DE102015100863B4 - Verfahren zur Handhabung eines Produktsubstrats und ein verklebtes Substratsystem - Google Patents

Verfahren zur Handhabung eines Produktsubstrats und ein verklebtes Substratsystem Download PDF

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Abstract

Verfahren zur Handhabung eines Produktsubstrats (100), wobei das Verfahren umfasst:Verkleben eines Trägers (104) mit dem Produktsubstrat (100) durch- Aufbringen einer Schicht aus einem permanenten Klebstoff (106) auf eine Oberfläche des Trägers (104);- Bereitstellen einer strukturierten Zwischenschicht (108);- Verkleben des Trägers (104) mit dem Produktsubstrat (100) unter Verwendung des aufgebrachten permanenten Klebstoffs (106), wodurch die strukturierte Zwischenschicht (108) zwischen dem Produktsubstrat (100) und dem Träger (104) angeordnet ist, wobei eine Oberfläche der strukturierten Zwischenschicht (108) und eine Oberfläche des permanenten Klebstoffs (106) in direktem Kontakt mit einer Oberfläche des Produktsubstrats (100) sind, und wobei die strukturierte Zwischenschicht (108) die Haftfestigkeit zwischen dem Produktsubstrat (100) und dem Träger (104) verringert, und wobei das Produktsubstrat (100) entlang Sägelinien (112) geschnitten wird, und die Zwischenschicht (108) strukturiert ist, um mit dem Produktsubstrat (100) im Wesentlichen nur abseits der Sägelinien in Kontakt zu sein.

Description

  • Die vorliegende Offenbarung betrifft ein Verfahren zur Handhabung eines Produktsubstrats, welches das Verkleben eines Trägers mit dem Produktsubstrat umfasst. Die vorliegende Offenbarung betrifft ferner ein verklebtes Substratsystem, welches einen Träger und ein Produktsubstrat umfasst.
  • Die Handhabung eines Wafers während Verarbeitungsschritten kann schwierig sein aufgrund der Fragilität des Wafers. Eine weitere Schwierigkeit kann sich daraus ergeben, dass ein Wafer, insbesondere ein rekonstituierter Wafer, einem Verzug unterliegt.
  • Ein Träger, der temporär mit dem Wafer verklebt wird, kann die Stabilität während der Handhabung erhöhen und kann einen verzogenen Wafer begradigen. Der Träger kann von dem Wafer nach der Durchführung aller erforderlichen Verarbeitungsschritte wieder abgelöst bzw. getrennt werden. Für das vorübergehende Verkleben eines temporären Trägers mit dem Wafer kann ein temporärer Klebstoff verwendet werden.
  • Temporäre Klebstoffe, z. B. in der Form von Klebefolien bzw. -filmen, kommen häufig in der Halbleiterindustrie zum Einsatz. Temporäre Klebstoffe in der Bedeutung dieser Anmeldung sind Klebstoffe, die zwei Komponenten nur vorübergehend miteinander verkleben sollen. Bekannte temporäre Klebstoffe sind in einem Temperaturbereich, beginnend ab etwa Raumtemperatur (20°C) bis etwa 180°C, 200°C oder manchmal bis etwa 250°C wirksam. Oft werden die höheren Temperaturen nur während eines kurzen Zeitraums ohne ein Ablösen unterstützt. Des Weiteren können sogar niedrigere Temperaturen, d. h. Temperaturen unterhalb 180°C, zu einem Ablösen führen, wenn eine mechanische Kraft auf die Klebeschicht einwirkt. Zwei verschiedene Mechanismen werden für temporäre Klebstoffe genutzt. Temporäre Klebstoffe besitzen entweder eine geringe Adhäsionskraft, die ein leichtes Ablösen erlaubt, oder sie erlauben eine kontrollierte Zerstörung bzw. Abbau ihrer Adhäsionskraft. Beide Mechanismen können auch kombiniert werden. Bekannte Zerstörungs- bzw. Abbaumechanismen umfassen beispielsweise das chemische Lösen des temporären Klebstoffs, Zerstören/Verringern der Adhäsionskraft durch Hitze mit Temperaturen oberhalb des bezeichneten Temperaturbereichs oder durch Strahlung.
  • Temporäre Klebstoffe können den Nachteil haben, dass die während des Verarbeitens des Wafers angetroffenen Bedingungen die Adhäsionskraft des temporären Klebstoffs deaktivieren oder zumindest stark verringern. Eine geringe Adhäsionskraft ist möglicherweise nicht ausreichend, um einen verzogenen Wafer zu begradigen und/oder einen Wafer während aller Verarbeitungsschritte sicher festzuhalten. Aus diesen und weiteren Gründen besteht Bedarf an der vorliegenden Erfindung.
  • Die Druckschrift DE 20 2009 018 064 U1 zeigt ein reversibles Anbringen eines Wafers an einen Träger in einem Randbereich des Wafers durch einen Randbond. Ein durch den Randbond definierter innerer Bereich zwischen Wafer und Träger ist mit einem Füllstoff gefüllt. Zum Trennen des Trägers vom Wafer wird das Material des Randbonds chemisch oder mechanisch zerstört.
  • Die Druckschrift US 2005 / 0 221 598 A1 lehrt ein Verkleben eines prozessierten Wafers, der Lothöcker aufweist, mit einem Träger unter Verwendung einer dicken Kleberschicht, die die Lothöcker einhüllt. Eine Zwischenschicht auf dem Wafer verhindert weitgehend einen direkten Kontakt zwischen der Kleberschicht und dem Wafer einschließlich der Lothöcker. Zum Trennen des Wafers vom Träger wird die Zwischenschicht durch Wärmeeinwirkung zerstört.
  • Verschiedene Aspekte betreffen ein Verfahren zur Handhabung eines Produktsubstrats. Das Verfahren umfasst ein Verkleben eines Trägers mit dem Produktsubstrat durch Aufbringen einer Schicht aus einem permanenten Klebstoff auf eine Oberfläche des Trägers und Bereitstellen einer strukturierten Zwischenschicht. Das Verfahren umfasst ferner ein Verkleben des Trägers mit dem Produktsubstrat unter Verwendung des aufgebrachten permanenten Klebstoffs, wodurch die strukturierte Zwischenschicht zwischen dem Produktsubstrat und dem Träger angeordnet ist, wobei eine Oberfläche der strukturierten Zwischenschicht und eine Oberfläche des permanenten Klebstoffs in direktem Kontakt mit einer Oberfläche des Produktsubstrats sind, und wobei die strukturierte Zwischenschicht die Haftfestigkeit zwischen dem Produktsubstrat und dem Träger verringert, und wobei das Produktsubstrat entlang Sägelinien geschnitten wird, und die Zwischenschicht strukturiert ist, um mit dem Produktsubstrat im Wesentlichen nur abseits der Sägelinien in Kontakt zu sein.
  • Verschiedene Aspekte betreffen ein verklebtes Substratsystem. Das verklebte Substratsystem umfasst einen Träger und ein Produktsubstrat. Das verklebte Substratsystem umfasst ferner eine Schicht aus permanentem Klebstoff, welcher den Träger mit dem Produktsubstrat verklebt. Das verklebte Substratsystem umfasst ferner eine strukturierte Zwischenschicht, die zwischen dem Produktsubstrat und dem Träger angeordnet ist, wobei eine Oberfläche der strukturierten Zwischenschicht und eine Oberfläche des permanenten Klebstoffs in direktem Kontakt mit einer Oberfläche des Produktsubstrats sind, und wobei die strukturierte Zwischenschicht die Haftfestigkeit zwischen dem Produktsubstrat und dem Träger verringert, und wobei das Produktsubstrat Sägelinien aufweist, und die Zwischenschicht strukturiert ist, um mit dem Produktsubstrat im Wesentlichen nur abseits der Sägelinien in Kontakt zu sein.
  • Die anhängigen Zeichnungen sind zum weiteren Verständnis von Ausführungsformen mit eingeschlossen und sind in der Beschreibung inbegriffen und sind ein Teil davon. Die Zeichnungen veranschaulichen Beispiele und dienen zusammen mit der Beschreibung der Erläuterung von Prinzipien von Ausführungsformen. Andere Ausführungsformen und viele der gewünschten Vorteile der Ausführungsformen werden leicht ersichtlich, wenn sie unter Bezugnahme auf die nachfolgende detaillierte Beschreibung besser verstanden werden.
    • Die 1 veranschaulicht schematisch ein Produktsubstrat.
    • Die 2 veranschaulicht schematisch einen Träger.
    • Die 3 veranschaulicht schematisch einen Träger mit einer aufgebrachten Schicht aus permanentem Klebstoff.
    • Die 4 veranschaulicht schematisch ein Produktsubstrat mit einer strukturierten Zwischenschicht.
    • Die 5 veranschaulicht schematisch den Träger von 3, der mit dem Produktsubstrat von 4 unter Bildung eines verklebten Substratsystems verklebt ist.
    • Die 6 veranschaulicht schematisch eine Draufsicht eines möglichen Produktsubstrats.
    • Die 7 veranschaulicht schematisch eine Unteransicht des Produktsubstrats von 6.
    • Die 8 veranschaulicht schematisch in einer Schnittansicht das verklebte Substratsystem von 5 nach weiteren Verarbeitungsschritten.
    • Die 9 veranschaulicht schematisch in einer Schnittansicht das verklebte Substratsystem, wie in 8 mit möglichen Schnittlinien gezeigt.
