DE1173328B

DE1173328B - Vergroesserungseinrichtung fuer Mikrofilme mit einer Leuchte, die von einem halbelliptischen Reflektor umgeben ist

Info

Publication number: DE1173328B
Application number: DEC27274A
Authority: DE
Inventors: John Henry Jeffree
Original assignee: Caps Ltd
Current assignee: Caps Ltd
Priority date: 1959-10-08
Filing date: 1960-10-07
Publication date: 1964-07-02

Description

Vergrößerungseinrichtung für Mikrofilme mit einer Leuchte, die von einem halbelliptischen Reflektor umgeben ist Die Erfindung bezieht sich auf eine Vergrößerungseinrichtung für Mikrofilme mit einer Leuchte, deren Lichtquelle von einem halbelliptischen Reflektor umgeben ist, wobei die Mikrofilmaufnahme im Bereich zwischen der Lichtquelle und dem Brennpunkt der Leuchte angebracht ist.
Die bekannten Vergrößerungseinrichtungen dieser Art besitzen zwischen Reflektor und Filmaufnahme Diffusionsplatten, um eine gleichmäßige Ausleuchtung der Filmfläche zu gewährleisten. Der zentrale Bereich des Films erhält sonst zuviel Licht. Derartige Diffusionsplatten haben jedoch den Nachteil, daß sie die auf den Film fallende Lichtmenge verringern.
Aufgabe der Erfindung ist es, eine Vergrößerungseinrichtung zu schaffen, bei der eine gleichmäßige Ausleuchtung der Filmfläche ohne Verringerung der Lichtstärke in den Randbereichen der Filmfläche gewährleistet ist.
Diese Aufgabe ist gemäß Erfindung dadurch gelöst, daß die Spiegeloberfläche des Reflektors in der Umgebung ihres Scheitelpunktes langgestreckte, gekrümmt verlaufende Deformationen aufweist. Durch diese Deformationen wird die auf den Mittelpunkt des Filmes fallende Lichtmenge vermindert und damit die gleichmäßige Ausleuchtung erreicht.
Es ist bei konkaven Reflektoren, die nicht für Vergrößerungseinrichtungen dienen und auch keinen elliptischen Querschnitt aufweisen, bekannt, in der Nähe ihrer Scheitel Verformungen vorzusehen.
Die Deformationen der Spiegeloberfläche des erfindungsgemäßen Reflektors bestehen vorzugsweise aus im Abstand voneinander angeordneten, sich nahe vom Scheitelpunkt aus in Richtung auf den Refektorrand erstreckende Rinnen. Dabei ist vorteilhaft die Spiegeloberfläche des Reflektors nach der Ellipsenformel y2 = x (12,7 - 0,35 x) ausgebildet, wobei x in Zentimetern eines Spiegeloberflächenpunktes vom Reflektorscheitelpunkt und y in Zentimetern die Entfernung dieses Punktes von der Reflektorachse, von der Achse aus senkrecht gesehen, ist.
Zweckmäßig ist der Reflektor an seinem Scheitelpunkt mit einer Öffnung versehen, welche zur Durchführung von Leitungen für die Lichtquelle dient, für die mit Vorteil eine Hochdruckentladelampe mit einer Leitungsentladung entlang der Reflektorachse vorgesehen ist.
Die Erfindung kann bei der Herstellung von auf im Vergleich zum lichtempfindlichen Silberhalogenidfilm weniger empfindlichem Material, wie z. B. ultraviolettempfindlichem Diazomaterial, zu erhaltenden Vergrößerungen vorteilhaft verwendet werden, wobei eine Ultraviolettlichtquelle gebraucht wird.
Die Erfindung wird an Hand schematischer Zeichnungen an einem Ausführungsbeispiel näher erläutert. Darin zeigt F i g. 1 einen Vorder- und Seitenaufriß einer Lichtquelle nach der Erfindung, F i g. 2 eine Innenansicht des Reflektors der in F i g. 1 dargestellten Lichtquelle, F i g. 3 die Verwendung der Lichtquelle für einen Mikrofilmvergrößerungsapparat und F i g. 4 die Lichtquelle zusammen mit den ihr zugeordneten optischen Elementen der optischen Projektionsanordnung des in F i g. 3 dargestellten Vergrößerungsapparates.
Die in F i g. 1 und 2 gezeigte Lichtquelle weist eine Quecksilberdampfbogenlampe 1 auf, welche von einem Reflektor 2 umgeben ist, der an seinem Scheitelpunkt mit einer öffnung 3 und an seinem an derselben anliegenden Spiegeloberflächenabschnitt mit Mulden 4 versehen ist, welche sämtlich in gleicher Richtung spiralartig angeordnet sind. Der eine hochpolierte Innenoberfläche aufweisende Aluminiumreflektor 2 stellt ein Ellipsoid der ungefähren obengenannten Formel mit einer Axiallänge von 10 cm von seinem Scheitelpunkt aus dar, wobei der Durchmesser der am Scheitelpunkt liegenden Öffnung 3,5 cm lang ist. Der Maximaldurchmesser des Reflektors ohne den Flansch 5 beträgt 19,5 cm. Der Lampenmittelpunkt ist vom Reflektorscheitelpunkt 3,5 cm entfernt, während der Lampenbrennpunkt 34 cm vom Scheitelpunkt oder 30,5 cm vom Lampenmittelpunkt entfernt ist. Die maximale Tiefe der zweckmäßigerweise sinusförmig ausgebildeten Mulden, welche eine glattgewellte, ununterbrochene lichtreflektierende Spiegeloberfläche bilden, beträgt 0,05 cm.
Der in F i g. 3 gezeigte Mikrofilmvergrößerungsapparat ist mit einer aus Lampe 18 und Reflektor 19 zusammengesetzten Lichtquelle nach der Erfindung versehen, welche auf das das Mikrofilmbild enthaltende Filmfenster 22 durch den Wärmefilter 20 hindurch Licht richtet. Das Vergrößerungslinsensystem des Vergrößerungsapparates ist mit 23 und der das vergrößerte Bild auf die Sichte- bzw. Kopierunterlage 17 zurückwerfende Spiegel mit 15 bezeichnet.
Die optische Projektionseinrichtung des in F i g. 3 gezeigten Vergrößerungsapparates ist in F i g. 4 dargestellt und besteht aus einer aus Lampe 18 und Reflektor 19 zusammengesetzten Lichtquelle, dem Wärmefilter 20, dem Verschluß 21, dem Kondensor 56, einer negativen konvex-konkaven Linse 54. durch welche die Petzval-Bildkrümmung des Mikrofilmfensters 22 und der vier Linsen 64, 65, 66 und 67 des Vergrößerungslinsensystems 23 geebnet und im wesentlichen der Krümmung der konvexen Oberfläche der Linse 54 angeglichen wird.

