DE102013204566A1 - Substratträger und Halbleiterherstellungsvorrichtung - Google Patents

Substratträger und Halbleiterherstellungsvorrichtung Download PDF

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Abstract

Die Erfindung schaff einen Substratträger zum Tragen eines Substrats beim Ausbilden einer Lage auf einer Oberfläche des Substrats mittels Gasphasenabscheidung nach chemischem Verfahren, wobei der Substratträger ein Graphitmaterial (14) mit einem ausgesparten Abschnitt (14a) zum Aufnehmen des Substrats, eine Mehrschichtlage, die auf dem ausgesparten Abschnitt (14a) ausgebildet ist und die aus einer ersten Entgasungsverhinderungslage (16) aus SiC und aus einer ersten Sublimationsverhinderungslage (18) aus TaC oder HfC, die aufeinander geschichtet sind, besteht, und eine zweite Entgasungsverhinderungslage (20) aus SiC, die auf den von dem ausgesparten Abschnitt (14a) verschiedenen Abschnitten des Graphitmaterials (14) ausgebildet ist, enthält.

Description

  • Die Erfindung betrifft das Gebiet der Halbleitervorrichtungen und insbesondere Substratträger wie etwa Suszeptoren und Substrathalter zur Verwendung in Vorrichtungen für die Gasphasenabscheidung nach chemischem Verfahren zum Bilden einer Lage auf der Oberfläche eines Substrats (z. B. dadurch, dass sie einem Reaktionsgas für eine Reaktion ausgesetzt wird). Außerdem bezieht sich die Erfindung auf eine Halbleiterherstellungsvorrichtung, die mit einem solchen Substratträger versehen ist.
  • JP2006-60195 offenbart einen Substratträger zum Tragen eines Substrats während der Gasphasenabscheidung nach chemischem Verfahren. Der Abschnitt dieses Substratträgers, auf dem das Substrat (oder der Wafer) angebracht wird, ist wenigstens teilweise aus einem Graphitmaterial ausgebildet, das mit einer Tantalcarbidlage (TaC-Lage) bedeckt ist, und der Abschnitt des Substratträgers, der diesen Abschnitt umgibt, ist aus einem Graphitmaterial ausgebildet, das mit einer Siliciumcarbidlage (SiC-Lage) bedeckt ist.
  • Üblicherweise ist das Graphitmaterial eines Substratträgers mit einer SiC-Lage bedeckt, da das Graphitmaterial entgast, Bor freisetzt usw., wenn es freigelegt wird, was die Umgebungsgasatmosphäre um das Substrat ändert. Allerdings ist in einigen Fällen festgestellt worden, dass sich der Abschnitt der SiC-Lage, der mit dem Substrat in Kontakt gebracht worden ist, auf eine hohe Temperatur besonders erwärmt und eine Close-Space-Sublimation durchläuft. Dieses Problem der Close-Space-Sublimation kann dadurch vermieden werden, dass das Graphitmaterial mit einer TaC-Lage mit einem höheren Schmelzpunkt als eine SiC-Lage und mit einer ausgezeichneten Wärmetoleranz und chemischen Stabilität in der Weise bedeckt wird, dass das Substrat mit der TaC-Lage in Kontakt gelangt.
  • Allerdings ist festgestellt worden, dass TaC-Lagen anfällig dafür sind, Risse zu bekommen und sich abzulösen, wobei das darunterliegende Graphitmaterial freigelegt wird. Ferner haften sowohl SiC- als auch TaC-Lagen nicht ausreichend am Graphitmaterial und lösen sich somit wahrscheinlich von dem Graphitmaterial ab. Somit weisen Substratträger des Standes der Technik, die mit diesen Lagen bedeckt sind, das Problem niedriger Haltbarkeit auf.
  • Die Erfindung soll die obigen Probleme lösen.
  • Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, einen Substratträger zu schaffen, der das Umgebungsgas um das Substrat nicht beeinflusst und der eine lange Lebensdauer aufweist.
  • Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch einen Substratträger nach Anspruch 1 oder 6. Weiterbildungen der Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.
  • Gemäß einem Merkmal der Erfindung wird eine mit einem solchen Substratträger versehene Halbleiterherstellungsvorrichtung geschaffen.
  • Die Merkmale und Vorteile der Erfindung können wie folgt zusammengefasst werden.
