DE112011100376B4 - Verfahren zur herstellung einer licht aussendenden vorrichtung - Google Patents

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Abstract

Verfahren zur Herstellung einer Licht aussendenden Vorrichtung (30, 40), beinhaltend:Vorbereiten einer ablösbaren Klebstoffbahn (81), wobei die ablösbare Klebstoffbahn (81) eine Basisschicht (81 b) und eine Klebstoffschicht (81 a) aufweist;Vorbereiten einer Mehrzahl von Licht aussendenden Elementen (3), von denen jedes paarige Elementelektroden (3a, 3b) beinhaltet, wobei die paarigen Elementelektroden (3a, 3b) auf einer unteren Fläche eines jeweiligen der Licht aussendenden Elemente (3) ausgebildet sind;Anordnen der Mehrzahl von Licht aussendenden Elementen (3) derart, dass die Licht aussendenden Elemente (3) von oben her gegen die Klebstoffschicht (81a) gedrückt werden, so dass die paarigen Elementelektroden (3a, 3b) in die Klebstoffschicht (81 a) der Klebstoffbahn (81) versenkt werden;Vorsehen eines Vergusselementes (32, 42a, 42b) auf der Klebstoffbahn (81) an einer Seite, auf welcher die Mehrzahl von Licht aussendenden Elementen (3) angeordnet sind, und Einkapseln der Mehrzahl von Licht aussendenden Elementen (3) mit dem Vergusselement (32, 42a, 42b); undAblösen der Klebstoffbahn (81) von den in Kontakt mit der Basisschicht (81b) der Klebstoffbahn (81) befindlichen Elementelektroden (3a, 3b), um die Elementelektroden (3a, 3b) der Mehrzahl von Licht aussendenden Elementen (3) freizulegen.

Description

  • Technisches Gebiet
  • Die Erfindung betrifft Verfahren zur Herstellung einer Licht aussendenden Vorrichtung, die ein Licht aussendendes Diodenelement beinhaltet.
  • Technischer Hintergrund
  • Ein Licht aussendendes Diodenelement (nachfolgend kurz als Licht aussendendes Element bezeichnet) hat kompakte Größe, bietet günstige Lichtaussendeeffizienz und lebhafte Abstrahlfarbe, hat eine lange Betriebslebensdauer und hervorragende Betriebseigenschaften, und dergleichen. Demgemäß wurde es in den letzten Jahren weitverbreitet beispielsweise als Lichtquelle für eine Hintergrundbeleuchtung einer Farbanzeigevorrichtung und für Beleuchtungszwecke verwendet. Somit wird im vorliegenden Dokument eine Licht aussendende Vorrichtung, die ein Licht aussendendes Element beinhaltet, beschrieben.
  • Eine Licht aussendende Vorrichtung zum Aussenden von weißem Licht oder eine Licht aussendende Vorrichtung zum Aussenden von farbigem Licht wurde in den letzten Jahren vorgeschlagen, und bei dieser Vorrichtung ist ein Licht aussendendes Element, das auf einem Substrat montiert ist, mit einem Vergusselement abgedeckt, das ein transparentes Harz, ein transparentes Glas, ein Phosphorharz oder dergleichen sein kann. Gemäß einem bekannten Verfahren wird eine Licht aussendende Vorrichtung dieser Struktur auf Massenproduktion gestellt, indem man eine Mehrzahl von Licht aussendenden Elementen gemeinsam auf einem gemeinsamen Substrat montiert (siehe beispielsweise JP 2003-23183 A und JP 2007-103978 A ).
  • 41 zeigt eine herkömmliche Licht aussendende Vorrichtung, die ein Licht aussendendes Element beinhaltet, das in JP 2003-23183 A beschrieben ist. Diese Licht aussendende Vorrichtung 100 beinhaltet: auf der oberen Fläche befindliche paarige Elektroden 102a, die auf der oberen Fläche eines Harzsubstrates 102 ausgebildet sind, wobei die auf der oberen Fläche befindlichen Elektroden 102a eine erste auf der oberen Fläche befindliche Elektrode 102a, auf der ein Licht aussendendes Element 103 direkt montiert ist, und eine zweite auf der oberen Fläche befindliche Elektrode 102a beinhaltet, die mit dem Licht aussendenden Element 103 über einen Draht 104 elektrisch verbunden ist. Die Licht aussendende Vorrichtung 100 beinhaltet weiter auf der unteren Fläche befindliche Elektroden 102b zur Ausgabe, die auf der unteren Fläche des Harzsubstrates 102 ausgebildet ist. Die auf der oberen Fläche befindlichen paarigen Elektroden 102a und die auf der unteren Fläche befindlichen paarigen Elektroden 102b, die Externverbindungselektroden sind, sind miteinander über paarige Durchgangslochelektroden 102c elektrisch verbunden. Das Licht aussendende Element 103 ist mit einem transparenten Harz 105 auf dem Substrat gekapselt. Ein Reflexionselement 106, das eine Lichtaussendeeffizienz verbessern soll, ist auf Abschnitten der auf der oberen Fläche befindlichen paarigen Elektroden 102a vorgesehen, abgesehen von Abschnitten von diesen, die benötigt werden, um das Licht aussendende Element mit einem Draht durch Bonden zu verbinden.
  • 42 zeigt eine herkömmliche Licht aussendende Vorrichtung, die ein Licht aussendendes Element beinhaltet, das in JP 2007-103978 A beschrieben ist. Diese Licht aussendende Vorrichtung 200 beinhaltet auf einer oberen Fläche befindliche paarige Elektroden 202a, die auf der oberen Fläche eines keramischen Substrats 202 ausgebildet sind und mit einem Licht aussendenden Element dadurch elektrisch verbunden sind, dass das Licht aussendende Element auf dem keramischen Substrat direkt montiert ist, und auf einer unteren Fläche befindliche paarige Elektroden 202b zur Ausgabe, die auf der unteren Fläche des keramischen Substrats 202 ausgebildet sind. Die auf einer oberen Fläche befindlichen paarigen Elektroden 202a und die auf einer unteren Fläche befindlichen paarigen Elektroden 202b sind miteinander über paarige Durchgangslochelektroden 202c elektrisch verbunden. Das Licht aussendende Element 203 ist mittels Flip-Chip-Montieren auf oder oberhalb der auf einer oberen Fläche befindlichen Elektroden 202a auf der oberen Fläche des keramischen Substrats 202 über paarige Bondelektroden 203a oder Kontakthöcker platziert, die auf der unteren Fläche des Licht aussendenden Elementes 203 ausgebildet sind. Das Licht aussendende Element 203 ist mit niedrigen Schmelzpunkt aufweisendem Glas 205 gekapselt.
  • Bei der zuvor erwähnten Licht aussendenden Vorrichtung 100 oder 200, die ein Licht aussendendes Element beinhaltet, das in JP 2003-23183 A bzw. JP 2007-103978 A beschrieben ist, wird ein Substrat mit Elektroden, beispielsweise das Harzsubstrat 102 oder das keramische Substrat 202 verwendet, um das Licht aussendende Element an dem Substrat zu montieren, und ein Harz zum Kapseln des Licht aussendenden Elementes ist auf dem Substrat vorgesehen, um das Licht aussendende Element zu kapseln. Demgemäß wird dieses Substrat ein Hindernis bei der Reduktion einer Dicke der Licht aussendenden Vorrichtung 100 oder 200 und ein Grund zur Beeinträchtigung der Wärmeabführeigenschaften. Weiter vergrößert dieses Substrat die Anzahl der Bauteile, und es wird auch ein Grund zur Kostensteigerung.
  • Eine Licht aussendende Vorrichtung, die dadurch hergestellt wird, dass ein Substrat zum Schluss beseitigt wird, wurde herkömmlicherweise vorgeschlagen, um die zuvor erwähnten Probleme zu vermeiden ( JP 2006-173605 A ).
  • Wie in 43 dargestellt, beinhaltet diese Licht aussendende Vorrichtung 300 paarige Elektroden 303a und 303c, die an das Licht aussendende Element 304 elektrisch angeschlossen sind, und eine Elektrode 303b, an welcher das Licht aussendende Element 304 zu montieren ist, wobei diese Elektroden auf der oberen Fläche des Substrates 302 ausgebildet sind, das aus Metall, Kunststoff, Silikon oder dergleichen besteht. Das Licht aussendende Element 304 ist an der Elektrode 303b von oben her mittels eines Klebstoffes befestigt, und ist über Drähte 305a und 305b mit den paarigen Elementelektroden des Licht aussendenden Elementes 304 verbunden. Dann wird das Licht aussendende Element 304 mit einem Vergusselement 306 gekapselt, und danach wird das Substrat durch einen mechanischen oder chemischen Prozess entfernt. Somit liegen zum Schluss die Elektroden 303a, 303b und 303c an der einen Fläche des Vergusselementes 306 frei, um Elektroden der Licht aussendenden Vorrichtung 300 zu bilden.
  • Es wird ermöglicht, dass die zuvor erwähnte herkömmliche Licht aussendende Vorrichtung 300 in der Dicke insgesamt reduziert wird, da das Substrat 302 am Ende entfernt wird. Unterdessen sollte lediglich das Substrat 302 abgelöst werden, während die Mehrzahl von Elektroden 303a, 303b und 303c, die fest mit dem Substrat 302 verbunden sind, am Vergusselement 306 fest angebracht verbleiben. Dieses Ablösen wird durch einen mechanischen oder chemischen Prozess durchgeführt, was ein Entfernen des Substrates 302 zu einer schwierigen Arbeit macht und die Effizienz bei dieser Arbeit senkt. Es tritt auch ein zusätzliches Problem auf, das darin besteht, dass es schwer ist, die Qualität der Licht aussendenden Vorrichtung 300, von welcher das Substrat 302 abgelöst wurde, auf konstantem Niveau zu halten.
  • US 2004 / 0 018 659 A1 offenbart ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung. In einem ersten Schritt werden mehrere elektrisch leitende Teile auf Abschnitten einer Klebeschicht einer Klebstoffbahn angeordnet. In einem zweiten Schritt wird mindestens ein Halbleiterelement, das Elektroden aufweist, an der Klebeschicht angebracht, und zwar mit einer unteren Fläche des Halbleiterelements, die keine Elektroden aufweist. In einem dritten Schritt werden die elektrisch leitenden Teile und die Elektroden des Halbleiterelements durch Bonddrähte miteinander verbunden. In einem vierten Schritt wird das Halbleiterelement mittels eines Vergussharzes vergossen, um die Halbleitervorrichtung auf der Klebstoffbahn zu bilden. In einem fünften Schritte werden die Klebstoffbahn und die Halbleitervorrichtung voneinander getrennt.
  • DE 10 2009 036 621 A1 offenbart ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils. Ein Träger wird bereitgestellt. Zumindest ein optoelektronischer Halbleiterchip wird an einer Oberseite des Trägers angeordnet. Der zumindest eine optoelektronische Halbleiterchip wird mit einem Formkörper umgeformt, wobei der Formkörper alle Seitenflächen des zumindest einen optoelektronischen Halbleiterchips bedeckt und wobei die dem Träger abgewandte Oberfläche an der Oberseite oder die dem Träger zugewandte Oberfläche an der Unterseite des zumindest einen Halbleiterchips frei vom Formkörper bleibt oder freigelegt wird. Der Träger wird entfernt.
  • US 2007 / 0 034 995 A1 offenbart eine optische Halbleitervorrichtung mit einem optischen Halbleiterelement, auf dessen Oberfläche ein Schaltungsabschnitt mit einem Licht empfangenden oder Licht aussendenden Element ausgebildet ist. Ein Anschlussabschnitt ist auf einer Rückseite des optischen Halbleiterelements vorgesehen und elektrisch mit dem Schaltungsabschnitt verbunden. Eine Abdeckschicht aus einem transparenten Material bedeckt die Oberfläche des optischen Halbleiterelements. Dichtungsharz bedeckt Seitenflächen der Abdeckschicht und des optischen Halbleiterelements. Der Schaltungsabschnitt und der Anschlussabschnitt können durch ein Verdrahtungsmuster verbunden sein.
  • WO 2009 / 069 671 A1 offenbart eine Licht aussendende Vorrichtung mit einem Licht aussendenden Element, einem lichtdurchlässigen Element, in das das von dem Licht aussendenden Element ausgesandte Licht eintritt, und einem Abdeckelement. Das lichtdurchlässige Element ist ein Licht umwandelndes Element, das aus einem anorganischen Material hergestellt ist und eine nach außen hin freiliegende Licht aussendende Fläche sowie eine Seitenfläche aufweist, in die die Licht aussendende Fläche übergeht.
  • Inhalt der Erfindung
  • Technisches Problem
  • Somit besteht ein durch die Erfindung zu lösendes Problem darin, eine dünne Licht aussendende Vorrichtung herzustellen, die kein Substrat verwendet und bei der ein Licht aussendendes Element durch ein extrem einfaches Verfahren zu montieren ist.