    • Die 10 veranschaulicht schematisch das Produktsubstrat des verklebten Substratsystems, wie in der 9 nach der Abtrennung von dem Träger gezeigt.
    • Die 11 veranschaulicht schematisch einen weiteren möglichen Träger in einer Draufsicht.
    • Die 12 veranschaulicht schematisch in einer Unteransicht einen vergrößerten Bereich des Trägers von 11 mit einer möglichen strukturierten Zwischenschicht.
    • Die 13 veranschaulicht schematisch in einer Unteransicht den vergrößerten Bereich des Trägers von 11 mit einer nicht-erfindungsgemäß strukturierten Zwischenschicht.
    • Die 14 veranschaulicht schematisch in einer Unteransicht den vergrößerten Bereich des Trägers von 11 mit einer weiteren möglichen strukturierten Zwischenschicht.
    • Die 15 veranschaulicht schematisch in einer Unteransicht den vergrößerten Bereich des Trägers von 11 mit einer weiteren möglichen strukturierten Zwischenschicht.
    • Die 16 veranschaulicht schematisch in einer Schnittansicht einen Träger mit einer aufgebrachten Schicht aus permanentem Klebstoff.
    • Die 17 veranschaulicht schematisch in einer Schnittansicht eine selektive Umwandlung oder Deaktivierung des permanenten Klebstoffs.
    • Die 18 veranschaulicht schematisch in einer Schnittansicht ein verklebtes Substratsystem, welches den Träger von 17 und ein Produktsubstrat umfasst.
    • Die 19 veranschaulicht schematisch das verklebte Substratsystem von 18 nach der Durchführung eines Dicing-Schritts.
    • Die 20 veranschaulicht das Verhalten einer Klebeschicht mit darin eingebrachten Füllpartikeln für unterschiedliche Temperaturen.
    • Die 21 veranschaulicht das Verhalten an einer Klebstoffgrenzfläche bei einer Ablösungstemperatur für eine Klebstoffschicht, die eine Schicht aus Füllmaterial umfasst.
    • Die 22 veranschaulicht ein weiteres Verhalten an einer Klebstoffgrenzfläche bei einer Ablösungstemperatur für eine Klebstoffschicht, die eine Schicht aus Füllmaterial umfasst.
    • Die 23 zeigt eine Grafik, die das Verhalten eines Ausdehnungskoeffizienten α für eine Eisen-Nickel-Legierung in Abhängigkeit von dem Prozentanteil Nickel in der Legierung veranschaulicht.
    • Die 24 zeigt eine Grafik, die die Abhängigkeit des Expansionskoeffizienten α beziehungsweise die Wärmeausdehnung gegenüber der Temperatur für eine Eisen-Nickel-Legierung, die 36 % Nickel umfasst, veranschaulicht.
    • Die 25 veranschaulicht schematisch ein Formwerkzeug zum Formen eines rekonstituierten Wafers in einem offenen Zustand.
    • Die 26 veranschaulicht schematisch das Formwerkzeug von 25 in einem geschlossenen Zustand.
    • Die 27 veranschaulicht schematisch den rekonstituierten Wafer, der gemäß den 25 und 26 gebildet wurde, umfassend einen in dem rekonstituierten Wafer geformten Träger.
    • Die 28 veranschaulicht schematisch ein Produktsubstrat, das an einem Träger durch Klebepunkte oder Lötpunkte befestigt ist.
    • Die 29 veranschaulicht schematisch eine Abtrennung des Produktsubstrats von 28 von dem Träger.
  • In der nachstehenden detaillierten Beschreibung wird auf die anhängigen Zeichnungen Bezug genommen, die spezifische Aspekte veranschaulichen, in denen die Offenbarung in die Praxis umgesetzt werden kann. In dieser Hinsicht kann eine die Richtung angebende Terminologie, wie „Oberseite bzw. oben“, „Unterseite bzw. unten“, „Vorderseite“, „Rückseite“ etc. mit Bezug auf die Ausrichtung der beschriebenen Figuren verwendet werden. Die Terminologie zur Richtungsangabe wird zu Zwecken der Veranschaulichung verwendet und bedeutet in keiner Weise eine Einschränkung.
  • Die verschiedenen zusammengefassten Aspekte können in verschiedenen Formen ausgeführt werden. Die nachfolgende Beschreibung zeigt zur Veranschaulichung verschiedene Kombinationen und Konfigurationen, in denen die Aspekte in die Praxis umgesetzt werden können.
  • Es ist zu würdigen, dass hierin dargestellte Merkmale und/oder Elemente und/oder Schichten mit bestimmten Dimensionen im Verhältnis zueinander zu Zwecken der Einfachheit und des leichteren Verständnisses veranschaulicht sein können. Die tatsächlichen Dimensionen der Merkmale und/oder Elemente und/oder Schichten können von den hierin veranschaulichten abweichen.
  • Insoweit als die Begriffe „einschließen“, „aufweisen“, „mit“ oder andere Varianten davon entweder in der detaillierten Beschreibung oder den Ansprüchen verwendet werden, sollen solche Begriffe in einer ähnlichen Weise wie der Begriff „umfassen“ inklusiv sein. Auch ist der Begriff „beispielhaft“ lediglich als „ein Beispiel“, und nicht das „Beste“ oder „Optimale“ gemeint.
  • Ein Verfahren zur Handhabung eines Produktsubstrats und ein verklebtes Substratsystem werden hierin beschrieben. Kommentare in Verbindung mit dem beschriebenen Verfahren können auch für ein entsprechendes verklebtes Substratsystem und umgekehrt gelten. Wenn zum Beispiel eine spezifische Komponente oder ein Material eines Produktsubstrats oder eines Trägers beschrieben wird, kann ein entsprechendes Verfahren zur Handhabung eines Produktsubstrats die gleiche Art von Produktsubstrat oder das gleiche Material für ein Produktsubstrat und die gleiche Art von Träger oder die gleiche Art von Material für einen Träger einschließen, selbst wenn ein solcher Vorgang nicht ausdrücklich in den Figuren beschrieben oder veranschaulicht wird. Eine angegebene Reihenfolge von Vorgängen eines beschriebenen Verfahrens kann geändert werden, wenn dies technisch möglich ist. Mindestens zwei Vorgänge eines Verfahrens können zumindest teilweise gleichzeitig durchgeführt werden. Im Allgemeinen können die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen beispielhaften Aspekte miteinander kombiniert werden, insoweit dies nicht ausdrücklich anders angegeben ist.
  • Ein Produktsubstrat in Übereinstimmung mit der Offenbarung kann zwei oder mehr Halbleiterchips umfassen. Zum Beispiel kann ein Produktsubstrat ein Halbleiter-Wafer sein oder diesen umfassen, in dem Halbleiterchips durch bekannte Verfahren, wie Dotieren, Einimpfung, Abscheidung, Ätzen, Beschichten, Metallisierung, etc. gebildet werden. Der Halbleiter-Wafer kann aus einem beliebigen Halbleitermaterial bestehen, wie Silicium (Si), Galliumarsenid (GaAs), Indiumphosphid (InP), etc.
  • Ein Produktsubstrat kann auch ein rekonstituierter Wafer sein oder diesen umfassen. In einem rekonstituierten Wafer sind vereinzelte Halbleiterchips in einer Formmasse eingebettet. Ein Beispiel eines rekonstituierten Wafers ist ein Embedded Waver Level Ball Grid Array (eWLB). Ein rekonstituierter Wafer kann Halbleiterchips umfassen, die einander ähnlich sein können oder die unterschiedlich sein können. Zwei oder mehr Chips in einem rekonstituierten Wafer können später zu einer Halbleitervorrichtung kombiniert werden.
  • Ein Produktsubstrat kann auch ein Laminatsubstrat oder eine Leiterplatte sein. Ein Laminatsubstrat kann durch Verwenden eines Prepreg-Materials gebildet werden. Ein Prepreg-Material kann vorimprägnierte Verbundfasern in einem Matrixmaterial, wie Epoxid, umfassen. Halbleiterchips können in das Prepreg-Material eingebettet sein.
  • Ein Trägermaterial in Übereinstimmung mit der Offenbarung kann an das Produktsubstrat hinsichtlich seines Wärmeausdehnungskoeffizienten (CTE) oder kurzen Ausdehnungskoeffizienten angepasst werden. Das Trägermaterial kann als ein starres Material gewählt sein. Die Dicke des Trägers kann so gewählt sein, um für eine ausreichende oder gewünschte Starrheit je nach dem Trägermaterial zu sorgen. Ein Träger in Übereinstimmung mit der Offenbarung kann eine Kunststoffscheibe oder -platte sein oder diese umfassen. Ein Träger in Übereinstimmung mit der Offenbarung kann ein Metall, besonders ein Grundmetall, Glas oder eine Keramikplatte sein oder dieses umfassen. Der Träger kann aus einer Eisen-Nickel-Legierung bestehen oder diese umfassen. Das Trägersubstrat kann aus einer Eisen-Nickel-Legierung bestehen oder diese umfassen, die etwa 36 % Nickel umfasst, die auch als Invar bekannt ist. Das Trägersubstrat kann auch aus einer Eisen-Nickel-Legierung bestehen oder diese umfassen, die etwa 42 % Nickel umfasst, die auch als Alloy42 bekannt ist und ein häufig eingesetztes Leadframematerial ist. Ein Träger in Übereinstimmung mit der Offenbarung kann irgendein anderes geeignetes Material sein oder dieses umfassen, d. h. ein Material, das für eine ausreichende Starrheit sorgt, das bezüglich seines CTE an das handzuhabende Produktsubstrat angepasst ist und gegenüber den Temperaturen und Chemikalien widerstandsfähig ist, die während der gesamten durchgeführten Produktsubstratverarbeitung verwendet werden, während es mit dem Träger verklebt ist.
