DE102017125774B4

DE102017125774B4 - Multiplexer

Info

Publication number: DE102017125774B4
Application number: DE102017125774.8A
Authority: DE
Inventors: Toshiaki Takata
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2016-11-04
Filing date: 2017-11-03
Publication date: 2021-05-06
Anticipated expiration: 2037-11-04
Also published as: CN108023570B; KR101986022B1; CN108023570A; US10361679B2; JP2018074539A; JP6589824B2; DE102017125774A1; US20180131349A1; KR20180050229A

Abstract

Multiplexer (1), umfassend:einen gemeinsamen Anschluss (100), einen ersten Anschluss (110) und einen zweiten Anschluss (120), von denen und/oder in die ein Hochfrequenzsignal-(HF)-Signal ausgegeben und/oder eingegeben wird,eine erste Filterschaltung (10), die ein erstes Frequenzband als Durchlassband aufweist und die mit dem gemeinsamen Anschluss (100) und dem ersten Anschluss (110) verbunden ist,eine zweite Filterschaltung (20), die ein vom ersten Frequenzband unterschiedliches zweites Frequenzband als Durchlassband aufweist und die mit dem gemeinsamen Anschluss (100) und dem zweiten Anschluss (120) verbunden ist, undeine Unterdrückungsschaltung (30), die mit einem ersten Knoten und einem zweiten Knoten (N) verbunden ist, die sich auf einer Verbindung befinden, die den gemeinsamen Anschluss (100) und den ersten Anschluss (110) verbindet, wobei der erste Knoten näher an dem gemeinsamen Anschluss (100) positioniert ist und der zweite Knoten (N) näher an dem ersten Anschluss (110) positioniert ist, und die eine Komponente in einem bestimmten die Verbindung durchfließenden Frequenzband ausgleicht,wobei die Unterdrückungsschaltung (30) beinhaltet:ein kapazitives Element (32), dessen erstes Ende mit dem ersten Knoten verbunden ist, undeinen längsgekoppelten Resonator (31),dadurch gekennzeichnet, dassvon dem längsgekoppelten Resonator (31) das erste Ende ein sendeseitiges Ende ist, das mit einem zweiten Ende des kapazitiven Elements (32) verbunden ist, und das zweite Ende mit dem zweiten Knoten (N) verbunden ist, ohne ein dazwischengeschaltetes kapazitives Element aufzuweisen, undwenn die Seite des ersten Knotens eine Ausgangsseite der Unterdrückungsschaltung (30) und die Seite des zweiten Knotens eine Eingangsseite der Unterdrückungsschaltung (30) ist, eine Ausgangsimpedanz der Unterdrückungsschaltung (30) im zweiten Frequenzband höher ist als eine Eingangsimpedanz der Unterdrückungsschaltung (30) im zweiten Frequenzband.

Description

TECHNISCHES GEBIET
Die vorliegende Erfindung betrifft einen Multiplexer umfassend eine Filterschaltung.
STAND DER TECHNIK
Von Mobiltelefonen wird immer öfter verlangt, dass sie von sich aus mit verschiedenen Frequenzbändern und drahtlosen Systemen, also Multiband- und Multimodalsystemen, arbeiten können. Um mit verschiedenen Frequenzbändern arbeiten zu können, wird ein Multiplexer, der ein Hochfrequenzsignal (HF) mit mehreren drahtlosen Trägerfrequenzen teilt, direkt hinter einer Antenne angeordnet.
8 zeigt einen Schaltplan eines Duplexers, wie er in der JP 2013 - 118611 A offenbart ist.
Der in 8 gezeigte Duplexer 600 umfasst einen Demultiplexer und eine Unterdrückungsschaltung 640. Der Demultiplexer umfasst eine sendeseitige und eine empfangsseitige Filterschaltung. Die Unterdrückungsschaltung 640 hat einen längsgekoppelten Resonator für elastische Wellen 646 und Kapazitäten 642 und 644. Die Unterdrückungsschaltung 640 erzeugt eine Ausgleichskomponente, die sich in der entgegengesetzten Phase befindet und die dieselbe Amplitude wie eine Komponente in einem bestimmten Frequenzband hat, das durch die sendeseitige Filterschaltung fließt.
Mit einer solchen Konfiguration können die Isolationseigenschaften des Demultiplexers und die Filterdämpfungseigenschaften ohne Erhöhung der Einfügedämpfung verbessert werden.
Da der in der JP 2013 - 118611 A beschriebene Duplexer 600 die Kapazitäten 642 und 644 aufweist, die beide an einer Antennenanschlussseite und einer Sendeanschlussseite des längsgekoppelten Resonators für elastische Wellens 646 angeordnet sind, nimmt die Größe des Duplexers 600 einschließlich der Unterdrückungsschaltung 640 zu. Wenn darüber hinaus eine für die Unterdrückungsschaltung 640 benötigte Kapazität abgesichert ist, während die kapazitiven Elemente der Unterdrückungsschaltung 640 auf beiden Seiten des längsgekoppelten Resonators für elastische Wellens 646 in Reihe verteilt angeordnet werden, steigt die Kapazität von jedem kapazitiven Element und verringert dadurch die Impedanz. Wenn also das Durchlassband des empfangsseitigen Filters das Resonanzantwortband des längsgekoppelten Resonators für elastische Wellens 640 überlappt, entstehen innerhalb des Durchlassbandes des empfangsseitigen Filters Welligkeiten, die die Bandbreite verkleinern.
OFFENBARUNG DER ERFINDUNG
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen kompakten Multiplexer bereitzustellen, der die Dämpfungseigenschaften einer ersten Filterschaltung, zu der eine Unterdrückungsschaltung parallel geschaltet ist, verbessert und der die Banddurchlasseigenschaften einer zweiten Filterschaltung verbessert, die über einen zwischengeschalteten gemeinsamen Anschluss mit der ersten Filterschaltung verbunden ist.
Die Erfindung ist in den Ansprüchen definiert.
Um die Dämpfungseigenschaften in einem bestimmten Frequenzband der ersten Filterschaltung zu verbessern, ist eine Unterdrückungsschaltung, die eine Ausgleichskomponente zum Ausgleich einer Komponente in einem bestimmten Frequenzband, das durch die oben genannte Verbindung fließt, erzeugt, parallel zur ersten Filterschaltung geschaltet. Als Unterdrückungsschaltung wird ein längsgekoppelter Resonator verwendet, der vorteilhaft nur in dem oben genannten bestimmten Frequenzband einen geringen Verlust aufweist. Zum Einstellen der Ausgleichskomponente auf dieselbe Amplitude und die entgegengesetzte Phase der oben genannten Komponente auf der Verbindung ist ein kapazitives Element zur Amplituden- und Phaseneinstellung in Reihe mit der Unterdrückungsschaltung geschaltet. Als kapazitives Element, das in Reihe mit der Unterdrückungsschaltung geschaltet ist, wurde eine verteilte Anordnung an zwei Enden des längsgekoppelten Resonators erwogen die die Impedanzanpassung zwischen der ersten Filterschaltung und der Unterdrückungsschaltung berücksichtigt. In der erfindungsgemäßen Konfiguration wird das kapazitive Element der Unterdrückungsschaltung dagegen nicht auf der Seite des zweiten Knotens des längsgekoppelten Resonators angeordnet, sondern nur auf der Seite des ersten Knotens. Entsprechend ist es zur Gewährleistung derselben Kapazität wie im Falle der Anordnung von zwei kapazitiven Elementen an zwei Enden des längsgekoppelten Resonators (zwei kapazitive Elemente sind in Reihe angeordnet) nur erforderlich, ein kapazitives Element mit einer niedrigeren Kapazität als eines der beiden in Reihe geschalteten kapazitiven Elemente an der Seite des gemeinsamen Anschlusses des längsgekoppelten Resonators anzuordnen. Auf diese Weise kann die Unterdrückungsschaltung kleiner ausgeführt werden als eine Unterdrückungsschaltung, in der zwei kapazitive Elemente angeordnet sind.
Bei einer Unterdrückungsschaltung, in der eine bestimmte Kapazität erforderlich ist, kann die Anordnung des kapazitiven Elements nur auf der Seite des ersten Knotens auf der Seite des gemeinsamen Anschlusses des längsgekoppelten Resonators bei Betrachtung der Unterdrückungsschaltung von der Seite des ersten Knotens aus eine Impedanz erzeugen, die größer ist als eine Impedanz bei Betrachtung der Unterdrückungsschaltung von der Seite des zweiten Knotens aus. In dieser Konfiguration dient die oben genannte Impedanz der Unterdrückungsschaltung als Impedanz im Durchlassband (zweites Frequenzband) der zweiten Filterschaltung. Folglich kann ein Signal im zweiten Frequenzband, das über den gemeinsamen Anschluss eingegeben wird, effektiver daran gehindert werden, in Richtung der Seite des ersten Filters auszutreten. Demzufolge können die Multiplexerschaltung kleiner gemacht und die Dämpfungseigenschaften der ersten Filterschaltung und die Banddurchlasseigenschaften der zweiten Filterschaltung verbessert werden.
Der erste Knoten kann der gemeinsame Anschluss sein. Demzufolge kann in einer Unterdrückungsschaltung, in der eine bestimmte Kapazität notwendig ist, die Anordnung des kapazitiven Elements nur auf der Seite des gemeinsamen Anschlusses des längsgekoppelten Resonators bei Betrachtung der Unterdrückungsschaltung von der Seite des gemeinsamen Anschlusses aus eine Impedanz erzeugen, die größer ist als eine Impedanz bei Betrachtung der Unterdrückungsschaltung von der Seite des zweiten Knotens aus. Folglich kann ein Signal im zweiten Frequenzband, das über den gemeinsamen Anschluss eingegeben wird, effektiver daran gehindert werden, in Richtung der Seite des ersten Filters auszutreten.