  • Lösung des Problems
  • Um das zuvor erwähnte Problem zu lösen, beinhaltet eine Ausführungsform eines Verfahrens zur Herstellung einer Licht aussendenden Vorrichtung: Vorbereiten einer ablösbaren Klebstoffbahn, wobei die ablösbare Klebstoffbahn eine Basisschicht und eine Klebstoffschicht aufweist; Vorbereiten einer Mehrzahl von Licht aussendenden Elementen, von denen jedes paarige Elementelektroden beinhaltet, wobei die paarigen Elementelektroden auf einer unteren Fläche eines jeweiligen der Licht aussendenden Elemente ausgebildet sind; Anordnen der Mehrzahl von Licht aussendenden Elementen derart, dass die Licht aussendenden Elemente von oben her gegen die Klebstoffschicht gedrückt werden, so dass die paarigen Elementelektroden in die Klebstoffschicht der Klebstoffbahn versenkt werden; Vorsehen eines Vergusselementes auf der Klebstoffbahn an einer Seite, auf welcher die Mehrzahl von Licht aussendenden Elementen angeordnet sind, und Einkapseln der Mehrzahl von Licht aussendenden Elementen mit dem Vergusselement; und Ablösen der Klebstoffbahn von den in Kontakt mit der Basisschicht der Klebstoffbahn befindlichen Elementelektroden, um die Elementelektroden der Mehrzahl von Licht aussendenden Elementen freizulegen.
  • Bevorzugte Weiterbildungen der gerade genannten Ausführungsform sind in den abhängigen Ansprüchen definiert.
  • Eine weitere Ausführungsform eines Verfahrens zur Herstellung einer Licht aussendenden Vorrichtung beinhaltet: Vorbereiten einer ablösbaren Klebstoffbahn; Vorbereiten einer Mehrzahl von Licht aussendenden Elementen, von denen jedes paarige Elementelektroden beinhaltet, wobei die paarigen Elementelektroden auf einer unteren Fläche eines jeweiligen der Licht aussendenden Elemente ausgebildet sind; Anordnen der Mehrzahl von Licht aussendenden Elementen auf der Klebstoffbahn; Vorsehen eines Vergusselementes auf der Klebstoffbahn an einer Seite, auf welcher die Mehrzahl von Licht aussendenden Elementen angeordnet sind, und Einkapseln der Mehrzahl von Licht aussendenden Elementen mit dem Vergusselement; und Ablösen der Klebstoffbahn von den in Kontakt mit der Klebstoffbahn befindlichen Elementelektroden, um die Elementelektroden der Mehrzahl von Licht aussendenden Elementen freizulegen; Anordnen der Mehrzahl von Licht aussendenden Elementen, wobei die paarigen Elementelektroden eines jeden der Mehrzahl von Licht aussendenden Elementen von dem Vergusselement freiliegen; bevor ein Basiselektrodenfilm auf den Elementelektroden eines jeden der Mehrzahl von Licht aussendenden Elementen ausgebildet wird, die mit dem Vergusselement gekapselt sind, Ausbilden eines Schutzfilms an einer Position entsprechend einer Position, an welcher der Basiselektrodenfilm am Vergusselement ausgebildet wird, und an Abschnitten der Elementelektroden abgesehen von Flächen der Elementelektroden, die vom Vergusselement freiliegen; Ausbilden des Basiselektrodenfilms auf den Elementelektroden eines jeden der Mehrzahl von Licht aussendenden Elementen; Ausbilden einer Resist-Maske auf dem Basiselektrodenfilm an einer Position, bei der der Basiselektrodenfilm in Abschnitte unterteilt ist, die einer P-Elektrode und einer N-Elektrode entsprechen, welche die paarigen Elementelektroden sind; Ausbilden einer Metallplattierung für Externverbindungselektroden auf dem Basiselektrodenfilm an einer Position, an der die Resist-Maske nicht ausgebildet ist; Entfernen der Resist-Maske; und Ausbilden von Externverbindungselektroden in einer Mehrzahl von Paaren durch Ätzen des Basiselektrodenfilms an einer Position, bei der die Resist-Maske entfernt wurde, unter Verwendung der Metallplattierung für Externverbindungselektroden als Maske, wobei die paarigen Externverbindungselektroden elektrisch in eine P-Elektrode und eine N-Elektrode unterteilt sind und an Positionen ausgebildet sind, an denen die Externverbindungselektroden elektrisch mit den paarigen Elementelektroden eines jeden der Mehrzahl von Licht aussendenden Elementen verbunden sind.
  • Vorteilhafte Effekte der Erfindung
  • Gemäß dem Verfahren zur Herstellung einer Licht aussendenden Vorrichtung der Erfindung wird die Klebstoffbahn vom Vergusselement abgelöst, um die paarigen Elementelektroden des Licht aussendenden Elementes von einer Fläche des Vergusselementes freizulegen. Demgemäß können die paarigen Externverbindungselektroden, die konfiguriert sind, um mit den Elementelektroden elektrisch verbunden zu sein, auf dieser Fläche des Vergusselementes ausgebildet werden. Dies ermöglichte es, ziemlich einfach eine Licht aussendende Vorrichtung herzustellen, die kein Substrat verwendet, auf dem ein Licht aussendendes Element zu montieren ist und auf dem Externverbindungselektroden auszubilden sind.
  • Weiter kann gemäß der Licht aussendenden Vorrichtung der Erfindung eine dünne Licht aussendende Vorrichtung gleich bleibender Qualität ohne weiteres erzielt werden. Außerdem erfolgt in manchen Ausführungsformen durch ein Vorsehen der Externverbindungselektroden auf dem Vergusselement, die mit den Elementelektroden des Licht aussendenden Elementes elektrisch verbunden sind, eine Verbesserung der Wärmeabführungseigenschaften.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
    • 1 ist eine Querschnittansicht einer Licht aussendenden Vorrichtung, die unter Verwendung eines zum Verständnis der Erfindung nützlichen Verfahrens hergestellt ist.
    • 2 ist eine Draufsicht der in 1 dargestellten Licht aussendenden Vorrichtung, gesehen von deren Unterseite.
    • 3 ist eine Querschnittansicht, die einen Zustand zeigt, bei dem die in 1 dargestellte Licht aussendende Vorrichtung an einem externen Substrat montiert ist.
    • 4 ist eine Querschnittansicht, die ein Verfahren zur Herstellung der in 1 dargestellten Licht aussendenden Vorrichtung mit einem gemeinsamen Substrat darstellt, und einen Zustand darstellt, bei dem eine ablösbare Klebstoffbahn, an der eine Mehrzahl von den Licht aussendenden Vorrichtungen zu montieren sind, an einer großen Aufspannplatte anhaftet.
    • 5 ist eine Draufsicht der Aufspannplatte von 4, gesehen von oben her.
    • 6 ist eine Querschnittansicht, die einen Zustand zeigt, bei dem eine Mehrzahl von Licht aussendenden Elementen in gegebenen Abständen auf der Klebstoffbahn angeordnet sind, die an der oberen Fläche der in 5 dargestellten Aufspannplatte anhaftet.
    • 7 ist eine Draufsicht der in 6 dargestellten Aufspannplatte, gesehen von deren Oberseite.
    • 8 ist eine Querschnittansicht, die einen Zustand zeigt, bei dem ein Reflexionsrahmen, der eine Mehrzahl von Rechteckgittern beinhaltet, auf der Klebstoffbahn auf der oberen Fläche der Aufspannplatte platziert ist, um jedes Licht aussendende Element durch eines der Mehrzahl von Rechteckgittern zu umgeben.
    • 9 ist eine Draufsicht der in 8 dargestellten Aufspannplatte, gesehen von deren oberen Fläche.
    • 10 ist eine Querschnittansicht, die einen Zustand zeigt, bei dem ein Raum innerhalb des Reflexionsrahmens mit einem Vergusselement angefüllt ist, um die oberen und seitlichen Flächen eines jeden Licht aussendenden Elementes zu kapseln.
    • 11 ist eine Draufsicht, die die Mehrzahl der harzgekapselten Licht aussendenden Elemente darstellt, gesehen von deren oberen Flächen, wobei jedes mit Harz gekapselt ist und durch den Rahmen in Form eines Rechteckgitters umgeben ist.
    • 12 ist eine Querschnittansicht, die einen Zustand zeigt, bei dem die Aufspannplatte und die Klebstoffbahn abgelöst sind und ein Vergusselement ausgebildet ist, wobei die Mehrzahl von Licht aussendenden Elementen gemeinsam mit dem Vergusselement gekapselt sind.
    • 13 ist eine Draufsicht, gesehen von der Oberseite des Vergusselementes, wobei die Mehrzahl von in 12 dargestellten Licht aussendenden Elementen gemeinsam mit dem Vergusselement gekapselt sind, und ein Zustand gezeigt ist, bei dem die Klebstoffbahn vom Vergusselement abgelöst ist.
    • 14 zeigt einen Zustand, bei dem die gesamte untere Fläche des Vergusselementes, wobei die Mehrzahl von in 12 dargestellten Licht aussendenden Elementen gemeinsam mit dem Vergusselement gekapselt sind, und die unteren Flächen der paarigen Elementelektroden eines jeden der Mehrzahl von Licht aussendenden Elementen bündig mit der unteren Fläche des Vergusselementes sind, und bei dem ein Basiselektrodenfilm so ausgebildet ist, dass er die untere Fläche des Vergusselementes und die unteren Flächen der paarigen Elementelektroden eines jeden der Licht aussendenden Elemente bedeckt.
    • 15 ist eine Draufsicht, welche die Mehrzahl von gemeinsam harzgekapselten Licht aussendenden Elementen darstellt, die in 14 gezeigt sind, gesehen von deren Unterseite.
    • 16 ist eine Querschnittansicht, die einen Zustand zeigt, bei dem Resist-Masken auf der unteren Fläche des Basiselektrodenfilms ausgebildet sind, welcher auf der unteren Fläche des Vergusselementes vorgesehen ist, mit dem die Mehrzahl von in 14 dargestellten Licht aussendenden Elementen gemeinsam harzgekapselt sind.
    • 17 ist eine Draufsicht, die das Vergusselement zeigt, welches die Mehrzahl von in 16 dargestellten Licht aussendenden Elementen gemeinsam harzkapselt, gesehen von dessen Unterseite.
    • 18 ist eine Querschnittansicht, die einen Zustand zeigt, bei dem Metall für eine Externverbindungselektrode durch Plattieren in Öffnungen in den in 16 dargestellten Resist-Masken ausgebildet ist.
    • 19 ist eine Draufsicht, die das Vergusselement zeigt, welches die Mehrzahl von in 18 dargestellten Licht aussendenden Elementen gemeinsam harzkapselt, gesehen von dessen Unterseite.
    • 20 ist eine Querschnittansicht, die einen Zustand zeigt, bei dem die Resist-Masken von der unteren Fläche des Vergusselementes entfernt sind, welches die Mehrzahl von in 18 dargestellten Licht aussendenden Elementen harzkapselt.
    • 21 ist eine Draufsicht, die das Vergusselement zeigt, welches die Mehrzahl von in 20 dargestellten Licht aussendenden Elementen gemeinsam harzkapselt, gesehen von dessen Unterseite.
    • 22 ist eine Querschnittansicht, die einen Zustand zeigt, bei dem der Basiselektrodenfilm, der zwischen einer N-Externverbindungselektrode und einer P-Externverbindungselektrode begrenzt ist, entfernt ist, und zwar durch Verwenden des Metalls für die Externverbindungselektrode als Maske, das durch Plattieren am Vergusselement vorgesehen ist, welches die Mehrzahl von in 20 dargestellten Licht aussendenden Elementen gemeinsam harzkapselt.
    • 23 ist eine Draufsicht, die das Vergusselement zeigt, welches die Mehrzahl von in 22 dargestellten Licht aussendenden Elementen gemeinsam harzkapselt, gesehen von dessen Unterseite.
    • 24 ist eine Querschnittansicht, die einen Zustand zeigt, bei dem Licht aussendende Vorrichtungen durch Schneiden und Unterteilen des Vergusselementes einzeln ausgebildet sind, welches die Mehrzahl von in 22 dargestellten Licht aussendenden Elementen gemeinsam harzkapselt.
    • 25 ist eine Draufsicht, die das Vergusselement zeigt, welches die Mehrzahl von in 24 dargestellten Licht aussendenden Elementen gemeinsam harzkapselt, gesehen von dessen Unterseite.
    • 26 ist eine Querschnittansicht einer Licht aussendenden Vorrichtung, die unter Verwendung eines Verfahrens nach einer Ausführungsform der Erfindung hergestellt ist.
    • 27 ist eine Querschnittansicht, die ein Verfahren zur Herstellung der in 26 dargestellten Licht aussendenden Vorrichtung veranschaulicht, indem sie einen Zustand zeigt, bei dem ein Schutzfilm auf der unteren Fläche eines Vergusselementes ausgebildet ist, das eine Mehrzahl von Licht aussendenden Elementen gemeinsam harzkapselt, nachdem eine Klebstoffbahn abgelöst wurde.
    • 28 ist eine Querschnittansicht, die einen Zustand zeigt, bei dem ein Basismetallfilm auf der unteren Fläche des Schutzfilms ausgebildet ist, welcher auf der unteren Fläche des Vergusselementes ausgebildet ist, das die Mehrzahl von in 27 dargestellten Licht aussendenden Elementen gemeinsam harzkapselt.
