DE102013211360A1 - Halbleiter-Leistungsschalter und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Leistungsschalters - Google Patents

Halbleiter-Leistungsschalter und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Leistungsschalters Download PDF

Info

Publication number
DE102013211360A1
DE102013211360A1 DE201310211360 DE102013211360A DE102013211360A1 DE 102013211360 A1 DE102013211360 A1 DE 102013211360A1 DE 201310211360 DE201310211360 DE 201310211360 DE 102013211360 A DE102013211360 A DE 102013211360A DE 102013211360 A1 DE102013211360 A1 DE 102013211360A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor
semiconductor material
layer
circuit breaker
carrier substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE201310211360
Other languages
English (en)
Inventor
Walter Daves
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Robert Bosch GmbH
Original Assignee
Robert Bosch GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Robert Bosch GmbH filed Critical Robert Bosch GmbH
Priority to DE201310211360 priority Critical patent/DE102013211360A1/de
Priority to JP2016520371A priority patent/JP2016524332A/ja
Priority to PCT/EP2014/061806 priority patent/WO2014202410A1/de
Priority to CN201480034527.4A priority patent/CN105283960A/zh
Priority to EP14728956.5A priority patent/EP3011597A1/de
Publication of DE102013211360A1 publication Critical patent/DE102013211360A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/408—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor with an insulating layer with a particular dielectric or electrostatic property, e.g. with static charges or for controlling trapped charges or moving ions, or with a plate acting on the insulator potential or the insulator charges, e.g. for controlling charges effect or potential distribution in the insulating layer, or with a semi-insulating layer contacting directly the semiconductor surface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
    • H01L29/51—Insulating materials associated therewith
    • H01L29/511—Insulating materials associated therewith with a compositional variation, e.g. multilayer structures
    • H01L29/513—Insulating materials associated therewith with a compositional variation, e.g. multilayer structures the variation being perpendicular to the channel plane
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
    • H01L29/7781—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with inverted single heterostructure, i.e. with active layer formed on top of wide bandgap layer, e.g. IHEMT
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
    • H01L29/7786—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with direct single heterostructure, i.e. with wide bandgap layer formed on top of active layer, e.g. direct single heterostructure MIS-like HEMT
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/792—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate with charge trapping gate insulator, e.g. MNOS-memory transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
    • H01L29/2003—Nitride compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
    • H01L29/51—Insulating materials associated therewith

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)
  • Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft einen Halbleiter-Leistungsschalter (100) mit einem Trägersubstrat (110) und einer auf dem Trägersubstrat (110) aufgebrachte erste Halbleiterschicht (130) aus einem ersten Halbleitermaterial. Weiterhin umfasst der Halbleiter-Leistungsschalter (100) eine auf der ersten Halbleiterschicht (130) aufgebrachte zweite Halbleiterschicht (135) aus einem zweiten Halbleitermaterial, wobei der Bandabstand des ersten Halbleitermaterials sich vom Bandabstand des zweiten Halbleitermaterials unterscheidet. Auch umfasst der Halbleiter-Leistungsschalter (100) einen Drainanschluss (145) und einen Sourceanschluss (150), die zumindest in der zweiten Halbleiterschicht (135) eingebettet sind, wobei mittels des Drainanschlusses (145) und des Sourceanschlusses (150) zumindest eine Grenzschicht (140) zwischen dem ersten und zweiten Halbleitermaterial elektrisch kontaktierbar ist. Ferner umfasst der Halbleiter-Leistungsschalter (100) einen Kanalbereich (155) zwischen dem Drainanschluss (145) und dem Sourceanschluss (150), wobei der Kanalbereich (155) ausgebildet ist, um als elektrischer Leistungsschalter zu wirken. Schließlich umfasst der Halbleiter-Leistungsschalter (100) eine Gateanschluss (170), der zumindest teilweise den Kanalbereich (155) überdeckt.

