JP5897862B2 - 半導体発光装置 - Google Patents

Description

本発明はＬＥＤ素子等の半導体発光素子を備えた半導体発光装置及びその製造方法に関するものであり、詳しくは半導体発光素子の発光面上に透光部材を介して反射部材を備えた半導体発光装置及びその製造方法に関する。

近年、ＬＥＤ素子（以下特に断らない限りＬＥＤと略記する）は半導体発光素子であるため、長寿命で優れた駆動特性を有し、さらに小型で発光効率が良く、鮮やかな発光色を有することから、カラー表示装置のバックライトや照明等に広く利用されるようになってきた。本発明においても半導体発光素子を樹脂等でパッケージ化した半導体発光装置として、ＬＥＤ発光装置を事例として説明する。

特に近年、ＬＥＤの発光特性として知られている強い指向性を緩和するため、ＬＥＤの周囲を透光部材である透光性樹脂で被覆し、さらに被覆した透光性樹脂の上面側に反射層を設けたＬＥＤ発光装置（例えば特許文献１）や、ＬＥＤの周囲を透光部材である透光性樹脂で被覆し、さらに被覆した透光性樹脂の上面側に、前記透光性樹脂より低い屈折率の低屈折率樹脂層を設けたＬＥＤ発光装置（例えば特許文献２）が提案されている。

以下、反射部材（反射層）を透光部材の上面に配設した従来のＬＥＤ発光装置に付いて説明する。なお、理解し易いように発明の趣旨を外さない範囲において図面を一部簡略化し、また部品名称も本願にそろえている。図８は特許文献１に示されたＬＥＤ発光装置１００の断面図である。ＬＥＤ発光装置１００は、回路基板１０２の上面に配設した配線電極（図示せず）にフリップチップ実装したＬＥＤ１０１と、ＬＥＤ１０１を覆うようにして封止する透光性樹脂１０４（透光部材）と、透光性樹脂１０４の上面に形成した反射部材１０６を備えている。反射部材１０６は、半透過反射性の金属箔膜よりなり、蒸着またはメッキ法で形成する。反射部材１０６の反射率（又は透過率）及び面積、並びに透光性樹脂１０４の厚み等を任意に設定することにより、正面方向の光出射量や出射光の広がり角について制御が可能となる。例えば、反射部材１０６を透過する透過光Ｐｓの量や側面方向へ出射する側面光Ｐｏの光路長を調節して指向特性を改善することができる。このＬＥＤ発光装置１００は少ない構成部品からなるにもかかわらず方位角で変化する発光ムラを緩和している。

次に上記ＬＥＤ発光装置１００の発光動作を説明する。図示しないマザー基板に半田付け等により接続した回路基板１０２の駆動電極（図示せず）からＬＥＤ１０１へ駆動電流を供給するとＬＥＤ１０１が発光する。仮に反射部材１０６がない場合、ＬＥＤ１０１は側面方向に光を出射するとしても、上方への出射光は極めて強くなる。このため、ＬＥＤ１０１の真上が極端に強く周辺が弱い発光状態となる。このＬＥＤ発光装置１００を照明装置に組み込むと、ＬＥＤ１０１の強い輝度ムラによりこの照明装置はＬＥＤ１０１の中心のみが明るく周囲が暗いものとなってしまう。

上記問題を解決するためＬＥＤ発光装置１００では、ＬＥＤ１０１を封止している透光性樹脂１０４の上面に反射部材１０６を配設している。すなわちＬＥＤ１０１の真上から出射しようとする極端に強い放射光を反射部材１０６によって阻止または抑制し、さらに反射部材１０６によって反射させ周囲から放射させている。これでＬＥＤ１０１の正面が局部的に明るくなるという輝度ムラを改善している。

ＬＥＤ１０１の発光動作を光線Ｐ１〜３で説明する。ＬＥＤ１０１から出射する光線のうち、出射角の小さい光線Ｐ１の一部は反射部材１０６を通過して通過光Ｐｓ１として上方に出射し、光線Ｐ１の他の一部は点線で示すように反射部材１０６と回路基板１０２の間で反射を繰り返した後、透光樹脂１０４の側面から側面光Ｐｏ１として出射する。光線Ｐ２は反射部材１０６と回路基板１０２の間で反射を繰り返し側面光Ｐ０２として出射する。また光線Ｐ３は反射部材１０６で反射し透光性樹脂１０４の側面から側面光Ｐｏ３として出射する。なお、光線の一部は様々な界面で反射し透光樹脂１０４の内部に戻るものもある。反射部材１０６としては白色樹脂や金属層のようにＬＥＤ１０１の発光を反射させる材料が使われる。