    • 29 ist eine Querschnittansicht, die einen Zustand zeigt, bei dem Resist-Masken auf dem Basiselektrodenfilm des Vergusselementes ausgebildet sind, welches die Mehrzahl von in 28 dargestellten Licht aussendenden Elementen gemeinsam harzkapselt.
    • 30 ist eine Querschnittansicht, die einen Zustand zeigt, bei dem Metall für eine Externverbindungselektrode durch Plattieren in Öffnungen von Resist-Masken des Vergusselementes ausgebildet sind, welches die Mehrzahl von in 29 dargestellten Licht aussendenden Elementen harzkapselt.
    • 31 ist eine Querschnittansicht, die einen Zustand zeigt, bei dem die Resist-Masken des Vergusselementes, welches die Mehrzahl von in 30 dargestellten Licht aussendenden Elementen gemeinsam harzkapselt, entfernt sind.
    • 32 ist eine Querschnittansicht, die einen Zustand zeigt, bei dem der Basiselektrodenfilm, der zwischen einer N-Externverbindungselektrode und einer P-Externverbindungselektrode begrenzt ist, entfernt ist, und zwar durch Verwenden des Metalls für eine Externverbindungselektrode des Vergusselementes, welches die Mehrzahl von in 31 dargestellten Licht aussendenden Elementen gemeinsam harzkapselt.
    • 33 ist eine Querschnittansicht einer Licht aussendenden Vorrichtung, die unter Verwendung eines Verfahrens nach einer weiteren Ausführungsform der Erfindung hergestellt ist;
    • 34 beinhaltet erläuternde Ansichten zur Veranschaulichung eines Verfahrens zur Herstellung der in 33 dargestellten Licht aussendenden Vorrichtung.
    • 35 ist eine Querschnittansicht einer Licht aussendenden Vorrichtung, die unter Verwendung eines Verfahrens gemäß noch einer weiteren Ausführungsform der Erfindung hergestellt ist.
    • 36 ist eine Querschnittansicht einer Licht aussendenden Vorrichtung nach einem Vergleichsbeispiel.
    • 37 beinhaltet Prozessdiagramme, die den ersteren Teil eines Verfahrens zur Herstellung der in 36 dargestellten Licht aussendenden Vorrichtung zeigen.
    • 38 beinhaltet Prozessdiagramme, die den letzteren Teil des Verfahrens zur Herstellung der in 36 dargestellten Licht aussendenden Vorrichtung zeigen.
    • 39 ist eine Querschnittansicht einer Licht aussendenden Vorrichtung nach einem weiteren Vergleichsbeispiel.
    • 40 beinhaltet Prozessdiagramme, die einen charakteristischen Teil eines Verfahrens zur Herstellung der in 39 dargestellten Licht aussendenden Vorrichtung zeigen.
    • 41 ist eine Querschnittansicht, die ein Beispiel einer herkömmlichen Licht aussendenden Vorrichtung zeigt.
    • 42 ist eine Querschnittansicht, die ein unterschiedliches Beispiel einer herkömmlichen Licht aussendenden Vorrichtung zeigt.
    • 43 ist eine Querschnittansicht, die ein Beispiel einer herkömmlichen Licht aussendenden Vorrichtung darstellt, von der ein Substrat, um ein Licht aussendendes Element auf dieser zu halten, entfernt ist.
  • Beschreibung von Ausführungsformen und Beispielen
  • Ausführungsformen der Erfindung sowie weitere Beispiele werden nachfolgend basierend auf den begleitenden Zeichnungen beschrieben.
  • (Für das Verständnis der Erfindung nützliches Beispiel)
  • 1 bis 3 zeigen eine Licht aussendende Vorrichtung, die durch ein für das Verständnis der Erfindung nützliches Herstellungsverfahren hergestellt wurde. 4 bis 25 zeigen Schritte dieses Herstellungsverfahrens.
  • Eine Licht aussendende Vorrichtung 10, die in 1 und 2 dargestellt ist, beinhaltet ein Licht aussendendes Diodenelement (nachfolgend als Licht aussendendes Element bezeichnet) 3, das eine N-Elektrode 3a und eine P-Elektrode 3b beinhaltet, die paarige Elementelektroden sind, ein transparentes Vergussharz 5 oder ein lichtdurchlässiges Vergussharz 5, in das fluoreszierende Partikel eingemischt sind (nachfolgend als Vergusselement bezeichnet), welches das Licht aussendende Element 3 kapselt, während eine untere Fläche, die mindestens eine Fläche eines jeden der paarigen Elementelektroden des Licht aussendenden Elementes 3 ist, freiliegt, und paarige Externverbindungselektroden sind jeweils auf mindestens einer Fläche von einer der paarigen Elementelektroden ausgebildet, die vom Vergusselement 5 freiliegen, wobei die Externverbindungselektroden mit der N-Elektrode 3a und der P-Elektrode 3b elektrisch verbunden sind, die die paarigen Elementelektroden des Licht aussendenden Elementes 3 sind. Ein Reflexionsrahmen 15 ist an der Außenumfangsseitenfläche des Vergusselementes 5 vorgesehen, und der Reflexionsrahmen 15 umgibt das Licht aussendende Element 3. Die oberen und seitlichen Flächen des Licht aussendenden Elementes 3 sind mit dem Vergusselement 5 gekapselt, und das Vergusselement 5 hat die Gestalt eines rechtwinkligen Parallelepipeds. Der Reflexionsrahmen 15, der an der Umfangsseitenfläche des Vergusselementes 5 vorgesehen ist, hat die Gestalt eines viereckigen Rahmens. Das Vergusselement 5 gelangt in einen Spalt zwischen der N-Elektrode 3a und der P-Elektrode 3b, welche die paarigen Elementelektroden sind, die auf der unteren Fläche des Licht aussendenden Elementes 3 vorgesehen sind. Eine untere Fläche 5a des Vergusselementes 5 ist bündig zu den unteren Flächen der N-Elektrode 3a und der P-Elektrode 3b angeordnet, welche die paarigen Elementelektroden des Licht aussendenden Elementes 3 sind. Ein später noch beschriebener Basiselektrodenfilm 6 ist auf der unteren Fläche 5a des Vergusselementes 5 und den unteren Flächen der N-Elektrode 3a und der P-Elektrode 3b ausgebildet, welche die paarigen Elementelektroden des Licht aussendenden Elementes 3 sind. Der Basiselektrodenfilm 6 fungiert sowohl als Basiselektrode als auch als Reflexionsfilm, und ist erwünschtermaßen ein Film, der aus einem Metall besteht, das hervorragende leitende Eigenschaften und Reflexionsfähigkeit aufweist, wie beispielsweise Silber (Ag). Der Basiselektrodenfilm 6 weist einen Schnittabschnitt 8 auf, der den Basiselektrodenfilm 6 in einen N-Elektroden-Basisfilm 6a und einen P-Elektroden-Basisfilm 6b unterteilt, derart, dass die N- und P-Elektroden-Basisfilme 6a und 6b mit den paarigen Elementelektroden 3a und 3b des Licht aussendenden Elementes 3 elektrisch verbunden sind.
  • Eine Nickel-(Ni)-Schicht 11a und eine Gold-(Au)-Schicht 12a werden durch Plattieren in dieser Reihenfolge über dem gesamten N-Elektroden-Basisfilm 6a ausgebildet, wodurch eine N-Externverbindungselektrode 13n aus einer Drei-Schicht-Struktur erzeugt wird. In ähnlicher Weise wird eine Nickel-(Ni)-Schicht 11a durch Plattieren auf der gesamten unteren Fläche des P-Elektroden-Basisfilms 6b ausgebildet, und demzufolge wird eine Gold-(Au)-Schicht 12b durch Plattieren auf der gesamten unteren Fläche der Nickelschicht 11 b ausgebildet, wodurch eine P-Externverbindungselektrode 13p aus einer Drei-Schicht-Struktur erzeugt wird. Als Ergebnis werden paarige Externverbindungselektroden erzeugt, und sind mit den paarigen Elementelektroden des Licht aussendenden Elementes 3 elektrisch verbunden. Es ist zu bevorzugen, dass der Reflexionsrahmen 15 in Form eines Rechteckgitters, der an der Umfangsseitenfläche des Vergusselementes 5 vorgesehen ist, aus einem weißen Harz besteht, das große Reflexionsfähigkeit aufweist.
  • Als Nächstes wird die Lichtaussendeoperation der Licht aussendenden Vorrichtung 10 beschrieben. Wie in 3 dargestellt werden die N-Externverbindungselektrode 13n und die P-Externverbindungselektrode 13p, welche die paarigen Externverbindungselektroden der Licht aussendenden Vorrichtung 10 sind, mit Verbindungselektroden 71 und 72 eines externen Substrates 70, auf dem die Licht aussendende Vorrichtung 10 zu montieren ist, verlötet, und somit wird die Licht aussendende Vorrichtung 10 mit den Verbindungselektroden 71 und 72 des externen Substrates 70 elektrisch verbunden, das auf dem externen Substrat 70 zu montieren ist. Ein vorbestimmter Strom wird zwischen der N-Elektrode 3a und der P-Elektrode 3b, welche die Elementelektroden des Licht aussendenden Elementes 3 sind, durch die Verbindungselektroden 71 und 72 des externen Substrates 70 und die Externverbindungselektroden der Licht aussendenden Vorrichtung 10 zugeführt, wodurch das Licht aussendende Element 3 veranlasst wird, Licht auszusenden.
  • Die Licht aussendende Vorrichtung 10 beinhaltet kein Substrat, auf dem das Licht aussendende Element 3 montiert wird. Demgemäß kann die Licht aussendende Vorrichtung 10 in der Dicke verringert werden, während sie auf dem externen Substrat 70 montiert ist. Dadurch, dass kein Substrat vorgesehen ist, auf dem das Licht aussendende Element 3 zu montieren ist, wird auch ermöglicht, dass im Licht aussendenden Element 3 erzeugte Wärme direkt an die Verbindungselektroden 71 und 72 des externen Substrates 70 über die N-Externverbindungselektrode 13n und die P-Externverbindungselektrode 13p abgeführt wird. Dadurch wird ein Wärmeabführeffekt beträchtlicher Größe erzielt. Weiter sind die N-Externverbindungselektrode 13n und die P-Externverbindungselektrode 13p auf der gesamten unteren Fläche 5a des Vergusselementes 5 ausgebildet, und somit kann die Licht aussendende Vorrichtung 10 mit den Verbindungselektroden 71 und 72 des externen Substrates 70 in einer weiten Kontaktzone verbunden werden.
  • Ein Verfahren zur Herstellung der Licht aussendenden Vorrichtung 10 wird nachfolgend basierend auf 4 bis 25 beschrieben. Schritte des hier beschriebenen Herstellungsverfahrens verwenden eine Aufspannplatte. 4 und 5 zeigen eine Aufspannplatte 80 umfangreicher Größe, auf der eine Mehrzahl von Licht aussendenden Vorrichtungen 10 zu montieren sind, und eine ablösbare Klebstoffbahn 81, die an der oberen Fläche der Aufspannplatte 80 anhaftet. Die Klebstoffbahn 81 haftet an im Wesentlichen der gesamten Fläche der Aufspannplatte 80 an.
  • 6 und 7 zeigen einen Schritt, bei dem eine Mehrzahl von Licht aussendenden Elementen 3 auf der Klebstoffbahn 81 montiert werden, die an der oberen Fläche der Aufspannplatte 80 anhaftet. Die Licht aussendenden Elemente 3 sind in gegebenen Abständen auf der Klebstoffbahn 81 angeordnet, wobei dabei die N-Elektrode 3a und die P-Elektrode 3b, welche die paarigen Elementelektroden sind, die auf der unteren Fläche eines jeden der Licht aussendenden Elemente ausgebildet sind, nach unten weisen. In 7 ist jedes von rechteckigen Gebieten, die durch gestrichelte Linien begrenzt sind und durch Unterteilen der Aufspannplatte 80 und der Klebstoffbahn 81 in vertikaler und horizontaler Richtung gebildet sind, ein Gebiet, das für eine einzige Licht aussendende Vorrichtung 10 zugewiesen ist. Weiter ist in 7 ein Licht aussendendes Element 3 an der oberen linken Ecke mit gestrichelten Linien versehen, die die Positionen der N-Elektrode 3a und der P-Elektrode 3b angeben, welche die paarigen Elementelektroden sind, die auf der unteren Fläche des Licht aussendenden Elementes 3 ausgebildet sind.
