JP6933817B2 - 発光装置の製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、発光装置の製造方法に関する。
発光ダイオード等の発光素子を用いた発光装置は、液晶ディスプレイのバックライトやディスプレイ等の各種の光源として広く利用されている。このような発光装置としては、配線を有する基板の上に発光素子を載置した構造が提案されている。例えば特許文献１は、基板の上面に配線を有し、その配線に発光素子の下面の電極を接続した発光装置を開示している。
特開２００６−１００４４４号公報
近年、発光装置のさらなる小型化、薄型化が求められている。
本発明の目的の一は、薄型化が可能な発光装置の製造方法を提供することにある。
本発明の一の形態に係る発光装置の製造方法によれば、複数の発光素子を備える発光装置の製造方法であって、支持部材と、前記支持部材の上に設けられる複数の発光素子と、前記支持部材上であって、前記発光素子の周囲に設けられる被覆層と、前記発光素子の上から前記被覆層の上にわたって設けられた配線電極と、を備える中間体と、光反射性樹脂を塗布した基板と、を準備する工程と、前記中間体を、前記基板上に塗布した光反射性樹脂に、前記配線電極側の面を対向させた姿勢でプレスする工程と、前記光反射性樹脂を硬化させて光反射性樹脂層を形成する工程と、前記支持部材を除去する工程とを含むことができる。
本発明の一の形態に係る発光装置の製造方法によれば、薄型化に適した発光装置を得ることができる。
実施形態１に係る発光装置を示す断面図である。 実施形態２に係る発光装置を示す平面図である。 実施形態３に係る発光装置を示す平面図である。 実施形態４に係る発光装置を示す平面図である。 図４に示す発光装置の拡大平面図である。 中間体の断面図である。 支持部材上に発光素子を配置する工程を示す断面図である。 発光素子の載置領域以外の第二接着層を除去する工程を示す断面図である。 被覆層を形成する工程を示す断面図である。 発光素子の電極形成面を露出させた開口部を形成する工程を示す断面図である。 第一金属層を形成する工程を示す断面図である。 第一金属層の上にレジストを設ける工程を示す断面図である。 レジストの開口部内に第二金属層を形成する工程を示す断面図である。 レジストを除去する工程を示す断面図である。 第二金属層及び第一金属層を除去して配線電極を形成する工程を示す断面図である。 光反射性樹脂に中間体をプレスする工程を示す断面図である。 プレス状態で光反射性樹脂を硬化させる工程を示す断面図である。 余分な部材を除去する工程を示す断面図である。 支持部材を除去する工程を示す断面図である。 不要な部分を除去する工程を示す断面図である。 未硬化の接着樹脂の上に波長変換シートを載置する工程を示す断面図である。 接着樹脂を硬化させて接着層を形成する工程を示す断面図である。 付加部材を付加した発光装置を示す断面図である。 実施形態５に係る発光装置を示す断面図である。
本発明のある態様の発光装置の製造方法は、上述した特長に加えて、以下の特長を加味してもよい。
本発明の他の態様の発光装置の製造方法は、前記中間体を光反射性樹脂にプレスする工程において、前記中間体を、未硬化または半硬化状態の光反射性樹脂にプレスする。
また、本発明の他の態様の発光装置の製造方法は、さらに、前記支持部材を除去する工程の後に、前記複数の発光素子を覆うように、未硬化の接着樹脂を塗布し、波長変換部材を含む波長変換シートを載置する工程と、前記接着樹脂を硬化させて接着層を形成する工程とを含む。
さらに、本発明の他の態様の発光装置の製造方法は、前記波長変換シートを未硬化の接着樹脂に載置する工程が、前記波長変換シートの、前記未硬化の接着樹脂と接着させる面側に、予め光拡散層を形成する工程と、前記波長変換シートの前記光拡散層を、前記未硬化の接着樹脂と接着させる工程を含む。
さらにまた、本発明の他の態様の発光装置の製造方法は、前記光反射性樹脂が、熱硬化性の樹脂である。
さらにまた、本発明の他の態様の発光装置の製造方法は、前記基板が、絶縁性の基板である。
さらにまた、本発明の他の態様の発光装置の製造方法は、前記基板が、ＢＮ基板である。
さらにまた、本発明の他の態様の発光装置の製造方法は、前記中間体を準備する工程が、前記複数の発光素子を、前記支持部材の上に、複数の行と列とに配列して設ける工程を含む。
