DE1068816B - - Google Patents
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- DE1068816B DE1068816B DENDAT1068816D DE1068816DA DE1068816B DE 1068816 B DE1068816 B DE 1068816B DE NDAT1068816 D DENDAT1068816 D DE NDAT1068816D DE 1068816D A DE1068816D A DE 1068816DA DE 1068816 B DE1068816 B DE 1068816B
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
- H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
- H01L23/051—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body another lead being formed by a cover plate parallel to the base plate, e.g. sandwich type
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- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
- H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
- H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
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Description
DEUTSCHES
Es ist bereits bekannt, einen Spitzentransistor mit einer Scheibe eines Halbleitermaterials auszurüsten,
welche mittels eines durchbrochenen Stützgliedes aus leitendem Material abgestützt wird und zwei die einander
gegenüberliegenden Flächen berührende Kontaktglieder aufweist,, .wobei ' Isölierteile auf sich
gegenüberliegenden Seiten des die Scheibe umgebenden durchbrochenen; Stützgliedes zwischen dem
Stützglied und den Kontaktgliedern angeordnet sind, so daß der Gesamtatifbäu" eine längliche rohrfÖrmige
Vorrichtung ergibt. !
Die Erfindung sieht' eine verbesserte und vereinfachte
Konstruktion : eines Flächentransistors vor,
dessen Scheibe aus Halbleitermaterial von einem durchbrochenen Stützglied aus leitendem Material getragen
ist, gegen den auf einander gegenüberliegenden Flächen Kontaktglieder leitend anliegen, und bei dem
auf sich gegenüberliegenden Seiten des die Scheibe umgebenden durchbrochenen Stützgliedes zwischen
diesem und den Koritaktgliedern Isolierteile angeordnet sind. Dies wird gemäß der Erfindung dadurch erreicht,
daß der Transistor ein an sich bekannter Flächentransistor mit Emitter- und Kollektorelektrode
auf sich gegenüberliegenden Flächen der Scheibe ist, daß die beiden Kontaktglieder, deren Mittelteil mechanisch
und elektrisch direkt mit der Emitter- und Kollektorelektrode in Berührung steht, scheibenförmig
ausgestaltet sind und daß die Isolierteile sowohl mit dem Stützglied als auch mit dem Umfang der
Kontaktglieder abdichtend verbunden sind, und eine hermetisch dichte Einfassung der Scheibe bilden.
Der Mittelteil eines oder beider Kontaktglieder kann schalenförmig ausgebildet sein, wobei dieser Teil
bzw. diese Teile die Elektrode bzw. die Elektroden auf der Scheibe berührt bzw. berühren, wobei die Einrichtung
vorzugsweise die Gestalt eines flachen Zylinders aufweist. Der durchbrochene Trägerteil für
die Germaniumscheibe und die plattenförmigen Berührungsglieder können sowohl kreisförmig als auch
anders gestaltet sein.
Die vorliegende Anordnung ergibt gegenüber bisher bekannten Ausführungen den Vorteil einer wirksamen
und schnellen Ableitung der in den Übergangsbereichen der Einrichtung auftretenden Wärmeentwicklung
mittels der großen scheibenförmigen, direkt mit der Emitter- und Kollektorelektrode in Berührung
befindlichen Kontaktglieder, und außerdem wird eine viel einfachere und billigere Ausführung
von Flächentransistoren erreicht.
Der vorliegende Transistor besteht aus einer
dünnen Scheibe aus Halbleitermaterial oder einem blattartigen Stück des Materials, welches zwei gegenüberliegende.
Flächen aufweist, zu denen eine elektrische Berührung hergestellt werden kann.
Transistor
Anmelder:
Pye Limited, Cambridge (Großbritannien)
Vertreter: Dr. H. Wilcken, Patentanwalt,
Lübeck, Breite Str. 52/54
Beanspruchte Priorität: Großbritannien vom 12. September 1955
Dennis Quintrell Fuller, Cambridge (Großbritannien),
ist als Erfinder genannt worden
Zum besseren Verständnis wird die Erfindung nun an Hand der Zeichnung, die Ausführungsbeispiele
wiedergibt, erläutert, und zwar zeigt :
Fig. 1 einen schematischen Querschnitt eines Flächentransistors,
Fig. 2 eine Aufsicht auf die Anordnung nach Fig. 1 mit abgenommenem Deckel,
Fig. 3 einen schematischen Querschnitt durch eine andere Ausführung.
