DE112018002416T5

DE112018002416T5 - Herstellungsverfahren für einen Chipwiderstand

Info

Publication number: DE112018002416T5
Application number: DE112018002416.4T
Authority: DE
Inventors: Kentaro Matsumoto; Natsuki IGUCHI
Original assignee: Koa Corp
Current assignee: Koa Corp
Priority date: 2017-05-11
Filing date: 2018-03-13
Publication date: 2020-02-27
Also published as: WO2018207455A1; JP2018190922A; CN110603614A; US20210142932A1

Abstract

Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Chipwiderstands, mit dem der nachteilige Einfluss auf die Eigenschaften aufgrund von Mikrorissen verringert werden kann, sowie zur Duchführung einer stabilen Einstellung eines Widerstandswertes mit hoher Präzision durch eine zweite Trimmnut zur Feineinstellung bereitgestellt. In Bezug auf einen Chipwiderstand 1 mit einem Widerstand 4, der mit einer ersten Trimmnut 5 zur Grobeinstellung und einer zweiten Trimmnut 6 zur Feineinstellung versehen ist, werden die Schritte des Einstellens der Länge eines ersten in lateraler Richtung geschnittenen Teils 5b der ersten Trimmnut 5 nach dem Drehen in L-Richtung, um eine bestimmte Länge L1 zu erhalten, des Einstellens von Koordinaten eines Trimmstartpunkts der zweiten Trimmnut 6 an einer Position, die ständig von einem ersten in vertikaler Richtung geschnittenen Teil 5a der ersten Trimmnut 5 nur um einen bestimmten Abstand L2 getrennt ist, und des Bestrahlens mit einem Laserlicht von den Koordinaten in eine Richtung senkrecht zu einer Richtung zwischen den Elektroden durchgeführt, um die zweite Trimmnut 6 zu bilden, die der ersten Trimmnut 5 zugewandt ist und in der Richtung entgegengesetzt zu der Ausrichtung der ersten Trimmnut 5 ausgerichtet ist.