さらにまた、本発明の他の態様の発光装置の製造方法は、前記中間体を準備する工程が、前記複数の発光素子を、前記支持部材上に、中間部分は一定間隔で、前記支持部材の周辺領域においては間隔を密にして設ける工程を含む。
さらにまた、本発明の他の態様の発光装置の製造方法は、前記光反射性樹脂層の厚さを、１００μｍ〜２００μｍとしている。
さらにまた、本発明の他の態様の発光装置の製造方法は、前記基板の厚さを、１００μｍ〜２００μｍとしてなる発光装置の製造方法。
以下、図面に基づいて本発明を詳細に説明する。なお、以下の説明では、必要に応じて特定の方向や位置を示す用語（例えば、「上」、「下」、及びそれらの用語を含む別の用語）を用いるが、それらの用語の使用は図面を参照した発明の理解を容易にするためであって、それらの用語の意味によって本発明の技術的範囲が制限されるものではない。また、複数の図面に表れる同一符号の部分は同一もしくは同等の部分又は部材を示す。
さらに、以下に示す実施形態は、本発明の技術思想を具体化するための発光装置の製造方法を例示するものであって、本発明を以下に限定するものではない。また、以下に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は、特定的な記載がない限り、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、例示することを意図したものである。また、一の実施の形態、実施例において説明する内容は、他の実施の形態、実施例にも適用可能である。また、図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため、誇張していることがある。
（発光装置）
本発明の実施形態１に係る発光装置の断面図を図１に示す。この図に示す発光装置は、複数の発光素子２０と、光反射性樹脂層５０と、基板５２と、接着層６０と、光拡散層７２と、波長変換シート７０を備える。
（発光素子２０）
発光素子２０は、正負の素子電極２１を備える電極形成面２０ａと、電極形成面２０ａと反対側の発光面２０ｂとを有する（後述する図７参照）。この発光素子２０は、素子電極２１が配線電極４０の上面に対向するように、直接又はバンプ等を介してフリップチップ実装される。
発光素子２０には、半導体発光素子を利用することができる。本実施形態においては、発光素子２０としてフリップチップ実装された発光ダイオードを例示する。発光素子２０は、例えば青色光を出射する。発光素子２０には、青色以外の光を出射する素子も使用できる。また、複数の発光素子２０として異なる色の光を発する発光素子を用いてもよい。発光素子２０から出射される光は、波長変換部材で外部に放射される発光色が調整される。
発光素子２０として、任意の波長の光を出射する素子を選択することができる。例えば、青色、緑色の光を出射する素子としては、窒化物系半導体（ＩｎxＡｌyＧａ1-x-yＮ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）またはＧａＰを用いた発光素子を用いることができる。また、赤色の光を出射する素子としては、ＧａＡｌＡｓ、ＡｌＩｎＧａＰなどの半導体を含む発光素子を用いることができる。さらに、これら以外の材料からなる半導体発光素子を用いることもできる。半導体層の材料およびその混晶度を変更することによって発光波長を変化させることができる。用いる発光素子の組成、発光色、大きさ、個数などは、目的に応じて適宜選択すればよい。
このような発光素子２０は、複数が発光装置の主面すなわち光取り出し面において、複数の行と列にマトリックス状に配列されている。このような発光装置においては、反りを抑制し、薄型化を実現することが強く求められているため、本実施形態に係る発光装置の製造方法は特に好ましく適用することができる。また発光素子２０の配置は、碁盤目状に配置する他、行毎にオフセットさせるように配置してもよい。また、ライン状としたり放射状、渦巻き状など、任意の配置パターンが適宜利用できる。配置される発光素子２０の数や、行列の数等は、要求される仕様、例えば面状光源の大きさや密度、光量などに応じて設定される。発光素子２０の配列例を、実施形態２に係る発光装置２００として図２の平面図に示す。
