DE112005002762T5 - Beabstandete, mit Kontakthöckern versehene Komponenten-Struktur - Google Patents

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John Wynne
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Abstract

Beabstandete, mit Kontakthöckern versehene Komponenten-Struktur umfassend:
eine erste Platte;
eine von der ersten Platte durch eine erste Lücke beabstandete zweite Platte;
eine Mehrzahl von die Platten verbindenden und die erste Lücke definierenden Lötkontakthöckern; wobei zumindest eine der Platten einen anormalen Abschnitt umfasst mit einem von einer erhöhten Plattform und einer Ausnehmung zum Definieren einer zweiten Lücke mit einer verschiedenen Größe gegenüber der ersten Lücke.

Description

  • VERWANDTE ANMELDUNGEN
  • Diese Anmeldung beansprucht das Recht aus der US-Provisional-Anmeldung Nr. 60/627,249, angemeldet am 12. November 2004, die hierin durch Referenz aufgenommen wird.
  • GEBIET DER ERFINDUNG
  • Diese Erfindung betrifft eine beabstandete, mit Kontakthöckern versehene Komponenten-Struktur (spaced, bumped component structure) zum Bilden einer Lückengröße unabhängig von der Löt-Kontakthöcker-Größe (solder bump size).
  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Bei der Fabrikation von beabstandeten, mit Kontakthöckern versehenen Komponenten-Strukturen ist es oft notwendig, die Lückengröße unabhängig von der Lötkugelgröße einzustellen. Beispielsweise ist bei einer Drucksensoranwendung ein integrierter Schaltkreischip in Flip-Chip-Anordnung mit Kontakthöckern an ein Substrat angebunden (flip-chip bump bonded). Die gegenüberliegenden Oberflächen des Chips und des Substrats können üblicherweise metallisiert sein. Eine Öffnung oder eine Ausnehmung in der anderen Seite des Substrats erzeugt eine Membranstruktur unterhalb der metallisierten Oberfläche, so dass Bewegungen der Membran aufgrund eines Gas- oder Flüssigkeits-Drucks durch Änderungen der Kapazität zwischen den me tallisierten Oberflächen aufgrund von Änderungen in der Größe der Lücke zwischen ihnen erfasst werden können. Es ist auch möglich, eine Membranschicht ohne die Verwendung der Öffnung oder der Ausnehmung bereitzustellen. Bei einer solchen Anwendung ist es wünschenswert, dass eine relativ kleine Lücke vorhanden ist, so dass sehr kleine Bewegungen der Membran leicht erfasst werden können. Üblicherweise wird die Lückengröße durch die Größe oder durch den Durchmesser der Lötkontakthöcker definiert und die Kontakthöcker sind üblicherweise nicht kleiner als 80–120 μms. Dies ist so, da allgemein der Chip und das Substrat unterschiedliche thermische Ausdehnungskoeffizienten (coefficients of thermal expansion, CTE) aufweisen, beispielsweise ist der Chip Silikon (3–5 ppm/°C) und das Substrat ist Aluminiumoxid (6–8 ppm/°C). Die während Temperaturzyklen auftretenden Spannungen erfordern üblicherweise eine Lötkontakthöckergröße von mehr als etwa 80–120 μms. Dies ist jedoch lediglich ein Beispiel der Notwendigkeit, die Lückengröße unabhängig von der Kontakthöckergröße einzustellen. In anderen Fällen könnte kein Unterschied bei den CTE vorliegen, die gewünschte Lückengröße kann jedoch größer oder kleiner als die Kontakthöckergröße sein. Ein anderes Problem bei dem Einstellen der Lückengröße betrifft die Toleranz. Das heißt, dass Lötkontakthöcker von 80–120 μms beispielsweise üblicherweise eine Herstelltoleranz von ± 15 μm aufweisen; wobei dies keine akzeptable Bedingung ist, wenn die Lückengröße und geringe Variationen der Lückengröße verwendet werden, um beispielsweise eine Membranbewegung zu erfassen.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
  • Es ist daher eine Aufgabe dieser Erfindung, eine verbesserte beabstandete, mit Kontakthöckern versehene Komponenten-Struktur bereitzustellen. Es ist eine weitere Aufgabe dieser Er findung, eine solche verbesserte beabstandete, mit Kontakthöckern versehene Komponenten-Struktur bereitzustellen, welche die Lücke unabhängig von der Lötkontakthöckergröße werden lässt. Es ist eine weitere Aufgabe dieser Erfindung, eine solche verbesserte beabstandete mit Kontakthöckern versehene Komponenten-Struktur bereitzustellen, bei der die Lücke größer oder kleiner als die Kontakthöckergröße sein kann.
