DE102018204668A1 - Halbleitervorrichtung und Verfahren einer Herstellung derselben - Google Patents
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Abstract
Ein Verfahren einer Herstellung einer Halbleitervorrichtung durch ein Verbinden eines Halbleiterchips mit einem Anschlussrahmen unter Verwenden einer Schablone, wobei der Halbleiterchip eine Hauptelektrode enthält, die an einer Oberfläche des Halbleiterchips vorgesehen ist, wobei der Anschlussrahmen einen auskragenden Verbindungsbereich und einen Positionierungsbereich enthält, wobei der Positionierungsbereich zumindest eine der Formen konvexe Form und konkave Form enthält, welche um den auskragenden Verbindungsbereich herum vorgesehen ist, wobei das Verfahren enthalten kann: ein Wirkverbinden der Schablone mit dem Positionierungsbereich in einem Zustand, wo ein Abstand zwischen dem auskragenden Verbindungsbereich und der Schablone vorgesehen ist, ein Wirkverbinden der Schablone mit dem Halbleiterchip, und ein Verbinden des auskragenden Verbindungsbereichs mit der Hauptelektrode des Halbleiterchips mittels eines Lots in einem Zustand, wo die Schablone mit dem Positionierungsbereich und dem Halbleiterchip wirkverbunden ist.
Description
- Technisches Gebiet
- Eine hierin offenbarte Technik betrifft eine Halbleitervorrichtung und ein Verfahren einer Herstellung derselben.
- Hintergrund
- Die japanische Patentanmeldungs-Veröffentlichung Nr. 2009-146950 beschreibt eine Halbleitervorrichtung, in welcher ein Anschlussrahmen bzw. Lead Frame einen auskragenden Verbindungsbereich enthält, und der auskragende Verbindungsbereich mit einer Hauptelektrode eines Halbleiterchips verbunden ist. Wegen des auskragenden Verbindungsbereichs des Anschlussrahmens ist ein Raum zum Anordnen einer Signalverdrahtung sichergestellt. Durch ein Einführen eines Positionierungsstifts in den Anschlussrahmen wird eine Fehlausrichtung zwischen dem Halbleiterchip und dem Anschlussrahmen gehemmt.
- Kurzfassung
- In einem Fall eines Anpassens eines Anschlussrahmens, der einen auskragenden Verbindungsbereich enthält, wie in der japanischen Patentanmeldungs-Veröffentlichung Nr. 2009-146950, kann eine Fehlausrichtung auftreten, wenn der auskragende Verbindungsbereich an eine Hauptelektrode gelötet wird. Wenn eine Position des auskragenden Verbindungsbereichs des Anschlussrahmens bezüglich der Hauptelektrode eines Halbleiterchips fehlausgerichtet ist, wird es hinsichtlich der von dem Halbleiterchip zu dem Anschlussrahmen zu übertragenden Wärme schwierig. Im Ergebnis wird eine Wärmeabführungsleistung der Halbleitervorrichtung verschlechtert. In einem in der japanischen Patentanmeldungs-Veröffentlichung Nr. 2009-146950 beschriebenen Verfahren muss ein Anschlussrahmen mit einem Loch versehen werden, in welches ein Stift eingeführt wird, und somit wird eine Wärmeabführung an einer Position des Lochs behindert. Daher sieht die Offenbarung hierin eine Technik vor, die dazu in der Lage ist, einen Anschlussrahmen und einen Halbleiterchip mit Bezug zueinander zu positionieren, ohne eine Wärmeabführung zu behindern.
- Ein Verfahren einer Herstellung bzw. eines Herstellens einer Halbleitervorrichtung, welches hierin offenbart wird, verbindet einen Halbleiterchip mit einem Anschlussrahmen unter Verwenden einer Schablone. Der Halbleiterchip kann eine Hauptelektrode aufweisen, die an einer Oberfläche des Halbleiterchips vorgesehen ist. Der Anschlussrahmen kann einen auskragenden Verbindungsbereich und einen Positionierungsbereich aufweisen, und der Positionierungsbereich kann zumindest eine der Formen konvexe Form und konkave Form enthalten, welche um den auskragenden Verbindungsbereich herum vorgesehen ist. Das Verfahren kann aufweisen: ein Wirkverbinden der Schablone mit dem Positionierungsbereich in einem Zustand, wo ein Abstand zwischen dem auskragenden Verbindungsbereich und der Schablone vorgesehen ist, ein Wirkverbinden der Schablone mit dem Halbleiterchip, und ein Verbinden des auskragenden Verbindungsbereichs mit der Hauptelektrode des Halbleiterchips mittels eines Lots in einem Zustand, wo die Schablone mit dem Positionierungsbereich und dem Halbleiterchip wirkverbunden ist.
- Bei diesem Herstellungsverfahren wird die Schablone mit dem Positionierungsbereich des Anschlussrahmens wirkverbunden, und daher wird eine Fehlausrichtung zwischen dem Anschlussrahmen und der Schablone gehemmt. Weiters wird die Schablone auch mit dem Halbleiterchip wirkverbunden, und daher wird auch eine Fehlausrichtung zwischen dem Halbleiterchip und der Schablone gehemmt. Deswegen werden der Anschlussrahmen und der Halbleiterchip mit Bezug zueinander mittels bzw. im Wege der Schablone positioniert. Daher wird eine Fehlausrichtung zwischen dem Anschlussrahmen und dem Halbleiterchip gehemmt. In dem Zustand, wo der Anschlussrahmen und der Halbleiterchip mit Bezug zueinander mittels der Schablone wie vorstehend beschrieben positioniert sind, wird die Hauptelektrode des Halbleiterchips mit dem auskragenden Verbindungsbereich des Anschlussrahmens mittels eines Lots verbunden. Daher wird der auskragende Verbindungsbereich von einer Fehlausrichtung mit Bezug zu der Hauptelektrode abgehalten, und kann eine Verschlechterung bei einer Wärmeabführungsleistung der Halbleitervorrichtung verhindert werden. Weiters enthält bei diesem Verfahren der Positionierungsbereich die konvexe Form oder die konkave Form, und daher wird die Wärmeabführung an dem Positionierungsbereich nicht behindert. Daher kann gemäß diesem Herstellungsverfahren eine Halbleitervorrichtung mit einer hohen Wärmeabführungsleistung stabil hergestellt werden.
