DE102017115365B4 - Inspektionsvorrichtung für Masken für die Halbleiterlithographie und Verfahren - Google Patents

Inspektionsvorrichtung für Masken für die Halbleiterlithographie und Verfahren Download PDF

Info

Publication number
DE102017115365B4
DE102017115365B4 DE102017115365.9A DE102017115365A DE102017115365B4 DE 102017115365 B4 DE102017115365 B4 DE 102017115365B4 DE 102017115365 A DE102017115365 A DE 102017115365A DE 102017115365 B4 DE102017115365 B4 DE 102017115365B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
correction
correction body
mask
masks
bodies
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
DE102017115365.9A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102017115365A1 (de
Inventor
Holger Seitz
Thomas Zeuner
Heiko Feldmann
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Carl Zeiss SMT GmbH
Original Assignee
Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Carl Zeiss SMT GmbH filed Critical Carl Zeiss SMT GmbH
Priority to DE102017115365.9A priority Critical patent/DE102017115365B4/de
Priority to US16/026,197 priority patent/US10928332B2/en
Priority to TW107123710A priority patent/TWI675251B/zh
Priority to CN201810754164.1A priority patent/CN109240039B/zh
Priority to CN202210954425.0A priority patent/CN115308990A/zh
Priority to KR1020180079927A priority patent/KR102306584B1/ko
Publication of DE102017115365A1 publication Critical patent/DE102017115365A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102017115365B4 publication Critical patent/DE102017115365B4/de
Priority to US17/164,198 priority patent/US11867642B2/en
Priority to KR1020210087151A priority patent/KR102324701B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • G03F1/84—Inspecting
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B21/00—Microscopes
    • G02B21/36—Microscopes arranged for photographic purposes or projection purposes or digital imaging or video purposes including associated control and data processing arrangements
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70308—Optical correction elements, filters or phase plates for manipulating imaging light, e.g. intensity, wavelength, polarisation, phase or image shift
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G03F7/70575—Wavelength control, e.g. control of bandwidth, multiple wavelength, selection of wavelength or matching of optical components to wavelength
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70591—Testing optical components
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/7065—Defects, e.g. optical inspection of patterned layer for defects
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
    • G03F7/70833—Mounting of optical systems, e.g. mounting of illumination system, projection system or stage systems on base-plate or ground
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
    • G01N2021/95676—Masks, reticles, shadow masks

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)