Das erste Frequenzband kann niedriger positioniert sein als das zweite Frequenzband, das bestimmte Frequenzband kann in dem zweiten Frequenzband enthalten sein, und eine Frequenz, bei der die Einfügedämpfung des längsgekoppelten Resonators minimal ist, kann nahe am zweiten Frequenzband positioniert sein.
Wenn das oben genannte bestimmte Frequenzband einschließlich einer Frequenz, bei der die Einfügedämpfung des längsgekoppelten Resonators minimal ist, im zweiten Frequenzband, das höher als das Durchlassband (erstes Frequenzband) der ersten Filterschaltung ist, eingestellt wird, um die Dämpfungseigenschaften zu verbessern, ist zu befürchten, dass sich die Banddurchlasseigenschaften der zweiten Filterschaltung verschlechtern. Da eine Impedanz im zweiten Frequenzband bei Betrachtung der Unterdrückungsschaltung von der Seite des gemeinsamen Anschlusses (erster Knoten) aus größer ist als eine Impedanz im zweiten Frequenzband bei Betrachtung der Unterdrückungsschaltung von der Seite des zweiten Knotens aus, können jedoch die Banddurchlasseigenschaften der zweiten Filterschaltung verbessert werden. Da die Dämpfungseigenschaften im zweiten Frequenzband der ersten Filterschaltung verbessert sind, sind auch die Isolationseigenschaften zwischen der ersten Filterschaltung und der zweiten Filterschaltung verbessert. Da das oben genannte bestimmte Frequenzband nicht im ersten Frequenzband eingestellt ist, wird darüber hinaus verhindert, dass sich die Banddurchlasseigenschaften der ersten Filterschaltung verschlechtern.
Die erste Filterschaltung kann eine Kettenfilterschaltung für elastische Wellen sein, die mehrere Resonatoren für elastische Wellen umfasst. Wenn die erste Filterschaltung eine Kettenfilterschaltung für elastische Wellen ist, tritt im Dämpfungsband der ersten Filterschaltung keine komplexe Phasenänderung auf und demzufolge kann der längsgekoppelte Resonator leicht eine Komponente mit einer Phase bilden, die derjenigen einer durch die oben genannte Verbindung der ersten Filterschaltung fließenden Komponente entgegengesetzt ist. Dadurch werden stärkere Effekte zur Verbesserung der Dämpfungseigenschaften der ersten Filterschaltung und der Isolationseigenschaften zwischen der ersten Filterschaltung und der zweiten Filterschaltung erzeugt.
Die erste Filterschaltung kann ein sendeseitiges Filter sein, das ein HF-Signal von dem ersten Anschluss zu dem gemeinsamen Anschluss leitet, die zweite Filterschaltung kann ein empfängerseitiges Filter sein, das ein RF-Signal von dem gemeinsamen Anschluss zu dem zweiten Anschluss leitet, und ein Reihenarmresonator kann an die Verbindung zwischen dem ersten Anschluss und dem zweiten Knoten angeschlossen sein. Damit ist ein Duplexer konfiguriert, in dem ein sendeseitiges Filter und ein empfangsseitiges Filter über einen gemeinsamen Anschluss verbunden sind. Hierin passieren elektrischer Strom und Spannungsspitzen, die am sendeseitigen Anschluss (erster Anschluss) angelegt werden, zuerst den Reihenarmresonator, was bedeutet, dass die Intensität eines Signals, das an den längsgekoppelten Resonator der Unterdrückungsschaltung angelegt wird, kleiner wird. Die Fähigkeit des Duplexers, mit elektrischem Strom und mit Spannungsspitzen umzugehen, kann daher verbessert werden.
Die erste Filterschaltung kann ein Oberflächenschallwellen-(OSW)-Filter sein, das mehrere auf einem piezoelektrischen Substrat gebildete erste Interdigitalwandler-(IDT)-Elektroden umfasst, und der längsgekoppelte Resonator kann ein OSW-Resonator einschließlich mehrerer auf dem Substrat gebildeter zweiter IDT-Elektroden sein. Da dann die erste Filterschaltung und der längsgekoppelte Resonator auch auf demselben piezoelektrischen Substrat gebildete OSW-Resonatoren umfassen, kann der Multiplexer kleiner ausgeführt werden.
Das kapazitive Element kann eine auf dem Substrat gebildete kammförmige Elektrode enthalten.
Wenn die erste Filterschaltung und die Unterdrückungsschaltung auf demselben piezoelektrischen Substrat gebildet sind, kann der Multiplexer kleiner ausgeführt werden.
Die mehreren ersten IDT-Elektroden können auf einem ersten Elektrodenfilm gebildet werden. Eine erste Verdrahtung, die die mehreren IDT-Elektroden verbindet, kann auf einem mehrschichtigen Körper, der auch den ersten Elektrodenfilm und einen zweiten Elektrodenfilm enthalten kann, gebildet werden. Eine zweite Verdrahtung, die den ersten Knoten, das kapazitive Element, die mehreren zweiten IDT-Elektroden und den zweiten Knoten verbindet, kann dieselbe Filmdicke wie der erste Elektrodenfilm haben.
Die erste Verdrahtung, die die ersten IDT-Elektroden verbindet, kann aus einer zweilagigen Verdrahtung bestehen, um einen niedrigen Verlust im Durchlassband der ersten Filterschaltung zu gewährleisten. Die zweite Verdrahtung der Unterdrückungsschaltung kann hingegen aus einer einlagigen Verdrahtung bestehen, da selbst dann, wenn die Widerstandskomponente steigt, kein großes Problem verursacht wird, weil die Ausgleichskomponente, die durch die Unterdrückungsschaltung fließt, eine kleine Amplitude hat. Somit kann die zweite Verdrahtung dünner ausgeführt werden, was es ermöglicht, die Chipgröße zu reduzieren.
Die erste Filterschaltung kann ein OSW-Kettenfilter sein, das einen Reihenarmresonator und einen Parallelarmresonator umfasst, und bei Betrachtung des Substrats in der Draufsicht soll ein Bereich, der eine Erweiterung des OSW-Ausbreitungsweges des längsgekoppelten Resonators in der Ausbreitungsrichtung ist, keine Überlappung mit einem OSW-Ausbreitungsweg des Parallelarmresonators oder einem OSW-Ausbreitungsweg des Reihenarmresonators haben.
Da eine von der Unterdrückungsschaltung erzeugte Ausgleichskomponente eine kleine Amplitude hat, wird die Ausgleichskomponente, wenn die Sendewege des längsgekoppelten Resonators, des Reihenarmresonators und des Parallelarmresonators der ersten Filterschaltung nebeneinander angeordnet sind, von Oberflächenschallwellen des Reihenarmresonators und des Parallelarmresonators beeinträchtigt und die Phaseneigenschaften der Ausgleichskomponente werden beeinflusst, so dass sich die Dämpfungseigenschaften der ersten Filterschaltung verschlechtern. Hingegen können mit dem oben beschriebenen Aufbau die Dämpfungseigenschaften der ersten Filterschaltung verbessert werden.
Die zweite Filterschaltung kann ein OSW-Filter sein, das mehrere auf dem Substrat gebildete dritte IDT-Elektroden umfasst. Die mit dem längsgekoppelten Resonator verbundene Erdungsverdrahtung kann an eine Erdungselektrode angeschlossen sein, die mit der ersten Filterschaltung auf dem Substrat verbunden ist, und braucht nicht an eine Erdungselektrode angeschlossen zu sein, die mit der zweiten Filterschaltung auf dem Substrat verbunden ist.
Wenn die mit dem längsgekoppelten Resonator verbundene Erdungsverdrahtung mit der Erdungselektrode verbunden ist, die mit der ersten Filterschaltung verbunden ist, können der längsgekoppelte Resonator und die erste Filterschaltung auf dem piezoelektrischen Substrat eine gemeinsame Erdungselektrode nutzen, was eine Reduzierung der Chipgröße ermöglicht.
Wenn die Erdungsverdrahtung, die mit dem längsgekoppelten Resonator verbunden ist, nicht an die mit der zweiten Filterschaltung verbundene Erdungselektrode angeschlossen ist, wird die Antwort des längsgekoppelten Resonators daran gehindert, umzulaufen und über die Erdungselektrode in das zweite Filter einzugreifen. Demzufolge kann eine Verschlechterung der Banddurchlasseigenschaften der zweiten Filterschaltung verhindert werden.
Mit der Erfindung kann ein kleiner Multiplexer bereitgestellt werden, der die Dämpfungseigenschaften der ersten Filterschaltung, zu der eine Unterdrückungsschaltung parallel geschaltet ist, verbessert und der die Banddurchlasseigenschaften einer zweiten Filterschaltung, die über einen gemeinsamen Anschluss mit der ersten Filterschaltung verbunden ist, verbessert.
Weitere Eigenschaften und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der folgenden rein beispielhaften und nicht-beschränkenden Beschreibung von Ausführungsformen der Erfindung in Verbindung mit der acht Figuren umfassenden Zeichnung.
Figurenliste

1 ist ein Schaltplan eines Multiplexers gemäß einer Ausführungsform und der umgebenden Schaltung.
2 ist ein konkreter Schaltplan eines Multiplexers gemäß einem Implementierungsbeispiel der Ausführungsform.
3 ist ein konkreter Schaltplan eines Multiplexers gemäß eines Vergleichsbeispiels.