- Weiters sieht die Offenbarung hierin eine Halbleitervorrichtung mit einer hohen Wärmeabführungsleistung vor. Diese Halbleitervorrichtung kann einen Halbleiterchip einschließlich einer an einer Oberfläche des Halbleiterchips vorgesehenen Hauptelektrode und einen Anschlussrahmen aufweisen. Der Anschlussrahmen kann einen auskragenden Verbindungsbereich und einen Positionierungsbereich enthalten, welcher zumindest eine der Formen konvexe Form und konkave Form enthält, die um den auskragenden Verbindungsbereich vorgesehen ist. Der auskragende Verbindungsbereich kann mit der Hauptelektrode mittels eines Lots verbunden sein.
- Die Halbleitervorrichtung kann durch das vorstehend erwähnte, hierin offenbarte Herstellungsverfahren hergestellt werden. Da der Positionierungsbereich die konvexe Form oder die konkave Form in dieser Halbleitervorrichtung enthält, wird eine Wärmeabführung an dem Positionierungsbereich nicht behindert, und zeigt die Halbleitervorrichtung eine hohe Wärmeabführungsleistung.
- Figurenliste
-
-
1 ist eine perspektivische Ansicht eines Anschlussrahmens, -
2 ist eine vergrößerte Draufsicht eines Hauptanschlusses des Anschlussrahmens, -
3 ist eine quergeschnittene Ansicht entlang einer Linie III-III in den1 und2 , -
4 ist eine quergeschnittene Ansicht entlang einer Linie IV-IV in den1 und2 , -
5 ist eine perspektivische Ansicht des Anschlussrahmens mit einer angebrachten Schablone, -
6 ist eine vergrößerte Draufsicht des Hauptanschlusses mit der angebrachten Schablone, entsprechend der2 , -
7 ist eine quergeschnittene Ansicht des Anschlussrahmens mit der angebrachten Schablone, entsprechend der3 , -
8 ist eine quergeschnittene Ansicht des Anschlussrahmens mit der angebrachten Schablone, entsprechend der4 , -
9 ist eine vergrößerte Draufsicht eines Halbleiterchips und des Anschlussrahmens nach einem Positionieren, entsprechend der2 , -
10 ist eine quergeschnittene Ansicht des Halbleiterchips und des Anschlussrahmens nach dem Positionieren, entsprechend der3 , -
11 ist eine quergeschnittene Ansicht des Halbleiterchips und des Anschlussrahmens nach dem Positionieren, entsprechend der4 , -
12 ist eine quergeschnittene Ansicht des Halbleiterchips und des Anschlussrahmens nach dem Aufschmelzen, entsprechend der3 , -
13 ist eine quergeschnittene Ansicht des Halbleiterchips und des Anschlussrahmens nach dem Aufschmelzen, entsprechend der4 , -
14 ist eine quergeschnittene Ansicht eines teil-hergestellten Produkts, nachdem ein Kollektoranschluss verbunden worden ist, entsprechend der3 , -
15 ist eine quergeschnittene Ansicht des teil-hergestellten Produkts, nachdem eine isolierende Harzschicht gebildet worden ist, entsprechend der3 , -
16 ist eine Draufsicht des teil-hergestellten Produkts, nachdem die isolierende Harzschicht gebildet worden ist, -
17 ist eine Draufsicht einer Halbleitervorrichtung, welche durch ein Herstellungsverfahren einer Ausführungsform hergestellt worden ist, -
18 ist ein erläuterndes Diagramm für ein herkömmliches Herstellungsverfahren, -
19 ist ein erläuterndes Diagramm für das herkömmliche Herstellungsverfahren, -
20 ist eine Draufsicht einer Halbleitervorrichtung, welche durch das herkömmliche Herstellungsverfahren hergestellt wurde, -
21 ist eine quergeschnittene Ansicht, welche eine Lötschicht mit einer großen Fehlausrichtung zeigt, -
22 ist eine ebene Ansicht, welche einen konvexen Positionierungsbereich einer Variante zeigt, -
23 ist eine quergeschnittene Ansicht, welche den konvexen Positionierungsbereich der Variante zeigt, -
24 ist eine quergeschnittene Ansicht, welche einen konvexen Positionierungsbereich einer anderen Variante zeigt, -
25 ist eine quergeschnittene Ansicht, welche den konvexen Positionierungsbereich der anderen Variante zeigt, -
26 ist eine Draufsicht, welche einen konvexen Positionierungsbereich noch einer anderen Variante zeigt, -
27 ist eine Draufsicht, welche einen konvexen Positionierungsbereich einer Variante zeigt, -
28 ist eine Draufsicht, welche einen konvexen Positionierungsbereich einer anderen Variante zeigt, -
29 ist eine Draufsicht, welche einen konvexen Positionierungsbereich noch einer anderen Variante zeigt, -
30 ist eine Draufsicht, welche einen konvexen Positionierungsbereich einer Variante zeigt, -
31 ist eine Draufsicht, welche einen konvexen Positionierungsbereich einer anderen Variante zeigt, -
32 ist eine Draufsicht, welche einen konvexen Positionierungsbereich noch einer anderen Variante zeigt, -
33 ist eine Draufsicht, welche einen konvexen Positionierungsbereich einer Variante zeigt, -
34 ist eine Draufsicht, welche einen konvexen Positionierungsbereich einer anderen Variante zeigt, und -
35 ist eine quergeschnittene Ansicht, welche einen konkaven Positionierungsbereich noch einer anderen Variante zeigt. - Detaillierte Beschreibung
- Ein Herstellungsverfahren einer Halbleitervorrichtung einer Ausführungsform wird beschrieben werden. Die
1 bis4 zeigen einen Anschlussrahmen12 , der in dem Herstellungsverfahren der Ausführungsform zu verwenden ist. Der Anschlussrahmen12 ist eine Komponente, in welcher eine Vielzahl von Anschlüssen zum Verbinden eines Halbleiterchips miteinander verbunden ist. Der Anschlussrahmen12 weist zwei Rohchipblöcke14 bzw. Die Pads, Hauptanschlüsse28a bis28c und eine Vielzahl von Signalanschlüssen26 auf. Ein Halbleiterchip ist mit jedem der Rohchipblöcke14 verbunden. Die Hauptanschlüsse28a ,28c sind jeweils mit ihren entsprechenden Rohchipblöcken14 verbunden. Der Hauptanschluss28b ist mit einem Kollektoranschluss60 , weleher später beschrieben wird, verbunden. Es sollte festgehalten werden, dass die zwei Rohchipblöcke14 hinsichtlich ihrer Konfigurationen und Verwendungsverfahren im Wesentlichen identisch sind, und daher die folgende Beschreibung unter Fokussierung auf nur einen der Rohchipblöcke14 (den Rohchipblock14 auf der rechten Seite in der1 ) fortfahren wird. - Der Rohchipblock