Abstract

Inspektionsvorrichtung (4) von Masken (8) für die Halbleiterlithographie, umfassend- eine Abbildungsvorrichtung (9) zur Abbildung einer Maske (8)- eine Bildaufnahmevorrichtung (10) dadurch gekennzeichnet, dass im Lichtweg zwischen der Maske (8) und der Bildaufnahmevorrichtung (10) ein oder mehrere Korrekturkörper (21, 21', 21") angeordnet sind, welche für mindestens einen Teilbereich der zur Abbildung verwendeten Beleuchtungsstrahlung (6) ein dispersives Verhalten zeigen und die zur Nachbildung von Farblängsfehlern unterschiedlicher Projektionsbelichtungsanlagen eingerichtet sind.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Inspektionsvorrichtung für Masken für die Halbleiterlithographie sowie ein entsprechendes Verfahren. Derartige Masken werden in der Regel verwendet, um auf ihnen befindliche Strukturen in der Regel um einen Maßstab 1:4 verkleinert mittels eines Projektionsobjektives einer Projektionsbelichtungsanlage, eines sogenannten Scanners, auf lichtempfindliche Schichten auf einem Halbleitersubstrat, einem sogenannten Wafer, abzubilden. Diese Technologie ermöglicht es, kleinste Strukturen auf dem Halbleitersubstrat zu schaffen und auf diese Weise hochintegrierte elektronische Schaltkreise zu realisieren.
  • Um die Leistungsfähigkeit des Fertigungsprozesses zu steigern, ist es von Vorteil, die Masken bereits vor ihrem Einsatz in einem Scanner bzw. in regelmäßigen Abständen auch nach Entnahme zur Wartung einem Untersuchungs- bzw. Inspektionsprozess zu unterziehen. Hierzu kommen üblicherweise Inspektionsvorrichtungen für Masken zum Einsatz, welche mittels einer mikroskopähnlichen Anordnung die Masken vergrößernd abbilden und auf diese Weise Defekte identifizierbar machen. Derartige Messsysteme werden üblicherweise auch als „Luftbild-Messsysteme“ bezeichnet und sind unter den Bezeichnungen AIMS bzw. WLCD am Markt bekannt. Sie sind üblicherweise in der Lage, die Gegebenheiten im realen Einsatz der Maske in einem Scanner bis zu einem gewissen Grad nachzubilden, wie insbesondere das Beleuchtungs- und das Abbildungs-Setting; beispielsweise Sigmaform, numerische Apertur und Polarisation. Allerdings weisen unterschiedliche Scanner in Abhängigkeit des jeweiligen Herstellers oder des Baujahres unterschiedliche sogenannte Farblängsfehler auf, welche das Verhalten des Gesamtsystems beeinflussen. Unter einem Farblängsfehler versteht man die Erscheinung, dass aufgrund des dispersiven Verhaltens der verwendeten optischen Materialien die Abbildung eines Wafers durch das Projektionsobjektiv für abweichende Wellenlängen in geringfügig voneinander abweichenden Ebenen liegt, mit anderen Worten: es kann sich die Lage des besten Fokus der Abbildung mit der Wellenlänge verändern. Aufgrund der endlichen spektralen Breite der verwendeten elektromagnetischen Strahlung (in der Regel mit einer Wellenlänge von ca. 193nm) führt der genannte Effekt zu einer nicht zu vernachlässigen Bildunschärfe. Aus dem Stand der Technik, beispielweise aus der deutschen Patentanmeldung DE 10 2006 036 504 A1 , der DE 11 2014 004 139 T5 sowie den US-Patentanmeldungen US 2007/0 171 547 A1 und US 5 717 518 A sind zwar Verfahren und Vorrichtungen zur Korrektur von Abbildungsfehlern bekannt, jedoch keine, mit denen der Farblängsfehler in einer Inspektionsvorrichtung für Masken simuliert bzw. nachgebildet werden kann.
  • Es ist daher eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren sowie eine Vorrichtung anzugeben, mittels welcher eine gegenüber den aus dem Stand der Technik bekannten Lösungen verbesserte Berücksichtigung des Farblängsfehlers eines Scanners für die Vermessung einer Maske in einer Inspektionsvorrichtung für Masken erreicht werden kann.
  • Diese Aufgabe wird durch die Vorrichtung bzw. Verfahren mit den in den unabhängigen Ansprüchen aufgeführten Merkmalen gelöst. Die Unteransprüche betreffen vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen der Erfindung.
  • Die erfindungsgemäße Inspektionsvorrichtung für Masken für die Halbleiterlithographie umfasst eine Abbildungsvorrichtung zur Abbildung einer Maske sowie eine Bildaufnahmevorrichtung. Bei der Abbildungsvorrichtung handelt es sich z.B. um ein Mikroskopobjektiv. Die Bildaufnahmevorrichtung kann beispielsweise eine CCD-, CMOS-Kamera oder Zeilenkamera mit zugehöriger Optik sein. Erfindungsgemäß sind im Lichtweg zwischen der Maske und der Bildaufnahmevorrichtung ein oder mehrere Korrekturkörper angeordnet, welche für mindestens einen Teilbereich der zur Abbildung verwendeten Beleuchtungsstrahlung ein dispersives Verhalten zeigen und die zur Nachbildung von Farblängsfehlern unterschiedlicher Projektionsbelichtungsanlagen eingerichtet sind.
  • Der Korrekturkörper enthält vorteilhafterweise ein im interessierenden Wellenlängenbereich dispersives Medium wie beispielsweise Kalziumfluorid oder Quarzglas.
  • Da die Abbildungsvorrichtung typischerweise als Durchlichtmikroskop ausgebildet ist, befindet sich der genannte Korrekturkörper üblicherweise auf einer der Strahlungsquelle abgewandte Seite einer Maske im Lichtweg zwischen Maske und der Bildaufnahmevorrichtung. Hierbei kann der Korrekturkörper zwischen der Maske und der Abbildungsvorrichtung oder zwischen der Abbildungsvorrichtung und der Bildaufnahmevorrichtung angeordnet sein. Es ist auch möglich, dass der Korrekturkörper zwischen einer Strahlungsquelle und einer Beleuchtungseinheit für die Maske angeordnet ist. Ferner kann der Korrekturkörper zwischen einer Beleuchtungseinheit für die Maske und der Maske selbst angeordnet sein. In einer weiteren Variante kann der Korrekturkörper innerhalb der Beleuchtungseinheit für die Maske oder innerhalb der Abbildungsvorrichtung angeordnet sein. Selbstverständlich ist es möglich, dass bei der Verwendung mehrerer Korrekturkörper die Korrekturkörper an mehreren der vorgenannten Positionen angeordnet sein können.
  • Der Korrekturkörper hat dabei die Wirkung, aufgrund seiner dispersiven Eigenschaften das Verhalten der ebenfalls dispersiven Medien in Projektionsobjektiven von Scannern nachzubilden. Aufgrund der vergleichsweise wenigen, dünnen optischen Elemente im Mikroskopobjektiv der Inspektionsvorrichtung wird der Farblängsfehler wie bereits erwähnt ohne zusätzliche Maßnahmen nicht ausreichend nachgebildet, so dass der genannte Korrekturkörper hier Abhilfe schaffen kann. Dies insbesondere auch deswegen, weil die in den genannten Projektionsobjektiven verwendete Nutzstrahlung erheblich längere optische Wege in den dispersiven Materialien der optischen Elemente des Projektionsobjektives zurücklegt als in der Inspektionsvorrichtung.