  • Es ist eine weitere Aufgabe dieser Erfindung, eine solche verbesserte beabstandete, mit Kontakthöckern versehene Komponenten-Struktur bereitzustellen, welche die Auswirkung von Herstelltoleranzen auf die Lücke verringert.
  • Es ist eine weitere Aufgabe dieser Erfindung, solch eine verbesserte beabstandete, mit Kontakthöckern versehene Komponenten-Struktur bereitzustellen, welche die Auswirkung von Kontakthöcker- und Trag-Struktur-Toleranzen auf die Lückentoleranz reduziert.
  • Es ist eine weitere Aufgabe dieser Erfindung, eine solche verbesserte beabstandete, mit Kontakthöckern versehene Komponentenstruktur bereitzustellen, welche eine Erleichterung der Registrierung von Komponenten ermöglicht.
  • Es ist eine weitere Aufgabe dieser Erfindung, eine solche verbesserte beabstandete, mit Kontakthöckern versehene Struktur bereitzustellen, welche eine Erleichterung der Orientierung von Komponenten ermöglicht.
  • Diese Erfindung resultiert aus der Erkenntnis, dass eine verbesserte beabstandete, mit Kontakthöckern versehene Komponenten-Struktur, deren Lücke unabhängig von der Kontakthöckergröße ist, erzielt werden kann durch Bereitstellen von zumindest einer von zwei beabstandeten Platten, die eine erste Lü cke zwischen den Kontakthöckern definiert aufweist, mit einem anormalen Abschnitt, der zumindest eine von einer erhöhten Plattform oder einer Ausnehmung einschließt, zum Definieren einer zweiten Lücke mit einer unterschiedlichen Größe gegenüber der ersten Lücke. Weitere Erkenntnisse schließen die Verwendung von Stützen, um die zweite Lücke festzulegen, und eines Kanals zur Aufnahme der Kontakthöcker, wie beispielsweise Lötkontakthöcker, um die erste Lücke kleiner als die Lötkontakthöcker einzustellen, ein. Im Allgemeinen kann jedwede beliebige leitende Verbindung, deren Höhe eingestellt werden kann, wie beispielsweise gedruckte leitende Polymere, anstelle der Lötkontakthöcker verwendet werden.
  • Der Gegenstand der Erfindung muss jedoch bei anderen Ausführungsformen nicht all diese Aufgaben lösen und die Ansprüche hiervon sollen nicht auf Strukturen oder Verfahren begrenzt sein, welche diese Aufgaben lösen können.
  • Diese Erfindung sieht eine beabstandete, mit Kontakthöckern versehene Komponentenstruktur mit einer Platte, einer zweiten von der ersten Platte durch eine erste Lücke beabstandete Platte und mit einer Mehrzahl die Platten verbindenden und die erste Lücke definierenden Lötkontakthöckern vor. Zumindest eine der Platten weist einen anormalen Abschnitt einschließlich einer aus einer erhöhten Plattform und einer Ausnehmung zum Definieren einer zweiten Lücke mit einer unterschiedlichen Größe gegenüber der ersten Lücke auf.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform kann eine der Platten einen anormalen Abschnitt mit einer erhöhten Plattform aufweisen und die zweite Lücke ist kleiner als die erste Lücke. Eine der Platten kann einen anormalen Abschnitt mit einer Ausnehmung aufweisen und die zweite Lücke kann größer als die erste Lücke sein. Jede der Platten kann eine erhöhte Platt form oder eine Ausnehmung aufweisen. Eine der Platten kann eine erhöhte Plattform und die andere eine Ausnehmung aufweisen. Die Kontakthöcker können außerhalb der anormalen Abschnitte sein. Die Kontakthöcker können innerhalb der anormalen Abschnitte sein. Die Kontakthöcker können den anormalen Abschnitt umgeben. Die zumindest eine der Platten kann einen konturierten Teil zum teilweisen Aufnehmen der Kontakthöcker umfassen. Die Platten können eine leitende Platte und ein Substrat umfassen und die leitende Platte und das Substrat können Aluminiumoxid umfassen. Die gegenüberliegenden Oberflächen der Platen in der zweiten Lücke können metallisiert sein. Die Platten können einen Well-Teil nahe der zweiten Lücke umfassen, der eine Membran bildet. Die metallisierten, sich gegenüberliegenden Oberflächen in der zweiten Lücke können einen kapazitiven Sensor bilden. Die metallisierte gegenüberliegende Oberfläche in der zweiten Lücke kann gemustert (patterned) sein, um ein Paar von gekoppelten Induktivitäten zu bilden. Es können eine Mehrzahl von Stützen zwischen den Platten an den anormalen Abschnitten zum Fixieren der Abmessung der zweiten Lücke vorhanden sein.