  • 8 und 9 zeigen einen Schritt, bei dem der Reflexionsrahmen 15, der eine Mehrzahl von Rechteckgittern beinhaltet, auf der oberen Fläche der Aufspannplatte 80 platziert wird. Jeder Reflexionsrahmen 15 wird in einem Gittermuster auf den gestrichelten Linien von 7 platziert, um die Gebiete der Licht aussendenden Vorrichtung 10 zu begrenzen, und jedes der Licht aussendenden Elemente 3 ist vom Reflexionsrahmen 15 umgeben. Als ein beispielhaftes Mittel eines Platzierens des Reflexionsrahmens 15 auf der Aufspannplatte 80 kann der Reflexionsrahmen 15 zu einem Muster mit einer Mehrzahl von Rechteckgittern vorab ausgebildet werden, und kann in unverändertem Zustand auf der Klebstoffbahn 81 platziert werden, derart, dass jedes von den Licht aussendenden Elementen 3 durch einen jeweiligen Reflexionsrahmen 15 umgeben ist. Oder alternativ werden die Mehrzahl von Licht aussendenden Elementen 3 mit dem Vergusselement 5 gemeinsam gekapselt, dann wird, um einen Schlitz zu bilden, der die Gestalt eines Rechteckgitters aufweist, das ein jeweiliges Licht aussendendes Element 3 umgibt, das Vergusselement 5 in vertikaler und horizontaler Richtung einem Zerschneiden unterworfen. Dann wird Harz in den Schlitz eingefüllt und ausgehärtet, wodurch der Reflexionsrahmen 15, der eine Mehrzahl von Rechteckgittern beinhaltet, in situ ausgebildet wird. Es ist zu bevorzugen, dass der Reflexionsrahmen 15 aus einem Harz besteht, das große Reflexionsfähigkeit aufweist, beispielsweise einem weißen Harzmaterial.
  • 10 und 11 zeigen ein Verfahren, bei dem die oberen Flächen und Umfangsseitenflächen der Licht aussendenden Elemente 3 bedeckt werden und die Licht aussendenden Elemente 3 harzgekapselt werden, und zwar dadurch, dass die vom Reflexionsrahmen 15 umgebenen Räume mit den Vergusselementen 5 (bei dem vorliegenden Beispiel ein einen fluoreszierenden Stoff enthaltendes Harz) angefüllt werden. Die Vergusselemente 5 werden auch zwischen die N-Elektrode 3a und die P-Elektrode 3b auf den unteren Flächen der Licht aussendenden Elemente 3 eingefüllt, welche die paarigen Elementelektroden sind, die von den unteren Flächen der Licht aussendenden Elemente 3 vorstehen. In 11 sind die Positionen der Licht aussendenden Elemente 3 durch gestrichelte Linien angegeben.
  • 12 und 13 zeigen einen Ablöseschritt, bei dem die Aufspannplatte 80 und die Klebstoffbahn 81 von der Mehrzahl von Licht aussendenden Elementen 3 abgelöst werden, von denen jedes in dem ein Rechteckgitter beinhaltenden Reflexionsrahmen 15 harzgekapselt ist. Bei diesem Ablöseschritt, der nach dem zuvor erwähnten Harzkapselungsschritt durchgeführt wird, wird Wärme aufgebracht, um zuerst die Aufspannplatte 80 zu entfernen, und dann wird die Klebstoffbahn 81 mit reduzierter Klebekraft abgezogen. Zu diesem Zeitpunkt sind die unteren Flächen 5a der Vergusselemente 5, und die unteren Flächen der N-Elektrode 3a und der P-Elektrode 3b, welche die paarigen Elementelektroden der Licht aussendenden Elemente 3 sind, bündig zueinander. Weiter sind die Vergusselemente 5, die sich auf der Seite der unteren Flächen der Licht aussendenden Elemente 3 befinden und zwischen die N-Elektrode 3a und die P-Elektrode 3b eingefüllt sind, welche Elementelektroden sind, ebenfalls bündig mit den unteren Flächen der N-Elektrode 3a und der P-Elektrode 3b. Bei dem vorliegenden Beispiel ist die untere Fläche des Reflexionsrahmens 15 ebenfalls bündig mit dem Vergusselement und den paarigen Elementelektroden.
  • Nach dem Ablöseschritt kann ein Rückstand von der Klebstoffbahn 81 und dergleichen an der unteren Fläche eines Vergusselementes 3L anhaften, welche die Mehrzahl von Licht aussendenden Elementen 3 gemeinsam harzkapselt. Demgemäß wird, damit dies keinen nachteiligen Effekt auf den nächsten Schritt hat, erwünschtermaßen ein Reinigungsprozess durchgeführt. Beispielsweise kann ein Plasmaprozess mit Argongas als Reinigungsverfahren durchgeführt werden.
  • 14 und 15 zeigen einen Metallschichtausbildungsschritt, bei dem der Basiselektrodenfilm 6 auf der gesamten unteren Fläche des Vergusselementes 3L ausgebildet wird, welcher die Mehrzahl von Licht aussendenden Elementen 3 gemeinsam harzkapselt. Wie bereits zuvor beschrieben sind auf der Seite der unteren Fläche des Vergusselementes 3L, welches die Mehrzahl von Licht aussendenden Elementen 3 gemeinsam harzkapselt, die unteren Flächen der N-Elektrode 3a und der P-Elektrode 3b, welche die paarigen Elementelektroden eines jeden der Licht aussendenden Elemente 3 sind, und die unteren Flächen 5a der Vergusselemente 5 bündig zueinander. Als Ergebnis einer Ausbildung des Basiselektrodenfilms 6 in Form einer ebenen Fläche auf der gesamten unteren Fläche des Vergusselementes 3L, welches die Mehrzahl von Licht aussendenden Elementen 3 gemeinsam harzkapselt, sind die N-Elektrode 3a und die P-Elektrode 3b, welche die paarigen Elementelektroden von allen Licht aussendenden Elementen 3 sind, elektrisch kurzgeschlossen. Der Basiselektrodenfilm 6 fungiert auch als Reflexionsfilm, und demgemäß ist er erwünschtermaßen unter Verwenden eines Metalls ausgebildet, das günstige leitende Eigenschaft und günstige Reflexionsfähigkeit aufweist, wie beispielsweise Silber (Ag).
  • 16 und 17 zeigen einen Schritt, bei dem Resist-Masken auf der oberen Fläche des Basiselektrodenfilms 6 ausgebildet werden, um paarige Externverbindungselektroden auszubilden, die konfiguriert sind, um mit der N-Elektrode 3a und der P-Elektrode 3b elektrisch verbunden zu werden, welche die Elementelektroden eines jeden Licht aussendenden Elementes 3 sind. Die N-Elektrode 3a und die P-Elektrode 3b, welche die paarigen Elementelektroden eines jeden Licht aussendenden Elementes 3 sind, sind in Kontakt mit der oberen Fläche des Basiselektrodenfilms 6. Wenn die Resist-Masken ausgebildet werden, wird eine erste Resist-Maske 63 für eine Elektrodenunterteilung auf der unteren Fläche des Basiselektrodenfilms 6 und bei einer Position entsprechend einer Position zwischen der N-Elektrode 3a und der P-Elektrode 3b ausgebildet, welche Elementelektroden sind, und eine zweite Resist-Maske 64 wird auf der oberen Fläche des Basiselektrodenfilms 6 und bei einer Position entsprechend einem jeweiligen Reflexionsrahmen 15 ausgebildet. Als Ergebnis werden die Resist-Masken 63 und 64 durch vollständiges Ausbilden eines Resist-Films und dann durch Photolithographie unter Verwendung einer Gittermuster-Maske, durch welche der Resist-Film freigelegt wird, ausgebildet.
  • 18 und 19 zeigen einen Schritt eines Plattierens, bei dem ein Metall für eine Externverbindungselektrode durch Plattieren in Maskenöffnungsabschnitten der Resist-Masken 63 und 64 ausgebildet wird, die auf der oberen Fläche des Basiselektrodenfilms 6 ausgebildet sind. Bei diesem Schritt werden die Nickelschichten 11 und die Goldschichten 12 durch Plattieren in dieser Reihenfolge in den Maskenöffnungsabschnitten ausgebildet, um eine geschichtete Struktur zu werden.
  • 20 und 21 zeigen einen Maskenentfernungsschritt, bei dem die Resist-Masken 63 und 64 entfernt werden. Bei diesem Schritt können die Resist-Masken 63 und 64 dadurch aufgelöst und entfernt werden, dass das Vergusselement 3L, welches die Mehrzahl von Licht aussendenden Elementen 3 gemeinsam harzkapselt, in ein organisches Lösungsmittel oder eine wässrige Lösung eines organischen Alkali eingetaucht werden. Basiselektrodenfilme 6c werden bei Abschnitten freigelegt, von denen die ersten Resist-Masken 63 entfernt wurden, und Basiselektrodenfilme 6d werden bei Abschnitten freigelegt, von denen die zweiten Resist-Masken 64 entfernt wurden.
  • 22 und 23 zeigen einen Elektrodenunterteilungsschritt, bei dem die Basiselektrodenfilme 6c und 6d geätzt werden, die beim Maskenentfernungsschritt freigelegt werden. Bei diesem Schritt wird ein allgemein bekanntes Verfahren verwendet, um ein Ätzen durchzuführen, und zwar unter Verwendung des Metalls für eine Externverbindungselektrode, bestehend aus den Nickelschichten 11 und den Goldschichten 12 als Maske. Als Ergebnis werden die freigelegten Basiselektrodenfilme 6c und 6d entfernt.
  • Als Ergebnis dieses Schrittes wird der Basiselektrodenfilm 6 bei Positionen entsprechend Positionen zwischen der N-Elektrode 3a und der P-Elektrode 3b unterteilt, welche die Elementelektroden der Licht aussendenden Elemente 3 sind. Dann werden die N-Externverbindungselektroden 13n, welche jeweils eine Drei-Schicht-Struktur mit dem N-Elektroden-Basisfilm 6a, der Nickelschicht 11a und der Goldschicht 12a beinhalten, auf der Seite der N-Elektroden 3a ausgebildet. Weiter werden die P-Externverbindungselektroden 13p, welche jeweils eine Drei-Schicht-Struktur mit dem P-Elektroden-Basisfilm 6b, der Nickelschicht 11b und der Goldschicht 12b beinhalten, auf der Seite der P-Elektroden 3b ausgebildet.
  • 24 und 25 zeigen einen Schneide- und Unterteilungsschritt, bei dem die Licht aussendenden Vorrichtungen 10 einzeln durch Schneiden und Unterteilen des Vergusselementes 3L ausgebildet werden, welches die Mehrzahl von Licht aussendenden Elementen 3 gemeinsam harzkapselt. Bei diesem Schritt werden Schneidelinien X und Y in X- und Y-Richtungen definiert, die sich entlang dem aus Rechteckgittern aufgebauten Reflexionsrahmen 15 erstrecken, und das Vergusselement 3L, welches die Mehrzahl von Licht aussendenden Elementen 3 gemeinsam harzkapselt, wird entlang der Schnittlinien X und Y geschnitten. Als Ergebnis dieses Schneidens werden die Licht aussendenden Vorrichtungen 10 unterteilt, um die einzelnen Licht aussendenden Vorrichtungen 10 in Massenproduktion herzustellen, welche jeweils das Licht aussendende Element 3 beinhalten, das die in 1 gezeigte Gestalt aufweist. Bei dem vorliegenden Beispiel sind die Schnittlinien X und Y so definiert, dass sie sich im Wesentlichen entlang der Mittellinie des Reflexionsrahmens 15 erstrecken.
  • Wie zuvor beschrieben, wird beim vorliegend beschriebenen Verfahren zur Herstellung einer Licht aussendenden Vorrichtung das Vergusselement 3L, welches die Mehrzahl von Licht aussendenden Elementen 3 gemeinsam harzkapselt, auf einem temporären Substrat ausgebildet, das unter Verwendung der Aufspannplatte 80 und der Klebstoffbahn 81 gebildet ist. Dann werden, unter Nutzung der Tatsache, dass die untere Fläche des Vergusselementes 3L, welches die Mehrzahl von Licht aussendenden Elementen 3 gemeinsam harzkapselt, bündig wird, nachdem das temporäre Substrat entfernt wurde, die Externverbindungselektroden durch ein Plattier- und Photoresist-Verfahren ausgebildet. Als Ergebnis werden die Licht aussendenden Vorrichtungen 10 ausgebildet, welche jeweils ein Licht aussendendes Element beinhalten und die keine Substrate benötigen, auf welchen die Licht aussendenden Elemente montiert sind. Die Licht aussendenden Vorrichtungen 10 mit Licht aussendenden Elementen können ausgebildet werden, sogar wenn der Schritt, bei dem der Reflexionsrahmen 15 vorgesehen wird, von den zuvor erwähnten Schritten weggelassen wird. Weiter kann ein Plattierverfahren, wie beispielsweise ein metallisches Beschichtungsverfahren ohne Stromquelle, ein Abscheidungsverfahren und ein Sputterverfahren anstelle eines galvanischen Beschichtungsverfahrens verwendet werden, welches verwendet wird, um die paarigen Externverbindungselektroden 13n und 13p auszubilden. In diesem Fall wird der Basiselektrodenfilm 6 nicht benötigt.
  • (Ausführungsform)
  • 26 zeigt eine Licht aussendende Vorrichtung, die durch ein Herstellungsverfahren gemäß einer Ausführungsform der Erfindung hergestellt wird. 27 bis 32 zeigen Schritte des Herstellungsverfahrens gemäß dieser Ausführungsform.