  • Das Produktsubstrat und der Träger können bezüglich ihrer Dimensionen aneinander angepasst sein. Das Produktsubstrat und der Träger können beide eine kreisförmige Form haben. Besonders Wafer und rekonstituierte Wafer können eine kreisförmige Form mit einem Durchmesser von etwa 20,32 cm (8 Inch) bis etwa 30,48 cm (12 Inch) haben (1 Inch entspricht 2,54 cm). Der Durchmesser kann auch größer oder kleiner sein. Das Produktsubstrat und der Träger können auch beide eine rechteckige Form haben. Besonders Laminatprodukte, wie z. B. Leiterplatten, können rechteckig sein. Das Produktsubstrat und der Träger können auch eine andere Form aufweisen. Das Produktsubstrat und der Träger können jede beliebige andere Form als rechteckig oder kreisförmig aufweisen.
  • Ein permanenter Klebstoff in Übereinstimmung mit der Offenbarung kann ein Klebstoff sein, welcher zwei Gegenstände permanent miteinander verbinden soll. Insbesondere und im Gegensatz zu einem temporären Klebstoff ist ein permanenter Klebstoff nicht mit der Fähigkeit ausgestattet, durch thermische, chemische oder mechanische Mittel zerstört zu werden, wie dies für temporäre Klebstoffe der Fall sein kann. Ein permanenter Klebstoff kann eine hohe Adhäsionskraft vorsehen, die kein leichtes mechanisches Ablösen zulässt. Zum Beispiel können permanente Klebstoffe in Halbleiterindustrien zum Befestigen eines Halbleiterchips an einem Leadframe oder einem anderen Träger verwendet werden, wodurch eine Halbleitervorrichtung gebildet wird. In diesem Fall kann der Träger permanent an dem Chip befestigt werden. So kann ein permanenter Klebstoff so ausgelegt sein, dass er Umweltbedingungen widersteht, an die der Halbleiterchip beziehungsweise die Halbleitervorrichtung während des Packaging, Montierens und des Lebenszyklus ausgesetzt ist. Ein permanenter Klebstoff kann zum Beispiel Temperaturen oberhalb 300°C ohne ein Ablösen aushalten. Ein permanenter Klebstoff kann zum Beispiel Temperaturen bis zu 400°C ohne ein Ablösen aushalten. Ein permanenter Klebstoff kann auch Chemikalien widerstehen, die während des Packaging, Montierens, etc. verwendet werden. Ein permanenter Klebstoff kann ein dielektrisches Medium sein oder dieses umfassen. Ein permanenter Klebstoff kann ein Polymersystem sein oder dieses umfassen. Beispiele für permanente Klebstoffe sind z. B. Epoxid, Polyimid, Silikon, Polybenzoxazol (PBO) oder Thermoplaste im Allgemeinen.
  • Ein permanenter Klebstoff muss möglicherweise für das Verkleben ausgehärtet werden. Das Härten kann bedeuten, dass der permanente Klebstoff in einer flüssigen Form aufgetragen werden kann und zum Beispiel unter Hitze oder Bestrahlung verfestigt oder erhärtet werden kann. Das Aushärten eines permanenten Klebstoffs vor dem Aneinanderfügen der zwei Gegenstände, die miteinander verklebt werden sollen, kann die Adhäsionskraft des permanenten Klebstoffs verringern oder gar aufheben. Eine Schichtdicke eines permanenten Klebstoffs in Übereinstimmung mit der Offenbarung kann bis zu 100 µm (Mikrometer) betragen.
  • Eine durch einen permanenten Klebstoff vorgesehene Adhäsionskraft kann von dem Gegenstand abhängen, der verklebt wird. Die Adhäsionskraft kann von einer Oberflächenstruktur des zu verklebenden Gegenstands und/oder von einem zu verklebenden Material abhängen. Ein spezifischer permanenter Klebstoff ist für die spezifischen Materialien und Oberflächen, die verklebt werden sollen, ausgelegt. In den nachstehenden Figuren wird ein Verfahren für die Handhabung eines Produktsubstrats veranschaulicht.
  • Eine strukturierte Zwischenschicht in Übereinstimmung mit der Offenbarung kann zwischen einem Produktsubstrat und einem Träger, die mit einem permanenten Klebstoff verklebt werden sollen, angeordnet sein. Die Zwischenschicht kann strukturiert sein, um einen kleineren oder größeren Prozentanteil einer Oberfläche des Produktsubstrats zu bedecken, oder, mit anderen Worten, um einen größeren oder kleineren Prozentanteil der Oberfläche des Produktsubstrats dem permanenten Klebstoff auszusetzen. Bei einer bestimmten Adhäsionskraft zwischen dem permanenten Klebstoff und der Oberfläche des Produktsubstrats hängt die Bindungskraft, die den Träger mit dem Produktsubstrat verbindet, von der Oberfläche des Produktsubstrats, die dem permanenten Klebstoff ausgesetzt wird, ab. Je größer die Oberfläche des dem permanenten Klebstoff ausgesetzten Produktsubstrats ist, umso größer ist die Bindungskraft zwischen dem Produktsubstrat und dem Träger.
  • Das Zwischenschichtmaterial kann so gewählt werden, um eine viel geringere Adhäsionskraft an dem permanenten Klebstoff im Vergleich zu der Adhäsionskraft zwischen dem permanenten Klebstoff und Produktsubstrat zu entwickeln. Folglich gilt, je größer die Oberfläche der an den permanenten Klebstoff ausgesetzten Zwischenschicht ist, umso kleiner ist die allgemeine Bindekraft zwischen dem Produktsubstrat und dem Träger. Darüber hinaus kann die Struktur der Zwischenschicht das Verteilen der Bindekraft je nach Bedarf über die Oberfläche des Produktsubstrats mit Regionen mit geringerer Bindekraft und Regionen mit stärkerer Bindekraft ermöglichen.
  • Die 1 veranschaulicht in einer Schnittansicht ein Produktsubstrat 100 in Übereinstimmung mit der Offenbarung. Das Produktsubstrat 100 umfasst als ein Beispiel vier Halbleiterchips oder elektrische Schaltkreise 102. In dem Beispiel von 1 sind die Halbleiterchips 102 dicht an der Oberseite des Produktsubstrats 100 angeordnet. Sie erreichen nicht die Unterseite des Produktsubstrats 100. Das Produktsubstrat 100 kann ein Laminatsubstrat mit integrierten Chips sein. Das Produktsubstrat 100 kann eine temporäre Unterlage für die Handhabung benötigen. Das Produktsubstrat 100 ist ein handzuhabendes Produktsubstrat. Zum Beispiel kann das Produktsubstrat 100 einer Verwerfung unterliegen.
  • Die 2 zeigt einen Träger 104 in Übereinstimmung mit der Offenbarung. Der Träger 104 kann an das Produktsubstrat 100 bezüglich seiner Dimensionen und seines CTE angepasst sein. Der Träger 104 kann angepasst sein, um das Produktsubstrat 100 während der Handhabung und/oder Verarbeitung zu stützen.
  • Die 3 zeigt den Träger 104 von 2 mit einer aufgebrachten Schicht aus permanentem Klebstoff 106. Der permanente Klebstoff 106 ist noch nicht ausgehärtet. Der permanente Klebstoff 106 kann so gewählt werden, um eine hohe Bindekraft zwischen dem Träger 104 und dem Produktsubstrat 100 zu entwickeln. Der permanente Klebstoff 106 kann so gewählt werden, um mit einer hohen Adhäsionskraft an dem Produktsubstrat 100 und dem Träger 104 anzuhaften.
  • Die 4 zeigt das Produktsubstrat 100 von 1 mit einer Zwischenschicht 108, die auf der Unterseite des Produktsubstrats 100 angeordnet ist. Die Unterseite des Produktsubstrats 100 liegt gegenüber der Oberfläche, nahe der die Chips 102 angeordnet sind. Die Zwischenschicht 108 kann strukturiert sein, während sie auf das Produktsubstrat 100 aufgebracht wird. Das Strukturieren kann zum Beispiel durch ein beliebiges Druckverfahren unter Verwendung einer Maske bewerkstelligt werden. Das Drucken kann zum Beispiel als ein Siebdruckverfahren oder ein Schablonendruckverfahren durchgeführt werden. Ein Dispensierungsverfahren, wie ein Tintenstrahlverfahren, ist ebenfalls möglich.
  • Die Zwischenschicht 108 kann auch unstrukturiert auf die Unterseite des Produktsubstrats 100 abgeschieden werden und kann danach strukturiert werden. Die Zwischenschicht 108 kann auf die Unterseite des Produktsubstrats 100 durch jede bekannte Technik des Beschichtens, wie zum Beispiel Sputtering, Aufdampfen, Schleuderbeschichten, Sprühen, etc. aufgebracht werden. Das Strukturieren kann dann zum Beispiel durch Auflegen einer Maske und Ätzen bewerkstelligt werden. Andere Wege des Strukturierens sind ebenfalls möglich. Die Dicke der Zwischenschicht 108 kann mehrere hundert nm bis 10 µm (Mikrometer) oder bis 20 µm (Mikrometer) betragen. Durch Strukturieren der Zwischenschicht 108 werden Teile des darunter liegenden Produktsubstrats 100 freigelegt.
