DE6912949U - Halbleitergleichrichter. - Google Patents

Description

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GENERAL ELECTRIC COMPANY, Schenectady, N.Y. V.St.A. Halbleitergleichrichter

Die Neuerung bezieht sich auf einen Halbleitergleichrichter mit einem scheibenförmigen Halbleiterkörper, an dessen großflächigen Stirnseiten eine obere und eine untere großflächige Hauptelektrode in Form einer dünnen Scheibe aus einem elektrisch hochleitenden Metall, wie Kupfer, Silber, Aluminium, Messing, ohne metallurgische Verbindung unter einem Druck anliegen, der durch zwei Stempel aus elektrisch hochleitendem Metall, wie Kupfer, Aluminium, Messing von deren großflächigen Stirnseiten auf die Außenseiten der Elektroden ohne metallurgische Verbindung ausgeübt wird.

Für die elektrische Energieumwandlung werden heute in immer stärkerem Maße Festkörpergleichrichter aus Halbleitermaterial, z.B. Silicium, verwendet, die hohe Ströme führen können. Damit durchschnittliche Vorwärtsströme von 250 Ampdre oder mehr fließen können, sind großflächige Halbleiterkörper notwendig. Im allgemeinen werden dünne, scheibenförmige, vielschichtige Halbleiterkörper verwendet, die zwischen ebenen Metallelektroden angeordnet sind, welche derart an zwei entgegengesetzten Enden eines Isolatorhohlkörpers befestigt sind, daß der Halbleiterkörper von einem abgedichteten Gehäuse umgeben ist. Bei Verwendung eines zweischichtigen (PN)-Siliciumkörpers erhält man einen einfachen Gleichrichter oder eine Diode, wohingegen man bei Verwendung eines vierschichtigen (PNPN)-Halbleiterkörpers mit einer Steuerelektrode einen steuerbaren Gleichrichter bzw. Thyristor erhält. Für einen optimalen Wirkungsgrad ist es in jedem Fall erforderlich, daß die Grenzflächen zwischen den. Endflächen des Halb-

leiterkörpers und den auf diese aufgebrachten Elektroden einen möglichst geringen elektrischen und thermischen Widerstand aufweisen. In der Praxis ist es jedoch schwierig, zwischen diesen Teilen des abgedichteten Halbleitergleichrichters eine großflächige Kontaktierung mit geringem Widerstand aufrechtzuerhalten, da der halbleiterkörper nicht den gleichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten wie die angrenzenden Metallelektroden aufweist und daher beim Steigen und Pallen der Temperatur die Übergangsflächen zwischen Halbleiter und Elektrode leicht brechen.

Das Problem nicht übereinstimmender Ausdehnungskoeffizienten ist in der Halbleitertechnik seit langer Zeit bekannt. Zur Vermeidung dieses Problems werden Siliciumkörper vorzugsweise auf Metallplatten befestigt, deren Ausdehnungskoeffizient in dem bei der Herstellung und beim Betrieb benötigten Temperaturbereich etwa dem des Siliciuros entspricht. Bei Halbleitergleichrichtern für sehr hohe Ströme, bei denen über einen breiten Temperaturbereich von beispielsweise 150 C ein in-

P niger, großflächiger Kontakt von mehr als etwa 3,2 cm (0,5

Zoll ) Größe aufrechterhalten werden muß, innerhalb von welchen der Halbleiterkörper nicht zerstört werden darf, eignen sich besser durch Druck hergestellte Gleitkontakte.

Bei der Herstellung eines solchen durch Druck bewirkten Gleitkontaktes wird kein Lötmittel, Bindemittel oder dergleichen zum Befestigen des Halbleiterkörpers zwischen den beiden Hauptelektroden des Halbleitergleichrichters verwendet. Stattdessen werden diese Teile unter Druck eingespannt und dabei in gleitender Berührung gehalten, so daß sie sich theoretisch, wenn die Betriebstemperatur ansteigt, mit verschiedenen Geschwindigkeiten frei ausdehnen könnten.