Description

  • Stand der Technik
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen Halbleiter-Leistungsschalter sowie ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Leistungsschalters.
  • Ein HEMT-Transistor (HEMT-Transistor = High-Electron-Mobility Transistor = Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit) ist eine besondere Bauform des Feldeffekttransistors, die durch einen leitfähigen Kanal mit einer hohen Ladungsträgerbeweglichkeit gekennzeichnet wird. Besonders schwierig ist dabei allerdings die Realisierung von Leistungstransistoren mit ausreichend hohen Durchbruchspannungen.
  • Vor diesem Hintergrund wird mit der vorliegenden Erfindung ein Halbleiter-Leistungsschalter sowie ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiter-Leistungsschalters gemäß den Hauptansprüchen vorgestellt. Vorteilhafte Ausgestaltungen ergeben sich aus den jeweiligen Unteransprüchen und der nachfolgenden Beschreibung.
  • Vorliegend wird ein Halbleiter-Leistungsschalter mit folgenden Merkmalen vorgestellt:
    • – einem Trägersubstrat;
    • – einer auf dem Trägersubstrat aufgebrachte erste Halbleiterschicht aus einem ersten Halbleitermaterial;
    • – eine auf der ersten Halbleiterschicht aufgebrachte zweite Halbleiterschicht aus einem zweiten Halbleitermaterial, wobei der Bandabstand des ersten Halbleitermaterials sich vom Bandabstand des zweiten Halbleitermaterials unterscheidet;
    • – einen Drainanschluss und einen Sourceanschluss, die zumindest in der zweiten Halbleiterschicht eingebettet sind, wobei mittels des Drainanschlusses und des Sourceanschlusses zumindest eine Grenzschicht zwischen dem ersten und zweiten Halbleitermaterial elektrisch kontaktierbar ist;
    • – einen Kanalbereich zwischen dem Drainanschluss und dem Sourceanschluss, wobei der Kanalbereich ausgebildet ist, um als elektrischer Leistungsschalter zu wirken; und
    • – einen Gateanschluss, der zumindest teilweise den Kanalbereich überdeckt.
  • Unter einem Leistungsschalter kann ein Schaltelement verstanden werden, welches ausgebildet ist, um einen Strom und/oder eine Spannung zu schalten, welche/welches größer als eine vorbestimmte Mindestgröße ist. Dabei kann der Leistungsschalter derart ausgestaltet sein, dass er einen Strom und/oder eine Spannung schalten kann, die deutlich über einem Strom und/oder eine Spannung liegt, welche in Elementen aus dem Bereich der Halbleiterspeichertechnologie Verwendung findet. Unter einem Trägersubstrat kann beispielsweise ein Halbleitersubstrat oder -kristall verstanden werden, auf welches weitere (Halbleiter-)Strukturen aufgebracht werden können, sodass das Trägersubstrat Halteelement für die weiteren Strukturen bildet. Unter einem Bandabstand kann eine Bandlücke oder eine „verbotene Zone“ verstanden werden, die einen energetischen Abstand zwischen einem Valenzband und einem Leitungsband eines Festkörpers repräsentiert. Unter einem Kanalbereich kann beispielsweise ein Kanal eines Feldeffekttransistors verstanden werden.
  • Der hier vorgestellte Ansatz basiert auf der Erkenntnis, dass zur Schaltung von hohen Strömen und/oder Spannungen eine Heterostruktur von zwei Halbleiterschichten verwendbar ist, wobei die in diesen beiden Schichten verwendeten Halbleitermaterialien unterschiedliche Bandlücken aufweisen. Hierdurch kann eine sehr schnell schaltende Halbleiterstruktur realisiert werden. Insbesondere durch die Verwendung einer Grenzfläche zwischen der ersten oder zweiten Halbleiterschicht, die eine besonders hohe Elektronenbeweglichkeit aufweist, lässt sich somit ein Halbleiter-Leistungsschalter realisieren, der neben der Fähigkeit zur Schaltung von hohen Leistungen auch durch die relativ einfache technische Herstellungsverfahren der realisiert werden kann. Somit ist ein solcher Halbleiter-Leistungsschalter auch kostengünstig herstellbar.
  • Auch wird vorliegend ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiter-Leistungsschalters vorgestellt, wobei das Verfahren die folgenden Schritte aufweist:
    • – Bereitstellen eines Trägersubstrats,
    • – Aufbringen einer ersten Halbleiterschicht aus einem ersten Halbleitermaterial auf dem Trägersubstrat und Aufbringen einer zweiten Halbleiterschicht aus einem zweiten Halbleitermaterial auf der ersten Halbleiterschicht, wobei der Bandabstand des ersten Halbleitermaterials sich vom Bandabstand des zweiten Halbleitermaterials unterscheidet;
    • – Ausbilden eines Drainanschlusses und einen Sourceanschlusses, die zumindest in der zweiten Halbleiterschicht eingebettet werden, wobei mittels des Drainanschlusses und des Sourceanschlusses zumindest eine Grenzschicht zwischen dem ersten und zweiten Halbleitermaterial elektrisch kontaktierbar ist und durch den Drainanschluss und den Sourceanschluss ein Kanalbereich zwischen dem Drainanschluss und dem Sourceanschluss definiert wird, wobei der Kanalbereich ausgebildet ist, um als elektrischer Leistungsschalter zu wirken; und