  • Eine Licht aussendende Vorrichtung 20 gemäß der vorliegenden Ausführungsform weist die gleichen Basisstrukturen wie die Licht aussendende Vorrichtung 10 auf, die in 1 gezeigt ist. Demgemäß sind diese gleichen Strukturen mit dem gleichen Bezugszeichen bezeichnet, und werden nicht detailliert beschrieben.
  • Die Struktur der Licht aussendenden Vorrichtung 20 unterscheidet sich von derjenigen der zuvor beschriebenen Licht aussendenden Vorrichtung 10 darin, dass ein Schutzfilm 25 auf im Wesentlichen der gesamten unteren Fläche eines Vergusselementes 5 ausgebildet ist, welches ein Licht aussendendes Element 3 harzkapselt.
  • Der Schutzfilm 25 wird mit der Absicht ausgebildet, das aus Silikonharz bestehende flexible Vergusselement 5 zu verstärken. Der Schutzfilm 25 ist fähig, eine N-Externverbindungselektrode 23n und eine P-Externverbindungselektrode 23p zu stabilisieren, die auf der unteren Fläche des Vergusselementes 5 ausgebildet sind. Der Schutzfilm 25 soll auch die Lichtaussendeeffizienz der Licht aussendenden Vorrichtung 20 verbessern, da es erforderlich ist, dass er über Reflexionsvermögen verfügt. Um diesen Bedingungen zu genügen, wird die Stärke des Schutzfilms 25 vergrößert, dadurch dass ein Glasfüllstoff in ein Silikonharz oder ein Epoxidharz eingemischt wird, und sein Reflexionsvermögen wird dadurch vergrößert, dass Titanoxid eingemischt wird. Es ist erwünscht, dass der Schutzfilm 25 in extensiver Weise ausgebildet wird, um erforderliche Abschnitte durch ein folgendes Verfahren, wie beispielsweise Siebdruck und Maskendruck unter Verwendung einer Metallmaske abzudecken.
  • Ein Basiselektrodenfilm 26 ist auf der unteren Fläche des Schutzfilms 25 vorgesehen. Endabschnitte des Basiselektrodenfilms 26 erstrecken sich zu Positionen, bei denen die Endabschnitte die unteren Flächen einer N-Elektrode 3a und einer P-Elektrode 3b erreichen, die Elementelektroden des Licht aussendenden Elementes 3 sind. Stufenabschnitte 27a und 27b sind am Basiselektrodenfilm 26 bei Positionen vorgesehen, bei denen sich der Basiselektrodenfilm 26 vom Schutzfilm 25 zu der N-Elektrode 3a und der P-Elektrode 3b erstreckt, welche die Elementelektroden sind. Der Basiselektrodenfilm 26 ist bei einem Schnittabschnitt 8 in einen N-Elektroden-Basisfilm 26 auf der Seite der N-Elektrode 3a des Licht aussendenden Elementes 3 sowie einen P-Elektroden-Basisfilm 26b auf der Seite der P-Elektrode 3b des Licht aussendenden Elementes 3 unterteilt. Es ist erforderlich, dass ein Material, das zur Ausbildung des Basiselektrodenfilms 26 verwendet wird, als Basiselektrode fungiert. Demgemäß ist es zu bevorzugen, dass das Material eine Titan-Wolfram-Legierung ist, die günstige leitende Eigenschaft und Ätzvermögen aufweist.
  • Eine Nickel-(Ni)-Schicht 21a und eine Gold-(Au)-Schicht 22a sind dadurch ausgebildet, dass ein Plattieren über den gesamten N-Elektroden-Basisfilm 26a vorgenommen wird, wodurch die N-Externverbindungselektrode 23n von einer Drei-Schicht-Struktur gebildet wird. In ähnlicher Weise werden eine Nickel-(Ni)-Schicht 21 b und eine Gold-(Au)-Schicht 22b durch Plattieren über dem gesamten P-Elektroden-Basisfilm 26b ausgebildet, wodurch die P-Externverbindungselektrode 23p von einer Drei-Schicht-Struktur gebildet wird. Bei der vorliegenden Ausführungsform ist die P-Externverbindungselektrode 23p mit der P-Elektrode 3b des Licht aussendenden Elementes 3 in einer weiten Zone verbunden, um Wärme von der P-Externverbindungselektrode 23p in effektiver Weise abzuführen.
  • Ein Verfahren zur Herstellung der Licht aussendenden Vorrichtung 20 wird nachfolgend basierend auf 27 bis 32 beschrieben. Das Herstellungsverfahren gemäß der vorliegenden Ausführungsform ist im Wesentlichen das gleiche wie das Verfahren zur Herstellung der Licht aussendenden Vorrichtung 10. Demgemäß werden die gleichen Schritte wie bei dem Verfahren zur Herstellung der Licht aussendenden Vorrichtung 10 hier verwendet, und diese Schritte werden nicht wiederholt beschrieben. Ähnlich wie bei dem Verfahren zur Herstellung der Licht aussendenden Vorrichtung 10 werden die Licht aussendende Vorrichtung 20 in Massenproduktion unter Verwendung einer umfangreichen Größe aufweisenden Aufspannplatte hergestellt. Unterdessen ist zur Vereinfachung der Beschreibung des Herstellungsverfahrens lediglich eine einzige Licht aussendende Vorrichtung 20 in Zwischenstufen in den Zeichnungen dargestellt.
  • Die Schritte von dem Schritt, bei dem eine Klebstoffbahn in haftender Weise auf der oberen Fläche einer Aufspannplatte platziert wird und eine Mehrzahl von Licht aussendenden Elementen auf einer Klebstoffbahn montiert werden, bis zum Ablöseschritt, bei dem die Aufspannplatte und die Klebstoffbahn von den harzgekapselten Licht aussendenden Elementen gelöst werden, sind bei der vorliegenden Ausführungsform die gleichen wie bei dem Herstellungsverfahren der Licht aussendenden Vorrichtung 10, und daher werden sie hier nicht beschrieben.
  • 27 zeigt einen Schritt, bei dem der Schutzfilm auf der unteren Fläche 5a des Vergusselementes 5 ausgebildet wird, nachdem die Klebstoffbahn von einem Vergusselement 3L abgelöst wurde (dieses wird mit dem gleichen Namen wie ein gemeinsames Vergusselement bezeichnet, während lediglich ein einziges Vergusselement in der Zeichnung dargestellt ist), welches eine Mehrzahl von Licht aussendenden Elementen 3 gemeinsam harzkapselt. Beim Schutzfilm-Ausbildungsschritt wird der Schutzfilm 25 auf im Wesentlichen der gesamten unteren Fläche 5a des Vergusselementes 5 ausgebildet, während ein Öffnungsabschnitt 25a in einem Abschnitt begrenzt wird, der den Positionen der N-Elektrode 3a und der P-Elektrode 3b entspricht, welche die Elementelektroden sind, die auf der unteren Fläche des Licht aussendenden Elementes 3 ausgebildet sind. Der Schutzfilm 25 erstreckt sich zu Positionen, bei denen der Schutzfilm 25 Abschnitte der N-Elektrode 3a und der P-Elektrode 3b erreicht, welche die Elementelektroden sind, die auf der unteren Fläche des Licht aussendenden Elementes 3 ausgebildet sind. Ein Silikonharz oder ein Epoxidharz wird verwendet, um den Schutzfilm 25 auszubilden. Ein Glasfüllstoff wird in das Silikon- oder Epoxidharz eingemischt, um dessen Stärke zu vergrößern, und Titanoxid wird in das Silikon- oder Epoxidharz eingemischt, um dessen Reflexionsfähigkeit zu vergrößern. Der Schutzfilm 25 kann durch einen folgenden Prozess, beispielsweise Siebdruck oder Maskendruck unter Verwendung einer Metallmaske, ausgebildet werden.
  • 28 zeigt einen Metallschicht-Ausbildungsschritt, bei dem der Basiselektrodenfilm 26 auf der gesamten unteren Fläche des Vergusselementes 5 ausgebildet wird, welcher das Licht aussendende Element 3 harzkapselt. Bei diesem Metallschicht-Ausbildungsschritt wird der Basiselektrodenfilm 26 kontinuierlich ausgebildet, so dass er den Schutzfilm 25 und die unteren Flächen der N-Elektrode 3a und der P-Elektrode 3b bedeckt, welche die paarigen Elementelektroden sind, die im Öffnungsabschnitt 25a freiliegen. Der Basiselektrodenfilm 26 ist mit den Stufenabschnitten 27a und 27b versehen, die an den Endabschnitten des Öffnungsabschnittes 25 des Schutzfilms 25 vorgesehen sind. Der Basiselektrodenfilm 26 braucht lediglich als Basiselektrode für ein Plattieren (galvanisches Beschichten) zu fungieren. Demgemäß ist es zu bevorzugen, dass der Basiselektrodenfilm 26 aus TiW (Titan-Wolfram-Legierung) besteht, welche günstige leitende Eigenschaft und Ätzleistung aufweist.
  • 29 zeigt einen Maskierschritt, bei dem Resist-Masken auf der unteren Fläche des Basiselektrodenfilms 26 ausgebildet werden, um die N-Elektrode 3a und die P-Elektrode 3b voneinander abzutrennen, welche die paarigen Elementelektroden des Licht aussendenden Elementes 3 sind. Beim Maskierschritt wird eine erste Resist-Maske 83 auf der unteren Fläche des Basiselektrodenfilms 26 und bei einer Position entsprechend einer Position zwischen der N-Elektrode 3a und der P-Elektrode 3b ausgebildet, welche die paarigen Elementelektroden eines jeden Licht aussendenden Elementes 3 sind, und eine zweite Resist-Maske 64 wird auf der unteren Fläche des Basiselektrodenfilms 26 und bei einer Position entsprechend jedem Reflexionsrahmen 15 ausgebildet. Ähnlich wie beim Herstellungsverfahren der Licht aussendenden Vorrichtung 10 können die Resist-Masken 83 und 84 mittels Photolithographie ausgebildet werden.
  • 30 zeigt einen Schritt eines Plattierens, bei dem Metall für eine Externverbindungselektrode durch Plattieren in Maskenöffnungsabschnitten der Resist-Masken 83 und 84 ausgebildet wird, die auf der unteren Fläche des Basiselektrodenfilms 26 ausgebildet sind (auf Abschnitten der unteren Fläche des Basiselektrodenfilms 26, die von den Resist-Masken 83 und 85 freiliegen). Bei diesem Schritt werden eine Nickelschicht 11 und eine Goldschicht 12 durch Plattieren in dieser Reihenfolge in den gesamten Maskenöffnungsabschnitten ausgebildet, um eine geschichtete Struktur zu werden. Zu diesem Zeitpunkt wird die Nickelschicht 11 auf dem Basiselektrodenfilm 26 ausgebildet, um den Öffnungsabschnitt 25a des Schutzfilms 25 anzufüllen, wodurch die untere Fläche der Nickelschicht 11 eben gemacht wird. Dann wird die Dicke der plattierten Goldschicht 12, die auf der unteren Fläche der Nickelschicht 11 ausgebildet ist, einheitlich gemacht.
  • 31 zeigt einen Maskenentfernungsschritt, bei dem die Resist-Masken entfernt werden. Bei diesem Schritt können die erste Resist-Maske 83 und die zweite Resist-Maske 84 entfernt werden, und zwar dadurch, dass der gleiche Prozess wie bei dem Herstellungsverfahren der Licht aussendenden Vorrichtung 10 verfolgt wird. Die untere Fläche eines Basiselektrodenfilms 26 liegt bei einem Abschnitt frei, von dem die erste Resist-Maske 83 entfernt wurde, und die untere Fläche eines Basiselektrodenfilms 26d liegt bei einem Abschnitt frei, von dem die zweite Resist-Maske 84 entfernt wurde.
  • 32 zeigt einen Elektrodenunterteilungsschritt, bei dem die Basiselektrodenfilme 26c und 26d geätzt werden, die bei dem zuvor erwähnten Maskenentfernungsschritt freigelegt wurden. Bei diesem Schritt wird ein allgemein bekanntes Verfahren verwendet, um die freiliegenden Basiselektrodenfilme 26c und 26d zu ätzen, und zwar dadurch, dass das Metall für eine Externverbindungselektrode, bestehend aus der Nickelschicht 11 und der Goldschicht 12, als Maske verwendet wird. Als Ergebnis werden die freiliegenden Basiselektrodenfilme 26c und 26d entfernt.
  • Als Ergebnis dieses Schrittes ist der Basiselektrodenfilm 26 in den N-Elektroden-Basisfilm 26a, der elektrisch mit der N-Elektrode 3a verbunden ist, die eine Elementelektrode des Licht aussendenden Elementes 3 ist, sowie den P-Elektroden-Basisfilm 26b unterteilt, der mit der P-Elektrode 3b verbunden ist, die eine Elementelektrode des Licht aussendenden Elementes 3 ist. Dann wird die N-Externverbindungselektrode 23n von einer Drei-Schicht-Struktur mit dem N-Elektroden-Basisfilm 26a, der Nickelschicht 11a und der Goldschicht 12a auf der Seite der N-Elektrode 3a ausgebildet, die eine Elementelektrode ist. Weiter wird die P-Externverbindungselektrode 23p von einer Drei-Schicht-Struktur mit dem P-Elektroden-Basisfilm 26b, der Nickelschicht 11b und der Goldschicht 12b auf der Seite der P-Elektrode 3b ausgebildet, die eine Elementelektrode ist. Als Ergebnis wird eine Ausbildung der Licht aussendenden Vorrichtung 20, die in 26 gezeigt ist, abgeschlossen.