Es hat sich jedoch gezeigt, daß die Reibungskräfte, die bei der Gleitbewegung in den Grenzflächen der Druckkontakte auf-

treten, insbesondere bei Hochstrom-Bauelementen wegen der groCen Temperaturschwankungen so groß sind, daß die Siliciumkörper übermäßig beansprucht werden. Zur Vermeidung dieses Nachteils ist der Halbleitergleichrichter der eingangs erwähnten Art dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der oberen Elektrode und dem oberen Stempel eine Pufferscheibe angeordnet ist, die an der Außenseite der oberen Elektrode und der Stirnseite des oberen Stempels ohne metallurgische Verbindung großflächig anliegt und die aus einem anderen elektrisch leitenden Material als die Stempel der Elektroden besteht, dessen Wärmeausdehnungskoeffi- I zient annähernd derselbe wie derjenige des Halbleiters und wesentlich verschieden von demjenigen der Stempel und demjenigen der Elektroden ist.

Eine Ausführungsform der Neuerung wird nachstehend an Hand der Zeichnungen beispielshalber beschrieben.

Die Fig. 1 ist ein Schnitt durch einen Halbleitergleichrichter für hohe Ströme nach der Neuerung.

Die Fig. 2 zeigt einen Ausschnitt der Fig. 1 in Vergrößerung.

Die Fig. 3 ist eine Draufsicht' auf den neuerungsgemäßen Reibungsdämpfer.

Im folgenden wird an Hand der Fig. 1 ein Halbleitergleichrichter 11 beschrieben, dessen einzelne Teile, wenn es nicht ausdrücklich anders erwähnt ist, kreisförmig ausgebildet sind. Der Halbleitergleichrichter 11 enthält einen scheibenförmigen Halbleiterkörper 12, der zwischen den ebenen Böden bzw. Elektroden 13 und 14 zweier tassenförmiger Anschlußelemente angeordnet ist. Die Randabschnitte 15 und 16 der beiden Anschluß-

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elemente sind derart an entgegengesetzten Enden 17 und 18 eines elektrisch ioolierenden Hohlkörpers 19 befestigt, daß oich ein aus einem Stück bestehendes, hermetisch abgedichtetes Gehäuse für den Halbleiterkörper 12 ergibt. Wie in Pig. 1 angedeutet ist, ist der Halbleitergleichrichter unter Druck zwischen den einander zugewandten Enden zweier aufeinander ausgerichteter Stempel 20 und 21 eingespannt, die als elektrisehe und thermische Leiter dienen.

Der scheibenförmige Halbleiterkörper 12 des Halbleitergleichrichters 11 besteht aus einem Halbleitermaterial und enthält, wie es in der Pig. 2 angedeutet ist, vorzugsweise eine z.B. 0,3 mm dünne großflächige, kreisrunde Scheibe 22 aus asymmetrisch leitendem Silicium, die auf einem dickeren, z.B. 1,5 mm dicken scheibenförmigen Substrat 23 aus Wolfram oder Molybdän befestigt ist, auf dessen äußerer Oberfläche ein Gold-Nickel-Kontakt 24 (z.B. 94$ Gold, f.⁰/« Nickel) vorgesehen ist, während auf der äußeren Oberfläche der SiIiciumscheibe 22 ein dünner Metallkontakt 25 angebracht ist, der im Bedarfsfall auch weggelassen werden könnte. Der Kontakt besteht vorzugsweise aus Gold, könnte jedoch auch aus anderen Metallen wie Silber, Aluminium, Indium, Rhodium, Nickel oder irgendwelchen Legierungen dieser Metalle bestehen.

Der Halbleiterkörper 12 kann in bekannter Weise hergestellt werden. Sein Durchmesser beträgt z.B. 32,4 mm. Im Inneren der Siliciumscheibe 22 ist mindestens ein großflächiger PN-Übergang vorgesehen, der im wesentlichen parallel zu den Endflächen verläuft. Das gezeigte Ausführungsbeispiel ist ein steuerbarer Halbleitergleichrichter, d.h. Thyristor, dessen Halbleiterkörper vier Zonen von abwechselnd entgegengesetztem Leitungstyp enthält, von denen die eine am Band eine Steuerelektrode 26 aufweist, die mit einer flexiblen Steuerleitung 27 ohmsch kontaktiert ist. Mit dem Substrat 23 ist in diesem falle eine P-Ieitende Zone des Halbleiterkörperβ 22

ohmsch verbunden, so daß der Vorwärtsstrom durch den Ha χ bleiterkörper vom Kontakt 24 zum Kontakt 25 fließt. Die Kontakte sind geschliffen und geläppt, damit ihre Kontaktflächen parallel zueinander und senkrecht zur Achse des Halbleiterkörpers 12 liegen. Auf der ringförmigen Fläche des Halbleiterkörper 12, die in radialer Richtung über die Oberfläche des Kontaktes 25 hinausragt, und auf demjenigen Teil der Oberfläche des Kontaktes 25, der neben der am Umfang befindlichen Steuerelektrode 26 liegt, ist ein Schutzüberzug 28 aus Isoliermaterial, z.B. Siliconkautschuk, vorgesehen.