  • Die 5 zeigt das Produktsubstrat 100 und die Zwischenschicht 108, die mit dem Träger 104 mit Hilfe des permanenten Klebstoffs 106 verklebt ist. Die 5 zeigt ein verklebtes Substratsystem in Übereinstimmung mit der Offenbarung. Wie in der 5 zu sehen ist, ist die strukturierte Zwischenschicht 108 zwischen dem Produktsubstrat 100 und dem Träger 104 angeordnet. Wenn der Träger 104 und das Produktsubstrat 100 miteinander in Kontakt gebracht werden, befindet sich der permanente Klebstoff 106 immer noch in flüssiger Form, und die Zwischenschicht 108 dringt in den permanenten Klebstoff 106 ein. Die Oberfläche der strukturierten Zwischenschicht 108 und die Oberfläche des permanenten Klebstoffs 106 befinden sich mit der Unterseite des Produktsubstrats 100 in Kontakt. Die strukturierte Zwischenschicht 108 verringert die Oberfläche des Produktsubstrats 100, die direkt mit dem permanenten Klebstoff 106 in Kontakt ist. Die strukturierte Zwischenschicht 108 verringert die Haftfestigkeit zwischen dem Produktsubstrat 100 und dem Träger 104. Es bildet sich oder es verbleibt keine Lücke oder Hohlraum zwischen dem Träger 104 und dem Produktsubstrat 100. Da es keine Lücke oder Hohlraum zwischen dem Produktsubstrat 100 und dem Träger 104 gibt, können keine Chemikalien zwischen den zwei Substraten in sich anschließenden Verarbeitungsschritten eindringen. Außerdem führen thermische Zyklen, wie sie während der weiteren Verarbeitung anzutreffen sind, keine Delamination aufgrund von möglichen Gasblasen, die sich zwischen dem Träger 104 und dem Produktsubstrat 100 bilden, herbei. Außerdem ermöglicht dies das Überstehen von Vakuumverfahren ohne eine Delamination. Es versteht sich, dass, nachdem das Produktsubstrat 100 und der Träger 104 zusammengebracht wurden, der permanente Klebstoff ausgehärtet wird, um fest zu werden und die gewünschte Adhäsionskraft zu erzeugen.
  • In einem Beispiel ist das Material der Zwischenschicht 108 so gewählt, um mit dem permanenten Klebstoff 106 so wenig wie möglich in Wechselwirkung zu treten, was zu einer sehr geringen Adhäsionskraft zwischen dem permanenten Klebstoff 106, wenn der ausgehärtet ist, und der Zwischenschicht 108 führt. Gleichzeitig bindet der permanente Klebstoff 106 an das Produktsubstrat 100 mit einer hohen Adhäsionskraft. Die Adhäsionskraft oder die erste Adhäsionskraft zwischen dem permanenten Klebstoff 106 und dem Produktsubstrat 100 ist viel höher als die zweite Adhäsionskraft zwischen dem permanenten Klebstoff 106 und der Zwischenschicht 108. In einem Beispiel kann die Zwischenschicht 108 eine Antihaftbeschichtung sein. In einem Beispiel kann die Zwischenschicht 108 Polytetrafluorethylen (PTFE) umfassen, das unter dem Markennamen Teflon bekannt ist. In einem Beispiel kann die Zwischenschicht 108 aus einem Metall oder genauer gesagt einem edlen Metall oder Edelmetall bestehen. Ein mögliches Material für die Zwischenschicht 108 ist auch allgemeiner ein Fluorid. In einem Beispiel kann das Produktsubstrat 100 ein Grundmetall oder ein beschichtetes Metall oder ein oxidiertes Metall sein. In einem Beispiel kann das Produktsubstrat 100 aus Glas oder Keramik bestehen. In einem Beispiel kann das Produktsubstrat 100 eine raue oder grobe Oberfläche aufweisen.
  • Die 6 zeigt in einer Draufsicht das Produktsubstrat 100. Als ein Beispiel umfasst das Produktsubstrat 100 vier Schaltkreise 102. Das Produktsubstrat 100 kann ein Laminatsubstrat von rechteckiger Form sein.
  • Die 7 zeigt eine schematische Unteransicht des Produktsubstrats 100 von 6. Gemäß dem vorliegenden Beispiel ist die Zwischenschicht 108 strukturiert, um eine äußere Region des Produktsubstrats 100 freiliegend zu belassen. The Zwischenschicht 108 kann entsprechend einem Verwerfungsverhalten der Platte 100 strukturiert sein. In einem Beispiel, das nicht gezeigt ist, kann die Zwischenschicht 108 weiter strukturiert sein, um eine zweite Region des Produktsubstrats 100 in der Form eines Rahmens innerhalb des in 6 gezeigten freiliegenden äußeren Rahmens zu freizulegen. Noch allgemeiner kann die Zwischenschicht 108 strukturiert sein, um Regionen der Oberfläche des Produktsubstrats 100 freizulegen, die nicht sicher mit dem Trägersubstrat 104 verhaftet werden müssen, um eine Verwerfung zu vermeiden oder zumindest zu vermindern. Je kleiner die Oberfläche der strukturierten Zwischenschicht 108, umso größer ist die freiliegende Oberfläche des Produktsubstrats 100 und umso größer ist die Bindekraft des permanenten Klebstoffs 106 zwischen dem Träger und dem Produktsubstrat. Mit anderen Worten, die strukturierte Zwischenschicht kann strukturiert sein, um eine größere Oberfläche des permanenten Klebstoffs in Regionen von größerer Verwerfung in Kontakt kommen zu lassen und um eine kleinere Oberfläche des permanenten Klebstoffs mit dem Produktsubstrat in Regionen von geringerer Verwerfung in Kontakt kommen zu lassen.
  • Die 8 zeigt in einer schematischen Seiten- oder Schnittansicht das verklebte Substratsystem von 5, das eine Schicht 110 umfasst, die auf der Oberseite des Produktsubstrats 108 angeordnet ist. Die Schicht 110 kann eine Vielzahl von verschiedenen Schichten umfassen und zum Beispiel Umverteilungsschichten, d. h. Verbindungs- oder Verdrahtungsschichten einschließen. Die Schicht 110 wird während weiterer Verfahrensschritte erzeugt, die auf dem Produktsubstrat 100 durchgeführt werden, während sie mit dem Träger 104 verbunden werden. Das Durchführen dieser Verfahrensschritte auf dem verklebten Substratsystem hat den Vorteil, dass das Produktsubstrat nicht verzerrt, verdreht oder verbogen wird, sondern eine obere Oberfläche hat. Zum Beispiel können photolithographische Schritte mit hoher Präzision über der gesamten Oberfläche des Produktsubstrats 100 durchgeführt werden. Es ist ebenfalls von Vorteil, dass das verklebte Substratsystem robuster ist als das Produktsubstrat allein, was die Handhabung erleichtert. Temperaturen, die während der Verfahrensschritte angetroffen werden, können bis zu 350°C für einen rekonstituierten oder geformten Wafer und bis zu 450°C für Siliziumwafer betragen.
  • Die 9 zeigt in einer schematischen Schnittansicht das verklebte Substratsystem von 8 mit möglichen Schnittlinien, angegeben durch gestrichelte Linien 112. Die gestrichelten Linien 112 erstrecken sich nicht durch den Träger 104 hindurch. Das Schneiden wird vor dem Träger 104 gestoppt, der intakt bleibt. Es sollte darin erinnert werden, dass der Träger 104 ein temporärer Träger ist, der die Handhabung des Produktsubstrats während weiterer Verarbeitungsschritte erlaubt. Kein Schneiden in den Träger 104 erlaubt die Wiederverwendung des Trägers 104. Der Träger 104 soll von dem Produktsubstrat 100 abgetrennt werden, nachdem eine Reihe von Verfahrens- oder Verarbeitungsschritten durchgeführt wurden. Beim Schneiden entlang der Linien 112, die sich in der Nähe, aber entfernt von der strukturierten Zwischenschicht 108 und - nicht gezeigt - ringsherum um die strukturierte Zwischenschicht 108 befinden, haftet der intakte Träger immer noch an dem Produktsubstrat an, aber nur auf einer sehr kleinen Oberfläche. Die Klebekraft wird somit ausreichend verringert, um das Ablösen des Produktsubstrats 100 von dem Träger 104 durch mechanische Mittel zu ermöglichen. In einem Beispiel wird das verklebte Substratsystem entlang von Sägelinien geschnitten, die in die Zwischenschicht schneiden, so dass nach dem Schneiden keine Bindekraft zwischen dem Träger 104 und dem Produktsubstrat 100 oder zumindest nur die geringe Bindekraft, die durch die geringe Adhäsionskraft an der Zwischenschicht 108 gegeben ist, zurückbleibt.
  • Die 10 zeigt das Produktsubstrat 100 von 9, nachdem es von dem Träger 104 abgetrennt wurde. Nur kleine Reste des permanenten Klebstoffs 106 verbleiben nach der mechanischen Trennung. Kein permanenter Klebstoff 106 bleibt auf der Zwischenschicht 108 zurück, weil die Zwischenschicht 108 nicht haftend ist und die Adhäsionskraft zwischen dem permanenten Klebstoff 106 und der Zwischenschicht 108 sehr gering ist. Es ist möglich, jetzt einen Schleifschritt oder ein Ätzverfahren durchzuführen, um die Zwischenschicht 108 und den Rest des permanenten Klebstoffs 106 zu entfernen. In anderen Beispielen können diese Reste zurückbleiben.