またマトリックス状に複数の発光素子２０を配置する際は、図２のように場所によらず一定の間隔で配置する構成の他、部位によって間隔を変化させてもよい。例えば多数の発光素子２０を配置する構成においては、隅部が暗く中央が明るくなり、場所によって輝度が異なるむらが生じる。そこで、周辺領域において間隔を密にして設けてもよい。このような例を実施形態３に係る発光装置３００として、図３の平面図に示す。この図に示すように、多数の発光素子２０を配置する構成においては、中央部に比べて隅部が相対的に暗くなるため、中央部分は一定間隔としつつ、隅部が密になるように発光素子２０の間隔を狭くしている。このような構成によって、発光装置の隅部で暗くなることを避け、全体として均一な面状光源を得ることが可能となる。
また、図３の発光装置３００は、一の発光装置で構成する他、複数の発光装置を組み合わせた発光装置集合体として構成してもよい。このような例を、実施形態４に係る発光装置集合体１０００として図４の平面図に示す。図４に示す発光装置集合体１０００は、４枚の発光装置を組み合わせて構成している。この内の一枚の発光装置４００の平面図を、図５に示す。ここでは、図４において左上に配置する発光装置４００を示している。この図においては、発光装置４００の左上で発光素子２０同士の間隔が密になるよう、マトリックス状に配置された発光素子２０の行間を上方で狭くしている。同様に発光素子２０の列間を、左方で狭くしている。このような構成によって、複数の発光装置を組み合わせて大きな面状光源を実現しつつ、隅部で暗くなることを避け、全体として均一な面状光源を得ることが可能となる。
（光反射性樹脂層５０）
光反射性樹脂層５０は、この上面に発光素子２０を実装する実装基板として機能する。光反射性樹脂層５０を構成する光反射性樹脂５１は、耐熱性および耐光性に優れた熱硬化性の樹脂とすることが好ましい。例えばシリコーンやエポキシ等が好適に利用できる。光反射性樹脂層５０の厚さは、１５μｍ〜３００μｍとする。
（基板５２）
基板５２は、光反射性樹脂層５０を支持する部材である。光反射性樹脂層５０が薄くなると、反りやしわが発生することがある。本発明者らの行った試験によれば、光反射性樹脂層５０が４００μｍ程度であっても、反りが発生し、後の製造工程等において支障となる可能性があることが判明した。一方で、発光装置の小型化の要求は強く、特に液晶ディスプレイでも、バックライトを有しない有機ＥＬディスプレイ並みの薄さを実現できるよう、３００μｍ以下の薄さが求められている。そこで、光反射性樹脂層５０のみで発光素子２０を支持するのでなく、基板５２で裏打ちすることで、このような反りを抑制して補強する。このため基板５２は、補強層や補強基板として機能する。基板５２の厚さは、２５μｍ〜２００μｍとする。この基板５２は、絶縁性の基板であると、取り扱いやすくなるため好適に利用できる。特にポリイミド含侵ガラスクロスであるＢＮ基板が、反りやしわが発生し難いため好ましい。
（接着層６０）
接着層６０は、光拡散層７２を備える波長変換シート７０を、発光素子２０と光学的に結合する部材である。この接着層６０は透光性を有し、光拡散層７２と発光素子２０とを光学的に結合した状態に固定する。特に発光素子２０と波長変換シート７０との間にエアギャップが存在すると、発光素子２０から波長変換シート７０への光の入光効率が悪くなって光取り出し効率が低下する。そこで樹脂製の接着剤でもって、発光素子２０の外形に沿って隙間なく充填し、波長変換シート７０と接着する。このような接着層６０には、シリコーンやエポキシ等の熱硬化性の樹脂等が好適に利用できる。
（光拡散層７２）
光拡散層７２は、発光素子２０が発する光を拡散、あるいは散乱させて波長変換シート７０に導入するための部材である。これにより、複数の発光素子２０を配置した主面上に、局部的に光が集中することを避け、輝度ムラを抑制し、発光素子２０の部位のみが明るく見えるドット感を低減させた均質な面状発光が得られる。光拡散層７２は、光拡散材を樹脂に分散させて形成される。光拡散材には、ＴｉＯ2、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3又はガラスフィラー等の無機粒子が好適に利用できる。また光拡散材には、光反射性部材である白色系の樹脂や金属を微粒子状に加工したものを使用することもできる。これらの光拡散材は、母材の内部に不規則に含有されることで、光拡散層７２の内部を通過する光を不規則に、かつ繰り返し反射させて、透過光を多方向に拡散することで、照射光が局部的に集中するのを抑制して、輝度ムラが生じるのを防止する。また光拡散層７２を構成する樹脂には、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂等の熱硬化性の樹脂が好適に利用できる。光拡散部は、発光素子２０から出射される光に対して６０％以上の反射率を有し、好適には９０％以上の反射率を有することが望ましい。なお、この光拡散層７２は、発光装置の構成や用途によっては省略することもできる（詳細は後述）。