Description

TECHNISCHES GEBIET
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Chipwiderstands, bei dem Trimmnuten auf einem Widerstand gebildet werden, der auf einem isolierenden Substrat vorgesehen ist, um einen Widerstandswert einzustellen.
STAND DER TECHNIK
Im Allgemeinen ist ein Chipwiderstand so konfiguriert, dass er hauptsächlich Folgendes umfasst: ein rechteckiges parallel verrohrtes Isoliersubstrat, ein Paar vordere Elektroden, die auf einer Vorderseite des Isoliersubstrats so angeordnet sind, dass sie sich mit einem vorbestimmten Abstand gegenüberliegen, ein Paar von hintere Elektroden, die auf einer Rückseite des isolierenden Substrats so angeordnet sind, dass sie sich mit einem vorbestimmten Abstand gegenüberliegen, Stirnseitenelektroden zur Überbrückung der vorderen Elektroden und der entsprechenden hinteren Elektroden, einen Widerstand zur Überbrückung des vorderen Elektrodenpaares und einen Schutzfilm zum Abdecken des Widerstands.
In einem Fall der Herstellung dieses Typs eines Chipwiderstands wird, nachdem mehrteilige Elektroden, Widerstände, Schutzfilme usw. gemeinsam auf einem großformatigen Substrat gebildet wurden, das großformatige Substrat entlang gitterartiger Teilungslinien (z. B. Teilungsnuten) geteilt, um mehrteilige Chipwiderstände zu erhalten. Das Verfahren zur Herstellung dieses Typs des Chipwiderstands umfasst den Schritt des Aufdruckens und Sinterns einer Widerstandspaste auf eine der Oberflächen des großformatigen Substrats, um mehrteilige Chipwiderstände zu erhalten, wodurch es schwierig wird, das Auftreten von Schwankungen der Widerstandswerte jedes Widerstands aufgrund von Schwankungen der Dicke und des Ausblutens während des Druckens oder des Einflusses von Temperaturungleichheiten in einem Sinterofen zu vermeiden. Dementsprechend wird ein Widerstandswerteinstellvorgang, bei dem Trimmnuten an jedem Widerstand in einem Zustand gebildet werden, bei dem sie sich auf dem großformatigen Substrat befinden, um einen Widerstandswert auf einen gewünschten Widerstandswert einzustellen, in dem obigen Prozess ausgeführt.
Im Allgemeinen umfasst ein Widerstandswert-Einstellverfahren dieses Widerstandstyps die folgenden Schritte: Einstellen eines Widerstandswerts des Widerstands auf einen Widerstandswert, der etwas niedriger als ein Sollwiderstandswert ist, und während der Widerstandswert des Widerstands gemessen wird, indem eine Messsonde mit beiden Elektroden in Kontakt gebracht wird, Bestrahlen des Widerstands mit einem Laserlicht, um eine Trimmnut zu bilden, so dass der Widerstandswert aufgerundet wird und somit zum Zielwiderstandswert wird. Da die Form der Trimmnut, wie z. B. I-Schnitt und L-Schnitt, bekannt ist und bei der Durchführung einer hochpräzisen Widerstandswerteinstellung, wie z. B. II-Schnitt, IL-Schnitt oder Doppel-L-Schnitt, bei denen zwei Trimmnuten einschließlich einer für die Grobeinstellung und der anderen für die Feineinstellung kombiniert sind, übernommen werden (Patentliteratur 1 und 2).
6 zeigt eine Draufsicht auf einen Chipwiderstand, der in Patentliteratur 1 beschrieben ist. Wie in 6 dargestellt, sind eine L-förmige erste Trimmnut 101 und eine I-förmige zweite Trimmnut 102 auf einem Widerstand 100 gebildet. Ein Widerstandswert des Widerstands 100 wird durch diese erste Trimmnut 101 zur Grobeinstellung und die zweite Trimmnut 102 zur Feineinstellung auf einen Sollwiderstandswert eingestellt.
Nachfolgend wird ein Verfahren zum Trimmen dieses Widerstands beschrieben. Das Trimmverfahren umfasst die Schritte, dass zunächst ein Anfangswiderstandswert des Widerstands 100 gemessen wird, indem eine Sonde mit einem Elektrodenpaar 103 in Kontakt gebracht wird, und ein erster Zielwiderstandswerts, der niedriger als der Zielwiderstandswert ist, basierend auf dem anfänglichen Einstellwert eingestellt und gespeichert wird. Der nächste Schritt wird, während ein Widerstandswert des Widerstands 100 gemessen wird, indem die Sonde mit dem Elektrodenpaar 103 in Kontakt gebracht wird, eine Bestrahlung eines Laserlichts von der unteren Seite des Widerstands 100 nach oben durchgeführt, um ein Schneiden der ersten Trimmnut 101 in vertikaler Richtung zu starten. Wenn der von der Sonde gemessene Widerstandswert den ersten Zielwiderstandswert erreicht, wird der Schritt des Ausführens eines Schneidens in lateraler Richtung der ersten Trimmnut 101 durchgeführt, indem eine Bestrahlungsrichtung des Laserlichts nach links gedreht wird, um eine L-Form zu bilden.
Der nächste Schritt besteht darin, eine Bestrahlung des Laserlichts von der unteren Seite des Widerstands 100 nach oben an einer vorbestimmten Position durchzuführen, die von einem in vertikaler Richtung geschnittenen Teil der ersten Trimmnut 101 um einen vorbestimmten Abstand nach rechts getrennt ist, um einen I-Schnitt (gerades Schneiden) der zweiten Trimmnut 102 zu beginnen. Wenn der von der Sonde gemessene Widerstandswert den Zielwiderstandswert erreicht, wird die Bestrahlung des Widerstands 100 mit dem Laserlicht gestoppt, um das I-Schneiden der zweiten Trimmnut 102 zu beenden, und wodurch die Einstellung des Widerstandswerts des Widerstands 100 (Trimmschritte) beendet ist. Durch Ausführen der Schritte des Messens eines Anfangswiderstandswerts des Widerstands 100 und des Einstellens der Länge des in vertikaler Richtung geschnittenen Teils der ersten Trimmnut 101 auf der Grundlage des anfänglichen Einstellwerts überschreitet die Länge der zweiten Trimmnut 102 auf diese Weise nicht eine L-Drehposition (Spitze des in vertikaler Richtung geschnittenen Teils) der ersten Trimmnut 101.
