DE1106872B - Verfahren zur Herstellung einer Germaniumflaechengleichrichter-einheit - Google Patents
Verfahren zur Herstellung einer Germaniumflaechengleichrichter-einheitInfo
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- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 title claims description 18
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000004021 metal welding Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000000284 resting effect Effects 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
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- H01L23/06—Containers; Seals characterised by the material of the container or its electrical properties
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/24—Alloying of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, with a semiconductor body
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/10—Containers; Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
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Description
DEUTSCHES
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Germaniumflächengleichrichtereinheiten mit
einem Wärmeableitkörper, der mit einer der Zuleitungen verbunden ist und auf einer Fläche eine mit ihm
verbundene Germaniumscheibe trägt, auf deren anderer Fläche ein geringfügig flexibler, etwas federnder
Bügel aus einem Flachprofil aufliegt, der mit der anderen Zuleitung verbunden ist, wobei die gesamte
Gleichrichtereinheit von einer luftdicht abgeschlossenen zweiteiligen Hülle umgeben ist, von der ein Teil
mit dem Bügel und der andere Teil mit dem Wärmeableitkörper fest verbunden ist.
Derartige Gleichrichtereinheiten sind in der Technik bekannt. Bei den bekannten Einheiten erfolgt die Verbindung
zwischen Bügel und Germaniumscheibe entweder durch eine ohmsche Verbindung, die durch einfaches
Aufliegen des Bügels ohne feste Verbindung mit Scheibe hergestellt werden soll, oder durch tiberziehen
der Germaniumscheibe mit Indium und KaItverschweißung
mit dem Bügel durch starken, senkrecht auf die zu verbindenden Teile ausgeübten Druck.
Beim erstgenannten Verfahren ist die Zuverlässigkeit der Verbindung zwischen Bügel und Germaniumscheibe
in Frage gestellt. Das an zweiter Stelle genannte Verfahren hat den Nachteil, daß bei dem a5
zwecks Kaltverschweißung des Bügels mit der Scheibe auszuübenden hohen Druck die Germaniumscheibe gefährdet
wird. Ziel der Erfindung ist ein Verfahren, mit dem bei den bekannten Gleichrichtereinheiten zwischen
Bügel und Gleichrichterscheibe ein absolut einwandfreier Kontakt ohne Gefahr einer Beschädigung
der zerbrechlichen dünnen Germaniumscheibe hergestellt wird.
Dieses Ziel wird nach der vorliegenden Erfindung dadurch erreicht, daß der Bügel und die diesem zügewandte
Fläche der Germaniumscheibe in an sich bekannter Weise mit einer Indiumschicht überzogen
werden, daß die beiden Hüllkörperteile so zusammengeführt werden, daß die Flächen der beiden Indiumschichten
fest aufeinanderliegen, daß anschließend die beiden HüUkörper zur Kaltverschweißung der beiden
Indiumschichten gegeneinander verdreht werden und daß darauf die Hüllkörperteile luftdicht miteinander
verbunden werden und der HüUkörper evakuiert wird.
Das Herstellungsverfahren gemäß der Erfindung wird durch die Zeichnungen erläutert.
Fig. 1 stellt getrennt die beiden Teile einer Germaniumflächengleichrichtereinheit
vor ihrem Zusammensetzen dar. Eine Hälfte der Zeichnung ist als Schnitt dargestellt.
Fig. 2 ist eine Seitenansicht zu Fig. 1 und zeigt den oberen der beiden Teile von Fig. 1.
Fig. 3 ist eine Ansicht von oben und zeigt den unte-Verfahren
zur Herstellung
einer GermaniumMchengleichrichter-
einheit
Anmelder:
English Elektric Valve Co. Ltd., London
English Elektric Valve Co. Ltd., London
Vertreter: Dr. W. Müller-Bore und Dipl.-Ing. H. Gralfs,
Patentanwälte, Braunschweig, Am Bürgerpark 8
Beanspruchte Priorität:
Großbritannien vom 21. August 1958 und 15. Mai 1959
Großbritannien vom 21. August 1958 und 15. Mai 1959
Peter Morland Tipple, Freshfields, Essex
(Großbritannien),
ist als Erfinder genannt worden
ist als Erfinder genannt worden
ren der beiden Teile von Fig. 1 (Blick auf die Germaniumscheibe) .
