DE112011100241T5

DE112011100241T5 - Gestaltung der Wellenfront von Maskendaten für den Entwurf einer Halbleitereinheit

Info

Publication number: DE112011100241T5
Application number: DE112011100241T
Authority: DE
Inventors: Hidemasa Muta; Masahura Sakamoto; Saeed Bagheri; Tadanobu Inoue; David O. Melville; Kehan Tian; Alan E. Rosenbluth
Original assignee: International Business Machines Corp
Current assignee: GlobalFoundries Inc
Priority date: 2010-03-16
Filing date: 2011-03-16
Publication date: 2012-12-27
Also published as: CN102792303B; JP2013522678A; US8453076B2; GB2492688A; CN102792303A; GB201217762D0; WO2011116127A1; US20110231803A1; JP5663080B2

Abstract

Lichtwellendaten für den Entwurf einer Halbleitereinheit werden in Bereiche eingeteilt (102). Für die Wellendaten jedes Bereichs wird eine erste Gestaltung der Wellenfront durchgeführt, wobei nur die Wellendaten jedes Bereichs und nicht die Wellendaten benachbarter Bereiche jedes Bereichs berücksichtigt werden (104). Die Lichtwellendaten jedes Bereichs werden auf der Grundlage der ersten Gestaltung der Wellenfront normalisiert (106). Für die Wellendaten jedes Bereichs wird eine zweite Gestaltung der Wellenfront auf der Grundlage zumindest der normalisierten Wellendaten jedes Bereichs durchgeführt (108). Bei der zweiten Gestaltung der Wellenfront werden die Wellendaten jedes Bereichs und eines Sicherheitsstreifens um jeden Bereich herum berücksichtigt, der die Wellendaten der benachbarten Bereiche jedes Bereichs beinhaltet. Die zweite Gestaltung der Wellenfront kann nacheinander erfolgen, indem die Bereiche in Gruppen aufgeteilt (110) werden und nacheinander die zweite Gestaltung der Wellenfront für die Bereiche jeder Gruppe parallel durchgeführt wird (110).

Description

GEBIET DER ERFINDUNG
Die vorliegende Erfindung betrifft allgemein den Entwurf einer Halbleitereinheit, der Maskendaten enthält und zur Herstellung von Exemplaren der Halbleitereinheit verwendet werden kann. Insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung die Gestaltung einer Wellenfront durch Bearbeitung für diese Maskendaten, um die Maskendaten zu optimieren, wenn sie bei der Herstellung der Einheit verwendet werden.
HINTERGRUND DER ERFINDUNG
Ein bestimmter Herstellungsprozess zur Fertigung von Halbleitereinheiten ist unter der Bezeichnung Fotolithografie oder einfach Lithografie bekannt. Bei der Fotolithografie wird ein Material wie beispielsweise ein Fotolack durch eine Fotomaske, die auch einfach als Maske bezeichnet werden kann, mit einer Lichtquelle belichtet. Das belichtete Material wird dann entfernt, sodass das unbelichtete Material zurückbleibt. Alternativ kann das unbelichtete Material entfernt werden, sodass das belichtete Material zurückbleibt.
Zur Herstellung von Halbleitereinheiten mit immer kleineren Strukturmerkmalen können die Fotomasken für die Schaltungen solcher Halbleitereinheiten so verändert werden, dass die Fotolithografie ordnungsgemäß durchgeführt werden kann. Eine Art dieser Änderungen ist unter der Bezeichnung Optische Nahbereichskorrektur (optical proximity correction, OPC) bekannt. Bei der OPC handelt es sich um eine fotolithografische Technik zur Verbesserung der Auflösung, um beugungs- oder prozessbedingte Bildfehler zu kompensieren. Zum Beispiel können projizierte Bilder mit Unregelmäßigkeiten abgebildet werden, beispielsweise mit Linien, die schmaler oder breiter als vorgesehen sind, mit abgerundeten anstelle von scharfen Ecken usw.
Bei der herkömmlichen OPC werden diese Fehler durch Verschieben der Maskenkanten schrittweise korrigiert, bis so viele Korrekturen vorgenommen wurden, dass die Abweichungen unter einer Reihe von bestimmten Standardabbildungsbedingungen annähernd als behoben gelten können. Die Maske kann auch durch Hinzufügen von zusätzlichen Vielecken oder anderen Merkmalen in freie Flächen verändert werden, die auf die Fotomaske geschrieben werden, sodass jeder Bereich der Fotomaske Strukturen mit ähnlichen Abständen und Dichten enthält. Diese zusätzlichen Merkmale werden als Hilfsmerkmale bezeichnet und bieten die Möglichkeit, die Schwankungsbreite der gedruckten Merkmale zu verringern, wenn die Prozessbedingungen schwanken. Sowohl die herkömmliche Korrektur von Vieleckkanten als auch das Einfügen von Hilfsmerkmalen werden hierin als herkömmliche OPC bezeichnet.
Einen anderen Änderungsweg bietet die Lichtquellen-Maskenoptimierung (source mask optimization, SMO), bei der sowohl die Lichtquelle als auch die Form der Fotomaske gleichzeitig optimiert werden. Die SMO ist komplizierter als die herkömmliche OPC, bei der einfach Hilfsmerkmale in die Struktur der Fotomaske eingefügt oder Kanten innerhalb der Fotomaske verschoben werden. Bei der OPC werden die Fotomaskenstrukturen nach einem rückgekoppelten Korrekturverfahren oder gemäß den Regeln für die Verteilung von Hilfsmerkmalen verändert. Im Vergleich hierzu werden bei der SMO komplexere Änderungen an den Fotomaskenstrukturen vorgenommen, um die Maskenstrukturen und gleichzeitig die Struktur der Lichtquelle zu optimieren, mit der die Maske beleuchtet wird. Bei einem bestimmten SMO-Ansatz wird unter Verwendung von Optimierungstechniken ein optimales Paar von Lichtquelle und optimaler Maskenstruktur ermittelt, durch das bevorzugte Beleuchtungs- und Abbildungslichtwellen während eines lithografischen Belichtungsprozesses definiert werden. In dieser Situation wird das Muster der optischen Maske idealerweise in der Frequenzdomäne oder durch kontinuierliche Werte dargestellt. Dann werden die Wellenfronten bearbeitet, um eine Reihe real herstellbarer Maskenstrukturen zu ermitteln, welche die optimalen Abbildungslichtwellen erzeugen können, wenn die Maskenstrukturen durch die optimalen Lichtstrahlen beleuchtet werden.
Insofern betrifft die Bearbeitung von Wellenfronten die Erzeugung von herstellbaren Maskenformen, die bei Beleuchtung von einem bestimmten Punkt in einer Belichtungsquelle aus eine bestimmte Lichtwelle innerhalb des Lichtstrahls erzeugt, der durch die lithografische Belichtungsanlage gesammelt wird. Die Wellen können in jeder Ebene oder auf jeder Fläche definiert werden, da bekannt ist, wie sich Wellen von einer Fläche zur anderen ausbreiten. Die Wellen können ganz einfach in der Pupille des Projektionsobjektivs der Belichtungsanlage (wenn es sich bei den Wellen zum Beispiel um die Amplituden von Beugungsordnungen handelt) oder als Feldamplituden an Punkten auf der Austrittsfläche der Maske definiert werden, welche die Maskenstrukturen enthält. Im letzteren Fall können die Wellen als Kartierung der Transmissionswerte einer gleichwertigen durchgängigen Maske aufgefasst werden, die durch Pixelwerte ausgedrückt werden kann.
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Ein Verfahren gemäß einer Ausführungsform der Erfindung beinhaltet einen Prozessor einer Recheneinheit, der Lichtwellendaten in Bereiche einteilt. Nach dem Einteilen der Lichtwellendaten in die Bereiche führt der Prozessor eine erste Gestaltung der Wellenfront für die Lichtwellendaten durch, indem er nur die Lichtwellendaten jedes einzelnen Bereichs und nicht die Lichtwellendaten einer Vielzahl benachbarter Bereiche jedes einzelnen Bereichs berücksichtigt. Nach der ersten Gestaltung der Wellenfront für die Lichtwellendaten jedes einzelnen Bereichs normalisiert der Prozessor auf der Grundlage der Ergebnisse der ersten Gestaltung der Wellenfront die Lichtwellendaten jedes einzelnen Bereichs. Nach dem Normalisieren der Lichtwellendaten jedes einzelnen Bereichs führt der Prozessor eine zweite Gestaltung der Wellenfront für die Lichtwellendaten jedes einzelnen Bereichs auf der Grundlage zumindest der Lichtwelle jedes einzelnen Bereichs durch, nachdem diese normalisiert worden sind. Bei der zweiten Gestaltung der Wellenfront werden die Lichtwellendaten jedes einzelnen Bereichs sowie eine Sicherheitszone um jeden einzelnen Bereich herum berücksichtigt, der die Lichtwellendaten der benachbarten Bereiche jedes einzelnen Bereichs beinhaltet.
Bei einer Ausführungsform beinhaltet das Verfahren das Empfangen der Lichtwellendaten. Die Lichtwellendaten können nach einem oder mehreren Maskenentwurfsprozessen erzeugt werden. Die erste Gestaltung der Wellenfront und die zweite Gestaltung der Wellenfront werden unabhängig von und ohne Berücksichtigung der Art dieser Maskenentwurfsprozesse durchgeführt. Zum Beispiel können die Lichtwellendaten mittels einer optischen Nahbereichskorrektur und durch Konvertieren der OPC-Ergebnisse in die Lichtwellendaten (zum Beispiel durch Fourier-Transformation) unabhängig für jeden einzelnen Bereich und parallel erzeugt werden. Es wird darauf hingewiesen, dass bei diesem und anderen Beispielen die Bereiche, in die die Lichtwellendaten aufgeteilt werden, den Bereichen entsprechen, in denen die Maskenentwurfsprozesse unabhängig und parallel durchgeführt wurden. Bei einem zweiten Beispiel können die Lichtwellendaten mittels einer Lichtquellen-Maskenoptimierung unabhängig in jedem einzelnen Bereich und parallel erzeugt werden.