Bei diesem in Patentliteratur 1 beschriebenen Verfahren zum Trimmen eines Widerstands wird die Länge des in lateraler Richtung geschnittenen Teils der ersten Trimmnut 101 basierend auf dem Anfangswiderstandswert des Widerstands 100 bestimmt, die Länge des I-förmigen Teils der zweiten Trimmnut 102 wird nicht extrem lang oder kurz und somit kann ein stabiles hochpräzises Trimmen durchgeführt werden, unabhängig von Variationen der Anfangswiderstandswerte. An den Spitzen der ersten Trimmnut 101 und der zweiten Trimmnut 102 treten jedoch Mikrorisse auf und obwohl die Mikrorisse an der Spitze der ersten Trimmnut 101 einen geringen Einfluss auf einen Widerstandswert haben, da sie sich in eine Richtung zwischen den Elektroden erstrecken (seitliche Richtung), haben die Mikrorisse an der Spitze der zweiten Trimmnut 102 einen großen Einfluss auf den Widerstandswert, da sie sich in eine Richtung (vertikale Richtung) erstrecken, die orthogonal zu der Richtung zwischen den Elektroden ist. Darüber hinaus verursacht der Mikroriss an der Spitze der zweiten Trimmnut 102 Probleme in Bezug auf die elektrischen Eigenschaften und die Haltbarkeit des Widerstands 100.
Um den Einfluss der Mikrorisse zu verringern, sind in einem in Patentliteratur 2 beschriebenen Verfahren zum Trimmen eines Widerstands, wie in 7 dargestellt, die L-förmige erste Trimmnut 101 und eine L-förmige zweite Trimmnut 104 an dem Widerstand 100 so gebildet, dass sie einander zugewandt sind. Das Verfahren zum Trimmen des Widerstands 100 umfasst in diesem Fall die folgenden Schritte: erstens, während ein Widerstandswert des Widerstands 100 gemessen wird, indem die Sonde mit dem Elektrodenpaar 103 in Kontakt gebracht wird, wird eine Einstrahlung eines Laserlichts von einer vorbestimmten Position der unteren Seite des Widerstands 100 nach oben durchgeführt, um ein Schneiden der ersten Trimmnut 101 in vertikaler Richtung zu starten. An dem Punkt, an dem der gemessene Widerstandswert einen Wert von mehreren Dutzend Prozent des Zielwiderstandswerts erreicht, wird der Schritt des Ausführens eines Schneidens in lateraler Richtung der ersten Trimmnut 101 durch Drehen einer Bestrahlungsrichtung des Laserlichts nach links gestartet, um eine L-Form zu bilden. Dann, an dem Punkt, an dem der gemessene Widerstandswert einen Widerstandswert erreicht, der durch Subtrahieren mehrerer Prozent vom Zielwiderstandswert erhalten wird, wird die Einstrahlung des Laserlichts gestoppt, um die L-förmige erste Trimmnut 101 zu bilden. Die erste Trimmnut 101 zur Grobeinstellung wird durch die oben beschriebenen Schritte gebildet, und mit dieser ersten Trimmnut 101 wird ein Wert nahe dem Zielwiderstandswert als gemessener Widerstandswert bis zu einem gewissen Grad erhalten und die Grobeinstellung des Widerstandswerts ist abgeschlossen.
Der nächste Schritt besteht darin, eine Bestrahlung des Laserlichts von der Unterseite des Widerstands 100 nach oben an einer Position durchzuführen, die von einem in vertikaler Richtung geschnittenen Teil der ersten Trimmnut 101 nach links um einen vorbestimmten Abstand L getrennt ist, um das Schneiden der zweiten Trimmnut 104 in vertikaler Richtung zu starten. An dem Punkt, an dem der von der Sonde gemessene Widerstandswert einen Widerstandswert erreicht, der durch Subtrahieren von beispielsweise einem Prozent vom Zielwiderstandswert erhalten wird, wird der Schritt des Ausführens eines Schneidens in lateraler Richtung der zweiten Trimmnut 104 durch Drehen einer Bestrahlungsrichtung des Laserlichts nach rechts gestartet, um eine L-Form zu bilden, woraufhin an dem Punkt, an dem der gemessene Widerstandswert den Zielwiderstandswert erreicht, die Bestrahlung mit Laserlicht gestoppt wird, um die L-förmige zweite Trimmnut 104 zu bilden. Die erste Trimmnut 101 zur Grobeinstellung und die zweite Trimmnut 104 zur Feineinstellung werden durch die oben beschriebenen Schritte gebildet, und wenn die Trimmschritte an dem Punkt abgeschlossen sind, an dem der gemessene Widerstandswert fast den Zielwiderstandswert erreicht, ist die gesamte Einstellung des Widerstandswerts abgeschlossen.
Bei dem in Patentliteratur 2 beschriebenen Verfahren zum Trimmen eines Widerstands wird nach dem Bilden der L-förmigen ersten Trimmnut 101 auf dem Widerstand 100 zur groben Einstellung des Widerstandswerts die L-förmige zweite Trimmnut 104 so gebildet, dass sie der ersten Trimmnut 101 zugewandt ist, so dass eine feine Einstellung des Widerstandswerts durchgeführt wird. Dementsprechend haben sowohl die Mikrorisse, die an der Spitze der ersten Trimmnut 101 auftreten, als auch diejenigen, die an der Spitze der zweiten Trimmnut 104 auftreten, einen geringeren Einfluss auf den Widerstandswert, da sie sich in Richtung zwischen den Elektroden erstrecken. Da ferner der Einfluss der Mikrorisse, die an der Spitze der ersten Trimmnut 101 auftreten, durch die zweite Trimmnut 104 verhindert wird, ist es möglich, den Einfluss auf die elektrischen Eigenschaften und die Haltbarkeit aufgrund der Mikrorisse zu verringern.
ZITATIONSLISTE
PATENTLITERATUR

