DE1012376B - Verfahren zur hermetischen Abdichtung eines elektrischen Gleichrichters - Google Patents
Verfahren zur hermetischen Abdichtung eines elektrischen GleichrichtersInfo
- Publication number
- DE1012376B DE1012376B DEB40349A DEB0040349A DE1012376B DE 1012376 B DE1012376 B DE 1012376B DE B40349 A DEB40349 A DE B40349A DE B0040349 A DEB0040349 A DE B0040349A DE 1012376 B DE1012376 B DE 1012376B
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- base plate
- flange
- rectifying element
- metal
- rectifier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R4/00—Electrically-conductive connections between two or more conductive members in direct contact, i.e. touching one another; Means for effecting or maintaining such contact; Electrically-conductive connections having two or more spaced connecting locations for conductors and using contact members penetrating insulation
- H01R4/22—End caps, i.e. of insulating or conductive material for covering or maintaining connections between wires entering the cap from the same end
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/32—Holders for supporting the complete device in operation, i.e. detachable fixtures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
- H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
- H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Rectifiers (AREA)
Description
DEUTSCHES
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur hermetischen Abdichtung eines elektrischen Gleichrichters,
der einen wärmeempfindlichen Halbleiter als gleichrichtendes Element verwendet, durch ein Gehäuse, das
eine Grundplatte aus elektrisch leitendem Material aufweist, auf der das gleichrichtende Element montiert
ist, sowie einen Metallteil mit einem Flansch, auf dem eine zugehörige Elektrode in Berührung mit
dem gleichrichtenden Element isolierend gehaltert ist. Beim Bau von elektrischen Gleichrichtern der obigen
Art ist es wesentlich, das gleichrichtende Element mit einem hermetisch abgeschlossenen Gehäuse zu versehen,
um die schädlichen Einwirkungen der äußeren Atmosphäre auf dasigleichrichtende Element zu unterbinden
und um sicherzustellen, daß keine unzulässige Temperaturerhöhung des gleichrichtenden Elementes,
sei es bei der Herstellung oder dem Betrieb, eintritt.
Gemäß der Erfindung wird eine Schicht eines weichen Metalles mit den einander gegenüberliegenden
Flächen des Flansches und der Grundplatte verschmolzen, dann die Grundplatte und der Flansch mit
ihren einander gegenüberliegenden Flächen in Berührung gebracht und dann die Verschmelzung durch
Anwendung von Druck vorgenommen, wodurch die Schichten des weichen Metalles auf den gegenüberliegenden
Flächen zum Fließen gebracht werden und dadurch miteinander verschmelzen.
Der Metallteil kann die Gestalt eines Ringes haben, dessen Flansch derjenigen Seite der Grundplatte
gegenüberliegt, welche das gleichrichtende Element umgibt, wobei zwischen dem Flansch und der Grundplatte
die Druckverbindung hergestellt wird. Die Mitte des ringförmigen Metallteiles ist mit einer
öffnung versehen, durch die die Elektrode hindurchgeht, so daß sie die gegenüberliegende Seite des gleichrichtenden
Elementes berührt; die Elektrode wird von dem ringförmigen Metallteil isoliert durch eine
Glasmasse getragen, die zwischen dem Umfang der Elektrode und einem koaxialen Flansch eingeschmolzen
ist, der den Rand der Öffnung in dem Metallteil bildet.
Die Elektrode kann auch durch eine zentrale öffnung in einer Keramikscheibe hindurchgehen, deren
Rand mit einem metallischen Ring verbunden ist, der seinerseits mit der Grundplatte durch eine Druckverbindung
verbunden ist, wobei die aufeinanderliegenden Oberflächen der Keramikscheibe und der Elektrode
bzw. des Metallringes durch ein Lötmittel mit einer Metallschicht verschmolzen sind, die auf der
Oberfläche der Keramik gebildet ist.
Die Erfindung geht im einzelnen aus der folgenden Beschreibung eines Ausführungsbeispiels hervor, das
in der Zeichnung dargestellt ist.