次に特許文献２に記載された従来技術について説明する。特許文献２には、回路基板上に実装した半導体発光素子が透光性高屈折率の第１樹脂で被覆され、その第１樹脂の外側を透光性低屈折率の第２樹脂で被覆する２層構成の半導体発光装置が記載されている。この半導体発光装置は、半導体発光素子の屈折率Ｎ１、第１樹脂の屈折率Ｎ２、第２樹脂の屈折率Ｎ３の関係を、Ｎ１＞Ｎ２＞Ｎ３＞１としている。これで半導体発光素子から出射する光線を順次外側に屈折させてゆき、出射光が出来るだけ中心から外側へ向かうようにして発光や輝度のムラを緩和している。なお特許文献２の本来の目的は、化合物半導体発光素子と封止樹脂界面での反射率の低減及び全反射の臨界角を広くすることにより光の外部取り出し効率を改善することである。

特開２００１−２５７３８１号公報（図１） 特開平１０−６５２２０号公報（図５）

上記特許文献１及び２では反射部材の配置や透光部材の積層化により輝度ムラを改善してきた。平面型照明装置ではこのムラの改善に加え薄型化が要請されており、その解決手段のひとつとしてＬＥＤ体発光装置の側面から出射する光を利用するものが知られている。この手法は、ＬＥＤ発光装置の側面から出射する光を、まず水平方向に広げ、次に反射器等で垂直方向（照射方向）に向けるものであり、レンズ等の光学素子が不要となる。しかしながら特許文献１，２で示されたＬＥＤ発光装置では、輝度ムラは改善するとしても、平面型照明装置の薄型化を目指するには側面方向への光出射効率が充分でない。

上記特許文献１に記載されたＬＥＤ発光装置１００の各光線Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３に着目すると、図８に示す如く出射角の小さい光線Ｐ１、出射角の中間の大きさの光線Ｐ２は、点線で示す如く反射部材１０６と回路基板１０２の間で反射を繰り返したのち透光性樹脂１０４の側面より側面光Ｐｏ１、Ｐｏ２として出射する。これに対し出射角の大きい光線Ｐ３だけは、反射部材１０６の反射だけで透光性樹脂１０４の側面より側面光Ｐｏ３として出射する。すなわちＬＥＤ１０１から出射する強い光線Ｐ１，Ｐ２は透光性樹脂１０４の側面より出射するまでに反射部材１０６と回路基板１０２の間で反射を繰り返す。この結果、多くの発光成分は、反射による損失をともなってＬＥＤ装置側面から出射するので光量が減り出射効率が悪くなる。

また、特許文献２に記載の半導体発光装置では、屈折率の異なる２層構成の封止樹脂によって、半導体発光素子の中心部分から出射する強い光線を中心部より外側に向かわせることができる。しかしながら特許文献２の構造では、上方向に出射する光線は進行方向がやや横方向に少し傾くだけでやはり上方向に向かうため、横方向の配光成分はそれほど多くならない。

そこで本発明の目的は、上記問題点を解決しようとするものであり、半導体発光素子と、この半導体発光素子の側面及び上面を被覆する透光性樹脂と、この透光性樹脂の上面の設けられた反射部材とを有する半導体発光装置において、横方向に出射する光の取り出し効率を改善することである。

上記目的を達成するため本発明における半導体発光装置の構成は、下記の通りである。
半導体発光素子と前記半導体発光素子の側面及び上面を被覆する透光性樹脂と、該透光性樹脂の上部に設けられた第１の反射部材とを有する半導体発光装置において、前記第１の反射部材は平板状であり、前記透光性樹脂の上面と前記第１の反射部材の間に前記透光性樹脂より屈折率の低い平板状の低屈折率層を設け、前記半導体発光素子が突起電極を有し、前記透光性樹脂の下面に第２の反射部材を備え、該第２の反射部材から前記突起電極が露出していることを特徴とする。