  • Diese Erfindung sieht auch eine beabstandete, mit Kontakthöckern versehene Komponenten-Struktur mit einer ersten Platte, einer von der ersten Platte durch eine erste Lücke beabstandete zweite Platte, einem Kanal in zumindest einer der Platten und einer Mehrzahl von in dem Kanal angeordneten Lötkontakthöckern, welche die Platten verbinden und die erste Lücke als kleiner als die Kontakthöcker festlegen, vor.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform kann zumindest eine der Platten einen anormalen Abschnitt mit einer von einer erhöhten Plattform und einer Ausnehmung zum Definieren einer zweiten Lücke mit einer unterschiedlichen Größe gegenüber der ersten Lücke aufweisen. Die eine der Platten kann einen anor malen Abschnitt mit einer erhöhten Plattform umfassen und die zweite Lücke kann kleiner sein als die erste Lücke. Die eine der Platten kann einen anormalen Abschnitt mit einer Ausnehmung umfassen und die zweite Lücke kann größer sein als die erste Lücke. Jede der Platten kann eine erhöhte Plattform aufweisen. Jede der Platten kann Ausnehmungen aufweisen. Eine der Platten kann eine erhöhte Plattform und die andere eine Ausnehmung aufweisen. Die Kontakthöcker können außerhalb der anormalen Abschnitte angeordnet sein. Die Kontakthöcker können innerhalb der anormalen Abschnitte angeordnet sein. Die Kontakthöcker können die anormalen Abschnitte umgeben. Die zumindest eine der Platten kann einen konturierten Teil zum teilweisen Aufnehmen der Kontakthöcker umfassen. Die Platten können eine leitende Platte und ein Substrat umfassen und die leitende Platte und das Substrat können Aluminiumoxid umfassen. Die Platten können einen integrierten Schaltkreischip und ein Substrat umfassen. Der integrierte Schaltkreischip kann Silizium umfassen und das Substrat kann Aluminiumoxid umfassen. Die sich gegenüberliegenden Oberflächen der Platten in der zweiten Lücke können metallisiert sein. Die Platten können einen Well-Teil nahe der zweiten Lücke aufweisen, der eine Membran bildet. Die metallisierten sich gegenüberliegenden Oberflächen in der zweiten Lücke können einen kapazitiven Sensor bilden. Die metallisierte gegenüberliegende Oberfläche in der zweiten Lücke kann gemustert sein, um ein Paar von gekoppelten Induktivitäten zu bilden. Es können eine Mehrzahl von Stützen zwischen den Platten in dem anormalen Abschnitt zum Fixieren der Abmessung der zweiten Lücke vorhanden sein.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Andere Aufgaben, Merkmale und Vorteile werden für den Fachmann aus der folgenden Beschreibung einer bevorzugten Ausfüh rungsform und den begleitenden Zeichnungen hervorgehen, die zeigen:
  • 1 ist eine schematische seitliche Aufrissschnittansicht einer beabstandeten, mit Kontakthöckern versehenen Komponenten-Struktur gemäß dieser Erfindung;
  • 1A ist eine schematische Grundrissansicht von oben, welche die Metallisierung zeigt, die gemustert ist, um gekoppelte Leiter zu bilden;
  • 2 ist eine Ansicht ähnlich der 1, wobei die Lötkontakthöcker innerhalb der anormalen Abschnitte angeordnet sind;
  • 3 ist eine Ansicht ähnlich der 1, wobei die Lötkontakthöcker in einem Kanal oder einem Graben angeordnet sind;
  • 4 ist eine schematische Grundrissansicht von oben einer beabstandeten, mit Kontakthöckern versehenen Komponenten-Struktur gemäß dieser Erfindung mit einem kreisförmigen Kanal oder Graben;
  • 5 ist eine schematische Grundrissansicht von oben einer beabstandeten, mit Kontakthöckern versehenen Komponenten-Struktur gemäß dieser Erfindung mit zwei separaten beabstandeten Kanälen oder Gräben;
  • 6 ist eine schematische seitliche Schnittansicht einer beabstandeten, mit Kontakthöckern versehenen Komponenten-Struktur gemäß dieser Erfindung mit ei ner anormalen Ausnehmung, welche zur Bildung einer Membran verwendet wird;
  • 7 ist eine schematische seitliche Schnittansicht einer beabstandeten, mit Kontakthöckern versehenen Komponenten-Struktur gemäß dieser Erfindung mit einem Well nahe einer anormalen Plattform zur Bildung einer Membran; und
  • 8 ist eine schematische seitliche Schnittansicht einer beabstandeten, mit Kontakthöckern versehenen Komponenten-Struktur gemäß dieser Erfindung mit einem konturierten Teil in einer der Platten zum teilweisen Aufnehmen der Lötkontakthöcker.
  • OFFENBARUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORM
  • Neben der bevorzugten Ausführungsform oder den bevorzugten Ausführungsformen, welche unten beschrieben werden, ist diese Erfindung auch in anderen Ausführungsformen realisierbar und auf verschiedene Weise praktizierbar oder ausführbar. Dementsprechend soll klar sein, dass die Erfindung in ihrer Anwendung nicht auf die Einzelheiten der Konstruktion und die Anordnungen der Komponenten beschränkt ist, wie sie in der folgenden Beschreibung herausgestellt oder in den Zeichnungen gezeigt werden. Falls nur eine Ausführungsform hierin beschrieben ist, werden die Ansprüche hiervon nicht auf diese Ausführungsform beschränkt. Weiterhin sind die Ansprüche hiervon nicht restriktiv zu lesen, außer es gibt einen klaren und überzeugenden Hinweise, der einen bestimmten Ausschluss, eine bestimmte Beschränkung oder eine bestimmte Ausnahme festlegt.
  • In der 1 ist eine beabstandete, mit Kontakthöckern versehene Komponenten-Struktur 10 mit einer ersten Platte 12 und einer von der ersten Platte durch eine erste Lücke 16 und eine Mehrzahl von Lötkugeln oder Kontakthöckern 18 beabstandeten zweiten Platte 14 gezeigt. Eine der Platten 12 und 14, in diesem Fall die Platte 12, weist einen anormalen Abschnitt 22 auf, welcher eine erhöhte Plattform oder eine Ausnehmung sein kann. In diesem Fall ist der anormale Abschnitt 22 als eine erhöhte Plattform 24 ausgeführt. Dies definiert eine zweite Lücke 26 mit einer verschiedenen Größe gegenüber der ersten Lücke 16, wobei dementsprechend die zweite Lücke 26 zwischen der unteren Oberfläche 28 der zweiten Platte 14 und der oberen Oberfläche 30 der Plattform 24 definiert ist und nicht durch die Lötkugeln 18 sondern durch die Höhe 23 der Plattform 24 bestimmt wird. Um sicherzustellen, dass die Abmessung stabil bleibt, können Stützen 23 verwendet werden. Stützen sind dazu vorgesehen, als der kontrollierende Mechanismus zum Kontrollieren/Einstellen der Lücke 26 zu funktionieren, da sie auf der Plattform 24 aufliegen. Die Höhe 23 der Plattform 24 ist demgegenüber sekundär. Die erste und die zweite Platte können eine leitende Platte und ein Substrat umfassen, wobei beide Aluminiumoxid umfassen können.
  • In einer Ausführungsform kann die erste Platte 12 beispielsweise ein Substrat aus Aluminiumoxid sein und die zweite Platte 14 kann ein aus Silizium hergestellter integrierter Schaltkreischip sein. Die Oberflächen 28 und 30 können bei 34 und 36 jeweils metallisiert sein, um einen arbeitsfähigen Kondensator in der Lücke 26 zu erzeugen. Die Metallisierungen können gemustert sein, um gekoppelte Induktivitäten zu bilden, wobei ein Beispiel davon in der 1A gezeigt ist. Ein Well 38, 1, kann klar durch die Platte 12 gebildet werden, wobei im Wesentlichen die Plattform 24 zu einer Membran ausgebildet wird, oder das Well 38 kann sich lediglich teilweise hindurch erstrecken, wobei ein Teil der Platte 12 verbleibt, um eine Membran in Kombination mit der Plattform 24 zu bilden.