（波長変換シート７０）
波長変換シート７０は、発光素子２０が発する光を異なる波長の光に変換する波長変換物質を含有する。波長変換シート７０は、波長変換物質を母材に分散させてシート状としたものが利用できる。波長変換物質としては、蛍光体が挙げられる。例えば、ＹＡＧ蛍光体、βサイアロン蛍光体またはＫＳＦ系蛍光体等のフッ化物系蛍光体などが挙げられる。波長変換シート７０は、単数の波長変換物質が含有されていてもよいし、複数の波長変換物質が含有されていてもよい。複数の波長変換物質を含有する場合は、例えば、波長変換シート７０が緑色系の発光をするβサイアロン蛍光体と赤色系の発光をするＫＳＦ系蛍光体等のフッ化物系蛍光体とを含むことができる。これにより、発光装置１００の色再現範囲を広げることができる。この場合、発光素子２０は、波長変換シート７０を効率良く励起できる短波長の光を出射することが可能な窒化物系半導体（ＩｎxＡｌyＧａ1-x-yＮ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）を備えることが好ましい。また、例えば、青色系の光を出射する発光素子２０を用いた際に、発光装置として赤色系の光を得たい場合は、波長変換シートにＫＳＦ系蛍光体（赤色蛍光体）を６０重量％以上、好ましくは９０重量％以上含有させてもよい。つまり、特定の色の光を出射する波長変換物質を波長変換シートに含有させることで、特定の色の光を出射するようにしてもよい。また、波長変換物質は量子ドットであってもよい。波長変換シート７０内において、波長変換物質はどのように配置されていてもよい。例えば、略均一に分布していてもよく、一部に偏在してもよい。また、波長変換物質をそれぞれ含有する複数の層が積層されて設けられていてもよい。
また波長変換物質を分散させる母材は、樹脂等のマトリックスが利用できる。樹脂材料には、例えばエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、これらを混合した樹脂、またはガラスなどの透光性材料を用いることができる。波長変換部材の耐光性および成形容易性の観点からは、母材としてシリコーン樹脂を選択すると有益である。
（発光装置の製造方法）
次に、発光装置の製造方法を、図６〜図２２に基づいて説明する。まず、図６に示す中間体１を準備する。
（中間体１）
図６に示す中間体１は、支持部材１０と、支持部材１０の上に設けられる複数の発光素子２０と、支持部材１０上であって、発光素子２０の周囲に設けられる被覆層３０と、発光素子２０の上から被覆層３０の上にわたって設けられた配線電極４０とを備える。以下、この中間体１の製造方法を、図７〜図１５に基づいて説明する。
（発光素子２０を配置する工程）
まず図７に示すように、支持部材１０上に、発光素子２０を配置する。発光素子２０は、電極形成面２０ａを上に向け、かつ発光面２０ｂを下に向けた状態で配置する。なお中間体１において、複数の発光素子２０を所定の間隔を空けて配置してもよい。この場合、後述する配線電極４０を形成する工程において、各発光素子２０の素子電極２１同士を配線電極４０によって電気的に接続することができる。
支持部材１０は、発光素子２０を載置することが可能なものである。例えばガラス基板やサファイア基板等が支持部材１０として好適に利用できる。支持部材１０の形状は、特に限定されないが、上面が平坦であることが好ましい。支持部材１０と発光素子２０とは、第二接着層１３により貼り合わされている。第二接着層１３としては、例えば、ＶＰＡ等を用いることができる。
支持部材１０の上面には、剥離層１１として、感光性樹脂層が形成されている。剥離層１１の上面には、保護層１２を介して第二接着層１３が形成されている。剥離層１１は、後に、光を照射することにより、支持部材１０から発光素子２０を分離するためのものである。
次に、図８に示すように、発光素子２０の載置領域以外の領域の第二接着層１３を、エッチングにより除去する。保護層１２は、剥離層１１がエッチングされるのを防ぐ役割を有している。保護層１２の材料としては、金属を用いることが好ましい。保護層１２の金属としては、Ｔｉ等を用いることができる。