  • Die 11 zeigt in einer Draufsicht ein Produktsubstrat 200 gemäß einem weiteren Beispiel. Das Produktsubstrat 200 kann ein Halbleiterwafer oder ein rekonstituierter Wafer sein. Das Produktsubstrat 200 kann eine kreisförmige Form haben und kann eine Vielzahl an integrierten Schaltkreischips 202 umfassen. Wie im Fachbereich bekannt, können die Chips 202 parallel auf dem Wafer verarbeitet werden und können danach entlang Sägelinien singuliert werden, von denen zwei durch gestrichelte Linien 212 angegeben sind. Die Chips 202 können von beliebiger Art sein, sie können sich einander gleichen oder unterschiedlich sein. Der Wafer 200 kann leicht brechen, zum Beispiel aufgrund des verwendeten Materials oder Dicke des Wafers im Verhältnis zum Durchmesser des Wafers, zum Beispiel im Fall eines dünnen Wafers. Besonders für rekonstituierte Wafer kann das Produktsubstrat 200 auch einer Verwerfung unterliegen. Zu einer Verwerfung kommt es für rekonstituierte Wafer, z. B. wegen einer CTE-Ungleichheit zwischen dem Halbleitermaterial der Chips und der Formmasse, die zur Bildung des rekonstituierten Wafers verwendet wird. Eine strukturierte Zwischenschicht kann auf eine Rückseite des Produktsubstrats 200 aufgebracht werden. Alle weiter oben angegebenen Details für eine Zwischenschicht treffen auf das vorliegende Beispiel ebenfalls zu und werden nicht wiederholt. Eine kleine Region des Wafers 200, angegeben durch eine gestrichelte Linie 220, die ein Quadrat bildet, wird zur Erklärung weiterer Details von möglichen Strukturen der Zwischenschicht in den 12 bis 15 verwendet.
  • Die 12 zeigt in einer vergrößerten Unteransicht die quadratische Region 220 des Wafers 200, wie in 11 angegeben. Unterhalb der Chips 202 innerhalb des Quadrats 220 ist eine strukturierte Zwischenschicht 208 aufgetragen. Die Zwischenschicht 208 ist strukturiert, um Teile der Rückseite des Wafers 200 gegenüberliegend zu den Chips 202 zu bedecken. Es versteht sich, dass das gezeigte Detail auf den gesamten Wafer anwendbar ist. Mit anderen Worten, unter jedem Chip 202 ist eine Zwischenschicht 208 auf der Rückseite des Wafers 200 angeordnet. Mit anderen Worten, die Zwischenschicht 208 ist strukturiert, um eine Rückseite des Wafers 200 entlang der Sägelinien oder Kerfs freizulegen. Erfindungsgemäß ist die Zwischenschicht 208 strukturiert, um mit dem Produktsubstrat im Wesentlichen nur abseits der Sägelinien in Kontakt zu kommen. Wie bereits vorher erläutert, ist das Material der Zwischenschicht 208 so gewählt, um eine geringe Adhäsionskraft an einem permanenten Klebstoff zu besitzen, der zum Verkleben des Wafers 200 mit einem Träger verwendet wird.
  • Die 13 zeigt eine vergrößerte Unteransicht der quadratischen Region 220 des Wafers 200 (siehe 11), die ein Beispiel einer nicht-erfindungsgemäß strukturierten Zwischenschicht 208 umfasst. Wiederum ist die Zwischenschicht 208 strukturiert, um die Rückseite des Wafers 200 unterhalb der Chips 202, die auf der Vorderseite des Wafers 200 gebildet sind, zu bedecken. Im Gegensatz zu dem in Bezug auf die 12 erläuterten Beispiel sind die Zwischenschichtoberflächen unterhalb der Chips 202 durch Netzgebilde 214, welche die Sägelinien kreuzen, miteinander verbunden.
  • Die 14 zeigt ein weiteres Beispiel einer strukturierten Zwischenschicht 208 für eine Unterseite der quadratischen Region 220 des Wafers 200 (siehe 11). Wiederum ist die Zwischenschicht 208 strukturiert, um seitliche Bereiche unterhalb der Chips 202 zu bedecken. Im Gegensatz zu dem in Bezug auf die 12 erläuterten Beispiel sind die Ecken der Zwischenschichtrechtecke, die unterhalb der Chips gebildet sind, weggeschnitten. Es ist daran zu erinnern, dass in dem Verklebungsverfahren der permanente Klebstoff mit einer starken Adhäsionskraft an der freiliegenden Oberfläche des Produktsubstrats 200, d. h. an den Oberflächen des Produktsubstrats, die nicht durch die Zwischenschicht 208 bedeckt sind, anhaftet und an der Zwischenschicht 208 mit einer viel geringeren Adhäsionskraft bis hinab zu einer Adhäsionskraft von Null anhaftet. Beim Singulieren der Chips 202 werden in der 14 angegebene schraffierte Regionen 230 durch eine Dicing-Klinge, die den Wafer zersägt, weggenommen. An den abgeschnittenen Ecken ist eine Waferoberfläche 200 freigelegt und haftet mit einer stärkeren Adhäsionskraft an dem permanenten Klebstoff an. Somit sind die Chips 202 immer noch mit dem Träger nach dem Singulieren verhaftet. Da die freiliegende Oberfläche in den weggeschnittenen Ecken sehr klein ist, ist die Bindekraft gering und die Chips können von dem Träger durch mechanische Mittel abgetrennt werden.
  • Die 15 zeigt ein weiteres Beispiel einer strukturierten Zwischenschicht 208 für eine Unterseite der quadratischen Region 220 des Wafers 200 (siehe 11). Die Zwischenschicht 208 ist strukturiert, um die Rückseite von zwei Chips 202, die sich nebeneinander befinden, durch ein größeres Rechteck zu bedecken. Es ist weniger Oberfläche des Wafers 200 freiliegend. Weniger freiliegende Oberfläche bedeutet eine geringere Bindekraft zwischen dem Wafer 200 und einem Träger. Mit Bezug auf die 11 umfasst eine äußere Region des Wafers 200 nicht die Chips 202. Die Rückseite des Wafers 202 gegenüberliegend zu diesen Regionen kann von der Zwischenschicht 208 bedeckt sein oder nicht, je nachdem z. B., welche Bindekraft zwischen dem Wafer 200 und einem Träger erwünscht ist und/oder in Abhängigkeit von Verwerfungsproblemen.
  • Die 16 zeigt in einer schematischen Seiten- oder Schnittansicht einen Träger 304 gemäß einem weiteren Beispiel mit einem darauf aufgetragenen permanenten Klebstoff 306. Der Träger 304 kann jede beliebige Form haben, zum Beispiel kreisförmig oder rechteckig, und kann so angepasst sein, um jegliche Art eines Produktsubstrats zu tragen und damit verklebt zu sein. Ein weiterer Weg zum Vorsehen einer Zwischenschicht in Übereinstimmung mit der Offenbarung ist nachstehend erläutert.
  • Die 17 zeigt in einer schematischen Schnittansicht den Träger 304 von 16 mit der Schicht des permanenten Klebstoffs 306. Der permanente Klebstoff 306 ist selektiv in den Regionen 308 deaktiviert. Diese Regionen 308 bilden dabei eine Zwischenschicht, die nicht an dem Produktsubstrat, das mit dem Träger verklebt werden soll oder zumindest nur mit einer sehr geringen Adhäsionskraft, die viel geringer ist als die Adhäsionskraft zwischen dem aktiven permanenten Klebstoff 306 und dem Produktsubstrat, anhaftet. Das Verfahren zum Deaktivieren des permanenten Klebstoffs 306 hängt von der Art des verwendeten permanenten Klebstoffs ab. Es kann möglich sein, den permanenten Klebstoff zum Beispiel durch einen Laserstrahl zu deaktivieren. Es kann möglich sein, den permanenten Klebstoff durch Photolithographie zu deaktivieren. Der permanente Klebstoff kann lichtempfindlich sein. Die Form der Regionen 308 kann an die aktiven Schaltkreise oder Chips, die auf dem Produktsubstrat, das wie zuvor erläutert gestützt werden soll, umfasst sind, angepasst sein. Die Form der Regionen 308 kann zum Beispiel die gleiche sein wie in den 12 bis 15 gezeigt, wenn das mit dem Träger 304 zu verklebende Produktsubstrat ein Wafer ist, wie in der 11 gezeigt. Andere Formen der Regionen 308 sind möglich. Der permanente Klebstoff kann über einen Teil der Dicke der permanenten Klebstoffschicht, wie in 17 gezeigt, oder über die gesamte Dicke der permanenten Klebstoffschicht deaktiviert sein. Die Schichtdicke kann bis zu 100 µm (Mikrometer) betragen.
  • Die 18 zeigt in einer schematischen Schnittansicht den Träger 304 mit dem aufgebrachten permanenten Klebstoff 306, welcher die deaktivierten Regionen 308 und ein damit verklebtes Produktsubstrat 300 umfasst, die ein verklebtes Substratsystem in Übereinstimmung mit der Offenbarung bilden. Das Produktsubstrat 300 umfasst aktive Schaltkreise 302. Wie bereits mit Bezug auf die 17 erläutert, kann das Produktsubstrat 300 dem Produktsubstrat 200 oder dem Produktsubstrat 100 entsprechen. Das Produktsubstrat 300 muss nicht mit einer Zwischenschicht versehen sein, weil in dem vorliegenden Beispiel die Zwischenschicht auf dem Träger durch selektives Deaktivieren der permanenten Klebstoffschicht vor dem Verklebungsverfahren gebildet wird.
