JPH05267182A - 化学気相成長装置 - Google Patents
化学気相成長装置Info
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- JPH05267182A JPH05267182A JP6051392A JP6051392A JPH05267182A JP H05267182 A JPH05267182 A JP H05267182A JP 6051392 A JP6051392 A JP 6051392A JP 6051392 A JP6051392 A JP 6051392A JP H05267182 A JPH05267182 A JP H05267182A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 液体ないし固体（粉体）の原料を用いてこれ
らの気化ないし昇華したガスをキャリアガスにて反応チ
ャンバへ導入する化学的気相成長装置（ＣＶＤ装置）に
関し、液化ないし固化し易いガスを反応チャンバへガス
状態を維持して、噴射孔の閉塞を招くことなく供給でき
るようにしたＣＶＤ装置を提供する。 【構成】 反応チャンバ１と、基板７を担持する基板加
熱ホルダー２と、中央上方に設けられた反応促進のエネ
ルギー照射装置３〔紫外光ランプ８またはＥＣＲプラズ
マ発生装置１１〕と、該反応チャンバ１の側壁上部に取
り付けられた円環状管であって、多数の小さい噴射孔を
有するガス噴射リング４と、反応ガスをキャリアガスに
よって反応チャンバ１内に導入するために、ガス噴射リ
ング４に接続された導入管５と、からなるＣＶＤ装置に
おいて、導入管５がガス噴射リング４に、リング接線方
向での配列で接続されているように構成する。
らの気化ないし昇華したガスをキャリアガスにて反応チ
ャンバへ導入する化学的気相成長装置（ＣＶＤ装置）に
関し、液化ないし固化し易いガスを反応チャンバへガス
状態を維持して、噴射孔の閉塞を招くことなく供給でき
るようにしたＣＶＤ装置を提供する。 【構成】 反応チャンバ１と、基板７を担持する基板加
熱ホルダー２と、中央上方に設けられた反応促進のエネ
ルギー照射装置３〔紫外光ランプ８またはＥＣＲプラズ
マ発生装置１１〕と、該反応チャンバ１の側壁上部に取
り付けられた円環状管であって、多数の小さい噴射孔を
有するガス噴射リング４と、反応ガスをキャリアガスに
よって反応チャンバ１内に導入するために、ガス噴射リ
ング４に接続された導入管５と、からなるＣＶＤ装置に
おいて、導入管５がガス噴射リング４に、リング接線方
向での配列で接続されているように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、化学的気相成長装置
（ＣＶＤ装置）、より詳しくは、液体ないし固体（粉
体）の原料を用いてこれらの気化ないし昇華したガスを
キャリアガスにて反応チャンバへ導入する化学的気相成
長装置に関する。
（ＣＶＤ装置）、より詳しくは、液体ないし固体（粉
体）の原料を用いてこれらの気化ないし昇華したガスを
キャリアガスにて反応チャンバへ導入する化学的気相成
長装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】化学的気相成長法（ＣＶＤ法）を用い
て、金属、半導体および絶縁体の薄膜を形成することが
でき、半導体装置製造においても、Ｗ、Ｓｉ、SiO2など
種々のＣＶＤ薄膜が使用されさている。最近では、メモ
リーデバイスのキャパシタの誘電体層に高誘電率性のＰ
ＺＴ薄膜をＣＶＤ法で形成することが提案されているよ
うに、新たな材料のＣＶＤ形成が試みられている。この
ような材料（例えば、ＰＺＴ）をＣＶＤ形成するには、
その原料に液体ないし固体を用いて、気化ないし昇華さ
せたガスを反応チャンバに導入する必要がある。これら
の原料はガスから液化ないし固化し易い場合が多く、そ
れを防ぐために、配管（導入管）を高温（所定温度以
上）に保持するようになっている。
て、金属、半導体および絶縁体の薄膜を形成することが
でき、半導体装置製造においても、Ｗ、Ｓｉ、SiO2など
種々のＣＶＤ薄膜が使用されさている。最近では、メモ
リーデバイスのキャパシタの誘電体層に高誘電率性のＰ
ＺＴ薄膜をＣＶＤ法で形成することが提案されているよ
うに、新たな材料のＣＶＤ形成が試みられている。この
ような材料（例えば、ＰＺＴ）をＣＶＤ形成するには、
その原料に液体ないし固体を用いて、気化ないし昇華さ
せたガスを反応チャンバに導入する必要がある。これら