（被覆層３０を形成する工程）
次に、図９に示すように、支持部材１０上であって、発光素子２０の周囲に、被覆層３０を形成する。被覆層３０は、支持部材１０上に被覆層３０の材料を塗布して設ける。塗布方法は、スピンコータによるスピンコート法、ディスペンサによる吐出など特に限定されない。被覆層３０は、有機物で構成される部材を用いることが好ましい。これにより、後述する被覆層３０を除去する工程において、エッチングにより容易に除去することができる。有機物としては、例えばポリイミド（ＰＩ）を用いることができる。
例えば、被覆層３０としてレジストを用いる場合は、図９に示すように、支持部材１０及び発光素子２０を覆うようにレジストを設けた後、発光素子２０の上方を覆う形状に形成されたマスクＭを介して露光し、現像する。これにより、図１０に示すように発光素子２０の電極形成面２０ａが露出する開口部を形成する。
（配線電極４０を形成する工程）
次に、発光素子２０の素子電極２１から被覆層３０の上にわたって、配線電極４０を形成する。配線電極４０は、第一金属層４１及び第二金属層４２を積層して形成する。
配線電極４０を形成する工程においては、まず、図１１に示すように、発光素子２０の素子電極２１と被覆層３０上の略全面に、第一金属層４１をスパッタ等で形成する。第一金属層４１は、後工程である第二金属層４２を形成する工程において、第二金属層４２を電解メッキ法で形成する際のシード層として用いられる。第一金属層４１の積層構造としては、例えば、支持部材１０側からＡｌ／Ｔｉ／Ｃｕ等が挙げられる。
次に、図１２に示すように、第一金属層４１の上にレジストＲＳを設ける。レジストＲＳは、平面視において、素子電極２１の少なくとも一部を含む開口部を有するように形成される。
次に、図１３に示すように、レジストＲＳの開口部内に、電解メッキ法によって第二金属層４２を形成する。第二金属層４２は、第一金属層４１を電解メッキのシード層、すなわち電流経路として用い、レジストＲＳの開口部内でメッキ成長させることで形成される。第二金属層４２としては、例えば、Ｃｕが挙げられる。
次に、図１４に示すように、レジストＲＳを除去する。これにより、第二金属層４２が、配線電極４０の一部として現れる。
続いて、図１５に示すように、エッチングにより第二金属層４２の一部を除去して第二金属層４２を薄膜化するとともに、第二金属層４２が形成されていない領域の第一金属層４１を除去する。これによって、発光素子２０の素子電極２１から被覆層３０の上にわたって、第一金属層４１と第二金属層４２が積層された配線電極４０が形成される。なお、配線電極４０の上に、さらに第三金属層および第四金属層を積層して第二の配線電極を形成してもよい。
このように、配線電極４０は、発光素子２０の素子電極２１に対して形成するため、発光素子２０を配置する工程において発光素子２０の位置ズレが生じたとしても、配線電極４０を設ける位置を調整することができる。これにより、基板上の配線電極に対して発光素子を配置する場合と比較して、発光素子２０の素子電極２１と配線電極４０の位置ズレによる接続不良を抑制することができる。
以上のようにして中間体１を得る一方で、光反射性樹脂５１を塗布した基板５２を準備する。そして図１６に示すように、この光反射性樹脂５１に、中間体１を反転させ、配線電極４０側の面を光反射性樹脂５１に対向させた姿勢でプレスする。ここでは、シート転写工法で作成した下地用ガラス基板等のウエハと、この上に載置したＢＮ基板等の基板５２に、光反射性樹脂層５０で中間体１を貼り合わせる。好ましくは、真空中でプレスして貼り合わせる。これにより、光反射性樹脂層５０及び基板５２を一括して中間体１に接合することができるため、光反射性樹脂層５０を薄くしても反りやしわの発生を抑制することができる。ここでは、未硬化または半硬化状態の光反射性樹脂５１に対し、中間体１をプレスする。本明細書において、「半硬化」とは、樹脂の硬化を途中段階で停止させた状態で、「半硬化状態の光反射性樹脂」とは、その硬化過程において加熱により、さらに硬化を進めることが可能な状態の光反射性樹脂をいう。図１６に示す例では、プレス用にガラス基板を用いている。これらのプレス用ガラス基板ＰＧは、表面に離型用のＰＥＴシート等を設けておくことが好ましい。