上記構成によれば、透光性樹脂の上面と反射部材の間に透明性樹脂より屈折率の低い低屈折率層を設けている。この低屈折率層により半導体発光素子から出射した光線が透光性樹脂から低屈折率層に入射するとき側面方向に屈折する。このため反射部材と回路基板の間での反射回数が減少し、横方向に出射する側面光が増加して横方向への光取り出し効率が改善する。また、回路基板の省略によって半導体発光装置の薄型化が可能となる。

前記透光性樹脂には前記半導体発光素子の発光を波長変換する蛍光粒子が混入されており、前記低屈折率層は透明であると良い。

上記構成によれば、半導体発光素子の発光の一部は透光性樹脂に含まれる蛍光体で波長変換される。蛍光体から出射する波長変換光は方位角依存性がないため反射部材に対し小さな入射角をもつ成分も含まれる。この小さな入射角をもつ光は横方向に出射しずらい。一方、低屈折率層は透明であるため新たな発光がなく、反射部材に対し小さな入射角をもつ成分を増加させることはない。このように低屈折率層が透明であると、小さな入射角をもつ成分が増加することによる損失を防ぐことができる。

前記第１の反射部材が半透過反射層又は微細な貫通孔を有する反射板であると良い。

前記反射部材は、低屈折率層の上面に金属性の反射層が蒸着又はスッパッタリングにより形成されると良い。

上記製造方法によれば、まず低屈折率層と反射層とが一体化したフィルム状の屈折率反射層を準備する。この屈折率反射層は大判フィルムである。次に回路基板が連結した集合基板に実装され、透光性樹脂で封止された多数の半導体発光素子の上面にこの大判の屈折率反射層を一括して接着する。最後に集合基板を個々の半導体発光装置に切断分離すれば、半導体発光装置の効率的な量産化が可能となる。

上記の如く本発明によれば、透光性樹脂の上面と反射部材の間に前記透光性樹脂より屈折率の低い低屈折率層を設けることにより、透光性樹脂から低屈折率層へ入射する光が半導体発光装置の側面方向に屈折し、反射部材への入射角が大きくなる。この結果反射部材と回路基板の間での反射回数が減少し、横方向に出射する側面光が増加して横方向への光取り出し効率が改善する。

本発明の第１実施形態におけるＬＥＤ発光装置を示し、（ａ）は断面図、（ｂ）は上面図、（ｃ）は側面図、（ｄ）は下面図である。 図１（ａ）に示すＬＥＤ発光装置の出射特性を示す断面図である。 図２に示すＬＥＤ発光装置を側面反射器付きのマザー基板に取り付けた状態を示す断面図である。 本発明のＬＥＤ発光装置の第１製造方法における工程図である。 本発明のＬＥＤ発光装置の第２製造方法における工程図である。 本発明のＬＥＤ発光装置の第３製造方法における工程図である。 本発明の第２実施形態におけるＬＥＤ発光装置の断面図である。 従来技術のＬＥＤ発光装置における出射特性を示す断面図である。

（第１実施形態）
以下図面により本発明の実施形態を説明する。図１は本発明の第１実施形態におけるＬＥＤ発光装置１０（半導体発光装置）を示し、（ａ）はＬＥＤ発光装置１０の断面図、（ｂ）は（ａ）に示すＬＥＤ発光装置１０の上面図、（ｃ）は側面図、（ｄ）は下面図を示している。

図１（ａ）に示すＬＥＤ発光装置１０の断面図おいて、回路基板２の上面に設けられた２個の配線電極３ａは、スルーホール電極３ｂを通して駆動電極３ｃに接続している。配線電極３ａにはＬＥＤ１がフリップチップ実装（以後ＦＣ実装と略記する）されている。ＬＥＤ１の上面及び側面は蛍光粒子を混入した透光性樹脂４（以後蛍光樹脂４と記す）で被覆されており、この蛍光樹脂４の上面には、蛍光樹脂４よりも屈折率の低い低屈折率層５が接着され、さらに低屈折率層５の上面には第１の反射部材である反射部材６が接着されている。

次にＬＥＤ発光装置１０の全体構成を図１（ｂ）〜（ｄ）により説明する。
図１(ｂ)はＬＥＤ発光装置１０の上面図であり、（ａ）は（ｂ）のＡ−Ａ断面図に該当する。（ｂ）において反射部材６としては、適度の光透過性と適度の光反射性を有することが要求されており、例えばアクリル樹脂やエポキシ樹脂に酸化チタン等の反射材を混入した白色樹脂板や薄い金属層、微小貫通孔を有する金属板等が使用できる。