  • Die Wirksamkeit des Verwendens von Stützen 32 kann an der Tatsache festgestellt werden, dass von Lötkontakthöckern 18 allgemein gefordert wird, dass sie zwischen 80 bis 120 Mikrometer mit einer Toleranz von ± 15 Mikrometer sind, wohingegen Stützen mit Höhen bis zu 10 Mikrometer herunter hergestellt werden können. Die primäre Funktion der Stützen ist es, als eine Abstandsvorrichtung zu wirken. Diese können unter Verwendung von verschiedenen Verfahren hergestellt werden, sind aber üblicherweise verkupferte Stützen mit Toleranzen innerhalb eines Mikrometers. In der Praxis können die Stützen auf einen Wafer verkupfert werden und dann können Kontakthöcker auf den Wafer im Siebdruck oder durch Kugelfallenlassen (ball drop) aufgebracht werden. Der Wafer wird dann zersägt, um einzelne ICs zu bilden, beispielsweise die IC-Platte 14. Diese werden auf der Aluminiumoxidsubstratplatte 12 umgedreht angeordnet (flipped). Die Kontakthöcker können dann an dem Substrat entweder beispielsweise trocken oder mit Flussmittel oder mit Lötpaste befestigt werden. Die Substratplatte 12 wird dann zurück in einen Ofen gegeben, um die Lötkontakthöcker zu schmelzen, jedoch nicht die Stützen, und um die Lötverbindung zu bilden. Während dieser Zeit kollabieren die Lötkontakthöcker, so dass die Stützen auf der Plattform 23 tatsächlich die Lücke 26 definieren. Obwohl in der 1 die Lötkontakthöcker extern in Bezug auf den anormalen Abschnitt 22 gezeigt sind, ist dies nicht eine notwendige Begrenzung der Erfindung, da, wie in der 2 gezeigt, mehrere anormale Abschnitte 22a und 22aa vorhanden sein können, welche entweder erhöhte Plattformen oder Ausnehmungen sein können. In diesem Fall sind sie als erhöhte Plattformen 24a und 24aa gezeigt. Weiterhin können die Lötkontakthöcker 18a innerhalb des anormalen Abschnitts oder der anormalen Abschnitte anstelle außerhalb davon sein.
  • Bei einer anderen Konstruktion einer beabstandeten, mit Kontakthöckern versehenen Komponenten-Struktur 10b, 3, in Übereinstimmung mit dieser Erfindung kann ein Kanal oder können Kanäle 42 in einer der beiden Platten vorgesehen sein, in diesem speziellen Fall in der ersten Platte 12b, um Lötkontakthöcker 18b aufzunehmen, deren Größe 20 wesentlich größer ist als die gewünschte Lücke 16b. Durch Anordnen der Lötkontakthöcker 18b in diesem Kanal oder diesen Kanälen kann die Größe der Lücke 16b auf eine wesentlich kleinere Größe reduziert werden, während die Lötkontakthöcker groß gehalten werden und eher dazu geeignet sind, Spannungen zu widerstehen, welchen sie ausgesetzt sein können. Auch in der 3 gezeigt ist die Verwendung einer Metallplatte 44 auf der Oberseite des Wells 38b gegenüber einem unteren metallisierten Abschluss 36b. Dies dient dazu, jedwede Spannungen auszugleichen, welche in dem verbleibenden Teil 46 der Platte 12b über dem Well 38b durch die Anwesenheit des metallisierten Abschlusses 36b auftreten kann.
  • Die 4 zeigt eine Draufsicht einer Anordnung eines Kanals 42 oder von Kanälen, welcher tatsächlich als ein Graben 50 um die kreisförmig erhöhte Plattform 24c ähnlich der in der 3 gezeigten ausgebildet ist. In diesem Fall erstrecken sich Haltegurte von der erhöhten Plattform 24c zu dem Rest der Hauptplatte 12c. Innerhalb der Haltegurte 52, 54 und 56 sind drei Bereiche 58, 60 und 62 ausgebildet, um Lötkontakthöcker 18c aufzunehmen. Mit diesen Lötkugeln oder Kontakthöckern 18c, welche gegen die Haltegurte 52, 54 und 56 angeordnet sind, wird die Platte 14c daran gehindert, aufgrund von Erschütterungen und Schwingungen zu rotieren. Falls die Haltegurte 52, 54 und 56 nicht symmetrisch, beispielswei se mit einem 120°-Abstand wie in der 4 gezeigt, angeordnet sind, sondern falls stattdessen einer von ihnen, beispielweise 52, in die Position von 52' bewegt wird, stellt zusätzlich das Fehlen einer kreisförmigen Symmetrie sicher, dass die Struktur nur in einer Orientierung montiert werden kann und unterstützt dabei die Registrierung.