  • Ein Vorteil der vorliegenden Erfindung ist hierbei, dass verschiedene Farblängsfehler eingestellt werden können, so dass die unterschiedlichen Farblängsfehler diverser Projektionssysteme berücksichtigt werden können.
  • Das dispersive Verhalten des Korrekturkörpers muss dabei nicht zwingend statisch sein, sondern es kann vielmehr durch äußere Beeinflussung dynamisch wählbar ausgebildet sein. So kann einerseits in an sich bekannter Weise das Dispersionsverhalten eines Korrekturkörpers beispielsweise durch das Einwirken einer mechanischen Spannung beeinflusst werden. Ebenso kann auch die Anwesenheit eines elektrischen, magnetischen oder elektromagnetischen Feldes im Bereich des Korrekturkörpers dessen dispersive Eigenschaften in der gewünschten Weise beeinflussen. Darüber hinaus ist es möglich, das dispersive Verhalten des Korrekturkörpers mittels thermischer Spannungen, z.B. mittels eines Heizelements oder eines Peltierelements oder mittels des Drucks oder der Gaszusammensetzung der Umgebung, in welcher der Korrekturkörper angeordnet ist, zu beeinflussen. Selbstverständlich ist es denkbar, sämtliche genannten Effekte durch entsprechende Gestaltung der erfindungsgemäßen Vorrichtung parallel bzw. auch gleichzeitig für die Beeinflussung des dispersiven Verhaltens des Korrekturkörpers auszunutzen.
  • Darüber hinaus besteht die Möglichkeit, den Einfluss des dispersiven Materials des Korrekturkörpers dadurch zu variieren, dass die räumliche Orientierung, Position oder Form des Korrekturelementes verändert wird. So kann beispielsweise ein Korrekturkörper variabler Dicke zur Anwendung kommen. Dies kann beispielsweise durch einen keilförmigen Korrekturkörper, welcher quer zum Lichtweg verschoben werden kann, erreicht werden. Ferner können auch zwei auf ihren jeweiligen Keilflächen abgleitende Keile zur Anwendung kommen.
  • Allen den vorgenannten Maßnahmen ist der Vorteil gemeinsam, dass durch eine geeignete Wahl der Beschaffenheit des Materials des Korrekturkörpers bzw. durch dessen geeignete thermische, mechanische oder auch elektrische Ansteuerung eine Nachbildung der Verhältnisse in verschiedensten Scannern erreicht werden kann und somit das Verhalten der zu inspizierenden Masken in den jeweiligen Zielsystemen besser vorausberechnet werden kann.
  • Ein alternativ oder zusätzlich anwendbares erfindungsgemäßes Verfahren zur Berücksichtigung von Farblängsfehlern in Inspektionsvorrichtungen für Masken wird nachfolgend beschrieben.
  • In einem ersten Schritt wird zunächst ein Fokusstapel gemessen; d. h. es wird eine bestimmte Anzahl von Bildern mit unterschiedlich defokussierter Lage aufgenommen. Diese Bilder können dann verwendet werden, um einen Farblängsfehler, der seiner Natur nach ebenfalls ein Fokusfehler ist, nachzubilden So können beispielsweise 5 Ebenen mit einem Abstand von 100nm ausgemessen werden. Unter Kenntnis der Linienbreite der Nutzstrahlung und des Farblängsfehlers der Projektionsbelichtungsanlage können dann aus den einzelnen Bildern des Fokusstapels diejenigen Bilder ausgewählt werden, welche demjenigen Bild am nächsten kommen, das dem Bild im Scanner entsprechen würde. Durch geeignete Interpolation und gegebenenfalls Gewichtung der Bilder kann dann der Farblängsfehler des Scanners nachgebildet werden.
  • Nachfolgend werden Ausführungsbeispiele und Varianten der Erfindung anhand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigen
    • 1 eine schematische Darstellung des Farblängsfehlers einer optischen Linse
    • 2 eine schematische Darstellung des Aufbaus eines Korrekturkörpers zur gezielten Beeinflussung des dispersiven Verhaltens einer Inspektionsvorrichtung für Masken
    • 3 eine schematische Darstellung der erfindungsgemäßen Inspektionsvorrichtung für Masken mit möglichen Anordnungen der Position eines Korrekturkörpers zur gezielten Einstellung eines spezifischen Farblängsfehlers
    • 4 eine Variante zur mechanischen Beeinflussung eines Korrekturkörpers
    • 5 zwei Varianten zur Beeinflussung eines Korrekturkörpers mittels elektromagnetischer Felder und Wellen
    • 6 zwei mögliche Ausführungsformen zur Einstellung der Länge des Weges der optischen Strahlung innerhalb eines Korrekturkörpers
    • 7 eine Ausführungsform zur Änderung der räumlichen Orientierung und Position eines Korrekturkörpers
    • 8 eine Variante zur Beeinflussung des Korrekturkörpers über den Gasdruck und die Gaszusammensetzung der Umgebung
    • 9 drei Varianten zur Beeinflussung eines Korrekturkörpers mittels magnetischer Felder
    • 10 eine Ausführungsform zur thermischen Beeinflussung eines Korrekturkörpers
    • 11 eine Variante zur Änderung der spektralen Eigenschaften der Strahlungsquelle der Inspektionsvorrichtung für Masken zur gezielten Einstellung eines Farblängsfehlers
    • 12 eine schematische Darstellung eines Verfahrens zur Nachbildung eines Farblängsfehlers über die Aufnahme eines Fokusstapels
  • In 1 ist eine schematische Darstellung des Farblängsfehlers einer optischen Linse 1 aufgrund der chromatischen Aberration dargestellt. Die elektromagnetische Strahlung 2 mit endlicher, aber naturgemäß von Null verschiedener Bandbreite wird innerhalb der optischen Linse 1 aufgrund des wellenlängenabhängigen Brechungsindex n der optischen Linse 1 unterschiedlich stark gebrochen, wodurch es zu verschiedenen Fokusebenen F1, F2, F3 kommt. Beispielhaft sind drei Wellenlängen L1, L2, L3 der elektromagnetischen Strahlung 2 mit den korrespondierenden Fokusebenen F1, F2, F3 dargestellt, wobei L1 < L2 < L3 gilt. Aufgrund der Wellenlängenabhängigkeit des Brechungsindex n und somit der Fokusebenen F1, F2, F3 spricht man von einem Farblängsfehler. Aufgabe der Erfindung ist es, diesen eigentlich ungewünschten optischen Fehler gezielt innerhalb einer Inspektionsvorrichtung für Masken zu integrieren, um verschiedene Projektionsbelichtungsanlagen mit charakteristischen Farblängsfehlern simulieren zu können. Dabei kommen zur Beeinflussung des dispersiven Verhaltens erfindungsgemäß ein oder mehrere Korrekturkörper zum Einsatz.