    • – Anordnen eines Gateanschlusses, der zumindest teilweise den Kanalbereich überdeckt.
  • Besonders günstig ist eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, bei der der Kanalbereich ausgebildet ist, um zerstörungsfrei einen elektrischen Strom von zumindest einem Ampere, insbesondere einen elektrischen Strom von zumindest 10 Ampere zu leiten und/oder wobei der Kanalbereich ausgebildet ist, um zerstörungsfrei eine elektrische Spannung von zumindest 50 Volt, insbesondere eine elektrische Spannung von größer 100 Volt zu sperren. Eine derart die Ausführungsform der vorliegenden Erfindung bietet den Vorteil, dass von den Halbleiter-Leistungsschalter hohe Ströme oder Spannungen geschaltet werden können, ohne dass der Leistungsschalter selbst beschäftigt wird.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann das erste und zweite Halbleitermaterial einen III/V-Verbindungshalbleiter-Verbund bilden. Eine solche Ausführungsform der vorliegenden Erfindung bietet den Vorteil einer besonders guten zuvor sehr hohen Elektronenbeweglichkeit an einer Grenze zwischen dem ersten und zweiten Halbleitermaterial. Hierdurch lassen sich besonders schnell schaltende Leistungsschalter realisieren.
  • Von Vorteil ist ferner eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, bei der das erste Halbleitermaterial AlGaN und das zweite Halbleitermaterial GaN umfasst, oder dass das erste Halbleitermaterial GaN und das zweite Halbleitermaterial AlGaN umfasst. Eine solche Ausführungsform der vorliegenden Erfindung bietet den Vorteil, dass technisch besonders gut und einfach zu verarbeitende Halbleitermaterialien für einen Leistungsschalters verwendet werden können, sodass ein solcher Leistungsschalter an neben seinen guten Schaltungseigenschaften auch noch sehr kostengünstig hergestellt werden kann.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann das Trägersubstrat eine Halteschicht aus einem Haltematerial aufweist, wobei sich das Haltematerial von einem Hauptmaterial des Trägersubstrats unterscheidet, insbesondere wobei das Hauptmaterial des Trägersubstrats Silizium aufweist, wobei das erste Halbleitermaterial auf der Halteschicht angeordnet ist. Eine solche Ausführungsform der vorliegenden Erfindung bietet den Vorteil, dass unter der Voraussetzung des Einsatzes einer passenden Pufferschicht eine gute Kristallqualität der ersten Halbleiterschicht erreicht werden kann und gleichzeitig großflächige und kostengünstige Substrate verwendet werden können.
  • Gemäß einer besonders günstigen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann der Gateanschluss und vom Kanalbereich durch Gateoxidschicht elektrisch isolierend getrennt sein, insbesondere wobei in die Gateoxidschicht zumindest ein vorbestimmter Typ von Ladungsträgern eingebettet ist und/oder wobei die Gateoxidschicht eine vorbestimmte Dichte von Ladungsträgern aufweist. Eine solche Ausführungsform der vorliegenden Erfindung bietet den Vorteil der Möglichkeit der Einstellung eines Leitungstyps des Leistungsschalters, insbesondere der Ausprägung des Leistungsschalters als selbstsperrend oder selbstleitend. Auch kann eine Durchbruchsspannung beziehungsweise Aktivierungsspannung durch eine Dicke der Gateoxidschicht und/oder der Dichte der vorbestimmten Ladungsträger in der Gateoxidschicht eingestellt werden.
  • Die Erfindung wird nachstehend anhand der beigefügten Zeichnungen beispielhaft näher erläutert. Es zeigen:
  • 1 eine Querschnittsansicht durch einen Halbleiter-Leistungsschalter gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
  • 2 ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung; und
  • 3 eine Darstellung von Energieniveaus in Materialien, die entlang der in 1 dargestellten Querschnittsansicht auftreten.
  • In der nachfolgenden Beschreibung günstiger Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden für die in den verschiedenen Figuren dargestellten und ähnlich wirkenden Elemente gleiche oder ähnliche Bezugszeichen verwendet, wobei auf eine wiederholte Beschreibung dieser Elemente verzichtet wird.
