DE1295087B - Gehaeuse fuer ein Halbleiterbauelement, insbesondere Halbleiter-Stapeldiode - Google Patents

Gehaeuse fuer ein Halbleiterbauelement, insbesondere Halbleiter-Stapeldiode

Info

Publication number
DE1295087B
DE1295087B DEP30880A DEP0030880A DE1295087B DE 1295087 B DE1295087 B DE 1295087B DE P30880 A DEP30880 A DE P30880A DE P0030880 A DEP0030880 A DE P0030880A DE 1295087 B DE1295087 B DE 1295087B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
soldered
housing
semiconductor
disc
sleeve
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEP30880A
Other languages
English (en)
Inventor
Nijhuis Herman Cornelis
Losch Fritz
Koehlitz Rolf
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Philips Intellectual Property and Standards GmbH
Original Assignee
Philips Patentverwaltung GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Patentverwaltung GmbH filed Critical Philips Patentverwaltung GmbH
Priority to DEP30880A priority Critical patent/DE1295087B/de
Publication of DE1295087B publication Critical patent/DE1295087B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • High-Tension Arc-Extinguishing Switches Without Spraying Means (AREA)

Description

  • Die Erfindung bezieht sich auf ein Gehäuse für ein Halbleiterbauelement, insbesondere Halbleiter-Stapeldiode, bestehend aus einer Keramikhülse, deren Stirnseiten unter Verwendung eines Zwischenringes mit metallischen Deckplatten hermetisch verlötet sind.
  • Es sind solche Gehäuse bekannt, bei denen auf die beiden Endflächen der Keramikhülse Metallplatten vakuumdicht aufgelötet sind. Die Metallplatten bestehen dabei vorzugsweise aus einem Material, dessen Ausdehnungskoeffizient dem Ausdehnungskoeffizienten der Keramik angepaßt ist. Es hat sich jedoch herausgestellt, daß derartige Gehäuse nur sehr schwer vakaumdicht hergestellt werden können, da unter anderem die beim Verlöten des Gehäuses auftretende Erwärmung über die damit verbundene Ausdehnung des in der Hülse eingeschlossenen Gases zu Undichtigkeiten in der Lotnaht führt. Um eine Hart-oder Weichlötung als letzten Arbeitsgang, bei dem das Gehäuse vakuumdicht verschlossen wird, zu vermeiden, ist es möglich, auf die keramische Hülse an Stelle der zweiten Abdeckplatte eine flache Ringscheibe zu löten, die aus an die Keramik angepaßtem Material besteht und deren Außendurchmesser größer als der der Keramik ist. An diesem Ring kann dann die zweite Abdeckplatte vaktiumdicht durch Elektroschweißung befestigt werden.
  • Bei dieser Konstruktion wirken sich jedoch die durch die Elektroschweißung auftretenden Biegemomente, die durch den Ring auf die Keramik übertragen werden, nachteilig aus. Dadurch hervorgerufene Zugbeanspruchungen führten leicht zu Rissen in der Kennaik. Um diese Biegemomente abzuschwächen und somit ein Undichtwerden des Gehäuses zu vermeiden, könnte eine Ringscheibe mit einem durchgezogenen Kragen verwendet werden.
  • Beim Verschließen des Gehäuses könnte dann zunächst der durchgezogene Kragen an die Keramikhülse angelötet und anschließend daran die zweite Metallscheibe mit dem äußeren Scheibenrand elektrisch verschweißt werden. Die bekannte Zug- und Schwerkraftbelastung durch den Schweißvorgang fällt durch diese flexible Ausbildung der Verbindung weitgehend weg. Die Ringscheibe mit dem durchgezogenen Kragen ist jedoch schwer herstellbar und erfordert insbesondere die Verwendung von aufwendigen Spezialwerkzeugen.
  • Weiter war es an sich bekannt, Gehäuse für Halbleiterbauelemente mit einer Kerinaikhülse an einer Seite mit einer elastischen Deckplatte zu verschließen, die jedoch mit dem äußeren Umfang der Keramikhülse verlötet und anschließend keiner weiteren Bearbeitung (Löten, Schweißen usw.) mehr unterworfen wird.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die genannten Nachteile der bekannten Gehäuse zu vermeiden.
  • Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, daß wenigstens eine Deckplatte bzw. Grundplatte an eine durch Kröpfen in sich federnd ausgebildete Zwischenringscheibe, die mit einer an die Stirnfläche der Keramikhülse angelöteten Metallscheibe vakuumdicht verbunden ist, am äußeren Rand bzw. so weit von der Lötverbindung zwischen der Scheibe und der Ringscheibe entfernt angeschweißt ist, daß nur ein unbeachtlicher Betrag der von der Ringscheibe beim Verschweißen aufgenommenen Wärme die Lötverbindung erreicht.
  • Damit werden die Vorteile erzielt, daß kaum Zug-und Schwerkräfte in der Lötverhindung auftreten und die Hülse vakuumdicht fest verschlossen ist. Dieser gute Verschluß wird dadurch begünstigt, daß die Keramik mit dem Metall zunächst durch eine großflächige Metall-Keramikverbindung verbunden ist, die ohne Mühe ausreichend vakuumdicht hergestellt werden kann, während der Endverschluß der Hülle durch das zum Verschließen an sich vorteilhafte Elektroschweißen erreicht wird. Die zum Verschluß benötigten Einzelteile sind leicht herstellbar.
  • Die Erfindung wird an Hand des in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispieles näher erläutert. Das Mittelstück 1 der in der Figur dargestellten Hülle für ein Halbleiterbauelement besteht aus einer keramischen Hülse. Auf die obere Stirnfläche der Hülse ist eine aus einer Eisen-Nickel-Kobaltlegierung bestehende Metallscheibe 3 aufgelötet. An die untere Stirnfläche der Hülse 1 ist zunächst ein aus einer Eisen-Nickel-Kobaltlegierung bestehender Ring 5 angelötet, der wiederum durch, Verlöten mit einer Ringscheibe 7 verbunden ist; in der Nähe der Verbindungsstelle mit der Scheibe 5 ist die Ringscheibe 7 etwas verkröpft, wodurch sie nachgiebig geworden ist und die Ebene der Schweißung nicht in -der der Lötung liegt. Nahe der Außenkante 9 befindet sich schließlich die Verschweißu#e## mit einer metallischen Grundplatte 13, die das nicht näher zu erläuternde Halbleiterbauelement 15- -trägt. Die ringfönnige Verschweißung 11 ist derart weit von der Lötverbindung zwischen der Scheibe.5,und der Ringscheibe 7 entfernt angeordnet, daß nur' 'eimiunbedeutender, für die Lötverbindungen unbeachtlicher Betrag der beim Schweißen von der Ringscheibe 7 aufgenommenen Wärme die Lötverbindungen erreicht. Der größte Teil wird auf dem Weg von der Verschweißung zur Lötverbindung von der Ringscheibe 7 abgegeben. Der Durchmesser der ringförmigen Verschweißung 11 und damit der Außendurchmesser der Ringscheibe 7 ist, um dieses Ziel sicher zu erreichen, größer als der Hülsenaußendurchmesser. Damit wird gleichzeitig auch das Anlegen der Schweißelektroden erleichtert.
  • Eine derartige aus einfachen Teilen aufgebaute Hülle mit einem elastisch ausgebildeten Verschluß läßt sich mit geringem Aufwand vakuumdicht herstellen.

Claims (1)

  1. Patentanspruch: Gehäuse für ein Halbleiter-Bauelement, insbesondere Halbleiter-Stapeldiode, bestehend aus einer Keramikhülse, deren Stirnseiten unter Verwendung eines Zwischenringes mit metallischen Deckplatten hermetisch verlötet sind, da du r eh gekennzeichnet, daß wenigstens eine Deckplatte bzw. Grundplatte (13) an eine durch Kröpfen in sich federnd ausgebildete Zwischenringscheibe (7), die mit einer an die Stirnfläche der Keramikhülse (1) angelöteten Metallscheibe (5) vakuumdicht verbunden ist, am äußeren Rand bzw. so weit von der Lötverbindung zwischen der Scheibe (5) und der Ringscheibe (7) entfernt angeschweißt ist, daß nur ein unbeachtlicher Betrag der von der Ringscheibe (7) beim Verschweißen aufgenommenen Wärme die Lötverbindung erreicht.
DEP30880A 1962-12-29 1962-12-29 Gehaeuse fuer ein Halbleiterbauelement, insbesondere Halbleiter-Stapeldiode Pending DE1295087B (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEP30880A DE1295087B (de) 1962-12-29 1962-12-29 Gehaeuse fuer ein Halbleiterbauelement, insbesondere Halbleiter-Stapeldiode