4A ist ein Graph, der die Banddurchlasseigenschaften eines sendeseitigen Filters gemäß dem Implementierungsbeispiel der Ausführungsform und dem Vergleichsbeispiel miteinander vergleicht.
4B ist ein Graph, der die Banddurchlasseigenschaften eines empfangsseitigen Filters gemäß dem Implementierungsbeispiel der Ausführungsform und dem Vergleichsbeispiel miteinander vergleicht.
4C ist ein Graph, der die Isolationseigenschaften eines Multiplexers gemäß dem Implementierungsbeispiel der Ausführungsform und dem Vergleichsbeispiel miteinander vergleicht.
5 ist ein Graph, der die Banddurchlasseigenschaften einer Unterdrückungsschaltung gemäß der beispielhaften Implementierung der Ausführungsform darstellt.
6 ist eine Draufsicht auf einen Chip, der ein Elektrodenlayout des Multiplexers gemäß der Ausführungsform repräsentiert.
7 ist eine Draufsicht auf einen Chip, der ein Elektrodenlayout des Multiplexers gemäß einer Modifizierung der Ausführungsform repräsentiert.
8 zeigt einen Schaltplan eines in der JP 2013 - 118611 A beschriebenen Duplexers.

BESCHREIBUNG BEVORZUGTER AUSFÜHRUNGSFORMEN
Nachfolgend wird eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung unter Verwendung von Beispielen und der Zeichnung detailliert beschrieben. Die nachfolgend beschriebenen Beispiele sind jeweils detaillierte oder konkrete Beispiele. Die Zahlenangaben, Formen, Materialien, Elemente sowie die Anordnungen und Verbindungen der Elemente, die in den folgenden Beispielen diskutiert werden, sind nur beispielhaft und sind nicht als Einschränkungen der vorliegenden Erfindung auszulegen. In den folgenden Beispielen ist davon auszugehen, dass Elemente, die nicht in einem unabhängigen Anspruch genannt werden, optionale Elemente sind. Die Größen oder Größenverhältnisse der in den Zeichnungen dargestellten Elemente sind nicht zwangsläufig exakt.
Grundsätzlicher Schaltungsaufbau des Multiplexers
1 ist ein Schaltplan eines Multiplexers 1 gemäß einer Ausführungsform und der ihn umgebenden Schaltung. 1 zeigt den Multiplexer 1 entsprechend der Ausführungsform, eine Antennenvorrichtung 2 und einen Anpassungsinduktor 3.
Der Multiplexer 1 umfasst ein sendeseitiges Filter 10, ein empfangsseitiges Filter 20, eine Unterdrückungsschaltung 30, einen gemeinsamen Anschluss 100, einen sendeseitigen Anschluss (erster Anschluss) 110 und einen empfangsseitigen Anschluss (zweiter Anschluss) 120.
Das sendeseitige Filter 10 und das empfangsseitige Filter 20 sind miteinander über den gemeinsamen Anschluss 100 verbunden. Bei diesem Aufbau funktioniert der Multiplexer 1 als Duplexer, der ein HF-Signal ausgibt, das an die Antennenvorrichtung 2 vom empfangsseitigen Anschluss 120 über den gemeinsamen Anschluss 100 und das empfangsseitige Filter 20 empfangen wurde, und der ein HF-Signal ausgibt, das vom sendeseitigen Anschluss 110 an die Antennenvorrichtung 2 über das sendeseitige Filter 10 und den gemeinsamen Anschluss 100 eingegeben wurde.
Eine Verstärkerschaltung, die ein HF-Signal verstärkt oder beispielsweise eine HF-Signale verarbeitende Schaltung (integrierte HF-Schaltung (RFIC)) ist mit dem sendeseitigen Anschluss 110 und dem empfangsseitigen Anschluss 120 verbunden. Der gemeinsame Anschluss 100 muss nicht an die Antennenvorrichtung 2 angeschlossen sein, und der gemeinsame Anschluss 100 kann über eine dazwischengeschaltete Umschaltschaltung an die Antennenvorrichtung 2 angeschlossen sein.
Ein Induktor oder ein Kondensator zur Impedanzanpassung können zwischen den gemeinsamen Anschluss 100, das sendeseitige Filter 10 und das empfangsseitige Filter 20 geschaltet sein.
Das sendeseitige Filter 10 ist eine erste Filterschaltung, die ein erstes Frequenzband als Durchlassband hat und die mit dem gemeinsamen Anschluss 100 und dem ersten Anschluss 110 verbunden ist.
Das empfangsseitige Filter 20 ist eine zweite Filterschaltung, die ein zweites Frequenzband als Durchlassband hat, das sich vom ersten Frequenzband unterscheidet, und die mit dem gemeinsamen Anschluss 100 und dem zweiten Anschluss 120 verbunden ist.
Wenngleich sowohl das erste Frequenzband als auch das zweite Frequenzband größer als das jeweils andere sein können, wird in der vorliegenden Ausführungsform eine beispielhafte Schaltungskonfiguration beschrieben, bei der das zweite Frequenzband höher als das erste Frequenzband ist, das heißt, das Durchlassband des empfangsseitigen Filters 20 ist höher als das Durchlassband des sendeseitigen Filters 10.
Die Unterdrückungsschaltung 30 ist mit dem gemeinsamen Anschluss 100 (erster Knoten) und einem Knoten N (zweiter Knoten) verbunden, der auf einer Verbindung liegt, die den gemeinsamen Anschluss 100 und den sendeseitigen Anschluss 110 verbindet. Die Unterdrückungsschaltung 30 ist eine Schaltung zum Ausgleich einer Komponente in einem bestimmten Frequenzband, das durch die Verbindung fließt.
Die Unterdrückungsschaltung 30 besteht insbesondere aus einem längsgekoppelten Resonator 31 und einem kapazitiven Element 32. Der längsgekoppelte Resonator 30 umfasst Resonatoren 31a und 31b für elastische Wellen. Das erste Ende des längsgekoppelten Resonators 31 (Resonator 31a für elastische Wellen) ist mit dem zweiten Ende des kapazitiven Elements 32 verbunden, und ein zweites Ende des längsgekoppelten Resonators 31 (Resonator 31b für elastische Wellen) ist ohne Zwischenschaltung eines kapazitiven Elements mit dem Knoten N verbunden. Das erste Ende des kapazitiven Elements 32 ist mit dem gemeinsamen Anschluss 100 verbunden.
Bei Betrachtung der Unterdrückungsschaltung 30 von der Seite des gemeinsamen Anschlusses 100 aus ist die Impedanz im zweiten Frequenzband höher als die Impedanz im zweiten Frequenzband bei Betrachtung der Unterdrückungsschaltung 30 von der Seite des Knotens N aus.
Gemäß dem oben beschriebenen Aufbau ist zwecks Verbesserung der Dämpfungseigenschaften in einem bestimmten Frequenzband, das höher als das erste Frequenzband des sendeseitigen Filters 10 ist, die Unterdrückungsschaltung 30, die eine Ausgleichskomponente zum Ausgleich einer Komponente in dem bestimmten Frequenzband erzeugt, das durch die oben genannte Verbindung fließt, parallel zum sendeseitigen Filter 10 geschaltet. Als Unterdrückungsschaltung 30 wird ein längsgekoppelter Resonator 31 verwendet, der dadurch Vorteile hat, dass er nur in dem oben genannten bestimmten Frequenzband verglichen mit anderen Frequenzbändern über einem breiten Band einen geringen Verlust hat. Um die Ausgleichskomponente auf dieselbe Amplitude und die entgegengesetzte Phase der Komponente des bestimmten Frequenzbandes einzustellen, das durch die Verbindung fließt, ist das kapazitive Element 32 zur Einstellung der Amplitude und der Phase in Reihe mit der Unterdrückungsschaltung 30 geschaltet.
Im Allgemeinen wird als ein kapazitives Element, das in Reihe mit einer Unterdrückungsschaltung geschaltet ist, eine verteilte Anordnung an zwei Enden eines längsgekoppelten Resonators verwendet, was die Impedanzanpassung zwischen einer Filterschaltung, zu der die Unterdrückungsschaltung parallel geschaltet ist, und der Unterdrückungsschaltung berücksichtigt.
Dagegen ist bei dem erfindungsgemäßen Aufbau des Multiplexers 1 das kapazitive Element der Unterdrückungsschaltung 30 nicht auf der Seite des Knotens N des längsgekoppelten Resonators 31 angeordnet, sondern nur auf der Seite des gemeinsamen Anschlusses 100. Entsprechend ist es zur Gewährleistung derselben Kapazität wie derjenigen eines Aufbaus gemäß dem Stand der Technik, bei dem kapazitive Elemente an zwei Enden eines längsgekoppelten Resonators verteilt angeordnet sind (zwei kapazitive Elemente sind in Reihe angeordnet), lediglich notwendig, dass das kapazitive Element 32, das eine kleinere Kapazität hat als eines der beiden in Reihe angeordneten kapazitiven Elemente, nur an der zum gemeinsamen Anschluss 100 weisenden Seite des längsgekoppelten Resonators 31 angeordnet ist. Auf diese Weise kann die Unterdrückungsschaltung 30 kleiner ausgeführt werden als eine Unterdrückungsschaltung gemäß dem Stand der Technik, bei der zwei kapazitive Elemente angeordnet werden.