Verfahren zur hermetischen Abdichtung eines elektrischen Gleichrichters
Anmelder:
The British Thomson-Houston Company Limited, London
Vertreter: Dr.-Ing. W. Reichel, Patentanwalt,
Frankfurt/M.-Eschersheim, Lichtenbergstr. 7
Frankfurt/M.-Eschersheim, Lichtenbergstr. 7
Beanspruchte Priorität:
Großbritannien vom 23. Mai 1955
Großbritannien vom 23. Mai 1955
Alan John Blundell, Willoughby, Near Rugby,
und Harry Roy Noon, Rugby, Warwickshire
und Harry Roy Noon, Rugby, Warwickshire
(Großbritannien),
sind als Erfinder genannt worden
sind als Erfinder genannt worden
Fig. 1 ist eine Draufsicht auf einen Gleichrichter gemäß der Erfindung;
Fig. 2 ist eine Ansicht, die teilweise im Schnitt den
inneren Aufbau des Gleichrichters zeigt.
In der Zeichnung ist ein Gleichrichter dargestellt, der aus einer Grundplatte 1 aus Metall mit hoher
thermischer und elektrischer Leitfähigkeit, z. B. Kupfer, besteht, an der das gleichrichtende Element 2
befestigt ist. An der Grundplatte 1 ist ein Metallxing 3
mit einem Flansch befestigt, an dessen oberem Rand ein Isolierteil 4 hermetisch befestigt ist. Der Teil 4
weist einen inneren Absatz auf, in den der Randteil einer Metallkappe 5 eingreift, die mit einem blind
ίο endenden Loch oder einer Vertiefung 6 versehen ist.
Die Grundplatte 1, der Metallring 3, der Isolierteil 4
und die Metallkappe 5 bilden zusammen eine hermetische Hülle für das gleichrichtende Element2. Das
gleichrichtende Flächenelement 2 besteht aus einer Pille 7 eines Verunreinigungselementes geeigneter
Leitfähigkeitsart, wobei die Pille mit einer Elektrode oder Leitung 8 verbunden ist, welche in der Vertiefung
6 der Kappe 5 endet. Die letzten Schritte bei der Herstellung eines solchen Gleichrichters sind:
a) die beiden Teile zu vereinigen, von denen der eine aus der Grundplatte 1 mit dem darauf befestigten
Gleichrichterelement 2 und der damit zusammenwirkenden Elektrode 8 besteht, während der andere
aus dem Metallring 3 mit der daran befestigten
709 588/200
Metallkappe 5 und dem dazwischen befindlichen ringförmigen Isoliertei.1 4 besteht;
b) den Flansch des Metallringes 3 mit der Grundplatte zu vereinigen und
c) den Metallstift 8, der sich von der Elektrode weg erstreckt und einen Teil derselben bildet, in der
Vertiefung 6 der Metallkappe 5 zu befestigen, um auf diese Weise einen elektrischen Kontakt und eine
sichere Halterung der Elektrode an ihrer Übergangsstelle mit dem gleichrichtenden Element herzustellen,
sie in der Lage festzuhalten und um spätere Störungen zu verhindern.
Die sichere Befestigung des Flansches des Metallringes 3 mit der Grundplatte 1 wird durch einen
Druckvorgang bewirkt, bei dem eine Schicht aus Indium zwischen den benachbarten Oberflächen der
Grundplatte und des Flansches des Metallringes benutzt wird. Die Schicht aus Indium wird mit den
einander gegenüberliegenden Oberflächen der Grundplatte und des Flansches verschmolzen, bevor die
Teile vereinigt werden.
Nachdem die Teile in die Lage der Fig. 2 gebracht worden sind, wird ein solcher Druck zwischen dem
Flansch und der Grundplatte aufgebracht, der bewirkt, daß die weichen Indiumschichten fließen und
zusammenschmelzen, so daß eine wirksame hermetische Verbindung zwischen dem Flansch und der
Platte gebildet wird und das Gehäuse des Gleichrichters abgedichtet wird.
Durch die Anwendung einer Druckverbindung zwisehen den scheibenförmigen Metallteilen oder dem
Metallring und einer Grundplatte kann erreicht werden, daß diese Verbindung als letzte bei der Herstellung
des Gleichrichters anzufertigende Verbindung geschaffen wird, und da bei der Herstellung dieser
Verbindung keine Wärme angewendet wird, läßt sich ein Temperaturanstieg des gleichrichtenden Elementes
während der Anfertigung vermeiden, der die Arbeitsweise des Gleichrichters nachteilig beeinflussen könnte.