  • Gemäß einem Aspekt der Erfindung enthält ein Substratträger zum Tragen eines Substrats beim Ausbilden einer Lage auf einer Oberfläche des Substrats mittels Gasphasenabscheidung nach chemischem Verfahren ein Graphitmaterial mit einem ausgesparten Abschnitt zum Aufnehmen des Substrats, eine Mehrschichtlage, die auf dem ausgesparten Abschnitt ausgebildet ist und die aus einer ersten Entgasungsverhinderungslage aus SiC und aus einer ersten Sublimationsverhinderungslage aus TaC oder HfC, die aufeinander geschichtet sind, besteht, und eine zweite Entgasungsverhinderungslage aus SiC, die auf den von dem ausgesparten Abschnitt verschiedenen Abschnitten des Graphitmaterials ausgebildet ist.
  • Gemäß einem anderen Aspekt der Erfindung enthält ein Substratträger zum Tragen eines Substrats beim Ausbilden einer Lage auf einer Oberfläche des Substrats mittels Gasphasenabscheidung nach chemischem Verfahren ein Graphitmaterial mit einem ausgesparten Abschnitt zum Aufnehmen des Substrats und eine Mehrschichtlage, die aus gegebenen Anzahlen abwechselnder Entgasungsverhinderungslagen aus SiC und Sublimationsverhinderungslagen aus TaC oder HfC besteht, wobei die abwechselnden Entgasungsverhinderungslagen und Sublimationsverhinderungslagen aufeinander ausgebildet sind und das Graphitmaterial bedecken.
  • Gemäß einem anderen Aspekt der Erfindung enthält eine Halbleiterherstellungsvorrichtung einen Substratträger zum Tragen eines Substrats beim Ausbilden einer Lage auf einer Oberfläche des Substrats mittels Gasphasenabscheidung nach chemischem Verfahren, wobei der Substratträger ein Graphitmaterial mit einem ausgesparten Abschnitt zum Aufnehmen des Substrats, eine Mehrschichtlage, die auf dem ausgesparten Abschnitt ausgebildet ist und die aus einer ersten Entgasungsverhinderungslage aus SiC und aus einer ersten Sublimationsverhinderungslage aus TaC oder HfC, die aufeinander geschichtet sind, besteht, und eine zweite Entgasungsverhinderungslage aus SiC, die auf den von dem ausgesparten Abschnitt verschiedenen Abschnitten des Graphitmaterials ausgebildet ist, aufweist.
  • Gemäß einem anderen Aspekt der Erfindung enthält eine Halbleiterherstellungsvorrichtung einen Substratträger zum Tragen eines Substrats beim Ausbilden einer Lage auf einer Oberfläche des Substrats mittels Gasphasenabscheidung nach chemischem Verfahren, wobei der Substratträger ein Graphitmaterial mit einem ausgesparten Abschnitt zum Aufnehmen des Substrats und eine Mehrschichtlage, die aus gegebenen Anzahlen abwechselnder Entgasungsverhinderungslagen aus SiC und Sublimationsverhinderungslagen aus TaC oder HfC besteht, wobei die abwechselnden Entgasungsverhinderungslagen und Sublimationsverhinderungslagen aufeinander ausgebildet sind und das Graphitmaterial bedecken, aufweist.
  • Weitere Merkmale und Zweckmäßigkeiten der Erfindung ergeben sich aus der Beschreibung von Ausführungsformen der Erfindung anhand der Figuren. Von den Figuren zeigen:
  • 1 eine Gasphasenabscheidungsvorrichtung in Übereinstimmung mit einer ersten Ausführungsform der Erfindung;
  • 2 eine Änderung des Substratträgers der ersten Ausführungsform;
  • 3 einen Substratträger in Übereinstimmung mit einer zweiten Ausführungsform der Erfindung;
  • 4 einen Substratträger in Übereinstimmung mit einer dritten Ausführungsform der Erfindung;
  • 5 eine Änderung des Substratträgers der dritten Ausführungsform;
  • 6 einen Substratträger in Übereinstimmung mit einer vierten Ausführungsform der Erfindung; und
  • 7 einen Substratträger in Übereinstimmung mit einer fünften Ausführungsform der Erfindung.