  • Die 19 zeigt in einer schematischen Schnittansicht das Singulieren der Chips oder aktiven Schaltkreise, nachdem alle Verfahrensschritte durchgeführt wurden. Die 19 zeigt den Träger 304 mit dem aufgebrachten und ausgehärteten permanenten Klebstoff 306 und der Zwischenschicht 308. Obwohl die Zwischenschicht 308 durch gezieltes Deaktivieren des permanenten Klebstoffs gebildet wird, gilt die folgende Erklärung auch für Beispiele mit einer auf dem Produktsubstrat gebildeten Zwischenschicht, wie beispielhaft für die Zwischenschichten 108 und 208 erläutert wird. Es versteht sich, dass der Unterschied zwischen den Beispielen der 16 bis 18 zu den Beispielen der 1 bis 15 der ist, dass die Zwischenschicht auf eine andere Weise gebildet wird, d. h. durch Deaktivieren des permanenten Klebstoffs, während in den anderen Beispielen die Zwischenschicht durch Aufbringen einer Antihaftschicht auf die Rückseite des Produktsubstrats gebildet wird. Welche Art von Zwischenschicht verwendet wird, hat keine Bedeutung für den Singulierungsschritt. Die 19 zeigt einen Zustand, nachdem ein Dicing-Schritt durchgeführt wurde. In dem gezeigten Beispiel wurde das Dicing an der permanenten Klebstoffschicht 306 gestoppt. Das Dicing kann in der permanenten Klebstoffschicht gestoppt werden. Das Dicing wird vor dem Träger 304 gestoppt. Der Träger 304 wird nicht beschädigt und kann zum Tragen eines weiteren Produktsubstrats genutzt werden. Der Träger 304 kann von Resten des permanenten Klebstoffs durch ausreichend aggressive Chemikalien gesäubert werden. Der Träger 304 kann mit Hilfe von Plasmaverfahren, die den permanenten Klebstoff veraschen, gesäubert werden.
  • In einem Beispiel, wie in 11 gezeigt, kann das Dicing entlang der Sägelinien 212, 214 durchgeführt werden, und das Dicing kann die schraffierten Regionen 230, wie beispielhaft in 14 angegeben, wegnehmen. Die singulierten Chips umfassen das Produktsubstrat 300, den aktiven Chip 302 und eine Schicht 310, die der Schicht 110 entsprechen könnte, die mit Bezug auf die 8 erläutert wird. Die Schicht 310 wurde während der Verarbeitungsschritte, welche die Unterstützung durch den Träger 304 erfordern, gebildet. In Abhängigkeit von dem für die Zwischenschicht 106, 206, 306 verwendeten Material und der Struktur der Zwischenschicht, wie in verschiedenen Beispielen in den 12 bis 15 gezeigt, haften die singulierten Chips immer noch leicht an dem Träger 304 an.
  • Sie können von dem Träger 304 durch Pick-and-Place-Apparaturen, wie im Fachbereich bekannt, abgenommen werden.
  • In einem weiteren Beispiel, das in den Figuren nicht gezeigt wird, ist es auch möglich, einen weiteren temporären Träger, der mit einem temporären Klebstoff überzogen ist, auf die singulierten Chips 302 zu platzieren. Der temporäre Klebstoff haftet dann an der Schicht 310 an. Das Ensemble kann dann umgedreht werden, und der Träger 304 kann zusammen mit dem zurückbleibenden permanenten Klebstoff 306 entfernt werden. Während die Chips 302 immer noch durch den temporären Träger dicht bei der Schicht 310 zusammengehalten werden, ist es möglich, die Zwischenschicht zum Beispiel durch Durchführen eines Nass-Ätzens, Plasma-Ätzens oder irgendeines anderen im Fachbereich bekannten Verfahrens zu entfernen.
  • Das Dicing zum Singulieren der Chips kann durch unterschiedliche Dicing- oder Trennungsverfahren bewerkstelligt werden, die auch kombiniert werden können. In einem Beispiel wird das Dicing mit einem Zersägen bis zu dem permanenten Klebstoff bewerkstelligt, und danach wird ein Laserstrahl für das Ablösen des permanenten Klebstoffs verwendet.
  • In einem Beispiel kann ein Träger mit einem Produktsubstrat unter Verwendung eines temporären Klebstoffs in Übereinstimmung mit der Offenbarung verklebt werden. Der temporäre Klebstoff kann einen Abtrennmechanismus besitzen, der durch Temperaturen unterhalb Raumtemperatur aktiviert wird. Der temporäre Klebstoff kann eine Abtrenntemperatur von unterhalb 0°C aufweisen. Das Ablösen kann durch niedrige Temperaturen unterhalb -100°C oder unterhalb - 150°C, z. B. in einem so-genannten Kryoprozess bewerkstelligt werden. Der temporäre Klebstoff kann eine Adhäsionskraft vorsehen, die mit dem permanenten Klebstoff vergleichbar ist, der weiter oben erläutert wird. Der temporäre Klebstoff kann als Klebematerial oder als Klebekomponente den weiter oben erörterten permanenten Klebstoff umfassen.
  • Der temporäre Klebstoff in Übereinstimmung mit der Offenbarung kann in einem Temperaturbereich wirksam sein, beginnend von Raumtemperatur (20°C) bis etwa 400°C. Wirksam sein bedeutet, dass es zu keinem Ablösen in dem genannten Temperaturbereich kommt. Bei Verwendung dieses temporären Klebstoffs kann eine Zwischenschicht, wie weiter oben erläutert, weggelassen werden. Der temporäre Klebstoff kann auch mit der Zwischenschicht kombiniert werden, um den Ablöseprozess durch niedrige beziehungsweise sehr niedrige Temperaturen zu unterstützen.
  • Der temporäre Klebstoff in Übereinstimmung mit der Offenbarung kann zusätzlich zu dem Klebstoffmaterial ein Füllstoffmaterial umfassen, das einen CTE zeigt, der viel niedriger ist als ein CTE des Klebstoffmaterials selbst. Der CTE des Klebstoffmaterials selbst kann größer sein als der CTE des Füllmaterials, und zwar um einen Faktor von etwa 10. Ein CTE eines Füllmaterials kann kleiner als 3 sein, während der CTE des Klebstoffmaterials größer als 20 sein kann. Der CTE des Füllmaterials und der CTE des Klebstoffmaterials selbst kann beiderlei positiv sein. Beim Abkühlen des temporären Klebstoffs ziehen sich die Füllpartikel viel weniger als der Klebstoff zusammen. Der Unterschied in der thermischen Reaktion führt zu Spannung innerhalb einer Klebstoffschicht und folglich zu Delamination und/oder es kann zur Bildung von Rissen kommen. Die Delamination und/oder die Rissbildung können zu einem Ablösen führen oder können das Ablösen erleichtern.
  • In einem anderen Beispiel kann der temporäre Klebstoff in Übereinstimmung mit der Offenbarung ein Füllmaterial umfassen, das eine negative Wärmeausdehnung zeigt, während das Klebstoffmaterial selbst eine positive Wärmeausdehnung zeigt. Beim Abkühlen des temporären Klebstoffs dehnen sich die Füllpartikel aus, während der Klebstoff sich zusammenzieht oder kristallisiert. Die entgegengesetzte Wärmeausdehnung führt zu Spannung innerhalb einer Klebeschicht oder an der Grenzfläche zu dem Produktsubstrat oder dem Träger und folglich kann es zu einer Delamination und/oder zur Bildung von Rissen kommen. Die Delamination und/oder die Risse können zu einer Ablösung führen oder können das Ablösen erleichtern.
  • Ein mögliches Füllmaterial ist Zirkoniumwolframat (Zr(WO4)2). Zirkoniumwolframat ist ein Metalloxid und besitzt einen negativen CTE von etwa -7,2 10-6 K-1 über einen weiten Temperaturbereich. Mögliche Klebematerialien, die mit einem Zirkoniumwolframat-Füllstoff kombiniert werden, sind z. B. Epoxid, Polyimid, Silikon, Polybenzoxazol (PBO) oder Thermoplasten im Allgemeinen. Ein CTE des Klebstoffmaterials kann etwa 20 bis 30 10-6 K-1 betragen. Ein weiteres mögliches Füllmaterial kann eine Glaskeramik sein. Mögliche Glaskeramiken können BaO (Bariumoxid), Al2O3 (Aluminumoxid) oder B2O3 (Bortrioxid) sein. Glaskeramiken weisen niedrige positive oder gar negative CTEs in Abhängigkeit von der Temperatur ab. Ein weiteres mögliches Füllmaterial kann Invar, eine FeNi-Legierung mit 36 % Nickel, wie bereits weiter oben erwähnt, sein. Invar besitzt einen CTE von etwa 0.
  • In einem Beispiel ist das Füllmaterial als eine getrennte Schicht parallel zu der Klebeschicht, möglicherweise zwischen zwei Klebeschichten, angeordnet. In einem weiteren Beispiel wird das Füllmaterial in Form von Partikeln oder mit anderen Worten in Form eines Pulvers, das in der Klebeschicht eingebettet ist, verwendet.