Claims (1)
- Patentanspruch.Verfahren zur hermetischen Abdichtung eines elektrischen Gleichrichters, der einen wärmeempfindlichen Halbleiter als gleichrichtendes Element verwendet, durch ein Gehäuse, das eine Grundplatte aus elektrisch leitendem Material aufweist, auf der das gleichrichtende Element montiert ist, sowie einen Metallteil mit ein«Ji| Flansch, auf dem eine zugehörige Elektrode Hi Berührung mit dem gleichrichtenden Element isolierend gehaltert ist, dadurch gekennzeichnet, daß eine Schicht eines weichen Metalls mit den einander gegenüberliegenden Flächen des Flansches und der Grundplatte verschmolzen wird, daß dann die Grundplatte und der Flansch mit ihren einander gegenüberliegenden Flächen in Berührung gebracht werden und daß dann die Verschmelzung durch Anwendung von Druck vorgenommen wird, wodurch die Schichten des weichen Metalls äsf den gegenüberliegenden Flächen zum Fließen g% bracht werden und dadurch miteinander verschmelzen.Hierzu 1 Blatt Zeichnungen© 709 588/200 T.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB14834/55A GB835993A (en) | 1955-05-23 | 1955-05-23 | Improvements in electric rectifiers employing semi-conductors |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1012376B true DE1012376B (de) | 1957-07-18 |
Family
ID=10048298
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEB40349A Pending DE1012376B (de) | 1955-05-23 | 1956-05-23 | Verfahren zur hermetischen Abdichtung eines elektrischen Gleichrichters |
DEB40348A Pending DE1013010B (de) | 1955-05-23 | 1956-05-23 | Gehaeuse fuer einen Flaechengleichrichter |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEB40348A Pending DE1013010B (de) | 1955-05-23 | 1956-05-23 | Gehaeuse fuer einen Flaechengleichrichter |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US2866928A (de) |
CH (2) | CH345391A (de) |
DE (2) | DE1012376B (de) |
FR (1) | FR1153512A (de) |
GB (1) | GB835993A (de) |
NL (1) | NL207356A (de) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1098102B (de) * | 1951-06-08 | 1961-01-26 | Standard Elektrik Lorenz Ag | Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Halbleitervorrichtung |
DE1099084B (de) * | 1958-02-14 | 1961-02-09 | Telefunken Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer Basiskontaktelektrode bei Halbleiteranordnungen |
DE1099647B (de) * | 1959-03-12 | 1961-02-16 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements, insbesondere eines Gleichrichters mit hoher Strombelastbarkeit |
CN116315550A (zh) * | 2023-03-27 | 2023-06-23 | 深圳技术大学 | 电、磁场调制微波测试矩形波导 |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1073633B (de) * | 1960-01-21 | Siemens-Schuckertwerke Aktiengesellschaft,, Berlin und Erlangen | Anordnung von Halbleitergleichrichtern auf einer rotierenden Welle | |
FR1194115A (de) * | 1957-04-03 | 1959-11-06 | ||
US2917686A (en) * | 1957-08-19 | 1959-12-15 | Westinghouse Electric Corp | Semiconductor rectifier device |
US3007088A (en) * | 1957-09-26 | 1961-10-31 | Int Rectifier Corp | Rectifier and means for mounting the same |
GB859025A (en) * | 1958-08-13 | 1961-01-18 | Gen Electric Co Ltd | Improvements in or relating to electrical devices having hermetically sealed envelopes |
US3116442A (en) * | 1959-07-27 | 1963-12-31 | Link Belt Co | Silicon rectifier assembly comprising a heat conductive mounting base |
DE1131328B (de) * | 1960-03-31 | 1962-06-14 | Siemens Ag | Anordnung zur Verbindung der metallischen Fassung eines Halbleiterelementes mit einem Kuehlkoerper |
US3125709A (en) * | 1960-10-17 | 1964-03-17 | Housing assembly | |
US3187083A (en) * | 1963-06-17 | 1965-06-01 | Rca Corp | Container for an electrical component |
US3417300A (en) * | 1965-12-15 | 1968-12-17 | Texas Instruments Inc | Economy high power package |
GB1381778A (en) * | 1972-06-08 | 1975-01-29 | Cableform Ltd | Semiconductor clamping means |
CN111489851A (zh) * | 2019-01-29 | 2020-08-04 | 上海御渡半导体科技有限公司 | 一种带压铆件的汇流排及其生产工艺 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US794459A (en) * | 1905-05-06 | 1905-07-11 | William Stetson Hogg | Wireless telegraphy. |
NL70486C (de) * | 1945-12-29 | |||