  • Erste Ausführungsform
  • 1 zeigt eine Gasphasenabscheidungsvorrichtung (oder Gasphasenepitaxievorrichtung) in Übereinstimmung mit einer ersten Ausführungsform der Erfindung. Die Gasphasenabscheidungsvorrichtung 10 ist mit einem Substratträger 12 versehen. Der Substratträger 12 wird dazu verwendet, ein Substrat zu tragen, wenn auf der Oberfläche des Substrats mittels Gasphasenabscheidung eine Lage ausgebildet wird. Der Substratträger 12 enthält ein Graphitmaterial 14. Das Graphitmaterial 14 weist einen ausgesparten Abschnitt 14a zum Aufnehmen des Substrats auf.
  • Auf dem ausgesparten Abschnitt 14a ist eine erste Entgasungsverhinderungslage 16 aus SiC ausgebildet. Die erste Entgasungsverhinderungslage 16 weist eine Dicke von 100 μm auf. Auf der auf dem ausgesparten Abschnitt 14a angeordneten ersten Entgasungsverhinderungslage 16 ist eine erste Sublimationsverhinderungslage 18 aus TaC oder HfC ausgebildet. Die erste Sublimationsverhinderungslage 18 weist eine Dicke von 30 μm auf. Somit ist auf dem ausgesparten Abschnitt 14a des Graphitmaterials 14 eine Mehrschichtlage ausgebildet, die aus der ersten Entgasungsverhinderungslage 16 und aus der ersten Sublimationsverhinderungslage 18 besteht, die aufeinander geschichtet sind.
  • Auf den von dem ausgesparten Abschnitt 14a verschiedenen Abschnitten des Graphitmaterials 14 ist eine zweite Entgasungsverhinderungslage 20 aus SiC ausgebildet. Die erste Entgasungsverhinderungslage 16 und die zweite Entgasungsverhinderungslage 20 sind einteilig miteinander ausgebildet. Diejenige Oberfläche des Substratträgers 12, die dem ausgesparten Abschnitt 14a gegenüberliegt, ist mit einem dazwischenliegenden Wärmedämmmaterial 22 an einem Befestigungselement 24 befestigt. Außerhalb des Befestigungselements 24 ist eine HF-Spule 26 bereitgestellt.
  • Über dem Substratträger 12 ist ein Graphitmaterial 30 bereitgestellt, wobei zwischen dem Graphitmaterial 30 und dem Substratträger 12 ein Strömungsweg für Reaktionsgas definiert ist. Das Graphitmaterial 30 ist mit einem dazwischen liegenden Wärmedämmmaterial 32 an einem Befestigungselement 34 befestigt. Über dem Befestigungselement 34 ist eine HF-Spule 36 bereitgestellt.
  • Es wird ein Herstellungsverfahren für den Substratträger 12 beschrieben. Zunächst wird auf der gesamten Oberfläche des Graphitmaterials 14 mit dem ausgesparten Abschnitt 14a SiC abgelagert. Dadurch werden auf dem Graphitmaterial 14 die erste Entgasungsverhinderungslage 16 und die zweite Entgasungsverhinderungslage 20 ausgebildet. Nachfolgend wird ein aus Graphitmaterial ausgebildetes Maskierungselement verwendet, um die von dem Entgasungsabschnitt 14a verschiedenen Abschnitte des Substratträgers zu bedecken. In diesem Zustand wird auf dem ausgesparten Abschnitt 14a die erste Sublimationsverhinderungslage 18 aus TaC oder HfC ausgebildet. Schließlich wird das Maskenglied abgezogen.
  • Es wird ein Ablagerungsverfahren (oder Lagenausbildungsverfahren) unter Verwendung der Gasphasenabscheidungsvorrichtung 10 beschrieben. Zunächst wird in dem ausgesparten Abschnitt 14a ein SiC-Substrat angebracht. Nachfolgend werden der Substratträger 12 und das Graphitmaterial 30 mittels HF-Heizung unter Verwendung der HF-Spulen 26 und 36 auf 1400°C oder mehr erwärmt. Daraufhin wird eine Strömung eines Materialgases und eines Trägergases in Richtung des Pfeils aus 1 bewirkt. Das Materialgas ist SiH4-Gas oder C3H8-Gas. Das Trägergas ist H2-Gas. Im Ergebnis zersetzt sich das Materialgas auf dem SiC-Substrat, sodass auf dem SiC-Substrat ein SiC-Halbleiterkristall aufwachsen gelassen wird.