  • 1 zeigt eine Querschnittsansicht durch einen Halbleiter-Leistungsschalter 100 gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Der Leistungsschalter 100 umfast ein Halbleiter- oder Trägersubstrat 110, welches einen Hauptbestandteil 115 (beispielsweise einem Silizium-Kristall mit 111-Gitterstruktur) und einer auf dem Hauptbestandteil 115 aufgebrachten Pufferschicht 120 umfasst. Die Pufferschicht 120 kann beispielsweise aus einer AlN-Keimschicht gefolgt von einer Abfolge von AlGaN-Schichten mit graduell sinkender Al Konzentration bestehen. Um die Durchbruchsfestigkeit zu verbessern, kann eine gezielte Dotierung mit beispielsweise Kohlenstoff oder Eisen-Fremdatomen von mindestens einem Teil dieser Pufferstruktur zur Ladungsträgerkompensation eingesetzt werden.
  • Die Pufferschicht 120 dient dabei eine sehr gute Haftgrundlage für eine auf der Pufferschicht 120 angeordnete Halbleiter-Heterostruktur 125.
  • Diese Halbleiter-Heterostruktur 125 kann beispielsweise ein Stapel von zwei Schichten unterschiedlicher Halbleitermaterialien sein. Beispielsweise können diese unterschiedlichen Halbleitermaterialien aus Halbleitermaterialien bestehen oder umfassen, die eine unterschiedliche Bandlücke oder einen unterschiedlichen Bandabstand aufweisen. Die Halbleitermaterialien der Heterostruktur 125 können dabei als eine erste Halbleiterschicht 130 (aus einem ersten Halbleitermaterial) und eine auf der ersten Halbleiterschicht angeordnete zweite Halbleiterschicht 135 (aus einem zweiten Halbleitermaterial) angeordnet sein und einen III-V-Halbleiter-Verbund bzw. ein III-V-Halbleiter-Verbundsystem bilden. Dies bedeutet, dass das Halbleitermaterial der ersten Halbleiterschicht 130 ein III-Material sein kann (d. h. ein Material aus der 3. Hauptgruppe des Periodensystems), wogegen das Halbleitermaterial der zweiten Halbleiterschicht 135 ein V-Material sein kann (d. h. ein Material aus der 5. Hauptgruppe des Periodensystems). Auch kann das erste Halbleitermaterial ein V-Material sein und das zweite Halbleitermaterial ein III-Material sein. Insbesondere kann das erste Halbleitermaterial AlGaN und das zweite Halbleitermaterial GaN sein (oder diese Materialien entsprechend umfassen) oder umgekehrt.
  • Zwischen den beiden Halbleitermaterialien ist eine Grenzschicht 140 ausgebildet, in der Elektronen eine besonders hohe Beweglichkeit aufweisen. Diese Grenzschicht 140 wirkt hierbei als zweidimensionales Elektronengas (2DEG) und bietet eine sehr gute Schaltungsmöglichkeit für hohe Leistungen, d. h. hohe Ströme und/oder Spanungen. Um die Grenzschicht 140 elektrisch kontaktieren zu können, ist ein Drainanschluss 145 und ein Sourceanschluss 150 vorgesehen, der durch die zweite Halbleiterschicht 135 hindurch bis zur Grenzschicht 140 bzw. in die erste Halbleiterschicht reicht. Seitlich zum Drainanschluss 145 bzw. dem Sourceanschluss 150, d. h. der jeweils zum anderen Anschluss abgewandten Seite hin, ist eine laterale Isolationsschicht 153 vorgesehen, die ein Abfließen von Elektronen aus einem Kanalbereich 160 zwischen dem ein Drainanschluss 145 und dem Sourceanschluss 150 verhindert.
  • Auf einer Oberfläche 160 der zweiten Halbleiterschicht 135 ist ferner eine Gateoxidlage 165 als Gatedielektrikum angeordnet. Auf der Gateoxidlage 165 ist im Gebiet des Kanalbereichs 155 ein Gateanschluss 170 vorgesehen, sodass der Halbleiter-Leistungsschalter 100 als ein Feldeffekttransistor ausgebildet ist. Insofern kann der Kanalbereich 155 auch als Kanal eines Feldeffekttransistors verstanden werden.
  • Um nun eine besonders gute Einstellung von einer Einsatzspannung des Halbleiter-Leistungsschalters 100 zu erreichen, werden nun in die Gateoxidlage 165 gezielt Ladungsträgern eingebracht, sodass ein entsprechendes elektrisches Feld entsteht, welches dem Anlegen einer externen Spannung an der Gateelektrode äquivalent ist. Somit kann die Einsatzspannung des Transistors kontrolliert verschoben werden, um beispielsweise eine positive Einsatzspannung, also ein selbstsperrendes Bauelement, zu realisieren. Die Einsatzspannung des so modifizierten Transistors hängt hierbei von der Flächendichte und der Verteilung der Ladungsträger ab.
  • Die Ladungsträger können durch verschiedene Verfahren in das Dielektrikum eingebracht werden. Es können beispielsweise elektrisch geladene Fremdatome in das Gatedielektrikum mittels Ionenimplantation eingebracht werden.
  • Gemäß einer weiteren Variante kann dieses Einbringen von Ladungen in das Gatedielektrikum dadurch erfolgen, dass eine Abscheidung eines Schichtstapels erfolgt, welcher analoge Eigenschaften zur Speicherzellentechnologie besitzt (z. B. EPROM oder EEPROM Bauelemente). In diesem ist es möglich, durch Anlegen einer geeigneten Gatespannung eine bestimmte Ladungsmenge dauerhaft im Schichtstapel zu speichern. Hier werden Elektronen durch das Anlegen einer geeigneten Gatespannung an das Steueroxid in die Haftstellen der Nitridschicht injiziert. Es kann in dieser Variante auch ein Löschverfahren der Speichertechnologie genutzt werden, z. B. lokale UV-Einstrahlung, um auf einem Chip gleichzeitig Bauelemente mit Standard-Einsatzspannung sowie Bauelemente mit modifizierter Einsatzspannung zu erzeugen. Dies kann z. B. bei der Erstellung monolithisch integrierbarer Schaltungen von Vorteil sein. In einer weiteren Variante kann eine gezielte Einbringung von Ladung durch die Wahl geeigneter Materialien und die Durchführung eines geeigneten Temperverfahrens (z. B. ein SiO2/Al2O3-Schichtstapel mit einem Temperverfahren bei einer hohen Temperatur zwischen 1000–1200°C, siehe zum Beispiel „Gassensor und Verfahren zur Herstellung eines solchen“, R341737.