Wie aus der Pig. 1 hervorgeht, befinden sich die entgegengesetzten Endflächen des Halbleiterkörpers 12 mit je einer ebenen Oberfläche der parallelen Elektroden 13 und 14 der beabstandeten Anschlußelemente des Halbleitergleichrichters 11 in Anlage, so daß der zwischen den Stempeln 20 und 21 fließende Verbraucherstrom auch durch die Elektroden 13 und 14 und den Halbleiterkörper 12 fließt. Dabei kann die Elektrode 13 auch als Anode" und die Elektrode 14 auch als Katode bezeichnet werden. Jede Elektrode besteht aus einer dünnen Scheibe aus einem hochleitenden, duktilen Metall wie z.B. Silber, Aluminium, Messing oder vorzugsweise Kupfer. Die besten Ergebnisse erhält.man, wenn die Elektroden 13 und 14 j · mit sehr dünnen Silber-, Gold- oder Nickelschichten plattiert sind.

· Die Anode 13 ist mittels eines dünnen, im wesentlichen zyi, lindrischen Rohrs 29 bleibend mit dem nach außen flansch-

5j artig erweiterten Randabschnitt 15 verbunden, der an einer

metallisierten Endfläche 17 des Isolatorhohlkörpers 19 angelötet oder andersartig befestigt ist. Die Teile 13, 15 und 29 bilden somit ein aus einem Stück bestehendes, tassenförmiges Anschlußelement, wobei das Rohr 29 ein Teil einer Art elasti- scher Membran (Diaphragma) ist, die wie gezeigt in den Isola- torhohlkörper 19 ragt. Ein ähnliches Anschlußelement ist

durch dio Katode 14» don Randabochnitt 16 und ein dieco boiden Toile vcrblndendea Rohr 30 goblldet, welches jedoch nicht zylindrisch ist, sondern einen mit einer Einbuchtung versehenen Abschnitt 30a aufweist, durch den ein vergrößerter Raum zum Anschluß einer Steuerzuleitung 27 an die Steuerelektrode gebildet ist. Außerdem ist die Katode 14 im Gegensatz zur kreisrunden Anode 13 im wesentlichen D-förmig ausgebildet, indem in ihrem linken Teil 31 ein Randsegment abgebogen ist, damit derjenige Katodenteil, der in der Nähe der peripheren Steuerelektrode 26 an die obere Oberfläche des Halbleiterkörpers 12 angrenzt, entlastet wird.

Damit auch die innere Steuerzuleitung 27 von außen her zugänglich ist, enthält der Halbleitergleichrichter 11 eine Steuerklemme 33 aus leitendem Material, die durch den Isolatorhohlkörper 19 geführt ist. Wie die Pig. 1 zeigt, enthält der Isolatorhohlkörper 19 zwei koaxial zueinander angeordnete Zylinderringe 34 und 35 mit gleichem Innendurchmesser, die vorzugsweise aus Keramik bestehen. Der Zylinderring 35, an dessen metallisierter Endfläche 18 eier Randabschnitt 16 des Katodenanschlußelementes angelötet ist, ist in Achsrichtung relativ kurz, wohingegen der Zylinderring 34 aus einer länglichen Hülse besteht, die. die Anode 13, den Halbleiterkörper 12, die Katode 14 und den unteren Teil des Rohrs 30 umgibt. Die beiden Zylinderringe 34 und 35, aus denen der Isolatorhohlkörper 19 zusammengesetzt ist, sind durch einen Metallring 36 und die ringförmige Steuerklemme 33 verbunden. Der Metallring 36 und die Steuerklemme 33 sind koaxial zwischen den Zylinderringen 34 und 35 angeordnet, wobei die Steuerklemme 33 an der metallisierten Endfläche des Zylinderrings 34 befestigt ist und ringförmig nach außen ragt, während der Metallring 36 an der metallisierten Endfläche des Zylinderrings 35 befestigt ist und in ähnlicher Yfeise ringförmig nach außen ragt. Der Metallring 36 und die Steuerklemme 33 sind längs ihres äußeren Umfange miteinander ver-