Bei einem dritten Beispiel können die Bereiche erste Bereiche und zweite Bereiche beinhalten. Die Lichtwellendaten für die ersten Bereiche können mittels eines ersten Maskenentwurfsprozesses erzeugt werden, der für jeden einzelnen ersten Bereich unabhängig und parallel durchgeführt wird. Im Vergleich hierzu können die Lichtwellendaten für die zweiten Bereiche mittels eines zweiten Maskenentwurfsprozesses (der von dem ersten Maskenentwurfsprozess verschieden ist) erzeugt werden, der für jeden zweiten Bereich unabhängig und parallel durchgeführt wird. Zum Beispiel kann es sich bei dem ersten Maskenentwurfsprozess um die OPC und bei dem zweiten Maskenentwurfsprozess um die SMO handeln, wobei die OPC in Bereichen durchgeführt werden kann, die eine relativ geringe Dichte an Halbleitereinheiten aufweisen, und die SMO in Bereichen durchgeführt werden kann, die eine relativ hohe Dichte an solchen Einheiten aufweisen.
Ein computerlesbares Medium einer Ausführungsform der Erfindung weist ein darauf gespeichertes Computerprogramm auf. Die Ausführung des Computerprogramms durch einen Prozessor einer Recheneinheit bewirkt, dass ein Verfahren durchgeführt wird. Durch das Verfahren werden die Lichtwellendaten für die Schaltung einer Halbleitereinheit in Bereiche eingeteilt. Nach dem Einteilen der Lichtwellendaten in die Bereiche werden durch das Verfahren die Lichtwellendaten zur Gestaltung der Wellenfront jedes einzelnen Bereichs bearbeitet, wobei nur die Lichtwellendaten jedes einzelnen Bereichs und nicht die Lichtwellendaten einer Vielzahl benachbarter Bereiche jedes einzelnen Bereichs berücksichtigt werden. Nach der ersten Gestaltung der Wellenfront für die Lichtwellendaten jedes einzelnen Bereichs werden durch das Verfahren auf der Grundlage der ersten Gestaltung der Wellenfront die Lichtwellendaten jedes einzelnen Bereichs normalisiert. Nach dem Normalisieren der Lichtwellendaten jedes einzelnen Bereichs wird durch das Verfahren eine zweite Gestaltung der Wellenfront für die Lichtwellendaten jedes einzelnen Bereichs auf der Grundlage zumindest der Lichtwellendaten jedes einzelnen Bereichs durchgeführt, nachdem diese normalisiert worden sind. Bei der zweiten Gestaltung der Wellenfront werden die Lichtwellendaten jedes einzelnen Bereichs sowie eine Sicherheitszone um jeden einzelnen Bereich herum berücksichtigt, der die Lichtwellendaten der benachbarten Bereiche jedes einzelnen Bereichs beinhaltet.
Eine Halbleitereinheit gemäß einer Ausführungsform der Erfindung wird unter Verwendung einer Maske hergestellt. Die Maske wird mittels eines Verfahrens erzeugt. Das Verfahren beinhaltet das Einteilen der Lichtwellendaten durch einen Prozessor einer Recheneinheit in Bereiche. Nach dem Einteilen der Lichtwellendaten in die Bereiche führt der Prozessor eine erste Gestaltung der Wellenfront für die Lichtwellendaten jedes einzelnen Bereichs durch, wobei er nur die Lichtwellendaten jedes einzelnen Bereichs und nicht die Lichtwellendaten einer Vielzahl benachbarter Bereiche jedes einzelnen Bereichs berücksichtigt. Nach der ersten Gestaltung der Wellenfront für die Lichtwellendaten jedes einzelnen Bereichs werden die Lichtwellendaten jedes einzelnen Bereichs auf der Grundlage der Ergebnisse der ersten Gestaltung der Wellenfront normalisiert. Nach dem Normalisieren der Lichtwellendaten jedes einzelnen Bereichs erfolgt durch den Prozessor eine zweite Gestaltung der Wellenfront für die Lichtwellendaten auf der Grundlage zumindest der Lichtwellendaten jedes Bereichs, nachdem diese normalisiert worden sind. Bei der zweiten Gestaltung der Wellenfront werden die Lichtwellendaten jedes einzelnen Bereichs und eine Sicherheitszone um jeden einzelnen Bereich herum berücksichtigt, der die Lichtwellendaten der benachbarten Bereiche jedes einzelnen Bereichs beinhaltet.
KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
1 ist ein Ablaufplan eines Verfahrens gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
2, 3, 4A und 4B sind Schaubilder, die repräsentative Funktionen verschiedener Teile des Verfahrens von 1 gemäß unterschiedlichen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung zeigen.
5 ist ein Schaubild, das zeigt, wie die zweite Gestaltung der Wellenfront von 1 in Bezug auf einen repräsentativen Bereich gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung erfolgt.
6 ist ein Schaubild, das zeigt, wie die zweite Gestaltung der Wellenfront von 1 für Gruppen von Bereichen nacheinander gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung erfolgt.
7A und 7B sind Schaubilder, die verschiedene Arten von Fotomasken zeigen, auf die das Verfahren von 1 gemäß verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung angewendet werden kann.
DETAILLIERTE BESCHREIBUNG BEVORZUGTER AUSFÜHRUNGSFORMEN
Wie im Kapitel „Hintergrund der Erfindung” ausgeführt, kann die Gestaltung einer Wellenfront für optimierte Wellen für die lithografische Abbildung erfolgen, sodass bei einem nachfolgenden fotolithografischen Schritt unter Verwendung der durch die Gestaltung der Wellenfront erzeugten Maskenstrukturen erwünschte Strukturmerkmale zum Beispiel auf einem Halbleiterwafer, der Halbleitereinheiten enthält, während des Fertigungsprozesses ordnungsgemäß lithografisch aufgeprägt werden können. Um die Gestaltung der Wellenfront zu beschleunigen, werden bei einem Ansatz nach dem Stand der Technik die Daten einer optimierten Welle in eine Anzahl von Arbeitseinheiten eingeteilt, und die Gestaltung der Wellenfront wird für jede Arbeitseinheit unabhängig von anderen und oft auch parallel zu diesen vorgenommen. Das heißt, die Gestaltung der Wellenfront wird für jede einzelne Arbeitseinheit unabhängig von anderen und neben, wenn nicht sogar gleichzeitig mit jeder anderen Arbeitseinheit durchgeführt, für die die Wellenfront ebenfalls gestaltet wird. Selbst wenn die voneinander unabhängigen Arbeitseinheiten nacheinander bearbeitet werden, wird die Gesamtbearbeitungszeit üblicherweise verringert, wenn die Verarbeitungsschritte ungünstige Nichtlinearitäten aufweisen, deren Auswirkungen verringert werden, wenn die Arbeit in einzelne Teile eingeteilt wird.
Ein Problem dieses Ansatzes zeigt sich an den Rändern zwischen Arbeitseinheiten. Nach der Gestaltung der Wellenfront für jede Arbeitseinheit müssen die Arbeitseinheiten miteinander verknüpft werden, um die gewünschte Fotomaske zu erzeugen. Da die Wellenfront jedoch unabhängig von allen anderen Arbeitseinheiten gestaltet wird, kann es zu Unstimmigkeiten und Unverträglichkeiten an den Rändern der Arbeitseinheiten kommen, an denen die Arbeitseinheiten miteinander verknüpft sind.
Um diese Unstimmigkeiten und Unverträglichkeiten möglichst gering zu halten, wird bei dem Ansatz nach dem Stand der Technik ein „Sicherheitsstreifen” um eine bestimmte Arbeitseinheit herum eingehalten, wenn die Wellenfront für diese Arbeitseinheit gestaltet wird. Der Sicherheitsstreifen berücksichtigt einen Teil der Lichtwellendaten innerhalb jeder Arbeitseinheit, die der betreffenden Arbeitseinheit unmittelbar benachbart ist. Diese Umgehungslösung beseitigt jedoch nicht die Unstimmigkeiten und Unverträglichkeiten an den Rändern der Arbeitseinheit.
Das liegt daran, dass der Sicherheitsstreifen einen Teil der Daten der ursprünglichen Lichtwelle innerhalb jeder Arbeitseinheit berücksichtigt, die der betreffenden Arbeitseinheit unmittelbar benachbart ist. Das heißt, der Sicherheitsstreifen kann einen Teil der tatsächlichen Daten der Maskenform nach der Gestaltung der Wellenfront innerhalb jeder benachbarten Arbeitseinheit nicht berücksichtigen. Das liegt daran, dass die Lichtwellendaten jeder Arbeitseinheit für die Gestaltung der Wellenfront unabhängig von anderen und oft sogar parallel zu (d. h. neben) den Lichtwellendaten für jede andere Arbeitseinheit bearbeitet werden. Bei der Gestaltung der Wellenfront für jede einzelne Arbeitseinheit kann nur auf die ursprünglichen Lichtwellendaten jeder einzelnen Arbeitseinheit zugegriffen werden.
Zu ähnlichen Unstimmigkeiten kommt es bei anderen Ansätzen zum Entwerfen von Lithografiemasken für große Flächen, die unter Verwendung überlappender Arbeitseinheiten bearbeitet werden, beispielsweise große Masken, deren Strukturmerkmale mittels der optischen Nahbereichskorrektur oder durch die Einfügung von Hilfsmerkmalen bearbeitet werden. Im Allgemeinen kann es in den Maskenstrukturen benachbarter Maskenbereiche zu Unverträglichkeiten kommen, die in Form einzelner Arbeitseinheiten bearbeitet werden.