Bei einer Unterdrückungsschaltung, in der eine bestimmte Kapazität notwendig ist, kann nur die Anordnung des kapazitiven Elements 32 an der Seite des gemeinsamen Anschlusses 100 des längsgekoppelten Resonators 31 bei Betrachtung der Unterdrückungsschaltung 30 von der Seite des gemeinsamen Anschlusses 100 aus eine Impedanz erzeugen, die größer ist als eine Impedanz bei Betrachtung der Unterdrückungsschaltung 30 von der Seite des Knotens N aus. Bei dem Multiplexer 1 entsprechend der Ausführungsform dient die oben erwähnte Impedanz der Unterdrückungsschaltung 30 als Impedanz im Durchlassband (zweites Frequenzband) des empfangsseitigen Filters 20. Eine Impedanz im zweiten Frequenzband ist bei Betrachtung der Unterdrückungsschaltung 30 von der Seite des gemeinsamen Anschlusses 100 aus höher als eine Impedanz im zweiten Frequenzband bei Betrachtung der Unterdrückungsschaltung 30 von der Seite des Knotens N aus. Folglich kann ein Signal im zweiten Frequenzband, das von dem gemeinsamen Anschluss 100 eingegeben wird, daran gehindert werden, in Richtung des sendeseitigen Filters 10 auszutreten. Damit können der Multiplexer 1 kleiner gebaut und die Dämpfungseigenschaften des oben genannten bestimmten Frequenzbands des sendeseitigen Filters 10 und die Banddurchlasseigenschaften des empfangsseitigen Filters 20 verbessert werden.
Obwohl der Aufbau der Ausführungsform so ist, dass die Unterdrückungsschaltung 30 mit dem gemeinsamen Anschluss 100 und dem Knoten N verbunden ist, kann der Fall eintreten, dass eine Unterdrückungsschaltung entsprechend der bevorzugten Ausführungsformen der Erfindung nicht direkt mit dem gemeinsamen Anschluss verbunden ist, sondern mit einem Knoten (erster Knoten) an beliebiger Stelle entlang eines Reihenarms der Reihenarmresonatoren 12s1 bis 14s2, die von dem sendeseitigen Filter 10 umfasst werden, und mit dem Knoten N (zweiter Knoten) verbunden sein. Es ist nur erforderlich, dass die Unterdrückungsschaltung mit dem ersten Knoten verbunden ist, der sich auf der Verbindung befindet, die den gemeinsamen Anschluss 100 und den sendeseitigen Anschluss 110 verbindet, und der näher am gemeinsamen Anschluss 100 liegt, und mit einem zweiten Knoten verbunden ist, der auf der Verbindung liegt, die den gemeinsamen Anschluss 100 und den sendeseitigen Anschluss 110 verbindet, und der näher an dem sendeseitigen Anschluss 110 liegt. Auch mit diesem Aufbau können dieselben vorteilhaften Effekte erzielt werden wie mit der Unterdrückungsschaltung 30 und dem Multiplexer 1 gemäß der Ausführungsform, und die Dämpfungseigenschaften in dem oben genannten bestimmten Frequenzband des sendeseitigen Filters 10 und die Banddurchlasseigenschaften des empfangsseitigen Filters 20 können verbessert werden.
Nachfolgend werden beispielhaft eine konkrete Schaltungskonfiguration des Multiplexers 1 gemäß der Ausführungsform diskutiert und der Multiplexer 1 detailliert beschrieben.
Beispielhafte Schaltungskonfiguration des Multiplexers
2 ist eine Skizze, die eine spezifische Schaltungskonfiguration des Multiplexers 1 gemäß einem Beispiel zeigt. Der in 2 dargestellte Multiplexer 1 umfasst das sendeseitige Filter 10, das empfangsseitige Filter 20, die Unterdrückungsschaltung 30, den gemeinsamen Anschluss 100, den sendeseitigen Anschluss 110 und den empfangsseitigen Anschluss 120 analog zu 1.
Das sendeseitige Filter 10 ist eine Kettenfilterschaltung für elastische Wellen, die mehrere Resonatoren für elastische Wellen und Reihenarmresonatoren 11s, 12s1, 12s2, 13s1, 13s2, 14s1 und 14s2 sowie Parallelarmresonatoren 11p, 12p1, 12p2 und 13p umfasst. Entsprechend dieser Konfiguration wird das sendeseitige Filter 10 z.B. als Sendefilter für das Long-Term-Evolution-(LTE)-Band 8 angewandt (Sendeband (erste Frequenz): etwa 880 bis etwa 915 MHz).
Da das sendeseitige Filter 10 eine Kettenfilterschaltung für elastische Wellen ist, tritt im Dämpfungsband des sendeseitigen Filters 10 keine komplexe Phasenänderung auf, und demzufolge kann der längsgekoppelte Resonator 31 leicht eine Komponente mit einer Phase generieren, die zu derjenigen einer durch die oben genannte Verbindung des sendeseitigen Filters 10 fließenden Komponente entgegengesetzt ist. Dadurch werden stärkere Effekte zur Verbesserung der Dämpfungseigenschaften des sendeseitigen Filters 10 und der Isolationseigenschaften zwischen dem sendeseitigen Filter 10 und dem empfangsseitigen Filter 20 erzeugt.
Jeder der Reihenarmresonatoren 11s bis 14s2 und der Parallelarmresonatoren 11p bis 13p umfasst ferner auf einem piezoelektrischen Substrat gebildete Interdigitalwandler-(IDT)-Elektroden. Das sendeseitige Filter 10 ist ein Oberflächenschallwellen-(OSW)-Filter, das mehrere auf dem piezoelektrischen Substrat gebildete erste IDT-Elektroden umfasst.
Das empfangsseitige Filter 20 ist eine Filterschaltung für elastische Wellen, die mehrere Resonatoren für elastische Wellen und Reihenarmresonatoren 21s und 22s, Parallelarmresonatoren 21p und 22p und einen längsgekoppelten Resonator 23L umfasst. Der längsgekoppelte Resonator 23L umfasst parallel geschaltete längsgekoppelte Resonatoren 23L1 und 23L2, wobei jeder der längsgekoppelten Resonatoren 23L1 und 23L2 fünf Resonatoren für elastische Wellen umfasst, die entlang einer Ausbreitungsrichtung elastischer Wellen angeordnet sind. Entsprechend dieser Konfiguration wird das empfangsseitige Filter 20 beispielsweise als LTE-Band-8-Empfangsfilter (Empfangsband (zweites Frequenzband): etwa 925 bis etwa 960 MHz) eingesetzt. Man beachte, dass die Reihenarmresonatoren 21s und 22s, die Parallelarmresonatoren 21p und 22p und die in dem längsgekoppelter Resonator 23L enthaltenen Resonatoren für elastische Wellen auf einem piezoelektrischen Substrat gebildete IDT-Elektroden enthalten. Das empfangsseitige Filter 20 ist ein OSW-Filter, das mehrere auf dem piezoelektrischen Substrat gebildete IDT-Elektroden umfasst.
Die Unterdrückungsschaltung 30 umfasst den längsgekoppelten Resonator 31 und das kapazitive Element 32. Wenngleich das kapazitive Element 32 in 2 von einem Resonator für elastische Wellen realisiert wird, kann das kapazitive Element 32 auch von einem OSW-Resonator, der kapazitiv ist, wie z.B. einem Ein-Port-Resonator, realisiert werden.
Der längsgekoppelte Resonator 31 umfasst zwei Resonatoren 31a und 31b für elastische Wellen, die entlang der Ausbreitungsrichtung der elastischen Wellen angeordnet sind. Ein erstes Ende des längsgekoppelten Resonators 31 (Resonator 31a für elastische Wellen) ist mit einem zweiten Ende des kapazitiven Elements 32 verbunden, und ein zweites Ende des längsgekoppelten Resonators 31 (Resonator 31b für elastische Wellen) ist ohne Zwischenschaltung eines kapazitiven Elements mit dem Knoten N verbunden. Darüber hinaus umfasst jeder der Resonatoren 31a und 31b für elastische Wellen auf einem piezoelektrischen Substrat, auf dem das sendeseitige Filter 10 gebildet ist, gebildete IDT-Elektroden.
Die Unterdrückungsschaltung 30 ist ein OSW-Resonator, der mehrere auf dem piezoelektrischen Substrat gebildete IDT-Elektroden umfasst. Die IDT-Elektroden im Resonator 31a für elastische Wellen umfassen zwei kammförmige Elektroden, die sich gegenüber liegen. Eine der kammförmigen Elektroden ist mit dem zweiten Ende des kapazitiven Elements 32 verbunden und die andere kammförmige Elektrode ist mit einer Erdungselektrode verbunden. Die IDT-Elektroden im Resonator 31b für elastische Wellen umfassen zwei kammförmige Elektroden, die sich gegenüber liegen. Eine der kammförmigen Elektroden ist mit dem Knoten N verbunden und die andere kammförmige Elektrode ist mit einer Erdungselektrode verbunden.
Da das sendeseitige Filter 10 und der längsgekoppelte Resonator 31 auf demselben piezoelektrischen Substrat gebildet sind, kann der Multiplexer 1 kleiner ausgeführt werden.
In dem Beispiel ist der Reihenarmresonator 11s im sendeseitigen Filter 10 zwischen dem Knoten N und dem sendeseitigen Anschluss 110 angeordnet. Hierbei passieren elektrischer Strom und Spannungspitzen vom sendeseitigen Anschluss 110 zuerst den Reihenarmresonator 11s, was bedeutet, dass die Intensität eines Signals, das an dem längsgekoppelten Resonator 31 der Unterdrückungsschaltung 30 angelegt wird, kleiner wird. Die Fähigkeit des Multiplexers 1, mit elektrischem Strom und mit Spannungsspitzen umzugehen, kann also verbessert werden.
Man beachte, dass die Anzahl der von dem längsgekoppelten Resonator 31 umfassten Resonatoren für elastische Wellen (IDT-Elektroden) nicht auf zwei begrenzt ist und die Anzahl entsprechend der erforderlichen Banddurchlasseigenschaften der Unterdrückungsschaltung 30 festgelegt werden kann.
Ein erstes Ende des kapazitiven Elements 32 ist mit dem gemeinsamen Anschluss 100 verbunden und ein zweites Ende des kapazitiven Elements 32 ist mit dem ersten Ende (Resonator 31a für elastische Wellen) des längsgekoppelten Resonators 31 verbunden. Man beachte, dass das kapazitive Element 32 eine auf einem piezoelektrischen Substrat, auf dem das sendeseitige Filter 10 und der längsgekoppelte Resonator 31 gebildet sind, gebildete kammförmige Elektrode enthält.
Da das sendeseitige Filter 10, der längsgekoppelte Resonator 31 und das kapazitive Element 32 auf demselben piezoelektrischen Substrat gebildet sind, kann der Multiplexer 1 kleiner ausgeführt werden.
3 ist ein konkreter Schaltplan eines Multiplexers 500 gemäß einem Vergleichsbeispiel. Der in 3 dargestellte Multiplexer 500 umfasst das sendeseitige Filter 10, das empfangsseitige Filter 20, die Unterdrückungsschaltung 530, den gemeinsamen Anschluss 100, den sendeseitigen Anschluss 110 und den empfangsseitigen Anschluss 120. Der in 3 dargestellte Multiplexer 500 unterscheidet sich von dem Multiplexer 1 gemäß dem Beispiel nur hinsichtlich des Aufbaus der Unterdrückungsschaltung. Nachfolgend wird der Multiplexer 500 entsprechend dem Vergleichsbeispiel hauptsächlich dadurch beschrieben, dass unterschiedliche Punkte diskutiert werden, während die mit dem Multiplexer 1 in dem Beispiel gleichen Punkte weitestgehend weggelassen werden.
Die Unterdrückungsschaltung 530 umfasst den längsgekoppelten Resonator 31 und kapazitive Elemente 32a und 32b.
Der längsgekoppelte Resonator 31 der Unterdrückungsschaltung 530 umfasst die beiden Resonatoren 31a und 31b für elastische Wellen, die entlang der Ausbreitungsrichtung elastischer Wellen angeordnet sind.
Ein erstes Ende des längsgekoppelten Resonators 31 (Resonator 31a für elastische Wellen) ist mit dem zweiten Ende des kapazitiven Elements 32a verbunden und ein zweites Ende des längsgekoppelten Resonators 31 (Resonator 31b für elastische Wellen) ist mit einem zweiten Ende des kapazitiven Elements 32b verbunden.
Darüber hinaus umfasst jeder der Resonatoren 31a und 31b für elastische Wellen auf einem piezoelektrischen Substrat, auf dem das sendeseitige Filter 10 gebildet ist, gebildete IDT-Elektroden. Die IDT-Elektroden im Resonator 31a für elastische Wellen sind zwei kammförmige Elektroden, die sich gegenüber liegen. Eine der kammförmigen Elektroden ist mit dem zweiten Ende des kapazitiven Elements 32a verbunden und die andere kammförmige Elektrode ist mit einer Erdungselektrode verbunden. Die IDT-Elektroden im Resonator 31b für elastische Wellen umfassen zwei kammförmige Elektroden, die sich gegenüber liegen. Eine der kammförmigen Elektroden ist mit dem zweiten Ende des kapazitiven Elements 32b verbunden und die andere kammförmige Elektrode ist mit der Erdungselektrode verbunden.
Ein erstes Ende des kapazitiven Elements 32a ist mit dem gemeinsamen Anschluss 100 verbunden und ein zweites Ende des kapazitiven Elements 32a ist mit dem ersten Ende (Resonator 31a für elastische Wellen) des längsgekoppelten Resonators 31 verbunden. Ein erstes Ende des kapazitiven Elements 32b ist mit dem Knoten N verbunden und ein zweites Ende des kapazitiven Elements 32b ist mit dem zweiten Ende (Resonator 31b für elastische Wellen) des längsgekoppelten Resonators 31 verbunden.
Im Allgemeinen sind die kapazitiven Elemente 32a und 32b wie bei der Konfiguration des Multiplexers 500 entsprechend dem in 3 dargestellten Vergleichsbeispiel verteilt an zwei Enden des längsgekoppelten Resonators 31 angeordnet, was die Impedanzanpassung zwischen dem sendeseitigen Filter 20, zu dem die Unterdrückungsschaltung 530 parallel geschaltet ist, und der Unterdrückungsschaltung 530 berücksichtigt.
Im Gegensatz dazu ist in der Konfiguration des Multiplexers 1 gemäß der Erfindung zur Verbesserung der Dämpfungseigenschaften in einem bestimmten Frequenzband, das höher als das erste Frequenzband des sendeseitigen Filters 10 ist, die Unterdrückungsschaltung 30, die eine Ausgleichskomponenente zum Ausgleich einer Komponente im bestimmten Frequenzband, das durch die oben genannte Verbindung fließt, erzeugt, parallel zum sendeseitigen Filter 10 geschaltet. Um die Ausgleichskomponente auf dieselbe Amplitude und die entgegengesetzte Phase der oben genannten Komponente im bestimmten Frequenzband einzustellen, das durch die Verbindung fließt, ist das kapazitive Element 32 zur Einstellung der Amplitude und der Phase in Reihe mit der Unterdrückungsschaltung 30 geschaltet.
Entsprechend der Konfiguration des Multiplexers 1 gemäß dem Beispiel ist das kapazitive Element 32 der Unterdrückungsschaltung 30 nicht auf der Seite des Knotens N des längsgekoppelten Resonators 31 angeordnet, sondern nur an der Seite des gemeinsamen Anschlusses 100. Um dieselbe Kapazität wie beim Vergleichsbeispiel zu gewährleisten, bei dem die kapazitiven Elemente 32a und 32b verteilt (in Reihe) an zwei Enden des längsgekoppelten Resonators 31 angeordnet sind, ist es nur erforderlich, dass das kapazitive Element 32, das eine niedrigere Kapazität hat als eines der in Reihe angeordneten kapazitiven Elemente 32a und 32b, nur auf der Seite des gemeinsamen Anschlusses 100 des längsgekoppelten Resonators 31 angeordnet wird. Auf diese Weise kann die Unterdrückungsschaltung 30 kleiner gemacht werden als die Unterdrückungsschaltung 530 gemäß dem Stand der Technik, wo zwei kapazitive Elemente 32a und 32b verteilt (in Reihe) an zwei Enden des längsgekoppelten Resonators 31 angeordnet sind.
Bei einer Unterdrückungsschaltung, in der eine bestimmte Kapazität erforderlich ist, kann die Anordnung des kapazitiven Elements 32 nur am gemeinsamen Anschluss 100 auf der Seite des längsgekoppelten Resonators 31 bei Betrachtung der Unterdrückungsschaltung 30 von der Seite des gemeinsamen Anschlusses 100 aus eine Impedanz erzeugen, die größer ist als eine Impedanz bei Betrachtung der Unterdrückungsschaltung 30 von der Seite des Knotens N aus. Bei dem Multiplexer 1 entsprechend dem Beispiel dient die oben erwähnte Impedanz der Unterdrückungsschaltung 30 als Impedanz im Durchlassband (zweites Frequenzband) des empfangsseitigen Filters 20. Eine Impedanz im zweiten Frequenzband ist bei Betrachtung der Unterdrückungsschaltung 30 von der Seite des gemeinsamen Anschlusses 100 aus größer als eine Impedanz bei Betrachtung des zweiten Frequenbands von der Seite der Unterdrückungsschaltung 30 von der Seite des Knotens N aus. Folglich kann ein Signal im zweiten Frequenzband, das von dem gemeinsamen Anschluss 100 eingegeben wird, daran gehindert werden, in Richtung des sendeseitigen Filters 10 auszutreten.
Vergleich der Eigenschaften eines Multiplexers gemäß einem Beispiel der Erfindung und eines Vergleichsbeispiels

4A ist ein Graph, der die Banddurchlasseigenschaften des sendeseitigen Filters 10 entsprechend dem Implementierungsbeispiel der oben genannten Ausführungsform und dem Vergleichsbeispiel miteinander vergleicht. 4B ist ein Graph, der die Banddurchlasseigenschaften des empfangsseitigen Filters 20 entsprechend dem Implementierunsbeispiel der Ausführungsform und dem Vergleichsbeispiel miteinander vergleicht. 4C ist ein Graph, der die Isolationseigenschaften des Multiplexers entsprechend dem Implementierungsbeispiel der Ausführungsform und dem Vergleichsbeispiel miteinander vergleicht. 5 ist ein Graph, der die Banddurchlasseigenschaften der Unterdrückungsschaltung 30 entsprechend dem Implementierunsbeispiel der Ausführungsform darstellt. Tabelle 1 zeigt die Elektrodenparameter der Unterdrückungsschaltung entsprechend dem Implementierungsbeispiel der Ausführungsform und dem Vergleichsbeispiel. Tabelle 1

		Beispielhafte Implementierung der Ausführungsform	Vergleichsbeispiel
Kapazitives Element (32 oder 32a) (Seite des gemeinsamen Anschlusses 100)	Querschnitt (µm)	12	30
	Anzahl der Paare (Paare)	15	15
Kapazitives Element (32b) (Seite von Knoten N)	Querschnitt (µm)		19
Kapazitives Element (32b) (Seite von Knoten N)	Anzahl der Paare (Paare)		13
Resonator 31a für elastische Wellen (Seite des gemeinsamen Anschlusses 100)	Querschnitt (µm)	47	47
	Querschnitt (Paare)	5	5
Resonator 31 b für elastische Wellen (Seite von Knoten N)	Querschnitt (µm)	47	47
Resonator 31 b für elastische Wellen (Seite von Knoten N)	Anzahl der Paare (Paare)	7	7

In der Beispielimplementierung der Ausführungsform ist das Durchlassband (erstes Frequenzband) des sendeseitigen Filters 10 niedriger positioniert als das Durchlassband (zweites Frequenzband) des empfangsseitigen Filters 20 und die Resonanzantwortfrequenz, die den minimalen Punkt der Einfügedämpfung der Unterdrückungsschaltung 30 hat, ist am höheren Frequenzende des zweiten Frequenzbands positioniert.
Wie in 4A dargestellt sind die Banddurchlasseigenschaften des sendeseitigen Anschlusses 110 - gemeinsamer Anschluss 100 des sendeseitigen Filters 10 entsprechend dem Implementierungsbeispiel der Ausführungsform und dem Vergleichsbeispiel im Sendeband (etwa 880 bis etwa 915 MHz) gut. Außerdem sind im Implementierungsbeispiel der Ausführungsform und dem Vergleichsbeispiel gute Dämpfungseigenschaften im Empfangsband gewährleistet (etwa 925 bis etwa 960 MHz). Wie in 4C dargestellt sind die Isolationseigenschaften zwischen den Sende- und Empfangsfiltern entsprechend dem Implementierungsbeispiel der Ausführungsform und dem Vergleichsbeispiel im Sendeband (etwa 880 bis etwa 915 MHz) und im Empfangsband (etwa 925 bis etwa 960 MHz) gut. Deshalb weist die Unterdrückungsschaltung entsprechend dem Implementierungsbeispiel der Ausführungsform und dem Vergleichsbeispiel (1) eine Resonanzantwort auf, deren niedrigster Punkt der Einfügedämpfung nahe bei etwa 960 MHz liegt, und (2) generiert/generieren das/die kapazitive/n Element/e eine Ausgleichskomponente mit derselben Amplitude und entgegengesetzter Phase zu einer Komponente, die das sendeseitige Filter 10 nahe etwa 960 MHz durchläuft. Demzufolge kann festgestellt werden, dass die Verbesserung der Dämpfungseigenschaften des sendeseitigen Filters 10 und die Isolationseigenschaften beim Senden/Empfangen effektiv funktionieren.
Wie in 4B dargestellt zeigen hingegen die Banddurchlasseigenschaften des empfangsseitigen Anschlusses 120 - gemeinsamer Anschluss 100 des empfangsseitigen Filters 20 entsprechend dem Implementierungsbeispiel der Ausführungsform und dem Vergleichsbeispiel an, dass das empfangsseitige Filter 20 entsprechend dem Vergleichsbeispiel ein engeres Durchlassband hat. Insbesondere ist der Verlust nahe der Seite des höheren Frequenzkanals des Empfangsbands im Vergleichsbeispiel schlechter. Beispielsweise wird die Bandbreite für die Einfügedämpfung von rund 2,0 dB folgendermaßen verglichen: Die Bandbreite im Implementierungsbeispiel der Ausführungsform liegt bei etwa 41,8 MHz, wohingegen die Bandbreite im Vergleichsbeispiel bei etwa 40,9 MHz liegt. Das Band im Implementierungsbeispiel der Ausführungsform ist breiter. Insbesondere im Fall eines OSW-Filters führt diese Differenz der Bandbreite zu großen Unterschieden der Filtereigenschaften, weil es erforderlich ist, die Bandbreite zu gewährleisten, indem Änderungen der Eigenschaften aufgrund von Temperaturänderungen mit berücksichtigt werden.
Die Kapazität (Querschnitt x Anzahl der Paare) des kapazitiven Elements 32a entsprechend dem Vergleichsbeispiel ist größer als die Kapazität (Querschnitt x Anzahl der Paare) des kapazitiven Elements 32 entsprechend dem Implementierungsbeispiel der Ausführungsform, was zu niedrigerer Impedanz führt. Deshalb ist das empfangsseitige Filter 20 in der Nähe der Seite des höheren Frequenzkanals (nahe etwa 960 MHz) empfindlicher gegenüber der Resonanzantwort, die vom längsgekoppelten Resonator 31 der Unterdrückungsschaltung 530 generiert wird. Bei Betrachtung von der Seite des gemeinsamen Anschlusses der Unterdrückungsschaltung 530 aus ist die Impedanz nicht höher eingestellt als bei Betrachtung der Impedanz von der Seite des Knotens N der Unterdrückungsschaltung 530 aus. Deshalb entweichen hohe Frequenzkomponenten nahe der Seite des höheren Frequenzkanals in die Unterdrückungsschaltung 530 und erhöhen dadurch die Ausbreitungsdämpfung der Hochfrequenzkomponenten zum empfangsseitigen Filter 20 hin. Demzufolge werden durch die Resonanzantwort auf der Seite der höheren Frequenz des Durchlassbandes des empfangsseitigen Filters 20 durch den gemeinsamem Anschluss 100 Welligkeiten verursacht, die die Bandbreite verengen.
Im Gegensatz dazu gibt es im Implementierungsbeispiel der Ausführungsform auf der Seite von Knoten N des längsgekoppelten Resonators 31 kein kapazitives Element. Stattdessen wird das kapazitive Element 32, das eine geringere Kapazität als das kapazitive Element 32a gemäß dem Vergleichsbeispiel hat, auf der Seite des gemeinsamen Anschlusses 100 des längsgekoppelten Resonators 31 hinzugefügt. Bei Betrachtung von der Seite des gemeinsamen Anschlusses der Unterdrückungsschaltung 30 ist die Impedanz höher eingestellt als bei Betrachtung der Impedanz von der Seite des Knotens N der Unterdrückungsschaltung 30 aus. Deshalb entweichen hohe Frequenzkomponenten nahe der Seite des höheren Frequenzkanals nicht in die Unterdrückungsschaltung 30 und reduzieren deshalb auch nicht die Ausbreitungsdämpfung der Hochfrequenzkomponenten zum empfangsseitigen Filter 20 hin. Demzufolge werden durch die Resonanzantwort auf der Seite der höheren Frequenz des Durchlassbandes des empfangsseitigen Filters 20 durch den gemeinsamem Anschluss 100 Welligkeiten am Auftreten gehindert, was es ermöglicht, eine große Bandbreite zu gewährleisten.
In dem Beispiel ist kein kapazitives Element zwischen den Knoten N und den längsgekoppelten Resonator 31 geschaltet. Wie in 5 dargestellt wird die Bandbreite des sendeseitigen Filters 10 nicht verschlechtert, weil die Resonanzantwort (nahe etwa 960 MHz) des längsgekoppelten Resonators 31 von dem Sendedurchlassband zur höherfrequenten Seite weit entfernt liegt.
In dem Beispiel ist nur ein kapazitives Element in der Unterdrückungsschaltung 30 angeordnet und die Amplitudenanpassung mit der Amplitude eines Hauptsignals des sendeseitigen Filters 10 wird nur unter Verwendung des kapazitiven Elements 32 erreicht. Deshalb kann die Impedanz des kapazitiven Elements 32 höher sein als im Vergleichsbeispiel. Demzufolge kann die Chipgröße im Multiplexer 1 entsprechend dem Beispiel mit einer Konfiguration, bei der das kapazitive Element 32 in Reihe zwischen den gemeinsamen Anschluss 100 und den längsgekoppelten Resonator 31 geschaltet wird, ohne Verschlechterung der Bandbreite des empfangsseitigen Filters 20 verringert werden.
Konfiguration des Elektrodenlayouts des Multiplexers
6 ist die Draufsicht auf einen Chip, der ein Elektrodenlayout des Multiplexers 1 entsprechend der Ausführungsform repräsentiert. Wie in 6 dargestellt sind die IDT-Elektroden und die kammförmigen Elektroden des sendeseitigen Filters 10, das empfangsseitige Filter 20 und die Unterdrückungsschaltung 30, die Verdrahtung, die diese Elektroden verbindet, und die externen Verbindungselektroden auf einem piezoelektrischen Substrat 40 angeordnet. Da die Elemente des Multiplexers 1 auf demselben piezoelektrischen Substrat 40 gebildet werden, kann der Multiplexer 1 mit einer Wafer-Level-Package-(WLP)-Struktur realisiert werden.
Wie in 6 dargestellt werden die IDT-Elektroden des Reihenarmresonators 11s bis 14s2 und die IDT-Elektroden des Parallelarmresonators 11p bis 13p, die von dem sendeseitigen Filter 10 umfasst sind, erste Verdrahtung, die diese Elektroden verbindet, eine sendeseitige Elektrode Tx (sendeseitiger Anschluss 110) des sendeseitigen Filters 10 und eine Erdungselektrode GND in einem niedrigeren Bereich (in negativer Richtung der Y-Achse) der Oberfläche des piezoelektrischen Substrats 40 gebildet. Darüber hinaus werden die IDT-Elektroden des längsgekoppelten Resonators 31 und die kammförmigen Elektroden des kapazitiven Elements 32, die von der Unterdrückungsschaltung 30 umfasst sind, die Verdrahtung, die diese Elektroden verbindet, und eine Erdungselektrode 51 (GDN) in einem niedrigeren Bereich (in negativer Richtung der Y-Achse) der Oberfläche des piezoelektrischen Substrats 40 gebildet.
Die IDT-Elektroden der Reihenarmresonatoren 21s und 22s, die IDT-Elektroden der Parallelarmresonatoren 21p und 22p und die IDT-Elektroden des längsgekoppelten Resonators 23L, die von dem empfangsseitigen Filter 20 umfasst sind, Verdrahtung, die diese Elektroden verbindet, eine empfangsseitige Elektrode Rx (empfangsseitiger Anschluss 120) des empfangssseitigen Filters 20 und eine Erdungselektrode GND werden in einem oberen Bereich (in positiver Richtung der Y-Achse) der Oberfläche des piezoelektrischen Substrats 40 gebildet.
An der Oberfläche des piezoelektrischen Substrats 40 ist zwischen einem Bereich, in dem das sendeseitige Filter 10 und die Unterdrückungsschaltung 30 gebildet sind, und einem Bereich, in dem das empfangsseitige Filter 20 gebildet ist, eine Antennenverbindungselektrode (Ant) angeordnet.
Bei dem Multiplexer 1 entsprechend der Ausführungsform wie in 6 dargestellt überlappt sich bei Betrachtung des Substrats 40 in der Draufsicht ein Bereich D, der eine Erweiterung des OSW-Ausbreitungswegs des längsgekoppelten Resonators 31 in der Ausbreitungsrichtung (X-Achsen-Richtung) ist, nicht mit dem OSW-Ausbreitungsweg des Parallelarmresonators oder einem OSW-Ausbreitungsweg des Reihenarmresonators, die von dem sendeseitigen Filter 10 und von dem empfangsseitigen Filter 20 umfasst sind. Weil eine Ausgleichskomponente, die von der Unterdrückungsschaltung 30 generiert wird, eine kleine Amplitude hat, wenn die Ausbreitungswege des längsgekoppelten Resonators 31, der Reihenarmresonatoren und der Parallelarmresonatoren des sendeseitigen Filters 10 nebeneinander angeordnet werden müssten, würde die Ausgleichskomponente von den Oberflächenschallwellen der Reihenarmresonatoren und der Parallelarmresonatoren beeinflusst, ebenso wie die Phaseneigenschaften der Ausgleichskomponente beeinflusst werden würden, was die Dämpfungseigenschaften des sendeseitigen Filters 10 verschlechtert.
Demgegenüber können entsprechend der oben beschriebenen Konfiguration die Dämpfungseigenschaften des sendeseitigen Filters 10 verbessert werden.
Obwohl jeder Elektrodenfinger der kammförmigen Elektrode, die von dem kapazitiven Element 32 umfasst ist, in derselben Richtung wie die Elektrodenfinger der anderen IDT-Elektroden in 6 gebildet sind, kann jeder Elektrodenfinger der kammförmigen Elektrode, die von dem kapazitiven Element 32 umfasst ist, in einer Richtung gebildet sein, die die Richtung schneidet, in der die Elektrodenfinger der anderen IDT-Elektroden gebildet sind. Auf diese Weise wird verhindert, dass das kapazitive Element 32 durch ein HF-Signal gestört wird, das die anderen IDT-Elektroden hervorrufen.
Die mehreren IDT-Elektroden, die im sendeseitigen Filter 10 enthalten sind, werden aus einem ersten Elektrodenfilm gebildet. Demgegenüber wird die erste Verdrahtung, die die mehreren IDT-Elektroden, die vom sendeseitigen Filter 10 umfasst werden, verbindet, aus einem mehrschichtigen Körper gebildet, der den oben genannten ersten Elektrodenfilm und einen zweiten Elektrodenfilm enthält. Außerdem haben die zweite Verdrahtung, die den gemeinsamen Anschluss 100, das kapazitive Element 32, die IDT-Elektroden, die von den Resonatoren 31a und 31b für elastische Wellen umfasst werden, und den Knoten N verbinden, dieselbe Filmdicke wie der oben erwähnte erste Elektrodenfilm.
Die erste Verdrahtung ist aus einer zweischichtigen Verdrahtung (mehrschichtiger Körper) aufgebaut, um einen niedrigen Verlust im Durchlassband des sendeseitigen Filters 10 zu gewährleisten. Demgegenüber kann die zweite Verdrahtung der Unterdrückungsschaltung 30 aus einer einschichtigen Verdrahtung aufgebaut werden, weil das selbst beim Anwachsen einer Widerstandskomponente kein großes Problem verursacht, da die Ausgleichskomponente, die durch die Unterdrückungsschaltung 30 fließt, eine kleine Amplitude hat. Somit kann die zweite Verdrahtung dünner ausgeführt werden, was es ermöglicht, die Chipgröße zu reduzieren.
7 ist die Draufsicht auf einen Chip, der ein Elektrodenlayout des Multiplexers entsprechend einer Modifizierung der Ausführungsform darstellt. Das in 7 dargestellte Elektrodenlayout unterscheidet sich von dem in 6 dargestellten Elektrodenlayout bezüglich der Anordnung des längsgekoppelten Resonators 31 und des kapazitiven Elements 32 in der Unterdrückungsschaltung 30. Nachfolgend wird das Elektrodenlayout entsprechend der Modifizierung beschrieben, wobei hauptsächlich die abweichenden Punkte erörtert werden, während die übereinstimmenden Punkte wie das Elektrodenlayout entsprechend der in 6 dargestellten Ausführung weggelassen werden.
Bei dem Multiplexer entsprechend der in 7 dargestellten Modifizierung überlappt bei Betrachtung in Draufsicht auf das piezoelektrische Substrat 40 ein Bereich, der eine Erweiterung des OSW-Ausbreitungsweges des längsgekoppelten Resonators 31 in der Ausbreitungsrichtung ist, einen OSW-Ausbreitungsweg des von dem sendeseitigen Filter 10 umfassten Parallelarmresonators 11p, überlappt aber nicht einen OSW-Ausbreitungsweg der von dem sendeseitigen Filter 10 umfassten Reihenarmresonatoren.
Da das sendeseitige Filter 10 ein Reihenarmresonatoren und Parallelarmresonatoren umfassendes Kettenfilter ist, bildet der Resonanzpunkt der Parallelarmresonatoren einen Dämpfungspol auf der Niedrigfrequenzseite des Durchlassbandes (erstes Frequenzband), der Anti-Resonanzpunkt der Parallelarmresonatoren und der Resonanzpunkt der Reihenarmresonatoren bildet den Durchlassband (erstes Frequenzband), der Anti-Resonanzpunkt der Reihenarmresonatoren bildet den Dämpfungspol auf der Hochfrequenzseite des Durchlassbandes (erstes Frequenzband). Die Resonanzantwort des längsgekoppelten Resonators 31 ist auf ein höheres Frequenzende des Durchlassbandes (zweites Frequenzband) des empfangsseitigen Filters 20 eingestellt. Wegen des Frequenzverhältnisses zwischen den oben beschriebenen Resonanzpunkten und den Anti-Resonanzpunkten hängt die Frequenz der Resonanzantwort des längsgekoppelten Resonators 31 eng mit der Resonanzfrequenz (Anti-Resonanzfrequenz) der Reihenarmresonatoren des sendeseitigen Filters 10 zusammen und nur geringfügig mit der Resonanzfrequenz (Anti-Resonanzfrequenz) der Parallelarmresonatoren des sendeseitigen Filters 10.
Weil eine von der Unterdrückungsschaltung 30 erzeugte Ausgleichskomponente eine kleine Amplitude hat, wird die Ausgleichskomponente, wenn die Ausbreitungswege des längsgekoppelten Resonators 31 und der Reihenarmresonatoren des sendeseitigen Filters 10 nebeneinander angeordnet werden, von OSW der Reihenarmresonatoren gestört. Demgegenüber wird die Ausgleichskomponente selbst dann kaum von OSW der Reihenarmresonatoren gestört, wenn die Übertragungswege des längsgekoppelten Resonators 31 und der Parallelarmresonatoren des sendeseitigen Filters 10 nebeneinander angeordnet werden. Damit steigt entsprechend der Konfiguration der Modifizierung der Freiheitsgrad beim Chiplayout des Multiplexers und die Dämpfungseigenschaften des sendeseitigen Filters 10 können trotz Reduzierung der Chipgröße verbessert werden.
Bei der Modifizierung ist die mit dem längsgekoppelten Resonator 31 verbundene Erdungsverdrahtung mit einer mit dem sendeseitigen Filter 10 auf dem piezoelektrischen Substrat 40 verbundenen Erdungselektrode 52 verbunden, ist aber nicht mit einer mit dem empfangsseitigen Filter 20 auf dem piezoelektrischen Substrat 40 verbundenen Erdungselektrode verbunden.
Entsprechend kann, weil die mit dem längsgekoppelten Resonator 31 verbundene Erdungsverdrahtung mit der mit dem sendeseitigen Filter 10 verbundenen Erdungselektrode 52 verbunden ist, eine Erdungselektrode von dem längsgekoppelten Resonator 31 und dem sendeseitigen Filter 10 auf dem piezoelektrischen Substrat 40 geteilt werden, was es möglich macht, die Chipgröße zu reduzieren. Im Gegensatz dazu kann, weil die mit dem längsgekoppelten Resonator 31 verbundene Erdungsverdrahtung nicht mit einer mit dem empfangsseitigen Filter 20 verbundenen Erdungselektrode verbunden ist, die Resonanzantwort des längsgekoppelten Resonators 31 daran gehindert werden, umzulaufen und über die Erdungselektrode in das empfangsseitige Filter 20 einzugreifen. Entsprechend können die Banddurchlasseigenschaften des empfangsseitigen Filters 20 daran gehindert werden, sich zu verschlechtern.
Bei der Modifikation wird das kapazitive Element 32 nicht von einer kammförmigen Elektrode gebildet, sondern wird von zwei Verdrahtungselementen gebildet, die einander auf dem piezoelektrischen Substrat 40 gegenüber liegen. Hinsichtlich des kapazitiven Elementes 32 können in geeigneter Weise in Übereinstimmung mit der benötigten Kapazität entweder eine kammförmige Elektrode oder parallele Plattenelektroden gewählt werden.
Weitere Modifizierungen
Obwohl der Multiplexer gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung anhand des Beispiels eines Duplexers beschrieben wurde, ist die vorliegende Erfindung nicht auf dieses Beispiel beschränkt. Zum Beispiel kann auch eine Ausführungsform, die durch Hinzufügen der folgenden Modifikation zu der beispielhaften Implementation der Ausführungsform erhalten wurde, ebenfalls von der vorliegenden Erfindung umfasst sein.
Das piezoelektrische Substrat 40 kann beispielsweise ein Substrat sein, das nur teilweise piezoelektrisch ist. Das Substrat kann als mehrschichtiger Körper aufgebaut sein, der beispielsweise einem dünnen piezoelektrischen Film an seiner Oberfläche, einem Film mit einer Schallgeschwindigkeit, die von der des piezoelektrischen Films abweicht, und ein Trägersubstrat umfasst. Alternativ kann das Substrat auch vollständig piezoelektrisch sein. In diesem Fall ist das Substrat ein piezoelektrisches Substrat, das eine einzige piezoelektrische Schicht enthält.
Der Multiplexer gemäß der Erfindung ist nicht auf Band-8-Duplexer wie im Beispiel beschränkt. Beispielsweise kann der Multiplexer ein Quadruplexer sein, der Senden und Empfangen in zwei Bändern ausführt, oder ein Multiplexer, der Senden und Empfangen in drei oder mehr Bändern ausführt. Ferner kann der Multiplexer gemäß der Erfindung als Demultiplexer eingesetzt werden, der mehrere Empfangsbänder hat, oder als ein Multiplexer, der mehrere Sendebänder hat.
Bei der oben beschriebenen Ausführungsform wird ein OSW-Filter mit IDT-Elektroden als Beispiel als das Sendefilter, das Empfangsfilter und der von dem Multiplexer umfasste längsgekoppelte Resonator beschrieben. Jedes Filter und jeder von dem Multiplexer umfasste Resonator kann jedoch bei bestimmten Ausführungsformen der Erfindung auch ein Filter für elastische Wellen und ein Resonator für elastische Wellen sein, der Grenzschallwellen oder akustische Volumenwellen (AVW) verwendet. Damit können dieselben vorteilhaften Effekte erzielt werden wie mit dem Multiplexer gemäß der oben beschriebenen Ausführungsform.
Ferner können beispielsweise ein Induktor oder ein Kondensator zwischen die Elemente des Multiplexers geschaltet werden. Der Induktor kann einen Verdrahtungsinduktor umfassen, der die Elemente verbindende Verdrahtung umfasst.
Die vorliegende Erfindung ist vielfältig als Multiplexer mit geringer Dämpfung und hoher Isolation einsetzbar, was auf Frequenzstandards mit mehreren Bändern in Kommunikationsvorrichtungen wie z.B. Mobiltelefonen anwendbar ist.
Während bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung oben beschrieben wurden, versteht es sich, dass sich für den Fachmann aus der vorliegenden Beschreibung und den Zeichnungen Variationen und Modifikationen, die den Umfang und den Geist der Erfindung nicht verlassen, ergeben. Der Umfang der Erfindung ist daher über die folgenden Ansprüche zu bestimmen.

Claims

Multiplexer (1), umfassend: einen gemeinsamen Anschluss (100), einen ersten Anschluss (110) und einen zweiten Anschluss (120), von denen und/oder in die ein Hochfrequenzsignal-(HF)-Signal ausgegeben und/oder eingegeben wird, eine erste Filterschaltung (10), die ein erstes Frequenzband als Durchlassband aufweist und die mit dem gemeinsamen Anschluss (100) und dem ersten Anschluss (110) verbunden ist, eine zweite Filterschaltung (20), die ein vom ersten Frequenzband unterschiedliches zweites Frequenzband als Durchlassband aufweist und die mit dem gemeinsamen Anschluss (100) und dem zweiten Anschluss (120) verbunden ist, und eine Unterdrückungsschaltung (30), die mit einem ersten Knoten und einem zweiten Knoten (N) verbunden ist, die sich auf einer Verbindung befinden, die den gemeinsamen Anschluss (100) und den ersten Anschluss (110) verbindet, wobei der erste Knoten näher an dem gemeinsamen Anschluss (100) positioniert ist und der zweite Knoten (N) näher an dem ersten Anschluss (110) positioniert ist, und die eine Komponente in einem bestimmten die Verbindung durchfließenden Frequenzband ausgleicht, wobei die Unterdrückungsschaltung (30) beinhaltet: ein kapazitives Element (32), dessen erstes Ende mit dem ersten Knoten verbunden ist, und einen längsgekoppelten Resonator (31), dadurch gekennzeichnet, dass von dem längsgekoppelten Resonator (31) das erste Ende ein sendeseitiges Ende ist, das mit einem zweiten Ende des kapazitiven Elements (32) verbunden ist, und das zweite Ende mit dem zweiten Knoten (N) verbunden ist, ohne ein dazwischengeschaltetes kapazitives Element aufzuweisen, und wenn die Seite des ersten Knotens eine Ausgangsseite der Unterdrückungsschaltung (30) und die Seite des zweiten Knotens eine Eingangsseite der Unterdrückungsschaltung (30) ist, eine Ausgangsimpedanz der Unterdrückungsschaltung (30) im zweiten Frequenzband höher ist als eine Eingangsimpedanz der Unterdrückungsschaltung (30) im zweiten Frequenzband.
Multiplexer (1) nach Anspruch 1, wobei der erste Knoten der gemeinsame Anschluss (100) ist.
Multiplexer (1) nach Anspruch 1 oder 2, wobei: das erste Frequenzband niedriger positioniert ist als das zweite Frequenzband, das bestimmte Frequenzband in dem zweiten Frequenzband enthalten ist, und eine Frequenz, bei der die Einfügedämpfung des längsgekoppelten Resonators minimal ist, nahe dem zweiten Frequenzband positioniert ist.
Multiplexer (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die erste Filterschaltung (10) eine Kettenfilterschaltung für elastische Wellen ist, die mehrere Resonatoren (11s - 14s2) für elastische Wellen beinhaltet.
Multiplexer (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei: die erste Filterschaltung (10) ein sendeseitiges Filter ist, das ein HF-Signal von dem ersten Anschluss (110) zu dem gemeinsamen Anschluss (100) überträgt, die zweite Filterschaltung (20) ein empfangsseitiges Filter ist, das ein HF-Signal von dem gemeinsamen Anschluss (100) zu dem zweiten Anschluss (120) überträgt, und ein Reihenarmresonator (11s) in die Verbindung zwischen dem ersten Anschluss (110) und dem zweiten Knoten (N) geschaltet ist.
Multiplexer (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei: die erste Filterschaltung (10) ein Filter für Oberflächenschallwellen (OSW) ist, das mehrere erste lnterdigitalwandler-(IDT)-Elektroden beinhaltet, die auf einem piezoelektrisch Substrat (40) ausgebildet sind, und der längsgekoppelte Resonator (31) ein OSW-Resonator ist, der mehrere zweite IDT-Elektroden beinhaltet, die auf dem Substrat (40) ausgebildet sind.
Multiplexer (1) nach Anspruch 6, wobei das kapazitive Element (32) eine kammförmige Elektrode beinhaltet, die auf dem Substrat (40) ausgebildet ist.
Multiplexer (1) nach Anspruch 6 oder 7, wobei: die mehreren ersten IDT-Elektroden aus einem ersten Elektrodenfilm ausgebildet sind, eine erste Verdrahtung, die die mehreren ersten IDT-Elektroden verbindet, aus einem mehrschichtigen Körper ausgebildet ist, der den ersten Elektrodenfilm und einen zweiten Elektrodenfilm beinhaltet, und eine zweite Verdrahtung, die den ersten Knoten, das kapazitive Element (32), die mehreren zweiten IDT-Elektroden und den zweiten Knoten (N) verbindet, die gleiche Filmdicke wie der erste Elektrodenfilm hat.
Multiplexer (1) nach einem der Ansprüche 6 bis 8, wobei: die erste Filterschaltung (10) ein Ketten-OSW-Filter ist, das einen Reihenarmresonator und einen Parallelarmresonator beinhaltet, und bei Betrachtung des Substrats (40) in der Draufsicht ein Bereich (D), der eine Verlängerung eines OSW-Ausbreitungsweges des längsgekoppelten Resonators (31) in einer Ausbreitungsrichtung ist, sich nicht mit einem OSW-Ausbreitungsweg des Parallelarmresonators oder einem OSW-Ausbreitungsweg des Reihenarmresonators überschneidet.
Multiplexer (1) nach einem der Ansprüche 6 bis 9, wobei: die zweite Filterschaltung (20) ein OSW-Filter ist, das mehrere dritte IDT-Elektroden beinhaltet, die auf dem Substrat (40) ausgebildet sind, und eine mit dem längsgekoppelten Resonator (31) verbundene Erdungsverdrahtung mit einer Erdungselektrode (52) verbunden ist, die mit der ersten Filterschaltung (10) auf dem Substrat (40) verbunden ist, aber nicht mit einer Erdungselektrode verbunden ist, die mit der zweiten Filterschaltung (20) auf dem Substrat (40) verbunden ist.