14 enthält eine Wärmeabführungsscheibe16 , einen konvexen Positionierungsbereich18 und einen auskragenden Verbindungsbereich20 . In der2 und nachfolgenden vergrößerten Draufsichten ist der konvexe Positionierungsbereich18 mit undurchsichtigen Linien schraffiert, und ist der auskragende Verbindungsbereich20 mit Punkten schraffiert. Die Wärmeabführungsscheibe16 ist ein scheibenförmiger Bereich, welcher eine dickere Dicke als andere Bereiche des Anschlussrahmens12 aufweist. Im hier Folgenden wird eine Dicke-Richtung der Wärmeabführungsscheibe16 eine Z-Richtung genannt, wird eine zu der Z-Richtung senkrechte Richtung eine X-Richtung genannt, und wird eine zu der X-Richtung und der Z-Richtung senkrechte Richtung eine Y-Richtung genannt. Der konvexe Positionierungsbereich18 ist ein Bereich, der von einer oberen Oberfläche der Wärmeabführungsscheibe16 aufwärts auskragt. Wie es in der2 in einer Ansicht entlang der Z-Richtung gezeigt wird, weist der konvexe Positionierungsbereich18 eine im Wesentlichen quadratische Form auf. Der auskragende Verbindungsbereich20 ist ein Bereich, der von einer oberen Oberfläche des konvexen Positionierungsbereichs18 weiter aufwärts auskragt. Wie es in der2 in der Ansicht entlang der Z-Richtung gezeigt wird, weist der auskragende Verbindungsbereich20 eine viereckige Form auf. Wie es in den2 und3 gezeigt wird, ist die Vielzahl von Signalanschlüssen26 benachbart zu einer Seite des auskragenden Verbindungsbereichs20 angeordnet. Die jeweiligen Signalanschlüsse26 erstrecken sich länglich in der X-Richtung, und sie sind in der Y-Richtung mit Intervallen dazwischen angeordnet. Ein Ende jedes Signalanschlusses26 ist über der Wärmeabführungsscheibe16 angeordnet. Zwischen den Signalanschlüssen26 und dem Rohchipblock14 ist ein Abstand vorgesehen. Wie es in der1 gezeigt wird, sind die Signalanschlüsse26 miteinander durch eine Verbindungsstange22 bzw. Zuganker verbunden. Weiters sind die Signalanschlüsse26 mit dem Rohchipblock14 durch die Verbindungsstange22 und eine Aufhängungsleitung23 verbunden. Wie es in der2 gezeigt wird, ist der konvexe Positionierungsbereich18 nicht an einer den Signalanschlüssen26 gegenüberliegenden Position angeordnet. Außer an der den Signalanschlüssen 26 gegenüberliegenden Position ist der konvexe Positionierungsbereich18 angeordnet, um den auskragenden Verbindungsbereich22 zu umgeben. - In dem Herstellungsverfahren der vorliegenden Ausführungsform wird zuerst ein Schritt eines Anbringens einer Schablone durchgeführt. In dem Schritt eines Anbringens einer Schablone wird eine Schablone
30 bzw. Lehre an den Anschlussrahmen12 angebracht, wie es in den5 bis8 gezeigt wird. Die Schablone30 weist eine quadratische Ringform als ihre Querschnittsform auf. Wie es in der6 gezeigt wird, wird die Schablone30 mit dem konvexen Positionierungsbereich18 so wirkverbunden, dass eine innere periphere Oberfläche30a der Schablone30 in engen Kontakt mit einer äußeren peripheren Oberfläche18a des konvexen Positionierungsbereichs18 kommt. Dadurch wird die Schablone30 bezüglich des Anschlussrahmens12 akkurat positioniert. Wie es in den5 und7 gezeigt wird, ist eine Kerbe30b an einem Teil der unteren Oberfläche der Schablone30 vorgesehen. Wenn die Schablone30 an dem Anschlussrahmen12 angebracht wird, wird die Kerbe30b an einer zu der Vielzahl der Signalanschlüsse26 entsprechenden Position angeordnet. Da die Kerbe30b vorgesehen ist, bildet die Schablone30 keinen Kontakt mit den Signalanschlüssen26 aus bzw. kommt sie mit diesen nicht in Kontakt. Wie es in der6 gezeigt wird, ist ein Abstand zwischen der Schablone30 und dem auskragenden Verbindungsbereich20 vorgesehen. Wie es in den7 und8 gezeigt wird, ist die Höhe der Schablone30 höher als eine Höhe des auskragenden Verbindungsbereichs20 . - Als Nächstes wird ein Schritt eines Anordnens eines Halbleiterchips durchgeführt. In dem Schritt eines Anordnens eines Halbleiterchips wird, wie es in den
9 bis11 gezeigt wird, ein Halbleiterchip40 innerhalb der Schablone30 angeordnet. Das heißt, die Schablone30 wird mit dem Halbleiterchip40 wirkverbunden. Zuerst wird der Halbleiterchip40 beschrieben werden. Wie es in den10 und11 gezeigt wird, enthält der Halbleiterchip40 ein Halbleitersubstrat42 , eine Emitterelektrode44 , Signalelektroden46 und eine Kollektorelektrode48 . Ein IGBT (Bipolar Transistor mit isolierter Gate-Elektrode bzw. Insulated Gate-Bipolar Transistor) ist in dem Halbleitersubstrat42 vorgesehen. Die Emitterelektrode44 und die Signalelektroden46 sind an einer ersten Oberfläche des Halbleitersubstrats42 (einer unteren Oberfläche davon in den10 und11 ) vorgesehen. Es sollte festgehalten werden, dass, obwohl in der10 nur eine Signalelektrode46 gezeigt wird, der Halbleiterchip40 mehrere Signalelektroden46 in einer zu einer Anzahl der Signalanschlüsse26 entsprechenden Anzahl (bspw. fünf) enthält. Die Signalelektroden46 sind an einer zu der Emitterelektrode44 benachbarten Position angeordnet. Die Emitterelektrode44 ist viel größer als jede Signalelektrode46 . Die Signalelektroden46 sind eine Gate-Elektrode des IGBT, eine Elektrode für eine Temperaturerfassung, eine Elektrode für eine Stromstärkenerfassung, eine Elektrode für eine Spannungserfassung und dergleichen. Ein Signal, welches ein Potential der Emitterelektrode44 als ein Referenzpotential aufweist, wird auf die Signalelektroden46 aufgebracht. Daher ist eine Potentialdifferenz zwischen den Signalelektroden46 und der Emitterelektrode44 klein. Die Kollektorelektrode28 bedeckt eine Gesamtheit einer zweiten Oberfläche des Halbleitersubstrats42 (eine Oberfläche davon an einer zu der ersten Oberfläche entgegen gerichteten Seite, welche in den10 ,11 eine obere Oberfläche ist). - In dem Schritt des Anordnens eines Halbleiterchips wird der Halbleiterchip