  • In 2 ist in einer schematischen Darstellung der Aufbau eines exemplarischen Korrekturkörpers 21 zur gezielten Beeinflussung der chromatischen Aberration dargestellt. Dabei umfasst der Korrekturkörper 21 ein optisches Dispersionsmedium 3, beispielsweise Kalziumflourid oder Quarzglas, wobei die optische Achse OA einer Inspektionsvorrichtung für Masken 4 durch das Dispersionsmedium 3 verläuft. Über ein Dispersionssteuerungsmittel 22 wird die dispersive Eigenschaft des Dispersionsmediums 3 des Korrekturkörpers 21 gezielt beeinflusst, um einen spezifischen Farblängsfehler zu generieren. Dabei kann eine statische wie auch dynamische Beeinflussung des optischen Mediums 3 erfolgen. Zur gezielten Steuerung und Regelung des Farblängsfehlers wird das Dispersionssteuerungsmittel 22 über eine elektronische Steuereinheit 23 gesteuert.
  • 3 zeigt eine schematische Darstellung der erfindungsgemäßen Vorrichtung einer Inspektionsvorrichtung für Masken 4 mit möglichen Positionen (P1, P2, P3, P4, P5, P6) eines oder mehrerer Korrekturkörper 21 zur gezielten Einstellung eines spezifischen Farblängsfehlers. Die Inspektionsvorrichtung für Masken 4 umfasst eine Strahlungsquelle 5 zur Generierung von elektromagnetischer Beleuchtungsstrahlung 6 entlang der optischen Achse OA der Inspektionsvorrichtung für Masken 4. Dabei ist beispielsweise eine elektromagnetische Beleuchtungsstrahlung 6 mit einer Wellenlänge von 193nm denkbar. Die elektromagnetische Beleuchtungsstrahlung 6 wird über eine Beleuchtungseinheit 7 auf die zu inspizierende Maske 8 geführt. Mittels der Abbildungsvorrichtung 9 wird die elektromagnetische Beleuchtungsstrahlung 6 auf eine Kamera 10 abgebildet und dort detektiert, wobei die Kamera 10 beispielsweise als CCD-, CMOS- oder Zeilenkamera ausgebildet sein kann. Anschließend wird das aufgenommene Signal elektronisch in einer in der Figur nicht dargestellten Datenverarbeitungseinheit verarbeitet.
  • Die möglichen Positionen P1, P2, P3, P4, P5, P6 eines oder mehrerer Korrekturkörper 21 sind insbesondere: Position P1 zwischen Strahlungsquelle 5 und Beleuchtungseinheit 7, Position P2 innerhalb der Beleuchtungseinheit 7, Position P3 zwischen Beleuchtungseinheit 7 und Maske 8, Position P4 zwischen Maske 8 und Abbildungsvorrichtung 9, Position P5 innerhalb der Abbildungsvorrichtung 9, Position P6 zwischen Abbildungsvorrichtung 9 und Kamera 10.
  • Je Position können auch mehrere Korrekturkörper 21 angeordnet sein. Denkbar ist auch, dass ein System aus mehreren Korrekturkörpern 21 an verschiedenen Positionen innerhalb der Inspektionsvorrichtung für Masken 4 integriert ist, wobei je Position mehrere Korrekturkörper 21 angeordnet sein können.
  • In 4 ist eine Variante zur mechanischen Beeinflussung eines Korrekturkörpers 21 dargestellt. Dabei ist der Korrekturkörper 21 über zwei parallel zur optischen Achse OA verlaufende Aktuatorkontaktflächen 11 eingespannt. Über die Aktuatoren 24 kann über die Aktuatorkontaktflächen 11 eine mechanische Kraft senkrecht zur optischen Achse OA in den Korrekturkörper 21 eingebracht werden. Ebenso ist ein separates Verfahren der Aktuatoren 24 in Pfeilrichtung 27 parallel zur optischen Achse OA möglich, wodurch die Kraftvektoren 26 der Aktuatoren 24 gegenläufig und örtlich versetzt auf den Korrekturkörper 21 einwirken können. Mittels der Aktuatoren 24 als mechanische Einwirkungsmittel können somit Zug- und Druckkräfte, Drehmomente wie auch mechanische Spannungen beliebiger Art statisch wie auch dynamisch in dem Korrekturkörper 21 hervorgerufen werden, wodurch sich der Brechungsindex n des Dispersionsmediums 3 und somit das dispersive Verhalten des Korrekturkörpers 21 steuern lässt. Denkbar ist, dass der Korrekturkörper 21 fest eingespannt ist und die Krafteinprägung nur über einen Aktuator 24 erfolgt. Ebenso ist es möglich, dass über eine Druck- oder Zugkraft eine Geometrieänderung des Dispersionsmediums 3 des Korrekturkörpers 21 erfolgt, wodurch zusätzlich die optische Weglänge L der optischen Strahlung innerhalb des Korrekturkörpers 21 gezielt beeinflusst werden kann. Als Aktuatoren 24 sind beispielsweise elektrische, hydraulische, pneumatische, thermische und magnetische Aktuatoren denkbar. Ferner können Piezo-Aktuatoren oder akusto-optische Modulatoren zur Modulation des Brechungsindexes n des Korrekturkörpers 21 mittels mechanischer Mittel verwendet werden. Des Weiteren können anstatt von Aktuatoren 24 auch Kinematiken, insbesondere bei einer statischen Beeinflussung, zum Einsatz kommen.
  • 5 zeigt zwei Varianten zur Beeinflussung eines Korrekturkörpers 21 mittels elektromagnetischer Felder und/oder Wellen. Dabei wird in Variante A über zwei elektrische Kontaktflächen 12 ein elektrisches Feld 13 innerhalb des Dispersionsmediums 3 des Korrekturkörpers 21 eingeprägt. Die statische und dynamische Steuerung des elektrischen Feldes 13 erfolgt über einen Spannungsgenerator 25. Das einwirkende elektrische Feld 13 beeinflusst das dispersive Verhalten des Korrekturkörpers 21, wodurch gezielt verschiedene Farblängsfehler generiert werden können. Beispielsweise wird der Brechungsindex n des Dispersionsmediums 3 über das elektromagnetische Feld 13 mittels linearer Effekte, wie dem Pockels-Effekt oder dem Kerr-Effekt, oder mittels nichtlinearer optische Effekte gezielt moduliert. Eine alternative Ausführungsform ist in Variante B gezeigt, wobei die elektromagnetische Strahlung 14 mittels eines Senders 15 in das Dispersionsmedium 3 innerhalb des Korrekturkörpers 21 eingeprägt wird.
  • In 6 sind zwei mögliche Ausführungsformen zur Einstellung der optischen Weglänge L innerhalb eines Korrekturkörpers dargestellt. Dabei ist in der in 6A dargestellten Variante ein Korrekturkörper 21' in Form eines optisches Keils 16 dargestellt. Mittels einer Verschiebung des optischen Keils 16 senkrecht zur optischen Achse OA kann die optische Weglänge L innerhalb des Korrekturkörpers 21' eingestellt werden. In der in 6B gezeigten Variante ist ein Korrekturkörper 21" in Form einer Anordnung von zwei optischen Keilen 16 mit ähnlichem Funktionsprinzip dargestellt. Dabei können die beiden optischen Keile 16 verschoben werden, sodass sie auf ihren jeweiligen Keilflächen 17 abgleiten und somit eine Änderung der optischen Weglänge L verursachen. Denkbar ist ebenso, dass mehr als zwei optische Keile 16 zum Einsatz kommen können.