次に、光反射性樹脂５１を硬化させて光反射性樹脂層５０を形成する。まず、図１７に示すように、プレス状態で光反射性樹脂５１を硬化させる。上述の通り光反射性樹脂５１は、シリコーン樹脂等の熱硬化性樹脂であるため、加熱する。例えば１５０℃に数時間加熱する。そして図１８に示すように、プレス用ガラス基板ＰＧを離型した後、余分な光反射性樹脂等を除去する。なお、この例では予め基板５２上に光反射性樹脂層５０を塗布しているが、逆に中間体１側に光反射性樹脂５１を塗布した上で、この光反射性樹脂５１に基板を貼り付けてもよい。
次に、支持部材１０を除去する。ここでは、図１９に示すようにレーザリフトオフで、支持部材１０であるガラス基板を除去している。支持部材１０を剥離させ易いように、支持部材１０には予め剥離層１１が設けられている。
さらに剥離層１１等、不要な部分を除去する。ここでは、図２０に示すように被覆層３０のポリイミド樹脂を、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）により、除去している。以上のようにして、複数の発光素子２０を基板５２上に配列した発光装置２が得られる。
発光装置２には、波長変換シート７０を付加してもよい。上述した支持部材１０を除去する工程の後に、複数の発光素子２０を覆うように、未硬化の接着樹脂６２を塗布して、この上に波長変換部材を含む波長変換シート７０を載置する。ここでは、図２１に示すように、複数の発光素子２０を覆うように、未硬化の接着樹脂６２を塗布し、この上に波長変換部材を含む波長変換シート７０を載置する。ここでは、接着樹脂６２としてシリコーン樹脂の熱硬化性樹脂を用いている。また波長変換シート７０は、予め光拡散層７２を形成している。そして、波長変換シート７０の光拡散層７２側を、未硬化の接着樹脂６２と接着させる。
そして、接着樹脂６２を硬化させて接着層６０を形成する。ここでは、図２２に示すようにプレス板ＰＰを剥離シートＰＳを介して波長変換シート７０を押圧状態とし、オーブンに入れるなど、加熱環境下に置く。このようにして、図１に示す発光装置１００が得られる。この構成であれば、特に接着層６０を設けたことで発光素子２０と光拡散層、波長変換シート７０との接合が隙間なく行われるため、発光素子と光拡散層、波長変換シートとの接合部分からエアギャップを排除して、効率のよい発光が得られる。本願発明者らの行った試験によれば、接着層６０を設けずに拡散シートや波長変換シート７０を載置する構成と比べ、２０％〜４０％の発光効率向上が得られた。
また、必要に応じて光学シート８０や、ケース９０等の付加部材を付加してもよい。例えば発光装置を液晶ディスプレイ用の面状バックライト光源として用いる場合は、偏光板が必要となる。このような例を図２３の断面図に示す。この例では、図１の発光装置に、光学シート８０を配置し、さらに側面にケース９０を被覆している。
光学シート８０は、液晶ディスプレイのバックライト用として使用する光学部材であり、一又は複数を組み合わせて使用できる。光学シート８０には、偏光フィルム、カラーフィルタ、レンズシート、拡散シート、例えばＢＥＦシリーズ（３Ｍ社の商品名）、ＯｐｔＳａｖｅｒ（登録商標）、Ｌ−ｓｅｒｉｅｓ（株式会社きもと社の商品名）等が利用できる。
ケース９０は、発光装置の外面を保護する枠体である。ここでは、樹脂製のケース９０でもって、発光装置の上面に載置された光学シート８０の側面を締結する。これら光学シート８０やケース９０等の付加部材は、用途に応じて付加する。
［実施形態５］
また上述の通り、波長変換シート７０に光拡散層７２を設けない構成としてもよい。このような例を実施形態５に係る発光装置として、図２４の断面図に示す。この図に示す発光装置５００は、波長変換シート７０Ｂを、光拡散層を介在させることなく直接、接着層６０で発光素子２０を実装した基板５２と接合する。またこの発光装置を、液晶ディスプレイ用の面状バックライト光源として使用する場合は、波長変換シート７０Ｂの上面に、光拡散シート７２Ｂや光学シート８０を配置し、必要に応じてケース９０で保持する。この構成であれば、波長変換シート７０を経て波長変換された光に対して拡散がなされるため、発光素子２０のドット感や輝度ムラを低減できる。
本開示に係る発光装置は、テレビやタブレット、液晶ディスプレイ装置のバックライトとして、テレビやタブレット、スマートフォン、スマートウォッチ、ヘッドアップディスプレイ、デジタルサイネージ、掲示板などに好適に利用できる。また、照明用の光源としても利用でき、非常灯やライン照明、あるいは各種のイルミネーションや車載用のインストールなどにも利用できる。