Patentliteratur 1: JP H4-196502 A
Patentliteratur 2: JP 2000-340401 A

ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
TECHNISCHES PROBLEM
In dem in Patentliteratur 2 beschriebenen Widerstand 100 werden die Länge der in vertikaler Richtung geschnittenen Teile und die der in lateraler Richtung geschnittenen Teile der ersten und zweiten Trimmnuten 101, 104 jeweils basierend auf einem Verhältnis zu einem endgültigen Sollwiderstandswert des Widerstands 100 bestimmt. In Bezug auf die Länge der ersten Trimmnut 101 wird beispielsweise für die Grobeinstellung nachdem eine Richtung der vertikalen Richtung das Schneiden gedreht wird, um die L-Form an dem Punkt zu bilden, an dem ein Widerstandswert einen Wert von mehreren Dutzend Prozent des Zielwiderstandswerts erreicht, das Schneiden in lateraler Richtung an dem Punkt gestoppt, an dem der Widerstandswert einen Wert erreicht, der durch Subtrahieren von mehreren Prozent vom Zielwiderstandswert erhalten wird. Die Gesamtlänge des in lateraler Richtung geschnittenen Teils der ersten Trimmnut 101 ist jedoch die Länge, für die sich der in lateraler Richtung geschnittene Teil erstreckt, bis der Widerstandswert den Wert erreicht, der durch Subtrahieren von mehreren Prozent von dem endgültigen Zielwiderstandswert erhalten wird, und somit variiert er abhängig von der Dicke, dem Material usw. des Widerstands 100. Entsprechend kann in Abhängigkeit von der Länge des in lateraler Richtung geschnittenen Teils der ersten Trimmnut 101 eine Situation auftreten, bei der eine Widerstandswerteinstellung mit hoher Genauigkeit durch die zweite Trimmnut 104 nicht durchgeführt werden kann.
Zum Beispiel kann, wie in 8A dargestellt, wenn die Gesamtlänge des in lateraler Richtung geschnittenen Teils der ersten Trimmnut 101 kurz wird, ein Trimmstartpunkt der zweiten Trimmnut 104 weitestgehend von einem Ende der ersten Trimmnut 101 getrennt sein. In einem solchen Fall wird der Abstand, bis die Spitze des Vertikalrichtungsschneidens der zweiten Trimmnut 104 eine Kontinuitätslinie EL1 erreicht, extrem kurz. Hier ist die Durchgangsleitung EL1 eine virtuelle Leitung zum Verbinden eines Schnittpunkts PI, an dem sich eine der vorderen Elektroden 103 in Kontakt mit der unteren Seite des Widerstands 100 befindet (auf der linken Seite von 8A dargestellt), wobei sich ein Ende der ersten Trimmnut 101 (Spitze des Schnitts in lateraler Richtung) in dem kürzesten Abstand befindet, und die zweite Trimmnut 102 ist in einem Bereich Q1 gebildet, der von der Durchgangslinie EL1 und der ersten Trimmnut 101 umgeben ist. Der Bereich Q1 ist ein Abschnitt, in dem ein Verhältnis des Widerstandswertinkrements zum Ausmaß des Ausschneidinkrements der zweiten Trimmnut 102 klein ist. Wie oben beschrieben wird jedoch, wenn der Abstand, bis die Spitze des Vertikalrichtungsschneidens der zweiten Trimmnut 104 die Durchgangslinie EL1 erreicht, kurz ist, der Abstand, in dem der Widerstandswert eingestellt werden kann, verkürzt, und eine Feineinstellung des Widerstandswerts funktioniert daher nicht.
Ferner kann, wie in 8B dargestellt, wenn die Gesamtlänge des in lateraler Richtung geschnittenen Teils der ersten Trimmnut 101 lang wird, das Ende der ersten Trimmnut 101 den Trimmstartpunkt der zweiten Trimmnut 104 überschreiten. In einem solchen Fall wird die Änderung des Widerstandswerts pro Längeneinheit in vertikaler Richtung des Schneidens der zweiten Trimmnut 104 extrem klein und wenn das Schneiden der zweiten Trimmnut 104 in vertikaler Richtung verlängert wird, bis der Widerstandswert einen Widerstandswert erreicht, der durch Subtrahieren von einem Prozent von dem Zielwiderstandswert erhalten wird, überschreitet die Spitze des Vertikalrichtungsschneidens der zweiten Trimmnut 104 den Bereich Q1 und verläuft durch das Schneiden in lateraler Richtung der ersten Trimmnut 101. Infolgedessen steigt der Widerstandswert des Widerstands 100 stark an und somit funktioniert die Feineinstellung nicht; darüber hinaus wird der Einfluss der Mikrorisse, die an der Spitze des vertikalen Schneidens der zweiten Trimmnut 104 auftreten, erhöht.
Die vorliegende Erfindung wurde im Hinblick auf die Situationen des Standes der Technik gemacht, und eine Aufgabe davon ist es, den nachteiligen Einfluss auf die Eigenschaften aufgrund von Mikrorissen zu verringern, sowie ein Verfahren zur Herstellung eines Chipwiderstands bereitzustellen, der in der Lage ist, eine stabile Einstellung eines Widerstandswertes mit hoher Präzision durch eine zweite Trimmnut zur Feineinstellung durchzuführen.
PROBLEMLÖSUNG
Um das obige Ziel zu erreichen, umfasst ein Verfahren zur Herstellung eines Chipwiderstands gemäß der vorliegenden Erfindung Folgendes: einen Elektrodenbildungsschritt zum Bilden eines Elektrodenpaares auf einer Vorderseite eines isolierenden Substrats mit einem vorbestimmten Abstand dazwischen; einen Widerstandsbildungsschritt zum Bilden eines rechteckigen parallel verrohrten Widerstands, um das Elektrodenpaar zu verbinden; einen ersten Trimmformungsschritt zum Messen eines Widerstandswerts des Widerstands, Bilden einer ersten Aussparung, die sich von einer der Seitenflächen des Widerstands in eine Richtung senkrecht zu einer Richtung zwischen den Elektroden erstreckt, bis ein gemessener Widerstandswert einen ersten Zielwiderstandswert erreicht, der höher als ein Anfangswiderstandswert, aber niedriger als ein Zielwiderstandswert ist, und daraufhin Bilden eines zweiten Ausschnitts, der sich von einem Ende des ersten Ausschnitts in Richtung zwischen den Elektroden um einen bestimmten Abstand L1 erstreckt, um eine L-förmige erste Trimmnut zu bilden; und einen zweiten Trimmformungsschritt zum Messen des Widerstandswerts des Widerstands, Bilden einer dritten Aussparung, die sich von einer der Seitenflächen des Widerstands erstreckt, auf denen die erste Trimmnut in Richtung senkrecht zu der Richtung zwischen den Elektroden gebildet ist, bis der gemessene Widerstandswert einen zweiten Sollwiderstandswert erreicht, der höher als der Widerstandswert ist, nachdem der erste Trimmformschritt durchgeführt wurde, aber niedriger als der Sollwiderstandswert ist, und daraufhin Bilden eines vierten Ausschnitts, der sich von einem Ende des dritten Ausschnitts in Richtung des ersten Ausschnitts der ersten Trimmnut erstreckt, bis der gemessene Widerstandswert den Zielwiderstandswert erreicht, um eine L-förmige zweite Trimmnut zu bilden, wobei sich der dritte Ausschnitt der zweiten Trimmnut von einer Position auf einer der Seitenflächen des Widerstands erstreckt, die ein Trimmstartpunkt ist, der von dem ersten Ausschnitt der ersten Trimmnut in Richtung zu einer der Elektroden um einen bestimmten Abstand L2 getrennt ist, der länger ist als der bestimmte Abstand L1 in Richtung senkrecht zur Richtung zwischen den Elektroden.
Gemäß dem Verfahren zur Herstellung eines Chipwiderstands der vorliegenden Erfindung wird die Länge des zweiten Ausschnitts der ersten Trimmnut zur Grobeinstellung nach L-förmigem Richtungsdrehen unabhängig von der Dicke, dem Material usw. auf die bestimmte Länge L1 des Widerstands eingestellt und des Weiteren wird der Trimmstartpunkt der zweiten Trimmnut zur Feineinstellung an einer Position bestimmt, die vom ersten Ausschnitt der ersten Trimmnut ständig nur um den bestimmten Abstand L2 getrennt ist. Daher wird verhindert, dass die Endposition der ersten Trimmnut zu weit von dem Trimmstartpunkt der zweiten Trimmnut entfernt oder zu nahe daran liegt und dadurch ist es möglich, den Widerstandswert mit hoher Präzision stabil einzustellen.
Ferner kann gemäß dem Verfahren zum Herstellen eines Chipwiderstands der vorliegenden Erfindung der erste Sollwiderstandswert zum Bestimmen einer Drehposition der ersten Trimmnut konstant der gleiche Wert sein, andererseits, wenn das Ausmaß der Änderung des Widerstandswerts in Übereinstimmung mit dem Ausmaß des Ausschneidens des zweiten Ausschneidens vorhergesagt wird, um den ersten Zielwiderstandswert auf einen vorbestimmten Wert einzustellen, der dem Anfangswiderstandswert entspricht, auch wenn der Anfangswiderstandswert stark schwankt, überschreitet der Widerstandswert nach dem Bilden der zweiten Aussparung den Sollwiderstandswert nicht, und somit ist es möglich, eine Feineinstellung des Widerstandswerts durch die zweite Trimmnut sicher durchzuführen.
Weiterhin ist es gemäß dem Verfahren zur Herstellung eines Chipwiderstands der vorliegenden Erfindung, wenn der dritte Ausschnitt der zweiten Trimmnut so geformt ist, dass er eine virtuelle Linie überschreitet, die einen Schnittpunkt verbindet, wobei eine der Elektroden in Kontakt mit einer der Seitenflächen des Widerstands ist, wobei das Ende der ersten Trimmnut die Länge des ersten Ausschnitts der ersten Trimmnut nicht überschreitet, möglich, die nachteiligen Einflüsse auf die Mikrorisse, die an der Spitze der ersten Trimmnut auftreten, wirksam zu reduzieren.
VORTEILHAFTE WIRKUNGEN DER ERFINDUNG
Gemäß dem Verfahren zur Herstellung eines Chipwiderstands der vorliegenden Erfindung ist es möglich, den nachteiligen Einfluss auf die Eigenschaften aufgrund von Mikrorissen zu verringern, sowie eine stabile Einstellung eines Widerstandswertes mit hoher Präzision durch eine zweite Trimmnut zur Feineinstellung durchzuführen.
Figurenliste