Diese Probleme werden durch Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung gelöst. Insbesondere erfolgt die Gestaltung der Wellenfront für die Lichtwellendaten auf zweierlei Art. Die Lichtwellendaten werden in zwei Bereiche eingeteilt. Die erste Gestaltung der Wellenfront erfolgt für die Lichtwellendaten jedes Bereichs, auf deren Grundlage die Lichtwellendaten für jeden einzelnen Bereich normalisiert werden können. Diese erste Gestaltung der Wellenfront kann als Grobgestaltung der Wellenfront angesehen werden, da hierbei nur die Lichtwellendaten jedes einzelnen Bereichs und nicht die Lichtwellendaten benachbarter Bereiche berücksichtigt werden.
Nachdem die Maskendaten jedes einzelnen Bereichs normalisiert worden sind, wird die Gestaltung der Wellenfront für die Maskendaten jedes einzelnen Bereichs auf der Grundlage zumindest der Maskendaten jedes einzelnen Bereichs durchgeführt, die auf der Grundlage der ersten Gestaltung der Wellenfront normalisiert wurden. Diese zweite Gestaltung der Wellenfront kann als Feingestaltung der Wellenfront angesehen werden, da hierbei die Maskendaten jedes einzelnen Bereichs sowie ein Sicherheitsstreifen um jeden einzelnen Bereich herum berücksichtigt werden, der Maskendaten der benachbarten Bereiche beinhaltet. Durch die zweite Gestaltung der Wellenfront werden die einzelnen Bereiche wieder komplett zusammengesetzt und bilden eine Fotomaske, die in der Fotolithografie verwendet werden kann.
Bei einer Ausführungsform erfolgt die zweite Gestaltung der Wellenfront durch die Zusammenfassung der Bereiche zu Gruppen. Jeder Bereich wird nur einer Gruppe zugeordnet. Der Sicherheitsstreifen um einen bestimmten Bereich einer bestimmten Gruppe herum überlappt keinen anderen Bereich der betreffenden Gruppe und keinen anderen Sicherheitsstreifen eines anderen Bereichs dieser Gruppe. Auf diese Weise kann die zweite Gestaltung der Wellenfront parallel für die Bereiche jeder einzelnen Gruppe und nacheinander in anderen Gruppen erfolgen.
Zum Beispiel kann die zweite Gestaltung der Wellenfront zuerst parallel für die Bereiche einer Gruppe und dann parallel für die Bereiche einer anderen Gruppe erfolgen, bis die zweite Gestaltung der Wellenfront für die Bereiche aller Gruppen abgeschlossen ist. Auf diese Weise kann die Gestaltung der Wellenfront so erfolgen, dass die Unstimmigkeiten und Unverträglichkeiten an den Rändern der Bereiche zumindest im Wesentlichen beseitigt werden. Außerdem wird während der Gestaltung der Wellenfront weiterhin die Parallelbearbeitung in Bezug auf die Bereiche der Gruppen auf der Gruppenebene fortgeführt, sodass die Arbeitsleistung nicht übermäßig verschlechtert wird.
Die Gestaltung der Wellenfront kann somit als Baustein der Lichtquellen-Maskenoptimierung angesehen werden, und auf diese Weise kann unter Verwendung von SMO-Schritten die erweiterte Menge an Lichtwellen erzeugt werden, die für eine optionale parallele Bearbeitung der Gestaltung der Wellenfront in einzelne Arbeitseinheiten eingeteilt werden. Eine erweiterte Menge an Lichtwellen kann jedoch auch erzeugt werden, indem die Fourier-Transformation einer vorläufigen Menge an Maskenstrukturen verwendet wird, wobei hier unter vorläufig zu verstehen ist, dass die Strukturen noch vollständig ausgearbeitet werden müssen. Die Fourier-Transformation liefert Amplituden, die von der die Maskenstrukturen enthaltenden Maske aus nach außen hin gebeugt werden. Zum Entwerfen der vorläufigen Maskenstrukturen kann wahlweise jedes Maskenentwurfsverfahren verwendet werden, beispielsweise SMO, OPC oder die Erzeugung von Hilfsmerkmalen.
Die Lichtwellen benachbarter Arbeitseinheiten können dann einfach durch Mittelung der Wellenamplituden zusammengefügt werden, woraus sich die gebeugten Amplituden der gesamten Menge an vorläufigen Maskenstrukturen ergeben. Diese Mittelwerte können zum Beispiel mit ansteigenden Gewichten gewichtet werden, sodass an der jeweiligen Seite eines überlappenden Sicherheitsstreifens, die dem Mittelpunkt einer von zwei überlappenden Arbeitseinheiten am nächsten kommt, die Gewichtung der Wellen der nähergelegenen Einheit erhöht werden kann. Im Vergleich hierzu kann an der entgegengesetzten Seite des überlappenden Sicherheitsstreifens die Gewichtung der Strukturen der anderen Arbeitseinheit erhöht werden, indem die Gewichte zum Beispiel über den Zwischenbereich zwischen diesen beiden Seiten hinweg linear erhöht werden. In dieser Beziehung unterscheiden sich solche Lichtwellen von den vorläufigen Maskenstrukturen selbst insofern, als Letztere üblicherweise Formen wie Öffnungen in einer Dünnschicht darstellen und daher üblicherweise binärer Art sind. Wenn sich unverträgliche binäre Formen in den Sicherheitsstreifen benachbarter Arbeitseinheiten überlappen, sind Verfahren nach dem Stand der Technik im Allgemeinen nicht in der Lage, eine Form zu ermitteln, die einen optimalen Zwischenwert für das Verknüpfen unverträglicher Formen liefert, da diese binären Formen sehr unterschiedliche unverträgliche Topologien aufweisen können.
Deshalb können bei Maskenentwurfsprozessen ohne SMO-Beteiligung, beispielsweise durch OPC oder Erzeugung von Hilfsmerkmalen, durch unabhängige Anwendung eines OPC- oder Hilfsmerkmalprozesses auf die vorläufigen Maskenstrukturen in getrennten überlappenden Arbeitsbereichen vorläufige Maskenentwürfe gebildet werden. Diese Entwürfe können dann zusammengefügt werden, indem die bearbeiteten vorläufigen Entwürfe zuerst einer Fourier-Transformation unterzogen werden, um Gruppen von Lichtwellen zu erhalten. Anschließend werden die Lichtwellen zum Beispiel durch Mittelwertbildung mit ansteigenden Gewichtungen zusammengefügt. Dann wird die verknüpfte Wellenfront gestaltet, um eine Gruppe zusammenhängender Maskenstrukturen zu erzeugen, die durch die OPC oder die Erzeugung von Hilfsmerkmalen gebildet wurden und frei von Übergangssprungstellen sind.
Solche Schritte können auch in Fällen ausgeführt werden, in denen der Maskenentwurf provisorisch fertiggestellt wurde, später jedoch eine bestimmte Anzahl von Problembereichen erkannt werden, die weiter verbessert werden müssten. Jeder Problembereich kann als separate Arbeitseinheit behandelt werden, die dann korrigiert oder verbessert wird, zum Beispiel mittels SMO oder eines OPC-Intensiverfahrens wie beispielsweise der Prozessfenster-OPC, oder mittels einer Anzahl verbesserter Hilfsmerkmale, worauf der Arbeitsbereich und ein überlappender Sicherheitsstreifen dann durch die Fourier-Transformation in Lichtwellen umgewandelt werden können. Diese Wellen werden dann zum Beispiel durch Mittelwertbildung mit ansteigenden Gewichtungen miteinander verknüpft. Dann wird die verknüpfte Wellenfront gestaltet, um in dem korrigierten Bereich Maskenstrukturen zu erzeugen, die mit dem angrenzenden Bereich vereinbar sind. Auf diese Weise werden somit die Probleme nach dem Stand der Technik vermieden.
1 zeigt ein Verfahren 100 gemäß einer Ausführungsform der Erfindung. Das Verfahren 100 kann als Computerprogramm umgesetzt werden, das auf einem computerlesbaren Datenspeichermedium gespeichert ist. Bei dem computerlesbaren Datenspeichermedium kann es sich um ein flüchtiges computerlesbares Medium wie beispielsweise einen dynamischen Arbeitsspeicher, ein permanentes computerlesbares Medium wie beispielsweise ein Festplattenlaufwerk oder einen Flash-Speicher und/oder ein beliebiges anderes computerlesbares Medium handeln. Ein Prozessor einer Recheneinheit, beispielsweise eines Computers, führt das Computerprogramm aus, um das Verfahren 100 umzusetzen. Insofern kann davon ausgegangen werden, dass ein Prozessor einer Recheneinheit jeden Schritt des Verfahrens 100 ausführt.
Zur Gestaltung der Wellenfront (101) wird ein optisches Muster in Form von Eingabedaten erstellt. Das optische Muster kann durch Fourier-Transformation des Zielentwurfs auf einem Wafer, durch Fourier-Transformation des durch OPC korrigierten Maskenentwurfs oder aus dem Ergebnis der Lichtquellen-Maskenoptimierung erstellt werden. Diese Werte in der optischen Domäne, die im Allgemeinen in ihrer Gesamtheit als Lichtwellendaten bezeichnet werden, stellen üblicherweise Frequenzwerte dar und können kontinuierlicher Natur sein. Das optische Muster stellt die Idealform einer Maske und eine ideale Gestaltung der Wellenfront dar. Im Vergleich hierzu können geometrische Werte die tatsächliche Maskenform nur in Form von Binärwerten darstellen, indem zum Beispiel eine Schwarz-Weiß-Maske verwendet wird. Zum Beispiel ist bei einem mit Chrom beschichteten Glassubstrat der Transmissionswert einer Maske entweder gleich null oder gleich eins. Hier sind keine Zwischenwerte möglich, die es bei optischen Mustern durchaus geben kann.