  • Insofern lässt sich die dargestellte Struktur eines Halbleiter-Leistungsschalters 100 als Standard-HEMT-Struktur mit Gate-Dielektrikum bezeichnen. Vom Aufbau her besteht der HEMT-Transistor aus Schichten verschiedener Halbleitermaterialien mit unterschiedlich großen Bandlücken (sogenannte Heterostruktur). Es kommen hierfür insbesondere Verbindungshalbleiter infrage, die aus Elementen der III/V-Gruppe des Periodensystems bestehen. Beispielsweise kann das Materialsystem GaN/AlGaN verwendet werden. Scheidet man diese beiden Materialien aufeinander ab, so bildet sich an der Grenzfläche dieser Materialien auf beiden Seiten des GaN ein zweidimensionales Elektronengas, das als leitfähiger Kanal dienen kann, da die Elektronenbeweglichkeit darin sehr hoch ist (typischerweise 2000 cm2/Vs).
  • Solche GaN-HEMT-Transistoren lassen sich durch epitaktisches Abscheiden von GaN/AlGaN Heterostrukturen auf Si-, SiC- oder Saphir-Substraten herstellen. Diese Bauelemente sind aufgrund der Anwesenheit des hochleitenden Kanals immer selbstleitend. Selbstsperrende Bauelemente sind allerdings in vielen Anwendungen, beispielsweise im automotive-Bereich, aus Sicherheits- sowie Schaltungsaspekten erwünscht. Um selbstsperrende GaN-Bauelemente zu realisieren, ist es daher notwendig, das 2DEG in der Grenzschicht 140 mittels eines geeigneten Verfahrens im Kanalbereich lokal zu zerstören. Obwohl bereits mehrere solcher Verfahren erfolgreich erscheinen, wie zum Beispiel lokales Abdünnen der AlGaN-Barriere, Fluor-Implantation oder Inversionskanal-Bauelemente, sind diese im Allgemeinen mit deutlichen Performance-Einbußen und/oder Zuverlässigkeitsproblemen verbunden. In dem hier vorgestellten Ansatz wird eine Struktur vorgeschlagen, die dieses Problem adressiert und es ermöglicht, hochperformante selbstsperrende Transistoren auf GaN-Basis zu realisieren.
  • Insbesondere wird vorliegend ein Ansatz für ein Herstellverfahren vorgeschlagen, der es erlaubt, gezielt Ladung in einem Gate-Dielektrikum 165 einzubringen, um somit die Einsatzspannung des GaN-HEMTs einzustellen. Es lassen sich hiedurch durch ein einfaches Verfahren selbstsperrende Bauelemente realisieren, die mehrere Vorteile gegenüber den herkömmlichen Konzepten aufweisen.
  • Durch den hier vorgeschlagenen Ansatz lässt sich somit ein Bauelement herstellen, bei dem die Ladungsträger an einer 2-dimensionalen Heterostrukturgrenzfläche 140 bewegen, zum Beispiel im GaN/AlGaN-Materialsystem. Dabei kann die Heterostruktur 125 seitlich durch Source- 150 und Drainanschlüsse 145 kontaktiert werden, und der Kanalbereich 155 zwischen Source 155 und Drain 145 durch eine Gateelektrode 170 gesteuert. Die Gatelektrode 170 ist dabei vom Kanalbereich 155 durch ein Gate-Dielektrikum 165 getrennt, in welches sich gezielt stabile Ladungen einbringen lassen, welche die Einsatzspannung des Transistors einstellen.
  • Ein Ansatz eines solchen Verfahrens zur Bauelementherstellung kann die folgenden Schritte aufweisen. Zunächst kann eine Abscheidung einer Bufferschicht 120 und einer GaN/AlGaN-Heterostruktur 125 auf einem Hauptbestandteil 115 eines Trägersubstrats 110 erfolgen. Hiernach kann eine laterale Bauelement-Isolation ausgeführt werden, beispielsweise durch Ionenimplantation in der lateralen Isolationsschicht 153 des Leistungsschalters 100 aus 1. Hiernach erfolgt eine Abscheidung eines Gate-Dielektrikums 165, in welches gezielt Ladungen eingebracht werden können. Diese Ladungen bewirken je nach Polarität, Flächenkonzentration und Verteilung eine Verschiebung der elektrischen Eigenschaften des HEMT-Transistors 100. Insbesondere können beispielsweise selbstsperrende Bauelemente als Leistungsschalter 100 hergestellt werden. Hieran anschließen kann eine Abscheidung und Strukturierung einer Gate-Elektrode 170 erfolgen, worauf eine Kontaktierung des 2DEG (d. h. der Grenzschicht 140) durch Source- 150 und Drain-Anschlüssen 145 erfolgt.