Claims

Patentansprüche: 1. Vergrößerungseinrichtung für Mikrofilme mit einer Leuchte, deren Lichtquelle von einem halbelliptischen Reflektor umgeben ist, wobei die Mikrofilmaufnahme im Bereich zwischen der Lichtquelle und dem Brennpunkt der Leuchte angebracht ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Spiegeloberfläche des Reflektors (2) in der Umgebung ihres Scheitelpunktes langgestreckte, gekrümmt verlaufende Deformationen (4) aufweist.
2. Einrichtung gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Deformationen (4) der Spiegeloberfläche des Reflektors (2) aus im Abstand voneinander angeordneten, sich nahe vom Scheitelpunkt aus in Richtung auf den Reflektorrand erstreckenden Rinnen bestehen.
3. Einrichtung gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Spiegeloberfläche des Reflektors nach der Ellipsenformel y= = x (12,7 - 0,35 x) ausgebildet ist. wobei x in Zentimetern die Axialentfernung eines Spiegeloberflächenpunktes vom Reflektorscheitelpunkt und Y in Zentimetern die Entfernung dieses Punktes von der Reflektorachse, von der Achse aus senkrecht gesehen, ist.
4. Einrichtung gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Reflektor an seinem Scheitelpunkt mit einer Öffnung versehen ist, welche zur Durchführung von Leitungen für die Lichtquelle dient.
5. Einrichtung gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß als Lichtquelle eine Hochdruckentladelampe mit einer Leitungsentladung entlang der Reflektorachse vorgesehen ist. In Betracht bezogene Druckschriften: Deutsche Patentschriften Nr. 334 592. 598 643, 653 215, 490 006, 622156, 753 691; USA.-Patentschrift Nr. 1 633 228.