  • Die Licht aussendende Vorrichtung 20 wird auf dem externen Substrat 70 durch die gleichen Mittel wie bei der Licht aussendenden Vorrichtung 10 von 3 montiert. Weiter ist die Funktionsweise der Licht aussendenden Vorrichtung 20 die gleiche wie die der in 3 dargestellten Licht aussendenden Vorrichtung 10. Die Licht aussendende Vorrichtung 20 unterscheidet sich von der Licht aussendenden Vorrichtung 10 darin, dass der Basiselektrodenfilm nicht unverändert als Reflexionselement fungiert. Stattdessen wird der Schutzfilm 25, der die Funktion eines Reflexionselementes beinhaltet, ausgebildet, und dann wird der Basiselektrodenfilm auf dem Schutzfilm 25 ausgebildet, und die N-Externverbindungselektrode 23n und die P-Externverbindungselektrode 23p erstrecken sich über das Vergusselement 5, während der Schutzfilm 25 zwischen den N- und P-Externverbindungselektroden 23n und 23p und dem Vergusselement 5 platziert ist.
  • Wie in 26 dargestellt, beinhaltet die Licht aussendende Vorrichtung 20 gemäß der vorliegenden Ausführungsform kein Substrat, auf dem ein Licht aussendendes Element zu montieren ist. Demgemäß kann die Licht aussendende Vorrichtung 20 in der Dicke reduziert werden, während es auf dem externen Substrat 70 montiert ist. Dadurch, dass kein Substrat vorgesehen ist, auf dem ein Licht aussendendes Element zu montieren ist, wird auch ermöglicht, dass bewirkt wird, dass im Licht aussendenden Element 3 erzeugte Wärme direkt an die Verbindungselektroden 71 und 72 des externen Substrates 70 über die N-Externverbindungselektrode 23n und die P-Externverbindungselektrode 23p abgeführt wird. Dadurch wird ein Wärmeabführungseffekt beträchtlicher Größe erreicht. Weiter wird ermöglicht, dass der Schutzfilm 25 Reflexionsvermögen aufweist, und TiW, das ein günstiges Ätzvermögen liefert, kann verwendet werden, um den Basiselektrodenfilm zu bilden.
  • (Weitere Ausführungsform)
  • 33 zeigt eine Licht aussendende Vorrichtung, die durch ein Herstellungsverfahren gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung erhalten wird. 34 zeigt charakteristische Schritte des Herstellungsverfahrens gemäß dieser Ausführungsform. Elemente, die denen des Herstellungsverfahrens der Licht aussendenden Vorrichtung 10 entsprechen, sind mit dem gleichen Bezugszeichen bezeichnet, und werden hier nicht detailliert beschrieben.
  • Wie in 33 dargestellt, beinhaltet eine Licht aussendende Vorrichtung 30 der vorliegenden Ausführungsform: ein Licht aussendendes Element 3, das eine obere Fläche, eine untere Fläche, eine Umfangsfläche, die sich zwischen den oberen und unteren Flächen erstreckt, und paarige Elementelektroden, die auf der unteren Fläche ausgebildet sind; ein Vergusselement, welches das Licht aussendende Element 3 kapselt und so angeordnet ist, dass es die paarigen Elementelektroden des Licht aussendenden Elementes 3 freilegt; und paarige Externverbindungselektroden, die mit den paarigen Elementelektroden des Licht aussendenden Elementes 3 elektrisch verbunden sind und auf dem Vergusselement vorgesehen sind. Das Vergusselement beinhaltet ein erstes Vergusselement 31, das um die Elementelektroden herum vorgesehen ist, und ein zweites Vergusselement 32, welches die oberen Flächen und Umfangsseitenflächen des Licht aussendenden Elementes 3 kapselt. Genauer gesagt beinhaltet die Licht aussendende Vorrichtung 30 das Licht aussendende Element 3, das eine N-Elektrode 3a und eine P-Elektrode 3b beinhaltet, die paarige Elementelektroden sind, welche auf der unteren Fläche des Licht aussendenden Elementes 3 vorgesehen sind, und das Vergusselement, welches das Licht aussendende Element 3 kapselt. Die N-Elektrode 3a und die P-Elektrode 3b, welche die Elementelektroden des Licht aussendenden Elementes 3 sind, bestehen aus vorstehenden Elektroden, wie beispielsweise Gold-Kontakthöckern. Das Vergusselement weist eine Zwei-Schicht-Struktur mit den ersten und zweiten Vergusselementen 31 und 32 auf. Beispielsweise wird eine weiße keramische Tinte verwendet, um das erste Vergusselement 31 auszubilden, welche zumindest die Umgebung der N-Elektrode 3a und der P-Elektrode 3b kapselt. Weiter wird ein einen fluoreszierenden Stoff enthaltendes Harz verwendet, um das zweite Vergusselement 32 auszubilden, welche zumindest die Umfangsseitenfläche und die obere Fläche des Licht aussendenden Elementes 3 kapselt. Die Gold-Kontakthöcker stehen beispielsweise bis zu einer Höhe von ca. 30 µm vor. Weiter sind eine N-Externverbindungselektrode 13n und eine P-Externverbindungselektrode 13p, die aus paarigen Externverbindungselektroden bestehen, auf der unteren Fläche des ersten Vergusselementes 31 ausgebildet. Weiter ist der Außenumfang des zweiten Vergusselementes 32 durch einen Reflexionsrahmen 15 in Form eines Rechteckgitters umgeben.
  • Die weiße keramische Tinte, die das erste Vergusselement 31 bildet, wird dadurch ausgebildet, dass reflektierende Partikel, beispielsweise solche aus Titanoxid, gemeinsam mit einem Katalysator und einem Lösungsmittel in ein Bindemittel, das beispielsweise aus Organo-Polysiloxan besteht, eingemischt werden und das entstehende Gemisch gesintert wird. Es wird bevorzugt, dass die gesinterte weiße keramische Tinte eine Dicke von ca. 30 bis ca. 50 µm hat. Die gesinterte weiße keramische Tinte wird zu einem glasig gemachten (anorganischen) Material. Beispiele des einen fluoreszierenden Stoff enthaltenden Harzes, welches das zweite Vergusselement 32 bildet, beinhalten ein Silikonharz, das ein fluoreszierendes Material enthält, beispielsweise YAG. Ähnlich wie bei der Licht aussendenden Vorrichtung 10 besteht der Reflexionsrahmen 15 aus einem Silikonharz, das reflektierende feine Partikel enthält, und die N-Externverbindungselektrode 13n und die P-Externverbindungselektrode 13p sind durch ein elektrolytisches Plattierverfahren ausgebildete Metallmuster, wie bei der der Licht aussendenden Vorrichtung 10.
  • Das Verfahren zur Herstellung der Licht aussendenden Vorrichtung 30 wird als Nächstes basierend auf 34 beschrieben. 34 zeigt hauptsächlich einen Einkapselungsschritt, der sich von dem Herstellungsverfahren der Licht aussendenden Vorrichtung 10 unterscheidet. Ähnlich wie bei der zuvor beschriebenen Ausführungsform ist zur Vereinfachung der Beschreibung eine einzelne Licht aussendende Vorrichtung 30 in 34 dargestellt. 34A zeigt einen Lichtaussendeelement-Platzierschritt, bei dem das Licht aussendende Element 3 auf einer Klebstoffbahn 81, die an einer Aufspannplatte 80 anhaftet, platziert wird, derart, dass Elementelektroden (die N-Elektrode 3a und die P-Elektrode 3b) nach unten weisen. Die Klebstoffbahn 81 besteht aus einer Basisschicht 81 b, welche die obere Fläche der Aufspannplatte 80 bedeckt, und einer Klebstoffschicht 81 a, die auf die obere Fläche der Basisschicht 31 b aufgebracht ist. Das Licht aussendende Element 3 wird von oben her gegen die Klebstoffschicht 81 a gedrückt, um die N-Elektrode 3a und die P-Elektrode 3b des Licht aussendenden Elementes 3 in der Klebstoffschicht 31 a in einem solchen Maße zu versenken, dass die N-Elektrode 3a und die P-Elektrode 3b verschwinden.
  • 34B und C zeigen einen Schritt, bei dem das Licht aussendende Element 3 gekapselt wird. Bei der vorliegenden Ausführungsform sind die N-Elektrode 3a und die P-Elektrode 4b, welche die Elementelektroden des Licht aussendenden Elementes 3 sind, in der Klebstoffschicht 81a versenkt. Demgemäß ist ein Einkapseln des Licht aussendenden Elementes 3 mittels der unteren Fläche davon ein zu lösendes Problem. Im Hinblick darauf wird zuerst ein Abschnitt oberhalb der Klebstoffschicht 81a mit dem zweiten Vergusselement 32 angefüllt, um das Licht aussendende Element 3 zu kapseln, wie in (b) dargestellt. Für das Befüllen wird der zu einem Rechteckgitter geformte Reflexionsrahmen 15 verwendet, wie bei der Licht aussendenden Vorrichtung 10. Alternativ wird der Reflexionsrahmen mit einer Gussform in situ als Harzformguss ausgebildet. Oder es wird eine Mehrzahl von Licht aussendenden Elementen 3 mit dem zweiten Vergusselement 32 gekapselt, das aus einem transparenten Harz oder einem lichtdurchlässigen Harz besteht, und dann wird, um einen Schlitz in Form eines Rechteckgitters um jedes der Licht aussendenden Elemente 3 auszubilden, das zweite Vergusselement in vertikaler und horizontaler Richtung einem Zerteilen unterzogen. Dann wird ein einen Reflexionseffekt aufweisendes Harz, beispielsweise ein weißes Harz, in den Schlitz eingefüllt, wodurch der Reflexionsrahmen durch Harzformguss ausgebildet wird. Als Nächstes werden die Aufspannplatte 80 und die Klebstoffbahn 81 von dem Licht aussendenden Element 3 abgelöst, das mit dem zweiten Vergusselement 32 gekapselt ist, um die untere Fläche des zweiten Vergusselementes 32 und die N-Elektrode 3a und die P-Elektrode 3b freizulegen, welche die Elementelektroden des Licht aussendenden Elementes 3 sind.
  • Dann wird, wie in 34C dargestellt, das erste Vergusselement 31 so ausgebildet, dass es die untere Fläche des zweiten Vergusselementes 32 sowie die N-Elektrode 3a und die P-Elektrode 3b bedeckt, welche die freiliegenden Elementelektroden sind. In Bezug auf eine Ausbildung des ersten Vergusselementes 31 wird als Erstes die weiße keramische Tinte auf die untere Fläche des zweiten Vergusselementes 32 so aufgebracht, dass sie relativ große Dicke hat. Die weiße keramische Tinte wird auch auf die unteren Flächen der N-Elektrode 3a und die P-Elektrode 3b aufgebracht, welche die Elementelektroden sind, um diese vollständig zu bedecken. Als Nächstes wird die weiße keramische Tinte bei einer Temperatur von ca. 150 °C ausgehärtet, und danach wird die untere Fläche der weißen keramischen Tinte geschliffen, um die unteren Flächen der N-Elektrode 3a und der P-Elektrode 3b freizulegen, die konfiguriert sind, um die Elementelektroden zu sein. Anstelle eines Auftragens und Schleifens der weißen keramischen Tinte kann die weiße keramische Tinte aufgedruckt und dann gesintert werden.
  • 34D zeigt einen Schritt, bei dem Externverbindungselektroden auf der unteren Fläche des ersten Vergusselementes 31 ausgebildet werden. Bei diesem Schritt werden die N-Externverbindungselektrode 13n, die mit der N-Elektrode 3a verbunden ist, die die Elementelektrode des Licht aussendenden Elementes 3 ist, sowie die P-Externverbindungselektrode 13p, die mit der P-Elektrode 3b zu verbinden ist, welche die Elementelektrode des Licht aussendenden Elementes 3 ist, in der gleichen Weise wie bei der Licht aussendenden Vorrichtung 10 auf der unteren Fläche des ersten Vergusselementes 31 ausgebildet, mit dem das Licht aussendende Element 3 gekapselt ist, wie zuvor beschrieben. Ähnlich wie bei den zuvor beschriebenen Ausgestaltungen weisen die N-Externverbindungselektrode 13n und die P-Externverbindungselektrode 13p jeweils eine Drei-Schicht-Struktur mit einem Basiselektrodenfilm, einer Nickelschicht und einer Goldschicht auf.
