesenheit einer kurznach
dem Schreiben eine von einem früher gespei- geschlossenen Strombahn viel niedriger. Die Ancherten
Zeichen herrührende Magnetisierung in der Wesenheit einer solchen kurzgeschlossenen Stromdem
Schreibfeld entsprechenden Richtung aufweisen. i0 bahn auf einem Kern bewirkt eine solche Vermin-Dies
findet während des Lesens statt, wie unten- derung der Amplitude der im Leiter 3 induzierten
stehend erklärt werden wird, denn während des Spannung, daß die mit dem Matrizenspeicher zuLesens
werden alle Kerne einer Zeile in einer Rieh- sammenarbeitende Schaltung in einfacher Weise,
rung, die der Richtung des von dem Strom mit der beispielsweise mittels einer Schwellenschaltung, für
Stärke i in den Leitern der dritten Gruppe erregten 15 die von einem Kern mit einer kurzgeschlossenen
Feldes entspricht, magnetisiert. Wenn ein Zeichen Strombahn erregten Impulse unempfindlich gemacht
auf die erste Zeile des in der Figur gezeigten Ma- werden kann. Die Kerne eines Matrizenspeichers
trizenspeichers geschrieben werden muß, fließt ein können in einer solchen Kombination mit kurz-Strom
mit der Stärke 2 i und einer Richtung, die der geschlossenen Strombahnen versehen werden, daß
Richtung des Stromes mit Stärke i im Leiter 6 ent- 20 der Speicher eine Anzahl im voraus eingestellter
gegengesetzt ist, durch den Leiter 5. Weil die Ströme Zeichen liefern kann. Wenn ein bestimmtes Zeichen
in den Leitern 5 und 6 entgegengesetzte Richtungen geliefert werden muß, dann wird diese Lieferung
haben, stehen auch nach dem Auftreten des Stromes dadurch vorbereitet, daß alle Kerne der Zeile des
mit Stärke Ii doch nur noch / Amperewindungen für Speichers, auf der dieses Zeichen mittels kurzden
Kern zur Verfügung. Wenn während des Schrei- 25 geschlossener Strombahnen eingestellt ist, in der dem
bens die Magnetisierung des Kernes 7 eine Richtung Bit 1 entsprechenden Richtung magnetisiert werden,
erhalten muß, die der vom Lesen hervorgerufenen zu welchem Zwecke Ströme mit einer Stärke 2i
Magnetisierungsrichtung entgegengesetzt ist, dann durch alle Leiter für alle Spalten sowie durch den
fließt überdies ein Strom mit Stärke 2 i und einer horizontalen Leiter 5 der betreffenden Zeile fließen,
solchen Richtung, daß er das von dem Strom im 30 Wenn dies erwünscht wird, können sogar zu diesem
Leiter 5 im Kern erregte Feld verstärkt, durch den Zwecke alle Kerne des Matrizenspeichers in der
Leiter 3. Es stehen dann 3i Amperewindungen zum betreffenden Richtung magnetisiert werden, indem
Magnetisieren des Kernes 7 zur Verfügung, und Ströme der Stärke 2 i durch alle horizontalen und
diese Feldstärke genügt, um die Richtung der Ma- durch alle vertikalen Leiter des Matrizenspeichers
gnetisierung dieses Kernes völlig umzukehren. Die 35 fließen. Die Lieferung des mittels kurzgeschlossener
Magnetisierung eines Kernes in dieser Richtung Windungen auf einer Zeile eingestellten Zeichens
zeigt, daß der Kern das Bit 1 speichert. Wenn das w}rd dann dadurch eingeleitet, daß ein Strom mit
Zeichen, das auf einer Zeile geschrieben wurde, ge- der Stärke 2 z und mit derselben Richtung wie der
lesen werden muß, dann fließt ein Strom mit einer Strom in den Leitern der dritten Gruppe im Leiter
Stärke 2/ und einer solchen Richtung, daß er das 40 (wie 5) der betreffenden Zeile fließt. Zusammen mit
von dem Strom im Leiter 6 der dritten Gruppe dem Strom im Leiter 6 kehrt dieser Strom die
erregte Feld unterstützt, durch den Leiter 5 der zu Magnetisierung aller Kerne dieser Zeile um. Diese
lesenden Zeile. Auch jetzt stehen 3 i Amperewindun- Umkehrung wird aber nur einen genügend starken
gen zur Verfügung für die sich auf der oberen Zeile Impuls induzieren in den vertikalen Leitern, die
befindlichen Kerne. Die Richtung der Amperewin- 45 Ringkerne umfassen, welche nicht von einer kurzdungen
ist aber umgekehrt. Wenn die Magnetisie- geschlossenen Strombahn umfaßt sind,
rungsrichtung während des Schreibens nicht um- lm erfindungsgemäßen Matrizenspeicher besteht
gekehrt ist, hat das Auftreten dieses Stromes mit der die Strombahn mit niedrigem Widerstand, die einen
Stärke 2/ im Leiter 5 keine Folgen. Ist jedoch die unwirksam zu machenden Kern umfaßt, aus einer
Richtung der Magnetisierung eines Kernes beim 50 elektrisch leitenden, vorzugsweise mittels einer elek-Schreiben
wohl umgekehrt, dann wird die Richtung trisch leitenden Farbe hergestellten Schicht. Diese
der Magnetisierung beim Lesen wieder zurück- Schicht braucht den Kern nicht vollständig zu begedreht.