[1] 1 zeigt eine Draufsicht eines Chipwiderstands gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
[2A-D] 2A-2D erläutert einen Prozess zum Herstellen des Chipwiderstands.
[3A-3D] 3A-3D erläutert ein Verfahren zum Trimmen des Chipwiderstands.
[4] 4 zeigt ein Flussdiagramm, das ein Verfahren zum Trimmen des Chipwiderstands zeigt.
[5] 5 zeigt ein Flussdiagramm, das ein Verfahren zum Trimmen des Chipwiderstands zeigt.
[6] 6 zeigt eine Draufsicht auf einen Chipwiderstand gemäß einem herkömmlichen Beispiel.
[7] 7 zeigt eine Draufsicht auf einen Chipwiderstand gemäß einem anderen herkömmlichen Beispiel.
[8A, 8B] 8A, 8B erläutern ein Problem des in 7 dargestellten Chipwiderstands.

BESCHREIBUNG VON AUSFÜHRUNGSFORMEN
Nachfolgend wird eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben. Wie in 1 dargestellt, ist ein Chipwiderstand 1 gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung so konfiguriert, dass er hauptsächlich Folgendes umfasst: ein rechteckiges parallel verrohrtes Isoliersubstrat 2, ein Paar von vorderen Elektroden 3, die an beiden Enden einer Vorderseite des isolierenden Substrats 2 in seiner Längsrichtung vorgesehen sind, einen rechteckigen Widerstand 4, der auf der Vorderseite des isolierenden Substrats 2 vorgesehen ist, um das Paar der vorderen Elektroden 3 zu verbinden, und eine Schutzfolie (nicht dargestellt), die dazu vorgesehen ist, den Widerstand 4 abzudecken. Der Widerstand 4 ist mit einer ersten Trimmnut 5 zur Grobeinstellung eines Widerstandswerts und einer zweiten Trimmnut 6 zur Feineinstellung desselben versehen. Obwohl in den Zeichnungen nicht dargestellt, ist auf einer Rückseite des isolierenden Substrats 2 ein Paar von hintere Elektroden vorgesehen, um den vorderen Elektroden 3 zu entsprechen, und an beiden Stirnseiten des Isoliersubstrats 2 in seiner Längsrichtung sind Stirnseitenelektroden zur Überbrückung der vorderen Elektroden und der entsprechenden hinteren Elektroden vorgesehen.
Das Isoliersubstrat 2 besteht aus Keramik und wird aus einem großformatigen Substrat erhalten (das später beschrieben wird), das entlang vertikaler und lateraler Teilungsnuten geteilt wird, um mehrteilige Substrate zu erhalten. Die vorderen Elektroden 3 werden durch Siebdrucken, Trocknen und Sintern einer Paste auf Ag-Basis erhalten und die hinteren Elektroden (nicht dargestellt) werden auf die gleiche Weise wie die vorderen Elektroden 3 erhalten, d. h. durch Siebdrucken, Trocknen und Sintern der Paste auf Ag-Basis.
Der Widerstand 4 wird durch Siebdrucken, Trocknen und Sintern einer Widerstandspaste wie Cu-Ni oder Rutheniumoxid erhalten. Die Einstellung eines Widerstandswerts des Chipwiderstands 1 wird durchgeführt, indem die L-förmige erste Trimmnut 5 und die L-förmige zweite Trimmnut 6 an dem Widerstand 4 so vorgesehen werden, dass sie einander zugewandt sind. Die Einzelheiten der Anpassung werden später beschrieben.
In diesem Zusammenhang wird der Schutzfilm (nicht dargestellt) durch Siebdrucken, Erhitzen und Aushärten einer Harzpaste auf Epoxidbasis erhalten und hat die Funktion, den Widerstand 4 vor einer äußeren Umgebung zu schützen. Die Stirnseitenelektroden werden durch Auftragen von Ag-Paste auf die Stirnseiten des Isoliersubstrats 2 und Trocknen und Sintern der aufgebrachten Paste oder durch Aufsprühen von Ni/Cr anstelle der Ag-Paste erhalten. Auf jede Vorderseite der Stirnseitenelektroden wird eine Überzugsschicht wie Ni, Au oder Sn aufgebracht.
Nachfolgend wird ein Herstellungsprozess des Chipwiderstands 1, der wie oben konfiguriert ist, unter Bezugnahme auf 2A - 2D beschrieben.
Der erste Schritt des Herstellungsprozesses des Chipwiderstands 1 besteht darin, ein großformatiges Substrat herzustellen, aus dem mehrteilige isolierende Substrate 2 erhalten werden. In dem großformatigen Substrat werden vorab Primärteilungsnuten und Sekundärteilungsnuten vorgesehen, um ein Gittermuster zu bilden, und jedes der durch die primären Teilungsnuten und die sekundären Teilungsnuten unterteilten Gitter dient als ein einzelner Chipbereich. 2A-2D stellen stellvertretend ein großformatiges Substrat 2A dar, das einem einzelnen Chipbereich entspricht, in der Praxis wird jedoch jeder nachstehend beschriebene Schritt in Bezug auf ein großformatiges Substrat, das mehrteiligen Chipbereichen entspricht, gemeinsam ausgeführt.
Das heißt, wie in 2A dargestellt, wird nach dem Siebdrucken einer Paste auf Ag-Basis auf eine Vorderseite des großformatigen Substrats 2A der Schritt des Trocknens und Sinterns der siebgedruckten Paste durchgeführt, um ein Paar von vorderen Elektroden 3 zu bilden (Schritt des Bildens der vordere Elektroden). Gleichzeitig mit oder um den Schritt des Bildens der vordere Elektroden, nach dem Siebdrucken der Paste auf Ag-Basis auf eine Rückseite des großformatigen Substrats 2A, wird der Schritt des Trocknens und Sinterns der siebgedruckten Paste durchgeführt, um ein Paar von hinteren Elektroden (nicht dargestellt) zu bilden (Schritt des Bildens der hintere Elektroden).
Wie in 2B dargestellt, besteht der nächste Schritt darin, eine Widerstandspaste wie Cu-Ni oder Rutheniumoxid auf die Vorderseite des großformatigen Substrats 2A aufzudrucken und anschließend wird die siebgedruckte Paste getrocknet und gesintert, um einen rechteckigen Widerstand 4 zu bilden, dessen beide Enden in seiner Längsrichtung jeweils mit den vorderen Elektroden 3 überlappen (Widerstandsbildungsschritt).
Als nächstes wird, wie in 2C dargestellt, nach dem Bilden eines ersten in vertikaler Richtung geschnittenen Teils 5a, das sich von einer vorbestimmten Position an der Unterseite des Widerstands 4 nach oben erstreckt, der Schritt des Bildens eines ersten in lateraler Richtung geschnittenen Teils 5b, der seine Erstreckungsrichtung von der Spitze des in vertikaler Richtung geschnittenen Teils 5a nach links dreht, um eine L-Form zu bilden, und sich dann entsprechend um einen bestimmten Abstand L1 erstreckt, ausgeführt, um eine L-förmige erste Trimmnut 5 auf dem Widerstand 4 zu bilden (erster Trimmformschritt). Mit der ersten Trimmnut 5 wird ein Widerstandswert des Widerstands 4 grob auf einen Wert eingestellt, der geringfügig niedriger als ein Sollwiderstandswert ist.
Als nächstes wird, wie in 2D dargestellt, nach dem Bilden eines zweiten in vertikaler Richtung geschnittenen Teils 6a, das sich von einer Position der unteren Seite des Widerstands 4 aus als Trimmstartpunkt nach oben erstreckt, der von dem ersten in vertikaler Richtung geschnittenen Teil 5a der ersten Trimmnut 5 nach links um einen bestimmten Abstand L2 (L2> L1) getrennt ist, der Schritt des Bildens eines zweiten in lateraler Richtung geschnittenen Teils 6b ausgeführt, der seine Erstreckungsrichtung von der Spitze des zweiten in vertikaler Richtung geschnittenen Teils 6a nach rechts dreht, um eine L-Form zu bilden, und sich dann entsprechend ausdehnt, um eine zweite Trimmnut 6 mit L-Form zu bilden, die in der Richtung entgegengesetzt zur Ausrichtung der L-Form der ersten Trimmnut 5 auf dem Widerstand 4 ausgerichtet ist (zweiter Trimmformschritt). An dem Punkt, an dem die erste Trimmnut 5 und die zweite Trimmnut 6 auf die vorgenannte Weise gebildet sind, ist die Einstellung des Widerstandswerts des Widerstands 4 abgeschlossen und der Widerstandswert des Widerstands 4 wird ein Wert, der dem Zielwiderstandswert nahezu nahe kommt.