  • Wenn in dem ausgesparten Abschnitt 14a des Substratträgers 12 der ersten Ausführungsform ein SiC-Substrat angebracht ist, steht das SiC-Substrat in Kontakt mit der ersten Sublimationsverhinderungslage 18 aus TaC oder HfC, die nicht zur Close-Space-Sublimation neigt. Falls das SiC-Substrat wie im Stand der Technik mit der ersten Entgasungsverhinderungslage 16 in Kontakt steht, könnte die erste Entgasungsverhinderungslage 16 eine Close-Space-Sublimation durchlaufen.
  • Es wird angemerkt, dass TaC-Lagen und HfC-Lagen dazu neigen, Risse zu bekommen oder sich abzulösen. Allerdings ist der Substratträger 12 der ersten Ausführungsform in der Weise konfiguriert, dass unter der ersten Sublimationsverhinderungslage 18 aus TaC oder HfC die erste Entgasungsverhinderungslage 16 aus SiC liegt, sodass das Graphitmaterial 14 selbst dann nicht freigelegt wird, wenn die erste Sublimationsverhinderungslage 18 Risse bekommt. Im Ergebnis kann das Entgasen des Graphitmaterials 14 verhindert werden. Ferner ist der Grad der Haftung zwischen einer Lage aus TaC oder HfC wie etwa der ersten Sublimationsverhinderungslage 18 und einer Lage aus SiC wie etwa der ersten Entgasungsverhinderungslage 16 höher als der zwischen einer Lage aus TaC oder HfC und einem Graphitmaterial, sodass ein Ablösen der auf der ersten Entgasungsverhinderungslage 16 ausgebildeten ersten Sublimationsverhinderungslage 18 verhindert werden kann.
  • TaC-Lagen und HfC-Lagen verhindern wirksam das Problem der Close-Space-Sublimation. Allerdings kann sich die abgelagerte SiC-Lage selbst von ihnen lösen und in Partikel zerfallen, da diese Lagen einen anderen Wärmeausdehnungskoeffizienten als die auf ihnen abgelagerte SiC-Lage aufweisen. Um dieses Problem zu vermeiden, ist der Substratträger 12 der ersten Ausführungsform in der Weise konfiguriert, dass die zweite Entgasungsverhinderungslage 20 aus SiC bis auf den über dem ausgesparten Abschnitt 14a liegenden Abschnitt auf der Oberfläche des Substratträgers 12 freiliegt, sodass die Menge der erzeugten Partikel verringert werden kann.
  • Wie oben beschrieben wurde, ermöglicht die erste Ausführungsform, die Close-Space-Sublimation, das Freilegen des Graphitmaterials und die Erzeugung von Partikeln in dem Substratträger zu verhindern, sodass der Substratträger das Umgebungsgas um das Substrat nicht beeinflusst, wodurch eine hochwertige Gasphasenabscheidung sichergestellt wird und der Substratträger eine erhöhte Lebensdauer aufweist.
  • An dem Substratträger 12 der ersten Ausführungsform können verschiedene Änderungen vorgenommen werden, während die obigen Merkmale erhalten bleiben. Zum Beispiel sind die Dicken der ersten Entgasungsverhinderungslage 16, der ersten Sublimationsverhinderungslage 18 und der zweiten Entgasungsverhinderungslage 20 und die durch die HF-Spulen 26 und 36 bereitgestellte Erwärmungstemperatur nicht auf die oben gegebenen spezifischen Werte beschränkt.
  • 2 zeigt eine Änderung des Substratträgers der ersten Ausführungsform. Wie in dem Substratträger der ersten Ausführungsform bedeckt die erste Sublimationsverhinderungslage 18 aus TaC oder HfC die erste Entgasungsverhinderungslage 16 auf dem ausgesparten Abschnitt 14a dieses Substratträgers und liegt sie zur Umgebungsatmosphäre frei. Außerdem bedeckt ein Erweiterungsabschnitt 18a der ersten Sublimationsverhinderungslage 18 auf den von dem ausgesparten Abschnitt 14a verschiedenen Abschnitten des Substratträgers die zweite Entgasungsverhinderungslage 20, wobei er zur Umgebungsatmosphäre freiliegt. Der Erweiterungsabschnitt 18a, der ebenfalls aus TaC oder HfC ausgebildet ist, haftet ausreichend an der zweiten Entgasungsverhinderungslage 20 aus SiC, sodass es unwahrscheinlich ist, dass er sich von der zweiten Entgasungsverhinderungslage 20 ablöst. Die Konstruktion dieses Substratträgers beseitigt die Notwendigkeit des oben beschriebenen Maskenelements, das in dem Herstellungsprozess verwendet wird, sodass der Herstellungsprozess vereinfacht werden kann.