  • 7 zeigt eine Ausführungsform zur Änderung der räumlichen Orientierung und Position von Korrekturkörpern. Dabei sind optische Linsen L1, L2, L3, L4 entlang der optischen Achse OA innerhalb eines Korrekturkörpers 21 angeordnet. Die optischen Linsen L1, L2, L3, L4 werden mittels einer Linsenfixierung 19 und einer Linsenhalterung 20 mechanisch innerhalb des Korrekturkörpers 21 positioniert. Das dispersive Verhalten kann zum einen über einen Ein- und Ausschub der optischen Linse L2 beeinflusst werden, da je nach Vorhandensein der optischen Linse L2 innerhalb des Korrekturkörpers 21 ein unterschiedlicher Farblängsfehler existiert. Dabei kann die optische Linse 2 je nach gewünschter chromatischer Aberration, z.B. mittels eines Linsenrevolvers, gewechselt werden. Die optische Linse L3 und die optische Linse L4 sind dreidimensional, als auch rotatorisch um ihre Achsen im gekennzeichneten Koordinatensystem in x-y-z-Richtung mechanisch frei anordenbar. Dabei können die Linsen L3, L4 separat mittels ihrer jeweiligen Mechanik M3, M4 verschiedene Freiheitsgrade annehmen. Zum einen können die Linsen L3, L4 mittels der Mechanik M3, M4 separat in x-y-z-Richtung an ihren jeweiligen Linsenhalterungen 20 verschoben werden. Des Weiteren kann jede Linse L3, L4 um die x-y und z-Achse rotiert werden. Ebenso können die Linsen L3, L4 untereinander verkippt werden, wenn beispielsweise die Distanzen B' und B über die Mechaniken M3, M4 verschieden gewählt werden. Über die verschieden einstellbaren räumlichen Orientierungen und Positionen der optischen Linse L3 und der optischen Linse L4 lassen sich somit verschiedenen Farblängsfehler einstellen und innerhalb der Inspektionsvorrichtung für Masken 4 simulieren.
  • In 8 ist eine Variante zur Beeinflussung des Korrekturkörpers über den Gasdruck und die Gaszusammensetzung der Umgebung dargestellt. Dabei befindet sich das Dispersionsmedium 3 des Korrekturkörpers innerhalb einer kontrollierbaren gasförmigen Umgebung 30. Über eine Spülgaseinheit 31 kann der Druck P über eine Druckregelung 32 und die Zusammensetzung des Gases N über die Gaskomponentenregelung 33 beeinflusst werden. Beispielsweise wird als gasförmige Umgebung Stickstoff verwendet, welche über Edelgaszusätze kontrolliert angereichert werden kann. Aufgrund der Einwirkung der gasförmigen Umgebung unmittelbar auf das Dispersionsmedium 3 kann das dispersive Verhalten des Korrekturkörpers gezielt beeinflusst werden.
  • 9 zeigt drei Varianten zur Beeinflussung eines Korrekturkörpers 21 mittels magnetischer Felder. Dabei kann bei Variante E mittels eines Dauermagneten 40 ein Magnetfeld 41 innerhalb des Dispersionsmediums 3 des Korrekturkörpers 21 eingeprägt werden. Als weitere Variante F kann eine Spule 42 um den Korrekturkörper 21 und dessen Dispersionsmediums 3 gewickelt sein, um ein Magnetfeld 43 aufzubauen. Die Spule 42 und das Magnetfeld 43 werden über einen Spannungsgenerator 25 statisch, als auch dynamisch beeinflusst. Ebenso ist als Variante G ein Elektromagnet 44 denkbar, welcher über einen Spannungsgenerator 25 zur Erzeugung des magnetischen Feldes 45 gesteuert wird.
  • 10 stellt eine Ausführungsform zur Beeinflussung eines Korrekturkörpers 21 mittels eines thermischen Elementes 50 dar. Dabei wird das Dispersionsmedium 3 des Korrekturkörpers 21 mit einem Heizelement 50, z.B. einem Peltierelement, thermisch beeinflusst, sodass eine Temperaturänderung innerhalb des Dispersionsmediums 3 entsteht. Aufgrund der Termperaturabhängigkeit des Brechungsindex n kommt es zu einer Beeinflussung des dispersiven Verhaltens des Korrekturkörpers 21 und somit zu einem bestimmten Farblängsfehler.
  • In 11 ist eine Variante zur Änderung der spektralen Eigenschaften der Strahlungsquelle der Inspektionsvorrichtung für Masken 4 zur gezielten Einstellung eines Farblängsfehlers dargestellt. Dabei kann die elektromagnetische Beleuchtungsstrahlung 6 der Spektralquelle 60 über ein optisches Filtersystem 61 spektral beeinflusst werden. Als Spektralquelle 60 ist eine in ihrer Spektraleigenschaft durchstimmbare optische Strahlungsquelle, z.B. eine spektral durchstimmbare LED denkbar, wodurch wellenlängenselektiv verschiedene Farblängsfehler in der Inspektionsvorrichtung für Masken 4 eingeführt werden können. Des Weiteren ist ein Spektralquellenkollektiv 63 aus verschiedenen Spektralquellen 60 mit unterschiedlichen Spektraleigenschaften, z.B. in der Form eines Arrays, denkbar, wobei selektiv eine Spektralquelle 60 aus dem Spektralquellenkollektiv 63 in den Strahlengang eingeführt wird. Somit können verschiedenen Projektionsbelichtungsanlagen und deren Farblängsfehler innerhalb der Inspektionsvorrichtung für Masken 4 simuliert werden.
  • 12 zeigt in einer schematischen Darstellung ein Verfahren zur Nachbildung eines Farblängsfehlers über die Aufnahme eines Fokusstapels Fx. Dabei werden beispielsweise 5 Ebenen (F1, F2, F3, F4, F5) mit einem Abstand A von 100nm in defokussierter Lage aufgenommen. Dafür kann zum einen die Kamera, als auch die Abbildungsvorrichtung der Inspektionsvorrichtung für Masken je Aufnahme variabel angepasst werden. Beispielhaft ist die Fokussierung einer Hauptebene L3 auf ihre entsprechende Fokusebene F3 dargestellt. Unter Kenntnis der Linienbreite der Nutzstrahlung und des Farblängsfehlers der zu simulierenden Projektionsbelichtungsanlage können dann aus den einzelnen Bildern des Fokusstapels Fx diejenigen Bilder ausgewählt werden, welche dem zu simulierenden Farblängsfehler entsprechen würden. Durch geeignete Interpolation und gegebenenfalls Gewichtung der Bilder kann dann der Farblängsfehler nachgebildet werden.
  • Bezugszeichenliste
    • 1
    Optische Linse
    2
    Elektromagnetische Strahlung
    3
    Dispersionsmedium
    4
    Inspektionsvorrichtung für Masken
    5
    Strahlungsquelle
    6
    Beleuchtungsstrahlung
    7
    Beleuchtungseinheit
    8
    Maske
    9
    Abbildungsvorrichtung
    10
    Kamera
    11
    Aktuatorkontakflächen
    12
    Elektrische Kontaktfläche
    13
    Elektrisches Feld
    14
    Elektromagnetische Strahlung
    15
    Sender
    16
    Optischer Keil
    17
    Keilflächen
    19
    Linsenfixierung
    20
    Linsenhalterung
    21
    Korrekturkörper
    22
    Dispersionssteuerungsmittel
    23
    Steuereinheit
    24
    Aktuator
    25
    Spannungsgenerator
    26
    Kraftvektor
    27
    Richtung parallel zur optischen Achse
    A
    Abstand Fokusebene
    OA
    Optische Achse
    F1...F5
    Fokusebene
    L1 ... L3
    Wellenlänge
    N
    Gaszusammensetzung
    N
    Brechnungsindex
    P
    Druck
    Fx
    Fokusstapel
    P1... P6
    Mögliche Positionen des Korrekturkörpers
    30
    Gasförmige Umgebung
    31
    Spülgaseinheit
    32
    Druckregelung
    33
    Gaskomponentenregelung
    40
    Dauermagnet
    41
    Magnetfeld Dauermagnet
    42
    Spule
    43
    Magnetfeld Spule
    44
    Elektromagnet
    45
    Magnetfeld Elektromagnet
    50
    Heizelement
    60
    Spektralquelle
    61
    Optisches Filter
    63
    Spektralquellenkollektiv