Die in Schritt 101 empfangenen Lichtwellendaten können somit praktisch mit jedem Maskenentwurfsprozess wie beispielsweise mittels OPC oder SMO aufbereitet werden. Zum Beispiel wird bei Prozessen nach Art der OPC üblicherweise nicht davon ausgegangen, dass durch die OPC Lichtwellendaten erzeugt werden. Im Vergleich hierzu wird in Schritt 101 des Verfahrens 100 das Ergebnis der OPC vorteilhafterweise – und im Gegensatz zu der Annahme nach dem Stand der Technik – als Lichtwellendaten behandelt. Dadurch bieten das Verfahren 100 als Ganzes und somit Ausführungsformen der Erfindung eine Möglichkeit zum Verknüpfen ganz grundlegender Entwurfsprozesse, auch wenn die Entwurfsprozesse selbst nicht von der Möglichkeit einer solchen Verknüpfung ausgehen. Dies wird deutlicher aus der folgenden detaillierten Beschreibung des Verfahrens 100.
Das optische Muster wird in Bereiche (102) eingeteilt. Jeder der Bereiche, in die jedes optische Muster eingeteilt wurde, beinhaltet somit ein optisches Muster in einer optischen Domäne. 2 zeigt repräsentativ die Ausführung von Schritt 102 des Verfahrens 100 gemäß einer Ausführungsform der Erfindung. Die Maskendaten 200 werden in die Bereiche 202A, 202B, ..., 202N eingeteilt, die in ihrer Gesamtheit als die Bereiche 202 bezeichnet werden. Ganz allgemein werden die Maskendaten 200 als Lichtwellendaten bezeichnet. Bei dem Beispiel von 2 handelt es sich bei den Bereichen 202 um rechteckige Bereiche, die als Gitternetz mit einer Anzahl von Zeilen und Spalten angeordnet sind. Der besseren Anschaulichkeit halber sind in 2 nur vier Zeilen und vier Spalten dargestellt. In Wirklichkeit gibt es jedoch normalerweise eine große Anzahl Zeilen und eine große Anzahl Spalten, beispielsweise hunderte Zeilen und hunderte Spalten oder sogar noch mehr.
In 2 ist aus den Bereichen 202 beispielhaft ein einzelner Bereich 204 hervorgehoben. Der Bereich 204 ist hervorgehoben, um zu zeigen, dass jeder Bereich 202 eine Anzahl benachbarter Bereiche aufweist. Speziell der Bereich 204 weist acht benachbarte Bereiche 206A, 206B, 206C, 206D, 206E, 206F, 206G und 206H auf, die in ihrer Gesamtheit als benachbarte Bereiche 206 bezeichnet werden. Die benachbarten Bereiche 206 beinhalten die Bereiche 206B, 206D, 206E und 206G, die mit dem Bereich 204 jeweils eine Seite gemeinsam haben. Die benachbarten Bereiche 206 beinhalten auch die Bereiche 206A, 206C, 206F und 206H, die mit dem Bereich 204 eine Ecke gemeinsam haben.
Wiederum unter Bezugnahme auf 1 werden nach dem Einteilen der Maskendaten (d. h. der Lichtwellendaten) in Bereiche die Maskendaten (d. h. die Lichtwellendaten) jedes Bereichs bearbeitet (104), um die erste Gestaltung der Wellenfront durchzuführen. Die erste Gestaltung der Wellenfront kann bei einer Ausführungsform durch Bearbeitung der Maskendaten (d. h. der Lichtwellendaten) jedes Bereichs parallel durchgeführt werden. Das heißt, diese Gestaltung der Wellenfront kann durch die Bearbeitung der Maskendaten (d. h. der Lichtwellendaten) eines bestimmten Bereichs parallel zu der Gestaltung dieser Wellenfront durch die Bearbeitung der Maskendaten (d. h. der Lichtwellendaten) jedes anderen Bereichs durchgeführt werden. Bei der Gestaltung der Wellenfront eines bestimmten Bereichs werden nur die Maskendaten dieses Bereichs und nicht die Maskendaten (d. h. die Lichtwellendaten) irgendeines anderen Bereichs berücksichtigt, beispielsweise der benachbarten Bereiche dieses bestimmten Bereichs. In dieser Beziehung wird die erste Gestaltung der Wellenfront als grobe Wellenfrontgestaltung angesehen, da bei der Gestaltung der Wellenfront des bestimmten Bereichs die benachbarten Bereiche dieses Bereichs nicht berücksichtigt werden.
Bei der ersten Gestaltung der Wellenfront werden die optischen Werte der Maskendaten (d. h. die Lichtwellendaten) von der optischen in die Raumdomäne konvertiert. Dadurch werden die ursprünglichen Werte des optischen Musters (d. h. die optischen Werte) in räumliche Werte konvertiert, wobei die räumlichen Werte die wirkliche Maskenform darstellen.
3 zeigt repräsentativ die Ausführung von Schritt 103 des Verfahrens 100 gemäß einer Ausführungsform der Erfindung. Die Maskendaten 200 von 2 werden wie die Maskendaten 200' von 3 bezeichnet, um anzuzeigen, dass die optischen Werte gemäß der ersten Gestaltung der Wellenfront in räumliche Werte konvertiert worden sind. Dadurch entsprechen die Bereiche 202 von 2 den Bereichen 202' in 3. Oben wurde bereits erwähnt, dass die Maskendaten 200 ganz allgemein als Lichtwellendaten bezeichnet werden. Während die Bereiche 202 in 2 Bereiche von optischen Werten darstellen, repräsentieren die Bereiche 202' 3 Bereiche von räumlichen Werten, in die die optischen Werte konvertiert worden sind.
Die Bereiche 202' in 3 sind getrennt voneinander dargestellt, sodass sie einander nicht berühren, um zu betonen, dass jeder Bereich 202 in einen entsprechenden Bereich 202' konvertiert wurde, wobei nur die Maskendaten (d. h. die Lichtwellendaten) des Bereichs 202 und nicht die Maskendaten (d. h. die Lichtwellendaten) irgendeines anderen Bereichs 202 berücksichtigt wurden. Zum Beispiel repräsentiert der Bereich 204' die räumlichen Werte, in die die optischen Werte des entsprechenden Bereichs 204 von 2 konvertiert worden sind. Bei dieser Konvertierung wurde keiner der optischen Werte der benachbarten Bereiche von 2 und keiner der räumlichen Werte der benachbarten Bereiche 206' von 3 berücksichtigt.
Unter Bezugnahme wiederum auf 1 werden nach der ersten Gestaltung der Wellenfront die Maskendaten (d. h. die Lichtwellendaten) jedes Bereichs auf der Grundlage der Ergebnisse der ersten Gestaltung der Wellenfront (106) normalisiert. Das heißt, die optischen Werte jedes Bereichs werden auf der Grundlage der räumlichen Werte aller sich aus der ersten Gestaltung der Wellenfront ergebenden Bereiche normalisiert. Durch eine solche Normalisierung wird sichergestellt, dass jeder Bereich denselben Helligkeits- oder Intensitätswert aufweist. Dieser Schritt ist erforderlich, weil bei Verwendung während der Fotolithografie schließlich die gesamte Fotomaske mit einer Lichtquelle belichtet wird. Das heißt, alle Bereiche der Fotomaske werden gleichzeitig mit der Lichtquelle belichtet.
Die Normalisierung in Schritt 106 kann als Dosisanpassung bezeichnet werden. Durch die Dosisanpassung wird sichergestellt, dass die optischen Werte der Maskendaten (d. h. der Lichtwellendaten) in jedem Bereich auf die Belichtung mit ein und derselben „Dosis” des zur Fotolithografie verwendeten Lichts eingestellt werden. Bei einer Ausführungsform wird die Normalisierung auf der Grundlage der Ergebnisse der ersten Gestaltung der Wellenfront wie folgt durchgeführt.
Zunächst liegen die optischen Werte beispielsweise in Form der Mittelwerte der Werte von Beugungsordnungen der eingeteilten optischen Muster in jedem Bereich vor. Diese Werte können in der Form doInitA, doInitB, doInitC, ..., doInitN dargestellt werden. Die erste Gestaltung der Wellenfront führt zu Werten in der Frequenzdomäne, die aus den Mittelwerten der Fourier-Transformationswerte für jede Maskenform der gestalteten Wellenfront gewonnen wurden. Diese Werte können in der Form doWeA, doWeB, doWeC, ..., doWeN dargestellt werden. Der Konvertierungsgrad für jeden Bereich kann durch Dividieren der ersteren durch die letzteren Werte ermittelt werden, entsprechend (doInitA/doWeA), (doInitB/doWeB), (doInitC/doWeC), ..., (doInitN/doWeN). Der kleinste Konvertierungsgrad wird für die Normalisierung ausgewählt und kann mit K bezeichnet werden. Jeder ursprüngliche optische Wert (d. h. doInitA, doInitB und so weiter) wird mit K multipliziert, um für jeden Bereich die normalisierten optischen Werte zu erhalten.
4A zeigt repräsentativ die Ausführung von Schritt 106 des Verfahrens 100 gemäß einer Ausführungsform der Erfindung. Die Maskendaten 200 von 2 sind in 4A als Maskendaten 200'' bezeichnet, um anzuzeigen, dass die optischen Werte (auf der Grundlage der durch die erste Gestaltung der Wellenfront erhaltenen räumlichen Werte) normalisiert worden sind. Dabei weisen die Bereiche 202 von 2 entsprechende Bereiche 202A'', 202B'', ... 202''N auf, die in 4A in ihrer Gesamtheit als Bereiche 202'' bezeichnet werden. Wie oben erwähnt können die Maskendaten 200 ganz allgemein als Lichtwellendaten bezeichnet werden. Während die Bereiche 202 in 2 Bereiche von nicht normalisierten optischen Werten repräsentieren, stellen die Bereiche 202'' in 4A Bereiche von normalisierten optischen Werten dar.