  • Obwohl in der 4 der Kanal 42 als ein Graben 50 gezeigt ist, welcher die Plattform 24c vollständig umschließt, ist dies nicht eine notwendige Begrenzung der Erfindung. Es können einer oder mehrere separate Kanäle 42d, 42dd vorhanden sein, 5. In diesem Fall kann sich das Well 38d etwas außerhalb der integrierten Schaltkreischip-Platte 14d erstrecken.
  • Manchmal kann es wünschenswert sein, die Größe der Lücke 26e relativ zu der Größe der Lücke 16e zu vergrößern, 6, indem der anormale Abschnitt 22e als eine Ausnehmung 24e ausgeführt wird. Dies kann in dem Fall eines auf einem integrierten Schaltkreischip angeordneten Gasanalysesystems erwünscht sein. Es kann ein Erfordernis sein, es dem Gas zu ermöglichen, in einen Kanal vor der IC-Abtastoberfläche zu strömen. Dies kann durch Verwenden der in der 6 gezeigten Anordnung erreicht werden.
  • In einer anderen Ausführungsform wird die erhöhte Plattform 24f, 7, des anormalen Abschnitts 22f verwendet, um die Lücke 26f einzustellen, wobei zur gleichen Zeit das Well 38f in der Substratplatte 12f vorgesehen ist, so dass die Plattform 24f tatsächlich die Membran wird, welche mit der wie zuvor gezeigten geeigneten Metallisierung einen kapazitiven Sensor in der Lücke 26f bereitstellen kann.
  • Bei einer anderen Konstruktion kann eine der Platten 12g, 14g, 8, einen oder konturierte Abschnitte 70, um Lötkontakthöcker 18g aufzunehmen, so dass die Kombination des Durchmessers des Lötkontakthöckers 18g, der Tiefe der Kontur 70 und die Höhe der Plattform 24g zu einer gewünschten Lücke 26g führen. Dieser Ansatz ermöglicht es auch, dass die Lücke 26g kleiner ist als die Höhe des Lötkontakthöckers 18g. Der Vorteil ist, dass es unter Verwendung üblicher Herstellprozesse einfacher ist, die Siliziumätztiefe der Kontur 70 auf der Siliziumplatte 14g einzustellen.
  • Obwohl spezifische Merkmale der Erfindung in einigen Zeichnungen gezeigt und in anderen nicht gezeigt sind, ist dies lediglich der Einfachheit geschuldet, da jedes Merkmal mit einem beliebigen oder allen der anderen Merkmale in Übereinstimmung mit der Erfindung kombiniert werden kann. Die Wörter "einschließlich", "umfassend", "aufweisend" und "mit", wie sie hierin verwendet werden, sind weit und umfassend auszulegen und sind nicht auf irgendeine physikalische Verbindung beschränkt. Weiterhin sind jedwede in der vorliegenden Anmeldung offenbarten Ausführungsformen nicht als die einzig möglichen Ausführungsformen anzusehen.
  • Zusätzlich ist jedwede während der Verfolgung der Patentanmeldung für dieses Patent vorgelegte Änderung nicht ein Verzicht für irgendein Anspruchselement, das in der eingereichten Anmeldung offenbart ist: es kann vernünftigerweise nicht erwartet werden, dass der Fachmann einen Anspruch formuliert, der wörtlich alle möglichen Äquivalente einschließt, wobei viele Äquivalente zum Zeitpunkt der Änderung nicht vorhersehbar sind und über eine redliche Interpretation dessen, auf was verzichtet werden soll, (falls überhaupt irgendetwas) hinausgehen, kann der rationale Hintergrund der Änderung nicht mehr als eine tangentiale Beziehung zu vielen Äquivalenten tragen und/oder es können viele andere Gründe vorliegen, dass vom Anmelder nicht erwartet werden kann, bestimmten unwesentlichen Ersatz für jedwedes geänderte Anspruchselement zu beschreiben.
  • Andere Ausführungsformen werden dem Fachmann klar sein und liegen innerhalb der folgenden Ansprüche.
  • Zusammenfassung
  • Eine beabstandete, mit Kontakthöckern versehene Komponenten-Struktur umfasst eine erste Platte, eine von der ersten Platte durch eine erste Lücke beabstandete zweite Platte und eine Mehrzahl von Lötkontakthöckern, welche die Platten verbinden und die erste Lücke definieren; wobei zumindest eine der Platten einen anormalen Abschnitt mit einer angehobenen Plattform oder einer Ausnehmung aufweist, um eine zweite Lücke mit einer verschiedenen Größe gegenüber der ersten Lücke zu definieren.