Claims (24)

  1. Inspektionsvorrichtung (4) von Masken (8) für die Halbleiterlithographie, umfassend - eine Abbildungsvorrichtung (9) zur Abbildung einer Maske (8) - eine Bildaufnahmevorrichtung (10) dadurch gekennzeichnet, dass im Lichtweg zwischen der Maske (8) und der Bildaufnahmevorrichtung (10) ein oder mehrere Korrekturkörper (21, 21', 21") angeordnet sind, welche für mindestens einen Teilbereich der zur Abbildung verwendeten Beleuchtungsstrahlung (6) ein dispersives Verhalten zeigen und die zur Nachbildung von Farblängsfehlern unterschiedlicher Projektionsbelichtungsanlagen eingerichtet sind.
  2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass ein oder mehrere Korrekturkörper (21, 21', 21") zwischen der Maske (8) und der Abbildungsvorrichtung (9) angeordnet sind .
  3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass ein oder mehrere Korrekturkörper (21, 21', 21") zwischen der Beleuchtungseinheit (7) für die Maske (8) und der Maske (8) angeordnet sind.
  4. Vorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass ein oder mehrere Korrekturkörper (21, 21', 21") zwischen einer Strahlungsquelle (5) und einer Beleuchtungseinheit (7) für die Maske (8) angeordnet sind.
  5. Vorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass ein oder mehrere Korrekturkörper (21, 21', 21") zwischen der Abbildungsvorrichtung (9) und der Bildaufnahmevorrichtung (10) angeordnet sind.
  6. Vorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass ein oder mehrere Korrekturkörper (21, 21', 21") innerhalb einer Beleuchtungseinheit (7) für die Maske (8) angeordnet sind.
  7. Vorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass ein oder mehrere Korrekturkörper (21, 21', 21") innerhalb der Abbildungsvorrichtung (9) angeordnet sind.
  8. Vorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die ein oder mehreren Korrekturkörper (21, 21', 21") Kalziumflourid oder Quarzglas enthalten.
  9. Vorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass Mittel (22; 24, 11; 25, 12; 40; 42; 44; 15; 50; 31, 31, 33; M3, M4, 16) zur Beeinflussung des dispersiven Verhaltens des Korrekturkörpers (21, 21', 21") vorhanden sind.
  10. Vorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Mittel (24,11) geeignet sind, mechanische Spannungen in dem Korrekturkörper (21, 21', 21") hervorzurufen.
  11. Vorrichtung nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Mittel (25, 12) geeignet sind, elektrische Felder im Bereich des Korrekturkörpers (21, 21', 21") zu erzeugen.
  12. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Mittel (40, 42, 44) geeignet sind, magnetische Felder (41, 43, 45) im Bereich des Korrekturkörpers (21, 21', 21") zu erzeugen.
  13. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Mittel (15) geeignet sind, elektromagnetische Felder (14) im Bereich des Korrekturkörpers (21, 21', 21") zu erzeugen.
  14. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass das Mittel (50) geeignet ist, thermische Spannungen in dem Korrekturkörper (21, 21', 21") hervorzurufen.
  15. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass das Mittel (31, 32, 33) geeignet ist, den Druck (P) und die Gaszusammensetzung (N) der Umgebung (30), in welcher der Korrekturkörper (21, 21', 21") angeordnet ist, zu beeinflussen.
  16. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass Mittel (16) zur Beeinflussung der Länge (L) des Weges der zur Inspektion verwendeten Beleuchtungsstrahlung (6) im Korrekturkörper (21, 21', 21") vorhanden sind.
  17. Vorrichtung nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass der Korrekturkörper (21, 21', 21") durch ein oder mehrere optische Keile (16) gebildet ist, welche bezüglich einer optischen Achse (OA) der Inspektionsvorrichtung für Masken (4) verschiebbar sind.
  18. Vorrichtung nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens zwei optische Keile (16) entlang ihrer jeweils gegenüberliegenden Keilflächen (17) verschiebbar angeordnet sind.
  19. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass Mittel (M3, M4, 20) zur Änderung der räumlichen Orientierung oder Position von optischen Elementen (L1, L2, L3, L4), die der Korrekturkörper (21, 21', 21") umfasst, vorhanden sind.
  20. Vorrichtung nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, dass die Mittel (M3, M4) geeignet sind, den Abstand (B) der optischen Elemente (L1, L2, L3, L4) zueinander zu verändern.
  21. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 19 oder 20, dadurch gekennzeichnet, dass das Mittel (20) geeignet ist, die optischen Elemente (L1, L2, L3, L4) senkrecht zu einer optischen Achse (OA) der Inspektionsvorrichtung für Masken (4) zu verschieben.
  22. Vorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass Mittel (60, 61) zur spektralen Beeinflussung der Beleuchtungsstrahlung (6) vorhanden sind.
  23. Verfahren zur Berücksichtigung von Farblängsfehlern in Inspektionsvorrichtungen (4) für Masken (8), umfassend die folgenden Schritte: - Aufnahme einer bestimmten Anzahl von Bildern unterschiedlich defokussierter Lage (F1, F2, F3, F4, F5) - Auswahl einer Untermenge der Bilder und Nachbildung eines Farblängsfehlers einer Projektionsbelichtungsanlage.
  24. Verfahren nach Anspruch 23, umfassend eine Interpolation und Gewichtung der ausgewählten Bilder.
DE102017115365.9A 2017-07-10 2017-07-10 Inspektionsvorrichtung für Masken für die Halbleiterlithographie und Verfahren Active DE102017115365B4 (de)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102017115365.9A DE102017115365B4 (de) 2017-07-10 2017-07-10 Inspektionsvorrichtung für Masken für die Halbleiterlithographie und Verfahren
US16/026,197 US10928332B2 (en) 2017-07-10 2018-07-03 Inspection device for masks for semiconductor lithography and method
TW107123710A TWI675251B (zh) 2017-07-10 2018-07-09 半導體微影光罩的檢測裝置與方法
CN202210954425.0A CN115308990A (zh) 2017-07-10 2018-07-10 半导体光刻的掩模的检验装置和方法
CN201810754164.1A CN109240039B (zh) 2017-07-10 2018-07-10 半导体光刻的掩模的检验装置和方法
KR1020180079927A KR102306584B1 (ko) 2017-07-10 2018-07-10 에어리얼 이미지의 스캐너 축방향 색수차의 영향
US17/164,198 US11867642B2 (en) 2017-07-10 2021-02-01 Inspection device for masks for semiconductor lithography and method
KR1020210087151A KR102324701B1 (ko) 2017-07-10 2021-07-02 에어리얼 이미지의 스캐너 축방향 색수차의 영향