US2740940A (en) * | 1950-12-08 | 1956-04-03 | Bell Telephone Labor Inc | High speed negative resistance |
NL180358C (nl) * | 1952-08-08 | Xerox Corp | Overdrachtsorgaan voor een xerografische kopieerinrichting. | |
NL204333A (de) * | 1954-01-14 | 1900-01-01 | ||
US2790940A (en) * | 1955-04-22 | 1957-04-30 | Bell Telephone Labor Inc | Silicon rectifier and method of manufacture |
-
0
- NL NL207356D patent/NL207356A/xx unknown
-
1955
- 1955-05-23 GB GB14834/55A patent/GB835993A/en not_active Expired
-
1956
- 1956-05-18 FR FR1153512D patent/FR1153512A/fr not_active Expired
- 1956-05-21 US US586243A patent/US2866928A/en not_active Expired - Lifetime
- 1956-05-22 CH CH345391D patent/CH345391A/de unknown
- 1956-05-22 CH CH343034D patent/CH343034A/de unknown
- 1956-05-23 DE DEB40349A patent/DE1012376B/de active Pending
- 1956-05-23 DE DEB40348A patent/DE1013010B/de active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1098102B (de) * | 1951-06-08 | 1961-01-26 | Standard Elektrik Lorenz Ag | Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Halbleitervorrichtung |
DE1099084B (de) * | 1958-02-14 | 1961-02-09 | Telefunken Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer Basiskontaktelektrode bei Halbleiteranordnungen |
DE1099647B (de) * | 1959-03-12 | 1961-02-16 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements, insbesondere eines Gleichrichters mit hoher Strombelastbarkeit |
CN116315550A (zh) * | 2023-03-27 | 2023-06-23 | 深圳技术大学 | 电、磁场调制微波测试矩形波导 |
CN116315550B (zh) * | 2023-03-27 | 2023-12-19 | 深圳技术大学 | 电、磁场调制微波测试矩形波导 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE1013010B (de) | 1957-08-01 |
CH343034A (de) | 1959-12-15 |
GB835993A (en) | 1960-06-01 |
FR1153512A (fr) | 1958-03-12 |
NL207356A (de) | |
CH345391A (de) | 1960-03-31 |
US2866928A (en) | 1958-12-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE1012376B (de) | Verfahren zur hermetischen Abdichtung eines elektrischen Gleichrichters | |
DE1300788C2 (de) | Verfahren zur herstellung kugeliger loetperlen auf traegerplatten | |
EP0140126B1 (de) | Verfahren zur Mikropackherstellung | |
DE4321053C2 (de) | Druckkontaktierte Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer druckkontaktierten Halbleitervorrichtung | |
DE3009295A1 (de) | Halbleiterbaustein | |
DE2918339A1 (de) | Glas-metall-verschluss fuer den anschlusskontakt eines elektrochemischen elementes und verfahren zur herstellung | |
DE1944515A1 (de) | Halbleiterbauelement mit Kunststoffuellung | |
DE2101028C2 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von Halbleiterbauelementen | |
DE2012440C3 (de) | Halbleiteranordnung für gasdicht abgeschlossene scheibenförmige Halbleiterelemente | |
DE1052572B (de) | Elektrodensystem, das einen halbleitenden Einkristall mit wenigstens zwei Teilen verschiedener Leitungsart enthaelt, z. B. Kristalldiode oder Transistor | |
DE1564107A1 (de) | Gekapselte Halbleiteranordnung | |
DE1539643A1 (de) | Halbleiterbauelement | |
DE1514562A1 (de) | Vorrichtung zur Kontaktierung eines Halbleiter-Bauelementes mit segmentierter Kathode | |
DE1149827B (de) | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung und Vorrichtung zur Durchfuehrung dieses Verfahrens | |
DE2125468A1 (de) | Halbleitervorrichtung | |
EP0069903A2 (de) | Elektrische Verbindungslasche für Halbleiterbauelemente | |
DE2525390A1 (de) | Steuerbares halbleiterbauelement | |
DE1514736B2 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von Halbleiterbauelementen | |
DE1063275B (de) | Gleichrichtereinheit mit einem luftdicht verschlossenen, gleichrichtenden Halbleiterelement | |
DE1539111B2 (de) | Halbleiterbauelement | |
DE1151324B (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen | |
DE1235434B (de) | Verfahren zum Ausbilden eines Kurzschlusses zwischen der Emitterzone und der benachbarten Zone entgegengesetzten Leitungstyps eines steuerbaren Siliziumgleichrichterelementes | |
DE2821268C2 (de) | Halbleiterbauelement mit Druckkontakt | |
DE2237616A1 (de) | Verfahren zum einschmelzen eines halbleiterbauelementes in ein glasgehaeuse | |
DE1951128C3 (de) | Halbleiteranordnung |