Claims (39)

  1. Beabstandete, mit Kontakthöckern versehene Komponenten-Struktur umfassend: eine erste Platte; eine von der ersten Platte durch eine erste Lücke beabstandete zweite Platte; eine Mehrzahl von die Platten verbindenden und die erste Lücke definierenden Lötkontakthöckern; wobei zumindest eine der Platten einen anormalen Abschnitt umfasst mit einem von einer erhöhten Plattform und einer Ausnehmung zum Definieren einer zweiten Lücke mit einer verschiedenen Größe gegenüber der ersten Lücke.
  2. Beabstandete, mit Kontakthöckern versehene Komponenten-Struktur nach Anspruch 1, wobei die eine der Platten einen anormalen Abschnitt mit einer erhöhten Plattform umfasst und wobei die zweite Lücke kleiner ist als die erste Lücke.
  3. Beabstandete, mit Kontakthöckern versehene Komponenten-Struktur nach Anspruch 1, wobei die eine der Platten einen anormalen Abschnitt mit einer Ausnehmung umfasst und wobei die zweite Lücke größer ist als die erste Lücke.
  4. Beabstandete, mit Kontakthöckern versehene Komponenten-Struktur nach Anspruch 1, wobei jede der Platten eine erhöhte Plattform aufweist.
  5. Beabstandete, mit Kontakthöckern versehene Komponenten-Struktur nach Anspruch 1, wobei jede der Platten eine Ausnehmung aufweist.
  6. Beabstandete, mit Kontakthöckern versehene Komponenten-Struktur nach Anspruch 1, wobei eine der Platten eine erhöhte Plattform und die andere eine Ausnehmung aufweist.
  7. Beabstandete, mit Kontakthöckern versehene Komponenten-Struktur nach Anspruch 1, wobei die Kontakthöcker außerhalb der anormalen Abschnitte sind.
  8. Beabstandete, mit Kontakthöckern versehene Komponenten-Struktur nach Anspruch 1, wobei die Kontakthöcker innerhalb der anormalen Abschnitte sind.
  9. Beabstandete, mit Kontakthöckern versehene Komponenten-Struktur nach Anspruch 1, wobei die Kontakthöcker die anormalen Abschnitte umfangen.
  10. Beabstandete, mit Kontakthöckern versehene Komponenten-Struktur nach Anspruch 1, wobei die zumindest eine der Platten einen konturierten Teil zum teilweisen Aufnehmen der Kontakthöcker umfasst.
  11. Beabstandete, mit Kontakthöckern versehene Komponenten-Struktur nach Anspruch 1, wobei die Platten eine leitende Platte und ein Substrat umfassen.
  12. Beabstandete, mit Kontakthöckern versehene Komponenten-Struktur nach Anspruch 11, wobei die leitende Platte und das Substrat Aluminiumoxid umfassen.
  13. Beabstandete, mit Kontakthöckern versehene Komponenten-Struktur nach Anspruch 1, wobei die Platten einen integrierten Schaltkreischip und ein Substrat umfassen.
  14. Beabstandete, mit Kontakthöckern versehene Komponenten-Struktur nach Anspruch 13, wobei der integrierte Schaltkreischip Silizium umfasst und wobei das Substrat Aluminiumoxid umfasst.
  15. Beabstandete, mit Kontakthöckern versehene Komponenten-Struktur nach Anspruch 1, wobei die sich gegenüberliegenden Oberflächen der Platten in der zweiten Lücke metallisiert sind.
  16. Beabstandete, mit Kontakthöckern versehene Komponenten-Struktur nach Anspruch 15, wobei eine der Platten einen Well-Teil nahe der zweiten Lücke umfasst, der eine Membran bildet.
  17. Beabstandete, mit Kontakthöckern versehene Komponenten-Struktur nach Anspruch 15, wobei die metallisierten gegenüberliegenden Oberflächen in der zweiten Lücke einen kapazitiven Sensor bilden.
  18. Beabstandete, mit Kontakthöckern versehene Komponenten-Struktur nach Anspruch 15, wobei die metallisierten gegenüberliegenden Oberflächen in der zweiten Lücke gemustert sind, um ein Paar von gekoppelten Induktivitäten zu bilden.
  19. Beabstandete, mit Kontakthöckern versehene Komponenten-Struktur nach Anspruch 1, die weiterhin eine Mehrzahl von Stützen zwischen den Platten an dem anormalen Abschnitt zum Fixieren der Größe der zweiten Lücke umfasst.