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102017115365.9A DE102017115365B4 (de) 2017-07-10 2017-07-10 Inspektionsvorrichtung für Masken für die Halbleiterlithographie und Verfahren

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102017115365A1 DE102017115365A1 (de) 2019-01-10
DE102017115365B4 true DE102017115365B4 (de) 2020-10-15

Family

ID=64666300

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102017115365.9A Active DE102017115365B4 (de) 2017-07-10 2017-07-10 Inspektionsvorrichtung für Masken für die Halbleiterlithographie und Verfahren

Country Status (5)

Country Link
US (2) US10928332B2 (de)
KR (2) KR102306584B1 (de)
CN (2) CN109240039B (de)
DE (1) DE102017115365B4 (de)
TW (1) TWI675251B (de)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102017115365B4 (de) * 2017-07-10 2020-10-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Inspektionsvorrichtung für Masken für die Halbleiterlithographie und Verfahren
EP3800505A1 (de) * 2019-10-03 2021-04-07 ASML Netherlands B.V. Messsystem und verfahren zur charakterisierung einer strukturierungsvorrichtung
DE102020104167B4 (de) * 2020-02-18 2023-01-26 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Vermessung von Photomasken

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5717518A (en) * 1996-07-22 1998-02-10 Kla Instruments Corporation Broad spectrum ultraviolet catadioptric imaging system
US20070171547A1 (en) * 2000-09-12 2007-07-26 Kla-Tencor Technologies Corporation Broad band DUV, VUV long-working distance catadioptric imaging system
DE102006036504A1 (de) * 2006-08-04 2008-02-07 Vistec Semiconductor Systems Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Messung des Höhenprofils eines strukturierten Substrats
DE112014004139T5 (de) * 2013-09-10 2016-07-14 Kla-Tencor Corporation Dauerstrich-Laser mit geringem Rauschen, hoher Stabilität und tiefen Ultraviolett

Family Cites Families (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5171518A (en) 1992-02-21 1992-12-15 Combustion Engineering, Inc. Method of determining differences or changes in the rate of heat transfer through tube walls
JPH0675192A (ja) * 1992-06-26 1994-03-18 Minolta Camera Co Ltd 手ぶれ補正光学系
JP3463335B2 (ja) 1994-02-17 2003-11-05 株式会社ニコン 投影露光装置
JPH07311337A (ja) * 1994-03-24 1995-11-28 Asahi Optical Co Ltd 光情報記録再生装置
JP3365087B2 (ja) * 1994-10-14 2003-01-08 ミノルタ株式会社 手ぶれ補正機能を有する光学系
KR960042227A (ko) * 1995-05-19 1996-12-21 오노 시게오 투영노광장치
US6081385A (en) * 1997-07-09 2000-06-27 Minolta Co., Ltd. Optical system design and production method
JP3746894B2 (ja) * 1998-02-05 2006-02-15 ペンタックス株式会社 色消しレンズ系
JP2000003847A (ja) * 1998-06-15 2000-01-07 Canon Inc 荷電粒子線縮小転写装置及びデバイス製造方法
US6160831A (en) * 1998-10-26 2000-12-12 Lambda Physik Gmbh Wavelength calibration tool for narrow band excimer lasers
US20020071472A1 (en) * 1999-04-30 2002-06-13 Metrologic Instruments, Inc. DOE-based systems and devices for producing laser beams having modified beam characteristics
US6606197B2 (en) * 2000-03-28 2003-08-12 Corning Incorporated Dual grating filtering system
US6795182B2 (en) * 2001-07-06 2004-09-21 Arroyo Optics, Inc. Diffractive fourier optics for optical communications
US20060007554A1 (en) * 2004-07-08 2006-01-12 Joerg Ferber Method and apparatus for maintaining focus and magnification of a projected image
EP1835527A4 (de) * 2004-12-16 2011-01-05 Nikon Corp Optisches projektionssystem, belichtungsvorrichtung, belichtungssystem und belichtungsverfahren
JP2007250947A (ja) * 2006-03-17 2007-09-27 Canon Inc 露光装置および像面検出方法
DE102006022958A1 (de) 2006-05-11 2007-11-22 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsbelichtungsanlage, Projektionsbelichtungsverfahren und Verwendung eines Projektionsobjektivs
KR100811270B1 (ko) * 2006-09-19 2008-03-07 주식회사 하이닉스반도체 단일 포토마스크를 이용한 패턴 형성방법
US7973927B2 (en) * 2006-09-29 2011-07-05 Uwm Research Foundation, Inc. Two-photon microscope with spectral resolution
TWI407248B (zh) * 2006-12-05 2013-09-01 Hoya Corp 光罩之檢查裝置、光罩之檢查方法、液晶裝置製造用光罩之製造方法以及圖案轉印方法
JP4521561B2 (ja) * 2006-12-19 2010-08-11 レーザーテック株式会社 フォーカス制御方法及び位相シフト量測定装置
US7643157B2 (en) * 2007-01-04 2010-01-05 Lasertec Corporation Phase shift amount measurement apparatus and transmittance measurement apparatus
JP4885762B2 (ja) * 2007-02-27 2012-02-29 株式会社ディスコ チャックテーブルに保持された被加工物の計測装置およびレーザー加工機
JP2009094145A (ja) 2007-10-04 2009-04-30 Canon Inc 露光装置、露光方法およびデバイス製造方法
KR20090038121A (ko) 2007-10-15 2009-04-20 엘지전자 주식회사 광픽업의 색수차 보정 제어장치 및 방법
JP4703693B2 (ja) * 2008-08-08 2011-06-15 株式会社東芝 露光方法、半導体装置の製造方法、及びマスクデータの作成方法
CN101510054B (zh) * 2009-03-06 2011-05-11 上海微电子装备有限公司 一种用于光刻设备的曝光控制***及控制方法
CN101866111A (zh) * 2009-04-14 2010-10-20 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 监测曝光机台焦平面变化的方法
CN101930180B (zh) * 2009-06-18 2013-01-23 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 检测曝光机台焦平面变化的方法及装置
US8520186B2 (en) 2009-08-25 2013-08-27 Cymer, Llc Active spectral control of optical source
JP5404298B2 (ja) * 2009-10-15 2014-01-29 キヤノン株式会社 画像読取装置の検査方法および検査装置
DE102010029651A1 (de) 2010-06-02 2011-12-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Betrieb einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit Korrektur von durch rigorose Effekte der Maske induzierten Abbildungsfehlern
JP5820729B2 (ja) 2012-01-11 2015-11-24 株式会社ニューフレアテクノロジー 光束分岐素子、およびマスク欠陥検査装置
DE102012200368A1 (de) * 2012-01-12 2013-07-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Polarisationsbeeinflussende optische Anordnung, insbesondere in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
JP5893487B2 (ja) * 2012-04-13 2016-03-23 キヤノン株式会社 ズームレンズ及びそれを有する撮像装置
JP5959989B2 (ja) * 2012-08-17 2016-08-02 キヤノン株式会社 ズームレンズ及びそれを有する撮像装置
JP6429444B2 (ja) 2013-10-02 2018-11-28 キヤノン株式会社 画像処理装置、撮像装置及び画像処理方法
JP6173156B2 (ja) * 2013-10-02 2017-08-02 キヤノン株式会社 画像処理装置、撮像装置及び画像処理方法
JP5725681B1 (ja) * 2014-01-22 2015-05-27 レーザーテック株式会社 干渉計及び位相シフト量測定装置
JP6747687B2 (ja) 2014-08-25 2020-08-26 ナショナル ユニヴァーシティー オブ シンガポール 収差補正装置、これを有するデバイス、および荷電粒子の収差を補正するための方法
JP6516429B2 (ja) * 2014-09-16 2019-05-22 キヤノン株式会社 距離計測装置、撮像装置、および距離計測方法
CN105549327B (zh) * 2014-10-29 2018-03-02 上海微电子装备（集团）股份有限公司 曝光装置的调整装置及调整方法
JP6554288B2 (ja) * 2015-01-26 2019-07-31 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置
JP2016170122A (ja) * 2015-03-13 2016-09-23 キヤノン株式会社 計測装置
CN106292188B (zh) * 2015-05-24 2019-01-18 上海微电子装备（集团）股份有限公司 曝光装置
CN106707684B (zh) * 2015-08-05 2019-12-13 中国科学院微电子研究所 一种焦面位置测试掩膜版及确定焦面位置的方法
KR20180096741A (ko) * 2015-12-23 2018-08-29 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치 및 측정 수행 방법
EP3222964B1 (de) * 2016-03-25 2020-01-15 Fogale Nanotech Chromatische konfokale vorrichtung und verfahren zur 2d/3d-inspektion eines objekts wie etwa eines wafers
US9966725B1 (en) * 2017-03-24 2018-05-08 Cymer, Llc Pulsed light beam spectral feature control
DE102017115365B4 (de) 2017-07-10 2020-10-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Inspektionsvorrichtung für Masken für die Halbleiterlithographie und Verfahren
US10401738B2 (en) * 2017-08-02 2019-09-03 Kla-Tencor Corporation Overlay metrology using multiple parameter configurations
US10634559B2 (en) * 2018-04-18 2020-04-28 Raytheon Company Spectrally-scanned hyperspectral electro-optical sensor for instantaneous situational awareness
CN110346919B (zh) * 2019-08-14 2024-04-19 浙江舜宇光学有限公司 光学成像镜头