40 in die Schablone30 von oben eingeführt, wobei die Emitterelektrode44 abwärts orientiert ist. Deswegen ist der Halbleiterchip40 innerhalb der Schablone30 angeordnet. Wie es in der10 gezeigt wird, ist der Halbleiterchip40 hier so eingestellt bzw. gesetzt, dass die Emitterelektrode44 über dem auskragenden Verbindungsbereich20 angeordnet ist, und jede Signalelektrode46 ist über dem Ende ihres entsprechenden Signalanschlusses26 angeordnet. Bei dieser Gelegenheit werden Lotschichten50 zwischen die Emitterelektrode44 und den auskragenden Verbindungsbereich20 , sowie zwischen jede Signalelektrode46 und ihren entsprechenden Signalanschluss26 zwischengefügt. Wie es in der9 in der Ansicht entlang der Z-Richtung gezeigt wird, ist eine Kontur des Halbleiterchips40 geringfügig kleiner als eine Kontur (d.h. die äußere periphere Oberfläche18a ) des konvexen Positionierungsbereichs18 . Daher ist der Halbleiterchip40 geringfügig kleiner als die innere periphere Oberfläche30a der Schablone30 . Wenn der Halbleiterchip40 innerhalb der Schablone30 angeordnet ist, wird der Halbleiterchip40 deswegen davon abgehalten, einer durch die Schablone30 aufgebrachten hohen Last unterworfen zu sein. Daher wird das Halbleitersubstrat42 davon abgehalten, gebrochen oder angeschlagen zu werden. In dem Schritt des Anordnens eines Halbleiterchips wird eine periphere Oberfläche des Halbleiterchips40 durch die innere periphere Oberfläche30a der Schablone30 geführt, und daher wird der Halbleiterchip40 mit Bezug zu der Schablone30 positioniert. Das heißt, der Halbleiterchip40 wird mit Bezug zu dem Anschlussrahmen12 über die bzw. mittels der Schablone30 positioniert. In der9 werden der auskragende Verbindungsbereich20 und die Emitterelektrode44 durch unterbrochene Linien gezeigt. Wie es in der Ansicht entlang der Z-Richtung in der9 gezeigt wird, ist eine Gesamtheit einer oberen Oberfläche des auskragenden Verbindungsbereichs20 innerhalb einer Kontur der Emitterelektrode44 angeordnet. Durch Verwenden der Schablone30 können die Emitterelektrode44 und der auskragende Verbindungsbereich20 mit Bezug zueinander akkurat positioniert werden, wie es in der9 gezeigt wird. - Als Nächstes wird ein Aufschmelzschritt bzw. Reflow-Schritt durchgeführt. In dem Aufschmelzschritt wird ein Stapelkörper, welcher wie in den
9 bis11 zusammengebaut worden ist, durch einen Aufschmelzofen bzw. Reflow-Ofen hindurchgebracht. Deswegen wird der Stapelkörper einmal erhitzt, und wird er danach zu einer Raumtemperatur herabgekühlt. Wenn der Stapelkörper erhitzt wird, schmilzt die Lotschicht50 . Wenn dann der Stapelkörper gekühlt wird, verfestigt sich die Lotschicht50 . Im Ergebnis wird, wie in den12 und13 gezeigt ist, die Emitterelektrode44 mit dem auskragenden Verbindungsbereich20 durch die Lotschicht50 verbunden, und werden auch die Signalelektroden46 mit ihren entsprechenden Signalanschlüssen26 durch die Lotschichten50 verbunden. Nach dem Aufschmelzschritt wird die Schablone30 von dem Anschlussrahmen12 und dem Halbleiterchip40 entfernt. - Als Nächstes wird, wie in der
14 gezeigt ist, ein Kollektoranschluss60 über dem Halbleiterchip40 angeordnet, und wird die Kollektorelektrode48 mit dem Kollektoranschluss60 durch eine Lotschicht52 verbunden. Der Kollektoranschluss60 ist eine mit der Kollektorelektrode48 verbundene Verdrahtung bzw. Leitung, und er dient auch als eine Wärmeabführungsscheibe zum Abführen einer Wärme von der Kollektorelektrode48 . Weiters wird bei dieser Gelegenheit der Hauptanschluss28b in der1 auch mit dem Kollektoranschluss60 verbunden. - Als Nächstes wird, wie es in den
15 und16 gezeigt wird, eine isolierende Harzschicht70 , welche den Halbleiterchip40 bedeckt, durch ein Spritzgießen gebildet. Die Bereiche der jeweiligen Anschlüsse, welche mit dem Halbleiterchip40 verbunden sind, werden auch durch die isolierende Harzschicht70 bedeckt. Jeder der Signalanschlüsse26 und jeder der Hauptanschlüsse28a bis28c kragen von der isolierenden Harzschicht70 nach außen aus. - Als Nächstes wird der Anschlussrahmen
12 an einer Stelle außerhalb der isolierenden Harzschicht70 geschnitten, um einen mit undurchsichtigen Linien in der16 schraffierten Bereich (die Verbindungsstange22 , die Aufhängungsleitung23 und dergleichen) zu entfernen. Deswegen werden die Signalanschlüsse26 voneinander getrennt, und werden sie auch von dem Rohchipblock14 getrennt. Weiters werden die Haupanschlüsse28a bis28c voneinander getrennt. Im Ergebnis ist eine in der17 gezeigte Halbleitervorrichtung vollständig. - Als Nächstes wird ein herkömmliches Verfahren eines Herstellens einer Halbleitervorrichtung beschrieben werden. In dem herkömmlichen Herstellungsverfahren wird, wie in der