schweißt, so daß sich ein hermetisch abgedichtetes Cöhäuce für den Halbleiterkörper 12 ergibt. Vorzugsweise wird din Ver schweißung in einer inerten Atmosphäre vorgenommen, 3o daß Sauerstoff und andere unerwünschte Gase bleibend vom Inneren des Gehäuses abgehalten sind. Innerhalb des Gehäuses ist die Steuerzuleitung 27 mit einem leitenden Vorsprung 38 der Steuerklemme 33 verbunden (vgl. Pig. 1).

Der Halbleiterkörper 12 wird zwischen den Hauptelektroden 13 und 14 des Halbleitergleichrichters mechanisch unter Druck so eingespannt, daß er gleichzeitig elektrisch mit den Hauptelektroden in Serie liegt. Zum Verbinden dieser Teile wird kein Lötmittel oder dergl. verwendet. Der elektrische Kontakt zwischen den Metallflächen des Halbleiterkörpers 12 und den angrenzenden Kontaktflächen der zugeordneten Elektroden wird lediglich dadurch gesichert, daß diese Teile durch einen im etwa kreisförmigen Bereich der Grenzflächen wirksamen Druck eingespannt werden. Dieser Druck wird in erster Linie durch die elastischen Eigenschaften der beiden Anschlußeleroente bewirkt, die an den beiden Enden des Halbleitergleichrichters angeordnet sind. Bei dem beschriebenen Ausführungsbeispiel werden die Anode 13 und die Katode 14 außerdem.· mittels der nach außen liegenden Stempel 20 und 21 fest gegen den Halbleiterkörper gedrückt, wodurch sich eine noch innigere Berührung und eine für hohe Ströme geeignete Grenzfläche mit gerin gem Widerstand ergibt. Zum Zusammendrücken der Stempel 20 und 21 in Achsrichtung kann irgendeine von außen her wirksame Einspannvorrichtung verwendet werden.

Die aufeinander ausgerichteten Stempel 20 und 21 sind im wesentlichen zylindrisch und bestehen aus einem hochleitenden Material wie Aluminium, Messing oder vorzugsweise Kupfer. Sie ragen aus breiteren Bauteilen oder Wärraesenken aus gleichem oder ähnlichem Material heraus und sind geeignet abgeschrägt, damit sie in die tassenförmigen Anschlußelemente des Halblei-

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tergleichrichters passen. An ihren Enden sind parallele, ebene Kontaktflächen 43 bzw. 44 vorgesehen. Die Kontaktfläche 43 des Stempels 20 liegt an der äußeren Kontaktfläche der Anode 13 an. In ähnlicher Weise liegt die Kontaktfläche 44 des Stempels 21 der äußeren Kontaktfläche der Katode 14 gegenüber, wobei zwischen den einander zugewandten Flächen eine erfindungsgemäße Pufferscheibe 45 angeordnet ist. Die besten Ergebnisse werden erzielt, wenn die Endflächen der Stempel mit sehr dünnen Schichten aus Silber, Nickel oder Gold überzogen sind.

In den kleinen Zwischenräumen,· die sich an den beiden Enden des Isolatorhohlkörpers 19 zwischen diesem und den angrenzenden Wärmesenken ergeben, sind Dichtungsringe 46 aus einem nachgiebigen Material vorgesehen, die zur mechanischen Stabilität des Isolatorhohlkörpers 19 beitragen und verhindern, daß Staub oder andere Verunreinigungen in den Raum eintreten, der die abgeschrägten Enden der Stempel 20 und 21 umgibt.

Wenn der Halbleitergleichrichter 11 zwischen den Stempeln 20 und 21 gemäß Pig. 1 eingespannt ist, dann sind seine Anode 13 und seine Katode 14 fest gegen den dazwischen befindlichen, scheibenförmigen Halbleiterkörper 12 gedrückt. Auf die aneinandergrenzenden Kontaktflächen dieser Teile wird ein hoher Druck von beispielsweise 211 kg/cm ausgeübt, so daß im gesamten Bereich der großflächigen Grenzfläche eine gute elektrische und thermische Leitfähigkeit sichergestellt.ist. In radialer Richtung ist der Halbleiterkörper 12 dabei jedoch höchstens durch Reibung bean- I sprucht.