Die Bereiche 202'' in 4A sind nicht getrennt voneinander dargestellt, weil die optischen Werte unter Verwendung der räumlichen Werte aller Bereiche 202' von 3 normalisiert wurden. Das heißt, die räumlichen Werte aller Bereiche 202' werden wie oben erwähnt analysiert, um schließlich einen kleinsten Konvertierungsgrad zu ermitteln. Auf der Grundlage dieses kleinsten Konvertierungsgrades werden die optischen Werte der Bereiche 202 von 2 normalisiert, um die normalisierten optischen Werte der Bereiche 202'' von 4A zu erhalten. Somit kann gesagt werden, dass die räumlichen Werte aller Bereiche 202' von 3 zum Erzeugen der normalisierten optischen Werte der Bereiche 202'' verwendet werden.
4B zeigt, wie die Werte der Raumdomäne gemäß einer speziellen Ausführungsform der Erfindung wieder in die Werte der optischen Domäne rückkonvertiert werden können. Insbesondere stellen in 4B die Maskendaten 200' die räumlichen Werte dar, in die optischen Werte bei der ersten Gestaltung der Wellenfront konvertiert wurden. In 4B sind die beiden Bereiche 202A' und 202B' besonders hervorgehoben. Die Gewichtungsfunktion 400 zeigt für den Bereich 202A' das Ausmaß der Inanspruchnahme des Bereichs 202A' im Vergleich zur Inanspruchnahme des Bereichs 202B' an, wenn die räumlichen Werte des Bereichs 202A' wieder in die optischen Werte rückkonvertiert werden. Die Gewichtungsfunktion 400 zeigt auch für den Bereich 202B' das Ausmaß der Inanspruchnahme des Bereichs 202A' im Vergleich zur Inanspruchnahme des Bereichs 202A' an, wenn die räumlichen Werte des Bereichs 202B' wieder in optische Werte rückkonvertiert werden. Die Gewichtungsfunktion 400 ist als linearer Anstieg dargestellt, jedoch kann bei anderen Ausführungsformen eine andere Gewichtungsfunktion verwendet werden.
Links von der Fläche 402 wird bei der Rückkonvertierung der räumlichen Werte des Bereichs 202A' in optische Werte kein Teil des Bereichs 202B' genutzt (mit anderen Worten, nur der Bereich 202A' wird berücksichtigt). Innerhalb der Fläche 402 nimmt jedoch der für diese Konvertierung genutzte Anteil des Bereichs 202A' von links nach rechts ab (im Sinne der linearen Wellenfunktion 400 von 4B), während der in Anspruch genommene Anteil des Bereichs 202B' zunimmt. Desgleichen wird rechts von der Fläche 402 bei der Rückkonvertierung der räumlichen Werte des Bereichs 202B' in optische Werte kein Teil des Bereichs 202A' in Anspruch genommen (mit anderen Worten, nur der Bereich 202B' wird berücksichtigt). Innerhalb der Fläche 402 nimmt jedoch der Anteil des für diese Konvertierung in Anspruch genommene Anteil des Bereichs 202A' von rechts nach links zu (im Sinne der linearen Wellenfunktion 400 von 4B), während der in Anspruch genommene Anteil des Bereichs 202B' abnimmt.
Unter Bezugnahme erneut auf 1, wird nach dem Normalisieren der Maskendaten (d. h. der Lichtwellendaten) jedes Bereichs die zweite Gestaltung der Wellenfront durch Bearbeitung der Maskendaten (d. h. der Lichtwellendaten) jedes Bereichs durchgeführt (108). Im Gegensatz zur ersten Gestaltung der Wellenfront in Schritt 104 werden bei der zweiten Gestaltung der Wellenfront eines bestimmten Bereichs in Schritt 108 die Maskendaten (d. h. die Lichtwellendaten) dieses Bereichs sowie die Maskendaten (d. h. die Lichtwellendaten) der benachbarten Bereiche dieses Bereichs berücksichtigt. Aus diesem Grund wird die zweite Gestaltung der Wellenfront als Feingestaltung der Wellenfront angesehen, die detaillierter als die erste Gestaltung der Wellenfront ist, da hierbei die benachbarten Bereiche eines bestimmten Bereichs berücksichtigt werden, wenn die Wellenfront des betreffenden Bereichs gestaltet wird.
Bei der zweiten Gestaltung der Wellenfront werden auch die optischen Werte der Maskendaten in der optischen Domäne in eine Raumdomäne konvertiert. Bei verschiedenen Ausführungsformen können die in die Raumdomäne konvertierten optischen Werte der Maskendaten unterschiedlicher Art sein.
Erstens kann es sich bei den optischen Werten um die normalisierten optischen Werte handeln, die durch die Normalisierung in Schritt 106 erzeugt wurden. Zweitens kann es sich bei den optischen Werten um die in die normalisierten optischen Werte rückkonvertierten räumlichen Werte eines bestimmten Bereichs handeln, wenn dieser Bereich bereits bei der zweiten Gestaltung der Wellenfront in die räumlichen Werte konvertiert wurde und wenn dieser Bereich zum Konvertieren eines anderen Bereichs in räumliche Werte benötigt wird. In beiden Fällen handelt es sich bei den optischen Werten, die bei der zweiten Gestaltung der Wellenfront in räumliche Werte konvertiert wurden, letztlich um die normalisierten optischen Werte.
Darüber hinaus können die optischen Werte der Maskendaten (d. h. der Lichtwellendaten) auf herkömmliche Weise in die räumlichen Werte in einer Raumdomäne konvertiert werden. Da bei der zweiten Gestaltung der Wellenfront eines bestimmten Bereichs die benachbarten Bereiche dieses Bereichs berücksichtigt werden, werden Unstimmigkeiten und Unverträglichkeiten an den Rändern dieser Bereiche ausgeschlossen, was im weiteren Verlauf der Beschreibung ausführlich erörtert wird. Außerdem wird dargelegt, dass die Bereiche durch die zweite Gestaltung der Wellenfront in geeigneter Weise miteinander verknüpft werden, da bei der zweiten Gestaltung der Wellenfront eines bestimmten Bereichs auch die benachbarten Bereiche dieses Bereichs berücksichtigt werden.
Bei einer Ausführungsform wird die Gestaltung der Wellenfront – beispielsweise die zweite Gestaltung der Wellenfront – durchgeführt, wie in der US-Patentanmeldung 12/431,865 mit dem Titel ”Method for forming arbitrary lithographic wavefronts using standard mask technology,” eingereicht am 29. April 2009, beschrieben wird. Bei diesem Ansatz wird ein Problem der linearen Programmierung gelöst, um optimierte räumliche Daten zu gewinnen. Bei dem Problem der linearen Programmierung kann die Zielstellung in der Erreichung größtmöglicher Helligkeit oder möglichst kleiner Maskenfehlerfaktoren (mask error enhancement factor, MEEF) bei Einhaltung diverser optischer Zielwerte und der fertigungstechnischen Möglichkeiten bestehen.
5 veranschaulicht repräsentativ die Ausführung von Schritt 108 des Verfahrens 100 in Bezug auf einen einzelnen repräsentativen Bereich gemäß einer Ausführungsform der Erfindung. Speziell sind der repräsentative Bereich 204'' normalisierter optischer Werte sowie dessen benachbarte Bereiche dargestellt. Die Bereiche 206A''', 206B''', 206C''', und 206D''' sind durch drei Anführungsstriche gekennzeichnet, da für diese Bereiche bereits die zweite Gestaltung der Wellenfront durchgeführt wurde und sie somit räumliche Werte umfassen. Im Vergleich hierzu sind die Bereiche 206E'', 206F'', 206G'' und 206H'' durch zwei Anführungsstriche gekennzeichnet, da für diese Bereiche die zweite Gestaltung der Wellenfront noch nicht durchgeführt wurde und sie somit normalisierte optische Werte umfassen. Das Hauptaugenmerk von 5 liegt auf der Konvertierung des Bereichs 204'' in den Bereich 204''' – das heißt, von einem Bereich mit normalisierten optischen Werten in einen Bereich mit räumlichen optischen Werten – durch die zweite Gestaltung der Wellenfront.
5 zeigt einen Sicherheitsstreifen 502. Der Sicherheitsstreifen 502 zeigt die Reichweite, bis zu der jeder der Bereiche 206A''', 206B''', 206C''', 206D''', 206E'', 206F'', 206G'' und 206H'' berücksichtigt wird, wenn die zweite Gestaltung der Wellenfront für den Bereich 204'' durchgeführt wird, um den Bereich 204''' zu erzeugen. Das heißt, von jedem der benachbarten Bereiche 204'' wird ein Teil berücksichtigt, wenn die zweite Gestaltung der Wellenfront eines bestimmten Bereichs durchgeführt wird, um den Bereich 204''' zu erzeugen.
Der Bereich 204''' wird ausgehend von den normalisierten optischen Werten des Bereichs 204'' und seines benachbarten Bereichs erzeugt. Die Bereiche 206A''', 206B''', 206C''' und 206D''' umfassen jedoch räumliche und keine optischen Werte. Deshalb werden die räumlichen Werte der Bereiche 206A''', 206B''', 206C''' und 206D''' zum Erzeugen des Bereichs 204''' vorübergehend wieder in normalisierte optische Werte rückkonvertiert. Die Bereiche 206E'', 206F'', 206G'' und 206H'' hingegen umfassen weiterhin normalisierte optische Werte und brauchen nicht konvertiert zu werden, um zum Erzeugen des Bereichs 204''' die zweite Gestaltung der Wellenfront für den Bereich 204'' durchführen zu können.