また、（ｃ）に示す側面図の如く、回路基板２の上面には高屈折率の蛍光樹脂４と低屈折率層５とが２層構成されており、さらに低屈折率層５の上面に反射部材６が設けられている。上記高屈折率の蛍光樹脂４の透光性部材としては、耐光性が良く、屈折率の比較的高い、例えば屈折率が１．６程度のポリカ系樹脂、エポキシ系樹脂などが使用できる。また低屈折率層５としては、例えば屈折率１．４程度のシリコーン樹脂等が使用でき、屈折率が１．２〜１．３程度である透明樹脂を選択すればより好ましい。また、（ｄ）はＬＥＤ発光装置１０の下面図であり、回路基板２の下面には２個の駆動電極３ｃが設けられている。

次に図２によりＬＥＤ発光装置１０の発光動作を説明する。図２は図１に示すＬＥＤ発光装置１０の発光状態を示す断面図であり、構成については図１（ａ）のＬＥＤ発光装置１０と同じであり、重複する説明は省略する。また、本実施形態においてはＬＥＤ１として青色ＬＥＤ、蛍光樹脂４としてはＬＥＤ１の青色発光を黄色光に変換するＹＡＧ蛍光樹脂を用い、ＬＥＤ発光装置１０として白色光を出射する発光装置の事例について説明する。

ＬＥＤ発光装置１０では駆動電極３ｃに駆動電流を供給することによってＬＥＤ１が青色の光線Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３等を出射する。その青色の光線の一部は図８に示した半導体発光装置１００と同様に半透過性の反射部材６を透過して透過光Ｐｓ０、Ｐｓ１、Ｐｓ２として出射する。

次にＬＥＤ１から出射する青色の光線Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３の軌跡に付いて説明する。なお、青色の光線Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３は、図８に示した光線Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３と同じ角度で出射しているものとして比較説明する。
ＬＥＤ１から出射する光線のうち出射角の小さい青色の光線Ｐ１は、蛍光樹脂４と低屈折率層５との境界において屈折率差により外側（側面方向）に向くように屈折して進行する。続いて光線Ｐ１は反射部材６によって反射した後、再度低屈折率層５と蛍光樹脂４の境界で内側（側面とは反対方向）に向くように屈折する。最後に光線Ｐ１は、回路基板２で反射し、蛍光樹脂４の側面から側面光Ｐｏ１としてＬＥＤ発光装置１０の横方向に出射する。

また、出射角が中くらいの青色の光線Ｐ２と出射角が大きい青色の光線Ｐ３も、蛍光樹脂４と低屈折率層５との境界において屈折率差により外側に向くように屈折して進行する。光線Ｐ２，Ｐ３は、反射部材６によって反射するが、反射部材６への入射角が大きいため低屈折率層５の側面から直接側面光Ｐｏ２、Ｐｏ３として出射する。

上記の如く、ＬＥＤ発光装置１０において低屈折率層５を設けることにより、青色の光線Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３の反射部材６への入射角は大きくなる。すなわち出射角の小さい青色の光線Ｐ１であっても反射部材６と回路基板２との反射を１回ずつ行うだけで側面光Ｐｏ１として出射し、出射角の大きい青色の光線Ｐ２、Ｐ３なら反射部材６の反射のみで側面光Ｐｏ２、Ｐｏ３として出射する。このようにＬＥＤ発光装置１０は、反射回数の減少によって横方向への光取り出し効率が改善されていることが分かる。

以上の結果について図８で示したＬＥＤ発光装置１００の光線の軌跡と、ＬＥＤ発光装置１０の光線の軌跡とを比較してみる。ＬＥＤ発光装置１００の光線の軌跡では側面光として出射するまでに光線Ｐ１が４回反射し、光線Ｐ２でも２回反射していたのに対しＬＥＤ発光装置１０の光線の軌跡では、青色の光線Ｐ１が２回の反射により側面光として出射し、青色の光線Ｐ２，Ｐ３にいたっては反射部材６への一回だけの反射により側面光として出射している。このようにしてＬＥＤ発光装置１００に対し、ＬＥＤ発光装置１０は反射に伴う発光の減衰が少なくなり、横方向への光出し効率が改善している。またＹＡＧ蛍光体による発光もＬＥＤ１からの発光と同様に低屈折率層５により側面から効率よく出射する。