  20. Beabstandete, mit Kontakthöckern versehene Komponenten-Struktur umfassend: eine erste Platte; eine von der ersten Platte durch eine erste Lücke beabstandete zweite Platte; einen Kanal in zumindest einer der Platten; eine Mehrzahl von in dem Kanal angeordneten Lötkontakthöckern, welche die Platten verbinden und die erste Lücke definieren, die kleiner ist als die Kontakthöcker.
  21. Beabstandete, mit Kontakthöckern versehene Komponenten-Struktur nach Anspruch 20, wobei zumindest eine der Platten einen anormalen Abschnitt mit einer aus einer erhöhten Plattform und einer Ausnehmung zum Definieren einer zweiten Lücke mit einer verschiedenen Größe gegenüber der ersten Lücke umfasst.
  22. Beabstandete, mit Kontakthöckern versehene Komponenten-Struktur nach Anspruch 20, wobei die eine der Platten einen anormalen Abschnitt mit einer erhöhten Plattform umfasst, und wobei die zweite Lücke kleiner ist als die erste Lücke.
  23. Beabstandete, mit Kontakthöckern versehene Komponenten-Struktur nach Anspruch 20, wobei die eine der Platten einen anormalen Abschnitt mit einer Ausnehmung umfasst und wobei die zweite Lücke größer ist als die erste Lücke.
  24. Beabstandete, mit Kontakthöckern versehene Komponenten-Struktur nach Anspruch 20, wobei jede der Platten eine erhöhte Plattform aufweist.
  25. Beabstandete, mit Kontakthöckern versehene Komponenten-Struktur nach Anspruch 20, wobei jede der Platten eine Ausnehmung aufweist.
  26. Beabstandete, mit Kontakthöckern versehene Komponenten-Struktur nach Anspruch 20, wobei eine der Platten eine erhöhte Plattform und die andere eine Ausnehmung aufweist.
  27. Beabstandete, mit Kontakthöckern versehene Komponenten-Struktur nach Anspruch 20, wobei die Löthöcker außerhalb der anormalen Abschnitte sind.
  28. Beabstandete, mit Kontakthöckern versehene Komponenten-Struktur nach Anspruch 20, wobei die Löthöcker innerhalb der anormalen Abschnitte sind.
  29. Beabstandete, mit Kontakthöckern versehene Komponenten-Struktur nach Anspruch 20, wobei die Kontakthöcker die anormalen Abschnitte umfangen.
  30. Beabstandete, mit Kontakthöckern versehene Komponenten-Struktur nach Anspruch 20, wobei die zumindest eine der Platten einen konturierten Teil zum teilweisen Aufnehmen der Kontakthöcker umfasst.
  31. Beabstandete, mit Kontakthöckern versehene Komponenten-Struktur nach Anspruch 20, wobei die Platten eine leitende Platte und ein Substrat umfassen.
  32. Beabstandete, mit Kontakthöckern versehene Komponenten-Struktur nach Anspruch 31, wobei die leitende Platte und das Substrat Aluminiumoxid umfassen.
  33. Beabstandete, mit Kontakthöckern versehene Komponenten-Struktur nach Anspruch 20, wobei die Platten einen integrierten Schaltkreischip und ein Substrat umfassen.
  34. Beabstandete, mit Kontakthöckern versehene Komponenten-Struktur nach Anspruch 33, wobei der integrierte Schaltkreischip Silizium aufweist und das Substrat Aluminiumoxid aufweist.
  35. Beabstandete, mit Kontakthöckern versehene Komponenten-Struktur nach Anspruch 20, wobei die gegenüberliegenden Oberflächen der Platten in der zweiten Lücke metallisiert sind.
  36. Beabstandete, mit Kontakthöckern versehene Komponenten-Struktur nach Anspruch 35, wobei eine der Platten einen Well-Teil nahe der zweiten Lücke umfasst, der eine Membran bildet.
  37. Beabstandete, mit Kontakthöckern versehene Komponenten-Struktur nach Anspruch 35, wobei die metallisierten gegenüberliegenden Oberflächen in der zweiten Lücke einen kapazitiven Sensor bilden.
  38. Beabstandete, mit Kontakthöckern versehene Komponenten-Struktur nach Anspruch 35, wobei die metallisierten gegenüberliegenden Oberflächen in der zweiten Lücke gemustert sind, um ein Paar von gekoppelten Induktivitäten zu bilden.
  39. Beabstandete, mit Kontakthöckern versehene Komponenten-Struktur nach Anspruch 20, die weiterhin eine Mehrzahl von Stützen zwischen den Platten an dem anormalen Abschnitt zum Fixieren der Größe der zweiten Lücke umfasst.
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