Ohne spezielle Maßnahmen wird diese Um- decken. Bei ihrer Herstellung sind nur wenige Vorkehrung
der Magnetisierungsrichtung einen Impuls schritten zu beachten. Ein Kern kann mittels eines
in einem Leiter, wie beispielsweise dem Leiter 3, 55 Pinsels mit leitender Farbe bedeckt werden. Bei
der durch den betreffenden Ringkern von oben nach ringförmigen Kernen üblicher Art darf man nicht
unten verläuft, induzieren, und dieser Spannungs- vergessen, auch die Innenseite wenigstens teilweise
impuls bedeutet, daß ein Bit 1 gelesen wurde. mit einer Schicht zu versehen. Im allgemeinen sind
Wenn das Auftreten eines solchen Impulses ver- zu diesem Zwecke Farbarten geeignet, die sehr feine
hindert werden muß, dann wird in einem erfindungs- 60 Metallkörner enthalten. Gute Erfolge wurden mit
gemäßen Matrizenspeicher der betreffende Kern mit silberhaltigen Farben erzielt. Vorzugsweise sind Fareiner
geschlossenen, das Feld im Kern umfassenden ben zu verwenden, die mittels eines für die Matrize
Strombahn mit niedrigem elektrischen Widerstand unschädlichen Lösungsmittels entfernt werden könversehen.
Diese Strombahn verhindert die Umkeh- nen, wenn die feste Einstellung zu ändern ist. Zwar
rung der Magnetisierung nicht, aber diese Umkeh- 65 ist das Ausführen einer solchen Änderung immer
rung induziert in der Strombahn mit niedrigem ziemlich zeitraubend, denn die Farbe muß größten-Widerstand
einen Strom, der sich infolge der Selbst- teils sorgfältig entfernt werden, ohne den Kern und
induktion dieser Strombahn ziemlich lange aufrecht- die dünnen durch den Kern geführten Leiter zu be-
schädigen, aber die obige Lösung wird nur empfohlen für Matrizenspeicher, deren feste Einstellung nie,
oder nur selten geändert zu werden braucht. Die in der Einleitung beschriebenen Matrizen erlauben
zwar eine schnelle und einfache Änderung der festen Einstellung, sie haben außer den bereits erörterten
Nachteilen wegen ihrer komplizierten Ausführung auch noch den Nachteil, daß sie nicht ohne weiteres
aus normalen Matrizen hergestellt werden können. Die erfindungsgemäße Matrize kann dagegen ohne
Mühe aus einer handelsüblichen Matrize hergestellt werden. Um eine solche Matrize erfindungsgemäß
mit festen Zeichen zu versehen, brauchen nur bestimmte Kerne mit einer geeigneten Farbe bestrichen
zu werden. Geeignete Farbarten sind wohlbekannt. Es ist klar, daß die erfindungsgemäße Matrize dabei
auch viel billiger hergestellt werden kann als die bekannten Matrizenspeicher.