Während des Betriebs wird der Halbleitergleichrichter Wärmeatößen unterworfen, die Änderungen seiner Dimensionen zur Folge haben. Da die Katode 14 nicht aus dem gleichen Mate-

rial wie der Halbleiterkörper 12 besteht, besitzen diese Teile verschiedene thermische Ausdehnungskoeffizienten, so daß ihre miteinander in Berührung befindlichen Kontaktflächen gegeneinander reiben. Durch diese Grenzflächenreibung oder -gleitung wird der Siliciumkörper 12 mechanisch beansprucht, was auf die Dauer zu Riosen oder anderen ernsthaften Beschädigungen führen kann. Als Folge davon werden sowohl die Zahl der aufeinanderfolgenden wicd erholbaren Wärmestöße als auch die maximal mögliche Temperaturdifferenz pro Warmestoß, die bekannte Bauelemente ohne Zerstörung aushalten können, in unerwünschtem Maße erniedrigt. Zur Verbesserung der thermischen Belastbarkeit wird neuerungsgemäß in der Einspannvorrichtung zwischen der äußeren Oberfläche der Katode 14 und der ihr zugewandten Kontaktfläche 44 des Stempels 21 die Pufferscheibe 45 vorgesehen.

Die Pufferscheibe 45 ist ein im allgemeinen scheibenförmiger Bauteil aus Hartmetall, dessen Ausdehnungskoeffizient angenähert gleich dem des Halbleiterkörpers 12 in dem Temperaturbereich ist, in dem der Halbleitergleichrichter 11 betrieben wird, Das Grundmaterial der Pufferscheibe kann aus Wolfram, Molybdän, Chrom oder im wesentlichen aus Eisen und Nickel zusammengesetzten Legierungen bestehen, die gewöhnlich mit Ferni, Pernico oder Kovar bezeichnet werden. Bei dem beschriebenen Ausführungsbeispiel der Erfindung wird Wolfram verwendet, da dieses bessere thermische und elektrische Leitfähigkeitseigenschaften besitzt. Wie die Katode ist die Pufferscheibe 45 vorzugsweise mit einer Plattierung oder einem Überzug aus Nickel, Silber oder Gold versehen.

Die Pufferscheibe 45 aus Wolfram, die viel dicker als die Kupferkatode 14 (z.B. fünfmal dicker) ist, besteht aus einem einzelnen Stück und ist vom Gleichrichter 11 trennbar, d.h. mit der angrenzenden Katode nicht metallurgisch verbunden. Ihre untere Breitseite ist im wesentlichen an die

äußere Oberfläche der Katode 14 angepaßt und liegt an dieser an. Bei dem in der Zeichnung dargootellten Thyristor iot die Pufforschcibe 45 daher D-förroig ausgebildet (Gig. 3). Bei Verwendung der Pufferscheibe in einer Diode mit einer kreisförmigen Katode würde die Pufferscheibe natürlich ebenfalls kreisrund sein und das gestrichelt dargestellte Segment 45a zusätzlich aufweisen. Vorzugsweise ist in der Grenzfläche zwischen der Katode und der Pufferscheibe zur Förderung von Gleitbewegungen ein sehr dünner PiIm aus einem inerten Schmiermittel wie Siliconöl vorgesehen. Dadurch wird eine Oxidation der in Berührung befindlichen Oberflächen vermieden und ihre Adhäsion verringert. Aus dem gleichen Grund wird auch zwischen die Pufferscheibe 45 und die Oberfläche 44 des Stempels 21 Siliconöl gebracht, wenn die Pufferscheibe nicht, wie es manchmal der Fall sein kann, am distalen Ende des Stempels befestigt, z.B. angelötet ist.

Die Katode 14 des Gleichrichters 11 ist zwischen dem inneren Halbleiterkörper--12 und der äußeren Pufferscheibe 45 fest eingespannt, und da sie dünn ist und aus einem duktilen Material besteht, nimmt sie die thermischen Ausdehnungseigenschaften dieser angrenzenden Teile an. Insbesondere werden die innere Oberfläche der Katode und die Goldfläche 25 des Halbleiterkörpers 12 mit hoher Wahrscheinlichkeit verschmelzen. Folglich werden die Oberflächenauslenkungen der Katode relativ zum Halbleiterkörper wirksam vermieden, so daß die Oberflächenbeschaffenheit der Siliciumscheibe 22 erhalten bleibt. Die an die Katode angrenzende Oberfläche der Pufferscheibe weist abgerundete Kanten bzw. Ränder auf, damit Rißbildungen oder Brüche in der unterhalb der Pufferscheibe liegenden Siliciumscheibe vermieden werden.