Oben wurde erwähnt, dass durch die zweite Gestaltung der Wellenfront gemäß Ausführungsformen der Erfindung Unstimmigkeiten und Unverträglichkeiten an den Rändern von Bereichen ausgeräumt werden, während solche Unstimmigkeiten und Unverträglichkeiten beim Stand der Technik nicht vollständig ausgeräumt, sondern bestenfalls vermindert werden können. Das liegt daran, dass die Gestaltung der Wellenfront bereichsweise parallel durchgeführt wird. Das heißt, durch parallele Gestaltung der Wellenfront für alle Bereiche in der Weise, dass die Gestaltung der Wellenfront für einen Bereich neben und/oder gleichzeitig mit der Gestaltung für jeden anderen Bereich durchgeführt wird, sodass Abhängigkeiten an den Rändern der Bereiche beim Stand der Technik nicht berücksichtigt werden können. Demgemäß können Unstimmigkeiten und Unverträglichkeiten an den Rändern durch die Verwendung von Sicherheitsstreifen nach dem Stand der Technik vermindert, aber nicht vollständig ausgeräumt werden.
Bei einer Ausführungsform der Erfindung hingegen wird ein gemischter sequenziell-paralleler Ansatz verfolgt, um solche Unstimmigkeiten und Unverträglichkeiten an den Rändern von Bereichen vollständig auszuräumen. Insbesondere werden die Bereiche in geeigneter Weise in Gruppen aufgeteilt, wobei jeder Bereich nur einer Gruppe zugewiesen wird. Diese Aufteilung erfolgt so, dass der Sicherheitsstreifen um einen bestimmten Bereich einer bestimmten Gruppe herum keinen anderen Bereich dieser Gruppe und auch keinen Sicherheitsstreifen eines anderen Bereichs dieser Gruppe überlappt.
Für die Bereiche innerhalb jeder Gruppe kann die zweite Gestaltung der Wellenfront parallel erfolgen, sodass für jeden Bereich innerhalb einer bestimmten Gruppe die zweite Gestaltung der Wellenfront nebeneinander und/oder gleichzeitig mit der zweiten Gestaltung der Wellenfront jedes anderen Bereichs in derselben Gruppe durchgeführt wird. Die Gruppen an sich werden jedoch nacheinander bearbeitet. Zum Beispiel werden zuerst alle Bereiche einer ersten Gruppe bearbeitet (d. h. indem für sie die zweite Gestaltung der Wellenfront parallel erfolgt), worauf alle Bereiche einer zweiten Gruppe bearbeitet werden usw. Bei diesem Ansatz erfolgt die Parallelbearbeitung nacheinander, weil zu jedem Zeitpunkt die zweite Gestaltung der Wellenfront nur für die Bereiche einer bestimmten Gruppe parallel erfolgt. Verschiedene Gruppen von Bereichen werden nacheinander bearbeitet. Dieser Ansatz wird im Folgenden ausführlich beschrieben.
Wiederum unter Bezugnahme auf 1 wird bei einer Ausführungsform Schritt 108 ausgeführt, indem gemäß der obigen Darstellung zuerst die Bereiche in Gruppen aufgeteilt werden (110). 6 zeigt, wie die Bereiche 202 der Maskendaten 200 von 2 gemäß einer Ausführungsform der Erfindung in vier verschiedene Gruppen aufgeteilt werden können. In der Mitte jedes Bereichs 202 in 6 steht ein Buchstabe A, B, C oder D. Die Buchstaben A, B, C und D entsprechen den vier Gruppen A, B, C und D, in die die Bereiche 202 aufgeteilt wurden, wobei der Buchstabe innerhalb eines bestimmten Bereichs 202 die Gruppe bezeichnet, zu der dieser Bereich 202 gehört. Ganz allgemein können die Maskendaten 200 wie oben erwähnt als optische Wellendaten angesehen werden.
Die Bereiche 202 werden wie folgt in diese vier Gruppen A, B, C und D aufgeteilt. Die Bereiche 202 von ungeradzahligen Zeilen des Gitternetzes wie beispielsweise die erste und die dritte Zeile 604A bzw. 604C werden, beginnend mit der Gruppe A, nacheinander und wiederholt den Gruppen A, B, C und D zugeordnet. Die Bereiche 202 der geradzahligen Zeilen hingegen, beispielsweise die zweite und die vierte Zeile 604B und 604D werden, beginnend mit der Gruppe C, nacheinander und wiederholt den Gruppen A, B, C und D zugeordnet.
Diese Aufteilung der Bereiche 202 in die vier Gruppen A, B, C und D stellt sicher, dass der Sicherheitsstreifen um jeden Bereich herum keinen anderen Bereich derselben Gruppe sowie keinen Sicherheitsstreifen eines anderen Bereichs derselben Gruppe überlappt. Zum Beispiel sind in 6 die Sicherheitsstreifen um die zur Gruppe A gehörenden Bereiche 202 durch gestrichelte Linien 602 dargestellt. Der Sicherheitsstreifen um jeden dieser zur Gruppe A gehörenden Bereiche 202 überlappt keinen anderen Bereich derselben Gruppe A sowie keinen Sicherheitsstreifen eines anderen Bereichs in Gruppe A.
Deshalb kann die zweite Gestaltung der Wellenfront für die Bereiche 202 innerhalb der Gruppe A parallel erfolgen, wobei die Unstimmigkeiten und Unverträglichkeiten an den Rändern vollständig ausgeräumt werden, da der Sicherheitsstreifen jedes Bereichs 202 innerhalb der Gruppe A keinen anderen Bereich 202 innerhalb der Gruppe A überlappt. Hierin besteht der Unterschied zum Stand der Technik, bei dem die parallele Gestaltung der Wellenfront für Bereiche dazu führt, dass Bereiche bearbeitet werden, deren Sicherheitsstreifen andere in Bearbeitung befindliche Bereiche überlappen.
Zum Beispiel kann unter Bezugnahme auf 6 beim Stand der Technik der Bereich 202A parallel zum Bereich 202B bearbeitet werden. Dabei überlappt jedoch der Sicherheitsstreifen des Bereichs 202A den Bereich 202B und umgekehrt. Dadurch kann es zu Konkurrenzsituationen kommen, wenn diese beiden Bereiche 202A und 202B zur gleichen Zeit bearbeitet werden, sodass die Unstimmigkeiten und Unverträglichkeiten an den Rändern zwischen den Bereichen 202A und 202B bestenfalls verringert, aber nicht wie bei Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung ausgeräumt werden können.
Unter erneuter Bezugnahme auf 1 wird dann eine aktuelle Gruppe gleich der ersten der Gruppen gesetzt, in die die Bereiche aufgeteilt wurden (112). Die zweite Gestaltung der Wellenfront wird für alle Bereiche der aktuellen Gruppe parallel durchgeführt (114). Wenn es sich bei der aktuellen Gruppe nicht um die letzte Gruppe handelt (116), wird anschließend von der aktuellen Gruppe zur nächsten Gruppe übergegangen (118), und das Verfahren 100 beginnt in Schritt 114 mit der neuen aktuellen Gruppe von vorn. Nachdem die zweite Gestaltung der Wellenfront für alle Gruppen des Bereichs durchgeführt worden ist, sodass die aktuelle Gruppe nun die letzte Gruppe ist (116), wird die Operation 108 abgeschlossen (120).
Unter erneuter Bezugnahme auf 6 wird dann die zweite Gestaltung der Wellenfront zuerst für die Bereiche 202 innerhalb der Gruppe A parallel durchgeführt. Wenn das erledigt ist, wird die zweite Gestaltung der Wellenfront für die Bereiche 202 innerhalb der Gruppe B parallel durchgeführt. Wenn das erledigt ist, wird die zweite Gestaltung der Wellenfront für die Bereiche 202 innerhalb der Gruppe C parallel durchgeführt. Wenn das erledigt ist, wird die zweite Gestaltung der Wellenfront für die Bereiche 202 innerhalb der Gruppe D parallel durchgeführt. Mit anderen Worten, die Gestaltung der Wellenfront für einen Bereich einer bestimmten Gruppe erfolgt parallel mit den anderen Bereichen dieser bestimmten Gruppe, aber der Bereich einer bestimmten Gruppe wird in Bezug auf die Bereiche anderer Gruppen seriell (d. h. nacheinander) bearbeitet.
Unter erneuter Bezugnahme auf 1 können, nachdem die zweite Gestaltung der Wellenfront ein letztes Mal durchgeführt wurde, die fertigen Daten, die zur Herstellung einer Maske verwendet werden können, zur Fertigung von Exemplaren einer Halbleitereinheit auf übliche Weise ausgegeben oder verwendet werden (122). Im Ergebnis der zweiten Gestaltung der Wellenfront liegen nun Daten einer realen Maskenform vor, die räumliche Werte beinhalten, in denen Unstimmigkeiten und Unverträglichkeiten zwischen den Rändern der Bereiche ausgeräumt sind. Diese Maskendaten stellen eine Maske dar, die ausgegeben, beispielsweise durch Darstellung auf einer Bildschirmeinheit für einen Benutzer, über ein Netz übertragen, unter Verwendung einer Druckeinheit gedruckt, auf einer Speichereinheit gespeichert werden kann usw. Letztendlich kann die Maske, die durch diese Maskendaten dargestellt wird, zur fotolithografischen Fertigung von Exemplaren der Halbleitereinheit mit einem Entwurf verwendet werden, dem die Maske entspricht.