の原料はガスから液化ないし固化し易い場合が多く、そ
れを防ぐために、配管（導入管）を高温（所定温度以
上）に保持するようになっている。
【０００３】また、新たな材料のＣＶＤ形成では、反応
を促進するために、基板を加熱することに加えて、紫外
光照射やＥＣＲプラズマを利用しており、ガス導入部は
反応チャンバの側壁周辺からチャンバ中央へ反応ガスを
噴射するようにしてある。例えば、図１および図２に示
すような、紫外光ランプＣＶＤ装置があり、この装置
は、排気系に繋がった反応チャンバ１と、該反応チャン
バ１の内部の中央部に基板７を担持する基板加熱ホルダ
ー２と、該反応チャンバ１の中央上方に設けられた反応
促進のエネルギー照射装置３である紫外光ランプ８と、
該反応チャンバ１の内部で側壁上部に取り付けられた環
状管であって、配置された前記基板に向けられた多数の
小さい噴射孔９を有するガス噴射リング４と、液体の気
化ガスまたは固体の昇華ガスをキャリアガスによって反
応チャンバ１内に導入するために、ガス噴射リング４に
接続された導入管５と、からなる。反応チャンバ１の上
部は光を通す石英板１０で作られている。
を促進するために、基板を加熱することに加えて、紫外
光照射やＥＣＲプラズマを利用しており、ガス導入部は
反応チャンバの側壁周辺からチャンバ中央へ反応ガスを
噴射するようにしてある。例えば、図１および図２に示
すような、紫外光ランプＣＶＤ装置があり、この装置
は、排気系に繋がった反応チャンバ１と、該反応チャン
バ１の内部の中央部に基板７を担持する基板加熱ホルダ
ー２と、該反応チャンバ１の中央上方に設けられた反応
促進のエネルギー照射装置３である紫外光ランプ８と、
該反応チャンバ１の内部で側壁上部に取り付けられた環
状管であって、配置された前記基板に向けられた多数の
小さい噴射孔９を有するガス噴射リング４と、液体の気
化ガスまたは固体の昇華ガスをキャリアガスによって反
応チャンバ１内に導入するために、ガス噴射リング４に
接続された導入管５と、からなる。反応チャンバ１の上
部は光を通す石英板１０で作られている。
【０００４】また、図３に示すような、ＥＣＲプラズマ
ＣＶＤ装置があり、この場合には、紫外光ランプの代わ
りにＥＣＲプラズマ発生装置１１がＣＶＤ装置の上部に
取り付けられており、それ以外は紫外光ランプＣＶＤ装
置と同じ構造である。このＥＣＲプラズマ発生装置１１
は、プラズマ発生室１２と、それを取り巻くコイル１３
と、酸素（Ｏ2 ）の導入管１４と、マイクロ波の導波管
１５とからなる。
ＣＶＤ装置があり、この場合には、紫外光ランプの代わ
りにＥＣＲプラズマ発生装置１１がＣＶＤ装置の上部に
取り付けられており、それ以外は紫外光ランプＣＶＤ装
置と同じ構造である。このＥＣＲプラズマ発生装置１１
は、プラズマ発生室１２と、それを取り巻くコイル１３
と、酸素（Ｏ2 ）の導入管１４と、マイクロ波の導波管
１５とからなる。
【０００５】この紫外光ランプＣＶＤ装置においては、
反応チャンバ１を排気し、ヒーター内蔵の加熱ホルダー
２で搭載した基板７を所定温度まで加熱し、紫外光ラン
プ８を照射した状態で、高温保持された導入管５によっ
て反応ガス（液体原料の気化ガスないし固体原料の昇華
ガス）をキャリアガスと共にガス噴射リング４に導く。
ガス噴射リング４の噴射孔９から反応ガスが中央に配置
された基板７に向けて流されて、基板の熱エネルギーお
よび紫外光のエネルギーによって所定の化学反応を起こ
して、基板７の上に薄膜（例えば、ＰＺＴ薄膜）を成長
させる（形成する）わけである。また、ＥＣＲプラズマ
ＣＶＤ装置では、紫外光のエネルギーの代わりに酸素プ
ラズマを反応チャンバ１に流して化学反応を起こすわけ
である。
反応チャンバ１を排気し、ヒーター内蔵の加熱ホルダー
２で搭載した基板７を所定温度まで加熱し、紫外光ラン
プ８を照射した状態で、高温保持された導入管５によっ
て反応ガス（液体原料の気化ガスないし固体原料の昇華
ガス）をキャリアガスと共にガス噴射リング４に導く。
ガス噴射リング４の噴射孔９から反応ガスが中央に配置
された基板７に向けて流されて、基板の熱エネルギーお
よび紫外光のエネルギーによって所定の化学反応を起こ
して、基板７の上に薄膜（例えば、ＰＺＴ薄膜）を成長
させる（形成する）わけである。また、ＥＣＲプラズマ
ＣＶＤ装置では、紫外光のエネルギーの代わりに酸素プ
ラズマを反応チャンバ１に流して化学反応を起こすわけ
である。
【０００６】これらの場合には、ガス噴射リング４の噴
射孔９からガス吹き出しは必ずしも均一にはならず、導
入管５近くの噴射孔９からのガス流量が反対側の噴射孔
９からのガス流量よりもかなり多くなって適切ではな
い。そこで、図４に示すような、ガス噴射リング４の内
部で導入管５の前方位置に分散板１８を配置することが
考えられる。このようにすれば、ガス噴射リング４全体
にもっと均一に反応ガスが送られ、ガス吹き出しも均一
化される。
射孔９からガス吹き出しは必ずしも均一にはならず、導
入管５近くの噴射孔９からのガス流量が反対側の噴射孔
９からのガス流量よりもかなり多くなって適切ではな
い。そこで、図４に示すような、ガス噴射リング４の内
部で導入管５の前方位置に分散板１８を配置することが
考えられる。このようにすれば、ガス噴射リング４全体
にもっと均一に反応ガスが送られ、ガス吹き出しも均一
化される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】図４のようなガス吹き
出しの均一化は、従来のＣＶＤ用ガスにおいては十分に
達成されるものであるが、新たなＣＶＤ形成で使用され
る反応ガスはこの分散板にて液化ないし固化することが
ある。液化ないし固化が一旦発生すると、どんどん進
み、噴射孔が詰まったり、均一なガス吹き出しとはなら
ない。
出しの均一化は、従来のＣＶＤ用ガスにおいては十分に
達成されるものであるが、新たなＣＶＤ形成で使用され
る反応ガスはこの分散板にて液化ないし固化することが
ある。液化ないし固化が一旦発生すると、どんどん進
み、噴射孔が詰まったり、均一なガス吹き出しとはなら
ない。
【０００８】本発明の目的は、液化ないし固化し易いガ
スを反応チャンバへガス状態を維持して、噴射孔の閉塞
を招くことなく供給できるように従来のＣＶＤ装置を改
善した装置を提供することである。
スを反応チャンバへガス状態を維持して、噴射孔の閉塞
を招くことなく供給できるように従来のＣＶＤ装置を改
善した装置を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上述の目的が、下記要
素：排気系に繋がった反応チャンバと、該反応チャンバ
の内部の中央部に基板を担持する基板加熱ホルダーと、
該反応チャンバの中央上方に設けられた反応促進のエネ
ルギー照射装置と、該反応チャンバの内部で側壁上部に
取り付けられた円環状管であって、配置された基板に向
けられた多数の小さい噴射孔を有するガス噴射リング
と、液体の気化ガスまたは固体の昇華ガスをキャリアガ
スによって反応チャンバ内に導入するために、ガス噴射
リングに接続された導入管と、からなる化学気相成長装
置において、導入管が前記ガス噴射リングに、リング接
線方向での配列で接続されていることを特徴とする化学
気相成長装置によって達成される。
素：排気系に繋がった反応チャンバと、該反応チャンバ
の内部の中央部に基板を担持する基板加熱ホルダーと、
該反応チャンバの中央上方に設けられた反応促進のエネ
ルギー照射装置と、該反応チャンバの内部で側壁上部に
取り付けられた円環状管であって、配置された基板に向
けられた多数の小さい噴射孔を有するガス噴射リング
と、液体の気化ガスまたは固体の昇華ガスをキャリアガ
スによって反応チャンバ内に導入するために、ガス噴射
リングに接続された導入管と、からなる化学気相成長装
置において、導入管が前記ガス噴射リングに、リング接
線方向での配列で接続されていることを特徴とする化学
気相成長装置によって達成される。
【００１０】エネルギー照射装置が紫外光ランプあるい
はＥＣＲプラズマ発生装置であることは好ましい。
はＥＣＲプラズマ発生装置であることは好ましい。
【００１１】
【作用】導入管からのガス流はガス噴射リング（円環状
パイプ）の中にスムーズに入り該リング内をそのまま進
行するので、ガス流が妨げられることはない。従って、
反応ガスを液化ないし固化する要因が従来よりも減っ
て、噴射孔の閉塞は生じないし、噴射孔全体にわたって
ほぼ均一にガスを吹き出すことができる。
パイプ）の中にスムーズに入り該リング内をそのまま進
行するので、ガス流が妨げられることはない。従って、
反応ガスを液化ないし固化する要因が従来よりも減っ
て、噴射孔の閉塞は生じないし、噴射孔全体にわたって
ほぼ均一にガスを吹き出すことができる。
【００１２】
【実施例】以下、添付図面を参照して、本発明の実施態
様例によって本発明を詳細に説明する。本発明にかかる
ＣＶＤ装置は基本的には上述した従来のＣＶＤ装置と同
じ構造を有しており、本発明のポイントは、ガス噴射リ
ングと導入管との接続を、図５に示すように、導入管が
ガス噴射リングの円に対して接線方向で接続されている
ことである。即ち、導入管が従来はガス噴射リングの中
心に向かって配置されていたのに対し、本発明では導入
管はガス噴射リングの接線上に配置されている。
様例によって本発明を詳細に説明する。本発明にかかる
ＣＶＤ装置は基本的には上述した従来のＣＶＤ装置と同
じ構造を有しており、本発明のポイントは、ガス噴射リ
ングと導入管との接続を、図５に示すように、導入管が
ガス噴射リングの円に対して接線方向で接続されている
ことである。即ち、導入管が従来はガス噴射リングの中
心に向かって配置されていたのに対し、本発明では導入
管はガス噴射リングの接線上に配置されている。
【００１３】従って、本発明のＣＶＤ装置はその縦断面
が従来ＣＶＤ装置の縦断面図（図１）と実質的に同じで
あり、装置構成としても先に説明したように、排気系に
繋がった反応チャンバ１と、該反応チャンバ１の内部の
中央部に基板７を担持する基板加熱ホルダー２と、該反
応チャンバ１の中央上方に設けられた反応促進のエネル
ギー照射装置３である紫外光ランプ８と、該反応チャン
バ１の内部で側壁上部に取り付けられた環状管であっ
て、配置された前記基板に向けられた多数の小さい噴射
孔９を有するガス噴射リング４と、液体の気化ガスまた
は固体の昇華ガスをキャリアガスによって反応チャンバ
１内に導入するために、ガス噴射リング４に接続された
導入管５と、からなる。そして、反応チャンバ１の上部
は光を通す石英板１０で作られている。
が従来ＣＶＤ装置の縦断面図（図１）と実質的に同じで
あり、装置構成としても先に説明したように、排気系に
繋がった反応チャンバ１と、該反応チャンバ１の内部の
中央部に基板７を担持する基板加熱ホルダー２と、該反
応チャンバ１の中央上方に設けられた反応促進のエネル
ギー照射装置３である紫外光ランプ８と、該反応チャン
バ１の内部で側壁上部に取り付けられた環状管であっ
て、配置された前記基板に向けられた多数の小さい噴射
孔９を有するガス噴射リング４と、液体の気化ガスまた
は固体の昇華ガスをキャリアガスによって反応チャンバ
１内に導入するために、ガス噴射リング４に接続された
導入管５と、からなる。そして、反応チャンバ１の上部
は光を通す石英板１０で作られている。
【００１４】本発明にかかるＣＶＤ装置にて、基板（シ
リコンウエハーの熱酸化膜：SiO2膜）７の上にＰＺＴ薄
膜を次のようにして形成した。原料として（１）Pb(DP
M)2（固体）、（２）Zr(DPM)4（固体）および（３）Ti
(i-OC3H7)4（液体）を用意し、それぞれを１３５℃、１
６５℃および３０℃に保持して昇華ないし液化し、キャ
リアガスとして窒素（N2）ガスをそれぞれについて２０
０ccm 、１００ccm および１００ccm 流して、反応ガス
としてＣＶＤ装置へ導入した。これらガスを搬送する導
入管５はその温度を２００℃に維持した。そして、ＣＶ
Ｄ装置の少し手前にて導入管５に酸素ガス（Ｏ2 ：１毎
秒１リットル）を入れる。
リコンウエハーの熱酸化膜：SiO2膜）７の上にＰＺＴ薄
膜を次のようにして形成した。原料として（１）Pb(DP
M)2（固体）、（２）Zr(DPM)4（固体）および（３）Ti
(i-OC3H7)4（液体）を用意し、それぞれを１３５℃、１
６５℃および３０℃に保持して昇華ないし液化し、キャ
リアガスとして窒素（N2）ガスをそれぞれについて２０
０ccm 、１００ccm および１００ccm 流して、反応ガス
としてＣＶＤ装置へ導入した。これらガスを搬送する導
入管５はその温度を２００℃に維持した。そして、ＣＶ
Ｄ装置の少し手前にて導入管５に酸素ガス（Ｏ2 ：１毎
秒１リットル）を入れる。
【００１５】ＣＶＤ装置はその反応チャンバ１の圧力を
２Torrに維持し、基板（シリコンウエハー）７を６００
℃に加熱し、反応チャンバ１の上部石英板１０を通して
紫外光ランプ８の紫外線を照射した。反応ガスは導入管
５からガス噴射リング４の中へ接線方向からスムーズに
送られ、噴射孔９から基板７へ反応ガスを均一に噴射し
た。基板の熱エネルギーと紫外光の光エネルギーによっ
て化学反応を起こして、ＰＺＴ薄膜を基板（熱酸化膜）
の上に厚さ１μｍで形成した。
２Torrに維持し、基板（シリコンウエハー）７を６００
℃に加熱し、反応チャンバ１の上部石英板１０を通して
紫外光ランプ８の紫外線を照射した。反応ガスは導入管
５からガス噴射リング４の中へ接線方向からスムーズに
送られ、噴射孔９から基板７へ反応ガスを均一に噴射し
た。基板の熱エネルギーと紫外光の光エネルギーによっ
て化学反応を起こして、ＰＺＴ薄膜を基板（熱酸化膜）
の上に厚さ１μｍで形成した。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るＣＶ
Ｄ装置においては、液化ないし固化し易いガスを反応チ
ャンバへガス状態を維持して、噴射孔の閉塞を招くこと
なく、基板に向けてほぼ均一に噴射することができる。
このようにして、あらたな材料のＣＶＤ形成が従来と同
様に行える。
Ｄ装置においては、液化ないし固化し易いガスを反応チ
ャンバへガス状態を維持して、噴射孔の閉塞を招くこと
なく、基板に向けてほぼ均一に噴射することができる。
このようにして、あらたな材料のＣＶＤ形成が従来と同
様に行える。
【図１】従来の紫外光ランプＣＶＤ装置の概略縦断面図
である。
である。
【図２】図１のＣＶＤ装置の線II−IIでの概略断面図で
ある。
ある。
【図３】従来のＥＣＲプラズマＣＶＤ装置の概略縦断面
図である。
図である。
【図４】従来のＣＶＤ装置の分散板付きガス噴射リング
の概略断面図である。
の概略断面図である。
【図５】本発明にかかるＣＶＤ装置のガス噴射リングの
概略断面図である。
概略断面図である。
１…反応チャンバ ２…基板加熱ホルダー ３…エネルギー照射装置 ４…ガス照射リング ５…導入管 ７…基板 ８…紫外光ランプ ９…噴射孔 １１…ＥＣＲプラズマ発生装置 １８…分散板
Claims (3)
- 【請求項１】 下記要素：排気系に繋がった反応チャン
バ（１）と、 該反応チャンバ（１）の内部の中央部に基板（７）を担
持する基板加熱ホルダー（２）と、 該反応チャンバ（１）の中央上方に設けられた反応促進
のエネルギー照射装置（３）と、 該反応チャンバ（１）の内部で側壁上部に取り付けられ
た円環状管であって、配置された前記基板に向けられた
多数の小さい噴射孔（９）を有するガス噴射リング
（４）と、 液体の気化ガスまたは固体の昇華ガスをキャリアガスに
よって反応チャンバ（１）内に導入するために、前記ガ
ス噴射リング（４）に接続された導入管（５）と、から
なる化学気相成長装置において、前記導入管（５）が前
記ガス噴射リング（４）に、リング接線方向での配列で
接続されていることを特徴とする化学気相成長装置。 - 【請求項２】 前記エネルギー照射装置（３）が紫外光
ランプ（８）であることを特徴とする請求項１記載の製
造方法。 - 【請求項３】 前記エネルギー照射装置（３）がＥＣＲ
プラズマ発生装置（１１）であることを特徴とする請求
項１記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6051392A JPH05267182A (ja) | 1992-03-17 | 1992-03-17 | 化学気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6051392A JPH05267182A (ja) | 1992-03-17 | 1992-03-17 | 化学気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05267182A true JPH05267182A (ja) | 1993-10-15 |
Family
ID=13144473
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6051392A Withdrawn JPH05267182A (ja) | 1992-03-17 | 1992-03-17 | 化学気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05267182A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1079377A (ja) * | 1996-07-12 | 1998-03-24 | Tokyo Electron Ltd | 成膜・改質集合装置 |
| WO2000042236A3 (en) * | 1999-01-13 | 2000-11-23 | Tokyo Electron Ltd | Processing system and method for chemical vapor deposition |
| WO2002056357A1 (fr) * | 2001-01-09 | 2002-07-18 | Tokyo Electron Limited | Dispositif de traitement a feuilles |
| KR100425789B1 (ko) * | 2001-12-07 | 2004-04-06 | 주성엔지니어링(주) | 인젝터 및 인젝터 히팅장치 |
| US20090165713A1 (en) * | 2007-12-26 | 2009-07-02 | Samsung Electro-Mechanics Co, Ltd. | Chemical vapor deposition apparatus |
| US20090260572A1 (en) * | 2008-04-18 | 2009-10-22 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Chemical vapor deposition apparatus |
| US8277561B2 (en) | 2008-04-18 | 2012-10-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Chemical vapor deposition apparatus |
-
1992
- 1992-03-17 JP JP6051392A patent/JPH05267182A/ja not_active Withdrawn
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH1079377A (ja) * | 1996-07-12 | 1998-03-24 | Tokyo Electron Ltd | 成膜・改質集合装置 |
| WO2000042236A3 (en) * | 1999-01-13 | 2000-11-23 | Tokyo Electron Ltd | Processing system and method for chemical vapor deposition |
| US6409837B1 (en) | 1999-01-13 | 2002-06-25 | Tokyo Electron Limited | Processing system and method for chemical vapor deposition of a metal layer using a liquid precursor |
| EP1357583A4 (en) * | 2001-01-09 | 2005-05-25 | Tokyo Electron Ltd | TREATMENT DEVICE WITH BLADE FEED |
| EP1357583A1 (en) * | 2001-01-09 | 2003-10-29 | Tokyo Electron Limited | Sheet-fed treating device |
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| US7232502B2 (en) | 2001-01-09 | 2007-06-19 | Tokyo Electron Limited | Sheet-fed treating device |
| KR100837885B1 (ko) * | 2001-01-09 | 2008-06-13 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 낱장식 처리 장치 |
| KR100425789B1 (ko) * | 2001-12-07 | 2004-04-06 | 주성엔지니어링(주) | 인젝터 및 인젝터 히팅장치 |
| US20090165713A1 (en) * | 2007-12-26 | 2009-07-02 | Samsung Electro-Mechanics Co, Ltd. | Chemical vapor deposition apparatus |
| US8298338B2 (en) | 2007-12-26 | 2012-10-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Chemical vapor deposition apparatus |
| US20090260572A1 (en) * | 2008-04-18 | 2009-10-22 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Chemical vapor deposition apparatus |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990518 |