  • Die 20 veranschaulicht ein Beispiel mit einem Füllmaterial in Form von Partikeln. Auf der linken Seite von 20 ist eine Temperaturskala für eine Temperatur gezeichnet, die ein verklebtes Substratsystem 350 antrifft. Die Temperaturskala zeigt vier Temperaturen an: eine Temperatur TP ist eine Prozesstemperatur, die so hoch wie 400°C, oder etwa 200°C sein kann. Eine Temperatur TB ist eine Bindungstemperatur, bei welcher das Binden, z. B. Aushärten des Klebstoffs, bewirkt werden kann. Die Bindungstemperatur kann etwa 80°C - 200°C betragen. Eine Temperatur T0 ist eine Raumtemperatur, die 20°C betragen kann. Eine Temperatur TR kann eine Abtrenntemperatur sein, bei der es sich um eine Temperatur unterhalb 0°C und sogar von so niedrig wie -100°C oder -150°C handeln kann.
  • Das verklebte Substratsystem 350 umfasst ein Produktsubstrat 352, einen Träger 354 und eine temporäre Klebeschicht, die ein Klebematerial 356 und Füllpartikel 358 umfasst. Bei der Bindungstemperatur TB, die in der Mitte von 20 angegeben ist, haben Füllpartikel 358 eine erste Größe, wenn der Klebstoff 356 rundum gehärtet ist. Der Träger 354 haftet sicher an dem Produktsubstrat 352 an. Bei einer Verarbeitungstemperatur TP von höher als der Bindungstemperatur TB hat die Größe der Füllpartikel 358 abgenommen, wenn das Füllmaterial einen negativen CTE besitzt. Für einen kleinen positiven CTE oder einen CTE von 0 (Invar) bleibt die Größe der Füllpartikel 358 dieselbe, doch da der CTE des Klebstoffs 356 viel größer ist, gibt es immer noch eine relative Abnahme der Füllpartikel, wie im oberen Teil von 20 gezeigt. Es gibt keine Abnahme der Bindekraft. Bei der Abtrenntemperatur TR, die klar unterhalb der Raumtemperatur liegt, hat die Größe der Füllpartikel 358 für einen negativen CTE zugenommen und hat zumindest relativ zugenommen im Vergleich zu dem Klebstoff 356 im Fall eines kleinen positiven CTE oder eines CTE von 0. Von daher kann es zu einer mechanischen Spannung an der Klebstoffgrenzfläche kommen, und die Bindekraft kann stark reduziert sein. Ein Ablösen des Produktsubstrats kann unter Anwendung einer geringen mechanischen Kraft oder gar überhaupt keine mechanische Kraft leicht erfolgen.
  • Die 21 zeigt eine schematische Draufsicht auf eine Klebstoffgrenzfläche, wo Füllpartikel in einer getrennten Schicht angeordnet wurden. Die 21 zeigt einen Abtrennzustand, d. h. einen Zustand bei einer Abtrenntemperatur TR, welche dieselbe sein kann wie unter Bezugnahme auf die 20 erläutert, d. h. eine Temperatur unterhalb 0°C. Aufgrund der unterschiedlichen CTEs kommt es zu einer Delamination über große Oberflächen 370. Ein Ablösen wird erheblich erleichtert.
  • Die 22 zeigt eine schematische Draufsicht auf eine Klebstoffgrenzfläche, wo Füllpartikel in einer getrennten Schicht angeordnet wurden. Die 21 zeigt einen Abtrennzustand, d. h. einen Zustand bei einer Abtrenntemperatur RT, die dieselbe sein kann, wie mit Bezug auf die 20 erläutert, d. h. eine Temperatur unterhalb 0°C. Aufgrund der unterschiedlichen CTEs haben sich Risse 380 über die gesamte Grenzfläche gebildet. Das Ablösen wird erheblich erleichtert. Die Art des auftretenden Abtrennmechanismus kann von den verwendeten Materialien und den Temperaturen und/oder Temperaturkurven abhängen.
  • Wie bereits weiter oben erläutert, ist das Material des verwendeten Trägers an das zu stützende Produktsubstrat angepasst. Insbesondere sollte der Wärmeausdehnungskoeffizient (CTE) in etwa der gleiche für das Produktsubstrat und den Träger sein, vorzugsweise über einen größeren Temperaturbereich, z. B. den gesamten Temperaturbereich, der während des Verarbeitens auf dem verklebten Substratsystem angewandt wird. Ein mögliches Material für einen Träger, der vorübergehend mit einem rekonstituierten Wafer verhaftet wird, z. B. ein eWLB, kann eine Eisen-Nickel-Legierung sein.
  • Die 23 zeigt eine Grafik, die den Wärmeausdehnungskoeffizienten CTE oder α für eine Eisen-Nickel-Legierung in Abhängigkeit von dem Prozentanteil des in der Legierung eingeschlossenen Nickels zeigt. Es wird offensichtlich, dass für einen Prozentanteil von Nickel von etwa 36 der CTE besonders niedrig ist. Beispiele von kommerziell vertriebenen Eisen-Nickel-Legierungen sind Pernifer® 39 (CTE 3,5 ppm von 20 bis 200°C), Pernifer® 41LC (CTE 4,3 ppm von 20 bis 200°C) oder Pernifer® 42 (CTE 5,5 ppm von 20 bis 200°C). Die Eisen-Nickel-Legierung mit dem niedrigsten CTE, Pernifer® 36, kann mit einem CTE von unter 2 im Bereich von 20 bis 200°C verwendet werden. Aus Simulationen ist bekannt, dass für ein eWLB der Ziel-CTE im Bereich von 4,5 liegt. Unter Verwendung der Legierung 42 Ti reduziert sich die simulierte Verwerfung für 200-mm-Wafer mit 5 mm großen Dies (oder Chips) und 5,5-mm-eWLB bei 300 µm (Mikrometer) Dicke (0,2 mm Dicke von Silizium (Si), 0,1 mm Dicke der Formmasse) von einer Verwerfung von 1,7 mm bis hinab zu einer Verwerfung von 0,05 mm bei einer Anhaftungslegierungsdicke von 0,1 mm.
  • Da diese Legierungen Hartmetalle sind, sehen sie eine ausgezeichnete Stabilität vor und sie sind leicht zu stanzen oder zu sägen. Ferner können sie durch Standardverfahren geätzt werden. Die Wirksamkeit des Trägers bezüglich der Vermeidung von Verwerfung ist besser, je dünner der eWLB-Wafer ist im Vergleich zu der Dicke des Metallträgers. Die oben erwähnten Materialien sind für eine geringe Dicke billig, z. B. für Dicken des Trägers von etwa einigen hundert Mikrometern.
  • Die 24 zeigt eine Grafik, die das Wärmeverhalten für das Material Pernifer® 36 veranschaulicht, bei dem es sich um eine Eisen-Nickel-Legierung mit 36 % Nickel in der Legierung handelt. Genauer gesagt, zeigt die Grafik das Verhalten des Wärmeausdehnungskoeffzienten (CTE), auch Ausdehnungskoeffizient α genannt, in Abhängigkeit von der Temperatur in einer Linie 400 und die Wärmeausdehnung Δl bis 1 in Millimeter pro Meter gegenüber der Temperatur in einer Linie 410.
  • In einem Beispiel ist der Legierungsträger als eine Platte mit den Dimensionen eines zu tragenden rekonstituierten Wafers vorgesehen. Zum Beispiel kann dies eine kreisförmige Platte mit einem Durchmesser von etwa 200 mm sein. Der Legierungsträger kann durch Stanzen oder irgendein anderes geeignetes Verfahren bereitgestellt werden. Der Legierungsträger kann vor dem Formen des rekonstituierten Wafers in dem Formwerkzeug in das Formwerkzeug gegeben werden. Dieses Beispiel ist besonders in einem Beispiel anwendbar, in dem der Träger ein Teil der elektrischen Endkomponente bleiben soll, d. h. nach dem Dicing des Wafers.
  • Um den Träger während des Formens zu halten, können entweder eine Formfolie oder das verwendete Werkzeug mindestens eine der folgenden Fähigkeiten besitzen. Die Folie kann perforiert sein und die Anwendung eines Vakuums zulassen, um den Träger festzuhalten. Die Folie kann größere Ausschnitte in den Teilen aufweisen, wo sich der Träger befindet. Als ein weiteres Beispiel kann die Folie an dem Träger anhaften. Oder ein Stempel des Formwerkzeugs kann einen Permanentmagnet oder einen Elektromagnet tragen und den Träger während des Formens in dem Werkzeug halten. Es kann erforderlich sein, den Träger bezüglich des Formwerkzeugs weiter anzupassen. Die Anpassung kann mechanisch durch Abstandhalter oder durch magnetische Anpassung erfolgen. Mit einem angepassten Legierungsträger, der auf der Rückseite eine eWLB-Wafers geformt ist, ist es möglich, eine geringe Verwerfung zu erreichen. Dies kann direkt vor Ort während des Einbettungsverfahrens der Dies in dem eWLB-Wafer erfolgen.
  • Für den Fall, dass der Legierungsträger nach der Verarbeitung nicht zurückbleibt, kann der Träger am Ende der Verarbeitung zum Beispiel durch Ätzen oder Schleifen oder irgendeinen anderen Schritt entfernt werden.