  • Zweite Ausführungsform
  • 3 zeigt einen Substratträger in Übereinstimmung mit einer zweiten Ausführungsform der Erfindung. Andere Komponenten der zweiten Ausführungsform sind dieselben wie jene der ersten Ausführungsform und werden hier nicht beschrieben. Der Substratträger der zweiten Ausführungsform ist dadurch charakterisiert, dass auf dem Erweiterungsabschnitt 18a der ersten Sublimationsverhinderungslage 18 eine dritte Entgasungsverhinderungslage 38 aus SiC ausgebildet ist. Da die dritte Entgasungsverhinderungslage 38 auf dem ausgesparten Abschnitt 14a nicht ausgebildet ist, liegt die erste Sublimationsverhinderungslage 18 bei der Oberfläche des ausgesparten Abschnitts 14a frei.
  • Somit bedeckt die dritte Entgasungsverhinderungslage 38 in Übereinstimmung mit der zweiten Ausführungsform die von dem ausgesparten Abschnitt 14a verschiedenen Abschnitte des Substratträgers 12 (d. h., bedeckt sie den Erweiterungsabschnitt 18a), wodurch die Erzeugung von Partikeln aus dem abgelagerten SiC-Material minimiert wird.
  • Dritte Ausführungsform
  • 4 zeigt einen Substratträger in Übereinstimmung mit einer dritten Ausführungsform der Erfindung. Andere Komponenten der dritten Ausführungsform sind dieselben wie jene der ersten Ausführungsform und werden hier nicht beschrieben. In diesem Substratträger der dritten Ausführungsform sind die relativen vertikalen Positionen der ersten Entgasungsverhinderungslage 16 und der ersten Sublimationsverhinderungslage 18, die über dem ausgesparten Abschnitt 14a liegen, gegenüber jenen in dem Substratträger aus 1 umgekehrt. Genauer liegt die erste Entgasungsverhinderungslage 16 auf der ersten Sublimationsverhinderungslage 18. Ferner verläuft der Erweiterungsabschnitt 18a der ersten Sublimationsverhinderungslage 18 entlang und zwischen der zweiten Entgasungsverhinderungslage 20 und dem Graphitmaterial 14 und bedeckt somit das Graphitmaterial 14. Die erste Sublimationsverhinderungslage 18 weist eine Dicke von 30 μm auf. Die erste Entgasungsverhinderungslage 16 und die zweite Entgasungsverhinderungslage 20 weisen eine Dicke von 100 μm auf.
  • Wenn ein SiC-Substrat in dem ausgesparten Abschnitt 14a angebracht ist, steht die erste Entgasungsverhinderungslage 16 aus SiC in Kontakt mit dem SiC-Substrat und kann somit eine Close-Space-Sublimation durchlaufen. Falls ein Abschnitt der ersten Entgasungsverhinderungslage 16 eine Close-Space-Sublimation durchläuft, wird die darunterliegende erste Sublimationsverhinderungslage 18 durch diesen Abschnitt freigelegt. Allerdings wird selbst im Extremfall nur derjenige Abschnitt der ersten Sublimationsverhinderungslage 18, der direkt unter dem SiC-Substrat liegt, freigelegt, wobei der verbleibende Abschnitt der ersten Sublimationsverhinderungslage 18 durch die erste Entgasungsverhinderungslage 16 und durch die zweite Entgasungsverhinderungslage 20, die zur Umgebungsatmosphäre freiliegen, bedeckt ist. Somit kann die Erzeugung von Partikeln aus dem auf der ersten Sublimationsverhinderungslage 18 aus TaC oder HfC abgelagerten Material minimiert werden.
  • Ferner haftet im Fall der von dem ausgesparten Abschnitt 14a verschiedenen Abschnitte des Substratträgers die zweite Entgasungsverhinderungslage 20 aus SiC an dem auf den Abschnitten ausgebildeten Erweiterungsabschnitt 18a aus TaC oder HfC, sodass sich die zweite Entgasungsverhinderungslage 20 nicht ablöst.
