JP5087983B2 - 炭化珪素半導体結晶膜形成装置および炭化珪素半導体結晶膜形成方法 - Google Patents
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Description
図1は、実施の形態1にかかる半導体結晶膜形成装置の構造を示す説明図である。また、図2は、図1に示す半導体結晶膜形成装置の線分A−A’に沿った断面を示す断面図である。図1に示す半導体結晶膜形成装置10は、コイル1、ホットウォール2、断熱材3、石英管4によって構成されている。半導体結晶膜形成装置10で半導体結晶膜を形成する場合は、ホットウォール2の上にウエハー6を載せて、コイル1に電流を流し、ホットウォール2を誘導加熱する。この場合、ホットウォールはサセプタを兼ねている。ホットウォールとは別にサセプタを設けてもよい。そして、石英管4の中に反応ガス5を導入して、ウエハー6のおもて面に半導体結晶膜をエピタキシャル成長させる。
図5は、実施の形態2にかかる半導体結晶膜形成装置の構造を示す説明図である。また、図6は、図5に示す半導体結晶膜形成装置の線分B−B’に沿った断面を示す断面図である。また、図7は、図6に示す断面図の領域Cを拡大した説明図である。図5に示す半導体結晶膜形成装置20は、図1に示す半導体結晶膜形成装置10と同様に、コイル1、ホットウォール2、断熱材3、石英管4によって構成されている。また、ホットウォール2の側面は、炭化タンタルでコーティングされたTaCグラファイト板8で覆われている。
2 ホットウォール
3 断熱材
4 石英管
5 反応ガス
6 ウエハー
7 炭化タンタルコート
8 TaCグラファイト板
9 SiCグラファイト板
10,20 半導体結晶膜形成装置
Claims (6)
- コイルによって誘導加熱されるホットウォールによって囲まれるガス流路内にガスを供給して当該ガス流路内に置かれたウエハーの表面に炭化珪素半導体結晶膜を形成する炭化珪素半導体結晶膜形成装置であって、
前記ホットウォールはグラファイトで形成されており、
前記ホットウォールの内壁面のうち、前記ウエハーが設置される面および前記ウエハーのおもて面と対向する面以外の面は、炭化タンタルで被覆されており、前記ウエハーが設置される面および前記ウエハーのおもて面と対向する面は、前記炭化タンタルで被覆されていないことを特徴とする炭化珪素半導体結晶膜形成装置。 - コイルによって誘導加熱されるホットウォールによって囲まれるガス流路内にガスを供給して当該ガス流路内に置かれたウエハーの表面に炭化珪素半導体結晶膜を形成する炭化珪素半導体結晶膜形成装置であって、
前記ホットウォールはグラファイトで形成されており、
前記ホットウォールの内壁面のうち、前記ウエハーが設置される面および前記ウエハーのおもて面と対向する面以外の面は、グラファイトで形成され炭化タンタルで被覆された板状部材が設置されており、前記ウエハーが設置される面および前記ウエハーのおもて面と対向する面は、前記板状部材が設置されていないことを特徴とする炭化珪素半導体結晶膜形成装置。 - 前記ホットウォールの内壁面のうち、前記ウエハーが設置される面および前記ウエハーのおもて面と対向する面は、グラファイトで形成され炭化珪素で被覆された板状部材または炭化珪素からなる板状部材が設置されていることを特徴とする請求項1または2に記載の炭化珪素半導体結晶膜形成装置。
- コイルによって誘導加熱されるホットウォールによって囲まれるガス流路内にガスを供給して当該ガス流路内に置かれたウエハーの表面に炭化珪素半導体結晶膜を形成する炭化珪素半導体結晶膜形成装置であって、
グラファイトで形成され炭化珪素で被覆された前記ウエハーを設置するための板状部材を備え、
前記ホットウォールはグラファイトで形成されており、
前記ホットウォールの内壁面のうち、前記ウエハーが設置された板状部材と平行な面には、グラファイトで形成され炭化珪素で被覆された板状部材または炭化珪素からなる板状部材が設置されており、
前記ホットウォールの内壁面のうち、前記ウエハーが設置された板状部材と平行な面以外の面には、グラファイトで形成され炭化タンタルで被覆された板状部材が設置されていることを特徴とする炭化珪素半導体結晶膜形成装置。 - 前記ウエハーを設置するための板状部材が複数設けられていることを特徴とする請求項4に記載の炭化珪素半導体結晶膜形成装置。
- コイルによって誘導加熱されるホットウォールによって囲まれるガス流路内にガスを供給して当該ガス流路内に置かれたウエハーの表面に炭化珪素半導体結晶膜を形成する炭化珪素半導体結晶膜形成方法であって、
前記ホットウォールはグラファイトで形成されており、
前記ホットウォールの内壁面のうち、前記ウエハーが設置される面および前記ウエハーのおもて面と対向する面以外の面は、炭化タンタルで被覆されており、前記ウエハーが設置される面および前記ウエハーのおもて面と対向する面は、前記炭化タンタルで被覆されておらず、
前記ホットウォール内にガスを供給して前記ウエハーの表面に炭化珪素半導体結晶膜を形成することを特徴とする炭化珪素半導体結晶膜形成方法。
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