Somit stellt das Verfahren 100 eine Möglichkeit zum Verknüpfen sehr allgemeiner Arten von Maskenentwurfsprozessen miteinander bereit, wobei die meisten Maskenentwurfsprozesse aus Gründen der Wirtschaftlichkeit in voneinander unabhängigen Arbeitseinheiten ausgeführt werden. Bei keinem Verfahren nach dem Stand der Technik mit Ausnahme der SMO wird davon ausgegangen, dass die Maskenentwurfsprozesse Lichtwellendaten liefern, was bei dem Verfahren 100 jedoch den Ausgangspunkt bildet. Darüber hinaus liefert selbst die SMO weder eine Verknüpfung der Lichtwellendaten wie bei dem Verfahren 100 noch die nachfolgende Verknüpfung der Gestaltung der Wellenfront selbst. Die durch die Gestaltung der Wellenfront bei dem Verfahren 100 erzeugten Lichtwellen können zum Beispiel durch eine Fourier-Transformation der Maskenmuster von Arbeitseinheiten (d. h. Bereichen) erhalten werden, die unabhängig voneinander entworfen wurden. Das Verfahren 100 kann somit allgemein auf alle Arten von Maskenentwurfsprozessen angewendet werden, zum Beispiel SMO, OPC und so weiter. Der entscheidende Vorteil des Verfahrens 100 besteht darin, dass die Lichtwellendaten für die beschriebenen Bereiche unabhängig voneinander erzeugt werden und dann nach dem Verfahren 100 miteinander verknüpft werden können.
Um diesen Vorteil des Verfahrens 100 herauszustreichen, zeigen 7A und 7B zwei verschiedene Arten von Fotomasken, auf die das Verfahren 100 gemäß verschiedenen Ausführungsformen der Erfindung angewendet werden kann. In 7A werden die Fotomaske 700 bzw. deren Maskendaten in Bereiche 702A, 702B, ..., 702N eingeteilt, die in ihrer Gesamtheit als Bereiche 702 bezeichnet werden. Für jeden Bereich 702 können unabhängig voneinander die OPC durchgeführt und dann deren Ergebnisse einer Fourier-Transformation unterzogen werden, um die Lichtwellendaten zu erhalten, mit denen das Verfahren 100 arbeitet. Alternativ kann die SMO unabhängig für jeden Bereich 702 durchgeführt werden, um die Lichtwellendaten zu erhalten, mit denen das Verfahren 100 arbeitet.
Das heißt, solange der betreffende Maskenentwurfsprozess – beispielsweise OPC oder SMO – Lichtwellendaten liefert, spielt die Art des verwendeten Maskenentwurfsprozesses für die Funktionsfähigkeit des Verfahrens 100 keine Rolle. Somit handelt es sich bei dem Verfahren 100 um einen verallgemeinerten Ansatz, mit dem die Ergebnisse eines solchen Maskenentwurfsprozesses miteinander verknüpft werden können, der für jeden Bereich 702 unabhängig von jedem anderen Bereich 702 durchgeführt wird. Bei der Erzeugung der Lichtwellendaten kann die parallele Vorgehensweise für einen Bereich 702 nach dem anderen von Vorteil sein, um dann mit dem Verfahren 100 die Lichtwellendaten der einzelnen Bereiche 702 miteinander zu verknüpfen.
Darüber hinaus können in verschiedenen Bereichen unterschiedliche Maskenentwurfsprozesse verwendet werden. Zum Beispiel zeigt 7B eine Fotomaske 750 oder Maskendaten für einen Prozessor wie beispielsweise für eine Zentraleinheit (CPU). Die Fotomaske 750 weist einen Primärbereich 752 und zwei Sekundärbereiche 754A und 754B auf, die in ihrer Gesamtheit als Sekundärbereiche 754 bezeichnet werden. Der Primärbereich 752 weist eine relativ geringe Dichte an Halbleitereinheiten auf, während die Sekundärbereiche 754 eine relativ hohe Dichte an Halbleitereinheiten aufweisen. Bei dem Beispiel von 7B können die Sekundärbereiche 754 statischen Direktzugriffsspeichern (static random access memory, SRAM) entsprechen, beispielsweise den L2-Cachespeichern (level-2, Ebene 2) des Prozessors von 7B.
Der Primärbereich 752 kann in erste Bereiche eingeteilt werden, und die Sekundärbereiche 754 können in zweite Bereiche eingeteilt werden, die in 7B nicht dargestellt sind. Für die ersten Bereiche können die herkömmliche OPC parallel durchgeführt und deren Ergebnisse einer Fourier-Transformation unterzogen werden, um Lichtwellendaten zu erhalten, während die SMO für die zweiten Bereiche parallel durchgeführt werden kann, um Lichtwellendaten zu erhalten. Die Lichtwellendaten aller ersten und zweiten Bereiche werden dann durch das Verfahren 100 miteinander verknüpft.
Demgemäß zeigt 7B, dass bei Bedarf in verschiedenen Bereichen unterschiedliche Maskenentwurfsprozesse verwendet und solche auf unterschiedliche Weise gewonnenen Lichtwellendaten ebenfalls durch das Verfahren 100 miteinander verknüpft werden können. Dies ist insofern von Vorteil, als verschiedene Teile der Fotomaske 750 von unterschiedlichen Arten von Maskenentwurfsprozessen profitieren können. In Bereichen mit geringer Dichte an Halbleitereinheiten, beispielsweise in dem Bereich 752, kann die OPC durchgeführt werden, die normalerweise schneller als die SMO abläuft. In Bereichen mit hoher Dichte an Halbleitereinheiten hingegen, beispielsweise in den Bereichen 754, kann die SMO durchgeführt werden, die normalerweise langsamer als die OPC abläuft.
Mit anderen Worten, da das Verfahren 100 den Empfang von Eingangsdaten in Form von Lichtwellendaten erfordert, die bereichsweise unabhängig voneinander erzeugt wurden, spielt es für die Gesamtleistung des Verfahrens 100 keine Rolle, welcher Maskenentwurfsprozess zum Erzeugen der Lichtwellendaten eines bestimmten Bereichs verwendet wurde. 7B zeigt, dass die OPC (und die anschließende Fourier-Transformation) zum Erzeugen der Lichtwellendaten in bestimmten Bereichen und die SMO zum Erzeugen der Lichtwellendaten in anderen Bereichen verwendet werden kann. Das Verfahren 100 ist von den Maskenentwurfsprozessen unabhängig, die zum Erzeugen der Lichtwellendaten der betreffenden Bereiche verwendet werden, was bedeutet, dass zum Erzeugen der Lichtwellendaten verschiedener Bereiche unterschiedliche Maskenentwurfsprozesse verwendet werden können.
Es wird darauf hingewiesen, dass es sich in 7A und 7B bei den Bereichen, für die ein oder mehrere Maskenentwurfsprozesse, beispielsweise OPC und/oder SMO, unabhängig voneinander und parallel durchgeführt werden, um die Lichtwellendaten zu erhalten, um die Bereiche handeln kann, in welche die Maskendaten als Ganzes in Schritt 102 des Verfahrens 100 eingeteilt werden. Mit anderen Worten, die Einteilung der Maskendaten in Bereiche in Schritt 102 kann genauso erreicht werden, indem einfach dieselben Bereiche verwendet werden, für welche die Maskenentwurfsprozesse durchgeführt wurden, um die Lichtwellendaten zu erhalten. Somit stellt bei einer solchen Ausführungsform die Einteilung der Maskendaten in Bereiche in Schritt 102 keine neue Einteilung dar, sondern dieselbe Einteilung, die vor der unabhängigen und parallelen Durchführung der Maskenentwurfsprozesse für solche Bereiche durchgeführt wurde.
Abschließend wird darauf hingewiesen, dass, obwohl hierin spezielle Ausführungsformen dargestellt und beschrieben wurden, dem Fachmann einsichtig ist, dass die gezeigten speziellen Ausführungsformen durch eine beliebige Anordnung ersetzt werden können, die zur Erreichung desselben Ziels berechnet wurde. Außer den hier beschriebenen sind für mindestens einige Ausführungsformen auch andere Anwendungen und Verwendungsmöglichkeiten von Ausführungsformen der Erfindung denkbar. Diese Patentanmeldung soll alle Anpassungen und Varianten der vorliegenden Erfindung abdecken. Deshalb wird ausdrücklich erklärt, dass diese Erfindung nur durch die Ansprüche und deren gleichwertige Entsprechungen beschränkt wird.

Claims

Verfahren (100), das Folgendes umfasst: Einteilen von Lichtwellendaten für den Entwurf einer Halbleitereinheit in eine Vielzahl von Bereichen durch einen Prozessor einer Recheneinheit (102); nach dem Einteilen der Lichtwellendaten in die Bereiche, Durchführen einer ersten Gestaltung der Wellenfront für die Lichtwellendaten jedes Bereichs durch den Prozessor unter Berücksichtigung ausschließlich der Lichtwellendaten jedes Bereichs und unter Außerachtlassung der Lichtwellendaten einer Vielzahl benachbarter Bereiche jedes Bereichs (104); nach dem Durchführen der ersten Gestaltung der Wellenfront für die Lichtwellendaten jedes Bereichs, Normalisieren der Lichtwellendaten jedes Bereichs durch den Prozessor auf der Grundlage der Ergebnisse der ersten Gestaltung der Wellenfront (106); und nach dem Normalisieren der Lichtwellendaten jedes Bereichs, Durchführen der zweiten Gestaltung der Wellenfront für die Lichtwellendaten jedes Bereichs durch den Prozessor auf der Grundlage zumindest der normalisierten Lichtwellendaten jedes Bereichs unter Berücksichtigung der Lichtwellendaten jedes Bereichs und eines Sicherheitsstreifens um jeden Bereich herum, der die Lichtwellendaten der benachbarten Bereiche jedes Bereichs beinhaltet (108).
Verfahren nach Anspruch 1, das ferner das Empfangen der Lichtwellendaten umfasst (101), wobei die Lichtwellendaten gemäß einem oder mehreren Maskenentwurfsprozessen erzeugt werden, sodass die erste Gestaltung der Wellenfront und die zweite Gestaltung der Wellenfront unabhängig von und ohne Berücksichtigung einer oder mehrerer Arten des einen oder der mehreren Maskenentwurfsprozesse durchgeführt werden, wobei die Bereiche, in welche die Lichtwellendaten eingeteilt sind, den Bereichen entsprechen, für die die Maskenentwurfsprozesse unabhängig und parallel durchgeführt wurden.