  • 2 zeigt ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens 200 zum Herstellen eines Halbleiter-Leistungsschalters gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Dabei weist das Verfahren 200 einen Schritt 210 des Bereitstellens eines Trägersubstrats. Ferner umfasst das Verfahren 200 einen Schritt 220 des Aufbringens einer ersten Halbleiterschicht aus einem ersten Halbleitermaterial auf dem Trägersubstrat und Aufbringen einer zweiten Halbleiterschicht aus einem zweiten Halbleitermaterial auf der ersten Halbleiterschicht, wobei der Bandabstand des ersten Halbleitermaterials sich vom Bandabstand des zweiten Halbleitermaterials unterscheidet. Weiterhin umfasst das Verfahren 200 einen Schritt 230 des Ausbildens eines Drainanschlusses und einen Sourceanschlusses, die zumindest in der zweiten Halbleiterschicht eingebettet werden, wobei mittels des Drainanschlusses und des Sourceanschlusses zumindest eine Grenzschicht zwischen dem ersten und zweiten Halbleitermaterial elektrisch kontaktierbar ist und durch den Drainanschluss und den Sourceanschluss ein Kanalbereich zwischen dem Drainanschluss und dem Sourceanschluss definiert wird, wobei der Kanalbereich ausgebildet ist, um als elektrischer Leistungsschalter zu wirken. Schließlich umfasst das Verfahren 200 einen Schritt 240 des Anordnens eines Gateanschlusses, der zumindest teilweise den Kanalbereich überdeckt. Die Schritte 230 und 240 können dabei auch in einer anderen als der hier dargestellten Reihenfolge ausgeführt werden.
  • Um eine besonders gute Wirkungsweise des Leistungsschalters 100 zu erreichen, kann das Gatedielektrikum entsprechend den gewünschten Einsatzbedingungen variiert werden. Beispielsweise kann eine mit dem hier vorgestellten Ansatz vorgeschlagene Variante des Gatedielektrikums und des Verfahrens zur Herstellung des Leistungsschalters 100 verwendet werden, um stabil Ladungen in das Gatedielektrikum 165 einzubringen. Gemäß einer ersten Variante kann dieses Einbringen von Ladungen in das Gatedielektrikum dadurch erfolgen, dass eine Abscheidung eines Schichtstapels erfolgt, welcher analoge Eigenschaften zur Speicherzellentechnologie besitzt (z. B. EPROM oder EEPROM Bauelemente). In diesem ist es möglich, durch Anlegen einer geeigneten Gatespannung eine bestimmte Ladungsmenge dauerhaft im Schichtstapel zu speichern. Diese Struktur kann beispielsweise aus einer SONOS-Struktur bestehen, wie sie in der 2 exemplarisch in der Form eines Energieniveaudiagramms dargestellt ist.
  • Hier werden Elektronen durch das Anlegen einer geeigneten Gatespannung an das Steueroxid in die Haftstellen der Nitridschicht injiziert. Es kann in dieser Variante auch ein Löschverfahren der Speichertechnologie genutzt werden, z. B. lokale UV-Einstrahlung, um auf einem Chip gleichzeitig Bauelemente mit Standard-Einsatzspannung sowie Bauelemente mit modifizierter Einsatzspannung zu erzeugen. Dies kann z. B. bei der Erstellung monolithisch integrierbarer Schaltungen von Vorteil sein.
    • 2) Abscheidung einer dielektrischen Schicht, z. B. SiO2, und gezielte Einbringung von Ladung mittels Ionenimplantation. Diese Variante hat den Vorteil, dass durch die Wahl einer geeigneten Implantationsdosis die elektrischen Eigenschaften des Bauelements (in einem bestimmten Intervall) kontinuierlich eingestellt werden können. Ein ähnliches Verfahren wird z. B. in sogenannten „nanocrystal MOS memories" angewandt, siehe z. B. US 6,690,059 B1 Feb 10 2004.
    • 3) Abscheidung eines Schichtstapels und gezielte Einbringung von Ladung durch ein geeignetes Temperverfahren (z. B. ein SiO2/Al2O3 Schichtstapel mit einem Temperverfahren bei einer hohen Temperatur zwischen 1000–1200°C, siehe z.
  • Die Erfindung kann in allen leistungselektronischen Systemen zur Wandlung elektrischer Energie genutzt werden, z. B. im automotive-Bereich bei Hybrid- oder Elektrofahrzeugen, sowie im Photovoltaik-Bereich für die Realisierung von z. B. Invertersystemen.
  • Die beschriebenen und in den Figuren gezeigten Ausführungsbeispiele sind nur beispielhaft gewählt. Unterschiedliche Ausführungsbeispiele können vollständig oder in Bezug auf einzelne Merkmale miteinander kombiniert werden. Auch kann ein Ausführungsbeispiel durch Merkmale eines weiteren Ausführungsbeispiels ergänzt werden.
  • Ferner können erfindungsgemäße Verfahrensschritte wiederholt sowie in einer anderen als in der beschriebenen Reihenfolge ausgeführt werden.
  • Umfasst ein Ausführungsbeispiel eine „und/oder“-Verknüpfung zwischen einem ersten Merkmal und einem zweiten Merkmal, so ist dies so zu lesen, dass das Ausführungsbeispiel gemäß einer Ausführungsform sowohl das erste Merkmal als auch das zweite Merkmal und gemäß einer weiteren Ausführungsform entweder nur das erste Merkmal oder nur das zweite Merkmal aufweist.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • US 6690059 B1 [0033]