Hier kann die zweite Trimmnut 6 in Übereinstimmung mit den Zwecken in verschiedenen Formen gebildet sein, wie einer I-Schnittform, die sich nur in Richtung orthogonal zur Richtung zwischen den Elektroden vom Trimmstartpunkt aus erstreckt. Andererseits erstrecken sich in einem Fall, in dem die zweite Trimmnut 6 in der L-Form gebildet ist, die in der Richtung entgegengesetzt zu der Ausrichtung der L-Form der ersten Trimmnut 5 ausgerichtet ist, beide Mikrorisse, nämlich Mikrorisse, die an der Spitze der ersten Trimmnut 5 auftreten, und diejenigen, die an der Spitze der zweiten Trimmnut 6 auftreten, in Richtung zwischen den Elektroden, und dadurch ist es möglich, die Beeinflussung durch Mikrorisse wirksamer zu reduzieren. Wenn die Spitze der L-förmigen zweiten Trimmnut 6 so gebildet ist, dass sie die erste Trimmnut 5 nicht überschreitet, es ist möglich, den nachteiligen Einfluss aufgrund der Mikrorisse, die an der Spitze der zweiten Trimmnut 6 auftreten, wirksam zu verringern, und wenn sich die Spitze der zweiten Trimmnut 6 in Richtung der Innenseite der L-förmigen ersten Trimmnut 5 erstreckt, es ist darüber hinaus möglich, den nachteiligen Einfluss der Mikrorisse, die an der Spitze der zweiten Trimmnut 6 auftreten, zu verringern.
Als nächstes wird der Schritt des Siebdruckens von Epoxidharzpaste über die erste Trimmnut 5 und die zweite Trimmnut 6 durchgeführt und das Erhitzen und Aushärten der siebgedruckten Paste wird durchgeführt, um einen Schutzfilm (nicht dargestellt) zum Abdecken des gesamten Widerstands 4 zu bilden (Schutzfilmbildungsschritt).
Die Schritte bis hierher werden kollektiv in Bezug auf das großformatige Substrat 2A durchgeführt, aus dem mehrteilige isolierende Substrate erhalten werden. Im nächsten Schritt wird eine Primärbruchverarbeitung zum Teilen des großformatigen Substrats 2A in Streifen entlang der Primärteilungsnuten durchgeführt, um streifenförmige Substrate (nicht dargestellt) zu erhalten, die mit mehrteiligen Chipbereichen versehen sind (primärer Teilungsschritt). Dann wird der Schritt des Aufbringens der Ag-Paste auf geteilte Oberflächen des streifenförmigen Substrats und des anschließenden Trocknens und Sinterns der aufgebrachten Paste oder des Aufsprühens von Ni/Cr anstelle der Ag-Paste durchgeführt, um Stirnseitenelektroden (nicht dargestellt) zum Überbrücken der vorderen Elektroden 3 und der hinteren Elektroden zu bilden (Stirnseitenelektrodenbildungsschritt).
Danach wird eine Sekundärunterbrechungsverarbeitung zum Teilen des streifenförmigen Substrats entlang der Sekundärteilungsnuten durchgeführt, um eine Chipeinheit mit der gleichen Abmessung wie der des Chipwiderstands 1 zu erhalten (Sekundärteilungsschritt). Der letzte Schritt ist das Aufbringen einer elektrolytischen Beschichtung wie Ni, Au oder Sn auf beide Stirnseiten des isolierenden Substrats 2 in seiner Längsrichtung für jede geteilte Chipeinheit, um eine äußere Elektrode (nicht dargestellt) zum Abdecken der von dem Schutzfilm freigelegten vorderen Elektroden 3 zu bilden. Auf diese Weise kann der in 1 dargestellte Chipwiderstand 1 erhalten werden.
Nachfolgend werden der zuvor erwähnte erste Trimmformschritt und der zweite Trimmformschritt unter Bezugnahme auf 3A - 3D bis 5 ausführlich beschrieben.
Wie in einem Flussdiagramm von 4 dargestellt, besteht der erste Schritt des ersten Trimmformungsschritts darin, eine Sonde (nicht dargestellt) mit dem Paar der vorderen Elektroden 3 in Kontakt zu bringen, um einen Anfangswiderstandswert R0 des Widerstands 4 zu messen (S-1). Dann wird der Schritt des Bestimmens eines Werts eines ersten Zielwiderstandswerts R1 basierend auf dem Anfangswiderstandswert R0 durchgeführt. Wenn zum Beispiel der Anfangswiderstandswert R0 ein Wert minus 10% des Zielwiderstandswerts Rt ist, wird der erste Zielwiderstandswert R1 als ein Wert minus 3% des Zielwiderstandswerts Rt bestimmt, und wenn der Anfangswiderstandswert R0 ein Wert minus 30% des Zielwiderstandswerts Rt ist, wird der erste Zielwiderstandswert R1 als ein Wert minus 5% des Zielwiderstandswerts Rt bestimmt.
Als nächstes wird, während der Widerstandswert R des Widerstands 4 gemessen wird, indem die Sonde mit dem Paar der vorderen Elektroden 3 in Kontakt gebracht wird (S-3), der Schritt des Abtastens eines Laserlichts entlang der Y1-Richtung von den Startpunktkoordinaten (x0, y0) ausgeführt, die in 3A - 3D dargestellt sind (S-4). Infolgedessen wird, wie in 3A dargestellt, der erste in vertikaler Richtung geschnittene Teil 5a, der sich von der unteren Seite des Widerstands 4 nach oben erstreckt, gebildet (S-5) und der gemessene Widerstandswert R des Widerstands 4 nimmt allmählich in Übereinstimmung mit dem Ausmaß des Ausschneidens des ersten in vertikaler Richtung geschnittenen Teils 5a zu.
Wenn dann der gemessene Widerstandswert R des Widerstands 4 den ersten Zielwiderstandswert R1 erreicht (S-6), wird die Richtung des Laserlichts von der oben angegebenen Position als Drehkoordinaten (x0, y1) im Winkel von 90 ° nach links gedreht und dann wird das Laserlicht in X2-Richtung abgetastet (S-7). Dadurch wird, wie in 3B dargestellt, der erste des in lateraler Richtung geschnittenen Teils 5b gebildet, der sich von der Spitze des ersten in vertikaler Richtung geschnittenen Teils 5a nach links erstreckt (S-8), und der Widerstandswert des Widerstands 4 nimmt allmählich und geringfügig in Übereinstimmung mit dem Ausmaß des Ausschneidens des ersten in lateraler Richtung geschnittenen Teils 5b zu.
Wenn sich der erste in lateraler Richtung geschnittene Teil 5b von der Spitze des ersten in vertikaler Richtung geschnittenen Teils 5a um den bestimmten Abstand L1 erstreckt, das heißt, wenn eine Bestrahlungsposition des Laserlichts die Koordinaten (x0 + L1, y1) erreicht, die sich von den Drehkoordinaten (x0, y1) um den bestimmten Abstand L1 in der X2-Richtung (S-9) bewegen, wird die Bestrahlung des Lasers an der oberen Position beendet, um die L-förmige erste Trimmnut 5 zu bilden (S-10). An dem Punkt, an dem die erste Trimmnut 5 zur Grobeinstellung auf die oben erwähnte Weise gebildet ist, wird der Widerstandswert des Widerstands 4 grob eingestellt, um einen zweiten Sollwiderstandswert R2 darzustellen, der höher als der erste Zielwiderstandswert R1, aber niedriger als der Zielwiderstandswert Rt ist; der Schritt zum Bedecken der Oberfläche des Widerstands 4 mit einer Vorbeschichtungsschicht aus beispielsweise Glaspaste und zum Einstrahlen des Laserlichts auf die Vorbeschichtungsschicht kann durchgeführt werden, um die erste Trimmnut 5 auf dem Widerstand 4 zu bilden.