18 gezeigt ist, ein Anschlussrahmen112 verwendet, in welchem ein Kollektorrohchipblock160 und Signalanschlüsse126 integriert sind. Zuerst wird, wie in der18 gezeigt ist, der Anschlussrahmen112 auf einer ersten Schablone191 angebracht. Der Anschlussrahmen112 wird mit Bezug zu der ersten Schablone191 durch ein Einführen eines Stifts191a mit der ersten Schablone191 in ein in dem Anschlussrahmen112 vorgesehenes Loch112a positioniert. Als Nächstes wird eine zweite Schablone192 auf den Anschlussrahmen112 angebracht. Die zweite Schablone192 wird mit Bezug zu der ersten Schablone191 durch ein Einführen des Stifts191 a der ersten Schablone191 in ein Loch192a der zweiten Schablone192 positioniert. Als Nächstes wird ein Halbleiterchip140 innerhalb eines Ringbereichs192b der zweiten Schablone192 angeordnet. Der Halbleiterchip140 enthält ein Halbleitersubstrat142 , eine Emitterelektrode144 , Signalelektroden146 und eine Kollektorelektrode148 . Hier wird der Halbleiterchip140 angeordnet, wobei die Kollektorelektrode148 nach unten orientiert ist. Danach wird die Kollektorelektrode148 mit dem Rohchipblock160 mittels einer Lotschicht150 verbunden. Nachdem die Kollektorelektrode148 mit dem Rohchipblock160 verbunden worden ist, werden die erste Schablone191 und die zweite Schablone192 entfernt. - Als Nächstes wird jede Signalelektrode
146 des Halbleiterchips140 mit ihrem entsprechenden Signalanschluss126 des Anschlussrahmens112 durch Drahtverbinden verbunden. - Als Nächstes wird, wie in der
19 gezeigt ist, ein Emitteranschluss114 auf eine dritte Schablone193 gesetzt. Die dritte Schablone193 enthält eine Ausnehmung193a , und der Emitteranschluss114 wird in der Ausnehmung193a angeordnet. Der Emitteranschluss114 wird mit Bezug zu der dritten Schablone193 durch die Ausnehmung193a positioniert. Als Nächstes wird die Komponente, in welcher der Halbleiterchip140 und der Anschlussrahmen112 verbunden sind bzw. werden, an der dritten Schablone193 angebracht. Hier ist die Emitterelektrode144 des Halbleiterchips140 über einem auskragenden Verbindungsbereich114a des Emitteranschluss114 angeordnet. Hier wird der Anschlussrahmen112 mit Bezug zu der dritten Schablone193 durch ein Einführen eines Stifts193b der dritten Schablone193 in das Loch112a des Anschlussrahmens112 positioniert. Danach wird die Emitterelektrode144 mit dem auskragenden Verbindungsbereich114a mittels einer Lotschicht152 verbunden. Dann wird, wie es in der20 gezeigt ist, der Halbleiterchip140 in einer isolierenden Harzschicht170 abgedichtet. Nachdem die isolierende Harzschicht170 gebildet worden ist, wird der Anschlussrahmen112 an einer Stelle, die sich außerhalb der isolierenden Harzschicht170 befindet, geschnitten, um einen mit undurchsichtigen Linien in der20 schraffierten Bereich (eine Verbindungsstange, eine Aufhängungsleitung und dergleichen) zu entfernen. Dadurch werden die jeweiligen Anschlüsse voneinander getrennt. Gemäß der vorstehenden Schritte ist die Herstellung der Halbleitervorrichtung durch das herkömmliche Verfahren abgeschlossen. - Bei dem herkömmlichen Verfahren tritt eine Fehlausrichtung, welche als ein gemeinsames Ergebnis der Fehlausrichtungen zwischen der ersten Schablone
191 und dem Anschlussrahmen112 , zwischen der ersten Schablone191 und der zweiten Schablone192 , zwischen der zweiten Schablone192 und dem Halbleiterchip140 , zwischen der dritten Schablone193 und dem Emitteranschluss114 , sowie zwischen der dritten Schablone193 und dem Anschlussrahmen112 verursacht wird, zwischen der Emitterelektrode144 und dem auskragenden Verbindungsbereich114a auf. Da viele Fehlausrichtungs-Faktoren existieren, ist es wahrscheinlich, dass die Fehlausrichtung zwischen der Emitterelektrode144 und dem auskragenden Verbindungsbereich114a groß wird. Wenn die Fehlausrichtung zwischen der Emitterelektrode144 und dem auskragenden Verbindungsbereich114a groß ist, wird es schwierig, eine Wärme an einem Teil des Halbleiterchips140 zu dem Emitteranschluss114 zu übertragen, und kann der Teil des Halbleiterchips140 lokal einer hohen Temperatur unterworfen werden. Wenn die Fehlaurichtung zwischen der Emitterelektrode144 und dem auskragenden Verbindungsbereich114a extrem groß ist, kann weiters der auskragende Verbindungsbereichl14a über die Emitterelektrode144 hinaus auskragen, wie es in der21 gezeigt wird. In diesem Fall verteilt sich die Lotschicht152 über die Emitterelektrode144 hinaus nach außen, und hängt sie über. In dieser Konfiguration tritt die isolierende Harzschicht170 in einen Spalt bzw. eine Lücke zwischen die Lotschicht152 und das Halbleitersubstrat142 ein. In dieser Konfiguration wird eine extrem hohe Spannung auf die Lotschicht152 wegen der thermischen Ausdehnung der isolierenden Harzschicht170 zwischen der Lotschicht152 und dem Halbleitersubstrat142 aufgebracht, und daher verringert sich die Verlässlichkeit der Lotschicht152 extrem. - Im Gegensatz hierzu beeinflussen bei dem Verfahren der Ausführungsform Fehlausrichtungen zwischen der Schablone
30 und dem Anschlussrahmen12 , sowie zwischen der Schablone30 und dem Halbleiterchip40 eine Fehlausrichtung zwischen der Emitterelektrode44 und dem auskragenden Verbindungsbereich20 . Wegen ihrer verringerten Anzahl an Fehlausrichtungs-Faktoren kann die Fehlausrichtung zwischen der Emitterelektrode44 und dem auskragenden Verbindungsbereich20 gehemmt werden. Deswegen kann eine Wärmeabführungsleistung der Halbleitervorrichtung bei einer Massenproduktion der Halbleitervorrichtung stabilisiert werden. Es kann verhindert werden, dass Halbleitervorrichtungen mit einer geringen Wärmeabführungsleistung hergestellt werden. Insbesondere bei dem Verfahren der Ausführungsform ist die Emitterelektrode44 größer als der auskragende Verbindungsbereich20 , wie es in der9 gezeigt wird, und daher kann das Auftreten des in der21 gezeigten Falles noch sicherer verhindert werden. Daher kann die Verlässlichkeit der Lotschicht50 sichergestellt werden. - Weiters wird bei dem herkömmlichen Verfahren der Anschlussrahmen