１０００…発光装置集合体
１００、２００、３００、４００、５００…発光装置
１…中間体
２…発光装置
１０…支持部材
１１…剥離層
１２…保護層
１３…第二接着層
２０…発光素子
２０ａ…電極形成面
２０ｂ…発光面
２１…素子電極
３０…被覆層
４０…配線電極
４１…第一金属層
４２…第二金属層
５０…光反射性樹脂層
５１…光反射性樹脂
５２…基板
６０…接着層
６２…接着樹脂
７０、７０Ｂ…波長変換シート
７２…光拡散層
７２Ｂ…光拡散シート
８０…光学シート
９０…ケース
Ｍ…マスク
ＲＳ…レジスト
ＰＧ…プレス用ガラス基板
ＰＰ…プレス板
ＰＳ…剥離シート

Claims (11)

  1. 複数の発光素子を備える発光装置の製造方法であって、
    支持部材と、
    前記支持部材の上に設けられる複数の発光素子と、
    前記支持部材上であって、前記発光素子の周囲に設けられる被覆層と、
    前記発光素子の上から前記被覆層の上にわたって設けられた配線電極と、
    を備える中間体と、
    光反射性樹脂を塗布した基板と、
    を準備する工程と、
    前記中間体を、前記基板上に塗布した光反射性樹脂に、前記配線電極側の面を対向させた姿勢でプレスする工程と、
    前記光反射性樹脂を硬化させて光反射性樹脂層を形成する工程と、
    前記支持部材を除去する工程と、
    を含む発光装置の製造方法。
  2. 請求項１に記載の発光装置の製造方法であって、
    前記中間体を光反射性樹脂にプレスする工程において、前記中間体を、未硬化または半硬化状態の光反射性樹脂にプレスする発光装置の製造方法。
  3. 請求項１又は２に記載の発光装置の製造方法であって、さらに、
    前記支持部材を除去する工程の後に、
    前記複数の発光素子を覆うように、未硬化の接着樹脂を塗布し、波長変換部材を含む波長変換シートを載置する工程と、
    前記接着樹脂を硬化させて接着層を形成する工程と、
    を含む発光装置の製造方法。
  4. 請求項３に記載の発光装置の製造方法であって、
    前記波長変換シートを未硬化の接着樹脂に載置する工程が、
    前記波長変換シートの、前記未硬化の接着樹脂と接着させる面側に、予め光拡散層を形成する工程と、
    前記波長変換シートの前記光拡散層を、前記未硬化の接着樹脂と接着させる工程を含む発光装置の製造方法。
  5. 請求項１〜４のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法であって、
    前記光反射性樹脂が、熱硬化性の樹脂である発光装置の製造方法。
  6. 請求項１〜５のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法であって、
    前記基板が、絶縁性の基板である発光装置の製造方法。
  7. 請求項１〜６のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法であって、
    前記基板が、ＢＮ基板である発光装置の製造方法。
  8. 請求項１〜７のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法であって、
    前記中間体を準備する工程が、前記複数の発光素子を、前記支持部材の上に、複数の行と列とに配列して設ける工程を含む発光装置の製造方法。
  9. 請求項８に記載の発光装置の製造方法であって、
    前記中間体を準備する工程が、前記複数の発光素子を、前記支持部材上に、中央部分は一定間隔で、前記支持部材の周辺領域においては間隔を密にして設ける工程を含む発光装置の製造方法。
  10. 請求項１〜９のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法であって、
    前記光反射性樹脂層は、厚さを１００μｍ〜２００μｍとしてなる発光装置の製造方法。
  11. 請求項１〜１０のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法であって、
    前記基板は、厚さを１００μｍ〜２００μｍとしてなる発光装置の製造方法。
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