Hier variiert der Änderungsbetrag des Widerstandswerts in Übereinstimmung mit dem Ausschneideabstand L1 des ersten in lateraler Richtung geschnittenen Teils 5b in Abhängigkeit von einer Position (Drehposition) der Spitze des ersten in vertikaler Richtung geschnittenen Teils 5a, und wenn sich die Drehposition der Oberseite des Widerstands 4 nähert, nimmt der Änderungsbetrag des Widerstandswerts in Übereinstimmung mit dem Ausschneideabstand L1 des ersten in lateraler Richtung geschnittenen Teils 5b zu. Wie oben beschrieben, wird in der vorliegenden Ausführungsform der Wert des ersten Zielwiderstandswerts R1 als kleiner bestimmt, wenn die Differenz des Anfangswiderstandswert R0 in Bezug auf den Zielwiderstandswert Rt größer ist, und somit ist es möglich, selbst wenn der Anfangswiderstandswert R0 in Bezug auf den Zielwiderstandswert Rt stark schwankt, indem der erste in lateraler Richtung geschnittene Teil 5b nur um den bestimmten Abstand L1 erweitert und gebildet wird, eine Grobeinstellung sicher durchzuführen, so dass der Widerstandswert des Widerstands 4 der zweite Sollwiderstandswert R2 wird.
Danach wird, wie in einem Flussdiagramm von 5 dargestellt, der Schritt des Bestimmens der Startkoordinaten der Laserlichtbestrahlung, die als Trimmstartpunkt der zweiten Trimmnut 6 dienen, basierend auf der Position des ersten in vertikaler Richtung geschnittenen Teils 5a der ersten Trimmnut 5 ausgeführt. Die Startkoordinaten der Laserlichtbestrahlung werden auf einer Position (x0 + L2, y0) eingestellt, die von den Startpunktkoordinaten (x0, y0) in der linken Richtung (X2-Richtung) um einen bestimmten Abstand L2 (S-11) getrennt ist.
Während im nächsten Schritt der Widerstandswert R des Widerstands 4 gemessen wird, indem die Sonde mit dem Paar der vorderen Elektroden 3 in Kontakt gebracht wird (S-12), wird der Schritt des Abtastens des Laserlichts entlang der Y1-Richtung von den Startkoordinaten der Laserlichtbestrahlung (x0 + L2, y0) ausgeführt (S-13). Infolgedessen wird, wie in 3C dargestellt, der zweite in vertikaler Richtung geschnittene Teil 6a, der sich von der unteren Seite des Widerstands 4 nach oben erstreckt, gebildet (S-14) und der gemessene Widerstandswert R des Widerstands 4 nimmt weiter in Übereinstimmung mit dem Ausmaß des Ausschneidens des zweiten in vertikaler Richtung geschnittenen Teils 6a zu. Zu diesem Zeitpunkt wird der zweite in vertikaler Richtung geschnittene Teil 6a so gebildet, dass er sich in Richtung einer Kontinuitätslinie EL1 erstreckt, die einen Schnittpunkt P1 verbindet, bei dem eine der vorderen Elektroden 3 in Kontakt mit der unteren Seite des Widerstands 4 ist (dargestellt auf der linken Seite von 3C), wobei sich ein Ende des ersten in lateraler Richtung geschnittenen Teils 5b der ersten Trimmnut 5 im kürzesten Abstand angeordnet ist.
Wenn der gemessene Widerstandswert R des Widerstands 4 einen dritten Sollwiderstandswert R3 erreicht, der höher als der zweite Sollwiderstandswert R2, aber niedriger als der Sollwiderstandswert Rt ist (S-15), wird der Schritt des Drehens der Richtung des Laserlichts nach rechts um den Winkel von 90 ° und des Abtastens des Laserlichts in der XI-Richtung ausgeführt (S-16). Infolgedessen wird, wie in 3D dargestellt, der zweite in lateraler Richtung geschnittene Teil 6b, der sich von der Spitze des zweiten in lateraler Richtung geschnittenen Teils 6a nach rechts erstreckt, gebildet (S-17) und der Widerstandswert des Widerstands 4 nimmt weiter allmählich und geringfügig in Übereinstimmung mit dem Ausmaß des Ausschneidens des zweiten in lateraler Richtung geschnittenen Teils 6b zu.
Wenn dann der gemessene Widerstandswert R des Widerstands 4 den Sollwiderstandswert Rt erreicht (S-18), wird die Bestrahlung des Lasers an der Position oberhalb der zweiten Trimmnut 6 beendet (S-19). Auf diese Weise sind alle Schritte des Trimmens des Widerstands 4 abgeschlossen.
Wie oben beschrieben, wird in dem Verfahren zum Herstellen des Chipwiderstands 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform, wenn die erste Trimmnut 5 zur Grobeinstellung gebildet wird, die Länge des ersten in lateraler Richtung geschnittenen Teils 5b (zweiter Ausschnitt) der ersten Trimmnut 5 nach dem Drehen in L-Form-Richtung auf die bestimmte Länge L1 eingestellt, unabhängig von der Dicke, dem Material usw. des Widerstands 4 und des Weiteren wird der Trimmstartpunkt der zweiten Trimmnut 6 zur Feineinstellung an einer Position bestimmt, die von dem ersten in vertikaler Richtung geschnittenen Teil 5a (erstes Ausschneiden) der ersten Trimmnut 5 nur um den bestimmten Abstand L2 ständig getrennt ist. Dementsprechend wird verhindert, dass die Endposition der ersten Trimmnut 5 zu weit von dem Trimmstartpunkt der zweiten Trimmnut 6 entfernt oder zu nahe ist, und dadurch ist es möglich, eine stabile Einstellung des Widerstandswerts mit hoher Genauigkeit durchzuführen.
Ferner wird in der vorliegenden Ausführungsform das Ausmaß der Änderung des Widerstandswerts in Übereinstimmung mit dem Ausmaß des Ausschneidens des ersten in lateraler Richtung geschnittenen Teils 5b (zweites Ausschneiden) der ersten Trimmnut 5 nach einer L-förmigen Richtungsumkehr so vorhergesagt, dass der erste Sollwiderstandswert R1 auf einen vorbestimmten Wert gesetzt wird, der dem Anfangswiderstandswert R0 entspricht. Selbst wenn der Anfangswiderstandswert R0 stark schwankt, ist es dementsprechend möglich, eine Grobeinstellung des Widerstandswerts durch die erste Trimmnut 5 sicher durchzuführen.
In der vorliegenden Ausführungsform ist der zweite in vertikaler Richtung geschnittene Teil (dritter Ausschnitt) 6a der zweiten Trimmnut 6 so gebildet, dass die virtuelle Linie EL1, die den Schnittpunkt P1, an dem eine der Elektroden 3 mit einer der Seitenflächen des Widerstands 4 in Kontakt steht, mit dem Ende der ersten Trimmnut 5 verbindet, nicht überschritten wird. Andererseits kann er so konfiguriert sein, dass sich der zweite in vertikaler Richtung geschnittene Teil 6a der zweiten Trimmnut 6 zu einer Position erstreckt, die die virtuelle Linie EL1 überschreitet, jedoch die Länge des ersten in vertikaler Richtung geschnittenen Teils (erster Ausschnitt) 5a der ersten Trimmnut 5 nicht überschreitet. Mit dieser Konfiguration wird der Einfluss von Mikrorissen, die an der Spitze der ersten Trimmnut 5 auftreten, durch den zweiten in vertikaler Richtung geschnittenen Teil 6a der zweiten Trimmnut 6 verhindert, wodurch es möglich ist, die nachteiligen Einflüsse auf die Mikrorisse, die an der Spitze des ersten in lateraler Richtung geschnittenen Teils 5b der ersten Trimmnut 5 auftreten, wirksam zu reduzieren.
Bezugszeichenliste