112 verwendet, bei welchem der Kollektorrohchipblock160 und die Signalanschlüsse126 integriert sind. Nachdem der Anschlussrahmen112 (d.h. die mit undurchsichtigen Linien in der12 schraffierten Bereiche) geschnitten worden ist, verbleiben verbleibende Bereiche160a der Aufhängungsleitung an außerhalb der isolierenden Harzschicht170 ausgesetzten bzw. exponierten Positionen. Da die verbleibenden Bereiche160a der Aufhängungsleitung mit den Kollektorrohchipblöcken160 verbunden sind, zeigen die Signalanschlüsse126 (welche eine Potential aufweisen, welches im Wesentlichen gleich zu demjenigen des Emitters ist) und die verbleibenden Bereiche160a (welche ein Potential aufweisen, welches gleich zu demjenigen des Kollektors ist) zwischen diesen eine extrem große Potentialdifferenz. Deswegen ist es wahrscheinlich, dass eine Kriechentladung zwischen den Signalanschlüssen126 und den verbleibenden Bereichen160a auftritt. Daher müssen bei dem herkömmlichen Verfahren die Kerben180 (Ausnehmungen, um eine Kriechentfernung zwischen den verbleibenden Bereichen160a und den Signalanschlüssen126 länger zu machen) in einer lateralen Oberfläche der isolierenden Harzschicht170 zwischen den verbleibenden Bereichen160a und den Signalanschlüssen126 vorgesehen werden, um die Kriechentladung zu verhindern. Wenn jedoch die Kerben180 vorgesehen sind, gibt es ein Problem darin, dass eine innere Spannung der isolierenden Harzschicht170 groß werden kann, und dass eine Haltbarkeit der isolierenden Harzschicht170 gegen einen Riss und dergleichen sich verringern kann. - Im Gegensatz hierzu wird bei dem Verfahren der Ausführungsform der Anschlussrahmen
12 verwendet, in welchem jeder Emitterrohchipblock14 und seine entsprechenden Signalanschlüsse26 integriert sind. Nachdem der Anschlussrahmen12 (d.h. die mit undurchsichtigen Linien in der16 schraffierten Bereiche) geschnitten worden ist, verbleiben verbleibende Bereiche23a der Aufhängungsleitung23 an außerhalb der isolierenden Harzschicht70 ausgesetzten Positionen, wie es in der17 gezeigt wird. Da die verbleibenden Bereiche23a mit ihren entsprechenden Emitterrohchipblock14 verbunden sind, zeigen die Signalanschlüsse26 (welche ein Potential aufweisen, welches im Wesentlichen gleich zu demjenigen des Emitters ist) und die verbleibenden Bereiche23a (welche ein Potential aufweisen, welches gleich zu demjenigen des Emitters ist) eine extrem kleine Potentialdifferenz zwischen diesen. Daher ist es weniger wahrscheinlich, dass eine Kriechentladung zwischen den verbleibenden Bereichen23a und den Signalanschlüssen26 auftritt. Deswegen wird keine Kerbe in einer lateralen Oberfläche der isolierenden Harzschicht70 zwischen den verbleibenden Bereichen23a und den Signalanschlüssen26 benötigt. Daher ist eine Haltbarkeit der isolierenden Harzschicht70 gegen einen Riss verbessert. Da keine Kerbe benötigt wird, wird weiters ein Versatz zwischen den Signalanschlüssen26 und den Signalelektroden46 entlang der Y-Richtung ebenfalls nicht benötigt. Deswegen kann die Aufhängungsleitung23 an beiden Seiten jedes Satzes der Vielzahl von Signalanschlüssen26 vorgesehen werden, und wird eine positionsmäßige Genauigkeit zwischen den Signalanschlüssen26 und den Halbleiterchips40 verbessert. - Bei dem Herstellungsverfahren der Ausführungsform kragt, wie es in der
10 gezeigt wird, weiters der auskragende Verbindungsbereich20 von der oberen Oberfläche der Wärmeabführungsscheibe16 aufwärts aus, und ist der Abstand zwischen dem auskragenden Verbindungsbereich20 und der Schablone30 vorgesehen, und kann daher ein Raum zwischen den Signalelektroden46 und der Wärmeabführungsscheibe16 sichergestellt sein. Deswegen kann eine Verdrahtung (d.h. Signalanschlüsse26 ) für die Signalelektroden46 in diesem Raum angeordnet werden. Daher kann die Verdrahtung für die Signalelektroden46 in geeigneter Weise vorgesehen werden. - In der vorstehend erläuterten Ausführungsform ist der Halbleiterchip
40 innerhalb der Schablone30 angeordnet, nachdem die Schablone30 an dem Anschlussrahmen12 angebracht worden ist. Die Schablone30 kann jedoch an dem Anschlussrahmen12 angebracht werden, nachdem der Halbleiterchip40 innerhalb der Schablone30 angeordnet worden ist. Es sollte festgehalten werden, dass, in vielen Fällen, jeder der Schritte mit Leichtigkeit stabil in der Reihenfolge der Schritte gemäß dieser Ausführungsform durchgeführt wird. - In der vorstehend erläuterten Ausführungsform sind weiters der auskragende Verbindungsbereich
20 und der konvexe Positionierungsbereich18 kontinuierlich bzw. unterbrechungsfrei. Wie es in den22 und23 jedoch gezeigt wird, kann der konvexe Positionierungsbereich18 an einer von dem auskragenden Verbindungsbereich20 beabstandeten bzw. getrennten Position angeordnet werden. - Bei der vorstehend beschriebenen Ausführungsform ist weiters der auskragende Verbindungsbereich
20 höher als der konvexe Positionierungsbereich18 . Wie es in den24 und25 gezeigt wird, können der auskragende Verbindungsbereich20 und der konvexe Positionierungsbereich18 jedoch dieselbe Höhe aufweisen. - Bei der vorstehend beschriebenen Ausführungsform ist weiters der konvexe Positionierungsbereich
18 um den auskragenden Verbindungsbereich20 herum angeordnet. Wie es in den26 bis29 gezeigt wird, können jedoch die konvexen Positionierungsbereiche 18 diskret um den auskragenden Verbindungsbereich20 herum vorgesehen sein. Solange die Schablone30 positioniert werden kann, kann der konvexe Positionierungsbereich18 (können die konvexen Positionierungsbereiche18 ) in einer beliebigen Weise angeordnet sein. - In der vorstehend beschriebenen Ausführungsform weist weiters die Schablone