Nach den Zeichnungen ist eine Fläche einer rechteckigen Germaniumscheibe 1 durch Lötung mit der
ebenen oberen Fläche einer Wärmeableitung in Form eines schweren Kupferkörpers 2 verbunden, der, wie
dargestellt, einen Flansch hat und auf einem Teil seiner Länge außen mit Gewinde versehen ist, um eine
bequeme Montage zu ermöglichen. Der Körper 2 ist luftdicht mit einem ringartigen Metallhüllkörper 3
verbunden und ragt über diesen hinaus. Der Körper 3 hat einen Begrenzungsrand 3 a, der eine ebene
Fläche 3 b umgibt. Die obere Fläche der Germaniumscheibe wird mit einer dünnen Indiumschicht, beispielsweise
0,5 mm stark, versehen. Diese Schicht kann z. B. eine in der Mitte gelegene Fläche auf der
oberen Seite der Scheibe bedecken. Auf der Oberseite der Indiumschicht wird eine dünne Nickelschicht
(etwa 0,125 mm) aufgebracht, auf der sich wiederum eine zweite Indiumschicht (etwa 0,5 mm) befindet. Es
ist praktisch nicht möglich, diese Schichten in den Zeichnungen getrennt darzustellen. Diese sind daher
nur durch eine einzige dicke Linie 4 auf der Oberseite der dicken Linie 1, die die Scheibe darstellt, angezeigt.
Das obere Ende der Wärmeableitung 2 ragt etwas über die Ebene der Fläche 3 & hinaus — etwa
bis zur Oberseite des Begrenzungsrandes 3a. Die bislang beschriebene Konstruktion bildet den unteren
Teil der Anordnung nach Fig. 1.
109 607/332
Der obere Teil — im oberen Teil von Fig. 1 mit Abstand vom unteren Teil dargestellt — enthält eine
Verbindung in Form eines Kupferstreifens 5, der z. B. 25 mm breit und 1,6 mm dick ist und zu einem
flachen Bügel, wie in Fig. 1 bei 5 a dargestellt, gebogen ist. Dieser Kupferstreifen durchdringt hermetisch
abgedichtet, z. B. durch Verlötung mit der Kappe an der Durchdringungsstelle, eine Metallkappe 6, so
daß der gesamte Bügel sich unterhalb der Kappe befindet. Die Kappe wird weiterhin von einem gegen sie
hermetisch abgedichteten Kupferrohr 7 durchdrungen, das als Pumpstutzen verwendet wird. Mit der Innenseite
des offenen Kappenrandes vakuumdicht verbunden ist ein Glashüllkörper 8, dessen andere Kante
vakuumdicht mit der Innenseite des Flansches eines Metallhüllkörpers 9 verbunden ist. Der Außendurchmesser
des Metallhüllkörpers 9 ist gleich dem Innendurchmesser des Begrenzungsrandes 3a, so daß die
beiden Körper mit der flachen Unterfläche 9 a des Körpers 9 und der ebenen Fläche 3 b gegeneinander
passen. Die untere Fläche des Bügels 5 a ist eben und mit einem Indiumüberzug 10, wie durch die so· bezeichnete
dicke Linie markiert, versehen. Die Abmessungen der verschiedenen Teile sind so, daß, wenn der
obere Teil der Konstruktion nach Fig. 1 mit dem unteren Teil durch Einfügen des Körpers 9 in Körper 3
zusammengepaßt wird, die beiden mit Indium überzogenen Oberflächen 10 und 4 zusammengebracht und
gegeneinandergepreßt werden. Die beiden Teile werden zusammengesetzt, indem sie wie beschrieben zusammengebracht
werden, wobei die Indiumflächen 10 und 4 fest aufeinandergepreßt werden und beide Teile
um einen Winkel, z. B. etwa 5 bis 10°, verdreht werden, so daß eine Indiumfläche unter Druck gegen die
andere Indiumfläche verdreht wird. Wird diese Verdrehung durchgeführt, wenn die Indiumflächen 10 und 4
fest aufeinandergepreßt werden, so wird eine feste und zuverlässige Kaltverschweißung zwischen ihnen
erzielt und so eine dauerhafte Verbindung geschaffen. Der Druck, der tatsächlich ausgeübt werden muß, damit
die Verdrehung eine gute Kaltschweißung bewirkt, ist weder sehr kritisch noch sehr groß. Er entspricht
von Hand ausgeübtem Druck, und in der normalen Praxis wird die Schweißung durch Zusammenpressen
der beiden Teile von Hand und anschließendes Verdrehen erzielt. Der Druck muß natürlich groß genug
sein, um eine gute Schweißung zu ermöglichen, aber nicht so groß, daß das Germanium beschädigt wird.