Claims (7)

  1. Halbleiter-Leistungsschalter (100) mit folgenden Merkmalen: – einem Trägersubstrat (110); – einer auf dem Trägersubstrat (110) aufgebrachte erste Halbleiterschicht (130) aus einem ersten Halbleitermaterial; – eine auf der ersten Halbleiterschicht (130) aufgebrachte zweite Halbleiterschicht (135) aus einem zweiten Halbleitermaterial, wobei der Bandabstand des ersten Halbleitermaterials sich vom Bandabstand des zweiten Halbleitermaterials unterscheidet; – einen Drainanschluss (145) und einen Sourceanschluss (150), die zumindest in der zweiten Halbleiterschicht (135) eingebettet sind, wobei mittels des Drainanschlusses (145) und des Sourceanschlusses (150) zumindest eine Grenzschicht (140) zwischen dem ersten und zweiten Halbleitermaterial elektrisch kontaktierbar ist; – einen Kanalbereich (155) zwischen dem Drainanschluss (145) und dem Sourceanschluss (150), wobei der Kanalbereich (155) ausgebildet ist, um als elektrischer Leistungsschalter zu wirken; und – eine Gateanschluss (170), der zumindest teilweise den Kanalbereich (155) überdeckt.
  2. Halbleiter-Leistungsschalter (100) gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Kanalbereich (155) ausgebildet ist, um zerstörungsfrei einen elektrischen Strom von zumindest einem Ampere, insbesondere einen elektrischen Strom von zumindest 10 Ampere zu leiten und/oder dass der Kanalbereich ausgebildet ist, um zerstörungsfrei eine elektrische Spannung von zumindest 50 Volt, insbesondere eine elektrische Spannung von 100 Volt zu sperren.
  3. Halbleiter-Leistungsschalter (100) gemäß einem der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das erste und zweite Halbleitermaterial einen III/V-Verbindungshalbleiter-Verbund (125) bilden.
  4. Halbleiter-Leistungsschalter (100) gemäß Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass das erste Halbleitermaterial AlGaN und das zweite Halbleitermaterial GaN umfasst, oder dass das erste Halbleitermaterial GaN und das zweite Halbleitermaterial AlGaN umfasst.
  5. Halbleiter-Leistungsschalter (100) gemäß einem der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Trägersubstrat (110) zumindest eine Halteschicht (120) aus einem Haltematerial aufweist, wobei sich das Haltematerial von einem Hauptmaterial (115) des Trägersubstrats (110) unterscheidet, insbesondere wobei das Hauptmaterial (115) des Trägersubstrats (110) Silizium aufweist, wobei das erste Halbleitermaterial auf der Halteschicht (115) angeordnet ist.
  6. Halbleiter-Leistungsschalter (100) gemäß einem der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Gateanschluss (170) und vom Kanalbereich (155) durch eine Gateoxidschicht (165) elektrisch isolierend getrennt ist, insbesondere wobei in die Gateoxidschicht (165) zumindest ein vorbestimmter Typ von Ladungsträgern eingebettet ist und/oder wobei die Gateoxidschicht (165) eine vorbestimmte Dichte von Ladungsträgern aufweist.
  7. Verfahren (200) zum Herstellen eines Halbleiter-Leistungsschalters (100), wobei das Verfahren (200) die folgenden Schritte aufweist: – Bereitstellen (210) eines Trägersubstrats (110), – Aufbringen (220) einer ersten Halbleiterschicht (130) aus einem ersten Halbleitermaterial auf dem Trägersubstrat (110) und Aufbringen einer zweiten Halbleiterschicht (135) aus einem zweiten Halbleitermaterial auf der ersten Halbleiterschicht (130), wobei der Bandabstand des ersten Halbleitermaterials sich vom Bandabstand des zweiten Halbleitermaterials unterscheidet; – Ausbilden (230) eines Drainanschlusses (145) und einen Sourceanschlusses (150), die zumindest in der zweiten Halbleiterschicht (135) eingebettet werden, wobei mittels des Drainanschlusses (145) und des Sourceanschlusses (150) zumindest eine Grenzschicht zwischen dem ersten und zweiten Halbleitermaterial elektrisch kontaktierbar ist und durch den Drainanschluss (145) und den Sourceanschluss (150) ein Kanalbereich (155) zwischen dem Drainanschluss und dem Sourceanschluss definiert wird, wobei der Kanalbereich ausgebildet ist, um als elektrischer Leistungsschalter zu wirken; und – Anordnen (240) eines Gateanschlusses (170), derart, dass der Gatenanschluss (170) zumindest teilweise den Kanalbereich (155) überdeckt.
DE201310211360 2013-06-18 2013-06-18 Halbleiter-Leistungsschalter und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Leistungsschalters Withdrawn DE102013211360A1 (de)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE201310211360 DE102013211360A1 (de) 2013-06-18 2013-06-18 Halbleiter-Leistungsschalter und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Leistungsschalters
JP2016520371A JP2016524332A (ja) 2013-06-18 2014-06-06 半導体パワースイッチ及び半導体パワースイッチの製造方法
PCT/EP2014/061806 WO2014202410A1 (de) 2013-06-18 2014-06-06 Halbleiter-leistungsschalter und verfahren zur herstellung eines halbleiter-leistungsschalters
CN201480034527.4A CN105283960A (zh) 2013-06-18 2014-06-06 半导体功率开关和用于制造半导体功率开关的方法
EP14728956.5A EP3011597A1 (de) 2013-06-18 2014-06-06 Halbleiter-leistungsschalter und verfahren zur herstellung eines halbleiter-leistungsschalters