次に図３によりＬＥＤ発光装置１０を平面型照明装置に適用する場合を説明する。図３は、ＬＥＤ装置１０を平面型照明装置に適用する場合の一例を示しており、この平面型照明装置において側面反射器１６を設けたマザー基板１２にＬＥＤ発光装置１０を実装した状態を示す断面図である。ＬＥＤ発光装置１０の構成及び光線の軌跡については図２に示すＬＥＤ発光装置１０と同じであり、重複する説明は省略する。側面反射器１６はＬＥＤ発光装置１０の周囲に配置する。このとき平面型照明装置はＬＥＤ発光装置１０の上方の広い範囲に亘って均一に配光しなければならないので、側面反射器１６をＬＥＤ発光装置１０から充分に離し、反射部の傾斜を緩くしておく必要がある。なお図３では説明のため側面反射器１６をＬＥＤ発光装置１０に近づけており、反射部の傾斜もきつくなっている。また側面反射器１６斜面は拡散反射する。

ＬＥＤ装置１０の側面から出射した側面光Ｐｏ１は直接的に図の上方に向かい、側面光Ｐｏ２，ｐｏ３は側面反射器１６で反射し上方へ向かう。なお図３で示した側面反射器１６とマザー基板１２は平面型照明装置の光源部の一部である。側面光Ｐｏ２、Ｐｏ３は、直接出射された側面光Ｐｏ１とともに上方向にむかって広がるため、平面型照明装置を薄型化できる。

（第１製造方法）
次に図４によりＬＥＤ発光装置１０の第１製造方法について説明する。図４はＬＥＤ発光装置１０の製造工程を示し、（ａ）はＬＥＤ実装工程を示し、回路基板２上にＬＥＤ１をＦＣ実装した状態を示す断面図である。（ｂ）は透光性樹脂封止工程を示し、回路基板２上にＦＣ実装したＬＥＤ１の側面及び上面を蛍光樹脂４で被覆した状態を示す断面図である。（ｃ）は低屈折率層形成工程を示し、蛍光樹脂４の上面に低屈折率層５を形成した状態を示す断面図である。（ｄ）は反射層形成工程を示し、低屈折率層５の上面に、反射部材６を接着した断面図である。そして（ｄ）の構成は図１（ａ）に示す半導体発光装置１０の完成図である。

（第２製造方法）
次に図５によりＬＥＤ発光装置１０の第２製造方法について説明する。図５はＬＥＤ発光装置１０の第２製造工程を示している。図５の（ａ），（ｂ）で示した製造工程は図４に示す第１製造方法の（ａ），（ｂ）と同じであり、重複する説明は省略する。すなわち図５に示す第２製造方法において、図４に示す第１製造方法と異なるところは、図４（ｃ）に示す低屈折率層形成工程が、図５（ｃ）では屈折率反射層形成工程となっているところである。屈折率反射層形成工程では予め低屈折率層５と反射部材６を一体化し、屈折率反射層７を形成する。屈折率反射層７は低屈折率樹脂よりなるフィルム（低屈折率層５）の上面に金属性の反射部材６を接着、または蒸着、スパッタリング等により形成している。（ｄ）は接着工程であり、（ｂ）の透光性樹脂封止工程で作成した蛍光樹脂４の上面に屈折率反射層７を接着する様子を示している。そして（ｄ）の構成は図１（ａ）に示す半導体発光装置１０の完成図である。

（第３製造方法）
次に図６によりＬＥＤ発光装置１０の第３製造方法について説明する。図６に示す製造方法は基本的には図５に示す第２製造方法と同じであり、集合工法を適用したものである。図６に示す第３製造方法において、図５に示す第２製造方法と最も異なるところは屈折率反射層７ａの作り方である。屈折率反射層７ａは、図６（ａ）に示すごとく低屈折率樹脂の大判シート状の低屈折率層５ａ上面に金属性の反射層６ａを蒸着またはスッパタリングにより形成して作成している。