Der Leiter 5 ist nur geringfügig flexibel, jedoch vermittelt der Bügel 5 a genügend Federung, um ein
wenig nachzugeben, wenn der erforderliche Druck ausgeübt wird. Nach Durchführung der Kaltschweißung
werden die Hüllkörper 9 und 3 miteinander verlötet oder in anderer Art luftdicht miteinander verbunden
und das Innere der so vervollständigten Hülle durch das Rohr 7 leergepumpt. Anschließend wird das
Rohr 7 abgedichtet.
Claims (2)
1. Verfahren zur Herstellung einer Germaniumflächengleichrichtereinheit
mit einem Wärmeableitkörper, der mit einer der Zuleitungen verbunden ist und auf einer Fläche eine mit ihm verbundene
Germaniumscheibe trägt, auf deren anderer Fläche ein geringfügig flexibler, etwas federnder Bügel
aus einem Flachprofil aufliegt, der mit der anderen Zuleitung verbunden ist, wobei die gesamte
Gleichrichtereinheit von einer luftdicht abgeschlossenen zweiteiligen Hülle umgeben ist, von der ein
Teil mit dem Bügel und der andere Teil mit dem Wärmeableitkörper fest verbunden ist, dadurch gekennzeichnet,
daß der Bügel (5 a) und die diesem zugewandte Oberfläche der Germaniumplatte (4)
in an sich bekannter Weise mit einer Indiumschicht überzogen werden, daß die beiden Hüllkörperteile
(6, 8, 9; 3) so zusammengeführt werden, daß die Flächen der beiden Indiumschichten
fest aufeinanderliegen, daß anschließend die beiden Hüllkörper zur Kaltverschweißung der beiden
Indiumschichten gegeneinander verdreht werden und daß darauf die Hüllkörperteile luftdicht miteinander
verbunden werden und der Hüllkörper evakuiert wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Hüllkörper gegeneinander
um einen Winkel von 5 bis 10° verdreht werden.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsches Gebrauchsmuster Nr. 1 754 512;
USA.-Patentschrift Nr. 2 830 238.
Deutsches Gebrauchsmuster Nr. 1 754 512;
USA.-Patentschrift Nr. 2 830 238.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
© 109 607B32 5.61
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB1233357X | 1958-08-21 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1106872B true DE1106872B (de) | 1961-05-18 |
Family
ID=10884638
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEE18035A Pending DE1106872B (de) | 1958-08-21 | 1959-07-29 | Verfahren zur Herstellung einer Germaniumflaechengleichrichter-einheit |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1106872B (de) |
FR (1) | FR1233357A (de) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL135878C (de) * | 1961-08-12 | |||
US3218524A (en) * | 1961-10-12 | 1965-11-16 | Westinghouse Electric Corp | Semiconductor devices |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1754512U (de) * | 1955-02-26 | 1957-10-24 | Siemens Ag | Flaechengleichrichter bzw. -transistor. |
US2830238A (en) * | 1955-09-30 | 1958-04-08 | Hughes Aircraft Co | Heat dissipating semiconductor device |
-
1959
- 1959-07-29 DE DEE18035A patent/DE1106872B/de active Pending
- 1959-08-20 FR FR803244A patent/FR1233357A/fr not_active Expired
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1754512U (de) * | 1955-02-26 | 1957-10-24 | Siemens Ag | Flaechengleichrichter bzw. -transistor. |
US2830238A (en) * | 1955-09-30 | 1958-04-08 | Hughes Aircraft Co | Heat dissipating semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR1233357A (fr) | 1960-10-12 |
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