Verfahren nach Anspruch 1, das ferner das Empfangen der Lichtwellendaten umfasst (101), wobei die Lichtwellendaten unabhängig für jeden Bereich und parallel durch eine optische Nahbereichskorrektur (optical proximity correction, OPC) und Transformation der OPC-Ergebnisse in die Lichtwellendaten erzeugt werden.
Verfahren nach Anspruch 1, das ferner das Empfangen der Lichtwellendaten umfasst (101), wobei die Lichtwellendaten unabhängig für jeden Bereich und parallel durch eine Lichtquellen-Maskenoptimierung erzeugt werden.
Verfahren nach Anspruch 1, das ferner das Empfangen der Lichtwellendaten umfasst (101), wobei die Bereiche erste Bereiche, für welche die Lichtwellendaten unabhängig für jeden ersten Bereich und parallel durch einen ersten Maskenentwurfsprozess erzeugt wurden, und zweite Bereiche umfassen, für welche die Lichtwellendaten unabhängig für jeden ersten Bereich und parallel durch einen zweiten Maskenentwurfsprozess erzeugt wurden.
Verfahren nach Anspruch 5, wobei es sich bei dem ersten Maskenentwurfsprozess um die optische Nahbereichskorrektur und bei dem zweiten Maskenentwurfsprozess um die Lichtquellen-Maskenoptimierung handelt.
Verfahren nach Anspruch 1, das ferner das Ausgeben von Ergebnissen der zweiten Gestaltung der Wellenfront umfasst (122).
Verfahren nach Anspruch 1, das ferner das Verwenden von Ergebnissen der zweiten Gestaltung der Wellenfront umfasst, um Exemplare einer Halbleitereinheit gemäß dem Entwurf der Halbleitereinheit herzustellen (122).
Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Einteilen der Lichtwellendaten in die Bereiche das Einteilen der Lichtwellendaten in eine Vielzahl rechteckiger Bereiche umfasst, die als Gitternetz mit Zeilen und Spalten angeordnet sind.
Verfahren nach Anspruch 9, wobei das Durchführen der zweiten Gestaltung der Wellenfront folgende Schritte umfasst: Aufteilen der Bereiche in vier Gruppen, wobei die Bereiche von ungeradzahligen Zeilen des Gitternetzes, beginnend mit einer ersten Gruppe, nacheinander und wiederholt den Gruppen zugeordnet werden und wobei die Bereiche von geradzahligen Zeilen des Gitternetzes, beginnend mit einer dritten Gruppe, nacheinander und wiederholt den Gruppen zugeordnet werden (110); Durchführen der zweiten Gestaltung der Wellenfront für die Bereiche der ersten Gruppe in einer parallelen Vorgehensweise (114); nach dem Durchführen der zweiten Gestaltung der Wellenfront für die Bereiche der ersten Gruppe, Durchführen der zweiten Gestaltung der Wellenfront für die Bereiche einer zweiten Gruppe in der parallelen Vorgehensweise (114); nach dem Durchführen der zweiten Gestaltung der Wellenfront für die Bereiche der zweiten Gruppe, Durchführen der zweiten Gestaltung der Wellenfront für die Bereiche der dritten Gruppe in der parallelen Vorgehensweise (114); und nach dem Durchführen der zweiten Gestaltung der Wellenfront für die Bereiche der dritten Gruppe, Durchführen der zweiten Gestaltung der Wellenfront für die Bereiche einer vierten Gruppe in der parallelen Vorgehensweise (114).
Verfahren nach Anspruch 1, wobei die erste Gestaltung der Wellenfront für die Lichtwellendaten jedes Bereichs für jeden einzelnen Bereich parallel erfolgt, indem nur die Lichtwellendaten jedes Bereichs berücksichtigt und die Lichtwellendaten der benachbarten Bereiche außer Acht gelassen werden.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Durchführen der ersten Gestaltung der Wellenfront für die Lichtwellendaten jedes Bereichs das Erzeugen von Werten jedes Bereichs in der Raumdomäne aus den Werten jedes Bereichs in der optischen Domäne umfasst, die ursprünglich innerhalb der Lichtwellendaten vorhanden waren.
Verfahren nach Anspruch 12, wobei das Normalisieren der Lichtwellendaten jedes Bereichs auf der Grundlage der Ergebnisse der ersten Gestaltung der Wellenfront das Normalisieren der Werte jedes Bereichs in der optischen Domäne innerhalb der Lichtwellendaten auf der Grundlage der Werte in der Raumdomäne umfasst, die erzeugt worden sind.
Verfahren nach Anspruch 13, wobei das Durchführen der zweiten Gestaltung der Wellenfront für die Lichtwellendaten jedes Bereichs das Erzeugen von Werten jedes Bereichs in der Raumdomäne aus: den normalisierten Werten jedes Bereichs in der optischen Domäne, die durch Normalisieren der Lichtwellendaten jedes Bereichs gewonnen wurden; und/oder den normalisierten Werten jedes Bereichs in der optischen Domäne umfasst, die aus den Werten jedes Bereichs in der Raumdomäne rückkonvertiert wurden, die wiederum bereits durch die zweite Gestaltung der Wellenfront erzeugt worden sind.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Durchführen der zweiten Gestaltung der Wellenfront folgende Schritte umfasst: Aufteilen der Bereiche in eine Vielzahl von Gruppen, die eine erste Gruppe und eine letzte Gruppe derart beinhalten, dass jeder Bereich nur einer der Gruppen zugeordnet wird und dass der Sicherheitsstreifen um einen bestimmten Bereich einer bestimmten Gruppe herum den Sicherheitsstreifen um einen anderen Bereich der betreffenden Gruppe herum nicht überlappt (110); und Durchführen der zweiten Gestaltung der Wellenfront nacheinander für die Bereiche jeder Gruppe auf parallele Vorgehensweise derart, dass die zweite Gestaltung der Wellenfront zuerst für die Bereiche der ersten Gruppe auf parallele Vorgehensweise und dass die zweite Gestaltung der Wellenfront zuletzt für die Bereiche der letzten Gruppe auf parallele Vorgehensweise durchgeführt wird (114).
Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Durchführen der zweiten Gestaltung der Wellenfront dazu führt, dass die Lichtwellendaten der Bereiche bestens miteinander verknüpft werden.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Durchführen der zweiten Gestaltung der Wellenfront das Lösen eines Problems der linearen Programmierung umfasst.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei die zweite Gestaltung der Wellenfront detaillierter als die erste Gestaltung der Wellenfront ist.
Computerlesbares Medium mit einem darauf gespeicherten Computerprogramm, das durch einen Prozessor einer Recheneinheit ausgeführt wird und die Ausführung eines Verfahrens (100) veranlasst, wobei das Verfahren folgende Schritte umfasst: Einteilen von Lichtwellendaten für den Entwurf einer Halbleitereinheit in eine Vielzahl von Bereichen (102); nach dem Einteilen der Lichtwellendaten in die Bereiche, Durchführen einer ersten Gestaltung der Wellenfront für die Lichtwellendaten jedes Bereichs, wobei nur die Lichtwellendaten jedes Bereichs berücksichtigt und die Lichtwellendaten einer Vielzahl benachbarter Bereiche jedes Bereichs außer Acht gelassen werden (104); nach dem Durchführen der ersten Gestaltung der Wellenfront für die Lichtwellendaten jedes Bereichs, Normalisieren der Lichtwellendaten jedes Bereichs auf der Grundlage der Ergebnisse der ersten Gestaltung der Wellenfront (106); und nach dem Normalisieren der Lichtwellendaten jedes Bereichs Durchführen der zweiten Gestaltung der Wellenfront für die Lichtwellendaten jedes Bereichs auf der Grundlage zumindest der normalisierten Lichtwellendaten jedes Bereichs, wobei die Lichtwellendaten jedes Bereichs und eines Sicherheitsstreifens um jeden Bereich herum berücksichtigt werden, der die Lichtwellendaten der benachbarten Bereiche jedes Bereichs beinhaltet (108).
Halbleitereinheit, die unter Verwendung einer Maske hergestellt wird, wobei die Maske durch Ausführung eines Verfahrens (100) erzeugt wird, das folgende Schritte umfasst: Einteilen von Lichtwellendaten für den Entwurf einer Halbleitereinheit durch einen Prozessor einer Recheneinheit in eine Vielzahl von Bereichen (102); nach dem Einteilen der Lichtwellendaten in die Bereiche, Durchführen einer ersten Gestaltung der Wellenfront für die Lichtwellendaten jedes Bereichs durch den Prozessor, wobei nur die Lichtwellendaten jedes Bereichs berücksichtig und die Lichtwellendaten einer Vielzahl benachbarter Bereiche jedes Bereichs außer Acht gelassen werden (104); nach dem Durchführen der ersten Gestaltung der Wellenfront für die Lichtwellendaten jedes Bereichs, Normalisieren der Lichtwellendaten jedes Bereichs durch den Prozessor auf der Grundlage der Ergebnisse der ersten Gestaltung der Wellenfront (106); und nach dem Normalisieren der Lichtwellendaten jedes Bereichs, Durchführen einer zweiten Gestaltung der Wellenfront für die Lichtwellendaten jedes Bereichs durch den Prozessor auf der Grundlage zumindest der normalisierten Lichtwellendaten jedes Bereichs, wobei die Lichtwellendaten jedes Bereichs und eines Sicherheitsstreifens um jeden Bereich herum berücksichtigt werden, der die Lichtwellendaten der benachbarten Bereiche jedes Bereichs beinhaltet (108).