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE201310211360 DE102013211360A1 (de) 2013-06-18 2013-06-18 Halbleiter-Leistungsschalter und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Leistungsschalters

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102013211360A1 true DE102013211360A1 (de) 2014-12-18

Family

ID=50897618

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE201310211360 Withdrawn DE102013211360A1 (de) 2013-06-18 2013-06-18 Halbleiter-Leistungsschalter und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Leistungsschalters

Country Status (5)

Country Link
EP (1) EP3011597A1 (de)
JP (1) JP2016524332A (de)
CN (1) CN105283960A (de)
DE (1) DE102013211360A1 (de)
WO (1) WO2014202410A1 (de)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6690059B1 (en) 2002-08-22 2004-02-10 Atmel Corporation Nanocrystal electron device

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006269862A (ja) * 2005-03-25 2006-10-05 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置形成用ウエハ、その製造方法、および電界効果型トランジスタ
US8482035B2 (en) * 2005-07-29 2013-07-09 International Rectifier Corporation Enhancement mode III-nitride transistors with single gate Dielectric structure
JP2007165446A (ja) * 2005-12-12 2007-06-28 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体素子のオーミックコンタクト構造
WO2007077666A1 (ja) * 2005-12-28 2007-07-12 Nec Corporation 電界効果トランジスタ、ならびに、該電界効果トランジスタの作製に供される多層エピタキシャル膜
US7692263B2 (en) * 2006-11-21 2010-04-06 Cree, Inc. High voltage GaN transistors
CN101604704B (zh) * 2008-06-13 2012-09-05 西安能讯微电子有限公司 Hemt器件及其制造方法
EP2360728B1 (de) * 2010-02-12 2020-04-29 Infineon Technologies Americas Corp. Verstärkungsmodus-Transistoren aus einem Nitrid der Gruppe III mit dielektrischer Struktur mit einem einzigen Gate
US20120019284A1 (en) * 2010-07-26 2012-01-26 Infineon Technologies Austria Ag Normally-Off Field Effect Transistor, a Manufacturing Method Therefor and a Method for Programming a Power Field Effect Transistor
JP2012033575A (ja) * 2010-07-28 2012-02-16 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体装置
JP5636867B2 (ja) * 2010-10-19 2014-12-10 富士通株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2012156332A (ja) * 2011-01-26 2012-08-16 Toshiba Corp 半導体素子
JP2013074128A (ja) * 2011-09-28 2013-04-22 Sharp Corp スイッチング素子

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6690059B1 (en) 2002-08-22 2004-02-10 Atmel Corporation Nanocrystal electron device

Also Published As

Publication number Publication date
JP2016524332A (ja) 2016-08-12
EP3011597A1 (de) 2016-04-27
WO2014202410A1 (de) 2014-12-24
CN105283960A (zh) 2016-01-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102009018054B4 (de) Lateraler HEMT und Verfahren zur Herstellung eines lateralen HEMT
DE112015004093B4 (de) Siliciumcarbid-halbleitervorrichtung und verfahren zum herstellen einer siliciumcarbid-halbleitervorrichtung
DE112006001893B4 (de) Normalerweise abgeschaltetes Gruppe-III-Nitrid-Halbleiter-Bauteil und Verfahren zur Herstellung desselben
DE102005017814B4 (de) Siliziumkarbid-Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
EP3011598A1 (de) Transistor und verfahren zur herstellung eines transistors
DE102013003283B4 (de) Tunneltransistor und Verfahren
DE102016113735A1 (de) Durchschlagfestes HEMT-Substrat und Bauelement
DE102013010245A1 (de) Halbleitervorrichtung
DE102012217073A1 (de) Vertikales mikroelektronisches Bauelement und entsprechendes Herstellungsverfahren
DE102017210711A1 (de) Halbleiterbauelement
DE102014118834A1 (de) Halbleiterbauelement und Verfahren
DE112017003513B4 (de) Halbleitereinheit und Verfahren zur Herstellung derselben
DE112010003383T5 (de) Transistoren mit einer dielektrischen Kanalsperrschicht und die zugehörigen Verfahren zu ihrer Herstellung
DE102014102467B4 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
EP1497855B1 (de) Verfahren zur herstellung einer oder mehrerer einkristalliner schichten mit jeweils unterschiedlicher gitterstruktur in einer ebene einer schichtenfolge
DE102020215006A1 (de) Vertikales Leistungshalbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines vertikalen Leistungshalbleiterbauelements
WO2011051500A1 (de) Verfahren zur herstellung von halbleiterscheiben für die integration von silizium-bauelementen mit hemts sowie eine entsprechende halbleiterschichtanordnung
DE102020123254A1 (de) Halbleitervorrichtung
DE102013211360A1 (de) Halbleiter-Leistungsschalter und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Leistungsschalters
DE112008002818B9 (de) Elektronisches Bauelement mit einem gesteuerten elektrischen Feld und Verfahren
DE102005003127B3 (de) Laterales Halbleiterbauelement mit hoher Spannungsfestigkeit und Verfahren zur Herstellung desselben
EP3435421A1 (de) Verfahren zum herstellen einer vertikalen feldeffekttransistorstruktur und entsprechende vertikale feldeffekttransistorstruktur
DE102008020793A1 (de) Halbleiterbauelement, Vorprodukt und Verfahren zur Herstellung
DE102021204293A1 (de) Vertikaler transistor und verfahren zum herstellen desselben
DE102022209802A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines vertikalen Halbleiterbauelements, sowie ein Halbleiterbauelement

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee