DE102009010373A1 - Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung desselben - Google Patents

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Abstract

Es werden ein Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper und ein Verfahren zur Herstellung desselben angegeben. Der Halbleiterkörper weist Driftzonen aus epitaktisch gewachsenem Halbleitermaterial mit einem ersten Leitungstyp auf. Ferner weist der Halbleiterkörper Ladungskompensationszonen mit einem zum ersten Leitungstyp komplementären zweiten Leitungstyp auf, die lateral benachbart zu den Driftzonen angeordnet sind. Die Ladungskompensationszonen weisen eine lateral begrenzte Ladungskompensationszonendotierung auf, die in das epitaktisch gewachsene Halbleitermaterial eingebracht ist. Das epitaktisch gewachsene Halbleitermaterial weist 20 Atom-% bis 80 Atom-% des Dotierstoffes der Driftzonen und einen über Ionenimplantation und Diffusion eingebauten Dotierstoffrest zwischen 80 Atom-% und 20 Atom-% auf.

Description

  • Die Anmeldung betrifft ein Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper und ein Verfahren zur Herstellung desselben. Der Halbleiterkörper weist Driftzonen aus epitaktisch gewachsenem Halbleitermaterial mit einem ersten Leitungstyp auf. Ferner weist der Halbleiterkörper Ladungskompensationszonen mit einem zum ersten Leitungstyp komplementären zweiten Leitungstyp auf, die lateral benachbart zu den Driftzonen angeordnet sind. Die Ladungskompensationszonen weisen dazu eine lateral begrenzte Ladungskompensationszonendotierung auf, die in das epitaktisch gewachsene Halbleitermaterial eingebracht ist.
  • Bei einem derartigen Ladungskompensationsbauelement soll ein möglichst niedriger Einschaltwiderstand erreicht werden. Um einen derartigen Einschaltwiderstand weiter zu senken, ist es erforderlich, dass das Dotierstoffniveau der Driftzonen weiter angehoben wird. Dabei muss jedoch aufgrund des Kompensationsprinzips die Dotierung der Ladungskompensationszonen in gleicher Weise erhöht werden. Um trotz einer derartigen Erhöhung des Dotierstoffniveaus sowohl in den Driftzonen als auch in den Ladungskompensationszonen ein vollständiges Ausräumen von Ladungsträger aus den Driftzonen in der Sperrphase des Halbleiterbauelements zu gewährleisten, muss gleichzeitig die geometrische Periode in Form der Schrittweite der Ladungskompensationszonen bzw. auch der Driftzonen weiter verkleinert werden. Mit anderen Worten darf die in horizontaler Richtung aufintegrierte Dotierstoffkonzentration pro Flächeneinheit nicht größer sein als die doppelte Durchbruchsladung. Unter Durchbruchsladung wird die Ladungsträgermenge (Dotierstoffkonzentrationsmenge) pro Flächeneinheit verstanden, die ausgehend von einem pn-Übergang bei Anliegen der Durchbruchsfeldstärke ausgeräumt wird. Da das Ausräumen der Kompensationsgebiete von beiden Seiten her erfolgt, ist die Forderung nach Ausräumbarkeit der Gebiete äquivalent zur Forderung, dass die in horizontaler Richtung aufintegrierte Dotierstoffkonzentration pro Flächeneinheit nicht größer sein darf, als die doppelte Durchbruchsladung. Diese Bedingung müssen sowohl die Kompensationsgebiete als auch die Driftzonen erfüllen. Die Durchbruchsladung ist wie auch die Durchbruchsfeldstärke abhängig von der Dotierstoffkonzentration und liegt für Silizium zwischen 1 × 1012 cm–2 bei niedriger Dotierung und 3 × 1012 cm–2 bei hoher Dotierung.
  • Durch eine so genannte Trenchtechnologie, bei der die Ladungskompensationszonen und/oder die Driftzonen in Grabenstrukturen angeordnet werden, können theoretisch zwar äußerst geringe Schrittweiten erreicht werden, jedoch hat sich diese Technologie bisher am Markt nicht durchgesetzt, sodass zur Realisierung derartiger Halbleiterbauelemente das Konzept der Multiepitaxie eingesetzt wird. Bei der Multiepitaxie werden Epitaxiewachstumsphasen mit dazwischen vorgesehenen unmaskierten großflächigen und maskierten selektiven Implantationsschritten für Dotierstoffe vorgesehen. Dabei wird aus Kostengründen die Zahl der Epitaxiewachstumsphasen begrenzt.
  • Die mittels maskierter bzw. selektiver Ionenimplantation eingebrachten, vorzugsweise mit Bor dotierten komplementär leitenden Bereiche für die Ladungskompensationszonen müssen durch die endlich dicken Epitaxiewachstumsphasen zusammendiffundieren. Damit ist jedoch unausweichlich eine starke Verbreiterung der Säulen oder Streifen aus Ladungskompensations zonenmaterial verbunden. Um die durch die laterale Diffusion verursachte problematische Verbreitung zu mindern, können in der Epitaxiewachstumsphase auch undotierte Epitaxieschichten aufgewachsen werden und dann nacheinander durch Ionenimplantation sowohl Dotierstoffe des ersten Leitungstyps als auch Dotierstoffe des komplementären zweiten Leitungstyp zwischen den einzelnen Epitaxiewachstumsphasen oberflächennah eingebracht werden, sodass die Verbreiterung durch die laterale Ausdiffusion während des Zusammendiffundierens der Ladungskompensationszonen durch eine vergleichsweise hohe benachbarte n-Dotierung der Driftzonen deutlich eingegrenzt werden kann.
  • Jedoch entstehen während der Epitaxiewachstumsphase zunächst hochohmige nicht dotierte Epitaxieschichten, wodurch der Einschaltwiderstand in den Driftzonen nicht beliebig vermindert werden kann. Ein derartiger Nachteil dieser Technologie, bei dem die n-Dotierung in der Mitte der Epitaxiewachstumsphase relativ niedrig ist, kann nur dadurch ausgeglichen werden, dass das generelle implantierte Dotierstoffniveau bei dieser Technologie angehoben wird, um damit den Einschaltwiderstand wieder abzusenken. Ein hohes Dotierstoffniveau bedeutet jedoch automatisch erschwerte Fertigbarkeit, da die Durchbruchspannung eine starke Abhängigkeit von Fehldotierungen aufweist. Je höher das Dotierniveau ist, desto höher sind die Schwankungen des Dotierniveaus und desto schwieriger ist das zuverlässige Erreichen der benötigten Durchbruchspannung.
  • Aufgabe der Erfindung ist es, ein Halbleiterbauelement und ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements anzugeben, die die genannten Nachteile des Standes der Technik überwinden.
  • Diese Aufgabe wird mit dem Gegenstand der unabhängigen Ansprüche gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen.
  • Eine Ausführungsform der Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper. Der Halbleiterkörper weist Driftzonen aus epitaktisch gewachsenem Halbleitermaterial mit einem ersten Leitungstyp auf. Ferner weist der Halbleiterkörper Ladungskompensationszonen mit einem zum ersten Leitungstyp komplementären zweiten Leitungstyp auf, die lateral benachbart zu den Driftzonen angeordnet sind. Dabei weisen die Ladungskompensationszonen eine lateral begrenzte Ladungskompensationszonendotierung auf, die in das epitaktisch gewachsene Halbleitermaterial eingebracht ist. Das epitaktisch gewachsene Halbleitermaterial weist 20 Atom-% bis 80 Atom-% des Dotierstoffes der Driftzonen und einen über Innenimplantation und Diffusion eingebauten Dotierstoffrest zwischen 80 Atom-% und 20 Atom-% auf.
  • Ausführungsformen der Erfindung werden nun mit Bezug auf die beigefügten Figuren beschrieben.
  • 1 bis 8 zeigen die Herstellungsschritte für ein Halbleiterbauelement einer ersten Ausführungsform der Erfindung;
  • 1 zeigt einen schematischen Querschnitt durch einen Halbleiterwafer;
  • 2 zeigt einen schematischen Querschnitt durch den Halbleiterwafer gemäß 1 nach Durchführung einer ersten Epitaxiewachstumsphase unter homogener Dotierung der Epitaxieschicht;
  • 3 zeigt einen schematischen Querschnitt durch den Halbleiterwafer gemäß 2 nach großflächiger unmaskierter Ionenimplantation eines Dotierstoffrestes für einen ersten Leitungstyp;
  • 4 zeigt einen schematischen Querschnitt durch den Halbleiterwafer gemäß 3 nach maskierter selektiver Ionenimplantation eines komplementär leitenden zweiten Leitungstyps;
  • 5 zeigt einen schematischen Querschnitt durch den Halbleiterwafer gemäß 4 nach einer zweiten Epitaxiewachstumsphase und einer großflächigen unmaskierter Ionenimplantation eines Dotierstoffrestes des ersten Leitungstyps;
  • 6 zeigt einen schematischen Querschnitt durch den Halbleiterwafer gemäß 5 nach maskierter selektiver Ionenimplantation eines Dotierstoffes mit komplementär leitendem zweiten Leitungstyp;
  • 7 zeigt einen schematischen Querschnitt durch einen Teilbereich des Halbleiterwafers nach Durchführung von sechs Epitaxiewachstumsphasen;
  • 8 zeigt einen schematischen Querschnitt durch den Teilbereich gemäß 7 nach Zusammendiffusion der implantierten Ladungskompensationszonendotierungen zu einer säulen- oder streifenförmigen Ladungskompensationszone;
  • 9 zeigt ein schematisches Diagramm mit einem Konzentrationsverlauf des Dotierstoffes des ersten Leitungstyps in einer Driftzone;
  • 10 bis 18 zeigen Herstellungsschritte für ein Halbleiterbauelement einer weiteren Ausführungsform der Erfindung;
  • 10 zeigt einen schematischen Querschnitt durch einen Halbleiterwafer;
  • 11 zeigt einen schematischen Querschnitt durch den Halbleiterwafer gemäß 10 nach Durchführung einer ersten Epitaxiewachstumsphase unter inhomogener Dotierung der Epitaxieschicht;
  • 12 zeigt einen schematischen Querschnitt durch einen Halbleiterwafer gemäß 11 nach großflächiger unmaskierter Ionenimplantation eines Dotierstoffrestes für einen ersten Leitungstyp;
  • 13 zeigt einen schematischen Querschnitt durch den Halbleiterwafer gemäß 12 nach maskierter selektiver Ionenimplantation eines Dotierstoffes für einen komplementären zweiten Leitungstyp;
  • 14 zeigt einen schematischen Querschnitt durch den Halbleiterwafer gemäß 13 nach einer zweiten Epitaxiewachstumsphase und einer großflächigen unmaskierten Ionenimplantation eines Dotierstoffrestes des ersten Leitungstyps;
  • 15 zeigt einen schematischen Querschnitt durch den Halbleiterwafer gemäß 14 nach maskierter selektiver Ionenimplantation eines Dotierstoffs eines komplementären zweiten Leitungstyps;
  • 16 zeigt einen schematischen Querschnitt durch einen Teilbereich des Halbleiterwafers nach Durchführung von sechs Epitaxiewachstumsphasen;
  • 17 zeigt einen schematischen Querschnitt durch den Teilbereich gemäß 16 nach Zusammendiffusion der implantierten Ladungskompensationszonendotierungen zu einer säulen- oder streifenförmigen Ladungskompensationszone;
  • 18 zeigt eine schematisches Diagramm mit weiter verminderten Konzentrationsschwankungen der Ladungsträgerkonzentrationen in der Driftzone;
  • 19 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein Halbleiterbauelement gemäß einer Ausführungsform der Erfindung.
  • 1 zeigt einen schematischen Querschnitt durch einen Halbleiterwafer 16, der als Halbleitersubstrat 17 für eine Mehrzahl von Halbleiterbauelementen dienen kann. Dieser Halbleiterwafer 16 kann beispielsweise für die Herstellung von MOSFET-Leistungstransistoren mit Kompensationsstruktur zunächst mit einem Dotierstoff für einen ersten Leitungstyp hochdotiert und damit n+-leitend sein. Als Dotierstoffe können dazu Arsen oder Phosphor während der Einkristallzucht in Konzentrationen zwischen 5 × 1018 cm–3 und 5 × 1020 cm–3 eingebracht oder durch entsprechenden Neutronenbeschuss im Kris tall generiert werden. Auf der chemomechanisch spiegelblank polierten Oberseite 20 wird in einer ersten Epitaxiewachstumsphase eine erste Epitaxieschicht abgeschieden.
  • 2 zeigt einen schematischen Querschnitt durch den Halbleiterwafer 16 gemäß 1 nach Durchführung einer ersten Epitaxiewachstumsphase. Während dieser Epitaxiewachstumsphase wird eine Dicke d von n-leitendem Silizium monokristallin aufgewachsen, wobei in dieser ersten Ausführungsform der Erfindung in diese Epitaxieschicht 20 Atom-% bis 80 Atom-% des Dotierstoffs für Driftzonen homogen verteilt eingebracht werden. Eine fehlende Restdotierstoffmenge zwischen 80 Atom-% bis 20 Atom-% kann dann mittels einer Ionenimplantation oberflächennah eingebracht werden, um die Verbreiterung der Kompensationsgebiete durch die laterale Diffusion der komplementär leitenden Dotierstoffe für Ladungskompensationszonen einzugrenzen.
  • Durch diese homogene Vordotierung, die jedoch nur 20 Atom-% bis 80 Atom-% der Dotierstoffe der Driftzonen aufweist, kann der Nachteil eines relativ hohen Widerstands im Mittenbereich der Epitaxiewachstumsphase, wie er bei Multiepitaxietechniken mit undotierten Epitaxiewachstumsphasen auftritt, vermieden werden. Bei Multiepitaxietechniken wird oft eine undotierte Epitaxie aufgebracht und anschließend erfolgen durch Ionenimplantationen die Dotierung der Driftzonen sowie die Dotierung der Ladungsträgerkompensationszonen. Mit der beschriebenen Vordotierung bestehen die oben beschriebenen Nachteile hinsichtlich der verminderten Leitfähigkeit in der Mitte der Epitaxiewachstumsphase nicht mehr.
  • Der noch fehlende Dotierstoffrest zwischen 80 Atom-% bis 20 Atom-% kann dann mittels der Ionenimplantation, wie es 3 zeigt, in Oberflächennähe eingebracht werden, und damit die laterale Ausbreitung der Ladungskompensationssäulen eingeschränkt werden. Der Einschaltwiderstand wird sowohl von breiten Kompensationsgebieten beeinträchtigt als auch von zu geringer Dotierung in der Mitte der Epitaxiwachstumsphasen. Mit Hilfe von Simulationen konnte gezeigt werden, dass der Einschaltwiderstand durch die oben beschriebene Kombination beider Verfahren – nämlich der Dotierung der Epitaxie und der Implantation zwischen den Epitaxiewachstumsphasen – minimiert werden kann.
  • 3 zeigt einen schematischen Querschnitt durch den Halbleiterwafer 16 gemäß 2 nach Ionenimplantation eines Dotierstoffrestes Δn für einen ersten Leitungstyp. Somit wird, wie es 3 zeigt, in Oberflächennähe der ersten Epitaxieschicht 18 eine Ladungsträgerkonzentration von n+Δn durch zusätzliche Ionenimplantation von beispielsweise Phosphor oder Arsen für einen ersten Leitungstyp 4, der darzustellenden Driftzonen erreicht. Die hier in 3 noch gezeigte oberflächennahe Zone mit dem Dotierstoffrest 9 zwischen 80 Atom-% bis 20-% der Driftzonendotierung wird bei der später nachfolgenden Diffusion sich weitgehend in der hier gezeigten Epitaxieschicht auf eine Dicke von d verteilen.
  • 4 zeigt einen schematischen Querschnitt durch den Halbleiterwafer gemäß 3 nach selektiver Ionenimplantation eines komplementär leitenden zweiten Leitungstyps 7 in entsprechenden Fenstern 23 einer vorher aufgebrachten Ionenimplantationsmaske 22 für den zweiten komplementären Leitungstyp 7. Da Oberflächennah in den Driftzonenbereichen 3 eine um Δn erhöhte Dotierstoffkonzentration vorherrscht, kann sich die Ladungskompensationszonendotierung 8 beim späteren Zusammendiffundieren zu Ladungskompensationszonensäulen oder -streifen lateral nur begrenzt ausdehnen, sodass eine kleinere Schrittweite 15 zwischen den Ladungskompensationszonen möglich ist und damit auch eine höhere Dotierung der Driftzonen zulässig wird.
  • 5 zeigt einen schematischen Querschnitt durch den Halbleiterwafer 16 gemäß 4 nach einer zweiten Epitaxiewachstumsphase und einer Ionenimplantation eines Dotierstoffrestes des ersten Leitungstyps, der wiederum unmaskiert, großflächig und oberflächennah in diese zweite Epitaxieschicht 24 eingebracht wird. Für diese Ionenimplantation des ersten Leitungstyps 4 für die Driftzone 3 ist keine Diffusionsmaske erforderlich, um den Dotierstoffrest 9 oberflächennah einzubringen. Erst in dem nächsten Schritt, der in 6 gezeigt wird, ist zur selektiven Einbringung von Dotierstoff eines komplementären Leitungstyps für die Ladungskompensationszonen eine entsprechende Ionenimplantationsmaske 22 erforderlich.
  • 6 zeigt einen schematischen Querschnitt durch den Halbleiterwafer 16 gemäß 5 nach selektiver Ionenimplantation eines Dotierstoffes mit komplementär leitendem zweiten Leitungstyp. Dabei entsteht ein weiteres Dotierstoffreservoir in den geöffneten Fenstern 23 der Ionenimplantationsmaske 22, das jedoch noch keine Verbindung zu den mit 4 erzeugten komplementär leitenden Bereichen der Ladungskompensationszonen aufweist.
  • 7 zeigt einen schematischen Querschnitt durch einen Teilbereich des Halbleiterwafers nach Durchführung von sechs Epitaxiewachstumsphasen, bei denen homogen verteilt Dotierstoff des ersten Ladungstyps 4 in die Epitaxieschichten 20 Atom-% bis 80 Atom-% eingebaut sind und die fehlenden Do tierstoffreste in den Bereichen 9 jeweils oberflächennah nach jeder Epitaxiewachstumsphase durch Ionenimplantation eingebracht sind, sodass sich die in 7 gezeigte Struktur ergibt, wobei die selektiv eingebrachten Ladungskompensationszonendotierungen 8 noch keine zusammenhängende Ladungskompensationszonensäule oder einen Ladungskompensationszonenstreifen bilden. Dieses wird erst durch einen weiteren Diffusionsschritt erreicht, bei dem auch gleichzeitig sich der jeweilige Dotierstoffrest 9 für die Driftzonen 3 im Halbleitermaterial weiter verteilt.
  • 8 zeigt einen schematischen Querschnitt durch den Teilbereich gemäß 7 nach Zusammendiffusion der implantierten Ladungskompensationszonendotierungen zu einer säulen- oder streifenförmigen Ladungskompensationszone 6. Ob säulenförmige oder streifenförmige Ladungskompensationszonen 6 entstehen hängt von der Ionenimplantationsmaske ab, die für ein derartiges Halbleiterbauelement vorbereitet wird. Die Dotierstoffreste Δn haben sich dabei in den Driftzonen 3 ebenfalls durch Diffusionsvorgänge weiter verteilt, sodass insgesamt relativ hoch dotierte Driftzonen 3 von geringer Schrittweite p in Mikrometern mit P ≤ 12 μm erzeugt werden können, was den Einschaltwiderstand eines Leistungshalbleiterbauelements mit einer derartigen Driftzonenstruktur vermindert.
  • 9 zeigt einen schematisches Diagramm mit optimierten Konzentrationsschwankungen der Dotierstoffkonzentration in einer Driftzone. Dazu ist auf der Abszisse die Dotierstoffkonzentration N aufgetragen, während auf der Ordinate die Eindringtiefe, die ein Maß für die Sperrfähigkeit des Halbleiterbauelements darstellt, gezeigt wird. Im Vergleich zu Bauelementen mit undotierter Epitaxie, bei denen die Maxima und Minima etwa doppelt so stark schwanken, ist aufgrund der homogenen Vordotierung der Epitaxieschichten im Bereich von 20 Atom-% bis 80 Atom-% eine deutliche Minimierung der Konzentrationsschwankungen erreicht worden.
  • Der homogen verteilte Anteil an Dotierstoff in den Epitaxiewachstumsphasen kann auch auf ein Drittel der Gesamtkonzentration des Dotierstoffes für den ersten Leitungstyp begrenzt werden, während zwei Drittel dann durch Ionenimplantation oberflächennah einzubringen sind. Andererseits wird bei dieser Ausführungsform der Erfindung immer darauf geachtet, dass der durch Ionenimplantation eingebrachte Anteil an Dotierstoffatomen deutlich größer ist als der Anteil der durch homogene Dotierung in der Epitaxiewachstumsphase in den Halbleiterkristall eingebaut wird.
  • Eine weitere Verminderung der Konzentrationsschwankungen des Dotierstoffes für die Driftzonen kann mit einer Technik und einem Herstellungsverfahren erreicht werden, das in den nachfolgenden 10 bis 18 beschrieben wird und zu einem Halbleiterbauelement führt, das in 19 gezeigt wird. Auch dieses Verfahren geht von einem Halbleiterwafer 16 aus, der in 10 gezeigt wird, und mit n+-leitendem Dotierstoff hochdotiert ist.
  • 11 zeigt einen schematischen Querschnitt durch den Halbleiterwafer 16 gemäß 10 nach Durchführung einer ersten Epitaxiewachstumsphase. Bei dieser Epitaxiewachstumsphase wird jedoch die Dotierung nicht homogen verteilt eingebracht, sondern inhomogen, d. h. die Dotierstoffzugabe wird während des Epitaxiewachstums vermindert oder ganz eingestellt, sodass sich ein Maximum an Dotierstoff etwa in der Mitte der Epitaxiewachstumsphase ergibt. Die Grenzen des Bereichs mit einer maximalen Dotierung nmax werden durch stichpunktierte Linien in der Epitaxieschicht 18 der 11 markiert.
  • Bei der anschließenden Ionenimplantation zur Einbringung eines Dotierstoffrestes von Δn kann dann der oberflächennah relativ schwach dotierte Bereich mit Dotierstoffrest unmaskiert und großflächig durch Ionenimplantation aufgefüllt werden, wie es 12 zeigt
  • 13 zeigt einen schematischen Querschnitt durch den Halbleiterwafer gemäß 12 nach selektiver Ionenimplantation eines komplementären zweiten Leitungstyps. Diese 13 entspricht der 4 und aufgrund der ionenimplantierten Konzentration an Driftdotierstoffen wird die laterale Ausdiffunsion des hier mit Ionenimplantation eingebrachten p-leitenden Material begrenzt, sodass kleine Schrittweiten unter 12 μm bei der Herstellung von Kompensationshalbleiterbauelementen erreicht werden können.
  • 14 zeigt einen schematischen Querschnitt durch den Halbleiterwafer gemäß 13 nach einer zweiten Epitaxiewachstumsphase und einer Ionenimplantation eines Dotierstoffrestes des ersten Leitungstyps, der wiederum großflächig und unmaskiert auf dem gesamten Halbleiterwafer eingebracht wird. Außerdem wird während der zweiten Epitaxiewachstumsphase ebenfalls ein Maximum nmax an Dotierstoff im Mittenbereich der Wachstumsphase eingebracht, um weiter die Dotierung in der Driftzone zu erhöhen und zu erreichen, dass der Einschaltwiderstand für ein derartiges Kompensationsbauelement weiter vermindert wird. Auch in dieser Darstellung der 14 wird mit einer strichpunktierten Linie angedeutet, dass zur Oberfläche hin zunächst die Dotierung der Epitaxieschicht vermindert wird, aber durch entsprechende großflächige Ionenimplan tation der fehlende Dotierstoffrest nun eingebracht wird, und zwar in einer Konzentration, die es ermöglicht, dass eine laterale Ausdiffusion für die zu bildenden Ladungskompensationszonen behindert wird.
  • 15 zeigt einen schematischen Querschnitt durch den Halbleiterwafer 16 gemäß 14 nach selektiver Ionenimplantation eines komplementären zweiten Leitungstyps in Fenstern 23 einer Ionenimplantationsmaske 22, sodass hier weitere p-leitende Inseln entstehen, die nach Beendigung aller Epitaxiewachstumsphasen zusammendiffundiert werden, dabei vergleichmäßigt sich gleichzeitig die Dotierstoffkonzentration in den Driftzonen.
  • 16 zeigt einen schematischen Querschnitt durch einen Teilbereich des Halbleiterwafers nach Durchführung von sechs Epitaxiewachstumsphasen, wobei zunächst gestaffelt eine maximale Dotierung nmax des ersten Leitungstyps 4 während der jeweiligen Epitaxiewachstumsphase entsteht und ein Dotierstoffrest im Bereich der künftigen Driftzonen durch großflächige Ionenimplantation eingebracht ist.
  • 17 zeigt einen schematischen Querschnitt durch einen Teilbereich gemäß 16 nach Zusammendiffusion der implantierten Ladungskompensationszonendotierungen 8 zu einer säulen- oder streifenförmigen Ladungskompensationszone 6. Diese Säule 10 zeigt verminderte laterale Ausdiffusionen zwischen den einzelnen Epitaxiewachstumsphasen, sodass eine kleinere Schrittweite und damit gleichzeitig eine höhere Dotierung der Driftzonen 3 möglich wird.
  • 18 zeigt ein schematisches Diagramm mit weiter verminderten Konzentrationsschwankungen der Ladungsträgerkonzentra tionen in der Driftzone. Dabei ist auf der Abszisse die Dotierstoffkonzentration N aufgetragen und auf der Ordinate wiederum die Dicke oder Tiefe in Richtung z der einzelnen Epitaxiewachstumsphasen. Die strichpunktierte Linie markiert jeweils innerhalb einer Epitaxiewachstumsphase eine maximale Dotierstoffkonzentration, die in die jeweilige Epitaxieschicht eingebracht ist und, während zwischen den Epitaxiewachstumsphasen Ionenimplantationen mit einer Konzentration von Δn eingefügt sind, die ihrerseits dafür sorgen sollen, dass die laterale Diffusion des komplementär leitenden Materials für die Ladungskompensationszonen lateral nicht ausdiffundieren kann.
  • Die Verteilung der durch Ionenimplantation eingebrachten Ladungsträgerkonzentration von Δn ist durch gestrichelte Linien gekennzeichnet, während die endgültige Schwankung der Ladungsträgerkonzentration in den Driftzonen nach der Diffusion durch eine durchgezogene Linie schematisch verdeutlicht wird. Die Schwankungen, die dabei noch feststellbar sind, sind derart gering, dass die Ladungskompensationszonen und die Driftzonen näher aneinanderrücken können und eine damit höhere Dotierung für die Driftzonen zulassen.
  • 19 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein Halbleiterbauelement 1 gemäß einer Ausführungsform, wobei die laterale Ausdiffusion für die Ladungskompensationszonen 6 aufgrund der oben beschriebenen Verfahrensweisen deutlich vermindert ist und eine damit verminderte Schwankung der Dotierstoffkonzentrationen in den Driftzonen in vertikaler Richtung möglich wird. In dieser Ausführungsform ist ein vertikaler MOSFET mit lateraler Gatestruktur realisiert, jedoch können die Lehren der Erfindung auch auf JFET oder auf andere Kompensationsbauelementstrukturen übertragen werden, solange eine Multiepitaxiestruktur für die Driftzonen vorgesehen ist.
  • In dieser Ausführungsform wird oberflächennah zum Abschluss der Ladungskompensationszonen eine p-leitende Bodyzone 12 jeweils eingebracht, die ihrerseits eine n+-leitende hochdotierte Sourcezone 13 aufnimmt, wobei die hochdotierte n+-leitende Sourcezone 13 und die Bodyzone 12 von einer metallischen Sourceelektrode 14 kontaktiert werden, während eine laterale Gatestruktur isoliert von der Bodyzone 12 durch ein Gateoxid 25 die Steuerung dieses Leistungstransistors ermöglicht. Aufgrund der geringen lateralen Ausbuchtungen der Ladungskompensationssäulen ist es möglich, eine Schrittweite 15 zwischen den Ladungskompensationszonen von unter 12 μm zu erreichen.
  • Bevor die Rückseite 21 des Halbleiterkörpers 2 mit einer Metallisierung für eine Drain D versehen wird, kann das Substrat 17 bzw. der ursprüngliche Halbleiterwafer 16 noch dünn geschliffen werden, um dadurch ebenfalls den Einschaltwiderstand des Halbleiterbauelements 1 weiter zu minimieren.

Claims (27)

  1. Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper aufweisend: – Driftzonen mit einem ersten Leitungstyp, die epitaktisch gewachsenes Halbleitermaterial aufweisen, – Ladungskompensationszonen mit einem zum ersten Leitungstyp komplementären zweiten Leitungstyp, die lateral benachbart zu den Driftzonen angeordnet sind und eine lateral begrenzte Ladungskompensationszonendotierung aufweisen, die in das epitaktisch gewachsene Halbleitermaterial eingebracht ist; wobei das epitaktisch gewachsene Halbleitermaterial 20 Atom-% bis 80 Atom-% des Dotierstoffes der Driftzonen verteilt in dem epitaktisch gewachsenes Halbleitermaterial aufweist und einen über Ionenimplantation und Diffusion eingebauten Dotierstoffrest zwischen 80 Atom-% und 20 Atom-% aufweist.
  2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, wobei das epitaktisch gewachsene Halbleitermaterial 20 Atom-% bis 80 Atom-% des Dotierstoffes der Driftzonen homogen verteilt in dem epitaktisch gewachsenes Halbleitermaterial aufweist.
  3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, wobei das epitaktisch gewachsenes Halbleitermaterial in Epitaxiewachstumsphasen aufgebracht ist und 20 Atom-% bis 80 Atom-% des Dotierstoffes der Driftzonen inhomogen verteilt in der Weise in dem epitaktisch gewachsenes Halbleitermaterial eingebaut ist, dass ein Minimum der Dotierstoffkonzentration in einem Mittenbereich einer einzelnen Epitaxiewachstumsphase angeordnet ist.
  4. Halbleiterbauelement nach Anspruch 3, wobei der über Ionenimplantation und Diffusion eingebaute Dotierstoffrest mit zwischen 80 Atom-% und 20 Atom-% Dotierstoff ein Maximum der Dotierstoffkonzentration am Ende einer einzelnen Epitaxiewachstumsphase aufweist.
  5. Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Konzentration des über Ionenimplantation und Diffusion eingebauten Dotierstoffrestes größer ist als die Konzentration des Dotierstoffs des epitaktisch gewachsenes Halbleitermaterials.
  6. Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Konzentration des über Ionenimplantation und Diffusion eingebauten Dotierstoffrestes nahezu zwei Drittel der Geamtkonzentration des Dotierstoffes der Driftzonen aufweist.
  7. Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der über Ionenimplantation und Diffusion eingebaute Dotierstoffrest für die Driftzonen großflächig und unmaskiert in das epitaktisch gewachsenes Halbleitermaterial eingebaut ist.
  8. Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Ladungskompensationszonen über maskierte Ionenimplantation und Diffusion säulenförmig oder streifenförmig eingebaute Bereiche in dem epitaktisch gewachsenes Halbleitermaterial aufweisen.
  9. Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Halbleiterbauelement eine oberflä chennahe komplementär zum ersten Leitungstyp dotierte Bodyzone aufweist, in der eine höher als die Driftstrecke dotierte Sourcezone des ersten Leitungstyps angeordnet ist, die wie die Bodyzone von einer metallischen Sourceelektrode kontaktiert ist.
  10. Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die in lateraler Richtung integrierte Dotierstoffdosis CD in den Driftzonen oder in den Ladungskompensationszonen kleiner als 2 mal die Durchbruchsladung von Silizium ist.
  11. Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die in lateraler Richtung integrierte Dotierstoffdosis CD in den Driftzonen oder in den Ladungskompensationszonen kleiner als die doppelte Durchbruchsladung CL bei einer typischen Dotierung und CD ≤ 2 CL von Silizium mit CD = 3 × 1012 cm–2 ist.
  12. Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Ladungskompensationszonen in einer Schrittweite p angeordnet sind, wobei die Schrittweite p in Mikrometern p ≤ 12 μm ist.
  13. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit einem mit einem Halbleiterkörper, der Driftzonen eines ersten Leitungstyps und Ladungskompensationszonen eines komplementären Leitungstyps aufweist, wobei das Verfahren nachfolgende Verfahrensschritte aufweist: a) Bereitstellen eines Halbleiterwafers als Halbleitersubstrat; b) Aufbringen einer Epitaxieschicht in einer ersten Epitaxiewachstumsphase, bei der das Halbleitermaterial während des epitaktischen Wachstums auf dem Halbleiterwafer mit 20 Atom-% bis 80 Atom-% eines Dotierstoffes des ersten Leitungstyps dotiert wird, c) Unmaskierte Ionenimplantation von Dotierstoff des ersten Leitungstyps zum oberflächennahen Einbringen eines Dotierstoffrestes zwischen 80 Atom-% und 20 Atom-% in die Epitaxieschicht; d) maskierte Ionenimplantation für eine komplementär zur Driftzone dotierte Ladungskompensationszonenstruktur; e) Wiederholen der Schritte b) bis d) bis eine vorgegebene Epitaxieschichtdicke erreicht ist; f) Eindiffusion der Dotierstoffe für die Driftzonen und die Ladungkompensationszonen, bis zusammenhängende Ladungkompensationszonen auftreten; g) Fertigstellen einer Halbleiterchipstruktur für Leistungshalbleiterbauelemente auf dem Halbleiterwafer.
  14. Verfahren nach Anspruch 13, wobei das Dotieren mit 20 Atom-% bis 80 Atom-% des Dotierstoffes des ersten Leitungstyps beim Aufbringen der Epitaxieschicht homogen verteilt während des epitaktischen Wachstums erfolgt.
  15. Halbleiterbauelement nach Anspruch 13, wobei das Dotieren mit 20 Atom-% bis 80 Atom-% des Dotierstoffes des ersten Leitungstyps beim Aufbringen der Epitaxieschicht inhomogen verteilt in der Weise in dem epitaktisch gewachsenes Halbleitermaterial erfolgt, dass ein Maximum der Dotierstoffkonzentration in einem Mittenbereich einer einzelnen Epitaxiewachstumsphase in das Halbleitermaterial eingebaut wird.
  16. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 15, wobei die Dicke der einzelnen Epitaxieschichten pro Wiederholungs schritt gegenüber konventionellen Techniken erhöht und die Anzahl der Wiederholungsschritte entsprechend vermindert wird.
  17. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 16, wobei über Ionenimplantation und Diffusion ein Dotierstoffrest für den ersten Leitungstyp eingebracht wird, der in seiner Konzentration größer ist als die Konzentration des bereits homogen verteilten Dotierstoffs des epitaktisch gewachsenen Halbleitermaterials.