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEP30880A DE1295087B (de) 1962-12-29 1962-12-29 Gehaeuse fuer ein Halbleiterbauelement, insbesondere Halbleiter-Stapeldiode

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1295087B true DE1295087B (de) 1969-05-14

Family

ID=7372072

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEP30880A Pending DE1295087B (de) 1962-12-29 1962-12-29 Gehaeuse fuer ein Halbleiterbauelement, insbesondere Halbleiter-Stapeldiode

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE1295087B (de)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE933527C (de) * 1952-08-17 1955-09-29 Telefunken Gmbh Kristallode
FR1293741A (fr) * 1960-05-23 1962-05-18 Westinghouse Electric Corp Dispositifs à semi-conducteur hermétiquement scellés
FR1304912A (fr) * 1960-11-02 1962-09-28 Siemens Ag Procédé d'assemblage par soudage des éléments d'un boîtier destiné à un dispositif semi-conducteur et dispositif de mise en oeuvre dudit procédé

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE933527C (de) * 1952-08-17 1955-09-29 Telefunken Gmbh Kristallode
FR1293741A (fr) * 1960-05-23 1962-05-18 Westinghouse Electric Corp Dispositifs à semi-conducteur hermétiquement scellés
FR1304912A (fr) * 1960-11-02 1962-09-28 Siemens Ag Procédé d'assemblage par soudage des éléments d'un boîtier destiné à un dispositif semi-conducteur et dispositif de mise en oeuvre dudit procédé

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2325844C3 (de) Hydropneumatischer Druckspeicher
DE1138869B (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
EP0436529A1 (de) Gasentladungs-überspannungsableiter.
DE2314669C2 (de) Zündkerze
DE1295087B (de) Gehaeuse fuer ein Halbleiterbauelement, insbesondere Halbleiter-Stapeldiode
DE2403566A1 (de) Sockel fuer lichtemittierende halbleiterbauelemente
DE2246423A1 (de) Thyristor mit scheibenfoermigem gehaeuse
DE1171092B (de) Verfahren zur Anbringung eines starren Guertels um eine Kathodenstrahlroehre als Implosionsschutz
DE1489616A1 (de) Gasentladungslampe
DE2946222A1 (de) Piezoelektrischer resonator
DE973105C (de) Vakuumdichte Verbindung zwischen Bauteilen eines Entladungsgefaesses aus Metall, z. B. eines Stromrichters
DE1106872B (de) Verfahren zur Herstellung einer Germaniumflaechengleichrichter-einheit
DE1589241C3 (de) Elektrode für eine Hochdruck-Gas- und/oder -Dampfentladungslampe
EP0056834B1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Rohrheizkörpereinbaueinheit
DE507717C (de) Vakuumventil fuer Grossgleichrichter mit einer die Ventilkammer abschliessenden Membran
DE2725847A1 (de) Anordnung zur druckkontaktierung einer halbleiterscheibe
AT137170B (de) Beweglicher Stehbolzen.
DE2534954B2 (de) Vakuumschaltrohr
AT208404B (de) Verfahren zum Einbauen von gegen Wärme und atmosphärische Einwirkungen empfindlichen Vorrichtungen in ein Metallgehäuse
DE1141729B (de) Vakuumdichte Schweissverbindung einer Druckglaseinschmelzung mit einem anderen metallischen Bauteil, insbesondere fuer Stromrichter-entladungsgefaesse
AT261001B (de) Hermetisch verschlossenes Gehäuse für Halbleiterbauelemente
DE717746C (de) Verfahren zur Herstellung einer vakuumdichten Stromleiterdurchfuehrung durch Quarzglas
DE929916C (de) Stromeinfuehrung mit duennen Folien aus hochschmelzenden Metallen in Entladungsgefaesse aus Quarzglas oder hochsilikathaltigen Glaesern
DE1029726B (de) Vakuumdichte Verbindung eines vorzugsweise rohrfoermigen Keramikteiles hoher Festigkeit mit einem eine scheibenartige Stirnflaeche aufweisenden Metallteil
DE2206574A1 (de) Verfahren zum Anlöten eines Metallfilters an einem nicht porösen Metallelement