  • 5 zeigt einen Substratträger der dritten Ausführungsform. Dieser Substratträger unterscheidet sich von dem in 4 gezeigten dadurch, dass die erste Entgasungsverhinderungslage auf der auf dem ausgesparten Abschnitt 14a liegenden ersten Sublimationsverhinderungslage 18 nicht ausgebildet ist. Somit liegt die erste Sublimationsverhinderungslage 18 in dem Substratträger aus 5 auf dem ausgesparten Abschnitt 14a zur Umgebungsatmosphäre frei, wodurch eine Close-Space-Sublimation vermieden wird. Ferner dient die zweite Entgasungsverhinderungslage 20 aus SiC dazu zu verhindern, dass das Graphitmaterial 14 in den von dem ausgesparten Abschnitt 14a verschiedenen Abschnitten des Substratträgers freigelegt wird. Ferner haftet die zweite Entgasungsverhinderungslage 20 aus SiC an dem auf den von dem ausgesparten Abschnitt 14a verschiedenen Abschnitten des Substratträgers ausgebildeten Erweiterungsabschnitt 18a aus TaC oder HfC, sodass sich die zweite Entgasungsverhinderungslage 20 nicht ablöst.
  • Vierte Ausführungsform
  • 6 zeigt einen Substratträger in Übereinstimmung mit einer vierten Ausführungsform der Erfindung. Andere Komponenten der vierten Ausführungsform sind dieselben wie jene der ersten Ausführungsform und werden hier nicht beschrieben. Der in 6 gezeigte Substratträger unterscheidet sich von dem in 4 Gezeigten dadurch, dass auf der auf dem ausgesparten Abschnitt 14a liegenden ersten Entgasungsverhinderungslage 16 eine zweite Sublimationsverhinderungslage 40 aus TaC oder HfC ausgebildet ist.
  • Somit ist die zweite Sublimationsverhinderungslage 40 in der Weise ausgebildet, dass sie den ausgesparten Abschnitt 14a bedeckt, wodurch eine Close-Space-Sublimation verhindert wird. Es wird angemerkt, dass die zweite Sublimationsverhinderungslage 40 Risse bekommen oder sich ablösen kann, da TaC-Lagen und HfC-Lagen wie oben angemerkt dazu neigen, Risse zu bekommen oder sich abzulösen. Falls die zweite Sublimationsverhinderungslage 40 Risse bekommt oder sich ablöst, wird die darunterliegende erste Entgasungsverhinderungslage 16 aus SiC freigelegt. Die freigelegte erste Entgasungsverhinderungslage 16 kann eine Close-Space-Sublimation durchlaufen. Allerdings dient selbst in solchen Fällen die unter der ersten Entgasungsverhinderungslage 16 liegende erste Sublimationsverhinderungslage 18 dazu zu verhindern, dass das Graphitmaterial 14 freigesetzt wird.
  • Fünfte Ausführungsform
  • 7 zeigt einen Substratträger in Übereinstimmung mit einer fünften Ausführungsform der Erfindung. Andere Komponenten der fünften Ausführungsform sind dieselben wie jene der ersten Ausführungsform und werden hier nicht beschrieben. Der in 7 gezeigte Substratträger ist mit einer Mehrschichtlage 58 versehen, die aus gegebenen Anzahlen abwechselnder Entgasungsverhinderungslagen aus SiC und Sublimationsverhinderungslagen aus TaC oder HfC besteht. Diese abwechselnden Verhinderungslagen sind aufeinander geschichtet und bedecken das Graphitmaterial 14.
  • In der fünften Ausführungsform enthält die Mehrschichtlage 58 eine Entgasungsverhinderungslage 50, eine Sublimationsverhinderungslage 52, eine Entgasungsverhinderungslage 54 und eine Sublimationsverhinderungslage 56, die in dieser Reihenfolge aufeinander auf dem Graphitmaterial 14 ausgebildet sind. Die Entgasungsverhinderungslagen 50 und 54 weisen Dicken von 40 μm auf. Die Sublimationsverhinderungslagen 52 und 56 weisen Dicken von 10 μm auf.