Nach dem Ausführungsbeispiel Fig. 1 und 2 besteht ein Transistor aus einer Scheibe 1 aus HaIbleitermaterial,
ζ. B. Germanium, die auf einer durchbrochenen Metallscheibe 2 montiert ist und mit einer
Emitterelektrode 1 α und einer Kollektorelektrode 1 b
auf gegenüberliegenden Seiten der Scheibe 1 im Bereich der Scheibendurchbrechung versehen ist. Die
Metallscheibe 2 bildet die Basiselektrode des Transistors. Die Emitter- und Kollektorelektroden bestehen
aus Indiumtropfen, die mit der Germaniumscheibe legiert sind. Auf jeder Seite der die Germaniumscheibe
tragenden Metallscheibe 2 ist ein plattenförmiges Kontaktglied in Form einer Metallscheibe 3 angeordnet
und mit einem ausgewölbten oder nach innen gerichteten zentralen Teil 3 α versehen, der die
Emitter- und die Kollektorelektroden 1 α und 1 b berührt.
Die Scheiben 2 und 3 bestehen aus einem Metall, welches einen ähnlichen Ausdehnungskoeffizienten
wie Glas aufweist.
Versilberte Glasringe 4 sind zwischen den beiden Flächen der Scheibe 2 und den zugekehrten Metallplatten 3 angeordnet. Den Umfangskanten der Metall-
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Claims (3)
1. Transistor, dessen Scheibe aus Halbleitermaterial von einem durchbrochenen Stützglied aus
leitendem Material getragen ist, gegen den auf
ίο einander gegenüberliegenden Flächen Kontaktglieder
leitend anliegen, und bei dem auf sich gegenüberliegenden Seiten des die Scheibe umgebenden
durchbrochenen Stützgliedes zwischen diesem und den Kontaktgliedern Isolierteile angeordnet
sind, dadurch gekennzeichnet, daß der Transistor ein an sich bekannter Flächentransistor mit
Emitter- und Kollektorelektrode auf sich gegenüberliegenden Flächen der Scheibe (1) ist und daß
die beiden Kontaktglieder (3), deren Mittelteil mechanisch und elektrisch direkt in Berührung mit
der Emitter- und Kollektorelektrode (1 a, 16)
steht, scheibenförmig ausgestaltet sind und daß die Isolierteile (4) sowohl mit dem Stützglied (2) als
auch mit dem Umfang der Kontaktglieder (3) abdichtend verbunden sind und eine hermetisch
dichte Einfassung der Scheibe (1) bilden.
2. Transistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Mittelteil eines oder beider Kontaktglieder
(3) schalenförmig ist und daß dieser Teil bzw. diese Teile mechanisch und elektrisch
direkt mit einer Elektrode bzw. den Elektroden der Scheibe (1) in Berührung steht bzw. stehen.
3. Transistor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß er Kreisform mit einem
Durohmesser aufweist, der wesentlich größer als der Abstand zwischen den beiden Kontaktgliedern
(3, 23) ist, und daß jedes Kontaktglied und das Stützglied (2, 22) mit einer Anschlußlasche (5, 25)
versehen sind.
40
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In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Patentschrift Nr. 814 486;
britische Patentschrift Nr. 728 304;
»Proceedings of the IRE«, Bd. 42 (1954), H. 8, S. 1247 bis 1250.
Deutsche Patentschrift Nr. 814 486;
britische Patentschrift Nr. 728 304;
»Proceedings of the IRE«, Bd. 42 (1954), H. 8, S. 1247 bis 1250.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Applications Claiming Priority (1)
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---|---|---|---|
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Publications (1)
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---|---|
DE1068816B true DE1068816B (de) | 1959-11-12 |
Family
ID=10237196
Family Applications (1)
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Country Status (6)
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DE (1) | DE1068816B (de) |
FR (1) | FR1156702A (de) |
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- NL NL210518D patent/NL210518A/xx unknown
- NL NL101253D patent/NL101253C/xx active
- DE DENDAT1068816D patent/DE1068816B/de active Pending
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