  18. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 17, wobei über Ionenimplantation und Diffusion ein Dotierstoffrest oberflächennah eingebaut wird, der nahezu zwei Drittel der Geamtkonzentration des Dotierstoffes der Driftzonen aufweist.
  19. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 18, wobei über Ionenimplantation und Diffusion ein Dotierstoffrest für Driftzonen großflächig und unmaskiert in das epitaktisch gewachsenes Halbleitermaterial eingebaut wird.
  20. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 19, wobei die Ladungskompensationszonen über maskierte Ionenimplantation und Diffusion in säulenförmigen oder streifenförmigen Bereichen in das epitaktisch gewachsene Halbleitermaterial eingebracht werden.
  21. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 20, wobei in das epitaktisch gewachsene Halbleitermaterial oberflächennahe komplementär zum ersten Leitungstyp dotierte Bodyzonen eingebracht werden, und wobei in die Bodyzonen höher als die Driftzonen dotierte Sourcezonen des ersten Leitungstyps eingebracht werden, und wobei anschließend Kontaktlöcher durch eine Isolationsschicht bis zu den Sourcezonen und zu den Bodyzonen eingebracht werden, auf die anschließend eine leitenden Sourceelektrodenstruktur aufgebracht wird.
  22. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 21, wobei beim Einbringen der Dotierstoffe eine Dotierstoffdosis CD in den Driftzonen und in den Ladungskompensationszonen vorgesehen wird, die kleiner als die Durchbruchsladung CL mit CD ≤ CL von Silizium mit CL = 2 × 1012 cm–2 ist.
  23. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 22, wobei die Ladungskompensationszonen in einer Schrittweite p in Mikrometern mit p ≤ 11 μm angeordnet werden.
  24. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 23, wobei innerhalb des epitaktisch gewachsenes Halbleitermaterials die homogen verteilte Konzentration des Dortierstoffes der Driftzonen zu keinem Zeitpunkt der Fertigung unterschritten wird.
  25. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 24, wobei als Dotierstoff für den ersten Leitungstyp Phosphor oder Arsen eingesetzt wird.
  26. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 25, wobei als Dotierstoff für den komplementären Leitungstyp Bor eingesetzt wird.
  27. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 26, wobei nach Fertigstellung der Halbleiterchipstrukturen für Leistungshalbleiterbauelemente auf dem Halbleiterwafer das Halbleitersubstrat gedünnt und in Halbleiterchips aufgetrennt wird.
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101904991B1 (ko) * 2011-05-25 2018-10-08 페어차일드코리아반도체 주식회사 슈퍼정션 반도체 소자 및 그 제조방법
CN103022123B (zh) * 2011-09-21 2015-10-14 上海华虹宏力半导体制造有限公司 超级结半导体器件及其制造方法
US9647059B2 (en) 2011-09-27 2017-05-09 Alpha And Omega Semiconductor Incorporated Manufacturing methods for accurately aligned and self-balanced superjunction devices
US8785306B2 (en) * 2011-09-27 2014-07-22 Alpha And Omega Semiconductor Incorporated Manufacturing methods for accurately aligned and self-balanced superjunction devices
US9583578B2 (en) * 2013-01-31 2017-02-28 Infineon Technologies Ag Semiconductor device including an edge area and method of manufacturing a semiconductor device
CN104009072A (zh) * 2013-02-25 2014-08-27 中国科学院微电子研究所 一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法
CN105225959B (zh) * 2014-07-01 2019-06-11 北大方正集团有限公司 沟槽型功率器件的制造方法和沟槽型功率器件
US9564515B2 (en) 2014-07-28 2017-02-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor device having super junction structure and method for manufacturing the same
CN112820628A (zh) * 2020-12-31 2021-05-18 广州粤芯半导体技术有限公司 外延层的制备方法
KR20220121391A (ko) * 2021-02-25 2022-09-01 주식회사 디비하이텍 슈퍼정션 반도체 소자 및 제조방법
CN114843192B (zh) * 2022-05-09 2023-01-06 瑶芯微电子科技(上海)有限公司 提高超结结构外延生长稳定性及半导体器件制备的方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3988262B2 (ja) * 1998-07-24 2007-10-10 富士電機デバイステクノロジー株式会社 縦型超接合半導体素子およびその製造方法
EP1261036A3 (de) * 2001-05-25 2004-07-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Leistungs-MOSFET-Halbleiteranordnung und Verfahren zu deren Herstellung
DE10132136C1 (de) * 2001-07-03 2003-02-13 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelement mit Ladungskompensationsstruktur sowie zugehöriges Herstellungsverfahren
US6995426B2 (en) * 2001-12-27 2006-02-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device having vertical metal insulator semiconductor transistors having plural spatially overlapping regions of different conductivity type
US8034643B2 (en) * 2003-09-19 2011-10-11 Tinggi Technologies Private Limited Method for fabrication of a semiconductor device
DE102006004627B3 (de) 2005-10-24 2007-04-12 Infineon Technologies Austria Ag Leistungshalbleiterbauelement mit Ladungskompensationsstruktur und Verfahren zur Herstellung desselben

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