Es ist klar, daß der Matrizenspeicher für die obenstehend beschriebene Wirkung keiner drei Gruppen
Leiter bedarf. Auch braucht die Magnetisierung eines Kernes nicht vea Strömen in Leitern aus mehr als
einer Gruppe herbeigeführt zu werden. Die beschriebene Ausführung wurde nur deshalb gewählt,
weil handelsübliche Matrizenspeicher meistens über drei Leitergruppen verfügen und ein Matrizenspeicher
mit drei Leitergruppen mit einer normalen, auch für das Arbeiten mit einer Matrize zum
Speichern willkürlicher Zeichen geeigneten, Lese- und Scfareibschaltung zusammenarbeiten kann, überdies
können in einem solchen Matrizenspeicher, in dem nicht alle Zeilen zum Liefern fester Zeichen
gebraucht werden, die noch freien Zeilen in Zusammenarbeit mit derselben normalen Lese- und
Schreibschaltung zur Speicherung willkürlicher Zeichen verwendet werden. Braucht die Matrize nur
feste Zeichen zu liefern und ist es erwünscht, ihren Bau einfach zu halten, dann bedarf sie nur zweier
Leitergruppen. Die erste Leitergruppe kann dann beispielsweise die in der Zeichnung von oben nach
unten verlaufende Gruppe, in der die Spannungsimpulse induziert werden, sein. Die zweite Leitergruppe
ist eine der in der Zeichnung horizontal verlaufenden Gruppen. Das Liefern eines bestimmten
festen Zeichens wird dadurch vorbereitet, daß ein Strom mit solcher Richtung und Stärke in dem, zu
der dem betreffenden Zeichen entsprechend eingestellten Linie gehörenden, horizontalen Leiter fließt,
daß bei Umkehrung der in den Kernen der Linie erreichten Magnetisation ein Impuls der erforderlichen
Stärke und Richtung induziert wird, wenn der induzierende Kern nicht mit einer Kurzschlußwindung
versehen ist. Ein Strom umgekehrter Richtung, jedoch mit ungefähr derselben Stärke in demselben
horizontalen Leiter, leitet die Lieferung des betreffenden Zeichens ein. Dabei kehrt in allen
Kernen der Zeile die Richtung der Magnetisierung um. Wie obenstehend beschrieben wurde, induzieren
nur Kerne, die keine Kurzschlußwindung tragen einen Impuls in den von ihnen umfaßten vertikalen
Leitern. Die vertikalen Leiter in dieser Matrize brauchen zum Umkehren der Magnetisierung der
Kerne keinen Strom zu führen.
Claims (1)
- Patentanspruch:Matrizenspeicher zur Speicherung unveränderlicher Zeichen mit einer Anzahl Kerne aus magnetisierbarem Werkstoff großer Remanenz und zumindest zwei Gruppen von elektrischen Leitern, die mit den Kernen in der Weise verkettet sind, daß Ströme in einer ersten und einer zweiten Gruppe von Leitern magnetische Felder in den Kernen erregen können, wobei einzelne Kerne des Speichers durch aufgebrachte, jeweils einen Kern umfassende Kurzschlußstrombahnen mit kleinem Ohmschen Widerstand unwirksam gemacht sind, dadurch gekennzeichnet, daß die Kurzschußstrombahnen jeweils aus einer den jeweiligen Kern umfassenden und ihn zumindest teilweise bedeckenden, fest haftenden Schicht aus einem elektrisch leitenden Werkstoff nach Art einer elektrisch leitenden Farbe bestehen.In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Patentschrift Nr. 1 040 140;
deutsche Auslegeschriften Nr. 1 016 215,
1070223, 1083 577.Hierzu 1 Blatt Zeichnungen509 507/132 1.65ι Bundesdruckerei Berlin
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL264643 | 1961-05-10 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1186510B true DE1186510B (de) | 1965-02-04 |
Family
ID=19753027
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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DEN21553A Pending DE1186510B (de) | 1961-05-10 | 1962-05-08 | Matrizenspeicher zur Speicherung unveraenderlicher Zeichen |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US3289178A (de) |
BE (2) | BE616775A (de) |
CH (2) | CH401157A (de) |
DE (1) | DE1186510B (de) |
GB (1) | GB998808A (de) |
NL (1) | NL264643A (de) |
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0
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- 1962-05-08 DE DEN21553A patent/DE1186510B/de active Pending
- 1962-05-08 US US193250A patent/US3289178A/en not_active Expired - Lifetime
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