Durch das zusätzliche Anbringen der Pufferscheibe 45außerhalb des Gehäuses des Halbleitergleichrichters 11 wird die thermische Belastbarkeit des Gleichrichters wesentlich verbessert,

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ohne daß seine thermischen oder elektrischen Eigenschaften merklich verschlechtert werden. Versuche haben insbesondere ergeben, daß seine Lebensdauer bei einem Anstieg des thermischen Widerstands bei Stoßbetrieb von nur etwa 1,5$, gemessen durch die Zahl der Temperaturzyklen in einem gegebenen Temperaturbereich, um etwa das 100-fache erhöht wird.

Im Vergleich zu einer Anordnung, bei der die Pufferscheibe innerhalb des abgedichteten Gehäuses zwischen Halbleiterkörper und Katode untergebracht wird, weist die erfindungsgemäße Anordnung mehrere Vorteile auf. In thermischer Hinsicht ist es günstiger, wenn die Katode und nicht die Pufferscheibe dem Halbleiterkörper am nächsten liegt, da die Katode aus Kupfer besteht, dessen spezifische Wärme etwa dreimal so groß und dessen Dichte weniger als halb so groß wie die von Wolfram ist. Weiterhin ist die Kontaktfläche größer und verschmilzt die Katode leichter mit der Goldoberfläche 25 des Halbleiterkörpers, wodurch der thermische Widerstand dieses der Wärmequelle am nächsten liegenden Übergangs vermindert wird. Weiterhin besteht nioht die Gefahr, daß die Pufferscheibe während der Abdichtung des Gleichrichters 11 und seinem nachfolgenden Einspannen in dt>r Einspannvorrichtung aus ihrer genau-festgelegten räumlichen Lage verschoben werden kann. Eine äußere Pufferscheibe 45 gestattet außerdem eine größere Flexibilität, da sie, ohne daß die übrige Gleichrichteranordnung irgendwie verändert werden müßte, im Bedarfsfall weggelassen und z.B. durch ein gleichgroßes Abstandsstück aus Kupfer ersetzt werden kann, wenn nämlich beispielsweise die Betriebstemperaturschwankungen nicht so stark sind, daß die Verwendung der Pufferscheibe notwendig wäre. Schließlich sei in diesem Zusammenhang darauf hingewiesen, daß es, wenn es die Temperaturschwankungen erlauben, für eine stoßweise Belastung günstiger sein kann, die Kupferkatode 14 wesentlich dicker als beschrieben (z.B. doppelt so diok) oder die Pufferscheibe 45 wesentlich dünner zu maohen.

Claims (2)

1. Halbleitergleichrichter mit einem scheibenförmigen Halbleiterkörper, an dessen großflächigen Stirnseiten eine obere und eine untere großflächige Hauptelektrode in Form einer dünnen Scheibe aus einem elektrisch hochleitenden Metall, wie Kupfer, Silber, Aluminium, Messing, ohne metallurgische Verbindung unter einem Druck anliegen, der durch zwei Stempel aus elektrisch hochleitendem Metall, wie Kupfer, Aluminium, Messing von deren großflächigen Stirnseiten auf die Außenseiten der Elektroden ohne metallurgische Verbindung ausgeübt wird, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der oberen Elektrode (14) und dem oberen Stempel (21) eine Pufferscheibe (45) angeordnet ist, die an der Außenseite der oberen Elektrode (14) und der Strinseite (44) des oberen Stempels (21) ohne metallurgische Verbindung großflächig anliegt und die aus einem anderen elektrisch leitenden Material als die Stempel der Elektroden besteht, dessen Wärmeausdehnungskoeffizient annähernd derselbe wie derjenige des Halbleiters und wesentlich verschieden von demjenigen der Stempel und demjenigen der Elektroden ist.

2. Halbleitergleichrichter nach Anspruch 1 mit einem Halbleiter aus Silizium, dadurch gekennzeichnet, daß das Material der Pufferscheibe aus Wolfram, Molybdän, Chrom oder hauptsächlich Eisen und Nickel enthaltenden Legierungen besteht.