  • Somit bildet die Sublimationsverhinderungslage 56 die oberste Oberflächenschicht der Mehrschichtlage 58 und verhindert dadurch die Close-Space-Sublimation auf dem ausgesparten Abschnitt 14a. Ferner verbessert die Mehrschichtlagenstruktur des Substratträgers die Verhinderung des Ablösens von Lagen und ermöglicht sie dadurch, die Lebensdauer des Substratträgers zu erhöhen. Es wird angemerkt, dass die in der ersten bis fünften Ausführungsform beschriebenen Substratträger als Komponenten verschiedener Halbleiterherstellungsvorrichtungen verwendet werden können.
  • Die Merkmale und Vorteile der Erfindung können wie folgt zusammengefasst werden. Da die Substratträger der Erfindung als ein Graphitmaterial konfiguriert sind, das wenigstens teilweise mit einer Mehrschichtlage bedeckt ist, beeinflussen sie nicht das Umgebungsgas um das darauf angebrachte Substrat und weisen sie eine lange Lebensdauer auf.
  • Die gesamte Offenbarung der JP2012-129717 , eingereicht am 7. Juni 2012, einschließlich Beschreibung, Ansprüchen, Zeichnungen und Zusammenfassung, auf der die Priorität der vorliegenden Anmeldung beruht, ist hier in ihrer Gesamtheit durch Bezugnahme mit aufgenommen.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2006-60195 [0002]
    • JP 2012-129717 [0046]

Claims (7)

  1. Substratträger zum Tragen eines Substrats beim Ausbilden einer Lage auf einer Oberfläche des Substrats mittels Gasphasenabscheidung nach chemischem Verfahren, wobei der Substratträger umfasst: ein Graphitmaterial (14) mit einem ausgesparten Abschnitt (14a) zum Aufnehmen des Substrats; eine Mehrschichtlage, die auf dem ausgesparten Abschnitt (14a) ausgebildet ist und die aus einer ersten Entgasungsverhinderungslage (16) aus SiC und aus einer ersten Sublimationsverhinderungslage (18) aus TaC oder HfC, die aufeinander geschichtet sind, besteht; und eine zweite Entgasungsverhinderungslage (20) aus SiC, die auf den von dem ausgesparten Abschnitt (14a) verschiedenen Abschnitten des Graphitmaterials (14) ausgebildet ist.
  2. Substratträger nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Sublimationsverhinderungslage (18) auf der ersten Entgasungsverhinderungslage (16) liegt.
  3. Substratträger nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Sublimationsverhinderungslage (18) einen Erweiterungsabschnitt (18a) aufweist, der die zweite Entgasungsverhinderungslage (20) bedeckt; und auf dem Erweiterungsabschnitt (18a) eine dritte Entgasungsverhinderungslage (38) aus SiC ausgebildet ist.
  4. Substratträger nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Entgasungsverhinderungslage (16) auf der ersten Sublimationsverhinderungslage (18) liegt; und ein Abschnitt der ersten Sublimationsverhinderungslage (18) zwischen der zweiten Entgasungsverhinderungslage (20) und dem Graphitmaterial (14) ausgebildet ist.
  5. Substratträger nach Anspruch 4, gekennzeichnet durch eine zweite Sublimationsverhinderungslage (40) aus TaC oder HfC, die auf der auf dem ausgesparten Abschnitt (14a) liegenden ersten Entgasungsverhinderungslage (16) ausgebildet ist.
  6. Substratträger zum Tragen eines Substrats beim Ausbilden einer Lage auf einer Oberfläche des Substrats mittels Gasphasenabscheidung nach chemischem Verfahren, wobei der Substratträger umfasst: ein Graphitmaterial (14) mit einem ausgesparten Abschnitt (14a) zum Aufnehmen des Substrats; und eine Mehrschichtlage (58), die aus gegebenen Anzahlen abwechselnder Entgasungsverhinderungslagen (50, 54) aus SiC und Sublimationsverhinderungslagen (52, 56) aus TaC oder HfC besteht, wobei die abwechselnden Entgasungsverhinderungslagen (50, 54) und Sublimationsverhinderungslagen (52, 56) aufeinander ausgebildet sind und das Graphitmaterial (14) bedecken.
  7. Halbleiterherstellungsvorrichtung, dadurch gekennzeichnet, dass sie den Substratträger nach einem der Ansprüche 1 bis 6 umfasst.
DE102013204566.2A 2012-06-07 2013-03-15 Substratträger und Halbleiterherstellungsvorrichtung Active DE102013204566B4 (de)

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