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5717518A (en) * 1996-07-22 1998-02-10 Kla Instruments Corporation Broad spectrum ultraviolet catadioptric imaging system
US20070171547A1 (en) * 2000-09-12 2007-07-26 Kla-Tencor Technologies Corporation Broad band DUV, VUV long-working distance catadioptric imaging system
DE102006036504A1 (de) * 2006-08-04 2008-02-07 Vistec Semiconductor Systems Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Messung des Höhenprofils eines strukturierten Substrats
DE112014004139T5 (de) * 2013-09-10 2016-07-14 Kla-Tencor Corporation Dauerstrich-Laser mit geringem Rauschen, hoher Stabilität und tiefen Ultraviolett

Also Published As

Publication number Publication date
KR20190006456A (ko) 2019-01-18
TW201908863A (zh) 2019-03-01
US10928332B2 (en) 2021-02-23
CN109240039A (zh) 2019-01-18
US20210156809A1 (en) 2021-05-27
KR20210087911A (ko) 2021-07-13
KR102306584B1 (ko) 2021-09-30
KR102324701B1 (ko) 2021-11-11
DE102017115365A1 (de) 2019-01-10
CN109240039B (zh) 2022-11-04
US11867642B2 (en) 2024-01-09
CN115308990A (zh) 2022-11-08
TWI675251B (zh) 2019-10-21
US20190011376A1 (en) 2019-01-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102017115365B4 (de) Inspektionsvorrichtung für Masken für die Halbleiterlithographie und Verfahren
DE102008015631A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Vermessung von Masken für die Photolithographie
DE102009034166A1 (de) Kontaminationsarme optische Anordnung
DE102011077223B4 (de) Messsystem
DE102016216188A1 (de) Steuereinrichtung
DE102012209837A1 (de) EUV-Anregungslichtquelle mit einer Laserstrahlquelle und einer Strahlführungsvorrichtung zum Manipulieren des Laserstrahls
DE102015218917A1 (de) Verfahren zur Ermittlung einer Position eines Strukturelements auf einer Maske und Positionsmessvorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
DE102018206404A1 (de) Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie mit Heizvorrichtung und Verfahren
DE102020211696A1 (de) Messanordnung zur Ermittlung der Position und/oder der Orientierung eines optischen Elements sowie Projektionsbelichtungsanlage
DE102009045193A1 (de) Optische Anordnung in einem optischen System, insbesondere in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
DE102017102998A1 (de) Anordnung und Verfahren zur Charakterisierung eines transparenten Substrats
DE102018122652A1 (de) Spektralauflösende, hochauflösende 3D-Lokalisierungmikroskopie
DE102015209173A1 (de) Verfahren zum herstellen eines objektivs für eine lithographieanlage sowie messvorrichtung
DE102013220473A1 (de) Facettenelement mit justagemarkierungen
DE102011082481A1 (de) Beleuchtungssystem einer mikrolithographischen projektionsbelichtungsanlage und verfahren zu deren betrieb
DE102009052739A1 (de) Messsystem zur Bestimmung der Position und/oder Lage einer reflektiven optischen Komponente
DE102022212449A1 (de) Vorrichtung zur Verbindung wenigstens einer ersten und einer zweiten Modulkomponente, Modul eines Lithografiesystems, optisches Element und Lithografiesystem
DE102016225901A1 (de) Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie
DE102012200371A1 (de) Optisches System für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage sowie mikrolithographisches Belichtungsverfahren
DE102010020860B4 (de) Mikroferoskop
DE102011077315A1 (de) Optische Anordnung in einem Projektionsobjektiv einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage
DE102005023973A1 (de) Vorrichtung und Verfahren zur optischen Detektion eines Objekts
DE102015014110A1 (de) Justagefreie In-situ-Mikroskopie von Suspensionen
DE102020211148A1 (de) Anordnung zur Lichtblattmikroskopie, Immersionsobjektiv und Verfahren zur Reduzierung von Aberrationen
DE102022108541A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Beprobungselementes und Beprobungselement

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R020 Patent grant now final