30 die Ringform auf. Wie es in den30 bis33 gezeigt wird, kann die Schablone30 jedoch eine andere Form als die Ringform aufweisen. Die33 zeigt eine Konfiguration, bei welcher zwei Halbleiterchips40 durch eine Schablone30 positioniert werden können. Auch bei diesen Konfigurationen können der Anschlussrahmen12 und die Halbleiterchips40 mit Bezug zueinander durch die Schablone30 , welche mit sowohl dem Positionierungsbereich des Anschlussrahmens12 als auch dem Halbleiterchip40 (den Halbleiterchips40 ) wirkverbindet, positioniert sein. Wie es in der34 gezeigt wird, kann weiters die Schablone30 ein scheibenförmiges Teil sein, welches mit einem quadratischen Loch darin versehen ist. - In der vorstehend beschriebenen Ausführungsform ist weiters eine Gesamtheit der oberen Oberfläche des konvexen Positionierungsbereichs
18 mit der Lotschicht50 verbunden. Jedoch kann eine Oberflächenbehandlung, welche keine Lot-Benetzbarkeit aufweist (bspw. eine Oberfläche-aufrauende Behandlung, etc.), an einem äußeren peripheren Bereich der oberen Oberfläche des konvexen Positionierungsbereichs18 durchgeführt werden. In dieser Konfiguration ist ein Teil (ein zentraler Bereich) der oberen Oberfläche des konvexen Positionierungsbereichs18 mit der Lotschicht50 verbunden. In diesem Fall ist der Bereich der oberen Oberfläche des konvexen Positionierungsbereichs18 , welcher die Lot-Benetzbarkeit aufweist (bspw. die mit dem Lot verbundene Region) vorzugsweise kleiner als die Emitterelektrode44 . - In der vorstehend beschriebenen Ausführungsform wird weiters die Schablone
30 durch den konvexen Positionierungsbereich18 positioniert. Wie es in der35 gezeigt ist, kann jedoch ein konkaver Positionierungsbereich19 anstelle des konvexen Positionierungsbereichs18 vorgesehen werden. Die Schablone30 kann positioniert werden, indem eine äußere periphere Oberfläche30c der Schablone30 mit einer lateralen Oberfläche des konkaven Positionierungsbereichs19 in Kontakt gebracht wird. - Einige der hierin offenbarten technischen Elemente werden im Nachfolgenden aufgelistet werden. Es ist festzuhalten, dass die jeweiligen technischen Elemente voneinander unabhängig sind, und dass sie einzeln oder in Kombinationen nützlich sind.
- In einem Beispiel des hierin offenbarten Herstellungsverfahrens kann ein Positionierungsbereich eine konvexe Form enthalten. Weiters kann bei einem Wirkverbinden einer Schablone mit dem Positionierungsbereich eine laterale Oberfläche der Schablone mit einer lateralen Oberfläche der konvexen Form in Kontakt gebracht werden.
- In einem Beispiel des hierin offenbarten Herstellungsverfahrens kann der Positionierungsbereich eine konkave Form beinhalten. Weiters kann bei einem Wirkverbinden der Schablone mit dem Positionierungsbereich eine laterale Oberfläche der Schablone mit einer lateralen Oberfläche der konkaven Form in Kontakt gebracht werden.
- Bei einem Beispiel des hierin offenbarten Herstellungsverfahrens kann in einem Zustand, wo die Schablone mit dem Positionierungsbereich mit einem Halbleiterchip wirkverbunden ist, in einer Ansicht entlang einer Richtung, in welcher der Halbleiterchip und ein Anschlussrahmen gestapelt sind, eine Gesamtheit einer Region eines auskragenden Verbindungsbereichs, mit welchem ein Lot verbunden wird, innerhalb einer Kontur einer Hauptelektrode angeordnet sein.
- Gemäß dieser Konfiguration kann verhindert werden, dass das die Hauptelektrode und den auskragenden Verbindungsbereich verbindende Lot eine überhängende Form aufweist.
- In einem Beispiel des hierin offenbarten Herstellungsverfahrens kann das Wirkverbinden der Schablone mit dem Halbleiterchip nach dem Wirkverbinden der Schablone mit dem Positionierungsbereich durchgeführt werden.
- In einem Beispiel des hierin offenbarten Herstellungsverfahrens kann die Hauptelektrode eine Emitterelektrode sein. Der Halbleiterchip kann weiters eine Signalelektrode aufweisen, welche an einer Oberfläche vorgesehen ist, an welcher die Emitterelektrode vorgesehen ist, sowie eine Kollektorelektrode, welche an einer hinteren Oberfläche vorgesehen ist, die sich an einer entgegen gerichteten Seite zu der Emitterelektrode befindet. Weiters kann der Anschlussrahmen einen den auskragenden Verbindungsbereich und den Positionierungsbereich enthaltenden Hauptkörper und einen sich von dem Hauptkörper erstreckenden Signalanschluss aufweisen. Dieses Herstellungsverfahren kann weiters ein Verbinden des Signalanschlusses mit der Signalelektrode, ein Verbinden eines Kollektoranschlusses mit der Kollektorelektrode, ein Bilden einer den Halbleiterchip bedeckenden isolierenden Harzschicht nach dem auskragenden Verbindungsbereich, und ein Abschneiden des Signalanschlusses von dem Hauptkörper, nachdem die isolierende Harzschicht gebildet ist, aufweisen. Der Signalanschluss und der Kollektoranschluss können mit dem Halbleiterchip verbunden sein.
- Bei diesem Herstellungsverfahren werden, nachdem der Signalanschluss von dem Hauptkörper abgeschnitten worden ist, der Signalanschluss und der Hauptkörper nach außerhalb des isolierenden Harzes ausgesetzt. Da der Signalanschluss (d.h. die Signalelektrode) und der Hauptkörper (d.h. die Emitterelektrode) zwischen diesen eine kleine Potentialdifferenz aufweisen, ist es jedoch weniger wahrscheinlich, dass eine Kriechentladung zwischen dem Signalanschluss und dem Hauptkörper auftritt.