  • Bei der vorliegenden Ausführungsform besteht das erste Vergusselement 31 aus einer weißen keramischen Tinte, und das zweite Vergusselement 32 besteht aus einem einen fluoreszierenden Stoff enthaltenden Harz. Unterdessen sind die Materialien der ersten und zweiten Vergusselemente 31 und 32 nicht darauf beschränkt. Beispielsweise kann das erste Vergusselement 31 aus einer Harzschicht ausgebildet sein, in welche streuende Partikel eingemischt sind, und das zweite Vergusselement 32 kann aus einer keramischen Tinte bestehen. Diese keramische Tinte kann ein fluoreszierendes Material enthalten, oder nicht.
  • (Weitere Ausführungsform)
  • 35 ist eine Querschnittansicht, die eine Licht aussendende Vorrichtung noch einer weiteren Ausführungsform der Erfindung zeigt. Die Licht aussendende Vorrichtung 40 hat die gleiche Struktur wie die Licht aussendende Vorrichtung 30 der oben beschriebenen Ausführungsform, abgesehen davon, dass das zweite Vergusselement 32 der Licht aussendenden Vorrichtung 30 der oben beschriebenen Ausführungsform aus einer einen fluoreszierenden Stoff enthaltenden Harzschicht 42a besteht, welche die obere Fläche und die Umfangsseitenfläche eines Licht aussendenden Elementes 3 bedeckt, und eine transparente Harzschicht 42b die Außenseite der einen fluoreszierenden Stoff enthaltenden Harzschicht 42a kapselt. Demgemäß sind Elemente, die denjenigen der Licht aussendenden Vorrichtung 30 der oben beschriebenen Ausführungsform entsprechen, mit dem gleichen Bezugszeichen bezeichnet, und werden hier nicht detailliert beschrieben. Die einen fluoreszierenden Stoff enthaltende Harzschicht 42a weist eine einheitliche Dicke von ca. 100 µm auf und bedeckt das gesamte Licht aussendende Element, abgesehen von dessen unterer Fläche.
  • Beispielsweise wird die einen fluoreszierenden Stoff enthaltende Harzschicht 42a dadurch erzielt, dass eine große Anzahl von Licht aussendenden Elementen 3 in gewissen Abständen auf einer Klebstoffbahn 81, die an einer Aufspannplatte 80 anhaftet, platziert werden, eine einen fluoreszierenden Stoff enthaltende Paste mit einem Rakel oder dergleichen auf die Licht aussendenden Elemente 3 aufgebracht wird, und dann die Paste ausgehärtet wird. Das Licht aussendende Element 3 wird mit der einen fluoreszierenden Stoff enthaltenden Harzschicht 42a von einheitlicher Dicke in dieser Weise beschichtet. Demgemäß durchläuft Licht, das nach oben ausgesendet wird, und Licht, das seitlich vom Licht aussendenden Element 3 ausgesendet wird, die gleiche Strecke in der einen fluoreszierenden Stoff enthaltenden Harzschicht 42a (durch die einheitliche Dicke des einen fluoreszierenden Stoff enthaltenden Harzes). Somit kann eine Farbunregelmäßigkeit, die durch ein Aussenden von Licht in unterschiedlichen Richtungen bedingt ist, verringert werden. Weiter ist Licht, das man beim Austreten aus der Licht aussendenden Vorrichtung sieht, auf Licht eingeschränkt, das von der Umgebung des Licht aussendenden Elementes 3 ausgesendet wird, und zwar Licht, das von einer Fläche der einen fluoreszierenden Stoff enthaltenden Harzschicht 42a ausgesendet wird. Dies sorgt für eine einen kleineren Punkt aufweisende Lichtquelle und bietet eine einfachere Steuerung einer Lichtverteilung, mit einer Linse und dergleichen, als in dem Fall, bei dem ein fluoreszierender Stoff so zugesetzt wird, dass er in ein gesamtes Vergussharz eingemischt wird. Herstellungsschritte der vorliegenden Ausführungsform, die den Prozess beinhalten, bei dem Externverbindungselektroden (N- und P-Externverbindungselektroden 13n und 13p) und Elementelektroden (N-Elektrode 3a und P-Elektrode 3b) durch Plattieren verbunden werden, beinhalten keinen Hochtemperaturprozess. Demgemäß kann nicht nur ein anorganisches Harz, sondern auch ein organisches Harz als fluoreszierende Paste angewendet werden.
  • (Vergleichsbeispiel)
  • 36 zeigt eine Licht aussendende Vorrichtung, die durch ein Herstellungsverfahren gemäß einem Vergleichsbeispiel der Erfindung hergestellt wird. 37 und 38 zeigen Schritte dieses Herstellungsverfahrens.
  • Eine Licht aussendende Vorrichtung 50 dem vorliegenden Vergleichsbeispiel beinhaltet: ein Licht aussendendes Element 3, das eine obere Fläche, eine untere Fläche, eine Umfangsfläche, die sich zwischen den oberen und unteren Flächen erstreckt, und paarige Elementelektroden, die auf der unteren Fläche ausgebildet sind; eine Phosphorschicht 52, die eine einen fluoreszierenden Stoff enthaltende Harzschicht ist, welche auf der oberen Fläche des Licht aussendenden Elementes 3 vorgesehen ist; eine transparente Basis 53, die auf der oberen Fläche der Phosphorschicht 52 vorgesehen ist; ein Vergusselement 51, das so angeordnet ist, dass es die paarigen Elementelektroden des Licht aussendenden Elementes 3 freilegt, wobei das Vergusselement 51 die Umfangsseitenfläche des Licht aussendenden Element 3 kapselt; und paarige Externverbindungselektroden, die mit den paarigen Elementelektroden des Licht aussendenden Elementes 3 elektrisch verbunden sind und auf dem Vergusselement 51 vorgesehen sind. Die Licht aussendende Vorrichtung 50 ist dadurch gekennzeichnet, dass die Phosphorschicht 52 auf der oberen Fläche des Licht aussendenden Elementes 3 vorgesehen ist, wobei eine Umfangsseitenfläche mit dem aus transparentem Harz bestehenden Vergusselement 51 gekapselt ist, und dass die transparente Basis 53, die eine Glasbasis oder dergleichen ist, über die obere Fläche der Phosphorschicht 52 aufgebracht ist. Die Umfangsseitenfläche des Vergusselementes 51 ist von einem Reflexionsrahmen 15 umgeben, und die Externverbindungselektroden 13n und 13p sind auf der unteren Fläche des Vergusselementes 51 und auf den unteren Flächen der Elementelektroden 3a und 3b des Licht aussendenden Elementes 3 ausgebildet. Bei dem vorliegenden Vergleichsbeispiel bestehen die Elementelektroden 3a und 3b aus Gold-Kontakthöckern, und die Externverbindungselektroden 13n und 13p haben die gleiche Drei-Schicht-Struktur wie die Externverbindungselektroden der Licht aussendenden Vorrichtung 10.
  • Das Verfahren zur Herstellung der Licht aussendenden Vorrichtung 50 wird als Nächstes basierend auf 37 und 38 beschrieben. Beim Herstellungsverfahren gemäß dem vorliegenden Vergleichsbeispiel wird eine große Anzahl von Licht aussendenden Elementen auf einer großen Glasbasis platziert, um Licht aussendende Vorrichtungen 50 in Massenproduktion gleichzeitig auszubilden. Unterdessen sind zur Vereinfachung der Beschreibung zwei Licht aussendende Vorrichtungen als Beispiel in den Zeichnungen dargestellt.
  • Als Erstes wird, wie in 37A und B dargestellt, die transparente Basis 53 von einer Dicke von einigen Hundert Mikrometern vorbereitet, und dann wird die Phosphorschicht 52 auf der oberen Fläche der transparenten Basis 53 ausgebildet. Die Phosphorschicht 52 wird dadurch ausgebildet, dass ein fluoreszierender Stoff in ein Silikonharz oder ein Epoxidharz eingemischt wird, das als Bindemittel fungiert, und wird zu einer Dicke von ungefähr 100 µm ausgebildet. Als Nächstes wird, wie in 37C dargestellt, eine Mehrzahl von Licht aussendenden Elementen 3 auf der oberen Fläche der Phosphorschicht 52 angeordnet, während die Elementelektroden 3a und 3b nach oben gewendet sind. Dann werden, wie in 37D dargestellt, die Licht aussendenden Elemente 3, die auf der transparenten Basis 53 angeordnet sind, mit dem Vergusselement 51 gekapselt. Das Vergusselement 51 besteht aus einem Silikonharz. Alternativ kann das Vergusselement 51 aus einem Material bestehen, das durch Sintern glasig gemacht ist, beispielsweise ein Organo-Polysiloxan. Die Elementelektroden 3a und 3b der Licht aussendenden Elemente 3 sind aus Gold-Kontakthöckern und dergleichen aufgebaut, die vorzugsweise bis zu einer Höhe von ca. 10 µm bis ca. 30 µm hervorragen.
  • Als Nächstes werden vertikale Schlitze im Vergusselement 51 ausgebildet, und eine weiße Paste wird in die vertikalen Schlitze eingefüllt und dann ausgehärtet, wodurch der Reflexionsrahmen 15 gebildet wird, wie in 38E dargestellt. Das Vergusselement 51 und der Reflexionsrahmen 15 werden danach geschliffen, bis die unteren Flächen der Elementelektroden 3a und 3b verschwinden, um eine ebene Fläche zu bilden, wie in 38F dargestellt. Weiter werden, wie in 38G dargestellt, die Externverbindungselektroden 13n und 13p in gleicher Weise wie bei der Licht aussendenden Vorrichtung 10 auf den unteren Flächen der Elementelektroden 3a und 3b der Licht aussendenden Elemente 3 und der unteren Fläche des Vergusselementes 51 ausgebildet. Ähnlich wie bei den zuvor beschriebenen Ausgestaltungen haben die Externverbindungselektroden 13n und 13p jeweils eine Drei-Schicht-Struktur mit einem Basiselektrodenfilm, einer Nickelschicht und einer Goldschicht. Nachdem die Externverbindungselektroden 13n und 13p ausgebildet sind, wie in 38H dargestellt, wird der Reflexionsrahmen 15 entlang seiner Mittellinie zerschnitten, um die Licht aussendenden Vorrichtungen 50 einzeln auszubilden, wodurch die Licht aussendenden Vorrichtungen 50 fertiggestellt werden.
  • Die Licht aussendende Vorrichtung 50 des vorliegenden Vergleichsbeispiels beinhaltet die transparente Basis 53, die eine Glasbasis und dergleichen ist, welche oberhalb des Licht aussendenden Elementes 3 vorgesehen ist, wodurch die Steifigkeit der gesamten Vorrichtung vergrößert wird. Weiter ist die Phosphorschicht 52 mit einer Glasbasis bedeckt, welche eine geringe Gasdurchlässigkeit aufweist, wodurch die Zuverlässigkeit der gesamten Vorrichtung vergrößert wird und die Produktlebensdauer der Vorrichtung verlängert wird.
  • (Weiteres Vergleichsbeispiel)
  • 39 zeigt eine Licht aussendende Vorrichtung 60 nach einem weiteren Vergleichsbeispiel. Die Licht aussendende Vorrichtung 60 beinhaltet: ein Licht aussendendes Element 3, das eine obere Fläche, eine untere Fläche, eine Umfangsseitenfläche, die sich zwischen den oberen und unteren Flächen erstreckt, und paarige Elementelektroden, die auf der unteren Fläche ausgebildet sind; eine Phosphorschicht 52, die eine einen fluoreszierenden Stoff enthaltende Harzschicht ist, welche auf der oberen Fläche des Licht aussendenden Elementes 3 vorgesehen ist; eine transparente Basis 53, die eine Glasbasis und dergleichen ist und die auf der oberen Fläche der Phosphorschicht 52 vorgesehen ist; ein Vergusselement, das so angeordnet ist, dass es die paarigen Elementelektroden 3a und 3b des Licht aussendenden Elementes 3 freilegt, wobei das Vergusselement die Umfangsseitenfläche des Licht aussendenden Element 3 kapselt; und paarige Externverbindungselektroden 13n und 13p, die mit den paarigen Elementelektroden 3a und 3b des Licht aussendenden Elementes 3 elektrisch verbunden sind und auf dem Vergusselement vorgesehen sind. Die Licht aussendende Vorrichtung 60 unterscheidet sich von der Licht aussendenden Vorrichtung 50 gemäß dem zuvor beschriebenen Vergleichsbeispiel darin, dass das Vergusselement, welches das Licht aussendende Element 3 kapselt, aus einer transparenten Harzschicht 61 und einer weißen Reflexionsschicht 62 in einer Zwei-Schicht-Struktur besteht. Die transparente Harzschicht 61 ist so vorgesehen, dass sie die Außenumfangsseitenfläche des Licht aussendenden Elementes 3 bedeckt. Die weiße Reflexionsschicht 62 ist um die paarigen Elementelektroden 3a und 3b herum vorgesehen, die auf der unteren Fläche des Licht aussendenden Elementes 3 ausgebildet sind, um die Elementelektroden zu kapseln. Ähnlich wie bei der entsprechenden Reflexionsschicht in der Licht aussendenden Vorrichtung 30 der oben beschriebenen Ausführungsform, kapselt die weiße Reflexionsschicht 62 die Elementelektroden 3a und 3b des Licht aussendenden Elementes 3 mit einer weißen keramischen Tinte. Jedoch ist das Material der weißen Reflexionsschicht 62 nicht auf ein anorganisches Material wie beispielsweise weiße keramische Tinte eingeschränkt, sondern kann ein Silikonharz oder ein Epoxidharz sein, das ein reflektierendes feines Pulver enthält, beispielsweise eines aus Titanoxid. Die übrigen Strukturen der Licht aussendenden Vorrichtung 60 sind die gleichen wie bei der Licht aussendenden Vorrichtung 50, und sind daher mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet und werden hier nicht detailliert beschrieben.