  • Die 25 zeigt schematisch ein Formwerkzeug zum Formen eines rekonstituierten Wafers in einem offenen Zustand. Das Formwerkzeug umfasst eine(n) obere Formungsform oder Stempel 500 und eine untere Formungsform 502. Die obere Formungsform 500 kann mit Magneten 504 ausgestattet sein, wobei drei davon in der 25 sichtbar sind, die so angepasst sind, um einen Träger 506 festzuhalten und einzustellen. Die untere Formungsform 502 kann mit einem temporären Klebstoff 508 versehen sein, auf welchem Dies oder Chips 510 angebracht sind. Eine Formmasse 512, z. B. in einer flüssigen Form oder in einer Pulverform, wird auf das Zentrum der Formungsform 502 verteilt.
  • Die 26 zeigt das Formwerkzeug von 25 in einem geschlossenen Zustand. Die Formmasse 512 wird zu der gewünschten Form gepresst, in welche die Chips 510 und der Träger 506 eingebettet sind. Die Formmasse 512 kann dann ausgehärtet werden, z. B. durch Hitze oder Strahlung.
  • Die 27 zeigt den rekonstituierten Wafer, wie entsprechend den 25 und 26 nach der Abtrennung aus dem Formwerkzeug gebildet. Der Träger 506 ist sicher an der Formmasse 512 befestigt und verhindert ein Verwerfen des rekonstituierten Wafers.
  • Es kann auch möglich sein, einen Metallträger nur mit einigen Klebstoffpunkten an die Rückseite eines Produktsubstrats zu kleben zur Verhinderung einer Verwerfung. In diesem Fall kann es möglich sein, den Wafer nach dem Verarbeiten von dem Träger durch Sägen durch die Klebstoffpunkte abzutrennen. Eine weitere Möglichkeit wäre die Auflösung der Klebstoffpunkte durch Chemikalien.
  • Die 28 zeigt in einer schematischen Schnittansicht einen rekonstituierten Wafer 600, welcher die Chips 604 umfasst. Der rekonstituierte Wafer 600 ist durch die Klebstoffpunkte 606 an einen Träger 602 geklebt. Die Klebstoffpunkte können auch durch Lötpunkte oder Lotpunkte ersetzt werden. In diesem Fall kann ein Hartlot verwendet werden.
  • Die 29 zeigt eine mögliche Trennung des Trägers 602 von dem Wafer 600, nachdem mehrere Verarbeitungsschritte durchgeführt wurden, wobei die Verarbeitungsschritte eine obere Schicht 610 bilden, die eine Umverteilungsschicht sein kann. Die Trennung wird z. B. durch einen Sägeschritt unter Verwendung eines Sägeblatts 608 bewerkstelligt. Der Sägeschritt kann parallel zu einer Oberfläche des Trägers 602 erfolgen. Andere Möglichkeiten zum Trennen des Wafers 600 und des Träger 602 können Drahterodier- oder Drahtschneide- oder sonstige mechanische Trennungstechniken sein. In einem Beispiel, in dem Lötpunkte verwendet werden, kann die Trennung auch entweder durch Abschmelzen oder Verschmelzen erfolgen. Während der Trennung des Trägers 602 und des Wafers 600 kann der Wafer 600 durch einen Wafer-Chuck gehalten werden, und der Träger 602 kann durch einen Träger-Chuck (nicht gezeigt) gehalten werden.

Claims (20)

  1. Verfahren zur Handhabung eines Produktsubstrats (100), wobei das Verfahren umfasst: Verkleben eines Trägers (104) mit dem Produktsubstrat (100) durch - Aufbringen einer Schicht aus einem permanenten Klebstoff (106) auf eine Oberfläche des Trägers (104); - Bereitstellen einer strukturierten Zwischenschicht (108); - Verkleben des Trägers (104) mit dem Produktsubstrat (100) unter Verwendung des aufgebrachten permanenten Klebstoffs (106), wodurch die strukturierte Zwischenschicht (108) zwischen dem Produktsubstrat (100) und dem Träger (104) angeordnet ist, wobei eine Oberfläche der strukturierten Zwischenschicht (108) und eine Oberfläche des permanenten Klebstoffs (106) in direktem Kontakt mit einer Oberfläche des Produktsubstrats (100) sind, und wobei die strukturierte Zwischenschicht (108) die Haftfestigkeit zwischen dem Produktsubstrat (100) und dem Träger (104) verringert, und wobei das Produktsubstrat (100) entlang Sägelinien (112) geschnitten wird, und die Zwischenschicht (108) strukturiert ist, um mit dem Produktsubstrat (100) im Wesentlichen nur abseits der Sägelinien in Kontakt zu sein.
  2. Verfahren gemäß Anspruch 1, ferner umfassend: Trennen des Trägers (104) von dem Produktsubstrat (100) nach der Durchführung einer Anzahl von Prozessschritten auf dem Produktsubstrat (100).
  3. Verfahren gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei der permanente Klebstoff (106) dafür geeignet ist, an dem Produktsubstrat (100) mit einer ersten Adhäsionskraft anzuhaften und an der Zwischenschicht (108) mit einer zweiten Adhäsionskraft anzuhaften, die geringer ist als die erste Adhäsionskraft.
  4. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die strukturierte Zwischenschicht (108) auf dem Produktsubstrat (100) ausgebildet wird.
  5. Verfahren gemäß Anspruch 4, wobei das Ausbilden der strukturierten Zwischenschicht (108) durch Aufbringen einer unstrukturierten Zwischenschicht auf dem Produktsubstrat (100) und anschließendes Strukturieren der Zwischenschicht zur Ausbildung der strukturierten Zwischenschicht erfolgt.
  6. Verfahren gemäß Anspruch 5, wobei die unstrukturierte Zwischenschicht durch eine beliebige Art der Abscheidung aufgebracht wird.
  7. Verfahren gemäß Anspruch 4, wobei das Ausbilden der strukturierten Zwischenschicht (108) durch Aufbringen einer strukturierten Zwischenschicht auf dem Produktsubstrat (100) erfolgt.
  8. Verfahren gemäß Anspruch 7, wobei die strukturierte Zwischenschicht (108) durch eine beliebige Art des Aufdruckens aufgebracht wird.
  9. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die strukturierte Zwischenschicht (108) in den permanenten Klebstoff (106) eindringt.
  10. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die strukturierte Zwischenschicht (108) eine Antihaftbeschichtung ist.
  11. Verfahren gemäß Anspruch 10, wobei die strukturierte Zwischenschicht (108) Polytetrafluorethylen umfasst.
  12. Verfahren gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei die strukturierte Zwischenschicht (108) durch selektive Deaktivierung des permanenten Klebstoffs (106) vor dem Verkleben des Produktsubstrats (100) mit dem Träger ausgebildet wird.
  13. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 12, wobei das Produktsubstrat (100) einem Verzug unterliegt, und die strukturierte Zwischenschicht (108) strukturiert ist, um es einer größeren Oberfläche des permanenten Klebstoffs (106) zu ermöglichen, das Produktsubstrat (100) in Regionen von größerem Verzug zu kontaktieren, und um es einer kleineren Oberfläche des permanenten Klebstoffs zu ermöglichen, das Produktsubstrat (100) in Regionen von geringerem Verzug zu kontaktieren.
  14. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Produktsubstrat (100) eines aus einem Halbleiter-Wafer, einem rekonstituierten Wafer, einem Laminat, und einer Leiterplatte ist.
  15. Verfahren gemäß einem der vorausgehenden Ansprüche, wobei der Träger (104) eines aus einer Metallplatte, einem Wafer, einer Kunststoffscheibe, und einem Laminat ist.
  16. Verfahren gemäß einem der vorausgehenden Ansprüche, wobei der permanente Klebstoff (106) einen ersten Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweist, und wobei der permanente Klebstoff ein Füllmaterial mit einem zweiten Wärmeausdehnungskoeffizienten umfasst, der kleiner ist als der erste Wärmeausdehnungskoeffizient.
  17. Verfahren gemäß Anspruch 16, wobei das Füllmaterial einen negativen Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweist.
  18. Verklebtes Substratsystem, umfassend: einen Träger (104); ein Produktsubstrat (100); eine Schicht aus permanentem Klebstoff (106), welcher den Träger (104) mit dem Produktsubstrat (100) verklebt; eine strukturierte Zwischenschicht (108), die zwischen dem Produktsubstrat und dem Träger (104) angeordnet ist, wobei eine Oberfläche der strukturierten Zwischenschicht und eine Oberfläche des permanenten Klebstoffs (106) in direktem Kontakt mit einer Oberfläche des Produktsubstrats (100) sind, und wobei die strukturierte Zwischenschicht die Haftfestigkeit zwischen dem Produktsubstrat und dem Träger (104) verringert, und wobei das Produktsubstrat (100) Sägelinien aufweist, und die Zwischenschicht strukturiert ist, um mit dem Produktsubstrat (100) im Wesentlichen nur abseits der Sägelinien in Kontakt zu sein.
  19. Verklebtes Substratsystem gemäß Anspruch 18, wobei die strukturierte Zwischenschicht (108) eine auf das Produktsubstrat (100) aufgebrachte Antihaftbeschichtung ist.
  20. Verklebtes Substratsystem gemäß Anspruch 18 oder 19, wobei der permanente Klebstoff (106) an dem Produktsubstrat (100) mit einer ersten Adhäsionskraft und an der Zwischenschicht mit einer zweiten Adhäsionskraft, die geringer als die erste Adhäsionskraft ist, anhaftet.
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