- Während vorstehend spezifische Beispiele der vorliegenden Erfindung detailliert beschrieben worden sind, sind diese Beispiele lediglich illustrativ, und stellen sie keine Beschränkung des Schutzbereichs der Patentansprüche dar. Die in den Patentansprüchen beschriebene Technologie betrifft auch verschiedene Änderungen und Modifikationen der vorstehend beschriebenen spezifischen Beispiele. Die in der vorliegenden Beschreibung oder den vorliegenden Zeichnungen erläuterten technischen Elemente sehen eine technische Nutzbarkeit entweder unabhängig oder mittels verschiedener Kombinationen vor. Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die zu der Zeit, wenn die Ansprüche eingereicht werden, beschriebenen Kombinationen beschränkt. Der Zweck der durch die vorliegende Beschreibung oder die vorliegenden Zeichnungen illustrierten Beispiele ist es weiters, mehrere Aufgaben gleichzeitig zu erfüllen, und ein Erfüllen einer beliebigen dieser Aufgaben gibt der vorliegenden Erfindung eine technische Verwendbarkeit.
Claims (7)
- Ein Verfahren einer Herstellung einer Halbleitervorrichtung durch ein Verbinden eines Halbleiterchips (42) mit einem Anschlussrahmen (12) unter Verwenden einer Schablone (30), wobei der Halbleiterchip (42) eine Hauptelektrode (44) aufweist, die an einer Oberfläche des Halbleiterchips (42) vorgesehen ist, wobei der Anschlussrahmen (12) einen auskragenden Verbindungsbereich (20) und einen Positionierungsbereich (18, 19) aufweist, wobei der Positionierungsbereich (18, 19) zumindest eine der Formen konvexe Form (18) und konkave Form (19) enthält, welche um den auskragenden Verbindungsbereich (20) herum vorgesehen ist, wobei das Verfahren aufweist: ein Wirkverbinden der Schablone (30) mit dem Positionierungsbereich (18, 19) in einem Zustand, wo ein Abstand zwischen dem auskragenden Verbindungsbereich (20) und der Schablone (30) vorgesehen ist, ein Wirkverbinden der Schablone (30) mit dem Halbleiterchip (42), und ein Verbinden des auskragenden Verbindungsbereichs (20) mit der Hauptelektrode (44) des Halbleiterchips (42) mittels eines Lots (50) in einem Zustand, wo die Schablone (30) mit dem Positionierungsbereich (18, 19) und dem Halbleiterchip (42) wirkverbunden ist.
- Das Verfahren gemäß dem
Anspruch 1 , wobei der Positionierungsbereich (18, 19) die konvexe Form (18) enthält, und bei dem Wirkverbinden der Schablone (30) mit dem Positionierungsbereich (18, 19) eine laterale Oberfläche der Schablone (30) mit einer lateralen Oberfläche der konvexen Form (18) in Kontakt gebracht wird. - Das Verfahren gemäß dem
Anspruch 1 , wobei der Positionierungsbereich (18, 19) die konkave Form (19) enthält, und bei dem Wirkverbinden der Schablone (30) mit dem Positionierungsbereich (18, 19) eine laterale Oberfläche der Schablone (30) mit einer lateralen Oberfläche der konkaven Form (19) in Kontakt gebracht wird. - Das Verfahren gemäß einem der
Ansprüche 1 -3 , wobei in dem Zustand, wo die Schablone (30) mit dem Positionierungsbereich (18, 19) und dem Halbleiterchip (42) wirkverbunden ist, in einer Ansicht entlang einer Richtung, in welcher der Halbleiterchip (42) und der Anschlussrahmen (12) gestapelt sind, eine Gesamtheit einer Region des auskragenden Verbindungsbereichs (20), mit welchem das Lot (50) verbunden ist, innerhalb einer Kontur der Hauptelektrode (44) angeordnet ist. - Das Verfahren gemäß einem der
Ansprüche 1 -4 , wobei das Wirkverbinden der Schablone (30) mit dem Halbleiterchip (42) nach dem Wirkverbinden der Schablone (30) mit dem Positionierungsbereich (18, 19) durchgeführt wird. - Das Verfahren gemäß einem der
Ansprüche 1 -5 , wobei die Hauptelektrode (44) eine Emitterelektrode (44) ist, der Halbleiterchip (42) eine Signalelektrode (46), die an einer Oberfläche vorgesehen ist, an welcher die Emitterelektrode (44) vorgesehen ist, sowie eine Kollektorelektrode (48), die an einer hinteren Oberfläche vorgesehen ist, die an einer zu der Emitterelektrode (44) entgegen gerichteten Seite angeordnet ist, aufweist, wobei der Anschlussrahmen (12) einen Hauptkörper (14) und einen Signalanschluss (26) aufweist, wobei der Hauptkörper (14) den auskragenden Verbindungsbereich (20) und den Positionierungsbereich (18, 19) enthält, und sich der Signalanschluss (26) von dem Hauptkörper (14) erstreckt, wobei das Verfahren weiters aufweist: ein Verbinden des Signalanschlusses (26) mit der Signalelektrode (46), ein Verbinden eines Kollektoranschlusses (60) mit der Kollektorelektrode (48), ein Bilden einer den Halbleiterchip (42) bedeckenden isolierenden Harzschicht (70), nachdem der auskragende Verbindungsbereich (20), der Signalanschluss (26) und der Kollektoranschluss (60) mit dem Halbleiterchip (42) verbunden sind, und ein Abschneiden des Signalanschlusses (26) von dem Hauptkörper (14), nachdem die isolierende Harzschicht (70) gebildet ist. - Eine Halbleitervorrichtung, aufweisend: einen Halbleiterchip (42), der eine Hauptelektrode (44) enthält, die an einer Oberfläche des Halbleiterchips (42) vorgesehen ist, und einen Anschlussrahmen (12), der einen auskragenden Verbindungsbereich (20) und einen Positionierungsbereich (18, 19) enthält, wobei der Positionierungsbereich (18, 19) zumindest eine der Formen konvexe Form (18) und konkave Form (19) enthält, die um den auskragenden Verbindungsbereich (20) herum vorgesehen ist, wobei der auskragende Verbindungsbereich (20) mit der Hauptelektrode (44) mittels eines Lots (50) verbunden ist.
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