  • Ein Verfahren zur Herstellung der Licht aussendenden Vorrichtung des vorliegenden Vergleichsbeispiels beinhaltet die gleichen Schritte bis hin zur Erzeugung der Phosphorschicht 52 auf der oberen Fläche der transparenten Basis 53 und einem Anordnen der Licht aussendenden Elemente 3 auf der Phosphorschicht 52 bei dem Verfahren zur Herstellung der Licht aussendenden Vorrichtung des zuvor beschriebenen Vergleichsbeispiels. Bei dem Schritt, bei dem die Licht aussendenden Elemente 3 mit der transparenten Harzschicht 61 gekapselt werden, wird die transparente Harzschicht 61 lediglich bis zu einer Höhe ausgebildet, welche die Elementelektroden 3a und 3b der Licht aussendenden Elemente 3 freilegt, wie in 40A dargestellt. Dann wird die transparente Harzschicht 61 temporär ausgehärtet. Die weiße Reflexionsschicht 62 wird danach bis zu einer Höhe oberhalb der Elementelektroden 3a und 3b aufgebracht, wie in 40B dargestellt, und dann gemeinsam mit der transparenten Harzschicht 61 ausgehärtet. Nach dem Aushärten wird die weiße Reflexionsschicht 62 geschliffen, um die unteren Flächen der Elementelektroden 3a und 3b der Licht aussendenden Elemente 3 freizulegen. Die Ausbildung eines Reflexionsrahmens 15 und der Externverbindungselektroden 13n und 13p kann durch Verfolgen der gleichen Schritte wie bei dem zuvor beschriebenen Vergleichsbeispiel durchgeführt werden, und daher wird das Ausbilden von diesem hier nicht erneut beschrieben.
  • Bei den hier beschriebenen Licht aussendenden Vorrichtungen bestehen die Elementelektroden 3a und 3b des Licht aussendenden Elementes 3 aus vorstehenden Elektroden mit vorstehenden Abschnitten, wie beispielsweise Gold-Kontakthöckern. Jedoch sind die Elementelektroden 3a und 3b nicht auf derartige vorstehende Elektroden eingeschränkt. Beispielsweise können die Elementelektroden eine n-Elektrode und eine p-Elektrode (Kathode und Anode) sein, die in einer Halbleiterschicht eines Licht aussendenden Elementes ausgebildet sind, und Externverbindungselektroden können mit den n- und p-Elektroden direkt verbunden sein.
  • Bezugszeichenliste
    • 3
    Licht aussendendes Element
    3a
    N-Elektrode (Elementelektrode)
    3b
    P-Elektrode (Elementelektrode)
    3L
    Vergusselement, welches die Mehrzahl von Licht aussendenden Elementen gemeinsam kapselt
    5
    Vergusselement
    5a
    untere Fläche
    6,26
    Basiselektrodenfilm
    6a, 26a
    N-Elektroden-Basisfilm
    6b, 26b
    P-Elektroden-Basisfilm
    6c, 6d, 26c, 26d
    freiliegender Basiselektrodenfilm
    8
    Schnittabschnitt
    10, 20, 30, 40, 50, 60
    Licht aussendende Vorrichtung
    11a, 11b, 21a, 21b
    Nickelschicht
    12a, 12b, 22a, 22b
    Goldschicht
    13n, 23n
    N-Externverbindungselektrode
    13p, 23p
    P-Externverbindungselektrode
    15
    Reflexionsrahmen
    25
    Schutzfilm
    27a, 27b
    Stufenabschnitt
    31
    erstes Vergusselement
    32
    zweites Vergusselement
    51
    Vergusselement
    52
    Phosphorschicht
    53
    transparente Basis
    61
    transparente Harzschicht
    62
    weiße Reflexionsschicht
    63, 83
    erste Resist-Maske
    64, 84
    zweite Resist-Maske
    70
    externes Substrat
    71, 72
    Verbindungselektrode
    80
    Aufspannplatte
    81
    Klebstoffbahn
    81a
    Klebstoffschicht
    81b
    Basisschicht

Claims (8)

  1. Verfahren zur Herstellung einer Licht aussendenden Vorrichtung (30, 40), beinhaltend: Vorbereiten einer ablösbaren Klebstoffbahn (81), wobei die ablösbare Klebstoffbahn (81) eine Basisschicht (81 b) und eine Klebstoffschicht (81 a) aufweist; Vorbereiten einer Mehrzahl von Licht aussendenden Elementen (3), von denen jedes paarige Elementelektroden (3a, 3b) beinhaltet, wobei die paarigen Elementelektroden (3a, 3b) auf einer unteren Fläche eines jeweiligen der Licht aussendenden Elemente (3) ausgebildet sind; Anordnen der Mehrzahl von Licht aussendenden Elementen (3) derart, dass die Licht aussendenden Elemente (3) von oben her gegen die Klebstoffschicht (81a) gedrückt werden, so dass die paarigen Elementelektroden (3a, 3b) in die Klebstoffschicht (81 a) der Klebstoffbahn (81) versenkt werden; Vorsehen eines Vergusselementes (32, 42a, 42b) auf der Klebstoffbahn (81) an einer Seite, auf welcher die Mehrzahl von Licht aussendenden Elementen (3) angeordnet sind, und Einkapseln der Mehrzahl von Licht aussendenden Elementen (3) mit dem Vergusselement (32, 42a, 42b); und Ablösen der Klebstoffbahn (81) von den in Kontakt mit der Basisschicht (81b) der Klebstoffbahn (81) befindlichen Elementelektroden (3a, 3b), um die Elementelektroden (3a, 3b) der Mehrzahl von Licht aussendenden Elementen (3) freizulegen.
  2. Verfahren zur Herstellung einer Licht aussendenden Vorrichtung (30, 40) nach Anspruch 1, beinhaltend: wenn die Mehrzahl von Licht aussendenden Elementen (3) mit dem Vergusselement (32, 42a, 42b) eingekapselt werden, Vorsehen eines Reflexionsrahmens (15), der eine Mehrzahl von Rechteckgittern beinhaltet, von denen jedes ein jeweiliges der Licht aussendenden Elemente (3) umgibt; Einkapseln eines jeweiligen der Licht aussendenden Elemente (3) in einem einzigen Rechteckgitter des Reflexionsrahmens (15), der die Mehrzahl von Rechteckgittern beinhaltet; und Unterteilen des Vergusselements (32, 42a, 42b), indem entlang dem Reflexionsrahmen (15) geschnitten wird.
  3. Verfahren zur Herstellung einer Licht aussendenden Vorrichtung (30, 40) nach Anspruch 1, beinhaltend: wenn die Mehrzahl von Licht aussendenden Elementen (3) mit dem Vergusselement (32, 42a, 42b) eingekapselt sind, Zerteilen des Vergusselementes (32, 42a, 42b) in vertikaler und horizontaler Richtung, um einen Schlitz, der eine Gestalt eines Rechteckgitters hat, um jedes der Licht aussendenden Elemente (3) herum auszubilden; Ausbilden eines Reflexionsrahmens (15) in dem Schlitz; und Unterteilen des Vergusselements (32, 42a, 42b), indem entlang dem Reflexionsrahmen (15) geschnitten wird.
  4. Verfahren zur Herstellung einer Licht aussendenden Vorrichtung (30, 40) nach Anspruch 1, beinhaltend: Vorsehen eines Reflexionselementes auf dem Vergusselement (32, 42a, 42b) auf einer Seite, auf welcher die Elementelektroden (3a, 3b) der Mehrzahl von Licht aussendenden Elementen (3) freiliegen.
  5. Verfahren zur Herstellung einer Licht aussendenden Vorrichtung (30, 40) nach Anspruch 1, beinhaltend ein Ausbilden von paarigen Externverbindungselektroden (13n, 13p), die in Kontakt mit zumindest Abschnitten der paarigen Elementelektroden (3a, 3b) eines jeweiligen Licht aussendenden Elementes (3) sind und konfiguriert sind, um elektrisch mit den paarigen Elementelektroden (3a, 3b) eines jeden der Licht aussendenden Elemente (3) verbunden zu werden.
  6. Verfahren zur Herstellung einer Licht aussendenden Vorrichtung (30, 40) nach Anspruch 4, beinhaltend ein Freilegen von mindestens einer Fläche einer jeweiligen der paarigen Elementelektroden (3a, 3b) eines jeden der Mehrzahl von Licht aussendenden Elementen (3) von dem Reflexionsmaterial durch Schleifen des Reflexionsmaterials.
  7. Verfahren zur Herstellung einer Licht aussendenden Vorrichtung (30, 40) nach Anspruch 6, beinhaltend ein Ausbilden von paarigen Externverbindungselektroden (13n, 13p), die in Kontakt mit zumindest Abschnitten der Elementelektroden (3a, 3b) sind, welche für jedes der Mehrzahl von Licht aussendenden Elementen (3) vorgesehen sind, wobei sie vom Reflexionsmaterial freiliegen und konfiguriert sind, um elektrisch mit den Elementelektroden (3a, 3b) eines jeden der Licht aussendenden Elemente (3) verbunden zu werden.
  8. Verfahren zur Herstellung einer Licht aussendenden Vorrichtung (20), beinhaltend: Vorbereiten einer ablösbaren Klebstoffbahn (81); Vorbereiten einer Mehrzahl von Licht aussendenden Elementen (3), von denen jedes paarige Elementelektroden (3a, 3b) beinhaltet, wobei die paarigen Elementelektroden (3a, 3b) auf einer unteren Fläche eines jeweiligen der Licht aussendenden Elemente (3) ausgebildet sind; Anordnen der Mehrzahl von Licht aussendenden Elementen (3) auf der Klebstoffbahn (81); Vorsehen eines Vergusselementes (5) auf der Klebstoffbahn (81) an einer Seite, auf welcher die Mehrzahl von Licht aussendenden Elementen (3) angeordnet sind, und Einkapseln der Mehrzahl von Licht aussendenden Elementen (3) mit dem Vergusselement (5); und Ablösen der Klebstoffbahn (81) von den in Kontakt mit der Klebstoffbahn (81) befindlichen Elementelektroden (3a, 3b), um die Elementelektroden (3a, 3b) der Mehrzahl von Licht aussendenden Elementen (3) freizulegen; Anordnen der Mehrzahl von Licht aussendenden Elementen (3), wobei die paarigen Elementelektroden (3a, 3b) eines jeden der Mehrzahl von Licht aussendenden Elementen (3) von dem Vergusselement (5) freiliegen; bevor ein Basiselektrodenfilm (26) auf den Elementelektroden (3a, 3b) eines jeden der Mehrzahl von Licht aussendenden Elementen (3) ausgebildet wird, die mit dem Vergusselement (5) gekapselt sind, Ausbilden eines Schutzfilms (25) an einer Position entsprechend einer Position, an welcher der Basiselektrodenfilm (26) am Vergusselement (5) ausgebildet wird, und an Abschnitten der Elementelektroden (3a, 3b) abgesehen von Flächen der Elementelektroden (3a, 3b), die vom Vergusselement (5) freiliegen; Ausbilden des Basiselektrodenfilms (26) auf den Elementelektroden (3a, 3b) eines jeden der Mehrzahl von Licht aussendenden Elementen (3); Ausbilden einer Resist-Maske (83, 84) auf dem Basiselektrodenfilm (26) an einer Position, bei der der Basiselektrodenfilm (26) in Abschnitte unterteilt ist, die einer P-Elektrode und einer N-Elektrode entsprechen, welche die paarigen Elementelektroden (3a, 3b) sind; Ausbilden einer Metallplattierung (11, 12) für Externverbindungselektroden (23n, 23p) auf dem Basiselektrodenfilm (26) an einer Position, an der die Resist-Maske (83, 84) nicht ausgebildet ist; Entfernen der Resist-Maske (83, 84); und Ausbilden von Externverbindungselektroden (23n, 23p) in einer Mehrzahl von Paaren durch Ätzen des Basiselektrodenfilms (26) an einer Position, bei der die Resist-Maske (83, 84) entfernt wurde, unter Verwendung der Metallplattierung (11, 12) für Externverbindungselektroden (23n, 23p) als Maske, wobei die paarigen Externverbindungselektroden (23n, 23p) elektrisch in eine P-Elektrode und eine N-Elektrode unterteilt sind und an Positionen ausgebildet sind, an denen die Externverbindungselektroden (23n, 23p) elektrisch mit den paarigen Elementelektroden (3a, 3b) eines jeden der Mehrzahl von Licht aussendenden Elementen (3) verbunden sind.
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