そして（ｂ）に示す如く、まず回路基板２が多数個連結した集合基板２ａを準備し、続いて集合基板２ａ上にＬＥＤを実装し、ＬＥＤ１を蛍光樹脂４で封止してから、最後にＬＥＤ１の上面に一括して屈折率反射層７ａを接着する。その後（ｃ）に示すように切断線Ｃに沿って切断分離して（ｄ）に示す半導体発光装置１０を多数個同時生産する。以上の如く大判シート状の屈折率反射層７ａを作成しておくことによって、半導体発光装置１０の量産を容易に行うことができる。

（第２実施形態）
ＬＥＤ発光装置１０は回路基板２を備えていた。回路基板２にはさまざまな機能があり、その一つとしてＬＥＤ１の電極ピッチをマザー基板の電極ピッチに合わせている（インターポーザという）。最近ではＬＥＤ１が大型化してきており、ＬＥＤ１の電極ピッチをマザー基板の電極ピッチに直接的に適合できるようになってきた。この場合、回路基板２を省略できる場合がある。そこで図７により本発明の第２実施形態として、回路基板がなく、あわせて上面に配置した反射部材が異なる形式のＬＥＤ発光装置２０を説明する。図７はＬＥＤ発光装置２０を示す断面図である。ＬＥＤ発光装置２０の基本的構成及び発光特性は図２に示すＬＥＤ発光装置１０と同じであり、同一部材には同一番号を付し、重複する説明は省略する。

図７に示すＬＥＤ発光装置２０は、ＬＥＤ２１の側面及び上面を蛍光樹脂４（透光性樹脂）で被覆し、蛍光樹脂４の上面に低屈折率層５と第１の反射部材２６が積層している。またＬＥＤ発光装置２０は、ＬＥＤ１の電極面側に第２の反射部材２３が配設され、反射部材２３から突起電極２１ａが底面側に露出している。ＬＥＤ発光装置２０は突起電極２１ａをマザー基板との接続用電極とすることにより回路基板を省略し薄型化している。

また、反射部材２６は、高い反射性の金属板からなり、透光用の微細な複数の貫通孔２６ａを有する。上記構成の反射部材２６においては反射率の高いＡｌ等の金属板を用いることによって、青色の光線Ｐ１，Ｐ２、Ｐ３の反射損失を低減し、横方向に出射される側面光Ｐｏ１、Ｐｏ２、Ｐｏ３の光量をさらに増加させることができる（蛍光体による発光も同様）。また、通過光Ｐｓ０、Ｐｓ１等も直接微細孔２６ａを通過して出射されるため光量の減衰が少なくなる。この結果、全体としてＬＥＤ発光装置２０を明るくできる。

１，２１，１０１ ＬＥＤ（半導体発光素子）
２，１０２ 回路基板
２ａ 集合基板
３ａ 配線電極
３ｂ スルーホール電極
３ｃ 駆動電極
４，１０４ 蛍光樹脂（透光性樹脂）
５ 低屈折率層
６，２６，１０６ 反射部材
１０，２０，１００ ＬＥＤ発光装置（半導体発光装置）
１２ マザー基板
１６ 側面反射器
２１ａ 突起電極
２３ 第２反射部材
２６ａ 貫通孔
Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３ 光線
Ｐｓ，Ｐｓ１，Ｐｓ２ 透過光
Ｐｏ，Ｐｏ１〜Ｐｏ４ 側面光

Claims (4)

1. 半導体発光素子と前記半導体発光素子の側面及び上面を被覆する透光性樹脂と、該透光性樹脂の上部に設けられた第１の反射部材とを有する半導体発光装置において、前記第１の反射部材は平板状であり、前記透光性樹脂の上面と前記第１の反射部材の間に前記透光性樹脂より屈折率の低い平板状の低屈折率層を設け、前記半導体発光素子が突起電極を有し、前記透光性樹脂の下面に第２の反射部材を備え、該第２の反射部材から前記突起電極が露出していることを特徴とする半導体発光装置。
2. 前記透光性樹脂には前記半導体発光素子の発光を波長変換する蛍光粒子が混入されており、前記低屈折率層は透明であることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
3. 前記第１の反射部材が半透過反射層又は微細な貫通孔を有する反射板であることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体発光装置。
4. 前記第１の反射部材は、低屈折率層の上面に金属性の反射層が蒸着またはスッパッタリングにより形成されたことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の半導体発光装置。

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