1: Chipwiderstand
2: isolierendes Substrat
3: vordere Elektrode
4: Widerstand
5: erste Trimmnut
5a: erster in vertikaler Richtung geschnittener Teil (erster Ausschnitt)
5b: erster in lateraler Richtung geschnittener Teil (zweiter Ausschnitt)
6: zweite Trimmnut
6a: zweiter in vertikaler Richtung geschnittener Teil (dritter Ausschnitt)
6b: zweiter in lateraler Richtung geschnittener Teil (vierter Ausschnitt)
EL1: Durchgangsleitung
Q1: Region

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

JP H4196502 A [0011]
JP 2000340401 A [0011]

Claims

Verfahren zum Herstellen eines Chipwiderstands, wobei das Verfahren Folgendes umfasst: einen Elektrodenbildungsschritt zum Bilden eines Elektrodenpaares auf einer Vorderseite eines isolierenden Substrats mit einem vorbestimmten Abstand dazwischen; einen Widerstandsbildungsschritt zum Bilden eines rechteckigen parallel verrohrten Widerstands, um das Elektrodenpaar zu verbinden; einen ersten Trimmformungsschritt zum Messen eines Widerstandswerts des Widerstands, Bilden einer ersten Aussparung, die sich von einer der Seitenflächen des Widerstands in eine Richtung senkrecht zu einer Richtung zwischen den Elektroden erstreckt, bis ein gemessener Widerstandswert einen ersten Zielwiderstandswert erreicht, der höher als ein Anfangswiderstandswert, aber niedriger als ein Zielwiderstandswert ist, und daraufhin Bilden eines zweiten Ausschnitts, der sich von einem Ende des ersten Ausschnitts in Richtung zwischen den Elektroden um einen bestimmten Abstand L1 erstreckt, um eine L-förmige erste Trimmnut zu bilden; und einen zweiten Trimmformungsschritt zum Messen des Widerstandswerts des Widerstands, Bilden einer dritten Aussparung, die sich von einer der Seitenflächen des Widerstands erstreckt, auf denen die erste Trimmnut in Richtung senkrecht zu der Richtung zwischen den Elektroden gebildet ist, bis der gemessene Widerstandswert einen zweiten Sollwiderstandswert erreicht, der höher als der Widerstandswert ist, nachdem der erste Trimmformschritt durchgeführt wurde, aber niedriger als der Sollwiderstandswert ist, und daraufhin Bilden eines vierten Ausschnitts, der sich von einem Ende des dritten Ausschnitts in Richtung des ersten Ausschnitts der ersten Trimmnut erstreckt, bis der gemessene Widerstandswert den Zielwiderstandswert erreicht, um eine L-förmige zweite Trimmnut zu bilden, wobei sich der dritte Ausschnitt der zweiten Trimmnut von einer Position auf einer der Seitenflächen des Widerstands erstreckt, die ein Trimmstartpunkt ist, der von dem ersten Ausschnitt der ersten Trimmnut in Richtung zu einer der Elektroden um einen bestimmten Abstand L2 getrennt ist, der länger ist als der bestimmte Abstand L1 in Richtung senkrecht zur Richtung zwischen den Elektroden.
Verfahren zur Herstellung eines Chipwiderstandes nach Anspruch 1, wobei ein Wert des ersten Zielwiderstandswerts gemäß einem Anfangswiderstandswert bestimmt wird.
Verfahren zur Herstellung eines Chipwiderstandes nach Anspruch 1, wobei der dritte Ausschnitt der zweiten Trimmnut so geformt ist, dass er eine virtuelle Linie überschreitet, die einen Schnittpunkt verbindet, in dem eine der Elektroden mit einer der Seitenflächen des Widerstands in Kontakt steht, mit einem Ende der ersten Trimmnut, und um eine Länge des ersten Ausschnitts der ersten Trimmnut nicht zu überschreiten.
Verfahren zur Herstellung eines Chipwiderstandes nach Anspruch 2, wobei der dritte Ausschnitt der zweiten Trimmnut so geformt ist, dass er eine virtuelle Linie überschreitet, die einen Schnittpunkt verbindet, in dem eine der Elektroden mit einer der Seitenflächen des Widerstands in Kontakt steht, mit einem Ende der ersten Trimmnut, und um eine Länge des ersten Ausschnitts der ersten Trimmnut nicht zu überschreiten.